电子技术基础第1到6章复习习题.

模电复习习题

一、选择题

1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是A 。

A.输入电压幅值不变，改变频率

B.输入电压频率不变，改变幅值

C.输入电压的幅值与频率同时变化

2.大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是A 。

A.耦合电容和旁路电容的存在

B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点不合适

3.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的B。

A.0.5倍

B.0.7倍

C.0.9倍

即增益下降A 。

A.3dB

B.4dB

C.5dB

4. 多级直接耦合放大电路中，（A）的零点漂移占主要地位。

A) 第一级B) 中间级C) 输出级

5. 一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为（B）

A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB

6.在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（B ）。

A）比直接耦合电路大B）比直接耦合电路小C）与直接耦合电路基本相同

7.要求静态时负载两端不含直流成分，应选( D )耦合方式。

A）阻容B）直接C）变压器D）阻容或变压器

8.差动放大电路是为了（C）而设置的。

A) 稳定增益B) 提高输入电阻C）克服温漂D) 扩展频带

9. 差动放大电路抑制零点漂移的能力，双端输出时比单端输出时（A ）

A) 强B) 弱C）相同

10. 在射极耦合长尾式差动放大电路中，e R 的主要作用是（B ）

A) 提高差模增益 B ）提高共模抑制比

C) 增大差动放大电路的输入电阻 D) 减小差动放大电路的输出电阻

11. 差动放大电路用恒流源代替发射极电阻是为了（ A ）。 A ）提高共模抑制比 B ）提高共模放大倍数 C ）提高差模放大倍数 12. 集成运放的输出级一般采用（C ）。

A. 共基极电路

B. 阻容耦合电路

C. 互补对称电路

13. 集成运放的中间级主要是提供电压增益，所以多采用（B ）。 A. 共集电极电路 B. 共发射极电路 C. 共基极电路 14．集成运放的输入级采用差分电路，是因为（C ）。 A. 输入电阻高 B. 差模增益大 C. 温度漂移小

15．集成运放的制造工艺，使得相同类型的三极管的参数（C ）。 A 受温度影响小 B. 准确性高 C. 一致性好

16．集成运放中的偏置电路，一般是电流源电路，其主要作用是（B ）。 A. 电流放大 B. 恒流作用 C. 交流传输。

17．要使负载变化时，输出电压变化较小，且放大器吸收电压信号源的功率也较少，可以采用（A ）负反馈。 A. 电压串联

B.电压并联

C.电流串联

D.电流并联

18．某传感器产生的电压信号几乎没有带负载的能力（即不能向负载提供电流）。要使经放大后产生输出电压与传感器产生的信号成正比。放大电路宜用（A ）负反馈放大器。 A. 电压串联

B. 电压并联

C. 电流串联

D. 电流并联

二、填空题

1..如图所示电路中， 已知U CC ＝12V ，晶体管的 ＝100，'

b R ＝100k Ω。填空：要求先填文字表达式后填得数。

（1）当i U ＝0V 时，测得U BEQ ＝0.7V ，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则'

b

R 和R W 之和R b ＝ ≈ k Ω；而若测得U CEQ ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。

（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压

有效值o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数u

A ＝ ≈ 。 (3) 若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值

o U ＝ ＝ V 。

解：（1）3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ，；，I U U I U U β-- 。

（2）'

L o i o C L

120 (3)

0.3R U U U R R -?－；＋

2.一个多级放大器一般由多级电路组成，分析时可化为求 单级放大器 的问题，但要考虑 前后级之间的影响。

3.直接耦合放大电路存在的主要问题是 静态工作点互相影响，零点漂移严重 。

4. 在阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种耦合方式中，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是 直接耦合 ，只能放大交流信号的是 阻容耦合和变压器耦合，各级工作点之间相互无牵连的是 阻容耦合和变压器耦合 ，温漂影响最大的是 直接耦合 ，信号源与放大器之间有较好阻抗配合的是 变压器耦合，易于集成的是 直接耦合 ，下限频率趋于零的是 直接耦合。

