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模拟电路第二章课后习题答案(供参考)

模拟电路第二章课后习题答案(供参考)
模拟电路第二章课后习题答案(供参考)

第二章 习题与思考题

◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。

解:

(a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求;

(b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏);

(c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏);

(d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏);

(e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);

(f) 无放大作用,电容C 2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0;

(g) 无放大作用,电容C b 使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;

(h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置;

(i) 无放大作用,VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。

本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。

◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。 解:

本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。

◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ;②增大VCC ;③增大β。 解:

① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R

② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V

③ ???↓↑?↑?CC CQ

BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。

◆ 题 2-4 在图,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、

U CEQ 、r be 和||u

A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1;②增大R b2;③增大Re ;④增大β。

解:

① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be

CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R &

② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ

CQ EQ BQ b A r U I I I U U R &

③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be

CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &

④ ?????↑?↓????↑≈基本不变或略增大基本不变基本不变||u be

CEQ BQ EQ CQ A r U I I I &β 本题的意图是理解分压式稳定Q 放大电路中各种参数变化时对Q 点和电压放大倍数的影响。

◆ 题 2-5 设图P2-5中的三极管β=100,U BEQ =0.6V ,V CC =12V ,R c =3k Ω,R b =120k Ω。求静态工作点处的I BQ 、I CQ 和U CEQ 值。

解:

本题的意图是学习运用静态分析的基本方法求解一个简单的但课堂上并未讲过的放大电路的静态工作点。 ◆ 题 2-6 已知图P2-2(a)中:R b =510k Ω,R c =10k Ω,R L =1.5k Ω,V CC =10V 。三极管的输出特性如图(b)所示。① 试用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选得是否合适;② 在V CC 和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右,可以改变哪些参数?如何改法?③ 在V CC 和三极管不变的情况下,为了使I CQ =2mA ,U CEQ =2V ,应改变哪些参数?改成什么数值?

解:

① 先由估算法算出I BQ

然后,由式C c C CC CE i R i V u 1010-=-=,在输出特性曲线上画出直流负载线,其与横、纵两个坐标轴的交点分别未(10V ,0)和(0,1mA ),直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q 1即为静态工作点。

由Q 1可得,U CEQ ≈0.5V ,I CQ =0.95mA 。可见,Q 1点靠近饱和区,位置不太合适,容易产生饱和失真。 ② 在V CC 和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右,可以改变的参数只有R b 和(或)R c ,有以下几种方法: 1)同时减小R b 和R c ,如图中Q 2点;2)R b 不变,减小R c ,如图中Q ’2点;3)R c 不变,增大R b ,如图中Q ’’2点;4)同时增大R b 和R c ,静态工作点在图中Q ’’2点以下。

③ 在V CC 和三极管不变的情况下,为了使I CQ =2mA ,U CEQ =2V ,可以改变的参数只有R b 和(或)R c 。将i C =I CQ =2mA ,u CE =U CEQ =2V 的一点与横坐标轴上u CE =10V 的一点相连即可得到此时的直流负载线,此时集电极电阻为Ω=Ω-=-=k k I U V R CQ

CEQ

CC c 42210,由图可见,Q 3点处I BQ =40uA ,则 Ω≈Ω-=-=k k I U V R BQ BEQ

CC b 25004

.07.010,因此,需要减小R b 和R c 为:R c =4k Ω,R b =250k Ω。 本题的意图是训练用图解法求Q 点,并分析电路参数对Q 点的影响。

◆ 题 2-7 放大电路如图P2-7(a)所示。试按照给定参数,在图P2-7(b)中:

① 画出直流负载线;

② 定出Q 点(设U BEQ =0.7V);

③ 画出交流负载线。

解:

① 直流负载线方程为C e c C CC e E c C CC CE i R R i V R i R i V u 315)(-=+-≈--=,据此,过横、纵两个坐标轴上两点(15,0)和(0,5)作一条直线,即为直流负载线。

