P型扩散电阻版图规则

This mask defines the areas where all contacts are made to diffusion, poly1 and poly2.

a. Min. & Max. Contact size 0.5x0.5

b. Contact to contact Min. space 0.5

c. Active overlap contact on Active

c.1 P-active overlap contact 0.3

c.2 N-active overlap contact 0.15

d. Poly1 overlap contact on Poly1 0.3

e. Poly2 overlap contact on Poly2 for interconnect 0.3

f. Contact on Active to Poly gate space 0.4

g. No contact on Poly gate in Active area is allowed

h. No contact to field oxide is allowed.

i. Poly1 and Poly2 contact to active area space 0.4

j. Poly1 contact to Poly2 space 1.8

Note: Maximum current density is 1.5 mA/contact

Active Area (TO):

This mask defines the active areas for N and P channel devices and diffused interconnect. Sometimes it is referred as the LOCOS or thin oxide area

a. Active width for interconnect 0.5

b. Active width for Channel width

b.1 For NMOS 0.5

b.2 For PMOS 0.6

c. Spacing of Active (in the same well)

c.1 Spacing between N+ Active to N+ Active 0.8

c.2 Spacing between P+ Active to P+ Active 0.8

c.3 Spacing of N+ Active to P+ Active in Substrate outside N-well 1.0

c.4 Spacing of N+ Active to P+ Active inside N-well 1.0

Notes : (1)Minimum field oxide area 2um2

(2)Minimum active area 1um2

P+ implant area (SP):

This mask defines the areas of P channel device, P+ impurities are implanted into this region to form P channel source and drain.

a. Min. Width of P+ implant 0.8

b. Min. Space of P+ implant (merge if the space is less) 0.8

c. P+ implant enclose Active 0.5

d. P+ implant to unrelated Active space 0.5

e. Min. clearance from SP to poly gate 0.6

f. Min. extension of SP over contact 0.25

g. For Poly1 Line Resistor

g-1. Min extension of SP over poly1 line as P-type poly1 resistor 0.5

g-2. Min clearance from SP to poly1 line as N-type poly1 resistor 0.5

This mask defines the first layer Metal interconnects. Metal1 should be used for local interconnect as much as possible.

a. Metal1 width 0.6

b. Metal1 to Metal1 space

b.1 Metal1 to Metal1 space (width＜10um) 0.6

b.2 Metal1 (width≥10um) to any Metal1 1.1

c.1 Metal 1 overlap over contact 0.3

c.2 When metal width equal or larger than 10um 0.8

d. The separation of two corner and a corner from a 45deg. line must satisfy the minimum spacing.

Note: 1. Maximum current density for 1M 1.5mA/um

2. Maximum current density for 2M/3M 0.8mA/um

3. Avoid 90deg. elbow for parallel metal lines. Use 135deg. bend instead.

4. Metal density, if more than 50% , please inform CSMC ; if less than 30% , please add dummy metal and follow CSMC’s another document“ Dummy Metal Rule”.

5. Minimum Isolation metal area 1.1*1.1

第二章 cadence ic5141教程版图部分

第二章．Virtuoso Editing的使用简介 全文将用一个贯穿始终的例子来说明如何绘制版图。这个例子绘制的是一个最简单的非门的版图。 § 2－1 建立版图文件 使用library manager。首先，建立一个新的库myLib，关于建立库的步骤，在前文介绍cdsSpice时已经说得很清楚了，就不再赘述。与前面有些不同的地方是：由于我们要建立的是一个版图文件，因此我们在technology file选项中必须选择compile a new tech file,或是attach to an exsiting tech file。这里由于我们要新建一个tech file，因此选择前者。这时会弹出load tech file的对话框，如图2-1-1所示。 图2-1-1 在ASCII Technology File中填入csmc1o0.tf即可。接着就可以建立名为inv的cell了。为了完备起见，读者可以先建立inv的schematic view和symbol view（具体步骤前面已经介绍，其中pmos长6u，宽为0.6u。nmos长为3u，宽为0.6u。model 仍然选择hj3p和hj3n）。然后建立其layout view，其步骤为：在tool中选择virtuoso－layout，然后点击ok。 § 2－2绘制inverter掩膜版图的一些准备工作 首先，在library manager中打开inv这个cell的layout view。即打开了virtuoso editing窗

图2-2-1 virtuoso editing窗口 口，如图2-2-1所示。 版图视窗打开后，掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成：Icon menu , menu banner ,status banner. Icon menu(图标菜单)缺省时位于版图图框的左边，列出了一些最常用的命令的图标,要查看图标所代表的指令，只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上，图标下方即会显示出相应的指令。 menu banner（菜单栏）,包含了编辑版图所需要的各项指令，并按相应的类别分组。几个常用的指令及相应的快捷键列举如下： Zoom In -------放大 (z)Zoom out by 2------- 缩小2倍(Z) Save ------- 保存编辑(f2) Delete ------- 删除编辑(Del) Undo ------- 取消编辑(u)Redo -------恢复编辑 (U) Move ------- 移动(m)Stretch ------- 伸缩(s) Rectangle -------编辑矩形图形(r)Polygon ------- 编辑多边形图形(P) Path ------- 编辑布线路径(p) Copy -------复制编辑 (c) status banner（状态显示栏），位于menu banner的上方，显示的是坐标、当前编辑指令等状态信息。 在版图视窗外的左侧还有一个层选择窗口（Layer and Selection Window LSW）。

电流、功率、电压、电阻计算公式.