5.某直接耦合放大器的增益为100，已知其温漂参数为1C /mV ，则当温度从20C o 升高到30C o 时，输出电压将漂移 1V 。

6. 由通频带相同的两个单级放大器组成两级阻容耦合放大器，总的通频带就要变窄，这是为什么？

7.根据输入输出连接方式的不同，差动放大电路可分为 单端输入－单端输出 、 单端输入－双端输出 、双端输入－单端输出 、 双端输入－双端输出。 8. 已知某差动放大电路的差模增益100A ud =，共模增益0A uc =，试问：

1）m V 5u 1i =，m V 5u 2i =，o u ＝ 26 ； 2）mV 5u 1i =，m V 5u 2i -=，o u ＝ 0v ； 3）m V 10u 1i =，m V 0u 2i =，o u ＝ 1v ； 4) m V 5u 1i -=，m V 5u 2i =，o u ＝ 1v ； 6. 解：多级放大电路的上限、下限截止频率可计算如下：

22

2

1

2

11111.1

H H H Hn f f

f f ≈

+

++

222

121.1L L L Ln

f f f f ≈+++

放大电路级数越多，则

H f 越低，L f 越高，通频带越窄。

9.现有如下类型的集成运放，根据要求选择最合适的运放：

①．通用型 ②. 高阻型 ③. 低功耗型 ④. 高速型 ⑤. 高精度 ⑥. 大功率型 ⑦. 高压型。

1． 作视频放大器应选用 。

2． 作内阻为500K Ω信号源的放大器应选用 。 3． 作卫星仪器中的放大器应选用 。

4． 作心电信号（？左右）的前置放大器应选用 。 5． 作低频放大器应选用 。 作输出电流为4A 的放大器应选用 。

解：1、④ 2、② 3、③ 4、⑤ 5、① 6、⑥

10．采用BJT 工艺的集成运放的输入级是（差动放大）电路，而输出级一般是（互补射极输出）电路。

11．在以下集成运放的诸参数中，在希望越大越好的参数旁注明“↑”，反之则注明“↓”。 vd A （ ↑ ），CMR K （ ↑ ），id R （↑），ic R （ ↑ ），o R （↓），BW （↑ ），BWG

（↑ ），SR （ ↑ ），IO V （↓），dT dV IO /（ ↓ ），IO I （↓），dT dI IO /（↓ ）。 12．集成运放的负反馈应用电路的“理想运放分析法则”由虚短路法则，即（ V V -+= ）和虚开路法则，即（ 0I I -+== ）组成。

13．理想运放分析法实质是（ 深度负反馈 ）条件在运放应用电路中的使用。 14．图T6-1a 是由高品质运放OP37组成的（ 反相比例 ）放大器，闭环增益等于（-47 ）倍。在此放大器中，反相输入端②的电位称为（虚地 ）。电路中10k Ω电位器的作用是（调零 ）。R P 的取值应为（1//0.98f R R k =Ω）。

15．将图T6-1a 中电阻（ f R ）换成电容，则构成反相积分器。此时u o ＝（ 11

i u dt R C -?

），应取R P =（ 1K ）。

16．将图T6-1a 中电阻（ 1R ）换成电容，则构成反相微分器。此时.

v o ＝（i

f du R C dt

-），R P 应取（47K Ω ）。

17．图T6-1b 是（ 同相比例）放大器，闭环增益等于（ 48 ）倍。应取R P ＝（ 1//f R R =0.98K ）。

18．将图T6-1b 中的电阻（ 1R ）开路，电阻（f R ）短路，电路即构成电压跟随器。 19．从正弦稳态分析的观点来观察微分器和积分器，二者都是（90

）移相器。但微分器输出电压的振幅与输入信号频率成（ 正比），而积分器却成（反比）。 20．（1）如图所示理想反馈模型的基本反馈方程是A f ＝（

o s x x ）＝（+i i i

Ax x AFx ）=（1+A AF ）。

（2）如图中开环增益A 与反馈系数B 的符号相同时为（负）反馈，相反时为（正）反馈。

（3）图T5-1若满足条件（1AF ），称为深度负反馈，此时x f ≈（s x ）,A f ≈（

1

F

）。 （4）根据图T5-1，试用电量x （电流或电压）表示出基本反馈方程中的各物理量：

开环增益A =（0/i x x ），闭环增益A f ＝（0/s x x ），反馈系数F =（0

/f x x ），反馈深度

F =（/s i x x ），环路传输函数T ＝（

/f i

x x ）.

