tps51125
FEATURES
DESCRIPTION APPLICATIONS
VO23.3V/6A ~28V 3.3V/100mA EN0TPS51125
SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, Dual-Synchronous,Step-Down Controller with Out-of-Audio?Operation and 100-mA
LDOs for Notebook System Power
?Wide Input Voltage Range:5.5V to 28V
?Output Voltage Range:2V to 5.5V
The TPS51125is a cost effective,dual-synchronous buck controller targeted for notebook system power ?Built-in 100-mA 5-V/3.3-V LDO with Switches
supply solutions.It provides 5-V and 3.3-V LDOs and ?Built-in 1%2-V Reference Output
requires few external components.The 270-kHz ?With/Without Out-of-Audio?Mode Selectable
VCLK output can be used to drive an external charge Light Load and PWM only Operation
pump,generating gate drive voltage for the load switches without reducing the main converter’s ?Internal 1.6-ms Voltage Servo Softstart
efficiency.The TPS51125supports high efficiency,?Adaptive On-Time Control Architecture with
fast transient response and provides a combined Four Selectable Frequency Setting
power-good signal.Out-of-Audio?mode light-load operation enables low acoustic noise at much higher ?4500ppm/°C R DS(on)Current Sensing
efficiency than conventional forced PWM operation.?Built-In Output Discharge
Adaptive on-time D-CAP?control provides ?Power Good Output
convenient and efficient operation.The part operates ?Built-in OVP/UVP/OCP
with supply input voltages ranging from 5.5V to 28V and supports output voltages from 2V to 5.5V.The ?Thermal Shutdown (Non-latch)
TPS51125is available in a 24-pin QFN package and
?QFN24(RGE)is specified from -40°C to 85°C ambient temperature
range.?
Notebook Computers ?
I/O Supplies ?System Power Supplies
Typical Application Diagram
Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1)
DISSIPATION RATINGS
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007ORDERING INFORMATION
OUTPUT MIN T A PACKAGE PART NUMBER
PINS ECO PLAN SUPPLY QUANTITY Tape TPS51125RGET
250Green -and-Reel Plastic Quad Flat Pack -40°C to 85°C 24
(RoHS and (QFN)
Tape
no Sb/Br)TPS51125RGER 3000-and-Reel over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER
VALUE UNIT VBST1,VBST2
-0.3to 36VIN
-0.3to 30Input voltage range (1)LL1,LL2
-2.0to 30VBST1,VBST2(2)-0.3to 6
V EN0,ENTRIP1,ENTRIP2,VFB1,VFB2,VO1,VO2,TONSEL,SKIPSEL -0.3to 6
DRVH1,DRVH2-1.0to 36
Output voltage range (1)DRVH1,DRVH2(2)-0.3to 6
PGOOD,VCLK,VREG3,VREG5,VREF,DRVL1,DRVL2-0.3to 6
T J Junction temperature range -40to 125
°C T stg
Storage temperature -55to 150(1)
Stresses beyond those listed under "absolute maximum ratings"may cause permanent damage to the device.These are stress ratings only and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under "recommended operating conditions"is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.(2)Voltage values are with respect to the corresponding LLx terminal.
2-oz.trace and copper pad with solder.
DERATING FACTOR ABOVE T A PACKAGE
T A <25°C POWER RATING T A =85°C POWER RATING =25°C 24pin RGE (1)
1.85W 18.5mW/°C 0.74W (1)Enhanced thermal conductance by 3x3thermal vias beneath thermal pad.
