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《半导体物理学》习题库

《半导体物理学》习题库
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第1章思考题和习题

1. 300K时硅的晶格常数a=5.43?,求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少?

2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。

3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图,并对它们的导电性能作出定性解释。

4. 以硅为例,简述半导体能带的形成过程。

5. 证明本征半导体的本征费米能级E i位于禁带中央。

6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。

7. 室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV,如果忽略禁带宽度随温度的变化,求:

(a)计算77K、300K、473K 3个温度下的本征载流子浓度。

(b) 300K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cm2/V·s和500cm2/V·s,计算本征硅的电阻率是多少?

8. 某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷,求室温下的载流子浓度及费米能级E FN的位置(分别从导带底和本征费米能级算起)。

9. 某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017/cm3的硼,求室温下的载流子浓度及费米能级E FP的位置(分别从价带顶和本征费米能级算起)。

10. 求室温下掺磷为1017/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。

11. 掺有浓度为3×1016cm-3的硼原子的硅,室温下计算:

(a)光注入△n=△p=3×1012cm-3的非平衡载流子,是否为小注入?为什么?

(b)附加光电导率△σ为多少?

(c)画出光注入下的准费米能级E’FN和E’FP(E i为参考)的位置示意图。

(d)画出平衡下的能带图,标出E C、E V、E FP、E i能级的位置,在此基础上再画出光注入时,E FP’和E FN’,并说明偏离E FP的程度是不同的。

12. 室温下施主杂质浓度N D=4×1015 cm-3的N型半导体,测得载流子迁移率μn=1050cm2/V·s,μp=400 cm2/V·s, κT/q=0.026V,求相应的扩散系数和扩散长度为多少?

第2章思考题和习题

1.简述PN结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程。

2.画出平衡PN结,正向PN结与反向PN结的能带图,并进行比较。

3.如图2-69所示,试分析正向小注入时,电子与空穴在5个区域中的运动情况。

4.仍如图2-69为例试分析PN结加反向偏压时,电子与空穴在5个区域中的运动情况。

5试画出正、反向PN结少子浓度分布示意图,写出边界少子浓度及

少子浓度分布式,并给予比较。

6. 用平衡PN结的净空穴等于零的方法,推导出突变结的接触电动势差U D表达式。

7.简述正反向PN结的电流转换和传输机理。

8.何为正向PN结空间电荷区复合电流和反向PN结空间电荷区的产生电流。

9.写出正、反向电流_电压关系表达式,画出PN结的伏安特性曲线,并解释pN结的整流特性特性。

10.推导硅突变结空间电荷区电场分布及其宽度表达式。并画出示意图。

11.推导线性缓变变结空间电荷区电场分布及其宽度表达式。并画出示意图。

12.什么叫PN结的击穿与击穿电压,简述PN结雪崩击穿与隧道击穿的机理,并说明两者之间的不同之处。

13.如何提高硅单边突变结的雪崩击穿电压?

14.如何提高线性缓变结的雪崩击穿电压?

15.如何减小PN结的表面漏电流?

16.什么叫PN结的电容效应、势垒电容和扩散电容?

17.什么叫做二极管的反向恢复过程和反向恢复时间?提高二极管开关速度的途径有哪些?

18.以N型硅片为衬底扩硼制备PN结,已知硼的分布为高斯函数分布,衬底浓度N D=1×1015/cm3,在扩散温度为1180℃下硼在硅中的扩

散系数D=1.5×10-12cm 2/s ,扩散时间t=30min ,扩散结深X j =2.7μm 。试求:①扩散层表面杂质浓度N s ?②结深处的浓度梯度a j ?③接触电

势差U D ?

19. 有两个硅PN 结,其中一个结的杂质浓度cm

N D 315105-?=,cm N A 317105-?=;另一个结的cm N D 319105-?=,cm N A 3

17105-?=,求室温下两个PN 结的接触电动势差。并解释为什么杂质浓度不同,接触电动势差的大小也不同。

20. 计算一硅PN 结在300K 时的内建电场,cm N A 31810-=,cm N D 3

1510-=。 21. 已知硅PN 结:

,10,105316316cm N cm N D A --=?=s cm D n 221=,s cm D P 210=,,1057s n P -?==ττ截面积cm A 24102-?=,求

①理想饱和电流J 0?

②外加正向电压为V 5.0时的正向电流密度J ?

③电子电流与空穴电流的比值?并给以解释。

22. 仍以上题的条件为例,假设,τττp n g ==计算V 4反向偏压时的产

生电流密度。

23.最大电场强度(T=300K )?求反型电压300V 时的最大电场强度。

24. 对于一个浓度梯度为cm 42010-的硅线性缓变结,耗尽层宽度为

m μ5.0。计算最大电场强度和结的总电压降。

25. 一硅P +N 结,其cm N cm N D A 31531910,10--==,面积

,10123cm A -?=计算反向偏压U 分别等于V 5和V 10的么势垒电容C T 、空间电荷区宽度X M 和最大电场强度E M 。

26. 计算硅P +N 结的击穿电压,其cm N D 3

1610-=(利用简化式)。

27. 在衬底杂质浓度cm N D 3

16105-?=的N 型硅晶片上进行硼扩散,形成PN 结,硼扩散后的表面浓度,10318cm N S -=结深m μ5X j =。试求结深处的浓度梯度a j ,施加反向偏压V 5时的单位面积势垒电容和击穿电压U B 。

28. 设计一P +N 突变结二极管。其反向电压为V 130,且正向偏压为

V 7.0时的正向电流为mA 2.2。并假设s p 1070-=τ。

29. 一硅P +N 结,cm N D 31510-=,求击穿时的耗尽层宽度,若N 区减小

到m μ5计算击穿电压并进行比较。

30. 一个理想的硅突变结cm N cm N D A 31531810,10--==,求①计算K 250、

K 300、K 400、K 500下的内建电场U D ,并画出U D 对温度T 的关系曲线。②用能带图讨论所得结果。③求K 300下零偏压的耗尽层宽度和最大电场。

第3章 思考题和习题

1. 画出PNP 晶体管在平衡和有源工作模式下的能带图和少子分布示意图。

2. 画出正偏置的NPN 晶体管载流子输运过程示意图,并解释电流传输和转换机理。

3. 解释发射效率γ0和基区输运系数β0*的物理意义。

4. 解释晶体管共基极直流电流放大系数α0,共发射极直流电流放大

系数β0的含义,并写出α0、β0、γ0和β0*的关系式。

5. 什么叫均匀基层晶体管和缓变基区晶体管?两者在工作原理上有什么不同?