② 由给定电路的直流通路可得:

V V R R R U CC b b b BQ 3.31539

1111211=?+=+≈, 则i C =I CQ =2.6mA 的一条水平直线与直流负载线的交点即为Q ,由图可知,U CEQ =7.2V 。

模拟电子技术 第二版答案

第八章自我检测题参考答案 一、填空题 1.图Z8.1所示电路,求 ⑴变压器二次电压U2=15V; ⑵负载电流I L=10mA ⑶流过限流电阻的电流I R=24mA;提示:I R=(U C-U O)/R ⑷流过稳压二极管的电流为14mA。 2.78M12的输出电压为12V,最大输出电流为0.5A。 3.CW317三端可调集成稳压器,能够在1.2V至37V输出范围内提供1.5A的最大输出电流。 二、选择题 1.图Z8.2所示电路,若U I上升,则U O(A)→U A(A)→U CE1(C)→U O(B)。 A.增大 B.不变 C.减小 2.PWM开关稳压电源,当电网电压升高时,其调节过程为U O(A)→占空比D(B)→U O(C)。 A.增大 B. 减小 C.不变 3.图Z8.3所示电路装接正确的是(b)。

三、图8.1.3所示电路,写出U O 的表达式,若U Z =6,计算U O 的调节范围。 解: Z P Z P P O U R R R U R R R R R U ??? ? ? ?++=+++= 12 1211 代入数据 U Omin =?? ? ? ?++ 51.0131×6V≈17.9V U Omax =(1+3/0.51)×6V≈41.3V 该电路的输出电压调节范围为17.9V ~41.3V 。 四、将图Z8.3的元器件正确连接起来,组成一个电压可调稳压电源。 解:画出参考接线如下图红线所示。 第八章 习题参考答案 8.1图Z8.1所示电路,若负载不变,当电网电压下降时,I R 、I Z 、U R 、U O 分别如何变化? 解: 图Z8.1所示电路,若负载不变,当电网电压下降时,I R ↓,I Z ↓↓,U R ↓,U O ↑。 8.2在电网电压波动范围为±10%的情况下,设计一输出电压为6V ,负载电阻范围为1kΩ至∞的桥式整流电容滤波硅稳压管并联稳压电源。 提示:U I 可按(2~3)U O 经验公式选取。

最新模拟电路试卷及答案---副本

电子基础 [ 模拟电路试卷及答案] [填空及选择题]

模拟综合试卷一 一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a , b 。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是 a , b 。 3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。 6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压 为 V;若u i1=1500μV, u i2 =500μV,则差模输入电压u id 为μV,共模 输入信号u ic 为μV。 8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。 10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二.选择题 1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE 的变化情 况为()。 A.β增加,I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加,u BE 减小

C.β和u BE 减小,I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是() A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5.差分放大电路的共模抑制比K CMR 越大,表明电路() A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7.为了使运放工作于线性状态,应() A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 8.在正弦振荡电路中,能产生等幅振荡的幅度条件是()。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9.振荡电路的振荡频率,通常是由()决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 10.在串联型线性稳定电路中,比较放大环节放大的电压是() A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

电路与模拟电子技术基础习题解答第8章习题解答

第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 设运放为理想器件。在下列几种情况下,他们分别属于哪种类型的滤波电路(低通、高通、带通、带阻)并定性画出其幅频特性。 (1)理想情况下,当0f =和f →∞时的电压增益相等,且不为零; (2)直流电压增益就是它的通带电压增益; (3)理想情况下,当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益; (4)在0f =和f →∞时,电压增益都等于零。 解:(1)带阻 (2)低通 (3)高通 (4)带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 在下列各种情况下,应分别采用哪种类型(低通、高通、带通、带阻)的滤波电路。 (1)希望抑制50Hz 交流电源的干扰; (2)希望抑制500Hz 以下的信号; (3)有用信号频率低于500Hz ; (4)有用信号频率为500 Hz 。 解:(1)带阻 (2)高通 (3)低通(4)带通 一个具有一阶低通特性的电压放大器,它的直流电压增益为60dB ,3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ,10KHz ,100KHz 和1MHz 时的增益。 解:H Z o 100H ,60dB f A ==,其幅频特性如图所示

