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电路(巨辉)第6章作业+参考答案

第6章正弦稳态电路分析——作业参考解答

一、P6-14电路如图所示，当s rad 50ω/=时，求in Z 。

解：相量模型如图所示，则：

Ω)4

1j 43(

)]Z Z //(Z [Z Z C 1R 1R L in +=++=

二、P6-19电路如图所示，当s rad 10ω4

/=时，求in Z ，并画出串联、并联等效模型及等效元件参数。

（a ）（b ）（c ）解：（1）求串联模型及元件参数

设电压和电流，则相量模型如图解 (a):

Ω20j 10210j L ωj Z 34L =??== ，

Ω100j 10110j 1

C ωj 1Z 6

4C -=??==

- 由KVL 得：()?

+-+=U 2I 100j 20j 50U 11，控制量：1I 50U ?

= 可得：()11I 80j 150U ?

?-=，则等效阻抗：()Ω

80j 150I U Z 1

1eq

-==

等效元件参数：Ω150R =，

且：C

101j C

ω1j 80j 4

-=-=- 求得：uF 25.1C =

串联等效元件参数模型如图解 (b)所示；

（2）

()S 0028.0j 0052.0Z 1

Y eq

eq +==

Ω3.192G

1R S 102.5G 3==→?=-，

uF 28.0C C 10j C ωj 0028.0j 4=?==

并联等效元件参数模型如解 (c)所示。

三、P6-25用节点分析法求图所示电路电压0u 。

..U .

解： V 025U s ?∠=?

Ω10j 101010j L ωj Z 33L =??== ，

Ω20j 10

5010j 1C ωj 1Z 6

3C -=??==

- 设参考节点、各独立节点，得相量模型如图所示：

?????????

???

??????+==

-=???? ??++-+--?

∠=--???? ?

?-++?????????2

01002121U 10j 3030U 20U I I 4U 10j 301

20j 1U 20j 120025U 20j 1U 20j 1201201

可求得：φU U 00∠=?

则：V )φt 10cos(2U u 300+=

四、P6-32利用网孔分析法求图所示电路的电流0I ?

。

90o

ω5.0j L j Z L ==Ωω2j C

j 1

Z C -==

解：设网孔电流以及电压?

U 如图，则网孔方程：

()()()??????

???

????∠=-=-+---=++-?∠-=---+-?

∠=?

??????????

04I I U I 4j 1I )4j (U I 2j 1I 2j 9010I )4j (I 4j 2I 202I 34423

14211，待求响应：20I I ?

?-=，

五、P6-35利用叠加定理求图所示电路的电压?

U 。

（a ）

（b ）

解：（1）电压源单独作用，如图解 (a)所示，则： A 13.2334

j 33015I 1?-∠=+?

∠=

，

V 97.3j 26.21I 4j I 32U 111+=+?=?

（2）电流源单独作用，如图解 (b)所示，则：

A 87.17144554

j 34

j I 2∠=?-∠?+-

V 70.1j 88.11I 3I 32U 222+-=-?=?

（3）同时作用：

67.5j 38.9U U U 21+=+=?

V 15.3196.10?∠=

六、P6-38电路如图P6-38所示，求图（a ）戴维南等

效电路和诺顿等效电路。

（a ）（b ）（

c ）

2.24-86.6o

（d ）（e ）

解： ?∠=?

3050U S Ω20j Z L = Ω10j Z C -= Ω10Z R = （1）求开路电压oc U ?

，电路如图解(a)所示，则：

V 15050U Z Z Z U S C

L C

?-∠=?+=??

（2）求短路电流sc I ?

，电路如图解 (b)所示，

C R C C R L S

Z Z Z )Z //Z (Z U I +?

A 57.8636.22?-∠=

（3）求等效阻抗eq Z ，如图解 (c)所示，

)20j 10()Z //Z (Z Z C L R eq -=+=

Ω?-∠=43.6336.22

则所求戴维南等效电路如图如图解 (d)所示；诺顿等效电路如图如图解e)所示。

七、P6-50电路如图P6-50所示，求：

（1）使负载上吸收最大有功功率的负载阻抗值；（2）负载所吸收的最大有功功率。

（a ）（b ）

解：?∠=?

3050U S Ω20j Z L = Ω10j Z C -= Ω10Z R = （1）求开路电压oc U ?

，如图（a ）所示，

)40j (20340

j 100j 8080

U oc

-??∠?-+=?

