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MOS管的结构和工作原理

MOS管的结构和工作原理
MOS管的结构和工作原理

在P 型衬底上,制作两个高掺杂浓度的N 型区,形成源极(Source )和漏极(Drian ),另外一个是栅极(Gate ).当Vi=Vgs

OFF ,在输出端就为高电平V OH ,且V OH 约等于V DD

。这时,MOS 管的D-S 之间相当一个断开的开关。Rd 当Vi>Vgs 并且在Vds 较高的情况下,MOS 管工作在恒流区,随着Vi 的升高Id 增大,而Vo 随这下降。

常用逻辑电平:TTL 、CMOS 、LVTTL 、LVCMOS 、ECL (Emitter Coupled Logic )、PECL (Pseudo/Positive Emitter Coupled Logic )、LVDS (Low Voltage Differential Signaling )、GTL (Gunning Transceiver Logic )、BTL (Backplane Transceiver Logic )、ETL (enhanced transceiver logic )、GTLP (Gunning

Transceiver Logic Plus );RS232、RS422、RS485(12V ,5V ,

3.3V );TTL 和CMOS 不可以直接互连,由于TTL 是在0.3-3.6V 之间,而CMOS 则是有在12V 的有在5V 的。CMOS 输出接到TTL 是可以直接互连。TTL 接到CMOS 需要在输出端口加一上拉电阻接到5V 或者12V 。

cmos 的高低电平分别

为:Vih>=0.7VDD,Vil<=0.3VDD;Voh>=0.9VDD,Vol<=0.1VDD. ttl 的为:Vih>=2.0v,Vil<=0.8v;Voh>=2.4v,Vol<=0.4v.

用cmos 可直接驱动ttl;加上拉电阻后,ttl 可驱动cmos.

1、当TTL 电路驱动COMS 电路时,如果TTL 电路输出的高电平低于COMS 电路的最低高电平(一般为3.5V ),这时就需要在TTL 的输出

端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。

2、OC门电路必须加上拉电阻,以提高输出的搞电平值。

3、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。

4、在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻产生降低输入阻抗,提供泄荷通路。

5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平,从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。

6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。

7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上下拉电阻是电阻匹配,有效的抑制反射波干扰。

上拉电阻阻值的选择原则包括:

1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。

2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小,电流大。

3、对于高速电路,过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑

以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理

//OC门电路必须加上拉电阻,以提高输出的搞电平值。

OC门电路要输出“1”时才需要加上拉电阻不加根本就没有高电平

在有时我们用OC门作驱动(例如控制一个LED)灌电流工作时就可以不加上拉电阻

OC门可以实现“线与”运算

OC门就是集电极开路输出

总之加上拉电阻能够提高驱动能力。

MOS管的结构和工作原理

在P 型衬底上,制作两个高掺杂浓度的N 型区,形成源极(Source )和漏极(Drian ),另外一个是栅极(Gate ).当Vi=VgsVgs 并且在Vds 较高的情况下,MOS 管工作在恒流区,随着Vi 的升高Id 增大,而Vo 随这下降。 常用逻辑电平:TTL 、CMOS 、LVTTL 、LVCMOS 、ECL (Emitter Coupled Logic )、PECL (Pseudo/Positive Emitter Coupled Logic )、LVDS (Low Voltage Differential Signaling )、GTL (Gunning Transceiver Logic )、BTL (Backplane Transceiver Logic )、ETL (enhanced transceiver logic )、GTLP (Gunning Transceiver Logic Plus );RS232、RS422、RS485(12V ,5V , 3.3V );TTL 和CMOS 不可以直接互连,由于TTL 是在0.3-3.6V 之间,而CMOS 则是有在12V 的有在5V 的。CMOS 输出接到TTL 是可以直接互连。TTL 接到CMOS 需要在输出端口加一上拉电阻接到5V 或者12V 。 cmos 的高低电平分别 为:Vih>=0.7VDD,Vil<=0.3VDD;Voh>=0.9VDD,Vol<=0.1VDD. ttl 的为:Vih>=2.0v,Vil<=0.8v;Voh>=2.4v,Vol<=0.4v. 用cmos 可直接驱动ttl;加上拉电阻后,ttl 可驱动cmos. 1、当TTL 电路驱动COMS 电路时,如果TTL 电路输出的高电平低于COMS 电路的最低高电平(一般为3.5V ),这时就需要在TTL 的输出