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER
MIN TYP MAX UNIT Supply voltage
VIN 5.528Input voltage range VBST1,VBST2
-0.134VBST1,VBST2(wrt LLx)
-0.1 5.5EN0,ENTRIP1,ENTRIP2,VFB1,VFB2,VO1,VO2,
-0.1 5.5TONSEL,SKIPSEL
V Output voltage range DRVH1,DRVH2
-0.834DRVH1,DRVH2(wrt LLx)
-0.1 5.5LL1,LL2
-1.828VREF,VREG3,VREG5
-0.1 5.5PGOOD,VCLK,DRVL1,DRVL2
-0.1 5.5T A Operating free-air temperature -4085°C
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TPS51125 SLUS786A–OCTOBER2007–REVISED NOVEMBER2007
over operating free-air temperature range,VIN=12V(unless otherwise noted)
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Supply Current
VIN current,T A=25°C,no load,VO1=0V,VO2=
I VIN1VIN supply current10V,EN0=open,ENTRIPx=5V,0.551mA
VFB1=VFB2=2.05V
VIN current,T A=25°C,no load,VO1=5V,VO2=
I VIN2VIN supply current2 3.3V,EN0=open,ENTRIPx=5V,4 6.5μA
VFB1=VFB2=2.05V
VO1current,T A=25°C,no load,VO1=5V,VO2
I VO1VO1current=3.3V,EN0=open,ENTRIPx=5V,0.8 1.5mA
VFB1=VFB2=2.05V
VO2current,T A=25°C,no load,VO1=5V,VO2
I VO2VO2current=3.3V,EN0=open,ENTRIPx=5V,12100
VFB1=VFB2=2.05V
VIN current,T A=25°C,no load,μA I VINSTBY VIN standby current95250
EN0=1.2V,ENTRIPx=0V
VIN current,T A=25°C,no load,
I VINSDN VIN shutdown current1025
EN0=ENTRIPx=0V
VREF Output
I VREF=0A 1.98 2.00 2.02
V VREF VREF output voltage V
-5μA
VREG5Output
VO1=0V,I VREG5<100mA,T A=25°C 4.85 5.2
V VREG5VREG5output voltage VO1=0V,I VREG5<100mA,6.5V VO1=0V,I VREG5<50mA,5.5V I VREG5VREG5output current VO1=0V,VREG5=4.5V100175250mA Turns on 4.55 4.7 4.85 V TH5VSW Switch over threshold V Hysteresis0.150.250.3 R5VSW5V SW R ON VO1=5V,I VREG5=100mA13?VREG3Output VO2=0V,I VREG3<100mA,T A=25°C 3.2 3.33 3.46 V VREG3VREG3output voltage VO2=0V,I VREG3<100mA,6.5V VO2=0V,I VREG3<50mA,5.5V I VREG3VREG3output current VO2=0V,VREG3=3V100175250mA Turns on 3.05 3.15 3.25 V TH3VSW Switch over threshold V Hysteresis0.10.20.25 R3VSW3V SW R ON VO2=3.3V,I VREG3=100mA 1.54?Internal Reference Voltage V IREF Internal reference voltage I VREF=0A,beginning of ON state 1.95 1.98 2.01 FB voltage,I VREF=0A,skip mode 1.98 2.01 2.04 V V VFB VFB regulation voltage FB voltage,I VREF=0A,OOA mode(1) 2.00 2.035 2.07 FB voltage,I VREF=0A,continuous conduction(1) 2.00 I VFB VFB input current VFBx=2.0V,T A=25°C-2020nA (1)Ensured by design.Not production tested. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) over operating free-air temperature range,VIN =12V (unless otherwise noted) PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT V OUT Discharge I Dischg VOUT discharge current ENTRIPx =0V,VOx =0.5V 1060mA Output Drivers Source,V BSTx -DRVHx =100mV 48R DRVH DRVH resistance Sink,V DRVHx -LLx =100mV 1.54?Source,V VREG5-DRVLx =100mV 48R DRVL DRVL resistance Sink,V DRVLx =100mV 1.54DRVHx-off to DRVLx-on 10T D Dead time ns DRVLx-off to DRVHx-on 30Clock Output V CLKH High level voltage I VCLK =-10mA,VO1=5V,T A =25°C 4.84 4.92V V CLKL Low level voltage I VCLK =10mA,VO1=5V,T A =25°C 0.060.12f CLK Clock frequency T A =25°C 175270325kHz Internal BST Diode V FBST Forward voltage V VREG5-VBSTx ,I F =10mA,T A =25°C 0.70.80.9V I VBSTLK VBST