= 1.732 X U X I X COSφ 功率 P =1.732X380X I X0.85 电流 I = P / (1.732 X 380 X 0.85 功率分有功和无功，有功P=U*I*(cos a；无功Q=U*I*（sin a；注：a是功率因数。 三相电动机的功率电阻的电流如何计算。电压已知为380V。求高人指点！2012-4-20 09:43 提问者：mfkwfntxgt|浏览次数：364次 我来帮他解答 2012-4-20 10:23 满意回答 电流=I，电压=U，电阻=R，功率=P U=IR,I=U/R,R=U/I, P=UI,I=P/U,U=P/I P=U2/R,R=U2/P 就记得这一些了，不知还有没有 还有P=I2R P=IU R=U/I 最好用这两个；如电动机电能转化为热能和机械能。电流 符号: I 符号名称: 安培（安） 单位: A 公式: 电流=电压/电阻 I＝U/R 单位换算: 1MA（兆安）=1000kA（千安）=1000000A（安）

1A（安）=1000mA（毫安）=1000000μA（微安）单相电阻类电功率的计算公式= 电压U*电流I 单相电机类电功率的计算公式= 电压U*电流I*功率因数COSΦ 三相电阻类电功率的计算公式= 1.732*线电压U*线电流I （星形接法） = 3*相电压U*相电流I（角形接法） 三相电机类电功率的计算公式= 1.732*线电压U*线电流I*功率因数COSΦ（星形电流=I，电压=U，电阻=R，功率=P U=IR,I=U/R,R=U/I, P=UI,I=P/U,U=P/I P=U2/R,R=U2/P 就记得这一些了，不知还有没有 还有P=I2R ⑴串联电路 P（电功率）U（电压）I（电流）W（电功）R（电阻）T （时间） 电流处处相等 I1=I2=I 总电压等于各用电器两端电压之和 U=U1+U2 总电阻等于各电阻之和 R=R1+R2 U1：U2=R1：R2 总电功等于各电功之和 W=W1+W2 W1：W2=R1：R2=U1：U2 P1：P2=R1：R2=U1：U2 总功率等于各功率之和 P=P1+P2 ⑵并联电路 总电流等于各处电流之和 I=I1+I2 各处电压相等 U1=U1=U 总电阻等于各电阻之积除以各电阻之和 R=R1R2÷（R1+R2）

版图设计规范

Q/AT 中国电子科技集团公司第十三研究所企业标准 Q/AT 43016.×××-2005 第十六专业部 薄膜电路版图设计规范 拟制： 审核： 批准： 2005-9-6版 中国电子科技集团公司第十三研究所批准

目录?1.版图一般要求 ?2.版图元件要求 ?3.基片和组装材料选择 ?4.薄膜电阻最大允许电流 ?5. 版图和组装图审核要求 ?附录1 元器件降额准则（摘要）?附录2 版图和组装图审核表 ?附录3 组装图模版（AUTOCAD格式）

薄膜电路版图设计规范 版本：2005-9-6 1版图一般要求： 1.1基片和掩模版尺寸 1.3非标准尺寸基片：50mm×60mm。图形阵列最大尺寸不应大于46mm×56mm。 采用非标准基片要与工艺负责人商量。 1.4划线框尺寸：微晶玻璃基片200um，陶瓷基片 300um。 1.5基片厚度 进口瓷片厚度 0.38mm 0.25mm。 国产瓷片厚度0.4mm 0.5mm， 0.8mm，1.0mm。 需要其它厚度陶瓷基片时，要提前预订。 1.6单元基片最大尺寸（包括划线槽） 必须同时满足以下两个要求: （1）单元基片的每个边（角）到管座台面对应边（角）的最小距离0.5mm，（D-C>1）（2）单元基片边长比管壳对应管柱中心距应小1.5mm以上（A-B >1.5）。 表2 TO-8系列管壳对应最大正方形基片尺寸 1.7常规生产应采用铬版。 1.8有薄膜电阻的版，要制作三层版。 第1层负版。金块图形。 第2层正版。金块图形加上电阻图形。 第3层正版。仍为金块图形。

1.9没有薄膜电阻的版，制作2块版。 第1层负版。金块图形 第2层正版。仍为金块图形。 1.10带金属化通孔的版，制作2层版。， 第1层正版。金块图形，包括孔焊盘。 第2层正版。金块图形加上电阻图形。 1.10.1小孔的位置在正式的版图中不应画出，也不用标记。可以在不制版的图层中标出。 1.10.2版图上应设计一个十字对位标记，用于孔化基片光刻对位，如下图所示。 1.11掩模版要有标识： 在版图的空隙应加上版号或更新的编号。比如，版号为741，一次改版时，标示为 741A。 旧版仍沿用旧的版号。 新版号由各研究室主任给出1个3位数版号，遇到旧版号跳过。 1.12标准薄膜电阻。 在电阻图形中，应包含一个较宽的正方形电阻，以便精确地测量方块电阻。 比如：200μm×200μm。 1.13方块电阻标准值 微晶玻璃上方块电阻R□=100Ω； 陶瓷基片上方块电阻R□=50Ω。 应当尽量使用标准方块电阻，特殊的要求与工艺负责人商量。 1.14负版增加对位图形。 负版精缩时应在的图形阵列对角外，多曝光6个单元图形，如图A所示。 负版直扫时应在的图形阵列对角外作“L”图形，条宽1mm，长度5mm。如图B所示。

电路版图设计与规则

第三章集成电路版图设计 每一个电路都可以做的很完美,对应的版图也可以画的很艺术，需要的是耐心和细心，当然这需要知识，至少我这么认为。 3.1认识设计规则（design rule） 什么是设计规则？根据实际工艺水平(包括光刻精度、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。芯片上每个器件以及互连线都占有有限的面积。它们的几何图形形状由电路设计者来确定。（从图形如何精确地光刻到芯片上出发，可以确定一些对几何图形的最小尺寸限制规则，这些规则被称为设计规则） 制定设计规则的目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率。 设计规则中的主要内容：Design Rule通常包括相同层和不同层之间的下列规定： 最小线宽 Minimum Width 最小间距 Minimum Spacing 最小延伸 Minimum Extension