40 Z v 20lg /A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 电路如图所示的,图中C=μF ,R=5K Ω。 (1)确定其截止频率; (2)画出幅频响应的渐进线和-3dB 点。 图 习题电路图 解:L 36 11 318.3(Hz)225100.110f RC ππ--= ==???? L L L L L v 20lg /dB A ? ??

模拟电路第二章课后习题答案(供参考)

第二章 习题与思考题 ◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。 解: (a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求; (b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏); (c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏); (d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏); (e) 有放大作用(电压放大倍数小于1); (f) 无放大作用,电容C 2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0; (g) 无放大作用,电容C b 使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极; (h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置; (i) 无放大作用,VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。 解: 本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ;②增大VCC ;③增大β。 解: ① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R ② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V ③ ???↓↑?↑?CC CQ BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。 ◆ 题 2-4 在图,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、 U CEQ 、r be 和||u A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1;②增大R b2;③增大Re ;④增大β。 解: ① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断(10分) 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。() 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。() 3、PN结具有单向导电特性。() 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。() 5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。() 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。() 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。() 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。() 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。() 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。() 二、选择(10分) 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下,可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通,反偏截止 B、正偏截止,反偏导通 C、正偏导通,反偏导通 D、正偏截止,反偏截止 4、既能放大电压,也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大,表明电路()。 A、放大倍数越稳定; B、交流放大倍数越大; C、抑制温漂能力越强; D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入()反馈,为减小输出电阻,应引入()反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是()。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中,已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形,设二极管为理想二极管。(每题10分,共20分)

模拟电路第二章

第二章 2—4、二极管电路如图题2.4所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出各电路的输出 电压V 0,设二极管的导通压降为0.7V 。 解: 二极管导通 V V 7.50-= 二极管VD 1导通,二极管VD 2截止。 V V 7.00-= 2—5、电路如图题2.5所示,图中二极管是理想的,设输入电压t sin u i ω10=(V)时,试画出) t (u 0的波形。 V /u -10

2—6、硅二极管限幅电路如图题2.6(a)所示,当输入波形i u 如图题2.6(b)所示时,画出输出电压0 u 的波形。 2—7、(1)已知两只硅稳压管的稳压值分别为8V 和6V ,当将它们串联或并联使用时可以得到几 种不同的稳压值? (2)稳压值为6V 的稳压管接成如题图2.7所示电路,R 1=4K Ω,在下面四种情况下确定 V 0的值。a )V i =12V , R 2=8K Ω;b )V i =12V , R 2=4K Ω;c )V i =24V , R 2=2K Ω;d )V i =24V , R 2=1K Ω。 V /u V / -0u

解:(1)串联使用时可以得到:8+6=14V ;8+0.7=8.7V ;6+0.7=6.7V ;0.7+0.7=1.4V (2)a)V 0=6V ; b)V 0=6V ; c)V 0=6V ; d)V 0=4.8V ; 2—8、在下列几种情况下求输出端F 的点位V F 以及电路各元件中流过的电流:(1)V A =V B =0V ; (2)V A =+3V ,V B =0V (3)V A =V B =+3V 。二极管的正向电压忽略不计。 解:(1) V A =V B =0V 时,两个二极管均导通。V F =0V mA 0839312..I R ≈= mA .I I I R VDB VDA 5412 1=== (2)V A =+3V ,V B =0V 时,VD A 截止,VD B 导通。 V F =0V mA 0839312..I I DB V R ≈= = 0=VDA I (3)V A =V B =+3V 时,两个二极管均导通。V F =3V mA 31293312..I R ≈-= mA .I I I R VDB VDA 1512 1=== 2—11、在晶体管放大电路中测得晶体管3个电极的电位如图题2.11所示,试判断晶体管的类型、 材料,并区分a 、b 、c 三个极。 为PNP 型Ge 管 2—12、某个晶体管的参数如下:V V ,mA I ,mW P CEO )ER (CM CM 1520100 ===,问下列哪种情况下晶体管可以正常工作? (1)mA I ,V V C CE 103==;(2)mA I ,V V C CE 402==;(3)mA I ,V V C CE 206== 解:(1)可以正常工作。(2)CM C I I >不能正常工作。(3)CM C P P >不能正常工作。 (集电极) (发射极) (基极)

