模拟电子线路08(1、2)A卷

淮南师范学院2009 - 2010学年度第 一 学期试卷 A (闭卷)

年级 08、07 专业 自动化 班级 学号 姓名

一、选择填空题，只需填入A 、B 、C 、D （每空1分，共10分）

1、N 型半导体是在纯净半导体中掺入____；P 型半导体是在纯净半导体中掺入____。

A ．带负电的电子

B ．带正电的离子

C ．三价元素，如硼等

D ．五价元素，如磷等 2、在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是______，最差的是____。

A ．共射接法，

B ．共集接法，

C ．共基接法

3、正弦波振荡电路利用正反馈产生自激振荡的条件是____；负反馈放大电路产生自激振荡的条件是____ 。

A ．AF=1，

B ．AF=0，

C ．AF=-1

D ．AF =∞

4、某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 4V （均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为_____。 A ．80 ， B ．40， C ．－40， D ．20

5、共模抑制比K CMR 是 之比。

A ．差模输入信号与共模输入信号

B ．交流放大倍数与直流放大倍数（绝对值）

C ．输出量差模成分与共模成分

D ．差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值） K CMR 越小，表明电路 。

A ．放大倍数越不稳定

B ．输入信号中差模成分越小

C ．抑制温漂能力越弱

D ．交流放大倍数越小

6、直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是 。

（A ．所放大的信号不同，B ．交流通路不同，C ．直流通路不同）

二、判断题（共4小题，15判断，每个判断1分，共15分 ）

1、判断下列说法的正误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。

1．h 参数等效电路法适用于低频小信号情况；（ ） 2．图解法适用于高频大信号情况；（ ）

3．h 参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点；（ ）

4．h 参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。（ ） 2、判断下列说法的正误，正确画√表示正确，错误画×表示错误。

1．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（ ） 2．稳压管是一种特殊的二极管，它不允许工作在正向导通状态（ ）

3、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”表示正确，否则画“×”表示错误。

1．阻容耦合放大电路，只能放大交流信号，不能放大直流信号。（ ） 2．直接耦合放大电路，只能放大直流信号，不能放大交流信号。（ ） 3．变压器耦合放大电路，只能放大交流信号，不能放大直流信号。（ ） 4．集成电路中间级的耦合方式均采用直接耦合方式。（ ）

4、试判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”表示正确，否则画“×”表示错误。 1．一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号（ ） 2．共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。（ ）

3．对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发

射极电阻R e 一概可视为短路。（ ）

4．在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻R e 足够大，则R e 可视为开

路。（ ）

5．带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。（ ）

三、分析解答题 （共3小题，每题5分，共15

分）

1、（本题5分）某学生连接一个如图示的文氏电桥振荡器，但电路不振荡，请你帮他找出错误，并在图加以改正，要求不增、减元器件。

R

2、（本题5分）设图示电路中的二极管为理想二极管，（正向导通电阻等于零，反向电流等于零），电阻R 为30Ω。当用R ×1档指针式万用表测量A 、B 间的电阻时，若红表笔（带负电压）接A 端，黑表笔（带正电压）接B 端，则万用表的读数是多少？

R

A

3、（本题5分）放大电路和示波器测得输出电压u O 的波形如图所示，试问该放大电路产生

了饱和失真还是截止失真？为消除失真应调整电路哪个参数？该参数应增大还是减小？

u t

u O

R L

u

四、解答作图题（共2

小题，共25分）

1、（本题10分）在如图所示电路中，已知A 为理想运算放大器，稳压管和二极管的正向导通电压均为 0.7V 。试画出该电路的电压传输特性。 u O u U REF

2、（本题15分）共基放大电路及晶体管共基输出特性如图所示，并设晶体管的U BEQ ＝0.7V ，

1．估算静态电流EQ I ；

2．作直流负载线，标出Q 点位置，确定CBQ U 的值；

3．当逐渐增大正弦输入电压I u 幅度时，输出电压首先出现饱和失真还是截止失真？

A u V

五、综合应用题（共3小题，共35分）

1、（本题10分）增益可以调节的放大电路如图所示，R W 为增益调节电位器，设A 为理想运算放大器。 1．计算R w 的滑动端处在其中点位置时的电压放大倍数I

O

u u A u =。 2．计算电压放大倍数可调节的范围。

u I

u O

2、（本题10分）图示一阶有源低通滤波电路，设A 为理想运算放大器。

1．导出该电路的传递函数。求通带电压放大倍数p u A =?