leakage current VBSTx =34V,LLx =28V,T A =25°C 0.11μA Duty and Frequency Control T ON11 CH1on time 1V IN =12V,VO1=5V,200kHz setting 2080T ON12 CH1on time 2V IN =12V,VO1=5V,245kHz setting 1700T ON13 CH1on time 3V IN =12V,VO1=5V,300kHz setting 1390T ON14 CH1on time 4V IN =12V,VO1=5V,365kHz setting 1140T ON21 CH2on time 1V IN =12V,VO2=3.3V,250kHz setting 1100ns T ON22 CH2on time 2V IN =12V,VO2=3.3V,305kHz setting 900T ON23 CH2on time 3V IN =12V,VO2=3.3V,375kHz setting 730T ON24 CH2on time 4V IN =12V,VO2=3.3V,460kHz setting 600T ON(min) Minimum on time T A =25°C 80T OFF(min) Minimum off time T A =25°C 300Softstart T SS Internal SS time Internal soft start 1.1 1.6 2.1ms Powergood PG in from lower 92.50%95%97.50%102.50107.50V THPG PG threshold PG in from higher 105%%%PG hysteresis 2.50%5%7.50%I PGMAX PG sink current PGOOD =0.5V 512mA T PGDEL PG delay Delay for PG in 350510670μs https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, TPS51125 SLUS786A–OCTOBER2007–REVISED NOVEMBER2007 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(continued) over operating free-air temperature range,VIN=12V(unless otherwise noted) PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Logic Threshold and Setting Conditions Shutdown0.4 V EN0EN0setting voltage Enable,VCLK=off0.8 1.6V Enable,VCLK=on 2.4 V EN0=0.2V2 3.55 I EN0EN0currentμA V EN0=1.5V1 1.75 2.5 Shutdown350400450 ENTRIP1,ENTRIP2 V EN mV threshold Hysteresis103060 200kHz/250kHz 1.5 245kHz/305kHz 1.9 2.1 V TONSEL TONSEL setting voltage 300kHz/375kHz 2.7 3.6 365kHz/460kHz 4.7V PWM only 1.5 V SKIPSEL SKIPSEL setting voltage Auto skip 1.9 2.1 OOA auto skip 2.7 Protection:Current Sense I ENTRIP ENTRIPx source current V ENTRIPx=920mV,T A=25°C9.41010.6μA ENTRIPx current temperature TC IENTRIP On the basis of25°C4500ppm/°C coefficient ((V ENTRIPx-GND/9)-24mV-V GND-LLx)voltage, V OCLoff OCP comparator offset-808 V ENTRIPx-GND=920mV V OCL(max)Maximum OCL setting V ENTRIPx=5V185205225mV Zero cross detection V ZC V GND-LLx voltage-505 comparator offset V ENTRIP Current limit threshold V ENTRIPx-GND voltage,(2)0.5152V Protection:UVP&OVP V OVP OVP trip threshold OVP detect110%115%120% T OVPDEL OVP prop delay2μs UVP detect55%60%65% V UVP Output UVP trip threshold Hysteresis10% T UVPDEL Output UVP prop delay203240μs T UVPEN Output UVP enable delay 1.42 2.6ms UVLO Wake up 4.1 4.2 4.3 V UVVREG5VREG5UVLO threshold Hysteresis0.380.430.48V V UVVREG3VREG3UVLO threshold Shutdown(2)VO2-1 Thermal Shutdown Shutdown temperature(2)150 T SDN Thermal shutdown threshold°C Hysteresis(2)10 (2)Ensured by design.Not production tested. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, DEVICE INFORMATION TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007Table 1.TERMINAL FUNCTIONS TABLE TERMINAL I/O DESCRIPTION NAME NO.VIN 16I High voltage power supply input for 5-V/3.3-V LDO.GND 15-Ground.VREG3 8O 3.3-V power supply output.VREG5 17O 5-V power supply output.VREF 3O 2-V reference voltage output. Master enable input. Open :LDOs on,and ready to turn on VCLK and switcher channels. 