电子技术基础试题库(1~6章)

1 电子技术基础第一学期试题库(1~6章)

一、填空题:(每空1分)

1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为 和 答:导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有 特性和 特性。 答:热敏、光敏、掺杂。

3、PN 结具有 特性,即加正向电压时 。 答:单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约 v, 锗二极管导通时的管压降约 v 。 答: 0.7V 、0.3V 。

(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是 和 。 答:最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常 电流,所以硅二极管的热稳定性 。

答:小于、较好。

6、发光二极管将 信号转 换成 信号。

答:电、光、光、电。

7、三极管有三个电极,即 极和

答:集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有 型。

答: NPN 、PNP 。

(中)9、三极管基极电流I B 的微小变化,将会引起集电极电流I C 的较大变化,这说明三极管具有 作用。

答:电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约 v ,锗三极管的死区电压约 。晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为 v ,锗管约为 v 。

答: 0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是 答: I C =βI B 。

(中)25、三极管的穿透电流I CEO 随温度的升高而 ,硅三极管的穿透电流比锗三极管的 。

答:增加、小。

12、三极管的极限参数分别是 , 答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

(中)13、工作在放大状态的三极管可作为 器件;工作在截止和饱和状态的三极管 可作为 器件。

答:放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为 , 和 。

答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。 答:使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,

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