最小包围 Minimum Enclosure 最小覆盖 Minimum Overlay 集成电路版图设计规则通常由集成电路生产线给出，版图设计者必须严格遵守！！！ 3.2模拟集成电路版图设计中遵从的法则 3.2.1电容的匹配 对于IC layout工程师来说正确地构造电容能够达到其它任何集成元件所不能达到的匹配程度。下面是一些IC版图设计中电容匹配的重要规则。 1）遵循三个匹配原则：它们应该具有相同方向、相同的电容类型以及尽可能的靠近。这些规则能够有效的减少工艺误差以确保模拟器件的功能。 2）使用单位电容来构造需要匹配的电容，所有需要匹配的电容都应该使用这些单位电容来组成，并且这些电容应该被并联，而不是串联。3）使用正方块电容，并且四个角最好能够切成45度角。周长变化是导致不匹配的最主要的随机因素，周长和面积的比值越小，就越容

Cadence版图设计环境的建立及设计规则的验证.

Cadence版图设计环境的建立及设计规则的验证 摘要：对版图设计需要的工艺库（technology file）文件、显示（display）文件的书写进行了详细分析，并对设计规则验证（DRC）中遇到的问题进行了解释。 关键词：工艺库；显示文件；设计规则验证；版图 Cadence提供的Virtuoso版图设计及其验证工具强大的功能是任何其他EDA工具所无法比拟的，故一直以来都受到了广大EDA工程师的青睐［1］，然而Virtuoso工具的工艺库的建立和Dracula的版图验证比较繁琐。本文将从Virtuoso的工艺库的建立及Dracula版图的设计规则验证等方面做详细介绍。 1Technology file与Display Resource File的建立 版图设计是集成电路设计中重要的环节，是把每个元件的电路表示转换成集合表示，同时，元件间连接的线网也被转换成集合连线图形［2］。与电路设计不同的是版图设计必须考虑具体的工艺实现，因此，存放版图的库必须是工艺库或附在别的工艺库上的库。否则，用隐含的库将没有版层，即LSW窗口是空框，无法画图。因此，在设计版图前必须先建立工艺库，且要有显示文件（display resource file）displaydrf。 technology file中应包含以下几部分［3］：层定义（Layer definitions）、器件定义（Device definitions）、层物理电学规则（Layer, physical and electrical ru les）、布线规则（Place and route rules）和特殊规则（Rules specific to individual Cadence applications）。 层定义中主要包括： (1)该层的用途设定，用来做边界线的或者是引脚标识的等，有cadence系统保留的，也有用户设定的。 (2)工艺层，即在LSW中显示的层。 (3)层的优先权，名字相同用途不同的层按照用途的优先权的排序。 (4)层的显示。 (5)层的属性。 器件模块中可以定义一些增强型器件、耗尽型器件、柱塞器件、引脚器件等，这些器件定义好之后，在作版图时可以直接调用该器件，从而减轻重复的工作量。 层、物理、电学规则的模块包括层与层间的规则，物理规则和电学规则。层规则中定义了通道层与柱塞层。物理规则中主要定义了层与层间的最小间距，层包含层的最小余量等。电学规则中规定了各种层的方块电阻、面电容、边电容等电学性质。 布线规则主要为自动布局布线书写的，在启动自动布局布线时，将照该模块中定义的线宽和线间距进行［4］。 书写工艺规则文件时主要应包括以下几项：

第二章标准单元设计技术

黄越（10月31改动） 第二章标准单元技术 章节预览 本章将要了解的内容有： ?为什么在数字电路版图设计中标准化是重要的？ ?在模拟电路版图设计中标准化技术的优点 ?为什么要把一些单元放在一起 ?只有很少的金属层布线时应该了解的注意点 ?有很多的金属层布线时应该了解的注意点 ?为了布线如何插入布线通道 ?什么时候布局粗的电源线 ?高密度区域信号的输入与输出 ?如何保证单元之间有合适的距离 ?如何完全通过版图设计规则的检查 ?如何节约设计时间 ?如何保护门电路不被损坏 标准单元技术的设计思想 为使自动版图设计工具能够布局布线，需要制定规则。比如单元设计规则、布局规则、测试规则。 稍稍想象一下塑料拼装玩具，这些规格统一的玩具块都在相同一个地方有用于连接的连接头和连接空隙。用这些塑料方块可以拼成一个大方块。所有的塑料块都可以相互拼装。 因为这些塑料块都是标准的长、宽、高，并按标准格式将塑料块拼装好。不可能将任何非标准的块与这些标准的块拼在一起。 像这些标准塑料方块一样，用自动版图设计软件依据网格线和设计规则来设计单元库。标准单元库之间同样要求能够相互集成。为实现这个设想人们利用各种标准化的技术来构造这个特殊的单元库。 标准化技术同样也适用于模拟电路版图设计，即使是不使用自动版图设计软件的情况。由于这些标准化技术在数字电路版图设计中是强制执行的，所以本章的重点及举例主要使用数字电路版图设计。 标准网格 通过将器件布局在标准网格上，标准化的版图系统可以自动布线并能够保证标准单元所有可行的布局。这些网格就像一个个标准平面正方形塑料块拼装在一起。这是我们首先讨论的问题。 讨论过网格后，再来讨论一下布局在这些网格之上的标准单元。如果我们利用网格布局并使用设计规则统一的（设计）单元，就可以使用自动工具来进行布局布线。不考虑软件的决定性的因素的情况下，我们的电路就会正确的设计出来。 基于网格的系统 典型的布线软件是基于网格的。基于网格的布线器有两个限制。固定线宽以及只能将器件对称的布在网格线上。不能在基于网格的系统中随心所欲的进行设计，必须符合网格布线规则。 决定网格大小的因素?? 假设第一金属层最小线宽为1微米，换句话就是最小线间距为1微米的工艺下。每根线的宽度为1微米，两根线的间距为1微米，因此两根平行线的最小距离为3微米。