620k ?to GND :enable both LDOs,VCLK off and ready to turn on switcher channels.Power EN013I/O consumption is almost the same as the case of VCLK =ON.330pF to 1nF should be connected to GND near the device GND :disable all circuit Channel 1and Channel 2enable and OCL trip setting pins.ENTRIP1, 1,6I/O Connect resistor from this pin to GND to set threshold for synchronous R DS(on)sense.Short to ground ENTRIP2 to shutdown a switcher channel.Output connection to SMPS.These terminals work as fixed voltage inputs and output discharge VO1,VO2 24,7I/O inputs.VO1and VO2also work as 5V and 3.3V switch over return power input respectively.VFB1, SMPS feedback inputs.Connect with feedback resistor divider.2,5I VFB2 PGOOD 23O Power Good window comparator output for channel 1and 2.(Logical AND) Selection pin for operation mode: OOA auto skip :Connect to VREG3or VREG5 SKIPSEL 14I Auto skip :Connect to VREF PWM only :Connect to GND On-time adjustment pin. 365kHz/460kHz setting :connect to VREG5 TONSEL 4I 300kHz/375kHz setting :connect to VREG3 245kHz/305kHz setting :connect to VREF 200kHz/250kHz setting :connect to GND DRVL1, Low-side N-channel MOSFET driver outputs.GND referenced drivers.19,12O DRVL2 VBST1, Supply input for high-side N-channel MOSFET driver (boost terminal).22,9I VBST2 DRVH1, High-side N-channel MOSFET driver outputs.LL referenced drivers.21,10O DRVH2 LL1,LL2 20,11I Switch node connections for high-side drivers,current limit and control circuitry.VCLK 18O 270-kHz clock output for 15-V charge pump. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, V O 1P G O O D V O 2V R E G 3V B S T 1D R V L 1L L 1D R V H 1 V B S T 2 D R V H 2L L 2D R V L 2EN0 VFB2 VREF TONSEL VFB1 ENTRIP1 SKIPSEL GND VIN VCLK VREG5ENTRIP2TPS51125 SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007 QFN Package (top view) https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007Functional Block Diagram https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, TPS51125 SLUS786A–OCTOBER2007–REVISED NOVEMBER2007 Switcher Controller Block https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, TYPICAL CHARACTERISTICS VIN SUPPLY CURRENT1 vs JUNCTION TEMPERATURE 100 200300400500600700800 -50050100150T J -Junction Temperature -°C I V I N 1-V I N S u p p l y C u r r e n t 1-m A VIN SUPPLY CURRENT1vs INPUT VOLTAGE 100200300400500600700 800510152025 V IN -Input Voltage -V I V I N 1-V I N S u p p l y C u r r e n t 1-m A VIN SUPPLY CURRENT2 vs JUNCTION TEMPERATURE 1 2 345678 9 -50050100150 T J -Junction Temperature -°C I V I N 2-V I N S u p p l y C u r r e n t 2-m A VIN SUPPLY CURRENT2vs INPUT VOLTAGE 0123456789510152025 V IN -Input Voltage -V I V I N 2-V I N S u p p l y C u r r e n t 2-m A TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007Figure 1. Figure 2.Figure 3.Figure 4. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, VIN STANDBY CURRENT vs INPUT VOLTAGE 050 100150200250 510152025V IN - Input Voltage - V I V I N S T B Y -V I N S t a n d b y C u r r e n t -h A VIN STANDBY CURRENT vs JUNCTION TEMPERATURE 50100150200250-50050100150 T J -Junction Temperature -°C I V I N S T B Y -V I N S t a n d b y C u r r e n t -m A VIN SHUTDOWN CURRENT vs JUNCTION TEMPERATURE 510152025-50050100150 T J -Junction Temperature -°C I V I N S D N -V I N S h u t d o w n C u r r e n t -m A VIN SHUTDOWN CURRENT vs INPUT VOLTAGE 05 10152025 510152025V IN -Input Voltage -V I V I N S D N -V I N S h u t d o w n C u r r e n t -m A TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007 TYPICAL CHARACTERISTICS (continued) Figure 5. Figure 6.Figure 7.Figure 8. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, CURRENT SENSE CURRENT vs JUNCTION TEMPERATURE 6 7 8 9 10 11 12 13 14 -50050100150 T J-Junction Temperature-°C I E N T R I P - C u r r e n t S e n s e C u r r e n t - m A VCLK FREQUENCY vs JUNCTION TEMPERATURE 175 200 225 250 275 300 325 -50050100150 T J-Junction Temperature-°C f C L K - V C L K F r e q u e n c y - k H z SWITCHING FREQUENCY vs INPUT VOLTAGE 100 200 300 400 500 68101214161820222426 V IN - Input Voltage - V f S W - S w i t h c h i n g F r e q u e n c y - k H z SWITCHING FREQUENCY vs INPUT VOLTAGE 100 200 300 400 500 68101214161820222426 V IN - Input Voltage - V f S W - S w i t h c h i n g F r e q u e n c y - k H z TPS51125 SLUS786A–OCTOBER2007–REVISED NOVEMBER2007 TYPICAL CHARACTERISTICS(continued) Figure9.Figure10. Figure11.Figure12. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, SWITCHING FREQUENCY vs INPUT VOLTAGE 100200300400500 68101214161820222426 V IN - Input Voltage - V f S W -S w i t h c h i n g F r e q u e n c y -k H z SWITCHING FREQUENCY vs INPUT VOLTAGE 0100 20030040050068101214161820222426V IN - Input Voltage - V f S W -S w i t h c h i n g F r e q u e n c y -k H z SWITCHING FREQUENCY vs OUTPUT CURRENT 100 200300400500 0.0010.010.1110I OUT - Output Current -A f S W -S w i t h c h i n g F r e q u e n c y -k H z SWITCHING FREQUENCY vs OUTPUT CURRENT 0100200300400500 I OUT - Output Current -A f S W -S w i t h c h i n g F r e q u e n c y -k H z TPS51125 SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007 TYPICAL CHARACTERISTICS (continued) Figure 13. Figure 14.Figure 15.Figure 16. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, SWITCHING FREQUENCY vs OUTPUT CURRENT 100200300400500 0.0010.010.1110I OUT - Output Current -A f S W -S w i t h c h i n g F r e q u e n c y -k H z SWITCHING FREQUENCY vs OUTPUT CURRENT 0100 200300400500 I OUT - Output Current -A f S W -S w i t h c h i n g F r e q u e n c y -k H z OVP/UVP THRESHOLD VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE 40 50 60 708090100110120130140 150 -50 050100150T J -Junction Temperature -°C V O V P /V U V P -O V P /U V P T h r e s h o l d -%VRE G5OUTPUT VOLTAGE vs OUTPUT CURRE NT 4.90 4.95 5.005.05020406080100 I VREG5-VRE G5Output Current -mA V V R E G 5-V R E G 5O u t p u t V o l t a g e -V TPS51125 SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007TYPICAL CHARACTERISTICS (continued) Figure 17. Figure 18.Figure 19.Figure 20. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, VREF OUTPUT VOLTAGE vs OUTPUT CURRENT 1.9801.9851.990 1.995 2.0002.0052.0102.015 2.020020406080100I VREF -VREF Output Current -m A V V R E F -V R E F O u t p u t V o l t a g e - V VRE G3OUTPUT VOLTAGE vs OUTPUT CURRE NT 3.2 3.25 3.33.35 020********* I VREG3-VRE G3Output Current -mA V V R E G 3-V R E G 3O u t p u t V o l t a g e -V 5-V OUTPUT VOLTAGE vs OUTPUT CURRENT 4.950 4.975 5.0005.0255.0505.075 0.0010.010.1110I OUT1- 5-V Output Current -A V O U T 1 -5-V O u t p u t V o l t a g e -V 3.3-V OUTPUT VOLTAGE vs OUTPUT CURRENT 3.2403.270 3.3003.3303.3600.0010.010.1110 I OUT2- 3.3-V Output Current -A V O U T 2- 3.3-V O u t p u t V o l t a g e -V TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007 TYPICAL CHARACTERISTICS (continued) Figure 21. Figure 22.Figure 23.Figure 24. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, 5-V OUTPUT VOLTAGE vs INPUT VOLTAGE 4.950 4.975 5.0005.0255.0505.07568101214161820222426 V IN - Input Voltage - V V O U T 1-5-V O u t p u t V o l t a g e -V 3.3-V OUTPUT VOLTAGE vs INPUT VOLTAGE 3.2403.270 3.3003.3303.360 68101214161820222426V IN - Input Voltage - V V O U T 2-3.3-V O u t p u t V o l t a g e -V 5-V EFFICIENCY vs OUTPUT CURRENT 0204060 80 1000.0010.010.1110I OUT1-5-V Output Current -A h -E f f i c i e n c y -% 3.3-V EFFICIENCY vs OUTPUT CURRENT 020406080 1000.0010.010.1 110I OUT2-3.3-V Output Current -A h -E f f i c i e n c y -% TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007TYPICAL CHARACTERISTICS (continued) Figure 25. Figure 26.Figure 27.Figure 28. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, V OUT1(100mV/div) I IND(5A/div) I OUT1(5A/div)V OUT2(100mV/div) I IND(5A/div) I OUT2(5A/div) ENTRIP1(2V/div) V OUT1(2V/div) PGOOD (2V/div) ENTRIP2(2V/div) V OUT2(2V/div) PGOOD(2V/div) TPS51125 SLUS786A–OCTOBER2007–REVISED NOVEMBER2007 TYPICAL CHARACTERISTICS(continued) 5-V Load Transient Response 3.3-V Load Transient Response Figure29.Figure30. 5-V Startup Waveforms 3.3-V Startup Waveforms Figure31.Figure32. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, V OUT1(200mV/div)VREG5(200mV/div)V OUT2(200mV/div) VREG3(200mV/div) ENTRIP1(5V/div)V OUT1(2V/div)PGOOD (5V/div)DRVL1(5V/div)ENTRIP2(5V/div) V OUT2(2V/div) PGOOD (5V/div) DRVL2(5V/div)TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007TYPICAL CHARACTERISTICS (continued) 5-V Switchover Waveforms 3.3-V Switchover Waveforms Figure 33. Figure 34.5-V Soft-stop Waveforms 3.3-V Soft-stop Waveforms Figure 35.Figure 36. https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, APPLICATION INFORMATION PWM Operations Adaptive On-Time Control and PWM Frequency TPS51125 SLUS786A–OCTOBER2007–REVISED NOVEMBER2007 The main control loop of the switch mode power supply(SMPS)is designed as an adaptive on-time pulse width modulation(PWM)controller.It supports a proprietary D-CAP?mode.D-CAP?mode does not require external compensation circuit and is suitable for low external component count configuration when used with appropriate amount of ESR at the output capacitor(s). At the beginning of each cycle,the synchronous top MOSFET is turned on,or becomes‘ON’state.This MOSFET is turned off,or becomes‘OFF’state,after internal one shot timer expires.This one shot is determined by V IN and V OUT to keep frequency fairly constant over input voltage range,hence it is called adaptive on-time control.The MOSFET