V 87.10696?-∠=

2、等效阻抗，如图（b ）所示，

j 100j 80)4j )(100j 80(Z eq -+-+=

6.49j 8.1253.75225.51-=?-∠=

3、使负载吸收最大有功功率的负载阻抗有两种情况：

1）复阻抗：Ω6

.49j 8.12Z Z *

eq L +==

W 1808

.12496R 4U P 2

s 2

oc max

=?== 2）纯电阻：

Ω2.516.498.12Z R Z 22eq L ≈+===

()

W 97.1Z X Z R U P L 2

L s 2oc

max =?++=

八、P6-55电路如图P6-55所示，计算电源：（1）功率因数；（2）传输的有功功率；（3）无功功率；

（4）视在功率；（5）复功率。

j6Ω

解：设流过电源的电流如图1所示，则：

()()()()

A 14025j 106j 85j 106j 824516I ?-∠≈-++-?++

∠-

功率因数角：?-=?=?--?=175185)140(45? 1、功率因数：996.0)175cos(cos =?-=? 2、有功功率：W 87.31cos UI P ==? 3、无功功率：var 79.2sin UI Q -==? 4、视在功率：A V 32UI S ?== 5、复功率：

V 79.2j 87.3117532I U S *

?-=?-∠==???

电路分析基础作业参考解答

电路分析基础作业参考解答 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

《电路分析基础》作业参考解答第一章（P26-31） 1-5 试求题1-5图中各电路中电压源、电流源及电阻的功率（须说明是吸收还是发出）。（a ）解：标注电压如图（a ）所示。由KVL 有故电压源的功率为 W P 302151-=?-=（发出）电流源的功率为 W U P 105222=?=?=（吸收）电阻的功率为 W P 20452523=?=?=（吸收）（b ）解：标注电流如图（b ）所示。由欧姆定律及KCL 有 A I 35 152==，A I I 123221=-=-= 故电压源的功率为 W I P 151151511-=?-=?-=（发出）电流源的功率为 W P 302152-=?-=（发出）电阻的功率为 W I P 459535522 23=?=?=?=（吸收） 1-8 试求题1-8图中各电路的电压U ，并分别讨论其功率平衡。

（b ）解：标注电流如图（b ）所示。由KCL 有故由于电流源的功率为电阻的功率为外电路的功率为且所以电路的功率是平衡的，及电路发出的功率之和等于吸收功率之和。 1-10 电路如题1-10图所示，试求：（1）图（a ）中，1i 与ab u ；解：如下图（a ）所示。因为所以 1-19 试求题1-19图所示电路中控制量1I 及电压0U 。解：如图题1-19图所示。由KVL 及KCL 有整理得解得mA A I 510531=?=-，V U 150=。补充题： 1. 如图1所示电路，已知图1 解：由题得 I 3 2=0

《电路原理》作业及答案

第一章“电路模型和电路定律”练习题 1-1说明题1-1图（a）、（b）中：（1）u、i的参考方向是否关联？（2）ui乘积表示什么功率？（3）如果在图（a）中u>0、i<0；图（b）中u>0、i>0，元件实际发出还是吸收功率？ i u- + 元件 i u- + 元件（a）（b）题1-1图 1-4 在指定的电压u和电流i的参考方向下，写出题1-4图所示各元件的u和i的约束方程（即VCR）。 i u- + 10kΩi u- + 10Ωi u- + 10V - + （a）（b）（c） i u- + 5V + -i u- + 10mA i u- + 10mA （d）（e）（f）题1-4图 1-5 试求题1-5图中各电路中电压源、电流源及电阻的功率（须说明是吸收还是发出）。

15V + - 5Ω 2A 15V +-5Ω 2A 15V + - 5Ω2A （a ）（b ）（c ）题1-5图 1-16 电路如题1-16图所示，试求每个元件发出或吸收的功率。 0.5A 2U +- 2ΩU + - I 2Ω1 2V + - 2I 1 1Ω （a ）（b ）题1-16图 A I 2

1-20 试求题1-20图所示电路中控制量u 1及电压u 。 ++2V - u 1 - +- u u 1 + - 题1-20图

第二章“电阻电路的等效变换”练习题 2-1电路如题2-1图所示，已知u S=100V，R1=2kΩ，R2=8kΩ。试求以下3种情况下的电压 u 2 和电流 i2、i3：（1）R3=8kΩ；（2）R3=∞（R3处开路）；（3）R3=0（R3处短路）。 u S + - R 2 R 3 R 1 i 2 i 3 u 2 + - 题2-1图

集成电路设计基础作业题解答

第五次作业、改正图题所示TTL 电路的错误。如下图所示：解答： (a)、B A B A Y ??=?=0，A,B 与非输出接基极，Q 的发射极接地。从逻辑上把Q 管看作单管禁止门便可得到B A Y ?=。逻辑没有错误！若按照题干中所示接法，当TTL 与非门输出高电平时，晶体管Q 的发射结要承受高压，必然产生巨大的电流。为了不出现这种情况，可以在基极加一电阻或者在发射极加一二极管。但发射极加二极管后会抬高输出的低电平电压。所以只能在基极加一大电阻，实现分压作用。另外一种方法是采用题（a ）图中的A 输入单元结构。 & & ≥1 1 1