电流 电阻 电压 计算公式

电流电阻电压计算公式 1、串联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1，R2串联） ①电流：I=I1=I2（串联电路中各处的电流相等） ②电压：U=U1+U2（总电压等于各处电压之和） ③电阻：R=R1+R2（总电阻等于各电阻之和）如果n个阻值相同的电阻串联，则有R总=nR 2、并联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1，R2并联） ①电流：I=I1+I2（干路电流等于各支路电流之和） ②电压：U=U1=U2（干路电压等于各支路电压） ③电阻：（总电阻的倒数等于各并联电阻的倒数和）或。 如果n个阻值相同的电阻并联，则有R总= R 注意：并联电路的总电阻比任何一个支路电阻都小。 电功计算公式：W=UIt（式中单位W→焦(J)；U→伏(V)；I→安(A)；t→秒）。 5、利用W=UIt计算电功时注意：①式中的W、U、I和t是在同一段电路；②计算时单位要统一；③已知任意的三个量都可以求出第四个量。 6、计算电功还可用以下公式：W=I2Rt ；W=Pt；W=UQ（Q是电量）； 【电学部分】 1电流强度：I＝Q电量/t 2电阻：R=ρL/S 3欧姆定律：I＝U/R 4焦耳定律： ⑴Q＝I2Rt普适公式) ⑵Q＝UIt＝Pt＝UQ电量＝U2t/R (纯电阻公式) 5串联电路： ⑴I＝I1＝I2 ⑵U＝U1＋U2 ⑶R＝R1＋R2 ⑷U1/U2＝R1/R2 (分压公式) ⑸P1/P2＝R1/R2 6并联电路： ⑴I＝I1＋I2 ⑵U＝U1＝U2 ⑶1/R＝1/R1＋1/R2 [ R＝R1R2/(R1＋R2)] ⑷I1/I2＝R2/R1(分流公式) ⑸P1/P2＝R2/R1 7定值电阻： ⑴I1/I2＝U1/U2 ⑵P1/P2＝I12/I22 ⑶P1/P2＝U12/U22

线圈电阻计算方法

计算电阻公式为： S L R *ρ= 其中，ρ为铜的电阻率，值为：mm *24.17Ωμ（m *01724.0Ωμ），L 为导线长度，S 为导线的横截面积。 1． 导线长度的求法：方法有两种。 第一种，估算： K D D n L ++≈2*21π 式中 n 为圈数，D 1、D 2分别为内外径，K 为不足一圈的长度 其中，误差有：2 21D D E +≤π 由我们的线圈n=32，D 1=4.8mm ，D 2=24.4mm ，K=0。 算得L=1467mm ，E=45.8，则L 应该大于1421.1mm ，而小于1512.8mm 第二种，精确计算： 设螺线的方程为θπ *2d r =，式中，d 代表相邻螺线间的距离，在本文中，指代间距（d ）和一半线宽（b ，8mil ）之和（4mil+4mil=8mil=0.203mm ） 则[] d D d D K In d L M M N N N M π?π?θθθθπ??==+++++=,)1(1422 式中，D N 是外径，D M 是开始时的内径。d 也可表示为（D N -D M ）/2n 带入算得：[]0)1(1122.0250 4922+++++=θθθθIn L ，

L=1466.6mm 有结果看出，两者相差不大。对计算阻抗影响不大。 2．计算铜线截面积 在PCB工艺中，铜线为长方体，其厚度由敷铜时的参数决定，一般是1oz（盎司）敷铜，此时铜线厚度为35微米，相应的，若在制板时采用2oz或者更厚的敷铜，则厚度倍增。计算时假设是1oz敷铜，设计时导线宽度为8mil（0.2032mm）所以横截面积为 S=0.2032*0.035=0.007112mm2 μ，大概3.55欧姆 由此算得：R=17.24*1466.6/0.007112=Ω 那么两个线圈串联电阻约为2*3.55=7.1欧姆

电子科技大学集成电路实验报告——版图部分实验报告

微电子与集成电路设计 实验报告 使用L-Edit编辑单元电路布局图 一、实验学时：4学时 二、实验目的 1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境； 2、掌握L-Edit的使用技巧。 三、实验内容：利用L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图转化为T-Spice 文件。 四、实验结果： 1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用的是（C:\TannerLb\LEdit\TECH\mosis\morbn20.tdb）文件的。

2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。 先确定W。W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位 4，则先加10后再乘以2。所以，要绘制的是一个L=2u，W=（ 16 u）的PMOS管掩膜版图。 （当时我没注意要按学号画，是按指导书上画的，截完图会来看报告才发现） 所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为： 该PMOS管的截面图为：

所完成的经DRC检查无错误的NMOS版图为： 该NMOS管的截面图为：

4、运用前面绘制好的nmos 组件与pmos 组件绘制反相器inv 的版图。加入电源Vdd ，地Gnd ，输入A 和输出B 的标号。所完成的DRC 检查无错误的版图为：

5、将反相器布局图转化为T-Spice 文件，该文件的内容为： 五、实验总结与体会： 进行任何实验时对实验原理的的掌握都是最重要的。由于实验前的准备不足，实验时遇到了很多的困难，需要好好复习MOS工艺的的基本知识。在进行版图设计时，需要严格遵循设计规则中对参数、位置的要求，任何的偏差都可能导致错误。所以每进行一步都要进行检 查，修正；但有些错误可以在后续的步骤中自动解决，也需要加以注意。

