模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案
一、填空（18分）
1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=
80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压
u Ic =90 V 。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。
二、选择正确答案填空（20分）
1，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管
B 、P 沟道结型场效应管
C 、N 沟道增强型MOS 管
D 、N 沟道耗尽型MOS 管
3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）
。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
D.同相比例运算电路
7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器
8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器
b ．不用输出端大电容
c ．效率高
d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k ，R B1
120
k ， R B2
39k ，
R C
3.9k ，R E
2.1k ，R L
3.9k ，r bb’
，电流放大系数
50，电
路中电容容量足够大，要求：
0i D /mA -4
u /V 5+ u O
_
u
R
B
R +
V CC V
C
+
R
R
O
t
u
t
u
4题
7题
1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ (设U BEQ
0.6V )；
2．画出放大电路的微变等效电路；
3．求电压放大倍数A u ，源电压放大倍数A u s ，输入电阻R i ，输出电阻R o 。 4．去掉旁路电容C E ，求电压放大倍数A u ，输入电阻R i 。 (12分)
解: (1) V 9.22
12B B B B =?+=
CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U U
mA 09.1E
E
E C ==
≈R U I I mA 02.0E
B ==
β
I I
V 46.5)(C E C CC CE =?+-=I R R V U Ω=+=k ..4109
126
51
200r be (3) 70)
//(be
L C -≈-=r R R A u β Ω≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω==k 9.3C O R R
817s
i i
s o s .A R R R u u A u u -≈+==
Ω≈++=k
44
3])1([E be B2B1i .R r //R //R R β (4) 901E
be L C u .R )(r )
R //
R (
A -≈++-=ββ
四、设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分)
U 01
6V U 02
6V U 03V U 04
10V
U 05
2V U 06
2V
u
R
B1
C 2
+ R
B2
R
S
+
V CC
+
R
E
C E
R L
V C _ R C U
U
U 102
(A
+
8
2
(10
20
A
+
8
2
V
1(320
10 A
+
8
23
1010
20
A +
8
(
2
U A
+
8U
(6
)
2
20
A
+
8
五、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态；
2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （8分） 为电流串联负反馈
六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L 0.5mH ，C 1C 240pF 。(8分)
(a)不能振荡。图(b)可能振荡，为电容三点式正弦波振荡电路。振荡频率为
MHz 591212
12
1o .≈+π≈
C C C C L f
七、在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。
1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？
2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？
3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分）
1． A 1组成反相比例电路，A 2组成单值比较器，A 3组成电压跟随器； 2． A 1和A 3工作在线性区，A 2工作在非线性区；
+V CC +V C C
R B1 V
R R B2 C L
(a) +L C C b R B2 R R E
+V (A
+ 8
A
+ 8
A
+ 8
k k
R u u
u u R
k R
k R ’
±6V
+
o
－ +
－
R B
A
+ 8
R
L
+R
f R
1
R
E
L
E
1E f 1uf
R R R R R R A ++-=
3． u O1 = -10V ，u O2 = 12V ，u O3 = 6V 。
八、在图示电路中，R f 和C f 均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0V 。 1． 为稳定输出电压u O ，正确引入负反馈； 2． 若使闭环电压增益A uf = 10，确定R f = ？
3． 求最大不失真输出电压功率P omax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅
值为多少？（10分）
1． 电压串联负反馈。(图略) 2． 10)1(1f uf =+=R R
A R f = 90
k
3．W 142L
2
CC
omax ==
R V P 最大输出时U om = V CC =A uf U im U im = 1.5V
中 南 大 学
模拟电子技术试卷（第4套）
一、填空题(本题24分，每空1.5分)
1. 稳压管通常工作在 状态（A.正向导通；B.反向击穿）。
2. 在OCL 乙类功放中，若其最大输出功率为1W ，则电路中功放管（单管）的集电极最大功耗约为 。