21.（1）对于放大电路，所谓开环是指 B 。

A ．无信号源

B ．无反馈通路

C ．无电源

D ．无负载 而所谓闭环是指 B 。

A ．考虑信号源内阻

B ．存在反馈通路

C ．接入电源

D ．接入负载

（2）在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的反馈是负反馈。 A ．输入电阻增大 B ．输出量增大 C ．净输入量增大 D ．净输入量减小 （3）直流负反馈是指 C 。

A ．直接耦合放大电路中所引入的负反馈

B ．只有放大直流信号时才有的负反馈

C ．在直流通路中的负反馈 （4）交流负反馈是指 C 。

A ．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈

B ．只有放大交流信号时才有的负反馈

C．在交流通路中的负反馈

（5）为了实现下列目的，应引入。

A．直流负反馈B．交流负反馈

为了稳定静态工作点，应引入 A ；

为了稳定放大倍数，应引入 B ；

为了改变输入电阻和输出电阻，应引入 B ；

为了抑制温漂，应引入A ；

为了展宽频带，应引入B 。

22.选择合适答案填入空内。

A．电压B．电流C．串联D．并联（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 A 负反馈；

（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 B 负反馈；

（3）为了增大放大电路的输入电阻，应引入 C 负反馈；

（4）为了减小放大电路的输入电阻，应引入 D 负反馈；

（5）为了增大放大电路的输出电阻，应引入 B 负反馈；

（6）为了减小放大电路的输出电阻，应引入 A 负反馈。

23.现有电路：

A. 反相比例运算电路

B. 同相比例运算电路

C. 积分运算电路

D. 微分运算电路

E. 加法运算电路

F. 乘方运算电路

选择一个合适的答案填入空内。

（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用C。

（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用F。

（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用E。

（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用A。

（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用C。

（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用D。三、判断题

1．运放的有源负载可以提高电路的输出电阻（）。

2．理想运放是其参数比较接近理想值（）。

3．运放的共模抑制比KCMR越高，承受共模电压的能力越强（）。

4．运放的输入失调电压是两输入端偏置电压之差（）。

5．运放的输入失调电流是两输入端偏置电流之差（）。

解：1、×2、×3、√4、√5、√

四、解答题

1.通用型集成运算放大器一般由哪几个部分组成？每一部分常采用哪种基本电路？对每一基本电路又有何要求？

解：通用型集成运算放大器一般由输入级、中间级、输出级组成。输入级采用差动放大电路，输入级要求尽量减小温度漂移。中间级采用共射放大电路，要求提供较高的电压放大倍数。输出级采用共集接法，互补对称电路，要求输出电阻要小。

2.理想运放的基本特征是什么？理想运放工作在线性和非线性各有哪些特征？什么是：“虚短”、“虚断”、“虚地”？

解：理想运放的基本特征是开环电压增益、输入电阻、开环带宽、共模抑制比趋于无穷大，输出电阻趋于0。理想运放工作在线性应用时引入了负反馈，工作于非线性应用时无负反馈。“虚短”是理想运放工作于线性应用时两输入端的电压为零；“虚断”是理想运放工作于线性应用时两输入端不取用电流；“虚地”是理想运放工作于线性应用时若一个输入端接地，则另一个输入端也是地电位。

3.两块集成运算放大器分别接入电路中进行测试，输入端按要求没有输入信号电压，而是使两端悬空，测量时发现输出电压不为零，总是在正负电源电压间摆动，调整调零电位器也不起作用，请问这两块运放是否都已损坏，为什么？

解：运放可能是好的。在测试时，如把运放的输入管脚悬空，会产生干扰，因为输入管脚悬空时，它的电压是不稳定的，随时会产生微小的波动，如果此时运放工作在开环状态，它的增益非常大，输入端微小的波动在输出端都会达到极限电压。