(b)、要实现由，我们可以使用线与＋得到和B A B A 。但题干中的线与功能不合理。若其中一个为高电平且另外一个为低电平时，高电平输出降会往低电平输出灌电流，从而容易引起逻辑电平混乱。为了消除这一效应，可以在各自的输出加一个二极管。 (c)、电阻不应该接地，应该接高电平 (d)、电阻不应该接VCC ，而应该接低电平、试分析图题（a ），(b)所示电路的逻辑功能。解答：图（a ）中，单元1实现了A 的电平输入，B 是A 的对称单元。功能单元2实现了A 和B 输入的或逻辑功能单元4充当了Q8管的泄放网络，同时抬高了Q3,Q4管的输入逻辑电平，另外该单元还将或的结果传递给了Q8管功能单元3中的Q8管实现了非逻辑，Q6和Q7复合管加强了输出级的驱动能力。综上所述，（a ）电路实现功能为B A Y +=，即或非的功能图(b)中，Q1,Q2管依然实现传递输入的功能，Q3,Q4管实现或非的功能 Q6管和Q5管以及R5,R7共同组成的泄放网络实现了电压的传递 Q9管实现了非功能，Q7,Q8管依然是用来驱动负载的。Q9管和Q7,Q8轮流导通综上所述，（b ）实现的功能为B A B A Y +=+=

《半导体集成电路》考试题目及参考答案

第一部分考试试题第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。第4章TTL电路 1.名词解释

中南大学《电路理论》课程作业(在线作业)一及参考答案

(一) 单选题 1. 用节点法分析电路，各节点方程的自导（）。 (A)恒为正 (B) 恒为负 (C) 恒为零 (D) 可正可负参考答案： (A) 2. 一个具有4个结点和8条支路的平面网络，则其电路中独立的节点方程个数是（）。 (A)3 (B) 4 (C) 5 (D) 6 参考答案： (A) 3. 图1.2所示电路中，已知V，则电压源电压为（）。 (A)5V (B) (C) 12V (D)

参考答案： (C) 4. 特勒根定理1的本质是（）。 (A)KVL的体现 (B) KCL的体现 (C) KVL和KCL 的体现 (D) 功率守恒参考答案： (A) 5. 电路如图1.1所示，电阻R获得最大功率时，其阻值R等于（）。 (A)4 (B) 3 (C) 2 (D) 1 参考答案： (C) 6. 节点电压法的本质是（）。 (A)KVL的体现 (B) KCL的体现 (C) KVL和KVL的体现

参考答案： (B) 7. 一个具有5个结点和8条支路的平面网络，则其电路中独立的回路方程个数是（）。 (A)5 (B) 8 (C) 4 (D) 3 参考答案： (A) 8. 回路电流法自动满足（）。 (A)KVL (B) KCL (C) KVL和KVL 参考答案： (A) 9. 无源一端口电阻网络的端电压和端电流分别为24V和6A，则无源一端口网络的输入电阻为（）。 (A) (B) (C) (D) 参考答案： (D) 10. 若元件ab的电压V，电流A，则此元件电压和电流的参考方向是（）。

(A)关联参考方向(B) 非关联参考方向(C) 不确定参考答案： (B) 11. 某含源一端口电阻网络的，，则短路电流（）。 (A)4A (B) 5A (C) 10A (D) 20A 参考答案： (B) 12. 节点电压法自动满足（）。 (A)KVL (B) KCL (C) KVL和KVL 参考答案： (B) 13. 无源一端口电阻网络可等效变换为（）。 (A)电阻和电压源的串联 (B) 电导和电流源的串联 (C) 电阻参考答案： (C) 14. 流过理想电压源的电流大小与外电路（）。 (A)有关(B) 无关(C) 不确定参考答案： (A)

电路原理练习题二及答案

精选考试题类文档，希望能帮助到您! 一、选择题 1、设电路元件的电压和电流分别为u 和i ，则( ). （A ）i 的参考方向应与u 的参考方向一致（B ）u 和i 的参考方向可独立地任意指定（C ）乘积“u i ”一定是指元件吸收的功率（D ）乘积“u i ”一定是指元件发出的功率 2、如图1.1所示，在指定的电压u 和电流i 的正方向下，电感电压u 和电流i 的约束方程为( ). （A ）dt di 002 .0- （B ）dt di 002.0 （C ）dt di 02.0- （D ）dt di 02.0 图1.1 题2图 3、电路分析中所讨论的电路一般均指( ). （A ）由理想电路元件构成的抽象电路（B ）由实际电路元件构成的抽象电路（C ）由理想电路元件构成的实际电路（D ）由实际电路元件构成的实际电路 4、图1.2所示电路中100V 电压源提供的功率为100W ，则电压U 为( ). （A ）40V （B ）60V （C ）20V （D ）-60V