is turned on again when the feedback point voltage,VFB,decreased to match with internal 2-V reference.The inductor current information is also monitored and should be below the over current threshold to initiate this new cycle.Repeating operation in this manner,the controller regulates the output voltage.The synchronous bottom or the“rectifying”MOSFET is turned on at the beginning of each‘OFF’state to keep the conduction loss minimum.The rectifying MOSFET is turned off before the top MOSFET turns on at next switching cycle or when inductor current information detects zero level.In the auto-skip mode or the OOA skip mode,this enables seamless transition to the reduced frequency operation at light load condition so that high efficiency is kept over broad range of load current. TPS51125does not have a dedicated oscillator on board.However,the part runs with pseudo-constant frequency by feed-forwarding the input and output voltage into the on-time,one-shot timer.The on-time is controlled inverse proportional to the input voltage and proportional to the output voltage so that the duty ratio will be kept as VOUT/VIN technically with the same cycle time.The frequencies are set by TONSEL terminal connection as Table2. Table2.TONSEL Connection and Switching Frequency SWITCHING FREQUENCY TONSEL CONNECTION CH1CH2 GND200kHz250kHz VREF245kHz305kHz VREG3300kHz375kHz VREG5365kHz460kHz https://www.wendangku.net/doc/2e8972483.html, Loop Compensation Io 0124sw f f ESR Co p =￡′′(1)Ramp Signal TPS51125SLUS786A–OCTOBER 2007–REVISED NOVEMBER 2007From small-signal loop analysis,a buck converter using D-CAP TM mode can be simplified as below. Figure 37.Simplifying the Modulator The output voltage is compared with internal reference voltage after divider resistors,R1and R2.The PWM comparator determines the timing to turn on high-side MOSFET.The gain and speed of the comparator is high enough to keep the voltage at the beginning of each on cycle substantially constant.For the loop stability,the 0dB frequency,f 0,defined below need to be lower than 1/4of the switching frequency. As f 0is determined solely by the output capacitor's characteristics,loop stability of D-CAP TM mode is determined by the capacitor's chemistry.For example,specialty polymer capacitors (SP-CAP)have Co in the order of several 100μF and ESR in range of 10m ?.These will make f 0in the order of 100kHz or less and the loop will be stable.However,ceramic capacitors have f 0at more than 700kHz,which is not suitable for this operational mode. The TPS51125adds a ramp signal to the 2-V reference in order to improve its jitter performance.As described in the previous section,the feedback voltage is compared with the reference information to keep the output voltage in regulation.By adding a small ramp signal to the reference,the S/N ratio at the onset of a new switching cycle is improved.Therefore the operation becomes less jitter and stable.The ramp signal is controlled to start with -20mV at the beginning of ON-cycle and to become 0mV at the end of OFF-cycle in steady state.By using this scheme,the TPS51125improve jitter performance without sacrificing the reference accuracy. 