6. 画出晶体管共基极、共发射机直流输出、输出特性曲线、并讨论

它们之间的异同。

7. 晶体管的反向电流ICBO、IEBO、ICEO是如何定义的?写出IC

之间的关系式并加以讨论。

EO与ICBO

8. 晶体管的反向击穿电压BUCBO、BUCEO、BUEBO是如何定义的?写出BUCEO与BUCBO之间的关系式,并加以讨论。

9. 高频时晶体管电流放大系数下降的原因是什么?

10. 描写晶体管的频率参数主要有哪些?它们分别的含义是什么?

11. 影响特征频率fT的因素是什么?如何特征频率fT?

12. 画出晶体管共基极高频等效电路图和共发射极高频等效电路图。

13. 大电流时晶体管的β0、fT下降的主要原因是什么?

14. 简要叙述大注入效应、基区扩展效应、发射极电流集边效应的机理。

15. 什么叫晶体管最大耗散功率PCM?它与哪些因素有关?如何减少晶体管热阻RT?

16. 画出晶体管的开关波形,图中注明延迟时间τd、上升时间tr、储存时间ts、下降时间tf,并解释其物理意义。

17. 解释晶体管的饱和状态、截止状态、临界饱和和深饱和的物理意义。

18. 以NPN硅平面为例,当发射结正偏、集电结反偏状态下,分别说明从发射极进入的电子流,在晶体管的发射区、发射结势垒区、基区、集电结势垒和集电区的传输过程中,以什么运动形式(指扩散或漂移)为主。

19. 试比较f

α、fβ、fT的相对大小。

20. 画出晶体管饱和态时的载流子分布,并简述超量存储电荷的消失过程。

21. 画出普通晶闸的基本结构图,并简述其基本工作原理。

22. 有一低频小功率合金晶体管,用N型Ge作基片,其电阻率为1.5Ωcm,用烧铟合金方法制备发射区和集电区,两区掺杂浓度约为3×1018/cm3,求r o(已知W b=50m

μ,L ne=5m

μ)。

23. 某一对称的P+NP+锗合金管,基区宽度为5m

μ,基区杂质浓度为5×1015cm-3,基区空穴寿命为10sμ(A E=A C=10-3cm2)。计算在U EB=0.26V、U CB=-50V 时的基极电流I B?求出上述条件下的α0和β0(r0≈1)。24. 已知均匀基区硅NPN晶体管的γ0=0.99,BU CBO=150V,W b=18.7m

μ,基区中电子寿命тb=1us(若忽略发射结空间电荷区复合和基区表面复合),求α0、β0、β0*和BU CEO(设D n=35cm2/s).

25. 已知NPN双扩散外延平面晶体管,集电区电阻率ρc=1.2Ωcm,集电区厚度W c=10m

μ,硼扩散表面浓度N BS=5×1018cm-3,结深X jc=1.4m

μ。求集电极偏置电压分别为25V和2V时产生基区扩展效应的临界电流密度。

26. 已知P+NP晶体管,其发射区、基区、集电区德杂质浓度分别为5×1018cm-3、2×1016cm-3、1×1015cm-3,基区宽度W b=1.0m

μ,器件截面积为0.2mm2,当发射结上的正向偏压为0.5V,集电结反向偏压为5V 时,计算:(1)中性基区宽度?(2)发射结少数载流子浓度?

27. 对于习题26中的晶体管,少数载流子在发射区、基区、集电区

德扩散系数分别为52cm2/s、40cm2/s、115cm2/s,对应的少数载流寿

命分别为10-8s、10-7s、10-6s,求晶体管的各电流分量?

28. 利用习题26、习题27所得到的结果,求出晶体管的端点电流I E、

I C和I B。求出晶体管的发射效率、基区输运系数、共基极电流增益

和共发射极电流增益,并讨论如何改善发射效率和基区运输系数?

29. 判断下列两个晶体管的最大电压的机构是否穿通:

晶体管1:BU CBO=105V;BU CEO=96V;BU EBO=9V;BU CES=105V (BU CES为基极发射极短路时的集电极发射极击穿电压)

晶体管2:BU CBO=75V; BU CEO=59V; BU EBO=6V。

30. 已知NPN晶体管共发射极电流增益低频值β0=100,在20MHz下

测得电流增益|β|=60。求工作频率上升到400MHz时,β下降到多

少?计算出该管的?

β和?T。

31. 分别画出NPN晶体管小注入和大注入时基区少子分布图,简述两

者的区别于原因。

32. 硅NPN平面晶体管,其外延厚度为10μm,掺杂浓度N=1015.cm-3,

计算|U CB|=20V时,产生有效基区扩展效应的临界电流密度。

33. 晶体管处于饱和状态时I E=I C+I B的关系式是否成立?画出少子的

分布与电流传输图,并加以说明。

34. 对于具有同样几何形状、杂质分布和少子寿命的硅和锗PNP、NPN

管,哪一种晶体管的开关速度最快?为什么?

35. 硅NPN平面管的基区杂质为高斯分布,在发射区表面的受主浓度

为1019 cm-3,发射结构深度为0.75μm,集电结结深为1.5μm,集

电区杂质浓度为1015 cm-3,试求其最大集电极电流浓度?

36. 硅晶体管的集电区总厚度为100μm,面积为10-4cm2,当集电极电压为10V电流为100mA时,其结温与管壳温度之差为几度(忽略其他介质的热阻)?

37. 硅NPN晶体管的基区平均杂质浓度为5×1017cm-3,基区宽度为2,发射极条宽为12μm,β=50,如果基区横向压降为kT/q,求发射极最大电流密度。

38. 在习题37中晶体管的?T为800MHz,工作频率为500MHz,如果通过发射极的电流浓度为3000A/cm2,则其发射极有效条宽应为多少?

第4章思考题和习题

1. 试画出U G =0时,P衬底的SiO2栅极的MOS二级管能带图。

2. 试画出P型衬底的理想MOS二极管不同偏压下对应截流子积累、耗尽及强反型的能带图及电荷分布示意图。

3. 试画出SiO2—Si系统的电荷分布图。

4. N沟和P沟MOS场效应晶体管有什么不同?概述其基本工作原理。

5. 制作N沟增强型MOS管衬底材料的电阻率与制作N沟耗尽型MOS 管衬底的电阻率,哪个选的应高一些,为什么?

6. MOS场效应晶体管的阈值电压U T值电压受那些因素的影响?其中最重要的是哪个?

7. MOS场效应晶体管的输出特性曲线可分为哪几个区?每个区所对应的工作状态是什么?

8. 用推导N沟MOS器件漏电流表示式的方法,试推导出P沟MOS器

件的漏电流表示式。

9. 为什么MOS场效应晶体管的饱和电流并不完全饱和?

10. MOS场效应晶体管跨导的物理意义是什么?

11. 如何提高MOS场效应晶体管的频率特性?

12. MOS场效应晶体管的开关特性与什么因素有关?如何提高其开关速度?

13. 短沟道效应对MOS场效应晶体管特性产生什么影响?