图1.2 题4 图图1.3 题5图 5、图1.3所示电路中I 的表达式正确的是（）. （A ）R U I I S - = （B ）R U I I S += （C ）R U I -= （D ）R U I I S --= 6、下面说法正确的是（）. （A ）叠加原理只适用于线性电路（B ）叠加原理只适用于非线性电路（C ）叠加原理适用于线性和非线性电路（D ）欧姆定律适用于非线性电路 7、图1.4所示电路中电流比B A I I 为（）. （A ） B A R R （B ）A B R R （ C ）B A R R - （ D ）A B R R - 图1.4 题7图 8、与理想电流源串联的支路中电阻R （）. （A ）对该支路电流有影响（B ）对该支路电压没有影响（C ）对该支路电流没有影响（D ）对该支路电流及电压均有影响 9、图1.5所示电路中N 为有源线性电阻网络，其ab 端口开路电压为30V ，当把安培表接在ab 端口时，测得电流为3A ，则若把10Ω的电阻接在ab 端口时，ab 端电压为：（）. （A ）–15V （B ）30V （C ）–30V （D ）15V N I a b 图1.5 题9图 10、一阶电路的全响应等于( ). （A ）稳态分量加零输入响应（B ）稳态分量加瞬态分量（C ）稳态分量加零状态响应（D ）瞬态分量加零输入响应 11、动态电路换路时，如果在换路前后电容电流和电感电压为有限值的条件下，换路前后瞬间有：（）. （A ）()()+-=00C C i i （B ）()()+-=00L L u u

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第1页（共28页）第2页（共28页）姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 本试卷共 6 页，满分100 分；考试时间：90 分钟；考试方式：闭卷题号一二三四（1）四（2）四（3）四（4）总分得分 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（）V ，其输出高电平为（）V ，输出低电平为（）V ， CMOS 电路的电源电压为（） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（）根地址线，有（）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（）位。 11. 下图所示电路中， Y 1＝（）；Y 2 ＝（）；Y 3 ＝（）。 12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（）有效。二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）（在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。 A.N B.2N C.N 2 D.2N 9．某计数器的状态转换图如下，其计数的容量为( ) A ．八 B. 五 C. 四 D. 三 A B Y 1 Y 2 Y 3 000 001 010 011 100 101 110 111

《电路原理》作业

第一讲作业（电路和电路模型，电流和电压的参考方向，电功率和能量） 1. 如图1所示：U ＝ V ，U 1＝ V 。 2. 图1—4所示的电路中，已知电压 1245U U U V ===，求 3 U 和 CA U 3. 图示一个3A 的理想电流源与不同的外电路相接，求3A 电流源三种情况第二讲作业（电路元件，电阻元件，电压源和电流源） I 。 2. 求图示各电路的电压U 。

3. 图示各电路，求： (1) 图(a)中电流源S I 产生功率S P 。 (2) 图(b)中电流源S U 产生功率S P 第三讲作业（受控电源，电路基本定律（VAR 、 K CL 、K VL ）） 1. 图示某电路的部分电路，各已知的电流及元件值已标出在图中，求I 、s U 、R 。 2. 图示电路中的电流I = ( )。 3. 图示含受控源电路，求： (1) 图(a)中电压u 。 (2) 图(b)中2Ω电阻上消耗的功率R P 。

第四讲作业（电路的等效变换，电阻的串联和并联，电阻的Y形联结和△形连结的等效变换） 1.图示电路中的acb支路用图支路替代，而不会影响电路其他部分的电流和电压。 2.电路如图，电阻单位为Ω，则R ab=_________。

3. 求图示各电路中的电流I 。第五讲作业（电压源和电流源的串联和并联，实际电源的两种模型及其等效变换，输入电阻） 1. 求图示电路中的电流I 和电压U ab 。 2. 用等效变换求图示电路中的电流I 。 .

3. 求图示各电路ab 端的等效电阻ab R 。第三章作业 3-1、某电路有n 结点，b 支路，其树枝数为，连枝数为，基本回路数为；独立的KCL 方程有个，独立的KVL 方程有个，独立的KCL 和KVL 方程数为。 3-2、电路的图如图，以2、3、4为树枝，请写出其基本回路组。 3-3、电路如图，用支路电流法列方程。 3-4、电路见图，用网孔分析法求I 。

半导体集成电路习题及答案

第1章集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应复习思考题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下：答：解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；

⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周； ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作的图进行修正，直至满足V V OL 4.0≤的条件。（CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =）第3章集成电路中的无源元件复习思考题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。试求： (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答：12μm (2) 粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答：一个弯头第4章晶体管 (TTL)电路复习思考题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上机使用时有什么问题? 答：不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流，假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同， BCF V =0.55V , CES V =0.4～0.5V , 1 CES V =0.1～0.2V 。答：（1）导通态（输出为低电平） V V B 1.21= ， V V B 55.12= ，V V B 2.13= ，V V B 5.04= ，V V B 8.05= ，

