IK2N60I TO251 MOS管 MOSFET 场效应管好
N channel 600V MOSFET
Features
? R DS(on) ≦5Ω( Max.)@ V GS = 10V ? Low Gate Charge ( Typ. 9.0nC) ? Fast Switching
? Avalanche energy specified ? Improved dv/dt capability
Description
The IK2N60I N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switchingconverters, solenoid, motor drivers, relay drivers.
Pin configuration
Maximum Ratings Tc = 25℃ unless otherwise noted*
Thermal Characteristics
N channel 600V MOSFET
Electrical characteristics (TA =25℃ Unless Otherwise Specified)
Notes :a. pulse test:pulse width 300 us,duty cycle 2% ,Guaranteed by design,not subject to production testing.
b. IKsemicon reserves the right to improve product design,functions and reliability without notice.
N channel 600V MOSFET
Typical Characteristics (TJ =25℃ Noted)
On-Region Characteristics Drain-Source Voltage,V DS(V)
Transfer Characteristics Gate-Source Voltage,V GS(V)
On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage
Drain Current,I D(A) Body Diode Forward Voltage Variation vs.Source Current and Temperature
Source-Drain Voltage,V SD(V)
Capacitance vs. Drain-Source Voltage Drain Source Voltage V DS (V) Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage Total Gate Charge,Q G(nC)
R D
S
( o n ) (Ω)
N channel 600V MOSFET
Mechanical Dimensions
Label size: 7cm*4cm
N channel 600V MOSFET
Packing specification
Common Packing：（5 inner boxes/carton）
Label on the Inner Box
Blue nail
White nail
Bubble paper
Inner Box: 577 mm×162mm×53mm
Label on the Outer Box
QA Label
Seal the box
with the tape
Stamp “EMPTY”
on the empty box
Outer Box: 594 mm× 292mm× 185mm
场效应管和mos管的区别
功率场效应晶体管MOSFET 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET （Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS 器件为例进行讨论。 功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET 采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2功率MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1 反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 2.3功率MOSFET的基本特性
第五章 MOS场效应晶体管
第五章 MOS 场效应晶体管 § 5.1 MOS 场效应晶体管的结构和工作原理 1．基本结构 上一章我们简单提到了金属－半导体场效应晶体管（即MESFET ），它的工作原理和JEFET 的工作原理有许多类似之处。如果在金属－半导体结之间加一层氧化物绝缘层（如SiO 2）就可以形成另一种场效应晶体管，即金属－氧化物－半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ，缩写MOSFET ），如图所示（P172）。 MOS 管主要是利用半导体表面效应而制成的晶体管，参与工作的只有一种载流子（即多数载流子），所以又称为单极型晶体管。在双极型晶体管中，参加工作的不仅有多数载流子，也有少数载流子，故称为双极型晶体管。 本章主要以金属―SiO 2―P 型Si 构成的MOS 管为例来讨论其工作原理。器件的基本参数是：沟道长度L （两个N P +结间的距离）；沟道宽度Z ；氧化层厚度x 0；漏区和源区的结深 x j ；衬底掺杂浓度N a 等。 MOS 场效应晶体管可以以半导体Ge 、Si 为材料，也可以用化合物GaAs 、InP 等材料制作，目前以使用Si 材料的最多。MOS 器件栅下的绝缘层可以选用SiO 2、Si 3N 4和Al 2O 3等绝缘材料，其中使用SiO 2最为普遍。 2．载流子的积累、耗尽和反型 （1）载流子积累 我们先不考虑漏极电压V D ，将源极和衬底接地，如图所示。如果在栅极加一负偏压（0G