14. 已知P沟MOS器件的衬底杂质浓度N D=5×1015cm-3,栅氧化层厚度t OX=100nm,栅电极材料为金属铝,测得器件的值电压U g=-2.5V。试计算SiO2中的正电荷密度Q OX;若加上衬底偏置电压U BS=10V,值电压漂移多少?分别计算U BS为0V、10V时最大耗尽层宽度?

15. 已知N沟MOS器件的衬底杂质浓度N A=5×1015cm-3,栅极为金属铝,栅氧化层厚度t OX=150nm,SiO2中的正电荷密度Q OX=1×1022q/cm2(q为电子电荷),试求该管的阈值电压U T?并说明它是耗尽型还是增强型的?

16. 如果一个MOS场效应晶体管的U T=0V,U GS=4V,I DS=3mA时,MOS管是否工作在饱和区?为什么?

17. 在掺杂浓度N A=1015cm-3P型Si衬底上制作两个N沟MOS管,其栅SiO2层的厚度分别为100nm和200nm,若U GS-U FB=15V,则UDS为多少时,漏极电流达到饱和?

18. 已知N沟MOS器件具有下列参数:N A=1×1016cm-3,μn=500cm2/V.S,t OX=150nm,L=4μm,沟道宽度W=100μm,U T=0.5

V。试计算U GS=4V时的跨导gms;若已知Q OX=5×1010C/cm2,试计算U GS=4V,U DS=10A时的器件的饱和漏电导g Dsat;试计算器件的截止频率

f T?

19. 已知N沟MOS器件N A=1×1016cm-3,t OX=150nm,L=4μm试计算U GS=0V时,器件的漏源击穿电压,并解释击穿受什么限制。

20. 定性说明在什么情况下MOS场效应晶体管会出现短沟道效应?

第5章半导体器件制备技术

1. 硅的晶格常数为 5.43?,假设硅原子为一硬球模型,试计算硅原子的半径和确定硅原子的浓度为多少?

2. 用于柴可拉斯基法的籽晶,通常先拉成一小直径(5.5mm)的狭窄颈以作为无位错生长的开始,如果硅的临界屈服度为2×106g/cm2,试计算此籽晶可以支撑的200mm直径单晶锭的最大长度。

3. 在利用柴可拉斯基法锁生长的晶体中掺入硼原子,为何在尾端的硼原子浓度会比籽晶端的浓度高?

4. 简述热氧化形成SiO2的机理和制备SiO2的方法?

5. 试比较湿法化学腐蚀和干法刻蚀的优缺点。

6. 假设测得的磷扩散分布可以用高斯函数表示,其扩散系数D=2.3×10-13cm/s,测出的表面浓度是1×1018cm-3,衬底浓度为1×1015cm-3,测得结深为1um,试计算扩散时间和扩散层中的全部杂质量。

7. 画出离子注入系统示意图,并结合图简述离子注入机理。、

8. 为何在定积多晶硅时,通常以硅烷为气体源,而不以硅氯化物为

气体源?

9. 解释为何一般锭积多晶硅薄膜的温度普遍较低,大约在600~650℃之间。

10. 简述硅平面工艺的过程和各个工序的意义。

第6章 Ga在SiO2/Si结构下的开管掺杂

1.简述开展Ga在SiO2/Si结构下单温区开管掺杂的背景。

2.叙述Ga在SiO2/Si系下实现掺杂的原理。

3.简述再分布过程近硅表面Ga的反扩散特性。

4.简述开管扩Ga对晶体管I-V特性的影响。

5.简述开管扩Ga在晶闸管一类器件中的应用原理。

半导体物理学试题库完整

一.填空题 1.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。(二阶导数.内部势场) 2.半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________(即量子态按能量如何分布)和_________(即电子在不同能量的量子态上如何分布)。(状态密度.费米分布函数) 3.两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。(正.相等) 4.半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。([100]. 间接带隙) 5.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。(弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷) 6.在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。(1/2.1/1+exp(2)) 7.从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。(间接带隙.直接带隙) 8.通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。(玻尔兹曼分布.费米分布) 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。(温度.禁带宽度) 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构;与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。(金刚石.闪锌矿) 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。(直接.间接) 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。(电离杂质的散射.晶格振动的散射) 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类:_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。(电子和空穴.复合中心)

市场营销专业技能测试复习题(1)

市场营销专业技能测试复习题 一. 简析题 1.为什么“假冒伪劣商品”有市场? 参考答案:从市场营销角度来看,市场是由人口、购买力、购买欲三者有机构成的总体。“假冒伪劣商品”的存在正是因为有人由于购买力不强购买不了正品但是他们又有这方面的需要,而“假冒伪劣商品”一般价格比较便宜,所以这部分人产生购买“假冒伪劣商品”的欲望。也使“假冒伪劣商品”有市场。 为什么有人说“得女人市场者得天下”? 参考答案:我们可以根据女人的不同情况分为: (1)、未婚配的女人 这类女人多数在消费上趋向于根据自己的喜好进行消费,主观性较强,购买态度上多属于冲动型和习惯型。影响其购买行为的因素主要为社会因素中的参照群体,个人因素中的生活方式和个性,以及文化因素。 (2)、已婚的女人 这类女人在消费时相对未婚女性更注重消费品的实用性,购买态度上倾向于经济型和疑虑型。影响其购买行为得因素主要为社会因素中的家庭,个人因素中的经济条件,以及文化因素。 2.根据以下案例,试分析制造商或经营企业各运用了哪些定价策略? 青龙牌肥皂售价为0.98元/条。其肥皂基本功效与其他肥皂相差无几,使人产生“价廉”的错觉。 答案参考:青龙牌肥皂在不改变其功效的前提下,故意降价0.02元/条,使消费者认为一条肥皂连一元都不到,实在是太便宜了,采取的是尾数定价策略。 3(英纳格)瑞士女式手表名表很高,售价千元以上,该手表特别受到社会名流女士的青睐,市场声誉始终保持很高的水平。 答案参考:瑞士名表在世界上享有特别声誉,社会上层人士根据自己的职业地位和社会接触所产生的影响,极需要名牌手表加以点缀,以示消费层次,故瑞士制造商借助于市场名誉提高其手表价格,所采取的是声望定价策略。 4.根据以下案例,试分析制造商或经营企业各运用了哪些定价策略? 某名牌自行车在江苏、安徽一带流行。由于销势看好,各商店故意将零售价从198元改为200元。这一措施不仅未降低该名牌自行车的销量,而且提高了该产品在消费者心目中的形象。 答案参考;在销售看好的前提下,商店故意将自行车价由198元/辆上升到200元/辆,采取的是整数定价策略。