4.集成运放中为什么要采用有源负载？它有什么优点？

解：因为在集成电路中大阻值的电阻比较难造，故采用电流源电路作为有缘负载代替大电阻，可以提高放大倍数。

5.集成运算放大器中为什么要采用直接耦合放大电路？直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路相比有什么特点？

解：集成电路中大的电容比较难造，故只能采用直接耦合。直接耦合电路的温度漂移会逐级扩大，静态工作点相互影响。

6.分别说明图P5－7（a）（b）（c）（e）（f）（g）所示各电路因引入交流负反馈使得放大电路输入电阻和输出电阻所产生的变化。只需说明是增大还是减小即可。

解：

图p5.2（a）（b）（c）（e）（f）（g）所示各电路因引入交流负反馈使得放大电路输入电阻和输出电阻所产生的变化如下：

（a）输入电阻减小，输出电阻减小。

（b）输入电阻减小，输出电阻减小。

（c）输入电阻增大，输出电阻增大。

（e）输入电阻减小，输出电阻增大。

（f）输入电阻增大，输出电阻减小。

（g）输入电阻增大，输出电阻增大。

7.试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短

路。

图T2－2

解：（a）不能。因为输入信号被直流电源U B B短路。

（b）可能。（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载（叠加）在静态电压之上，必然失真。

（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e）不能。因为输入信号被C2短路。

（f）不能。因为输出信号被U C C短路，恒为零。（g）可能。（h）可能。

（i）不能。因为T截止。

8.若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P2 8（a）、（b）、（c）所示，则

分别产生了什么失真？

解：（a ）截止失真；（b ）饱和失真；（c ）同时出现饱和失真和截止失真。

9.在图P2-7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得电压输出波形如图P2-8（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。 解：

（a ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。 （b ）截止失真，减小R b 。

（c ）同时出现饱和失真和截止失真，应增大U C C 。

10.

画出图P2－3所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。

图P2－3

解： （a ）

(b)

CC

U +1

R 2

R 3

R T

直流通路

1

R 2R 3

R

T

交流通路

i

u o

u

（c ）

（d ）

11.在下列情况下，应选用何种类型的集成运放，为什么？

(1) 作为一般交流放大电路；

(2) 高阻信号源 (R S = 10M Ω) 的放大电路； (3) 微弱电信号 (u s = 10μV) 的放大器；

(4) 变化频率高, 其幅值较大的输入放大器。 解：（1）选用通用型，因为价格便宜且够用。

（2）选用高输入电阻型运放，因为要获取更大的信号电压。

1

R 2

R 3

R T

直流通路

4

R CC

V

1

R 4

R T

交流通路

i

u o

u

1

R 2

R 3

R T

直流通路

交流通路

i

u o

u T

（3）选用高精度型运放，因为需要分辨出微小信号。

（4）选用高速型运放，因为需要和输入同步。

12.电路如图P5－7所示各电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

解：图（a）所示电路中引入了交、直流负反馈

图（b）所示电路中引入了交、直流负反馈

图（c）所示电路中通过R s引入直流负反馈，通过R s、R1、R2并联引入交流负反馈，通过C2、R g引入交流正反馈。

图（d）、（e）、（f）所示各电路中均引入了交、直流负反馈。

图（g）所示电路中通过R3和R7引入直流负反馈，通过R4引入交、直流负反馈。

五、计算题

1.电路如图P2-6所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V CC ＝12V ，晶体管饱和管压降U CES ＝0.5V 。 （1）正常情况 （2）R b1短路 （3）R b1开路 （4）R b2开路 （5）R C 短路