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F) 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。 A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。 A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。 A.增大B.减小C.不变D.不确定 5.三极管β值是反映(B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将(A )。 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是(B )。 A.电流放大系数B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =,V U4.5 2 =,V U12 3 =,则对应该管的管脚排列依次是(B)。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。 A.多数载流子B.少数载流子 C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是(D)。(发正偏集反偏) A.PNP型硅管B.PNP型锗管C.NPN型锗管D.NPN型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。 A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。 A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5.PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。 6.三极管最重要的特性是电流放大作用。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。 8.场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

电子科技大学模拟电路考试题及答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A 卷(120 分钟)考试形式:开卷课程成绩构成:平时10 分,期中30 分,实验0 分,期末60 分 一(20分)、问答题 1.(4分)一般地,基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大?哪个最小? 2.(4分)在集成运算放大器中,为什么输出级常用射极跟随器?为什么常用射极跟随器做缓冲级? 3.(4分)电流源的最重要的两个参数是什么?其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载?在集成电路中采用有源负载有什么好处? 4.(4分)集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级? 5.(4分)在线性运算电路中,集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式?

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二(10分)、电路如图1所示。已知电阻R S=0,r be=1kΩ,R1∥R2>>r be。 1.若要使下转折频率为10Hz,求电容C的值。 2.若R S≠0,仍保持下转折频率不变,电容C的值应该增加还是减小? 图1 三(10分)、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V,硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V,R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。 图2

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四(10分)、电路如图3所示。已知三极管的β=50,r be=1.1kΩ,R1=150kΩ,R2=47kΩ,R3=10kΩ,R4=47kΩ,R5=33kΩ,R6=4.7kΩ,R7=4.7kΩ,R8=100Ω。 1.判断反馈类型; 2.画出A电路和B电路; 3.求反馈系数B; 4.若A电路的电压增益A v=835,计算A vf,R of和R if。 图3

模拟电子技术第二章习题解答

习题 题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。 图P2-1 题2-1解(a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求; (b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏); (c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏); (d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏); (e) 有放大作用; (f) 无放大作用,输入信号的负半轴不能加到放大电路中去; (g) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0; (h) 无放大作用,电容Cb使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 题2-2 已知图P2-2(a)中:R b=510kΩ,R c=10kΩ,R L=1.5kΩ,V CC=10V。三极管的输出特性如图(b)所示。 ①试用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选得是否合适; ②在V CC和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右,可以改变哪些参数?如何改法? ③在V CC和三极管不变的情况下,为了使I CQ=2mA,U CEQ=2V,应改变哪些参数?改成什么数值?