高分子物理习题及答案

一、单项选择题 1.高分子的基本运动是( B )。 A.整链运动 B.链段运动 C.链节运动 2.下列一组高聚物分子中,柔性最大的是( A )。 A.聚氯丁二烯 B.聚氯乙烯 C.聚苯乙烯 3. 下列一组高聚物中,最容易结晶的是( A ). A.聚对苯二甲酸乙二酯 B. 聚邻苯二甲酸乙二酯 C. 聚间苯二甲酸乙二酯 4.模拟线性聚合物的蠕变全过程可采用( C )模型。 A.Maxwell B. Kelvin C. 四元件 5.在半晶态聚合物中,发生下列转变时,判别熵值变大的是( A )。 (1)熔融(2)拉伸取向(3)结晶(4)高弹态转变为玻璃态 6.下列一组高聚物分子中,按分子刚性的大小从小到大的顺序是( ADBFC )。 A.聚甲醛; B.聚氯乙烯; C.聚苯乙烯; D. 聚乙烯;F. 聚苯醚 7..假塑性流体的特征是( B )。 A.剪切增稠 B.剪切变稀 C.粘度仅与分子结构和温度有关 8.热力学上最稳定的高分子晶体是( B )。 A.球晶 B.伸直链晶体 C.枝晶 9.下列高聚物中,只发生溶胀而不能溶解的是( B )。 A. 高交联酚醛树脂; B. 低交联酚醛树脂; C.聚甲基丙稀酸甲脂 10.高分子-溶剂相互作用参数χ 1 ( A )聚合物能溶解在所给定的溶剂中 A. χ 1<1/2 B. χ 1 >1/2 C. χ 1 =1/2 11.判断下列叙述中不正确的是( C )。 A.结晶温度越低,体系中晶核的密度越大,所得球晶越小; B.所有热固性塑料都是非晶态高聚物; C.在注射成型中,高聚物受到一定的应力场的作用,结果常常得到伸直链晶体。 12. 判断下列叙述中不正确的是( C )。 A.高聚物的取向状态是热力学上一种非平衡态;

半导体物理学练习题(刘恩科)

第一章半导体中的电子状态 例1.证明:对于能带中的电子,K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零。 解:K状态电子的速度为: (1)同理,-K状态电子的速度则为: (2)从一维情况容易看出: (3)同理 有: (4) (5) 将式(3)(4)(5)代入式(2)后得: (6)利用(1)式即得:v(-k)= -v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关,即:E(k)=E(-k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同,且v(k)=-v(-k)故这两个状态上的电子电流相互抵消,晶体中总电流为零。 例2.已知一维晶体的电子能带可写成: 式中,a为晶格常数。试求: (1)能带的宽度; (2)能带底部和顶部电子的有效质量。 解:(1)由E(k)关 系 (1)

(2) 令得: 当时,代入(2)得: 对应E(k)的极小值。 当时,代入(2)得: 对应E(k)的极大值。 根据上述结果,求得和即可求得能带宽度。 故:能带宽度 (3)能带底部和顶部电子的有效质量: 习题与思考题: 1 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。 2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 3 试指出空穴的主要特征。 4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。

5 某一维晶体的电子能带为 其中E0=3eV,晶格常数a=5×10-11m。求: (1)能带宽度; (2)能带底和能带顶的有效质量。 6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同?原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同? 7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响? 8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念?用电子的惯性质量 描述能带中电子运动有何局限性? 9 一般来说,对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此?为什么? 10有效质量对能带的宽度有什么影响?有人说:“有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄。”是否如此?为什么? 11简述有效质量与能带结构的关系? 12对于自由电子,加速反向与外力作用反向一致,这个结论是否适用于布洛赫电子? 13从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化?外场对电子的作用效果有什么不同? 14试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性?以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系? 15为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?16为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述? 17有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍。这两块晶体价带中的能级数是否相等?彼此有何联系? 18说明布里渊区和k空间等能面这两个物理概念的不同。 19为什么极值附近的等能面是球面的半导体,当改变存储反向时只能观察到一个共振吸收峰? 第二章半导体中的杂质与缺陷能级 例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为= 0.97, =0.19和=0.16,=0.53,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能; (2)基态电子轨道半径 解:(1)利用下式求得和。

营销学原理选择题题库

?单项选择题 1 ?“营销”,这一学科的命名人是( A ?菲利普?科特勒 B ) B ?拉尔夫?巴特勒 C.西奥多?巴特尔 D ?斯蒂芬?罗宾斯 2 ?市场细分是划分消费者依据是根据人文?地理以及( C ) A .心理 B .态度 C行为 D .文化 3 ?关系营销的成果是(A) A .关系网络 B ?经营利润 C.公众影响力 D.品牌优势 4 ?以下哪种说法是错误的(D ) A ?营销是有利益的满足需要 B ?营销的目的是就是是推销成为多余 C.营销主要是辨别和满足人类与社会的需要 D ?营销就是推销 5 ?确保组织中每个人都有适当的营销准则尤其是高管人员的是( B ) A ?社会营销 B ?内部营销 C.社会责任营销 D ?整合营销 6.五种竞争力量”和三种竞争战略”的理论提出者是(A ) A .迈克尔?波特 B ?汤姆?彼得森 C.罗伯特?沃得曼 D ?彼得?圣吉 7?在业务过程三阶段中,哪一阶段的任务包括了人员推销?销售推广以及广告( D )A ?选择价值 B .创造价值 C.提供价值 D .传播价值 &在波士顿模型中,哪一类业务会产生大量的现金收入( A ) A ?金牛类 B ?问题类 C.狗类 D ?明星类 9 ?企业通过收买一个或几个竞争对手实现成长的战略是( B ) A.后向一体化 B .水平一体化 C.前向一体化 D .垂直一体化 10.问题类业务的特征是(A A ?市场增长率高而相对市场份额低) B ?市场增长率高且相对市场份额高 C.市场增长率低而相对市场份额高 D ?市场增长率低且相对市场份额低 11 ?在市场营销信息系统中以搜集营销环境发展的恰当信息的子系统是(C ) A .内部报告系统B?营销调研系统 C.营销情报系统 D ?营销决策支持系统 12?数据库中的信息都是(D)