图P2-6

解：

设U B E ＝0.7V 。 （1）21120.70.7

21.651 3.5

CC BE BE B b b U U U I A R R μ--=

-=-=

5021.6 1.08C B I I mA β==?=

12 1.08 5.1 6.49C CC C C U U I R V =-=-?=

（2）此时三极管截止，故U C ＝12V （3）2120.7

0.22251

CC BE B b U U I mA R --=

==

500.22211.1C B I I mA β==?=

此时 5.111.156.6C C C C

R I V U =?=

> 故，三极管已达到饱和管压降，即0.5C C E S U U V == （4）此时三极管截止，故U C ＝12V （5）此时12C CC U U V ==

2.在图P2-10所示电路中，设静态时I CQ ＝2mA ，晶体管饱和管压降U CES ＝0.6V 。试问：当

负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：

空载时，V 82.32

CES

CEQ om ≈-=

U U U

Ω=k 3L R 时，V 12.22

'

L

CQ om ≈=

R I U

3.电路如图P2-13所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。

（1）求电路的Q 点、u

A 、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 解：

（1）

1125

120.7

525

1.3b E CC BE b b R U U U R R V

=

-=?-++= 1.3

110.3

E EQ e e U I mA R R '=

==++

1100

0.991

101

EQ

CQ I I mA ββ?=

=

=+ ()1230.99 1.317.73CEQ CC C CQ e e EQ U U R I R R I V

'=--+=-?-?=

26(1)

26

0.110111000

2.726be bb EQ

r r I k β'=++=+?

?=Ω

Ω==Ω≈++=-≈++-=k 5k 7.3])1([7.7)1()(c o f be b2b1i f

be L c R R R r R R R R r R R A u

βββ∥∥∥

（2）当电容e C 开路，则R i 增大，R i ≈4.1k Ω；

u A 减小，e

f '

L

R R R A u

+-≈ ≈－1.92。

3.设图P2-14所示电路所加输入电压为正弦波。试问：

（1）1u A =o1U /i U ≈? 2u A =o2

U /i U ≈? （2）画出输入电压和输出电压u i 、u o1、u o2 的波形；

图P2-14

解：

2b R 1

b R c

R CC

U +2.131

-e R 'e

R

2b R

1

b R c

R 2.132

-L R b

I βb

I be r i

U o

U f

R

（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为

1)1()1(

1)1( e

e 2

e

c e be c 1

+≈+++=-=≈++-=R r R A R R

R r R A be u u ββββ －

（2）u i 、u o1、u o2 的波形如图所示：

4.电路如图P2-16所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。

（1）求解Q 点、u

A 、R i 和R o ； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C 3开路，则i U ＝？o U ＝？

图P2-16

解：

（1）直流通路如图2.16-1

V

56.4)(mA 86.1 A

μ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ e

b BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=

R R I V U I I R R U V I ββ

()i u V 1()o u V ()

t s ()

t s 2.14

()

t s 2()o u V

b R e

R c

R CC

U +2.161

-

Ω

==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95

)

( 952 952mV

26)

1( c o be

L c be b i EQ

bb'be R R r R R A r R R I r r u

∥∥ββ

（2）设s U ＝10mV （有效值），则：

mV 304 mV

2.3 i o s i s i

i ≈=≈?+=

U A U U R R R U u 若C 3开路，如图2.16-3，则：

mV 4.14mV

6.95.1k 3.51])1([i

o i

s i

i e L c e be b i ≈=≈?+=-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u

∥∥β

5.已知差动放大器的差模增益为40dB,共模增益为－20dB,试求： 1）共模抑制比为多少分贝？

2）当分别输入10mV 的差模信号和1V 的共模信号时，其差模输出电压与共模输出电压之比

为多少？ 解： （1）

40100ud A dB == 200.1uc A dB =-=

100

1000600.1

CMR K dB =

== （2）3

1001010100.11

od ud id oc uc ic u A u u A u -??===?