袋收尘的工作原理及检查内容

袋收尘器的工作原理及检查内容 主讲: 一、收尘设备的种类: 凡是能将空气中的粉尘分离出来的设备都简称收尘器。收尘器的分类如下: 1、按粉尘从气体中分离的原理分有: ⑴、利用颗粒本身的重力:如:沉降室。 ⑵、利用颗粒运动的惯性力:如百叶窗式收尘器。 ⑶、利用颗粒的离心力:如旋风收尘器等。 ⑷、利用水对颗粒喷淋洗涤作用:如泡沫收尘器 ⑸、利用物料对颗粒过滤作用:如袋收尘器、颗粒层过滤器(某 种过滤用物料颗粒)。 ⑹、利用电场对颗粒分离作用:如电收尘器。

2、还可按干式、湿式分类。 二、收尘设备的效率: 收尘效率是表示收尘性能特点的一个主要参数,也是选择作用收尘器的主要依据。收尘效率可以用总收尘效率和分散度收尘效率两种形式表示。 1、总收尘效率:是收尘器所收集下来的粉尘重量与进入收尘器的粉尘重量之比。以百分比表示,可以用重量法或浓度法进行计算。 ⑴、重量法计算效率:设进入收尘器的粉尘重量为G1,从收尘

器灰斗收集的粉尘重量为G 2,则这台收尘器总收尘效率为: ⑵、浓度法计算收尘效率:一般不便于用重量法计算时,可以在收尘器前、后定点处取样,根据收尘器前、后的气体含尘浓度,用下面公式计算收尘效率: 2、分散度效率:仅用收尘器的总效率表示收尘器的能力是不够的,因为粉尘中所含颗粒是由大小不同粒径的颗粒组成的,各种收尘器收集不同粒径颗粒的能力是不同的,例如:沉降室与袋收尘器相比,前者虽然有一定的效率,但是它通常只能收集50μm 以上的颗粒,对细小颗粒的收集很低,可是袋收尘器对1~5μm 的颗粒却有较高的收集能力。因此在选用收尘器时不能只考虑收尘器的总效率,还要按照具体情况考虑收尘器的分散度效率。具体计算如下: h= ×100% 式中:h ——总收尘效率% G 1——进入收尘器的粉尘量kg/h G 2——收尘器灰斗收集的粉尘量kg/h G 2 G 1 h= ×100% 式中:g 1——入收尘器前气体含尘浓度g/m 3 g 2——出收尘器后气体含尘浓度g/m 3 g 1-g 2 g 1 hp= ×100% 或 hp= ×100% 式中:hp ——收尘器分散度% h ——收尘器总效率% R 1——进入收尘器的该组颗粒占总重量的百分比 R 2——在收尘器收集的粉尘中,该组颗粒所占重量百分比 R 3——在净化后气体中,该组颗粒所占重量的百分比 R 2×h R 1 R 1 – R 3 (1-h) R 1

水表结构和测量原理

水表结构和测量原理 1电池供电超声水表特点和测量原理及安装要求 1.1水表特点 电池供电超声水表介质流速范围0.01~32.00m/s,准确度(0.5~1),无任何活动的机械部件,无压力损失和磨损,具有测量精度长期不发生变化且运行稳定,可靠的特点,用户无需设置参数,可任意角度安装。标准单节电池可连续工作6年,选配电池可连续工作10年以上。空管状态自动进入省电模式,满管状态自动进入正常测量模式。 1.2水表结构和测量原理 电池供电超声水表的测量原理是利用超声波换能器产生超声波并使其在水中传播,声波在水中传播,顺流方向传播速度增大,逆流方向则减小,同一传播距离有不同的传播时间,当超声波在流动的水中传播时产生传播速度差,该速度差与水的流速成正比。水表由换能器,电子线路及流量显示,累积等系统组成,超声波发射换能器将电能转换为超声波能量,并将其发射到被测流体中,接收器接收到的超声波信号,经电子线路放大并转换为代表流量的电信号供给显示和积算,实现了流量的测量。 1.3水表安装及应用注意事项 安装超声水表,要选择流体流场分布均匀的部位,保证有足够的直管段长度,使流体形成稳定的速度分布。一般要求前直管段长度为10倍管径,后直管段长度为5倍管径。另外,要尽量远离机泵和阀门,如果有机泵,前直管段长度一般要求50倍管径,如果有流量控制阀,前直管段长度一般要求30倍管径,如果直管段长度达不到要求,测量准确度将会下降。 a)管道参数。在旧管线上安装超声水表时,一定要准确地得到管道的参数,如管道的外径,壁厚等,以求得准确的测量结果。 b)安装方式。由于管道中的气泡和杂质会反射和衰减超声波信号,给测量带来很大误差,所以在安装时一定要选择正确的安装方式。超声水表在倾斜和水平管道上安装时,应该水平安装,这样可使气泡聚集在管道上方,大的杂质则沿着管道的底部流动,尽可能使超声水表探头处于和水平面成45#角的范围内。另外,超声水表安装的部位要有一定的背压,保证管道内充满流体,没有气泡或者气泡较少以保证测量精度。 信号强度和信号良度检查。信号强度表示上下游探头的信号强度,信号良度表示上下两个传输方向的信号峰值,可以辅助判断接受信号的优良程度。 传输时间和传输时差的检查。传输时间表示超声波平均的传输时间,传输时差表示超声波上下游传输时间差。这两个信号是超声水表计算流速的主要依据,特别是传输时间差最能反应超声水表工作是否稳定。如果这两个信号不稳定,应检查传感器探头安装点是否合适,设置数据是否正确。 e)应用注意事项。安装不合理是超声水表不能正常工作的主要原因。安装时需要考虑位置的确定,除保证足够的上,下游直管段外,尤其要注意换能器尽量避开有变频调速器,机泵等污染电源的场合。 及时核校是确保超声波准确计量的前提:坚持一装一校,即对每一台新安装超声水表在调试时进行核校,确保选位好,安装好,测量准;对在线运行的超声水表发生流量突变时,利用便携式超声波流量计进行及时核校,查清流量突变的原因,确定是超声水表发生故障还是流量发生了变化。 定期维护是确保超声波长期运行的基础工作,与其他流量仪表相比,超声水表的维护量比较小,定期检查流量计与管道之间的法兰连接是否良好,并考虑现场温度和湿度对其电子