《高分子物理》试题

《高分子物理》试题 开课学院:材料学院类别:共( 3 )页 课程号:考试性质:考试 一、解释概念(15分,每题3分) 1、全同立构 2、球晶 3、高分子合金 4、熵弹性 5、应力松弛 二、选择答案(20分,每题1分) 1、高分子科学诺贝尔奖获得者中,()首先把“高分子”这个概念引进科学领域。 A、H. Staudinger, B、K.Ziegler, G.Natta, C、P. J. Flory, D、H. Shirakawa 2、链段是高分子物理学中的一个重要概念,下列有关链段的描述,错误的是()。 A、高分子链段可以自由旋转无规取向,是高分子链中能够独立运动的最小单位。 B、玻璃化转变温度是高分子链段开始运动的温度。 C、在θ条件时,高分子“链段”间的相互作用等于溶剂分子间的相互作用。 D、聚合物熔体的流动不是高分子链之间的简单滑移,而是链段依次跃迁的结果。 3、聚苯乙烯在张应力作用下,可产生大量银纹,下列说法错误的是()。 A、银纹是高度取向的高分子微纤构成。 B、银纹处密度为0,与本体密度不同。 C、银纹具有应力发白现象。 D、银纹具有强度,与裂纹不同。 4、提高高分子材料的拉伸强度有效途径为()。 A、提高拉伸速度, B、取向, C、增塑, D、加入碳酸钙 5、下列四种聚合物在各自的良溶剂中,常温下不能溶解的为()。 A、聚乙烯, B、聚甲基丙烯酸甲酯, C、无规立构聚丙烯, D、聚氯乙烯 6、高分子热运动是一个松弛过程,松弛时间的大小取决于()。 A、材料固有性质 B、温度 C、外力大小 D、以上三者都有关系。 7、示差扫描量热仪(DSC)是高分子材料研究中常用的方法,常用来研究()。 ⑴T g,⑵T m和平衡熔点,⑶分解温度T d,⑷结晶温度T c,⑸维卡软化温度,⑹ 结晶度,⑺结晶速度,⑻结晶动力学 A、⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻ B、⑴⑵⑶⑷⑹⑺⑻ C、⑴⑵⑶⑷⑸ D、⑴⑵⑷⑹ 8、你会选()聚合物用作液氮罐的软密封。(液氮沸点为77K) A、硅橡胶, B、顺丁橡胶, C、天然橡胶, D、丁苯橡胶

高分子物理题库定

一、填充题 1一般用Mw来表征聚合物平均分子量比Mn更恰当,因为聚合物的性能如强度、熔体粘度更多地依赖于样品中较大的分子。 2在分子量积分分布曲线上,90%处的分子量与50%处的分子量的比值对高分子量尾端较敏感 3均聚物分子中有且只有一种(真实的、隐含的或假设的)单体。因此,-[O(CH2)5CO]m-[OCH2CO]n-属于共聚物,-[CH2CH2CH2CH(CH3)]n- 属于均聚物。 4结晶高分子由于含有完善程度不同的晶体,没有精确的熔点,而存在熔限。 5根据形成条件的不同,聚合物的液晶分为热致性液晶和溶致性液晶。 6高聚物的增塑主要是由于增塑剂的加入导致高分子链间相互作用力的减弱。 7高分子的特性粘度主要反映了溶剂分子与高聚物分子之间的内摩擦效应,其值决定于前者的性质,但更决定于后者的形态和大小,是一个与后者的聚合物分子量有关的量。 8在用毛细管粘度计测定高分子溶液粘度时,其中奥氏粘度计要求每一测定所取的液体体积必须相同。 9甲苯的玻璃化温度为113K,假如以甲苯作为聚苯乙烯(Tg=373K)的增塑剂, 含有20%体积分数甲苯的聚苯乙烯的玻璃化温度为321K 。 10温度升高对高分子的分子运动有两方面的作用,包括增加能量和使聚合物体积膨胀,增大运动空间 11由于聚三氟氯乙烯容易形成结晶,为了制备透明薄板,成型过程中制品冷却要迅速,使之结晶度低,晶粒尺寸小。 12高聚物悬浮液和乳胶等分散体系通常属于假塑型流体,即流体粘度随剪切速率的增加而降低。 13材料的弹性模量是指在弹性形变范围内单位应变所需应力的大小,是材料刚性的一种表征。 14玻璃态和晶态聚合物的拉伸过程本质上都属于高弹形变,但其产生的温度范围不同,前者在Tb 和Tg 之间,而后者在Tg和Tm 之间产生。 15.用塑料绳绑捆东西,时间久了会变松,这是材料的应力松弛现象 16.稳定高聚物分子三维结构的作用力包括氢键、范德华力、疏水作用和盐键。此外共价二硫键在稳定某些高分子的构象方面也起着重要作用。

半导体物理学题库20121229

1.固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类,它们之间的主要区别是 。 2.纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质;相应的半 导体称 N 型半导体。 3.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施 主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 4.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载 流子将做 漂移 运动。 5.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那末, 为非 简并条件; 为弱简并条件; 简并条件。 6.空穴是半导体物理学中一个特有的概念,它是指: ; 7.施主杂质电离后向 带释放 ,在材料中形成局域的 电中心;受主杂质电离后 带释放 , 在材料中形成 电中心; 8.半导体中浅能级杂质的主要作用是 ;深能级杂质所起的主要作用 。 9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________;本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。 10.施主杂质电离后向半导体提供 ,受主杂质电离后向半导体提供 ,本征激发后向半导体提 供 。 11.对于一定的n 型半导体材料,温度一定时,较少掺杂浓度,将导致 靠近Ei 。 12.热平衡时,半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数,它只与 和 有关,而与 、 无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 12. 指出下图各表示的是什么类型半导体? 13.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否? 不 变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。 14.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命 τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 . 15. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子 运动难易程度的物理量,联系两者的关系式是 q n n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。 16.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 17.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主 要作用 对载流子进行复合作用 。

华南理工大学《营销学原理》随堂练习.doc

专题1市场与市场营销 当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。 1.市场营销的核心是 A.生产 B.分配 C.交换 D.促销 答题:口A.H B. B C. D D.(己提交) 2.企业最显著、最独特的首要核心职能是 A.市场营销 B.生产功能 C.财务功能 D.推销职能 答题:B A. D B. □ C.事D?(已提交) 3.当买卖双方都表现积极时,我们就把双方都称为,并将这种情况称为相互市场营销。 A.市场营销者 B.相互市场营销者 C.生产者 D.推销者 答题:旧A. 口B. 口C. □ D.(已提交) 4.宏观市场营销是从层面研究营销问题,强调从整体经济、社会道 德与法律角度把握营销活动,并由社会来控制和影响营销过程,以此实现社会供 求平衡,保证社会经济的持续发展。 A.个人交换 B.企业之间交换 C.区域交换 D.社会总体交换 答题:D A. D B. D C. H D.(已提交) 5.市场营销学作为一门独立的经营管理学科诞生于20世纪初的。 A.欧洲 B.日木 C.美国 D.中国 答题:口A.O B.B C.B D.(已提交) 6.从营销理论的角度看,市场就是买卖商品的场所。 答题:口对.B错.(已提交) 7.市场营销就是推销和广告。 答题:C对.B错.(已提交) 8.就卖主而言,消费者市场是法人市场,组织市场是公家市场。 答题:C对.B错.(已提交) 9.通过满足需求达到顾客满意,最终实现包括利润在内的企业目标,是现代市