2020上“电路原理”作业(四大题共16小题)

一、简答题（8 小题） 1、在进行电路分析时，为何要指定电压或电流的参考方向何谓关联参考方向何谓非关联参考方向在图1-1中，电压和电流的参考方向为关联参考方向还是非关联参考方向在这种参考方向体系下，ui 乘积表示吸收还是发出功率如果u >0、i <0，则元件实际发出还是吸收功率 i u -+ 元件图1-1 、 2、分别说明图1-2、1-3所示的电路模型是理想电压源还是理想电流源分别简述理想电压源和理想电流源的特点，并分别写出理想电压源和理想电流源的VCR （即u 和i 的约束方程）。 i u -+ 10V - + i u - + 10mA 图1-2 图1-3 3、何谓RLC 并联电路的谐振在发生谐振时，其阻抗、电流、无功功率各有何特点并写出其品质因数Q 的表达式。》答:1、端口上的电压与输入电流同相时的工作状态称为谐振，由于发生在并联电路中，所以称为并联电路的谐振。 2、并联谐振电路总阻抗最大，因而电路总电流变得最小，但对每一支路而言，其电流都可能比总电流大得多，因此电流谐振又称电流谐振。并联谐振不会产生危及设备安全的谐振过电压，但每一支路会产生过电流。

3、并联电阻除以谐振时的感抗(或容抗)等于品质因数Q。 4、何谓RLC串联电路的谐振在发生谐振时，其阻抗、电压、无功功率各有何特点并写出其品质因数Q的表达式。答:1、由于串联电路中的感抗和容抗有相互抵消作用，这时端口上的电压与电流相同，工程上将电路的这种工作状态称为谐振，由于是在RLC串联电路中发生的，故称为串联谐振。 2、串联谐振：电路呈纯电阻性，端电压和总电流相同，此时阻抗最小，电流电大，在电感和电容上可能产生比电源电压大很多倍的高电压，国此串联谐振也称不电压谐振。 3、谐振时的感抗(或容抗)除以串联电阻等于品质因数Q。） 5、什么是三相对称负载图1-4中三相电源 a U 、 b U 、 c U 对称， L C X X R= =，则是否构成三相对称电路为什么并说明其线电流 a I 、 b I 、 c I 是否对称。 I b I a I c U b U c + + + －－－ a b c L C a R 图1-4 6、什么是三相对称负载图1-5中三相电源 a U 、 b U 、 c U 对称，则是否构成三相对称电路为什么并说明其线电流 a I 、 b I 、 c I 是否对称。 [ b I a I c I b U c U + + + －－－ a b c Z Z a U Z 图1-5

集成电路设计练习题

集成电路设计练习题2009 1、说明一个半导体集成电路成本的组成。 2、简述CMOS 工艺流程。简述CMOS 集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。 3、描述你对集成电路工艺的认识。列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18 指的是什么？简述CMOS 工艺技术的发展趋势。 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？ 5、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx其中，x为4位二进制整数输入信号。y 为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。 6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？ 7、描述你对集成电路设计流程的认识。 8、集成电路前端设计流程，后端设计流程，相关的工具。 9、从RTL synthesis 到tape out 之间的设计flow ，并列出其中各步使用的tool. 10、简述FPGA 等可编程逻辑器件设计流程。 11、简述半定制数字电路的设计流程。 12、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。 13、什么是集成电路的设计规则。 14、同步电路和异步电路的区别是什么？ 15、画出CMOS 电路的晶体管级电路图，实现Y=AB+C(D+E) 16、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N 管，为什么？ 17、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？ 18、名词解释：VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA

《数字集成电路》期末试卷(含答案)

浙江工业大学 / 学年第一学期《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷 A 姓名学号班级任课教师一、填空题（本大题共10小题，每空格1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1．十进制数（68）10对应的二进制数等于； 2．描述组合逻辑电路逻辑功能的方法有真值表、逻辑函数、卡诺图、逻辑电路图、波形图和硬件描述语言（HDL ）法等，其中描述法是基础且最直接。 3．1 A ⊕可以简化为。 4．图1所示逻辑电路对应的逻辑函数L 等于。 A B L ≥1 & C Y C 图1 图2 5．如图2所示，当输入C 是（高电平，低电平）时，AB Y =。 6．两输入端TTL 与非门的输出逻辑函数AB Z =，当A =B =1时，输出低电平且V Z =0.3V ，当该与非门加上负载后，输出电压将(增大，减小) 。 7．Moore 型时序电路和Mealy 型时序电路相比，型电路的抗干扰能力更强。 8．与同步时序电路相比，异步时序电路的最大缺陷是会产生状态。 9．JK 触发器的功能有置0、置1、保持和。 10．现有容量为210×4位的SRAM2114，若要将其容量扩展成211×8位，则需要片这样的RAM 。二、选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 11．十进制数（172）10对应的8421BCD 编码是。【】 A ．（1111010）8421BCD B ．（10111010）8421BCD C ．（000101110010）8421BC D D ．（101110010）8421BCD 12．逻辑函数AC B A C B A Z +=),,(包含个最小项。【】