MOS管工作原理及芯片汇总

MOS管工作原理及芯片汇总 一:MOS管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。 MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。 在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的MOS管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率M OS管导通电阻一般在几毫欧,几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS管驱动 MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。但是,我们还需要速度。

水表的结构和工作原理

水表的结构和工作原理 第一节旋翼式水表 旋翼式水表是速度式水表的一种,是世界上用得最多的水表品种。 在国家标准中,速度式水表的定义为“安装在封闭管道中,由一个动力元件组成,并由水流速直接使其获得运动的一种水表”。当水流通过水表时,驱动叶轮(旋翼或螺翼)旋转,而水流的流速与叶轮的转速成正比,因水流驱动叶轮处喷口的截面积为常数,故叶轮的转速与流量也成正比。通过叶轮轴上的联动部件与计数机构相连接,使计数机构累积叶轮(旋翼或螺翼)的转数,从而记下通过水表的水量。 一、多流束水表 多流(束)水表:水流通过水表时,有多束(股)水流从叶轮盒四周流人,驱动叶轮旋转。这种水表的公称口径一般为15mm~150mm。 旋翼多流束式水表由表壳、中罩、表玻璃、密封垫圈、计量机构、计数机构和滤水网等组成。水流冲击叶轮后,叶轮开始转动,所转圈数通过计数机构累计,记录显示通过水表的水量。见图2-1和2-2。 图2-l 旋翼多流束水表的结构示意图 1-接管;2-连接螺母;3-接管密封垫圈;4-铅封;5-铜丝;6-销子;7-O形密封垫圈; 8-叶轮计量机构;9-罩子;10-盖子;11-罩子衬垫;12-表壳;1-碗状滤丝网

图2—2 旋翼多流束水表的结构展开图 1-表盖;2-轴销;3-铜罩;4-罩子衬垫;5-表玻璃;6-O形密封圈;7-计数器;8-防磁环;9-中心齿轮,10-齿轮盒;11-垫圈;12-磁钢座;13-叶轮;14-叶轮盒;15-表壳;16-调节螺钉;17-调节螺钉垫片;18-调节塞;19-滤水网;20-接管垫片;21-接管;22-连接螺母 多流束水表的总体尺寸和连接方式见表2—1。 表2—Ⅱ旋翼式多流束水表的总体尺寸和连接方式mm

MOS管工作原理及其驱动电路

功率场效应晶体管MOSFET 技术分类:电源技术模拟设计 | 2007-06-07 来源:全网电子 1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的 MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。