场营销的基本精神。 答题:B对.D错.(已提交) 10.交换是一个过程。在这个过程中,如果双方达成了一项协议,我们就称之为发生了交易。 答题:B对.D错.(已提交)

半导体物理学 (第七版) 习题答案

半导体物理习题解答 1-1.(P 32)设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k )和价带极大值附近能量E v (k )分别为: E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h -0 2 23m k h ; m 0为电子惯性质量,k 1=1/2a ;a =0.314nm 。试求: ①禁带宽度; ②导带底电子有效质量; ③价带顶电子有效质量; ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(=0232m k h +0 12)(2m k k h -=0;可求出对应导带能量极小值E min 的k 值: k min = 14 3 k , 由题中E C 式可得:E min =E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ; 由题中E V 式可看出,对应价带能量极大值Emax 的k 值为:k max =0; 并且E min =E V (k)|k=k max =02126m k h ;∴Eg =E min -E max =021212m k h =2 02 48a m h =11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????=0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=;∴ m n =022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=,∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k =h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1-2.(P 33)晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107V/m 的电场时,试分别计算电子自能带 底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ,∵F =h dt dk =q E (取绝对值) ∴dt =qE h dk

营销学原理

对外经济贸易大学远程教育学院 2010-2011学年第一学期 《营销学原理》期末考试复习提纲第一章市场营销概论 市场营销 无边界营销 需要 欲望 需求 交换 交易 市场 价值等式 感知的利益 生产观念 产品观念 推销观念 营销观念 社会营销观念 关系营销观念 强项、弱点、机会、威胁分析(SWOT分析) 营销战略组合(SWOT分析、竞争战略、业务组合、资源整合)4P营销(策略)组合(产品、定价、渠道和促销) 整合营销沟通 第二章营销调研和市场预测 营销信息系统 内部数据库系统 营销情报系统 营销调研系统 信息分析和决策支持系统 定性调研 定量调研 焦点小组座谈法 投射法 深度访谈 询问法 实验法

随机抽样的方法 非随机抽样的方法 合格的有效市场 已渗透的市场 市场下限 市场潜量 基本需求 选择性需求 市场总需求潜量计算法(含连比法) 市场累加法 多因素指数法 购买意向调查法 专家意见法(含德尔菲预测法) 需求统计法 市场试销实验法 第三章消费者和组织市场购买行为 消费者和组织市场的主要特点和差异 派生需求 波动性 需求的价格弹性 需要层次论 参照群体/相关群体 舆论领袖 期望价值模型 认知失谐 采购中心 感知 学习 动机 条件反射论 认知理论 采购网格模型 首次采购 调整后的重购 直接重购 圈内供应商 原设备供应商(OEM) 新发明/新产品的扩散理论 产品特性对采用者的影响(兼容性、可分性等)价值分析 供应链管理 企业资源计划

协同电子商务 高效消费者响应 第四章目标营销和市场定位 目标营销 子市场营销 补缺营销 微型市场营销 本地营销 一对一营销 可测算性 可盈利性 可接近性 可操作性 市场细分 子市场/细分市场 人口统计 家庭生命周期 购买时机 寻求的利益 忠诚程度 待购阶段 消费心态 “价值观和生活方式分类体系”V ALS 宏观变量 微观变量 市场感悟 组合细分市场法 逐步排除挑选法 无差异营销 集中营销 差异性营销 定位 感知定位图 第五章战略规划和营销计划 战略规划 企业/公司使命 业务组合 销售额/销售收入 投资回报率(掌握计算方法)

营销学原理题目Word版

营销学原理 第一章市场营销概论 一、填空题。 1、交换是市场营销活动的核心。 2、根据科特勒的定义,市场营销是个人和群体通过创造以及同其他个人和群体 交换产品和价值而满足欲望和需求的一种社会和管理的过程。 3、“以产定销”反映的是一种生产观念。 4、市场营销的4C组合是指成本、顾客需求和欲望、沟通以及便利。 5、需求必须有两个条件,即购买愿望和购买力。 6、市场营销的4R组合是指关联、反应、关系、回报 二、选择题。以下问题各自只有一个正确答案,请选出。 1、“酒香不怕巷子深”的说法反映了 B 。 A.生产观念 B.产品观念 C.营销观念 D.销售观念 2、对于潜在需求,我们一般进行 C 。 A.再生性营销 B.刺激性营销 C.发展性营销 D.转换性营销 3、对于否定的需求,营销的任务是( A ) A、解释需求 B、发展需求 C、保持需求 D、减少需求 4、对于不规则需求产品,我们一般应采取( D ) A 发展性营销 B 转换性营销 C 刺激性营销 D 同步性营销 三、判断题。判断各问题的表述对错,对有错的题干进行修改。 1、“好酒不怕巷子深”,只要产品质量好,定价合理,就可以顺利地实现交换。 错。产品必须能满足顾客的需求,才能实现交换。 2、产品是被卖出去的,决定产品销量的是销售人员的能力。 错。决定产品销量的关键还是产品是否满足目标顾客的需求,及能否带给顾客较好的价值。 3、“以产定销”的企业把提高效率和产量、降低成本和价格作为一切活动的中心。 “以产定销”的企业把提高效率和产量、降低成本和价格作为一切活动的中心。 四、简答题。 1、试举例说明什么是销售观念。 举例略。销售观念指企业维持生产已不受市场欢迎的产品,在此基础上强行推销,把强迫和引诱顾客购买作为一切活动的中心,以此扩大销售、取得利润的经营指导思想 2、市场营销的4P组合是什么? 产品、价格、分销和促销 3、为什么我们要提倡社会营销观念? 社会营销观念考虑的是在为企业取得利益的同时,兼顾顾客的眼前利益、个人利益、长远利益 和社会整体利益

高分子物理习题答案

高分子物理习题集-答案 第一章高聚物的结构 4、高分子的构型和构象有何区别?如果聚丙烯的规整度不高,是否可以通过单键的内旋转提高它的规整度? 答:构型:分子中由化学键所固定的原子或基团在空间的几何排列。这种排列是稳定的,要改变构型必须经过化学键的断裂和重组。 构象:由于单键内旋转而产生的分子在空间的不同形态。构象的改变速率很快,构象时刻在变,很不稳定,一般不能用化学方法来分离。 不能。提高聚丙烯的等规度须改变构型,而改变构型与改变构象的方法根本不同。构象是围绕单键内旋转所引起的排列变化,改变构象只需克服单键内旋转位垒即可实现,而且分子中的单键内旋转是随时发生的,构象瞬息万变,不会出现因构象改变而使间同PP(全同PP)变成全同PP(间同PP);而改变构型必须经过化学键的断裂才能实现。5、试写出线型聚异戊二烯加聚产物可能有那些不同的构型。 答:按照IUPAC有机命名法中的最小原则,CH3在2位上,而不是3位上,即异戊二烯应写成 (一)键接异构:主要包括1,4-加成、1,2-加成、3,4-加成三种键接异构体。 (二)不同的键接异构体可能还存在下列6中有规立构体。 ①顺式1,4-加成 ②反式1,4-加成 ③1,2-加成全同立构 ④1,2-加成间同立构 ⑤3,4-加成全同立构 ⑥3,4-加成间同立构 6.分子间作用力的本质是什么?影响分子间作用力的因素有哪些?试比较聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚酰胺(尼龙-66)、聚丙烯酸各有那些分子间作用力? 答:分子间作用力的本质是:非键合力、次价力、物理力。 影响因素有:化学组成、分子结构、分子量、温度、分子间距离。PE、PP是非极性聚合物,其分子间作用力为:色散力;