2．求该电路的特征频率0f =？

U o

..U i

3、（本题15分）在图示放大电路中，已知各晶体管的r bb’＝300Ω，β1＝β2＝50，β3＝80，U BE1＝U BE2＝－U BE3＝0.7V ，I B3可以忽略不计。电阻R b1＝R b2＝1k Ω，R c1＝R c2＝10k Ω，R e ＝15.27k Ω，R e3＝3k Ω，R c3＝12k Ω，电源电压V CC ＝V EE ＝12V ，设差分放大电路的共模抑制比K CMR 足够大，试估算：

1．电压放大倍数I

O

u u A u =； 2．差模输入电阻R id 。

模电第一章练习习题

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1

第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。

模电期末考试题

《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。

（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

模电第一章习题解答

第一章 电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。 解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图

解：I=I S =2A ， U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ， U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ， 验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2

解：（a ）以c 为电位参考点，则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100，I 3=1A ， I 2=I 3+2=3A ， U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A ， I X =I 1+I 2=10+3=13A （ 6×由 1.8 20 1a V I =，5502 +=a V I ， 10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中，设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。

模电考试试题

模电考试试题 Revised by Jack on December 14,2020

选择 1、半导体二极管加正向电压时，有（A） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、三极管工作于放大状态的条件是(A ) A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（B） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 4、共模抑制比KCMR越大，表明电路（C） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 5、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（A） A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 填空 1、N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 2、集成运算放大器采用直接耦合方式放大，理想条件Rid为无穷大，R0为0

5、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 6、电流源电路特点，直流等效电阻小，交流等效电阻大 7、直流稳压电源一般由电源变压器、滤波电路、整流电路和稳压电路组成 计算 1、放大电路如图1所示,若VCC=12V，Rc=Ω，Rb=400kΩ，Re1=100Ω， Re2=2kΩ，RL=kΩ，=50, r bb=300欧 (1)、求静态工作点； (2)画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri和Ro。 解（1） I BQ== I CQ=βI BQ= VCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)= （2）画出简化h参数等效电路如图 (3)、rbe=[300+(1+β) ]=

模拟电子线路习题习题答案(DOC)

第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）

该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3

模电复习题和答案

《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；

大工《模拟电子线路》课程考试试卷A

大连理工大学网络教育学院 2014年3月份《模拟电子线路》课程考试 试卷 考试形式：开卷试卷类型：（A ） ☆ 注意事项： 1、本考卷满分共：100分；考试时间：90分钟。 2、所有客观题必须答到题目下方表格处。 1、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（）。 A ．饱和状态B ．截止状态 C ．放大状态D ．击穿状态 2、引起共射极放大电路输出波形出现截止失真的主要原因是（）。 A ．输入电阻太小B ．静态工作点偏低 C ．静态工作点偏高D ．输出电阻太小 3、三级放大电路中A v1=A v2=A v3=20dB ，则电路总的电压增益为（）dB 。 A ．20B ．40 C ．60D ．1000 4、结型场效应管利用栅-源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。 A ．反偏电压B ．正偏电压 C ．反向电流 D ．正向电流 5、集成运放中，由于温度变化引起的零输入对应非零输出的现象称为（）。 A ．交越失真B ．零点漂移 C ．失调 D ．饱和失真 6、通用型集成运放的输入级大多采用（）。 A ．共射极放大电路B ．差分放大电路 C ．射极输出器D ．互补推挽电路 7、与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是（）。 A ．无输出变压器B ．无输出端大电容 C ．无交越失真D ．能量转换效率高 8、为实现稳定输出电压，应在放大电路中引入（）。 A ．串联负反馈B ．并联负反馈 C ．电压负反馈D ．电流负反馈 9、整流的目的是（）。 A ．将交流变为直流 B ．将高频变为低频 C ．将正弦波变为方波 D ．将方波变为正弦波 10、某简单稳压电路要求稳定电压为8V ，而仅有一只7.3V 硅稳压管VD Z ，一只二极管（硅管）VD ，可采用VD Z 与VD 串联接入电路，则采用（）电路。 A ．VD 正偏，VD Z 反偏B ．VD 反偏，VD Z 反偏 C ．VD 正偏，VD Z 正偏D ．VD 反偏，VD Z 正偏 二、填空题（本大题共10个空，每空2分，共20分） 1、BJT 处于放大状态的条件是发射结，集电结。 2、当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β，反向饱和电流I CBO ， I B 不变时，发射结正向电压V BE 。 3、集成运算放大器工作在比例运算放大时处于区；作为比较器工作时处于 区。 4、放大电路中为了减小输出电阻应引入负反馈，为了提高输入电阻应引入 负反馈。 NO.069A