布袋除尘器的组成及工作原理

布袋除尘器的组成及工作原理 布袋除尘器结构组成由:除尘器出灰斗、进排风道、过滤室(中、下箱体)、清洁室、滤袋及(袋笼骨)、手动进风阀,气动蝶阀、脉冲清灰机构等。 布袋除尘器工作原理:布袋除尘器是基于过滤原理的过滤式除尘设备,利用有机纤维或无机纤维过滤布将气体中的粉尘过滤出来。 除尘过程:含尘气体由进气口进入中部箱体,从滤袋外进入布袋内,粉尘被阻挡在滤袋外的表面,净化的空气进入袋内,再由布袋上部进入上箱体,最后由排气管排出。 大型脉冲长布袋除尘器借鉴国内外先进技术,研制成功的新型高效长布袋除尘器是在常规短袋脉冲除尘器的基础上发展起来的一种新型、高效的,它不仅综合了分室反吹和脉冲清灰的特点,克服了普通分室反吹强度不足和一般脉冲清灰粉尘再附的缺点,而且加长了滤袋,充分发挥压缩空气强力清灰的作用。是一种除尘效率高,占地面积小,运行稳定、性能可靠,维修方便的大型除尘设备,可广泛应用于冶金、铸造、建材、矿山、化工等行业。 性能特点 进、出口风道布置紧凑,气流阻力小。 采用脉冲喷吹清灰技术,清灰能力强,除尘效率高,排放浓度低,漏风率小,能耗少,钢耗少,占地面积少,运行稳定可靠,经济效益好。适用于冶金、建材、机械、化工、电力轻工行业的烟气除尘。 箱体采用气密性设计,密封性好,检查门用优良的密封材料,制作过程中以煤油检漏,漏风率很低。 布袋除尘器的工作机理是含尘烟气通过过滤材料,尘粒被过滤下来,过滤材料捕集粗粒粉尘主要靠惯性碰撞作用,捕集细粒粉尘主要靠扩散和筛分作用。 滤料的粉尘层也有一定的过滤作用。布袋除尘器除尘效果的优劣与多种因素有关,但主要取决于滤料 脉冲布袋除尘器的几种分类 脉冲除尘器按滤袋不同直径、每室滤袋的不同布置、过滤面积的不同,分成三种不同的系列,以室为单位组合成排,分成单排列和双排列。 只有双排布置,滤袋尺寸为130X6000。脉冲喷吹压力一般设计为低压(0.2-0.3Mpa)。 只有双排布置,滤袋尺寸为160X6000。脉冲喷吹压力为高压(0.4-0.5Mpa)。

MOS管工作原理及其驱动电路

MOS管工作原理及其驱动电路 1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导 体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的 栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。 结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单, 需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流 容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值 可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对 于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示;其导通时只有一种极性的 载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同, 但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂 直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件 的耐压和耐电流能力。

回转窑的结构及工作原理概述21页

回转窑的结构及工作原理概述 回转窑的结构及工作原理概述 回转窑的筒体由钢板卷制而成,筒体内镶砌耐火衬,且与水平线成规定的斜度,由3个轮带支承在各挡支承装置上,在入料端轮带附近的跨内筒体上用切向弹簧板固定一个大齿圈,其下有一个小齿轮与其啮合。正常运转时,由主传动电动机经主减速器向该开式齿轮装置传递动力,驱动回转窑。 物料从窑尾(筒体的高端)进入回转窑内煅烧。由于筒体的倾斜和缓慢的回转作用,物料既沿圆周方向翻滚又沿轴向(从高端向低端)移动,继续完成其工艺过程,最后,生成熟料经窑头罩进入冷却机冷却。 燃料由窑头喷入窑内,燃烧产生的废气与物料进行交换后,由窑尾导出。本设计不含燃料的燃烧器。 该窑在结构方面有下列主要特点: 1、简体采用保证五项机械性能(σa、σb、σ%、αk和冷弯试验)的 20g及Q235-B钢板卷制,通常采用自动焊焊接。筒体壁厚:一般为25mm,烧成带为32mm,轮带下为65mm,由轮带下到跨间有38mm厚的过渡段节,从而使筒体的设计更为合理,既保证横截面的刚性又改善了支承装置的受力状态。

2、在筒体出料端有耐高温、耐磨损的窑口护板,筒体窑尾端由一米长1Cr18Ni9Ti钢板制作。其中窑头护板与冷风套组成分格的套筒空间,从喇叭口向筒内吹冷风冷却窑头护板的非工作面,以有利该部分的长期安全工作,在筒体上套有三个矩形实心轮带。轮带与筒体垫板间的间隙由热膨胀量决定,当窑正常运转时,轮带能适度套在筒体上,以减少筒体径向变形。 3、传动系统用单传动,由变频电动机驱动硬齿面三级圆柱齿轮减速器,再带动窑的开式齿轮副,该传动装置采用胶块联轴器,以增加传动的平稳性,设有连接保安电源的辅助传动装置,可保证主电源中断时仍能盘窑操作,防止筒体弯曲并便利检修。 4、回转窑窑头密封采用罩壳气封、迷宫加弹簧刚片双层柔性密封装置。通过喇叭口吹入适量的冷空气冷却护板,冷空气受热后从顶部排走;通过交迭的耐热弹簧钢片下柔性密封板压紧冷风套筒体,保证在窑头筒体稍有偏摆时仍能保持密封作用。 5、回转窑窑尾密封采用钢片加石墨柔性密封。该装置安装简单方便,使用安全可靠。 回转窑的主要结构 回转窑窑体的主要结构包括有: 1.窑壳,它是回转窑(旋窑)的主体,窑壳钢板厚度在40mm 左右的钢板,胎环的附近,因为承重比较大,此处的窑壳钢板要厚一些。窑壳的内部砌有一层200mm左右的耐火砖。窑壳在运转的时候,由于高