6.某一集成运算放大器的开环增益A od = 100dB ，差模输入电阻r i d = 5M Ω, 最大输出电压的峰─峰值为U OPP =±14V 。

(1) 分别计算差模输入电压（即u i = u + - u -）为5μV 、100μV 、1mV 、和-10V 、-1V 、

b

R s R c

R 2.162

-L R b

I βb

I be

r s

U i

U o

U

b

R s R c

R 2.163

-L R b

I βb

I be r s

U i

U o

U e

R

数字电子技术基础试题及答案(一)

数字电子技术基础期末考试试卷 1.时序逻辑电路一般由和两分组成。 2.十进制数（56）10转换为二进制数为和十六进制数为。 3.串行进位加法器的缺点是，想速度高时应采用加法器。 4.多谐振荡器是一种波形电路，它没有稳态，只有两个。 5.用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M=。 123（1（24．T ，图1 5 时，6．D 触发器 的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图 D=Q n+1=Q 1= 7.已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表；

⑤电路功能。图4 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A 、B 、C 输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2ABCF 2求： （1（21.3.4.产生5.32 10分，共 70分） 1．解： 2．证明：左边 3．解： （1）化简该 函数为最简与或式： 解： F 3()43A B C D E A B C D E AB AC A D E =++++--------------=?+++--------------=++-------------分 分 分 ()()33()(1)22BC D B C AD B BC D BAD CAD BC BC BC D BA CA =++++--------------=++++--------------=++++-----------------------分 分分分

填对卡诺图圈对卡诺图-----------2分 由卡诺图可得： F A B A C D A C D B C B D =++++------------------------------2分 （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 则可得电路图如下：------------------------------------------------2分 4．T 1=0.7T=0.7f= T 1=q= 1T T 5．6． 方程： n n n Q Q K Q 0 0000=+ 1111110(n n n n Q J Q K Q Q X +=+=⊕（2分） ③输出方程：n n Q Q Y 01=-----------------------------------------（1分） ④状态表：--------------------------------------------------------------------（3分） ⑤从状态表可得：为受X 控制的可逆4进制值计数器。-----------------------------（2分） 1．解：（1）依题意得真值表如下:--------------------------3分 0102J J Q ⊕（分）

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

电子技术基础与技能题库

第一章：直流稳压电路 第一节：整流滤波电路 一、填空题 1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。 2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。 3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。 4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。 5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。 6、二极管最主要的特性是___________ 二、判断题 1、二极管的正向电阻比反向电阻大。（） 2、二极管两端加上正向电压就能导通。（） 3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。（） 4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（） 5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。 （） 6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（） 7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。（） 8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。（） 9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。（） 10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。（） 11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。（） 12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。（） 13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。 （） 三、选择题 1、二极管具有（ ) A、信号放大作用 B、单向导电性 C、双向导电性 2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（） A、特性良好 B、已被击穿 C、内部开路 3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（） A、万用表在不同的档位，其内阻不同 B、二极管有非线性的伏安特性 C、被测二极管质量差 4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

第一章 电子技术基础

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

教学过程 [引入新课] [新课教案] 一、什么是半导体？ 物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。 二、半导体的基本特性 半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 1、掺杂性：在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。 2、热敏性：温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。 3、光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。 三、半导体的分类 分为本征半导体和杂质半导体。 1、本征半导体：不含其他杂质的纯净半导体。 【载流子：本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】 2、杂质半导体 N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠 自由电子导电。 P型半导体：在本征半导体中参入少量三家 元素铟或硼，称为P型半导体。其多数载流子 为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。 [课后练习] 1、半导体与金属相比较有什么特点？ 答：（1）半导体的导电能力较弱 （2）金属靠自由电子导电，半导体靠自由电子和空穴导电。 2、半导体具有哪些特性？答：三个特性 3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？ 答：主要靠空穴导电的是P型半导体，主要靠自由电子导电的是N型半导体。 4、N型半导体本身是带负电的还是中性的？为什么？

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

内容 教学 程序 引入——新课——小结 学情 分析 在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学 方法 讲授 教学 重点 二极管的特性及特性曲线 教学 手段 多媒体教学视频 教学 难点 二极管的特性曲线及测量方法 板 书 设 计 晶体二极管 一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题 （一）构成（一）实验一四、二极管的检测 （二）符号（二）实验二 （三）分类 教 学 过 [引入新课] 以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法，以前学的是外表上面的，本书所讲的是从外到内的。 [新课教案] 一、二极管的结构和符号 （一）结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体，在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构，即PN结， PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线，并将其封装在密封的壳体中，即构成半导体二极管，如图。接在P区的引线称为阳极（正极）用a表示，接在N区的引线称为阴 极或负极，用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 （二）符号