(a ) 题2-2解:① 先由估算法算出I BQ C C B E Q BQ b 100.7 mA 0.02mA 20μA 510 V U I R --= ≈ ≈= 然后,由式 C c C CC CE i R i V u 1010-=-=, 在输出特性曲线上画出直流负载线,其与横、 纵两个坐标轴的交点分别未(10V ,0)和(0,1mA ),直流负载线与i B =20uA 的一条输出 特性曲线的交点Q1即为静态工作点。 由Q1可得,U CEQ ≈0.5V ,I CQ =0.95mA 。可见,Q1点靠近饱和区,位置不太合适,容易产生饱和失真。 ② 在V CC 和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右,可以改变的参数只有R b 和(或)R c ,有以下几种方法: 1)同时减小R b 和R c ,如图中Q2点;2)R b 不变,减小R c ,如图中Q ’2点;3)Rc 不变,增大Rb ,如图中Q ’’2点;4)同时增大Rb 和Rc ,静态工作点在图中Q ’’2点以下。 ③ 在V CC 和三极管不变的情况下,为了使I CQ =2mA ,U CEQ =2V ,可以改变的参数只有R b 和(或)Rc 。将i C =I CQ =2mA ,u CE =U CEQ =2V 的一点与横坐标轴上u CE =10V 的一点相连即可得到此时的直流负载线,此时集电极电阻为CC CEQ c CQ 102 k Ω4k Ω2 V U R I --= = =, 由图可见,Q3点处I BQ =40uA ,则CC BEQ b BQ 100.7 k Ω250k Ω0.04 V U R I --= = ≈ ,因此,需要减小 Rb 和Rc 为:Rc =4k Ω,Rb =250k Ω。 i C u CE /V 图 P2-2 (b )

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础 第二章练习题

注意:答案仅供参考! 一、填空题 1. 半导体三极管属于 电流 控制器件,而场效应管属于 电压 控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ;若负载电阻R L 变小时,其电压增益将变 小 。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ;产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ;若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。 5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真;Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7.对于下图所示电路,设V CC =12V ,R b =510k Ω,R c =8 k Ω,V BE =0.7V ,V CE (sat )=0.3V,当β=50,静态电流I BQ = 22μA ,I CQ = 1.1mA ,管压降V CEQ = 3.2V ;若换上一个当β=80,静态电流I BQ = 22μ A ,I CQ = 1.46mA ,管压降V CEQ = 0.3V ,三级管工作在 饱和 状态。 8.对于下图所示电路,设V CC =12V ,三级管β=50,V BE =0.7V ,若要求静态电流I CQ =2mA ,V CEQ =4V ,则电路中的R b = 282.5 k Ω ,R C = 4 k Ω 。

9.对于下图所示电路,已知V CC =12V,R b1 =27 kΩ,R c =2 kΩ,R e =1 kΩ,V BE =0.7V, 现要求静态电流I CQ =3mA,则R b2 = 12 kΩ。 10.已知图示的放大电路中的三级管β=40,V BE=0.7V,稳压管的稳定电压V Z=6V, 则静态电流I BQ = 0.275mA ,I CQ = 11mA ,管压降V CEQ = 3V 。 11. 当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β增 大,穿透电流I CEO增加,当I B不变时,发射结正向压降|U BE|减小。 12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作,当到了夏天后,发现输出波形失真,且幅度增大,这时发生的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于 夏天室温升高后,三级管的 I CBO 、 V BE 和β三个参数的变化,引起工 作点上移;输出波形幅度增大,则是因为β参数随温度升高而增大所造成,输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