常用导体材料电阻率计算公式

常用导体材料电阻率计算 公式 Prepared on 24 November 2020

【电学部分】 1电流强度：I＝Q电量/t 2电阻：R=ρL/S 3欧姆定律：I＝U/R 4焦耳定律： ⑴Q＝I2Rt普适公式) ⑵Q＝UIt＝Pt＝UQ电量＝U2t/R (纯电阻公式) 5串联电路： ⑴I＝I1＝I2 ⑵U＝U1＋U2 ⑶R＝R1＋R2 ⑷U1/U2＝R1/R2 (分压公式) ⑸P1/P2＝R1/R2 6并联电路： ⑴I＝I1＋I2

⑵U＝U1＝U2 ⑶1/R＝1/R1＋1/R2 [ R＝R1R2/(R1＋R2)] ⑷I1/I2＝R2/R1(分流公式) ⑸P1/P2＝R2/R1 7定值电阻： ⑴I1/I2＝U1/U2 ⑵P1/P2＝I12/I22 ⑶P1/P2＝U12/U22 8电功： ⑴W＝UIt＝Pt＝UQ (普适公式) ⑵W＝I^2Rt＝U^2t/R (纯电阻公式) 9电功率： ⑴P＝W/t＝UI (普适公式) ⑵P＝I2^R＝U^2/R (纯电阻公式) 电流密度的问题：一般说铜线的电流密度取6A/mm2，铝的取 4A，考虑到大电流的趋肤效应，越大的电流取的越小一些，100A

以上一般只能取到左右，另外还要考虑输电线路的线损，越长取的也要越小一些。 计算所有关于电流，电压，电阻，功率的计算公式 1、串联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1，R2串联） ①电流：I=I1=I2（串联电路中各处的电流相等） ②电压：U=U1+U2（总电压等于各处电压之和） ③电阻：R=R1+R2（总电阻等于各电阻之和）如果n个阻值相同的电阻串联，则有R总=nR 2、并联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1，R2并联） ①电流：I=I1+I2（干路电流等于各支路电流之和） ②电压：U=U1=U2（干路电压等于各支路电压） ③电阻：（总电阻的倒数等于各并联电阻的倒数和）或。 如果n个阻值相同的电阻并联，则有R总= R 注意：并联电路的总电阻比任何一个支路电阻都小。 电功计算公式：W=UIt（式中单位W→焦(J)；U→伏(V)；I→安(A)；t→秒）。

电路电阻计算公式

电路电阻计算公式 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020

矩公式为T=9550x功率P/转速n,要是多级传动的话每级的扭矩要乘以减速比,速度越低扭矩越大 功率的计算公式: p=w/t p=UI P=I^2 *R P=Fv P=U^2 /R 功的计算公式: W=Fs W=UIt W=I^2 *Rt W=U^2 *t /R 1,两相家用电器功率的计算方法是: P=电流*电压*功率因素 如 5A电流*220V交流电压*功率因素=990W 1度电=1000W 2,对称三相交流家用电器功率的计算方法是: 有功功率(W)P=跟号3*电流*交流电压*功率因素(COS) 无功功率(VAR)Q=跟号3*电流*交流电压*功率因素(SIN) 视在功率(VA)S=跟号3*电流*交流电压 P表示功率,单位是“瓦特”,简称“瓦”,符号是“w”.W表示功,单位是“焦耳”,简称“焦”,符号是“J”.t表示时间,单位是“秒”,符号是“s”.因为W=F（f 力）*s（s 距离）（功的定义式）,所以求功率的公式也可推导出P=F·V（F为力,V为速度）. 功率越大转速越高,汽车的最高速度也越高,常用最大功率来描述汽车的动力性能.最大功率一般用马力 (PS)或千瓦(kw)来表示,1马力等于千瓦. 1w=1J/s

P=W/t=FV=FL/t 1、串联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1,R2串联） ①电流：I=I1=I2（串联电路中各处的电流相等） ②电压：U=U1+U2（总电压等于各处电压之和） ③电阻：R=R1+R2（总电阻等于各电阻之和）如果n个阻值相同的电阻串联,则有R总=nR 2、并联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1,R2并联） ①电流：I=I1+I2（干路电流等于各支路电流之和） ②电压：U=U1=U2（干路电压等于各支路电压） ③电阻：（总电阻的倒数等于各并联电阻的倒数和）或 . 如果n个阻值相同的电阻并联,则有R总= R 注意：并联电路的总电阻比任何一个支路电阻都小. 电功计算公式：W=UIt（式中单位W→焦(J)；U→伏(V)；I→安(A)；t→秒）. 5、利用W=UIt计算电功时注意：①式中的W、U、I和t是在同一段电路；②计算时单位要统一；③已知任意的三个量都可以求出第四个量. 6、计算电功还可用以下公式：W=I2Rt ；W=Pt；W=UQ（Q是电量）； 【电学部分】 1电流强度：I＝Q电量/t 2电阻：R=ρL/S 3欧姆定律：I＝U/R 4焦耳定律： ⑴Q＝I2Rt普适公式) ⑵Q＝UIt＝Pt＝UQ电量＝U2t/R (纯电阻公式)

并串联电阻计算公式

串联是连接电路元件的基本方式之一。将电路元件（如电阻、电容、电感,用电器等）逐个顺次首尾相连接。将各用电器串联起来组成的电路叫串联电路。串联电路中通过各用电器的电流都相等。 并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。 所有并联元件的端电压是同一个电压 串联电路的特点 欧姆定律：I=U/R 变形求电压：U=IR 变形求电阻：R=U/I 电压的关系：U=U1+U2 电流的关系：I=I1=I2 电阻的关系：R=R1+R2 并联电路的特点 电压的关系：U=U1=U2 电流的关系：I=I1+I2 电阻的关系：1/R=1/R1+1/R2 电功的计算：W=UIt