模电试题及答案1-2

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

模电试题及答案

试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。

模电期末考试题及答案

(10 一、判断下列说法是否正确，用“X”或 分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。 只要满足相位平衡 电路就 会产生正 波振荡。 ) 2 引’ 入 直 流负反馈 可 以 稳 定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负 反 馈 越深， 电 路 的 性能越 稳定 。 ( X ) 4 >-l-A 零 点 漂 移就是 静 态 工 作点的 漂移 。 ( V ) 5 放大 电路采用复合管是为了 增大放大倍数和输入电阻 。 ( V ) 6 镜像 电 流： 源电路中两 只晶 体 管 的特性应完 全相同 。 ( V ) 7 半 导 体 中 的 空 穴 带 正 电 。 ( V ) 8 P 型 半 导体带正 电， N 型半导体带负电 。 ( X ) 9 实 现 运 算电路： 不一 定 非引入负 反馈 。 ( X ) 10 凡是引 入 正反馈的集 成运 放， 」定工作在非 线性区 。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 为了展宽频带，应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中， C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0，杆=+180 0 (B )杯=+180 0，?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两 个B 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B

模电考试题及答案

第一章 自测题 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴ 45.5BB BE b BS V U R k I -==Ω 习题 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解:如解图1.9。

解图1.9 1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。 解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。 (2)当1BB V V =时，因为 60BB BEQ BQ b V U I A R μ-= = 3CQ BQ I I mA β== 9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。 (3)当3BB V V =时，因为460BB BEQ BQ b V U I A R μ-= =， 2311.3CC CES CQ BQ CS c V U I I mA I mA R β-=== =， 所以T 处于饱和状态 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQ BEQ BQ b s V U U I A R R μ-=- ≈ 1.76CQ BQ I I mA β=≈ ' 26(1) 1.3be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：

模拟电子线路期末考试题库

《模拟电子线路》题库 一、判断题（每题2分，共20分） 1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（） 3、稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（） 4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） 5、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（） 6、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（） 7、运算放大电路中一般引入正反馈。（） 8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（） 11、晶体管的参数不随温度变化。（） 12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。（） 13、多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（） 14、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（） 15、放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （） 16、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（） 17、多级放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（） 18、理想运放的共模抑制比为无穷大。（） 19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。 （） 20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。（） 21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（） 22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。（） 23、电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（） 24、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 25、要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。（） 26、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。（） 27、通常采用图解法分析功率放大电路。（） 28、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（） 29、整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。（） 30、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。（） 二、填空题（每空1分，请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均不得分。共20分。） 1、稳压管稳压时是让其工作在状态，其两端电压基本维持。 2、为使运放电路稳定地工作在，应在电路中引入深度反馈。 3、工作在线性区的理想运算放大器，两个输入端的输入电流均约等于，称为虚。 4、某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V，-6V，-6.2V，则这

模电试题(题库)