3. 某放大电路负载开路时，U O =6V ，接上3K Ω负载后，U O =4V ，说明该放大电路的输出电阻R 0= 。
4. 正弦波振荡器的振荡条件是 。
5. 为了避免50Hz 电网电压的干扰信号进入放大器，应选用 滤波电路。
6. 在放大电路中，为了稳定静态工作点，应引入 负反馈，为了稳定放大倍数应引入 负反馈。
7. 互补输出级中的BJT 通常采用 接法，其目的是为了提高 （A.负载能力；B.最大不失真输出电压）。
8. 通用型集成运放通常采用 耦合方式。
9. 双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加 偏置电压，集电极需要加 偏置电压；场效应管是 控制器件。
R
k R C R
V (+1
(－
15V)
+ - u V
V
u I +
—
R
R R
－
V
+V k
k V
A + 8
k
10. 在运算电路中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。
二、(共12分)
1． 二极管电路如图所示，考虑二极管的正向压降为0.7V ，求输出电压U o （6分） 2． 测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如图所示， （6分） 试说明三极管为（ ）管，（ ）类型。
a. 硅管；
b. 锗管；
c. NPN ；
d. PNP ；
三、电路如下图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，写出u o1、u o2的表达式并填表。 （12分）
u I /V
0 0.5 1.0 1.5
u O
1/V
u O
2/V
四、判断电路中整体反馈的反馈组态，求U O
的表达式。（12分）
五、下图中β=30，r be=1kΩ, R b=300kΩ, Rc=R L=5kΩ, R e=2kΩ,U BE=0.7V, Vcc=24V （本题16分）1．计算电路的静态工作点；
2．画出该电路的微变等效电路；
3．计算Au、Ri、Ro
参考答案
一、
1．1．反向击穿；
2．2．0.2W；
3．3．1.5K；
4．4．
1
≥
F
A
和π
?
?n
B
A
2
=
+；
5．5．带阻；
6．6．直流、交流；
7．7．共集、负载能力；8．8．直接；
9．9．电流、正向、反向、电压；
10． 10． 线性、非线性；
二、
1． 1． Uo ＝－0.7V ； 2．
2． 锗管、PNP ；
三、
I o I
o u u u u 111021=-=
u I /V 0
0.5
1.0
1.5
u O 1/V 0 －5 -10 -14 u O 2/V
5.5
11
14
四、电压－串联负反馈 12
21111R R F A R R R U U F uf o f +=≈+==
I
I uf o U R R
U A U )1(1
2+==
五、 1．
A
R R U V I e
b BEQ
CC BQ μβ64)1(≈++-=
mA
I I BQ CQ 9.1==β
V
R R I V U e c CQ CC CEQ 7.10)(=+-≈
2．
3．
2.1)1()//(-=++-=e
be L c u
R r R R A ββ
Ω=++=K R r R R e be b i 52])1(//[β Ω==K R R c o 5
练习一
一、填空(16分)
1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管
2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管
B．P沟道结型场效应管
C．N沟道增强型MOS管
D．N沟道耗尽型MOS管
3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高B．输出电C．共模抑制D．电压放大倍数
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
(完整版)重大模电试卷及答案
重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院： 电气 课程号：15012335 考试日期： 2010-12-30 考试方式： 开卷闭卷 其他 考试时间： 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分) 1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是（ ） A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为（ ）功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。 (a ）正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。( ) 3．乙类互补对称OTL 电路中的交越失真是一种非线性失真。 （ ） 4．一般情况下高频信号发生器中采用LC 振荡电路。 （ ） 5．在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。 （ ） + - 命题人： 熊兰 组题人： 审题人： 命题时间： 教 务处 制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密
数字电路经典笔试题目汇总
数字电路笔试汇总 2、什么是同步逻辑和异步逻辑？（汉王笔试） 同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。 電路設計可分類為同步電路和非同步電路設計。同步電路利用時鐘脈衝使其子系統同步運作，而非同 步電路不使用時鐘脈衝做同步，其子系統是使用特殊的“開始”和“完成”信號使之同步。由於非同步電 路具有下列優點--無時鐘歪斜問題、低電源消耗、平均效能而非最差效能、模組性、可組合和可複用性-- 因此近年來對非同步電路研究增加快速，論文發表數以倍增，而Intel Pentium 4處理器設計，也開始採用 非同步電路設計。 异步电路主要是组合逻辑电路，用于产生地址译码器、ＦＩＦＯ或ＲＡＭ的读写控制信号脉冲，其逻 辑输出与任何时钟信号都没有关系，译码输出产生的毛刺通常是可以监控的。同步电路是由时序电路(寄存 器和各种触发器)和组合逻辑电路构成的电路，其所有操作都是在严格的时钟控制下完成的。这些时序电路 共享同一个时钟ＣＬＫ，而所有的状态变化都是在时钟的上升沿(或下降沿)完成的。 3、什么是"线与"逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？