电功率的定义式：P=W/t 常用公式：P=UI 焦耳定律：Q放=I2Rt 对于纯电阻电路而言：Q放=I2Rt =U2t/R=UIt=Pt=UQ=W 照明电路的总功率的计算：P=P1+P1+…… 串、并联电路中的等效电阻 学习目标要求： 1．知道串、并联电路中电流、电压特点。 2．理解串、并联电路的等效电阻。 3．会计算简单串、并联电路中的电流、电压和电阻。 4．理解欧姆定律在串、并联电路中的应用。 5．会运用串、并联电路知识分析解决简单的串、并联电路问题。 中考常考内容： 1．串、并联电路的特点。 2．串联电路的分压作用，并联电路的分流作用。 3．串、并联电路的计算。 知识要点： 1．串联电路的特点

（1）串联电路电流的特点：由于在串联电路中，电流只有 一条路径，因此，各处的电流均相等，即；因此，在对串联电路的分析和计算中，抓住通过各段导体的电流相等这个条件，在不同导体间架起一座桥梁，是解题的一条捷径。 （2）由于各处的电流都相等，根据公式，可以得到 ，在串联电路中，电阻大的导体，它两端的电压也大，电压的分配与导体的电阻成正比，因此，导体串联具有分压作用。串联电路的总电压等于各串联导体两端电压之和，即 。 （3）导体串联，相当于增加了导体的长度，因此，串联导体的总电阻大于任何一个串联导体的电阻，总电阻等于各串联导 体电阻之和，即。如果用个阻值均为的 导体串联，则总电阻。 2．并联电路的特点 （1）并联电路电压的特点：由于在并联电路中，各支路两端分别相接且又分别接入电路中相同的两点之间，所以各支路两 端的电压都相等，即。因此，在电路的分析和计算中，抓住各并联导体两端的电压相同这个条件，在不同导体间架起一座桥梁，是解题的一条捷径。 （2）由于各支路两端的电压都相等，根据公式，可得

并串联电阻计算公式汇总

串、并联电路中的等效电阻 串、并联电路中的等效电阻 学习目标要求： 1．知道串、并联电路中电流、电压特点。 2．理解串、并联电路的等效电阻。 3．会计算简单串、并联电路中的电流、电压和电阻。 4．理解欧姆定律在串、并联电路中的应用。 5．会运用串、并联电路知识分析解决简单的串、并联电路问题。 中考常考内容： 1．串、并联电路的特点。 2．串联电路的分压作用，并联电路的分流作用。 3．串、并联电路的计算。 知识要点： 1．串联电路的特点 （1）串联电路电流的特点：由于在串联电路中，电流只有一条路径，因此，各处的电流均相等，即；因此，在对串联电路的分析和计算中，抓住通过各段导体的电流相等这个条件，在不同导体间架起一座桥梁，是解题的一条捷径。

（2）由于各处的电流都相等，根据公式，可以得到 ，在串联电路中，电阻大的导体，它两端的电压也大，电压的分配与导体的电阻成正比，因此，导体串联具有分压作用。串联电路的总电压等于各串联导体两端电压之和，即 。 （3）导体串联，相当于增加了导体的长度，因此，串联导体的总电阻大于任何一个串联导体的电阻，总电阻等于各串联导体电阻之和，即。如果用个阻值均为的导体串联，则总电阻。 2．并联电路的特点 （1）并联电路电压的特点：由于在并联电路中，各支路两端分别相接且又分别接入电路中相同的两点之间，所以各支路两端的电压都相等，即。因此，在电路的分析和计算中，抓住各并联导体两端的电压相同这个条件，在不同导体间架起一座桥梁，是解题的一条捷径。 （2）由于各支路两端的电压都相等，根据公式，可得 到，在并联电路中，电阻大的导体，通过它的电流小，电流的分配与导体的电阻成反比，因此，导体并联具有分流作用。并联电路的总电流等于各支路的电流之和，即 。

水电阻阻值的计算方法

水电阻的调试方法 1、起动电阻的确定： 串入电机转子回路的每相电阻值R0，应按下式确定 R0=2U2e/√3I2e k*I1e/I1 注：U2e转子开路电压 I2e转子额定电流 I1e定子额定电流 I1定子运行电流 K常数（1.1至1.3之间） 简化公式: RO=0.7*U2e/I2e 2、液体的配制 A、将动极板移到起始位置，（转动皮带轮移动极板），加入清水至 水箱规定水位的四分之三处； B、将电解粉与清水按3%的配比注入三个水箱，然后移动动极板数 次，使溶液浓度均匀后将动极板复位； C、测量任两极之间的电阻值R，若R在R0范围内，配制即完成， 若R偏大，则适当增加电解粉。使液体浓度增加，若R偏小则加入适量清水。 3、液阻的测量 将液阻的动极板移到起始位置后，在任何两极间通入10A左右、50Hz 的电流I，测量两极的电压降U，按欧姆定律原则计算出来就行。 高压电动机液体电阻起动器调试[原创]

液体电阻起动器调试 (一) 、准备工作 1、检查液体起动柜内配线，液体起动器与一次柜、DCS系统的联锁控制线，确保无误。 2、转子线先不与液体电阻起动器连接，等测完电阻再连接。 3、确认端子间或各暴露的带电部位没有短路或对地短路情，确认端子连接、螺钉等均紧固无松动。 4、 PLC程序检查，调出PLC内部程序，检查程序是否合理，是否满足控制逻辑，如存在问题，就地修改。 （二）、液体起动器动作试验： 1、用手动盘车方法使动极板处于上、下限位的中间，检查控制电源三相电正常后，将“试验”钮子开关左旋于运行位置，合上柜内空气开关，此时若极板上行则为正常； 2、用手动作上限位行程开关应停止运行，若极板下行则相序错误。此时关掉电源交换两相电源线即可； 3、然后合上电源将“试验”钮子开关右旋于“试验”位置，极板向下运行直到下限位置停止，且短接接触器吸合。 （三）、液体电阻配制： 配制方案：根据电机转子回路内电阻配液； 1、配液用水：一般选用经过净置后去掉沉淀物的生活用水即可。 2、电阻溶剂即电阻粉，由生产厂商提供。 3、液体起动电阻RO的确定：