电路分析基础习题及参考答案

电路分析基础练习题 @复刻回忆 1-1在图题1-1所示电路中。元件A 吸收功率30W ，元件B 吸收功率15W ，元件C 产生功率30W ，分别求出三个元件中的电流I 1、I 2、I 3。解61=I A ，32-=I A ，63=I A 1-5在图题1-5所示电路中，求电流I 和电压U AB 。解1214=--=I A ，39442103=?+?+=AB U V 1-6在图题1-6所示电路中，求电压U 。解U +?-=253050 V 1-8在图题1-8所示电路中，求各元件的功率。解电阻功率：123223=?=ΩP W ， 82/422= =Ω P W 电流源功率：电压源功率： 1(44=V P W 2-7电路如图题2-7所示。求电路中的未知量。解1262=?=S U V 2-9电路如图题2-9 3 I 解得2-8电路如图题2-8所示。已知213I I =解KCL ：6021=+I I 解得451=I mA,152=I mA. R 为 6.615452.2=?=R k ? 解(a)由于有短路线，R (b)等效电阻为 2-12电路如图题2-12所示。求电路AB 间的等效电阻AB R 。 A 3R U 3W 123=P Ω

解(a)Ω=+=++=75210//10)8//82//(6//6AB R (b)Ω=+=++=612//62)104//4//(64//4AB R 3-4用电源变换的方法求如图题3-4所示电路中的电流I 。、(c) 解ab U 3-144-2用网孔电流法求如图题4-2?????=-++=-+-+=-+0)(31580 0)(4 )(32100)(4823312322211I I I I I I I I I I I 解得： 26.91=I A ，79.22=I A ， 98.33-=I A 所以79.22==I I x A 4-3用网孔电流法求如图题4-3所示电路中的功率损耗。解显然，有一个超网孔，应用KVL 即11015521=+I I 电流源与网孔电流的关系解得：101=I A ，42=I A 电路中各元件的功率为 200102020-=?-=V P W ，36049090-=?-=V P 1806)10520(6-=??-=A P W ，5102+?=电阻P W 显然，功率平衡。电路中的损耗功率为740W 。 4-10用节点电压法求如图题4-10所示电路中的电压0U 。解只需列两个节点方程解得 501=U V ，802=U V 所以 1040500=-=U V 4-13电路如图题4-13解由弥尔曼定理求解开关S 打开时： 20/140/120/30040/300-=+-=U 1Ω4I 6I 12I 2I 0V

电路原理课程题库(有详细答案)

《电路原理》课程题库一、填空题 1、RLC串联电路发生谐振时，电路中的（电流）将达到其最大值。 2、正弦量的三要素分别是振幅、角频率和（初相位） 3、角频率ω与频率ｆ的关系式是ω=（2πｆ）。 4、电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为（磁场）能量储存起来。 5、RLC串联谐振电路中，已知总电压U=10V，电流I=5A，容抗X C =3Ω，则感抗X L =（3Ω），电阻R=（2Ω）。 6、在线性电路中，元件的（功率）不能用迭加原理计算。 7、表示正弦量的复数称（相量）。 8、电路中a、b两点的电位分别为V a=-2V、V b=5V，则a、b两点间的电压U ab=（-7V），其电压方向为（a指向b）。 ) 9、对只有两个节点的电路求解，用（节点电压法）最为简便。 10、RLC串联电路发生谐振的条件是：（感抗=容抗）。 11、（受控源）是用来反映电路中某处的电压或电流能控制另一处电压或电流的现象。 12、某段磁路的（磁场强度）和磁路长度的乘积称为该段磁路的磁压。 13、正弦交流电的表示方法通常有解析法、曲线法、矢量法和（符号）法四种。 14、一段导线电阻为R，如果将它从中间对折，并为一段新的导线，则新电阻值为（R/4）Ω。