半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案 半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题 1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度,则该半导体以( C )导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2、受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。 A、电子和空穴 B、空穴 C、电子 3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 4、当Au掺入Si中时,它是( B )能级,在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时,它是( C )能级,在半导体中起的是( A )的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 5、 MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型( A )。 A、相同 B、不同 C、无关

6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。 A、变大,变小 ; B、变小,变大; C、变小,变小; D、变大,变大。 7、砷有效的陷阱中心位置(B ) A、靠近禁带中央 B、靠近费米能级 8、在热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。 A、大于1/2 B、小于1/2 C、等于1/2 D、等于1 E、等于0 9、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中,AB段代表( A),CD段代表( B )。 A、多子积累 B、多子耗尽 C、少子反型 D、平带状态 10、金属和半导体接触分为:( B )。 A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11、一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载

营销学原理复习习题库

1.推销观念与市场营销观念的区别主要表现在哪些方面? 参考答案: 推销观念与市场营销观念的区别主要表现在:第一,推销观念是从企业出发,营销观念是从市场出发;第二,推销观念的中心是产品,营销观念的中心是顾客;第三,推销观念的手段是推销和促销,营销观念的手段是整体市场营销;第四,推销观念的目标是通过扩大销售量来获取利润,营销观念的目标是通过满足需求来获取利润。 2.营销观念经历了哪些发展阶段,各个发展阶段的主要特点是什么? 参考答案: 营销观念经历了生产观念、产品观念、推销观念、市场营销观念和社会营销观念五个发展阶段。生产观念的主要特点可概括为:“我们会做什么,就生产什么”。产品观念的主要特点可概括为:“我们会做什么,就努力做好什么”。推销观念的主要特点可概括为:“我们会做什么,就努力去推销什么”。市场营销观念的主要特点可概括为:“顾客需要什么,就生产和销售什么”。社会营销观念的主要特点可概括为:企业在生产和提供产品或服务时,必须实现企业、消费者和社会利益三者的协调。 3.宏观环境主要包括哪些因素? 参考答案: 企业的宏观环境,通常是指一个国家或地区的社会、经济及其发展变化的状况,主要包括人口、经济、自然、科技、法律、社会文化等因素,这些因素是企业不可控制的,它可能会给企业的营销活动提供机会,也可能对企业造成威胁。 △理解题 4.为什么说个人可任意支配收入是消费需求变化中最活跃的因素,也是企业开展营销活动时所要考虑的主要对象? 参考答案: 个人可任意支配收入,是指在个人可支配收入中减去用于维持个人与家庭生存不可缺少的费用和固定开支后剩余的部分。由于这部分收入主要用于满足人们基本生活需要之外的开支,一般用于购买高档耐用消费品、旅游和储蓄等,它是影响非生活必需品和劳务销售的主要因素。所以说这部分收入是消费需求变化中最活跃的因素,也是企业开展营销活动时所要考虑的主要对象。 5.为什么说环境的变化既可能给企业带来威胁,也可能给企业带来机会? 参考答案:

高分子物理习题 答案

高分子物理部分复习题 构象;由于单键(σ键)的内旋转,而产生的分子在空间的不同形态。它是不稳定的,分子热运动即能使其构象发生改变 构型;分子中由化学键所固定的原子在空间的排列。稳定的,要改变构型必需经化学键的断裂、重组 柔顺性;高聚物卷曲成无规的线团成团的特性 等同周期、高聚物分子中与主链中心轴平行的方向为晶胞的主轴,其重复的周期 假塑性流体、无屈服应力,并具有粘度随剪切速率增加而减小的流动特性的流体 取向;高分子链在特定的情况下,沿特定方向的择优平行排列,聚合物呈各向异性特征。 熵弹性、聚合物(在Tg以上)处于高弹态时所表现出的独特的力学性质 粘弹性;外力作用,高分子变形行为有液体粘性和固体弹性的双重性质,力学质随时间变化的特性 玻尔兹曼叠加、认为聚合物在某一时刻的弛豫特性是其在该时刻之前已经历的所有弛豫过程所产生结果的线性加和的理论原理 球晶、球晶是由一个晶核开始,以相同的速度同时向空间各方向放射生长形成高温时,晶核少,球晶大 应力损坏(内耗)、聚合物在交变应力作用下产生滞后现象,而使机械能转变为热能的现象 应力松弛、恒温恒应变下,材料的内应变随时间的延长而衰减的现象。 蠕变、恒温、恒负荷下,高聚物材料的形变随时间的延长逐渐增加的现象 玻璃化转变温度Tg:玻璃态向高弹态转变的温度,链段开始运动或冻结的温度。挤出膨大现象、高分子熔体被强迫挤出口模时,挤出物尺寸大于口模尺寸,截面形状也发生变化的现象 时温等效原理、对于同一个松驰过程,既可以在低温下较长观察时间(外力作用时间)观察到,也可以在高温下较短观察时间(外力作用时间)观察出来。 杂链高分子、主链除碳原子以外,还有其他原子,如:氧、氮、硫等存在,同样以共价键相连接 元素有机高分子、主链含Si、P、Se、Al、Ti等,但不含碳原子的高分子 键接结构、结构单元在高分子链中的联结方式 旋光异构、具有四个不同取代基的C原子在空间有两种可能的互不重叠的排列方式,成为互为镜像的两种异构体,并表现出不同的旋光性 均相成核、处于无定型的高分子链由于热涨落而形成晶核的过程 异相成核、是指高分子链被吸附在固体杂质表面而形成晶核的过程。Weissenberg爬杆效应当插入其中的圆棒旋转时,没有因惯性作用而甩向容器壁附近,反而环绕在旋转棒附近,出现沿棒向上爬的“爬杆”现象。 强迫高弹形变对于非晶聚合物,当环境温度处于Tb<T <Tg时,虽然材料处于 玻璃态,链段冻结,但在恰当速率下拉伸,材料仍能发生百分之几百的大变形 冷拉伸;环境温度低于熔点时虽然晶区尚未熔融,材料也发生了很大拉伸变形 溶度参数;单位体积的内聚能称为内聚物密度平方根 介电损耗;电介质在交变电场中极化时,会因极化方向的变化而损耗部分能量和发热,称介电损耗。 聚合物的极化:聚合物在一定条件下发生两极分化,性质偏离的现象 二、填空题