详细讲解MOS管工作原理

详细讲解MOSFET管驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 2,MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC 时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 3,MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 4,MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

远传水表的工作原理

远传水表的工作原理 远传水表的发明已有十几年的历史。但是留给人的影响一直是失败的阴影。凡是安装过远传水表的自来水公司都摇头,直呼上当受骗。机械水表纷纷替换下各种远传水表又成这几年的一大景观。 远传水表运行期间的故障率,每年必须小于千分之五。既一年1000户水表的故障水表要求小于5台。特别 是每天抄一次表的情况下尤其重要。 远传水表的长期合格运行难在两点:电,水。 远传水表的工作环境不如电表,气表。它没电,却有水。电子线路离开电就是一无所长的废物。电子的产 品也最怕潮湿和水的侵蚀。 南京水门电子有限公司从2000年起就专心研制生产远传水表,经过10年研制,9年安装调试,6年批量生产,3年遍布全国十几个城市的实际运行。终于推出了成熟的SM-10D型远传水表。 一.水表 1.南京水门电子有限公司生产的SM-10D型远传水表,由于采用了零功耗的韦根传感器和高难的计算机CPU 掉电技术,电子远传水表的静态工作电流只有0.006mA。使用一节2400mA/小时的5号锂电池。理论上可以静态工作45年,持续水流动态工作20年。实际运行十年以上绰绰有余。从而保证了远传水表在没有外部 供电的环境下长期稳定的工作基础。 该远传水表采用双电源的工作原理,既可在没有外部供电时使用水表内置的锂电池工作;也可在外部供电时自动转为外部电源方式工作,即抄表通讯方式,每台通讯工作电流0.5mA。从而更加稳定可靠。2.该远传水表的外壳采用全密封结构设计和工程安装连接密封技术。其专有设计的水表接插件既杜绝多芯线漏水的难题又方便水表的更换。可以在水下2米的环境中长期稳定运行。从而杜绝了水的危害。3.高灵敏度的水表对于水管的空管段的空气造成的水锤现象而带来的度数误走是无法避免。该远传水表采用软件的特殊计算方法解决了99.9%的水表误走读数。从而彻底解决了这一重大难题。保证了高灵敏度的 水表精确且正确计量水量的工作运行。 4.该远传水表的分为基表和电器盒两个独立的密封结构。两者之间采用电器盒上3个铆钉镶在基表外壳的环形槽结构连接。既可防止拆卸,又可使电器盒(显示窗)位置360°旋转,便于安装。 5.该远传水表电器盒上有1个沉底槽内的定位螺母,水表安装完毕,定位螺母与基表的壳体螺孔锁定。然后,电器盒的沉底槽口加一圆形的易碎贴封口,可防止非正常维护的旋转和拆卸。 6.该远传水表的基表有15mm,20mm,25mm三种符合国家标准长度,口径的多流速旋翼式水表。有水平式,

布袋除尘器工作原理

布袋除尘器 一、工作原理 含尘气体由灰斗上部进风口进入后,在挡风板的作用下,气流向上流动,流速降低,部分大颗粒粉尘由于惯性力的作用被分离出来落入灰斗。含尘气体进入中箱体经滤袋的过滤 净化,粉尘被阻留在滤袋的外表面, 净化后的气体经滤袋口进入上箱 体,由出风口排出。 随着滤袋表面粉尘不断增加,除 尘器进出口压差也随之上升。当除 尘器阻力达到设定值时,控制系统 发出清灰指令,清灰系统开始工作。 首先电磁阀接到信号后立即开启, 使小膜片上部气室的压缩空气被排 放,由于小膜片两端受力的改变, 使被小膜片关闭的排气通道开启, 大膜片上部气室的压缩空气由此通 道排出,大膜片两端受力改变,使 大膜片动作,将关闭的输出口打开,气包内的压缩空气经由输出管和喷吹管喷入袋内,实现清灰。当控制信号停止后,电磁阀关闭,小膜片、大膜片相继复位,喷吹停止。 脉冲阀是脉冲袋式除尘器关键 部件,其使用寿命是用户最为关 心的问题。公司可根据用户的需 求提供进口滤袋和脉冲阀。脉冲 阀的主要品牌为MECAIR 、 ASCO 、GOYEN 。 二、清灰比较 清灰方式是决定袋式除尘器性 能的一个重要因素。以清灰方式 对袋式除尘器进行分类,基本型 式主要有:机械振打清灰方式、 反吹清灰方式反吹、振打联合清 灰方式、脉动反吹清灰方式、脉 冲喷吹清灰方式。低压脉冲袋式 除尘器属于脉冲喷吹清灰方式。