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

数字电子技术基础试题及答案 (1)

. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号

图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………

D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

数字电子技术基础习题及答案

数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。

数字电子技术基础试卷及答案套

数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A （A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1

图5-2 七． 八．（10分） 电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C 、V 01、A 、B 、C 的波形。并计算出V 01波形的周期T=？。 数字电子技术基础2 一．（20分）电路如图所示，晶体管的β＝100,Vbe=0.7v 。 （1）求电路的静态工作点; （2） 画出微变等效电路图, 求Au 、r i 和r o ； （3）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？并定性说明变化趋势. 二．（15分）求图示电路中a U 、b U 、b U 、c U 及L I 。 三．（8分）逻辑单元电路符号和具有“0”、“1”逻辑电平输入信号X 1如下图所示，试分别画出各单元电路相应的电压输出信号波形Y 1、Y 2、Y 3。设各触发器初始状态为“0”态。 四．（8分）判断下面电路中的极间交流反馈的极性（要求在图上标出瞬时极性符号）。如为负反馈，则进一步指明反馈的组态。 （a ） （b ）

电工电子技术基础试题库(附有答案)

一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。 12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V，则其最大值为 311 V，频率为 100 Hz，初相位为 -60o。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o，电阻消耗的功率P= 4840 W。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V，则相电压为 380 V；

若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。 24．表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 最大值 ；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是 角频率ω ；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的 初相 。 25．在RLC 串联电路中，已知电流为5A ，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为 50Ω ，该电路为 容 性电路。电路中吸收的有功功率为 750W ，吸收的无功功率为 1000var 。

数字电子技术基础试卷及答案

数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。

A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

数字电子技术基础试题及答案(一)

数字电子技术基础期末考试试卷 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 =F 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度T ，振荡频率f 和占空比q 。 图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 …… …… … … …… …密 … … …… … … … … 封 …… … … … … … … … … 装 … … … … … … … 订 … … … … … … … … … 线 … … … … … … … … … 学院 专业 （班级） 姓名 学号 …… … … … … 线 …

6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D触发器的Q和Q1的表达式，并画出其波形。 图 D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 A B C F

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

电子技术基础习题库

《电子技术基础》习题库 第一章 一、填空（1分共28分） 1、PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时则相反。 2、PN结具有________特性，即加正向电压时PN结________，加反向电压时PN结________。 3、二极管P区引出端叫____极或____极，N区的引出端叫____极或____极。 4、二极管的正向接法是__________接电源的正极，__________接电源的负极。反向接法则相反。 5、硅二极管导通时的正向管压降约为____V，锗二极管导通时的管压降约为____V。 6、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________和________________。 7、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的极. 8检测二极管极性时，与黑表棒相接触的电极是二极管的极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已 经。

9、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常____于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较____。 10、发光二极管将____信号转换成____信号；光电二极管将____信号转换成____信号。 二、判断题（1分共9分） 1、半导体随温度的升高，电阻会增大。（） 2、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（） 3、二极管是线性元件。（） 4、不论哪种类型的二极管，其正向电压都为0.3V左右。（） 5、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（） 6、二极管加正向电压就一定导通。（） 7、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档 位。（） 8、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击 穿。（） 9、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。（） 三、选择（2分共12分） 1、PN结最大的特点是具有（） A、导电性； B、绝缘性； C、超导性； D、单向导电性。

数字电子技术基础试题及答案

D C B A D C A B ++《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1.?有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（147），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（93 ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（高阻）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（高电平或悬空）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（高）电平。 5. 已知某函数?? ? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F = （ ）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ 7）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（5 ）V ，其输出高电平为（3.6）V ，输出低电平为（0.35）V ， CMOS 电路的电源电压为（ 3--18） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ 11）根地址线，有（16）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ 100）位。 11. ＝（AB ）。 12. 13 二、分） 1.?函数 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ C ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ C ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8