半导体物理学期末复习试题及答案一

一、半导体物理学期末复习试题及答案一 1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 ( B )。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半 导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能 级会( B )。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数,它和( B )有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型 ( B )。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是( A )能隙结构。 A. 直接 B.间接

8. 将Si 掺杂入GaAs 中,若Si 取代Ga 则起( A )杂质作用, 若Si 取代As 则起( B )杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 ( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的量子 态被电子占据的概率为( A )。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中,AB 段代表 ( A ),CD 段代表(B )。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件( B )。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为:( B )。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

营销学原理 第一到三章考试题答案

营销学原理第一章——第三章练习答案 一、单项选择 1.需求是() A.没有得到某些基本满足的感受状态 B.想得到基本需要的具体满足物的愿望 C.对于有能力购买并且愿意购买的某个具体产品的欲望 D.对于愿意购买的某个具体产品的欲望 2.福特汽车公司在本世纪初曾倾全力于汽车的大规模生产,努力降低成本,使消费者买得起,这种经营思想属于() A.产品观念B.生产观念C.推销观念D.市场营销观念 3.“生产出好产品卖给顾客”这句话反映的是 A.推销观念 B.市场营销观念 C.产品观念 D.生产观念 4.指出下哪种观念最容易产生“营销近视症” A.产品观念B.推销观念C.市场营销观念D.社会市场营销观念 5.()要求市场营销者在制定市场营销政策时,要兼顾企业利益、消费者需要、社会利益等三方面的利益。 A.市场营销观念 B.生产观念 C.推销观念 D.社会营销观念 6.产品观念强调的是() A以量取胜B、以廉取胜C、以质取胜D、以形象取胜 7.市场营销观念的中心是() A.推销已经生产出来的产品B.发现需要并设法满足他们 C.制造质优价廉的产品D.制造大量产品并推销出去。 8.市场是指对某项商品或劳务具有需求的所有 A. 个人消费者 B. 生产者 C. 机构集团 D. 现实与潜在买者 9.市场营销的核心是 A. 交换活动 B. 销售活动 C. 生产活动 D. 促销活动 10.生产家用电器的企业与房地产公司是( )。 A.愿望竞争者 B.平行竞争者 C.品牌竞争者 D.产品形式竞争者 11.“捷安特”自行车公司是“桑塔纳”轿车生产厂的 A. 愿望竞争者 B. 平行竞争者 C. 产品形式竞争者 D. 品牌竞争者 12.企业在调整业务投资组合时,对某些问号类业务单位,欲使其转入明星类单位,宜采取哪种战略( ) A维持B收获C发展增大D放弃 13.金牛类战略业务单位适合的战略选择是() A.发展增大B.维持C.收获D.放弃 14.市场营销组合是指() A.对企业各种环境因素的组合B.对企业宏观环境因素的组合 C.对影响价格因素的组合D.对企业可控的各种营销因素的组合 15.许多冰箱生产厂家近年来高举“环保”、“健康”旗帜,纷纷推出无氟冰箱。它们所奉行的市场营销管理哲学是 A. 推销观念 B. 生产观念 C. 市场营销观念 D. 社会营销观念

高分子物理试题库

高分子物理试题库 一、名词解释 取向:取向是指非晶高聚物的分子链段或整个高分子链,结晶高聚物的晶带、晶片、晶粒等,在外力作用下,沿外力作用的方向进行有序排列的现象。 特性粘度 柔顺性:高分子链能够改变其构象的性质称为柔顺性。 链段:由于分子内旋受阻而在高分子链中能够自由旋转的单元长度。是描述柔性的尺度。 内聚能密度:把1mol 的液体或固体分子移到其分子引力范围之外所需要的能量为内聚能。单位体积的内聚能称为内聚能密度,一般用CED 表示。 溶解度参数:内聚能密度的平方根称为溶解度参数,一般用δ表示。 等规度:等规度是高聚物中含有全同立构和间同立构总的百分数。 结晶度结晶度即高聚物试样中结晶部分所占的质量分数(质量结晶度)或者体积分数(体积结晶度)。 液晶:在熔融状态下或溶液状态下,仍然部分保持着晶态物质分子的有序排列,且物理性质呈现各向异性,成为一种具有和晶体性质相似的液体,这种固液之间的中间态称为液态晶体,简称为液晶。 聚电解质溶液 脆性断裂 时温等效原理 零切黏度 应力松弛 银纹 粘弹性 表观粘度 应力 应变 弹性模量 柔量 泊松比 冲击强度 强迫高弹形变 增塑作用 内增塑作用 外增塑作用 蠕变 动态粘弹性 静态粘弹性 滞后 内耗 牛顿流体 假塑性流体 膨胀性流体 宾汉流体 二.选择题 1. 测量重均分子量可以选择以下哪种方法: D A .粘度法 B .端基滴定法 C .渗透压法 D .光散射法 2. 下列那种方法可以降低熔点: B D 。 A. 主链上引入芳环; B. 降低结晶度; C. 提高分子量; D. 加入增塑剂。 3. 多分散高聚物下列平均分子量中最小的是 A A 、n M B 、w M C 、z M D 、M 4. 聚合物在溶液中通常呈 C 构象。 A .锯齿形 B .螺旋形 C .无规线团 D .梯形

半导体物理学试题库学习资料

半导体物理学试题库

一.填空题 1.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________,引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。(二阶导数,内部势场) 2.半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________(即量子态按能量如何分布)和 _________(即电子在不同能量的量子态上如何分布)。(状态密度,费米分布函数) 3.两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电,达到热平衡后两者的费米能级________。(正,相等) 4.半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央,其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处,因此属于_________半导体。([100],间接带隙) 5.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。(弗仑克耳缺陷,肖特基缺陷) 6.在一定温度下,与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________,高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。(1/2,1/1+exp(2)) 7.从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。(间接带隙,直接带隙)

8.通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统,服从_________的电子系统称为简并性系统。(玻尔兹曼分布,费米分布) 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。(温度,禁带宽度) 10. 半导体的晶格结构式多种多样的,常见的Ge和Si材料,其原子均通过共价键四面体相互结合,属于________结构;与Ge和Si晶格结构类似,两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。(金刚石,闪锌矿) 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体,否则称为_________禁带半导体。(直接,间接) 12. 半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。(电离杂质的散射,晶格振动的散射) 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。(电子和空穴,复合中心)

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