南邮模拟电子第8章-功率放大电路习题标准答案

习题 1. 设2AX81的I CM =200mA ,P CM =200mW ,U (BR)CEO =15V ;3AD6的P CM =10W (加散热板),I CM =2A ,U (BR)CEO =24V 。求它们在变压器耦合单管甲类功放中的最佳交流负载电阻值。 解:当静态工作点Q 确定后,适当选取交流负载电阻值L R ',使Q 点位于交流负载线位于放大区部分的中点,则可输出最大不失真功率,此时的L R '称为最佳交流负载电阻。 忽略三极管的饱和压降和截止区,则有L CQ CC R I U '=。 同时应满足以下限制:CM CQ CC P I U ≤?,2 (BR)CEO CC U U ≤ ,2 CM CQ I I ≤ 。 (1)对2AX81而言,应满足mW 200CQ CC ≤?I U ,V 5.7CC ≤U ,mA 100CQ ≤I 。取 mW 200CQ CC =?I U 。 当V 5.7CC =U 时,mA 7.26CQ =I ,此时L R '最大,Ω=='k 28.07 .265 .7L(max)R ; 当mA 100CQ =I ,V 2CC =U 时,此时L R '最小,Ω=='k 02.0100 2 L(min)R ; 故最佳交流负载电阻值L R '为:ΩΩk 28.0~k 02.0。 (2)对3AD6而言,应满足W 10CQ CC ≤?I U ,V 12CC ≤U ,A 1CQ ≤I 。取 W 10CQ CC =?I U 。 当V 12CC =U 时,A 83.0CQ =I ,此时L R '最大,Ω=='46.1483.012 L(max)R ; 当A 1CQ =I 时, V 10CC =U ,此时L R '最小,Ω=='101 10L(min)R ; 故最佳交流负载电阻值L R '为:ΩΩ46.14~10。 2. 图题8-2为理想乙类互补推挽功放电路,设U CC =15V ,U EE =-15V ,R L =4Ω,U CE(sat)=0,输入为正弦信号。试求 (1) 输出信号的最大功率; (2) 输出最大信号功率时电源的功率、集电极功耗(单管)和效率; (3) 每个晶体管的最大耗散功率P Tm 是多少?在此条件下的效率是多少?

模拟电路第二章课后习题答案汇编

模拟电路第二章课后 习题答案

第二章习题与思考题 ◆题 2-1试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。 解: (a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求; (b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏); (c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏); (d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏); (e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);

(f) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0; (g) 无放大作用,电容C b使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极; (h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置; (i) 无放大作用,VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。 解:

本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆题 2-3 在NPN三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ、I CQ、U CEQ将增大、减小还是不变。①增大Rb;②增大VCC;③增大β。 解: ①↓ ↓? ↓? ↑? CEQ CQ BQ b U I I R ②不定 ) (↑ - ↑ = ↑? ↑? ↑? CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V b CC b CC b BEQ CC BQ R V R V R U V I≈ - ≈ - = 7.0 BQ BQ CQ I I Iβ β≈ ≈C CQ CC CEQ R I V U- =

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题:(要求) 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。 半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是; 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出 保持稳定,因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分,同时,尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流,而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器,Av2是( ) 放大器,Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下,得出两个重要结论他们是:( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题: 1、PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。

模拟电子技术课程习题 第二章 基本放大电路

第二章基本放大电路 在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在基本共射放大电路中,负载电阻R L减小时,输出电阻R O将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 以下电路中,可用作电压跟随器的是[ ] A.差分放大电路B.共基电路 C.共射电路D.共集电路 晶体三极管的关系式i E=f(u EB)|u CB代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 对于图所示的复合管,穿透电流为(设I CEO1、I CEO2分别表示T1、T2管的穿透电流) A.I CEO= I CEO2I CEO B.I CEO=I CEO1+I CEO2 C.I CEO=(1+2)I CEO1+I CEO2 D.I CEO=I CEO1 图[ ] 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻() 等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是 运载信息的工具,称为()。 2

模拟电子技术习题与答案

模拟电子技术 第 1 章半导体二极管及其基本应用 1. 1填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载 流子是空穴。 3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直 流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为 1 mA,正向压降为 0.65 V ,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。 1. 2单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。 A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度 D .晶格缺陷2. PN结形成后,空间电荷区由 ( D ) 构成。 A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A.减小B.基本不变C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将 ( C ) 。 A.增大B.基本不变C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、 A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1. 3是非题 1.在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) 2.因为 N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × ) 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× ) 1. 4分析计算题 1.电路如图 T1.1 所示,设二极管的导通电压U D(on) =0.7V,试写出各电路的输出电压 Uo 值。

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