15、由运算放大器组成的积分器电路，在性能上象是（低通滤波器）。 16、集成运算放大器属于（模拟)集成电路，其实质是一个高增益的多级直流放大器。 17、为了提高电源的利用率，感性负载电路中应并联适当的（无功)补偿设备，以提高功率因数。 18、RLC串联电路发生谐振时，若电容两端电压为100V，电阻两端电压为10V，则电感两端电压为（100V)，品质因数Q为（10)。 ' 19、部分电路欧姆定律的表达式是（I=U/R)。 20、高压系统发生短路后，可以认为短路电流的相位比电压（滞后)90°。 21、电路通常有(通路)、(断路)和(短路)三种状态。 22、运算放大器的(输入失调)电压和(输入失调)电流随(温度)改变而发生的漂移叫温度漂移。 23、对称三相交流电路的总功率等于单相功率的(3)倍。 24、当电源内阻为R0时，负载R1获得最大输出功率的条件是(R1=R0)。 25、场效应管是电压控制器件，其输入阻抗(很高)。 26、在电感电阻串联的交流电路中电压(超前)电流一个角。 27、正弦交流电的“三要素”分别为最大值、频率和(初相位)。 28、有三个电容器的电容量分别是C1、C2和C3，已知C1> C2> C3，将它们并联在适当的电源上，则它们所带电荷量的大小关系是(Q1>Q2>Q)。 ;

集成电路作业

1、集成电路制造工艺发展水平的衡量指标是什么？ a. 在设计和生产中可达到的最小线宽（或称特征尺寸L）。 b. 所使用的硅晶圆片的直径。 c. DRAM的储存容量。 2、简述电路制造工艺的发展趋势。 a.趋势性的变化越来越明显，速度越来越快。特征尺寸越来越小，电源电压越来越低，芯片尺寸越来越大，布线层数越来越多，单片上的晶体管数越来越多，I/O引线越来越多，时钟速度越来越快 b.集成电路朝着两个方向发展。 c.从另一个角度来说，进入90年代以来，电子信息类产品的开发明显地出现了两个特点。 3、简述集成电路产业结构经历的三次重大变革。第一次变革是以加工制造为主导的初级阶段 a.这一时期半导体制造在IC产业中充当主角。 b.这一时期IC设计和半导体工艺密切相关且主要以人工为主。第二次变革以Foundry和IC设计公司的崛起为标志 a.集成电路产业的一次大分工。 b.IC产业进入了以客户为导向的阶段。 c.EDA工具的发展，使IC设计工程可以独立于生产工艺。第三次变革以设计、制造、封装和测试四业分离为标志 a.集成电路产业的又一次大分工。 b.IC产业进入了以竞争为导向的高级阶段。 c.系统设计与IP核设计逐渐开始分工。 4、1个门相当于几个晶体管？以门的数量来划分集成电路有哪些分类？ 1个门相当于4个晶体管，等效于一个二输入与非门 a. 小规模集成电路（SSI：Small Scale Integrated Circuit）>1-10个门，基本的与非和或非逻辑。 b. 中规模集成电路（MSI: Middle Scale Integrated Circuit）>1万门以内，含有计数器和逻辑功能块等电路。 c. 大规模集成电路（LSI：Large Scale Integrated Circuit）>几万门，含有更多更大逻辑功能块，如4位CPU等。 d. 超大规模集成电路（VLSI：Very Large Scale Integrated Circuit）>近十万门，如64位CPU等电路。 e. 特大规模集成电路（ULSI：Ultra Large Scale Integrated Circuit）>几百万门以上，如DSP、CPU等电路。 f. 巨大规模集成电路（GSI：Giga Scale Integrated Circuit）>千万门以上，如SoC等电路。 5、集成电路系统设计需具备哪些要素？人才、工具、库和资金。