以下是几种清灰方式的对比: 三、技术特点 ⑴采用淹没式脉冲阀,启闭迅速,自身阻力小,对于 6 米~8 米长的滤袋,喷吹压力仅0.15 ~0.3MPa ,就能获得良好的清灰效果。 ⑵清灰能力强。清灰时滤袋表面获得的加速度远远大于其它类型的袋式除尘器,清灰均匀,效果好。 ⑶过滤负荷高。因有强力清灰的保障,即使除尘器在较高的过滤风速下运行,其阻力也不会过高,一般为1200 ~1500Pa ,与反吹风除尘器相比,同等过滤面积,脉冲袋式除尘器有更大的处理风量。 ⑷检查和更换滤袋方便。滤袋的安装和换袋方便,无需绑扎。操作人员无需进入箱体内部,操作环境好。 ⑸设备造价低。由于过滤负荷高,处理相同烟气量所需过滤面积小于反吹风袋式除尘器,因而设备紧凑,占地面积小。 ⑹先进的控制技术。以PLC 可编程控制器为主机的控制系统对除尘器清灰、进口烟气温度、清灰压力等运行参数进行实时控制,功能齐全,稳定可靠。 四、技术性能 低压脉冲袋式除尘器技术性能主要体现在处理风量、出口含尘浓度、设备阻力及滤袋的使用寿命等几个方面。 ⑴处理风量 低压脉冲袋式除尘器能处理较大风量的粉尘从而减少过滤面积,使设备小型化,节省投资。在满足除尘对象的情况下,可根据清灰方式、粉尘性质、滤袋材质等确定适宜的过滤风速。 ⑵出口含尘浓度 低压脉冲袋式除尘器具有较高的除尘效率,出口含尘浓度完全能满足国家规定的排放标准,甚至可达到10mg/m 3 以下。 ⑶设备阻力 除尘器的阻力ΔP 是与风机的功率成正比,这是与风机能耗有直接关系的指标,涉及除尘系统的运行费用问题。除尘器的阻力与装置结构、滤料种类、粉尘性质、清灰方式、过滤风速、气体温度、湿度等诸多因素有关。 低压脉冲袋式除尘器将除尘器阻力控制在1200 ~1500 Pa 范围之内。保证从滤布上迅速、均匀地清掉沉积的粉尘,并且不损伤滤袋和消耗较少的动力。 除尘器阻力由三部份组成:ΔP=ΔP 1 +ΔP 2 +ΔP 3 其中:ΔP 1 ——机械阻力

旋翼式水表的结构和工作原理

旋翼式水表的结构和工作原理 第一节旋翼式水表 旋翼式水表是速度式水表的一种,是世界上用得最多的水表品种。 在国家标准中,速度式水表的定义为“安装在封闭管道中,由一个动力元件组成,并由水流速直接使其获得运动的一种水表”。当水流通过水表时,驱动叶轮(旋翼或螺翼)旋转,而水流的流速与叶轮的转速成正比,因水流驱动叶轮处喷口的截面积为常数,故叶轮的转速与流量也成正比。通过叶轮轴上的联动部件与计数机构相连接,使计数机构累积叶轮(旋翼或螺翼)的转数,从而记下通过水表的水量。 一、多流束水表 多流(束)水表:水流通过水表时,有多束(股)水流从叶轮盒四周流人,驱动叶轮旋转。这种水表的公称口径一般为15mm~150mm。 旋翼多流束式水表由表壳、中罩、表玻璃、密封垫圈、计量机构、计数机构和滤水网等组成。水流冲击叶轮后,叶轮开始转动,所转圈数通过计数机构累计,记录显示通过水表的水量。见图2-1和2-2。 图2-l 旋翼多流束水表的结构示意图 1- 接管;2-连接螺母;3-接管密封垫圈;4-铅封;5-铜丝;6-销子;7-O形密封垫圈; 8-叶轮计量机构;9-罩子;10-盖子;11-罩子衬垫;12-表壳;1-碗状滤丝网