电路电阻计算公式

矩公式为T=9550x功率P/转速n,要是多级传动的话每级的扭矩要乘以减速比,速度越低扭矩越大 功率的计算公式: p=w/t p=UI P=I^2 *R P=Fv P=U^2 /R 功的计算公式: W=Fs W=UIt W=I^2 *Rt W=U^2 *t /R 1,两相家用电器功率的计算方法是: P=电流*电压*功率因素 如5A电流*220V交流电压*0.9功率因素=990W 1度电=1000W 2,对称三相交流家用电器功率的计算方法是: 有功功率(W)P=跟号3*电流*交流电压*功率因素(COS) 无功功率(VAR)Q=跟号3*电流*交流电压*功率因素(SIN) 视在功率(VA)S=跟号3*电流*交流电压 P表示功率,单位是“瓦特”,简称“瓦”,符号是“w”.W表示功,单位是“焦耳”,简称“焦”,符号是“J”.t 表示时间,单位是“秒”,符号是“s”.因为W=F（f 力）*s（s 距离）（功的定义式）,所以求功率的公式也可推导出P=F·V（F为力,V为速度）. 功率越大转速越高,汽车的最高速度也越高,常用最大功率来描述汽车的动力性能.最大功率一般用马力(PS)或千瓦(kw)来表示,1马力等于0.735千瓦. 1w=1J/s P=W/t=FV=FL/t 1、串联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1,R2串联） ①电流：I=I1=I2（串联电路中各处的电流相等） ②电压：U=U1+U2（总电压等于各处电压之和） ③电阻：R=R1+R2（总电阻等于各电阻之和）如果n个阻值相同的电阻串联,则有R总=nR 2、并联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1,R2并联） ①电流：I=I1+I2（干路电流等于各支路电流之和） ②电压：U=U1=U2（干路电压等于各支路电压） ③电阻：（总电阻的倒数等于各并联电阻的倒数和）或 . 如果n个阻值相同的电阻并联,则有R总= R 注意：并联电路的总电阻比任何一个支路电阻都小. 电功计算公式：W=UIt（式中单位W→焦(J)；U→伏(V)；I→安(A)；t→秒）. 5、利用W=UIt计算电功时注意：①式中的W、U、I和t是在同一段电路；②计算时单位要统一；③已知任意的三个量都可以求出第四个量. 6、计算电功还可用以下公式：W=I2Rt ；W=Pt；W=UQ（Q是电量）； 【电学部分】

方块电阻计算公式

四探针方阻测试 方块电阻是表征薄膜导电性能的物理量，通常采用四探针探测仪来测定，该方法原理简单，数据处理方便，测量时是非破坏性的，因此被广泛使用。 图2.3 是电流平行经过ITO 膜层的情形，其中：d 为膜厚，I 为电流，L1 为在电流方向的膜层长度，L2 为在垂直于电流方上的膜层长度。 图2.3 方块电阻示意图 Fig. 2.3 Diagram of block resistance 当电流流过如图所示的方形导电膜层时，该层的电阻为 (2. 9) 式中，ρ为导电膜的电阻率，对于给定的膜层，ρ和d 可以看成是定值。L1=L2时，即为正方形的膜层，其电阻值均为定值ρ/d。这就是方块电阻的定义，即 (2. 10) 式中，R□的单位为：欧姆/□(Ω/□) ；ρ的单位为欧姆(Ω)；d 的单位为米(m)。 由此可以看出方块电阻的特点：对于给定膜层，其阻值不随所采用正方形的大小变化，仅与薄膜材料的厚度有关。 四探针测试法如图2.4 所示，在半径无穷大的均匀试样上有四根等间距为S 的探针排列成一直线。由恒流源向外面两根探针1、4 通入小电流I，测量中间两根探针2、3 间的电位差U，则由U、I、S 的值求得样品的电阻率ρ。

图2.4 四探针测试法示意图 Fig. 2.4 Schematic diagram of four-probe method 当电流I 由探针1 流入样品时，若将探针与接触出看成点电源，则等势面是以点电源为中心的一系列半球面，在距离探针r 处的电流密度为： (2. 11) 由微分欧姆定律J=E /ρ可得出距探针r 处的电场强度为 (2. 12) 由于E=－dU/dr，而且，r→∞时，U→0。则在距离探针r 处的电位U 为： (2. 13) 同理当电流由探针4 流出样品时，在r 处的电位为： (2. 14) 用直线四探针法测量电阻率时，电流I 从探针1 流入，探针4 流出，根据电位叠加原理，探针2，3 处的电位可分别写成： (2. 15) 因此探针2，3 之间的电位差： (2. 16) 即：