集成电路工艺原理试题总体答案

目录一、填空题（每空1分，共24分） (1) 二、判断题（每小题1.5分，共9分） (1) 三、简答题（每小题4分，共28分） (2) 四、计算题（每小题5分，共10分） (4) 五、综合题（共9分） (5) 一、填空题（每空1分，共24分） 1.制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。 2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。 3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。 4.高纯硅制备过程为氧化硅→粗硅→ 低纯四氯化硅→ 高纯四氯化硅→ 高纯硅。 5.直拉法单晶生长过程包括下种、收颈、放肩、等径生长、收尾等步骤。 6.提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。 7.常规的硅材料抛光方式有：机械抛光，化学抛光，机械化学抛光等。 8.热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。 9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、磷、砷（As）、锑（Sb）等元素具有掩蔽作用。 10.在SiO2内和Si- SiO2界面存在有可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。 11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。 12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足余误差函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足高斯分布函数分布。 13.离子注入在衬底中产生的损伤主要有点缺陷、非晶区、非晶层等三种。 14.离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。 15.真空蒸发的蒸发源有电阻加热源、电子束加热源、激光加热源、高频感应加热蒸发源等。 16.真空蒸发设备由三大部分组成，分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。 17.自持放电的形式有辉光放电、弧光放电、电晕放电、火花放电。 18.离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有反射、产生二次电子、溅射、注入。 19.溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、偏压溅射、磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）等。 20.常用的溅射镀膜气体是氩气（Ar）,射频溅射镀膜的射频频率是13.56MHz。 21.CVD过程中化学反应所需的激活能来源有？热能、等离子体、光能等。 22.根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：气相外延、液相外延、固相外延。 23.硅气相外延的硅源有四氯化硅（SiCl4）、三氯硅烷（SiHCl3）、二氯硅烷（SiH2Cl2）、硅烷（SiH4）等。 24.特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括高分辨率、高灵敏度的光刻胶、低缺陷、精密的套刻对准、对大尺寸硅片的加工等五个方面。 25.常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。 26.光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有溶解度、温度、甩胶时间、转速。 27.控制湿法腐蚀的主要参数有腐蚀液浓度、腐蚀时间、腐蚀液温度、溶液的搅拌方式等。 28.湿法腐蚀Si所用溶液有硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液、KOH溶液等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是HF溶液，腐蚀 Si3N4常用的腐蚀剂是磷酸。 29.湿法腐蚀的特点是选择比高、工艺简单、各向同性、线条宽度难以控制。 30.常规集成电路平面制造工艺主要由光刻、氧化、扩散、刻蚀、离子注入（外延、CVD、PVD）等工艺手段组成。 31.设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要埋层光刻、隔离光刻、基区光刻、发射区光刻、引线区光刻、反刻铝电极等六次光刻。 32.集成电路中隔离技术有哪些类？二、判断题（每小题1.5分，共9分） 1.连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体（×） 2.管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。（√） 3.当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错（√） 4.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。（×） 5.热氧化生长的SiO2都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO2中有离子键成份，氧空位表现为带正

2019上“电路原理”作业(四大题共16小题)

一、简答题（8小题） 1、在进行电路分析时，为何要指定电压或电流的参考方向？何谓关联参考方向？何谓非关联参考方向？在图1-1中，电压和电流的参考方向为关联参考方向还是非关联参考方向？在这种参考方向体系下，ui乘积表示吸收还是发出功率？如果u>0、i<0，则元件实际发出还是吸收功率？图1-1 答： 1、一旦决定了电流参考方向，每个元件上的电压降方向就确定了，不可随意设置，否则在逻辑上就是错误的，所以先要指定电厂、电流的方向。 2、所谓关联参考方向是指流过元件的电流参考方向是从元件的高电位端指向低电位端，即是关联参考方向，否则是非关联参考方向。 3、非关联——同一元件上的电压、电流的参考方向相反，称为非关联参考方向。 4、发出功率——非关联方向，调换电流i的参考方向之后，乘积p = ui < 0，表示元件发出功率。 5、吸收功率——非关联方向下，调换电流i的参考方向之后，u > 0，i > 0，功率p为正值下，元件实际吸收功率； 2、分别说明图1-2、1-3所示的电路模型是理想电压源还是理想电流源？分别简述理想电压源和理想电流源的特点，并分别写出理想电压源和理想电流源的VCR（即u和i的约束方程）。图1-2 图1-3 答： 1、图1-2是理想电压源；1-3所示的电路模型是理想电流源 2、理想电压源电源内阻为0；理想电流源内阻无穷大 3、图1-2中理想电压源与外部电路无关，故u = 10V 图1-3中理想电流源与外部电路无关，故i=-10×10-3A=-10-2A 3、何谓RLC并联电路的谐振？在发生谐振时，其阻抗、电流、无功功率各有何特点？并写出其品质因数Q的表达式。答： 1、端口上的电压与输入电流同相时的工作状态称为谐振，由于发生在并联电路中，所以称为并联电路的谐振。 2、并联谐振电路总阻抗最大，因而电路总电流变得最小，但对每一支路而言，其电流都可能比总电流大得多，因此电流谐振又称电流谐振。并联谐振不会产生危及设备安全的谐振过电压，但每一支路会产生过电流。

数电期末试卷及答案(共4套)

XX大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题（110分钟）(第一套) 一、填空题：（每空1分，共15分） 1．逻辑函数Y AB C =+的两种标准形式分别为（）、（）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。 3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。 4．8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为10001000，则输出电压为（）v。 5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。 6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。二、根据要求作题：（共15分） 1．将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门”来实现。 2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应A、B、C的P、Q波形。三、分析图3所示电路：（10分） 1）试写出8选1数据选择器的输出函数式； 2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图； 3）说明电路的逻辑功能。

四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。（15分）五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。（8分） B C 六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示，在示波器上观察到波形如图5(b)所示。试问该电路是如何连接的？请在原图上画出正确的连接图，并标明T的取值。（6分）七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。ROM 中的数据见表1所示。试画出在CP信号连续作用下的D3、D2、D1、D0输出的电压波形，并说明它们和CP信号频率之比。（16分）表1：