图2—2 旋翼多流束水表的结构展开图 1-表盖;2-轴销;3-铜罩;4-罩子衬垫;5-表玻璃;6-O形密封圈;7-计数器;8-防磁环;9-中心齿轮,10-齿轮盒;11-垫圈;12-磁钢座;13-叶轮;14-叶轮盒;15-表壳;16-调节螺钉;17-调节螺钉垫片;18-调节塞;19-滤水网;20-接管垫片;21-接管;22-连接螺母多流束水表的总体尺寸和连接方式见表2—1。

MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类

MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类 绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。又因栅极为金属铝,故又称为MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多,可达1010Ω以上,还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单,而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。 与结型场效应管相同,MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类,但每一类又分为增强型和耗尽型两种,因此MOS管的四种类型为:N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。凡栅极-源极电压UGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管,凡栅极-源极电压UGS为零时漏极电流不为零的管子均属于耗尽型管。 根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。当VGS=0 V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在D、S之间加上电压不会在D、S 间形成电流。 当栅极加有电压时,若0VGS(th)时( VGS(th)称为开启电压),由于此时的栅极电压已经比较强,在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子,可以形成沟道,将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子,因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层。随着VGS的继续增加,ID

袋收尘器的工作原理

袋收尘器的工作原理 一、收尘设备的种类: 凡是能将空气中的粉尘分离出来的设备都简称收尘器。收尘器的分类如下: 1、按粉尘从气体中分离的原理分有: ⑴、利用颗粒本身的重力:如:沉降室、0625、2625等。 ⑵、利用颗粒运动的惯性力:如百叶窗式收尘器。 ⑶、利用颗粒的离心力:如旋风收尘器:0325、2305等。 ⑷、利用水对颗粒喷淋洗涤作用:如泡沫收尘器。 ⑸、利用物料对颗粒过滤作用:如袋收尘器、颗粒层过滤器(某 种过滤用物料颗粒)。 ⑹、利用电场对颗粒分离作用:如电收尘器。 2、还可按干式、湿式分类。 二、收尘设备的效率: 收尘效率是表示收尘性能特点的一个主要参数,也是选择作用收尘器的主要依据。收尘效率可以用总收尘效率和分散度收尘效率两种形式表示。 1、总收尘效率:是收尘器所收集下来的粉尘重量与进入收尘器的粉尘重量之比。以百分比表示,可以用重量法或浓度法进行计算。 ⑴、重量法计算效率:设进入收尘器的粉尘重量为G1,从收尘 器灰斗收集的粉尘重量为G2,则这台收尘器总收尘效率为:

当含尘气体通过滤袋时,气体中大于滤布网孔的尘粒被阻留而与气体分离,一般滤布网孔是在10~20微米,若起毛网孔将在5~10微米,所以一般5微米以上的粉尘可以分离出来。那么小于滤布网孔的粉尘,含尘气体通过滤布因碰撞到滤布失去本身的惯力,而粘附在网孔进气侧的表面上。由于粉尘向横向方面堆积,在纤维之间产生架桥现象,使滤布进气侧在工作几分钟后形成一层粉尘膜,这粉尘层是由微小颗粒构成,又能起到改善滤布的过滤作用,气体中的0.5微米甚至0.1微米的微尘几乎也能被过滤下来。 ㈡、常见的袋式收尘器: 前面对袋收尘器滤袋要求作了介绍,而袋式收尘器的收尘效率好坏也同清灰能力、风速有关,下面我们介绍一下袋式收尘器在清灰方式上的分类: 1、机械自动振打式袋收尘器: 这类袋式收尘器用机械带动凸轮等装置,周期性地按组轮流振打滤袋,同时用机械方法控制有关风门,让干净空气反向吹入滤袋,使积尘很快掉落,所以其操作较稳定,收尘效率能经常维持在98%以上,过滤的风速一般为2-3m/min,我们分厂主要是烘干皮带系统采用: 在选用振动清灰应考虑的一点是清灰时间间隔不能太短,因为如果清灰所需要的时间占运行时间的一个相当大的部分,则编织物停止过滤的时间将占的太多。主要是让滤袋获得能够产生最佳的“S”形振动频率和振动幅度,将粉尘脱落下来。 2、反向气流清灰式袋收尘器: 有两种使用反向气流清灰的情况,一种用于外侧过滤的滤袋,滤袋清洁侧用金属栅条等支撑着,使滤袋保持一定的张力,使用这种清灰方法,滤袋承受的屈曲极小。使用的滤布不要用毛毡。另一种是用于内侧有灰尘层的滤袋,这种清灰要求滤布强力在11-45公斤之间,大了挂袋困难,小了袋子就会松驰。清灰时可能使滤袋下端固定处的编织物屈曲很历害,容易造成滤布破损。为了防止滤袋坍陷以后滤布挤在一起,要用骨架把滤袋撑起来,就能让脱落下来的灰尘不受阻碍地自由落入灰斗。反吹持续时间不超过一分钟即可。 进行反吹气流清灰有好几种,有的是在每个分隔室设置阀门,只用一台风机反吹;(我们分厂使用的反吹气流式袋收尘器就是这种),有的是每个分隔室有它自己的反吹风机,有的是用移动装置对圆筒形或平板形滤袋挨个反吹,(也就是气环式喷吹的袋收尘器)。