（汉王笔试） 线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上，要用oc门来实现（漏极或者集电极开路），由于不用oc门可能使灌电流过大，而烧坏逻辑门，同时在输出端口应加一个上拉电阻。（线或则是下拉电阻） 4、什么是Setup 和Holdup时间？（汉王笔试） 解释setup和hold time violation，画图说明，并说明解决办法。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触发器的时钟信 号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）T时间到达芯片，这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器，只有在下 一个时钟上升沿，数据才能被打入触发器。保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不 变的时间。如果hold time不够，数据同样不能被打入触发器。 建立时间(Setup Time)和保持时间（Hold time）。建立时间是指在时钟边沿前，数据信号需要保持不 变的时间。保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间。如果不满足建立和保持时间的话，那么DFF将不能正确地采样到数据，将会出现
(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案
74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 ： 审 题 人 ： 命 题 时 间 ： 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题（ 卷） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 （请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分） 一． 选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（ ） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（ ） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（ ） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ． 半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（ ） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（ ） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（ ） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（ ） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确 二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （ ） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（ ） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（ ） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（ ） 7． 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（ ） 8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（ ） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（ ） 三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。 密 线 封 A B
华南理工大学模电试题(附答案)
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
数字电路期末模拟考试试题及答案
数字电路期末模拟考试 试题及答案 内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）
数字电子电路模拟试题-2 一、填空题（共30分） 1. 三极管有NPN和PNP两种类型，当它工作在放大状态时，发射结＿＿＿ ＿，集电结＿＿＿＿＿＿；NPN型三极管的基区是＿＿＿＿＿＿型半导体，集电区和发射区是＿＿＿＿＿＿型半导体。 2. 把高电压作为逻辑1，低电平作为逻辑0的赋值方法称作＿＿＿＿＿＿＿ 逻辑赋值。一种电路若在正逻辑赋值时为与非门，则在负逻辑赋值时为＿＿＿＿＿＿＿＿。 3. 四位二进制编码器有＿＿＿＿个输入端；＿＿＿＿个输出端。 4. 将十进制数287转换成二进制数是＿＿＿＿＿＿＿＿；十六进制数是＿＿ ＿＿＿＿＿。 5. 根据触发器功能的不同，可将触发器分成四种，分别是＿＿＿＿触发器、 6. 下图所示电路中， 7. Y 2 二、选择题(共 20分) 1. 当晶体三极管＿＿＿＿时处于饱和状态。 A. 发射结和集电结均处于反向偏置 B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置 C. 发射结和集电结均处于正向偏置
2. 在下列三个逻辑函数表达式中，＿＿＿＿是最小项表达式。 A ． B A B A )B ,A (Y += B. C B C B A BC A )C ,B ,A (Y ++= C. C AB ABC B C A C B A ) D ,C ,B ,A (Y +++??= 3．用8421码表示的十进制数45，可以写成＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿ A ．45 B. [101101]BCD C. [01000101]BCD D. [101101]2 4．采用OC 门主要解决了＿＿＿＿＿ A ．TTL 与非门不能相与的问题 B. TTL 与非门不能线与的问题 C. TTL 与非门不能相或的问题 5．已知某触发的特性表如下（A 、B 为触发器的输入）其输出信号的逻辑表达式为＿＿＿ A ． Q n+1 ＝A B. n n 1n Q A Q A Q +=+ C. n n 1n Q B Q A Q +=+ 三、化简下列逻辑函数，写出最简与或表达式：（共20分） 1． BC A C B A C B B A Y 1+?++= 2． Y 2＝Σm （0，1，8，9，10，11） 3． Y 3见如下卡诺图