电线电阻计算公式

电线的电阻计算公式？|电线越粗电阻越小用电越少 导线的截面积所能正常通过的电流可根据其所需要导通的电流总数进行选择，一般可按照如下顺口溜进行确定： 十下五,百上二, 二五三五四三界,柒拾玖五两倍半,铜线升级算. 给你解释一下,就是10平方一下的铝线,平方毫米数乘以5就可以了,要是铜线呢,就升一个档,比如2.5平方的铜线,就按4平方计算.一百以上的都是截面积乘以2, 二十五平方以下的乘以4, 三十五平方以上的乘以3, 柒拾和95平方都乘以2.5,这么几句口诀应该很好记吧, 说明:只能作为估算,不是很准确。 另外如果按室内记住电线6平方毫米以下的铜线，每平方电流不超过10A就是安全的，从这个角度讲，你可以选择1.5平方的铜线或2.5平方的铝线。 10米内，导线电流密度6A/平方毫米比较合适，10-50米，3A/平方毫米,50-200米，2A/平方毫米，500米以上要小于1A/平方毫米。从这个角度，如果不是很远的情况下，你可以选择4平方铜线或者6平方铝线。 如果真是距离150米供电（不说是不是高楼），一定采用4平方的铜线。 导线的阻抗与其长度成正比，与其线径成反比。请在使用电源时，特别注意输入与输出导线的线材与线径问题。以防止电流过大使导线过热而造成事故。 导线线径一般按如下公式计算： 铜线：S= IL / 54.4*U` 铝线：S= IL / 34*U` 式中：I——导线中通过的最大电流（A） L——导线的长度（M） U`——充许的电源降（V） S——导线的截面积（MM2） 说明： 1、U`电压降可由整个系统中所用的设备（如探测器）范围分给系统供电用的电源电压额定值综合起来考虑选用。 2、计算出来的截面积往上靠. 绝缘导线载流量估算 铝芯绝缘导线载流量与截面的倍数关系 导线截面(mm 2 ) 11．52．546101625355070 95120 载流是截面倍数9 8 7 6 5 4 3．5 3 2．5 载流量(A) 9 14 23 32 48 60 90 100 123 150 210 238 300 估算口诀：二点五下乘以九，往上减一顺号走。三十五乘三点五，双双成组减点五。条件有变加折算，高温九折铜升级。穿管根数二三四，八七六折满载流。说明：(1)本节口诀对各种绝缘线(橡皮和塑料绝缘线)的载流量(安全电流)不是直接指出，而是“截面乘上一定的倍数”来表示，通过心算而得。由表5 3可以看出：倍数随截面的增大而减小。“二点五下乘以九，往上减一顺号走”说的是2．5mm’及以下的各种截面铝芯绝缘线，其载流量约为截面数的9倍。如2．5mm’导线，载流量为2．5×9＝22．5(A)。从4mm’及以上导线的载流量和截面数的倍数关系是顺着线号往上排，倍数逐次减l，即4×8、6×7、10×6、16×5、25×4。“三十五乘三点五，双双成组减点五”，说的是35mm”的导线载流量为截面数的3．5倍，即35×3．5＝122．5(A)。

功率电阻换算公式

功率电阻换算公式 电流I，电压V，电阻R，功率W，频率F W=I的平方乘以R V=IR W=V的平方除以R 电流=电压/电阻 功率=电压*电流*时间 电流I，电压V，电阻R，功率W，频率F W=I的平方乘以R V=IR 电流I，电压V，电阻R，功率W，频率F W=I的平方乘以R V=IR W=V的平方除以R 电压V（伏特），电阻R（欧姆），电流强度I（安培），功率N（瓦特）之间的关系是： V=IR，N=IV =I*I*R, 或也可变形为:I=V/R,I=N/V等等.但是必须注意,以上均是在直流(更准确的说,是直流稳态)电路情况下推导出来的!其它情况不适用.如交流电路,那要对其作补充和修正求电压、电阻、电流与功率的换算关系 电流=I，电压=U，电阻=R，功率=P U=IR,I=U/R,R=U/I, P=UI,I=P/U,U=P/I P=U2/R,R=U2/P 就记得这一些了，不知还有没有 还有P=I2R P=IU R=U/I 最好用这两个；如电动机电能转化为热能和机械能。电流 符号: I 符号名称: 安培（安） 单位: A 公式: 电流=电压/电阻I＝U/R 单位换算: 1MA（兆安）=1000kA（千安）=1000000A（安） 1A（安）=1000mA（毫安）=1000000μA（微安）单相电阻类电功率的计算公式= 电压U*电流I 单相电机类电功率的计算公式= 电压U*电流I*功率因数COSΦ 三相电阻类电功率的计算公式= 1.732*线电压U*线电流I （星形接法） = 3*相电压U*相电流I（角形接法） 三相电机类电功率的计算公式= 1.732*线电压U*线电流I*功率因数COSΦ（星形电流=I，

电阻计算公式

真理惟一可靠的标准就是永远自相符合。土地是以它的肥沃和收获而被估价的；才能也是土地，不过它生产的不是粮食，而是真理。如果只能滋生瞑想和幻想的话，即使再大的才能也只是砂地或盐池，那上面连 小草也长不出来的。 电阻计算公式 电阻计算公式 定义式：R=U/I 定义公式：R=p L/S 欧姆定律变形式：R=U/I 电阻串联：R=R1+R2+R3+...+Rn 电阻并联：1/R=1/R1+1/R2+1/R3+..+1/Rn 与电功率相关公式：R=U2/P; R=P/I2 与电能（电热）相关公式：R=U2t/W; R=W/I2 t （电热时，W换成Q） 决定式：R=p L/S（族示电阻的电阻率，是由其本身性质决定，L表示电阻的长度，S表示电阻的横截面积） 控制电阻大小的因素 电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，还与导体长 度、横截面积、材料有关。衡虽电阻受温度影响大小的物理 虽是温度系数，其定义为温度每升高1C时电阻值发生变化 的白分数。多数（金属）的电阻随温度的升高而升高，一些半导体却相反。如：玻璃，碳在温度一定的情况下，有公式

R=p l/琪中的p就是电阻率，l为材料的长度，单位为m, s 真理惟一可靠的标准就是永远自相符合。土地是以它的肥沃和收获而被估价的；才能也是土地，不过它生 产的不是粮食，而是真理。如果只能滋生瞑想和幻想的话，即使再大的才能也只是砂地或盐池，那上面连 小草也长不出来的。为面积，单位为平方米。可以看出，材料的电阻大小正比于 材料的长度，而反比于其面积。 电阻物理虽:1欧电压产生一鸥电流则为1鸥电阻。另外电阻的作用除了在电路中用来控制电流电压外还可以制 成发热元件等。