水表的结构和工作原理

水表的结构和工作原理 水表的结构和工作原理 第一节旋翼式水表 旋翼式水表是速度式水表的一种,是世界上用得最多的水表品种。 在国家标准中,速度式水表的定义为“安装在封闭管道中,由一个动力元件组成,并由水流速直接使其获得运动的一种水表”。当水流通过水表时,驱动叶轮(旋翼或螺翼)旋转,而水流的流速与叶轮的转速成正比,因水流驱动叶轮处喷口的截面积为常数,故叶轮的转速与流量也成正比。通过叶轮轴上的联动部件与计数机构相连接,使计数机构累积叶轮(旋翼或螺翼)的转数,从而记下通过水表的水量。 一、多流束水表 多流(束)水表:水流通过水表时,有多束(股)水流从叶轮盒四周流人,驱动叶轮旋转。这种水表的公称口径一般为15mm~150mm。 旋翼多流束式水表由表壳、中罩、表玻璃、密封垫圈、计量机构、计数机构和滤水网等组成。水流冲击叶轮后,叶轮开始转动,所转圈数通过计数机构累计,记录显示通过水表的水量。见图2-1和2-2。 图2-l 旋翼多流束水表的结构示意图 1- 接管;2-连接螺母;3-接管密封垫圈;4-铅封;5-铜丝;6-销子;7-O形密封垫圈; 8-叶轮计量机构;9-罩子;10-盖子;11-罩子衬垫;12-表壳;1-碗状滤丝网

图2—2 旋翼多流束水表的结构展开图 1-表盖;2-轴销;3-铜罩;4-罩子衬垫;5-表玻璃;6-O形密封圈;7-计数器;8-防磁环;9-中心齿轮,10-齿轮盒;11-垫圈;12-磁钢座;13-叶轮;14-叶轮盒;15-表壳;16-调节螺钉;17-调节螺钉垫片;18-调节塞;19-滤水网;20-接管垫片;21-接管;22-连接螺母 多流束水表的总体尺寸和连接方式见表2—1。

mos管的结构和工作原理

在P型衬底上,制作两个高掺杂浓度的N型区,形成源极(Source)和漏极(Drian),另外一个是栅极(Gate).当 Vi=VgsVgs并且在Vds较高的情况下,MOS管工作在 恒流区,随着Vi的升高Id增大,而Vo随这下降。 常用逻辑电平:TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL(Emitter Coupled Logic)、PECL(Pseudo/Positive Emitter Coupled Logic)、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)、GTL(Gunning Transceiver Logic)、BTL(Backplane Transceiver Logic)、ETL(enhanced transceiver logic)、GTLP(Gunning Transceiver Logic Plus);RS232、RS422、RS485(12V,5V,3.3V);TTL和CMOS不可以直接互连,由于TTL是在0.3-3.6V之间,而CMOS则是有在12V的有在5V的。CMOS输出接到TTL是可以直接互连。TTL接到CMOS需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V。 cmos的高低电平分别 为:Vih>=0.7VDD,Vil<=0.3VDD;Voh>=0.9VDD,Vol<=0.1VDD. ttl的为:Vih>=2.0v,Vil<=0.8v;Voh>=2.4v,Vol<=0.4v. 用cmos可直接驱动ttl;加上拉电阻后,ttl可驱动cmos. 1、当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。 2、OC门电路必须加上拉电阻,以提高输出的搞电平值。

N沟道和P沟道MOS管

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低

端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 2.MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越高,损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 3.MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极

mos管工作原理及详解

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MOS管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS 管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。 下面的介绍中,也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。 在MOS管工作原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管工作原理图电源开关电路详解 这是该装置的核心,在介绍该部分工作原理之前,先简单解释一下MOS的工作原理图。

它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS MOS管,其内部结构见mos管工作原理图。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。由图可看出,对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。

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