模电试题库 一、填空题。 1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、温度升高时，三极管的β将 （增加、减小、不变）。 3、要让三极管工作在放大区，发射结要求 ，集电结要 （正偏或反偏）。 4、当差分放大器两边的输入电压为1i u =7mV ，2i u =-3mV ，输入信号的差模分量为 ，共模分量 为 。 5、在放大电路中，如果要想提高输出电阻，减小输入电阻的要求，应引入 反馈。 6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。 7、乙类推挽放大器，由于三极管的死区电压造成的失真现象，这种失真称为 。 8、 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。 [ 9、放大器级间耦合方式有三种： 耦合； 耦合； 耦合；在集成电路中通常采用 耦合。 10、负反馈能够改善放大电路的性能，例如它可以提高增益的稳定性， ， ， 等。 11、场效应管属于_______________控制器件，而三极管属于_____________控制器件。（电压或电流） 12、差放电路中，公共发射极电阻Re 对于共模信号而言，相当于每个差放管的发射极接入________ _____的电阻，对于差模信号而言，Re 相当于为__________ ______。 13、负反馈能使放大器许多性能获得改善，如_______________、__________________、 __________________、__________________。但是性能的改善是以牺牲______________________为代价的 14、振荡电路的振幅平衡条件是：__________________________,相位平衡条件是： ___________________________. 15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态，必须满足的外部条件是_________________ _________ ___________, （ 16．为简化分析过程，在应用集成运放时总假定它是理想的，理想运放具有以下特点：开环差模增益A d =___________，开环输入电阻R i =_____________, 开环输出电阻R o =_______________。 17、某双极型半导体三极管其三个电极流过的电流如图所示：分别为：①、②、③10mA ，则该三极管为________ 型，三个电极分别为：①___e _____ ②____b ___ ___③__c ______ 。 18．三极管各电极的电流分配关系为_e=b+c _。 19．晶体管的输出特性是指当三极管基极电流I B 一定时，___________与_____________之间的关系。 20．晶体管输出特性有三个区域： 、 和 。晶体管工作在 时，相当于闭合的开关；工作在 时，相当于断开的开关。 21．三极管图形符号中的发射极的箭头表示三极管的________________方向。 22．在放大电路中，为了稳定静态工作点，宜引入__________反馈；要展宽频、稳定增益，宜引入____________反馈；为了提高输入阻抗，宜引入___________反馈。

模电 第一章习题答案

第一章习题参考答案 2．如图直流电路，已知电流表读数为3A ，电压表读数为10V ，元件A 产生功率为18W ，元件C 吸收功率为10W ，求元件B 和D 的产生功率 解：电流参考方向如图所示，电压参考方向与电流参考方向相关联 已知 V U U A i D C 10,31-==-= W i U P W i U P c c A A 10,1821==-== 解得 A i V U A 162-==，， 列a 点的KCL 方程： 321i i i += 解得A i 23-= 列KVL 方程 =++A C B U U U 解得 V U B 4= W i U P W i U P D D B B 20)2()10(12)3(421=-?-==-=-?== 所以B 产生12W 的功率，D 产生-20W 的功

率，即吸收20W 的功 率。 12．求图示电流i 解:对两个网孔列KVL 方程 1l 网孔 ：0105312=--i i (1) 2l 网孔： 0551=-i (2) (2)求出 1i =1mA ，代入(1)得2i =5mA 根据KCL 解得 i =1i +2i =6mA 14．图示电路，求各支路电流1I 、2I 和电压ab U 解： 根据KCL 定理，I=0，V U ab 10-= 左回路网孔KVL 方程 A I I 20 10511==-

右回路网孔KVL 方程 A I I 10 9922-==+ 17．求等效电阻 图a) 解：等效电阻为Ω=++=4)84//()4)6//3((R 图b) 解:等效电导为s S S S S S G ab 10)6//612//()2//2(=+=， Ω=1.0ab R 23．求开路电压ab U b a 8Ω 6Ω 8Ω

模电周考试题(二)讲课稿

模电周考试题(二)

模电周考试题（二） 一、填空题 1、当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。 2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。 3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 5、为了使放大电路输出波形不失真,除需设置 外,还需输入信号。 6、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN 管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生 失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。 7、共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 8、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制 电流的较大变化。 9、共射组态既有放大作用，又有放大作用。 10、共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端， 极为输出端。

11、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。 12、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①2.8V， ②2.1 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 13、晶体三极管实现电流放大作用的外部条件 是，电流分配关系是。 14、温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。 15、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加 而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。 16、画放大器交流通路时，和应作短路处理。 17、在多级放大器里。前级是后级的，后级是前级的。 18、多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有：，，。 19、输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动，因此要抑制零漂，首先要抑制的零漂。目前抑制零漂比较有效的方法是采用。