电子技术基础试题库(1~6章)

电子技术基础第一学期试题库(1~6章)

一、填空题:(每空1分)

1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。答:导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性,特性和特性。

答:热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。

答:单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答:0.7V、0.3V。

(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。

答:最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和

电流,所以硅二极管的热稳定性。

答:小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转

换成信号。

答:电、光、光、电。

7、三极管有三个电极,即极、极和极。

答:集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答:NPN、PNP。

(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极

管具有作用。

答:电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。晶体三极

管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。

答:0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。

答:I C=βI B。

(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答:增加、小。

12、三极管的极限参数分别是,,和。答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管

可作为器件。

答:放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为,

和。

答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答:使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。

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