数字电子技术模拟试题及答案
《数字电子技术》模拟试题 20分）一、填空题（每题2分，共 1511、十六进制数97 。，对应的十进制数为 0 时，输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或 加器。半 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入 线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括：位。最高8、 采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 15分）二、单项选择题（每个3分，共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中，不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须 有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分）三、简答题（共A??B左边＝（A?）（A?B）（?1A?A?B）?解：分） 1、（证明：
4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示，画出卡诺图。（6分）某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分）四、分析题（20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝CP↑；CP0＝CP↑。 2）列出其驱动方程：（4分） Q1；K0＝＝1 ；J0。Q0J1＝；K1＝1?Q?Q1或XX3）列出其输出方程：（1分）Z＝XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04）求次态方程：4（分）；10分）9）作状态表及状态图（5．
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图
模电试卷题库(含答案)
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 09年 5、电路如图1.2所示，TG 为CMOS 传输门，G 为TTL 与非门，则当C=0时 P= ；当C=1时P= 。 B & TG A C C Ω k 10P G 图1.2 6. 当TTL 门电路的输入端悬空时，应视为 （高电平，低电平，不定）。此时，如用万用表测量其输入端电压，读数约为 （0V ，1.4V ，3.6V ）。 六、（4分）写出图6所示TTL 门电路构成的组合电路的输出表达式。 图6 七、（6分）写出图7所示电路的逻辑表达式，列出真值表，说明电路逻辑功能。 A B C 图7 八（8分）将图8(a)所示电路用其他器件实现，要求直接在图上画出连线。 （1） 改用3线/8线译码器74LS138和适当的门实现该逻辑电路，图8(b)为 74LS138符号图； （2） 改用8选一数据选择器实现，图8 （c ）为8选一数据选择器逻辑符号。 P 图8（a ） 图8（b ） 08年 4．函数式D C AB F ++=，写出其对偶式='F ()A B C D +。 5．由TTL 与非门组成的电路如图1-2所示。设与非门输出高电平U OH =3.6V ，低电平为U OL =0.3V ，电压表内阻为20k Ω/V 。当输入ABC =000，开关S 断开时，用万用表测出U 1= 1.4V ，U 2= 0.3V ；当输入ABC =101，开关S 闭合时，U 1= 0.3V ，U 2= 3.6V 。 A B C 图1-2 6．对CMOS 或非门电路，判断下面结论对错： （1）输入端悬空可能造成逻辑出错； （对） （2）输入端对地接大电阻（如510 k Ω）相当于接高电平1； （错） （3）输入端对地接小电阻（如510 Ω）相当于接低电平0； （对） 7．CMOS 电路如图1-3所示，TG 为CMOS 传输门，G 为TTL 与非门，则C=0, P= 0 ; G G G 1 2A 数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020 《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器 5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝ 《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。 二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分） 2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分） 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 北京语言大学网络教育学院 《数字电路与逻辑设计》模拟试卷一 注意： 1、试卷保密，考生不得将试卷带出考场或撕页，否则成绩作废。请监考老师负责监督。 2、请各位考生注意考试纪律，考试作弊全部成绩以零分计算。 3、本试卷满分100分，答题时间为90分钟。 4、本试卷分为试题卷和答题卷，所有答案必须答在答题卷上，答在试题卷上不给分。 一、单项选择题(本大题共10小题，每小题2分，共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在答题卷相应题号处。 1、下列四个数中，最大的数是（）。 [A] (AF)16[B] (001010000010)8421BCD [C] (10100000)2[D] (198)10 2、触发器有两个稳态，存储8位二进制信息要（）个触发器。 [A] 2 [B] 8 [C] 16 [D] 32 3、下列门电路属于双极型的是（）。 [A] OC门[B] PMOS [C] NMOS [D] CMOS 4、对于钟控RS触发器，若要求其输出“0”状态不变，则输入的RS信号应为（）。 [A] RS=X0 [B] RS=0X [C] RS=X1 [D] RS=1X 5、以下各电路中，（）可以产生脉冲定时。 [A] 多谐振荡器[B] 单稳态触发器 [C] 施密特触发器[D] 石英晶体多谐振荡器 6、下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是（）。 [A] 变量译码器[B] 加法器[C] 数码寄存器[D] 数据选择器 7、同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（）。 [A] 没有触发器[B] 没有统一的时钟脉冲控制 [C] 没有稳定状态[D] 输出只与内部状态有关 8、当用专用输出结构的P A L设计时序逻辑电路时，必须还要具备有（）。 [A] 触发器[B] 晶体管[C] M O S管[D] 电容 9、当用异步I/O输出结构的P A L设计逻辑电路时，它们相当于（）。 [A] 组合逻辑电路[B] 时序逻辑电路 [C] 存储器[D] 数模转换器 10、要构成容量为4K×8的RAM，需要（）片容量为256×4的RAM。 [A] 2 [B] 4 [C] 8 [D] 32 自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档 模拟综合试卷一 一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a , ｂ。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是ａ， b 。 3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真，这是失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时,导通角为。 6.甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i１=u ｉ2 ,则输出电压为 V；若 u i1=1500μV, u i2 =50０μV,则差模输入电压u iｄ 为μV,共模输入信号u ic 为μＶ。 ８．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为 的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最; 组态电压增益最小；组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β,I CBO,ｕ ＢＥ 的变化情况为()。 Ａ.β增加，I CBＯ,和u BE 减小 B. β和I CＢO 增加,u BE 减小 C.β和ｕ ＢE 减小,I ＣBＯ 增加 D. β、I CBＯ 和u ＢE 都增加 ２．反映场效应管放大能力的一个重要参数是() A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压Ｄ. 跨导 四、（10分）如下图所示为由维持—阻塞边沿D 触发器和主从型J-K 触发器组成的电路。试画出触发器输出端Q 1、Q 2的波形（设触发器初始状态均为0）。 四、（10分） )(Q Q Q Q Q K Q J Q )C (Q D Q 12n 12n 12n 2n 12n 2n 11n ↓=+=+=↑==++CP Q P n n n 五、（15分）如下面左图所示为由八选一数据选择器实现的函数F 。 （1）试写出F 的表达式。 （2）用右边的3-8译码器74LS138及若干个与非门实现函数F 。 五、（15分） )4,3,1,0(),,(11m D B A F D B A BD A D B A D B A D A D B D B A BD A B A D C B A D C B A BCD A D C B A C B A C B A F ∑=+++=+=++=++++?+?=即 表达式4分 3分 3分 表达式7分 逻辑图8分 二、化简逻辑函数（5分） Z F A B C D =(,,,)=m d (,,,,,,)(,)3589111314 015+∑∑。 二、卡诺图如下图所示，Z ABC BCD BCD ABC =+++. （5分） 三、用四位同步二进制计数器CT74161、3线-8线译码器CT74138和少量的与非门设计一个函数发生器，使其产生10110101序列信号。（10分） 三、（共10分） 1、因序列长度S=8，可用CT74161设计一个模8计数器，有效状态为Q D Q C Q B Q A =0000~0111。如采用同步预置法，电路如下图(a)所示，如采用反馈清零（异步）法，电路如图(b)所示。（2分） 3、产生10110101序列码的电路如下所示：（5分） 7 5320Y Y Y Y Y ????=2、用译码器CT74138实现组合输出电路，列真值表如左所示： 故得到组合输出为：（3分） Z= ∑m (0,2,3,5,7)=Y 0+Y 2+Y 3+Y 5+Y 7 泰山学院物理与电子工程学院 《数字电子技术》试卷15参考答案与评分标准 一、选择题（每小题 2 分，共 20 分） 二、填空题（每空1分，共 20 分） 1、262.54 B2.B 2、二进制 八进制 十六进制 3、与 或 非 4、)(D C B A '+' 5、2 1 0 6、1 0 0 7、数值比较器 8、1 0 9、6 3 三、化简题（每题 5 分，共 10分） 1、1=+'+'+'+=B A C B A F ……………………………………………（5分） 2、AC AD B A Y ++''= …………………………………………（5分） 四、分析题（第1题5分，后3题每题10分，共35分） 1、 ………………（5分） 2、 …………………………（5分） …………………………（5分） 3、 K=1………………………………………………………（2分） ………………………………………………………………（2分） …………………………………（2分） ……………………………………………（2分） ……………………………………（2分） 4、 AC BC AB BA C BA AC B D A A D A A D A A D A A F ++=+'+'=+'+'+''= 3 0120110100122Q J '=1Q D =)(1211 *1↓''='+'=CLK Q Q Q K Q J Q )(1* 2↑=CLK Q Q 五、设计题（第1题7分，第2题8分，共15分） 1、A 、B 、C 代表三个裁判，通过用1表示，不通过用0表示…………（1分） 1表示成绩有效，0表示成绩无效…………………………………………（1分） 逻辑式F=A+BC ……………………………………………………………（2分） 真值表 ………………………………………………………………（2分） 逻辑图： ………………………………（1分） 2、状态转换图 ……………………………（3分） 电路图 A B C F 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0数电往年考题
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