图8-69a为滚齿加工的工作原理。滚齿时切削齿坯的刀具为滚刀，由于滚刀的螺旋升角较大，所以外形象一个蜗杆，滚刀在垂直于螺旋槽方向开槽，形成若干切削刃，其法向剖面具有齿条形状。因此当滚刀连续旋转时，刀齿可视为一个无限长的齿条的移动，如图8-69b。同时刀齿由上而下的进行切削，保持齿条（滚刀）和齿坯之间的啮合关系，滚刀就可在齿坯上加工出渐开线齿形，图8-69c。 滚齿加工的精度一般为8～7级，表面粗糙度Ra为3.2～1.6μm。 滚齿加工是在滚齿机上进行的，图8-70为滚齿机外形图。滚刀安装在刀架上的滚刀杆上，刀架可沿着立柱垂直导轨上下移动。工件则安装在心轴上。 滚齿时滚齿机必须有以下几个运动： 1．切削运动（主运动）即滚刀的旋转运动，其切削速度由变速齿轮的传动比决定。 2．分齿运动即工件的旋转运动，其运动的速度必须和滚刀的旋转速度保持齿轮与齿条的啮合关系。其运动关系由分齿挂轮的传动比来实现。对于单线滚刀，当滚刀每转一转时，齿坯需转过一个齿的分度角度，即1/z转（z为被加工齿轮的齿数）。 3．垂直进给运动即滚刀沿工件轴线自上而下的垂直移动，这是保证切出整个齿宽所必须的运动，由进给挂轮的传动比再通过与滚刀架相连接的丝杆螺母来实现。 在滚齿时，必须保持滚刀刀齿的运动方向与被切齿轮的齿向一致，然而由于滚刀刀齿排列在一条螺旋线上，刀齿的方向与滚刀轴线并不垂直。所以，必须把刀架扳转一个角度使之与齿轮的齿向协调。滚切直齿轮时，扳转的角度就是滚刀的螺旋升角。滚切斜齿轮时，还要根据斜齿轮的螺旋方向，以及螺旋角的大小来决定扳转角度的大小及扳转方向。 齿轮滚刀是一种专用刀具，每把滚刀可以加工模数相同而齿数不等的各种大小不同的直齿或斜齿渐开线外圆柱齿轮。 在滚齿机上除加工直齿、斜齿外圆柱齿轮外，也可以加工蜗轮、链轮。但不能加工内齿轮。对于加工双联齿轮和三联齿轮它也受到许多限制。 微流控芯片分析法 一、概述 微流控分析是指利用微流控芯片或系统对物质的组成、含量、结构和功能进行测定和研究的一类分析方法。它起源于20世纪90年代初由瑞士的ManZ和Widmer提出的以微机电系统（microelectromechanical systems,MEMS）技术为基础的“微全分析系统”(miniaturized total analysis systems，或micro total analysis systems，μTAS）概念[1],其目的是通过化学分析设备的微型化与集成化，最大限度地把分析实验室的功能转移到便携的分析设备中，甚至集成到方寸大小的芯片上。由于这种特征，该领域还有一个更为形象的名称“芯片实验室”（lab a chip）。上述系统的核心是微流控芯片(microfluidic chips)，其结构特征是在方寸大小的散芯片上加工微通道网络，通过对通道内微流体的操纵和控制，实现整个化学和生物实验室区功能[2]。 二、微流控分析的基本技术 1.微流控芯片加工技术 微流控芯片的基本结构单元是具有微米级深度和宽度的微通道，由其构成微通道网络，并根据不同的需要集成微结构、微阀、微泵、微储液器、微电极、微检测器、微控制和微处理等单元，组成完整的微流控芯片系统。因此，加工微流控芯片需采用特殊的微细加工技术，该技术起源于微电子工业中的微机电加工技术，目前已发展出多种适合不同芯片材质的芯片微加工技术[2-4]。 微流控芯片所使用的材料包括无机和有机材料两大类。常用的无机材料包括单晶硅、无定型硅、玻璃、石英、金属等。利用硅材料加工微流控芯片的优点是芯片表面光洁度好，图形复制精准度高，具备三维结构加工能力，工艺成熟，可批量生产。其缺点是材料易碎、不透光、电绝缘性不好。通常被用于加工微泵、微阀和控制元器件，或制作高分子聚合物芯片的模具。玻璃和石英是目前加工微流控芯片中使用较多的材料，其优点是透光性好，机械强度高，微加工工艺较成熟；其表面的电渗和亲水性质适于进行毛细管电泳分析。石英材料可透过紫外光，但其成本是玻璃的十倍。 目前，用于制作微流控芯片的高分子聚合物主要有三类：热塑性聚合物、固化型聚合物和溶剂挥发型聚合物。热塑性聚合物包括聚酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯 微流控芯片的发展及制造工艺介绍 微流控芯片的发展微全分析系统的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy 公司的Manz与Widmer提出的，当时主要强调了分析系统的“微”与“全”，及微管道网络的MEMS加工方法，而并未明确其外型特征。次年Manz等即在平板微芯片上实现了毛细管电泳与流动。微型全分析系统当前的发展前沿。微流控分析系统从以毛细管电泳分离为核心分析技术发展到液液萃取、过滤、无膜扩散等多种分离手段。其中多相层流分离微流控系统结构简单，有多种分离功能，具有广泛的应用前景。已有多篇文献报道采用多相层流技术实现芯片上对试样的无膜过滤、无膜参析和萃取分离。同时也有采用微加工有膜微渗析器完成质谱分析前试样前处理操作的报道。流控分析系统从以电渗流为主要液流驱动手段发展到流体动力气压、重动、离心力、剪切力等多种手段。 直至今日，各国科学家在这一领域做出更加显着地成绩。微流控技术作为当前分析科学的重要发展前沿，在研究与应用方面都取得了飞速的发展。 微流控芯片的原理 微流控芯片采用类似半导体的微机电加工技术在芯片上构建微流路系统，将实验与分析过程转载到由彼此联系的路径和液相小室组成的芯片结构上，加载生物样品和反应液后，采用微机械泵。电水力泵和电渗流等方法驱动芯片中缓冲液的流动，形成微流路，于芯片上进行一种或连续多种的反应。激光诱导荧光、电化学和化学等多种检测系统以及与质谱等分析手段结合的很多检测手段已经被用在微流控芯片中，对样品进行快速、准确和高通量分析。微流控芯片的最大特点是在一个芯片上可以形成多功能集成体系和数目众多的复合体系的微全分析系统？微型反应器是芯片实验室中常用的用于生物化学反应的结构，如毛细管电泳、聚合酶链反应、酶反应和DNA 杂交反应的微型反应器等。其中电压驱动的毛细管电泳（Capillary Electrophoresis ，CE）比较容易在微流控芯片上实现，因而成为其中发展最快的技术。它是在芯片上蚀刻毛细管通道，在电渗流的作用下样品液在通道中泳动，完成对样品的检测分析，如果在芯片上构建毛细管阵列，可在数分钟内完成对数百 产品分析报告 随着人们生活水平的提高，人们对健康、对生活品质有更高的需求。水果蔬菜榨汁机，它能使蔬菜及水果中的维生素，矿物质及其它营养成份不被破坏，并可按您的要求榨出各种新鲜的饮料。榨出的饮料具有健康和美容的功能，能有效地预防高血压、糖尿病等，使肌肤光滑而有生气。可以调制各种各样的中、西饮品、汤类或酱汁，以至婴儿食品，可以制作新鲜豆浆。海外早已流行吃生蔬菜水果长寿保健，因为这类生菜、水果中的营养丝毫没有被破坏，常吃这些食品，是很多百岁以上长寿者的秘诀，美国人能生吃的决不熟吃，象冬瓜、青菜都可生吃。因此，榨汁机在生活中是有很大的生存空间的。 产品现状 目前市面上能见到的榨汁机主要有以下几种类型 粉碎式 这种榨汁机在榨汁前要先将水果切成小块，去 核，开启榨汁机后将果块放入进料口，用推进棒 送料，高速旋转的刀具很快将果块粉碎，通过离 心力甩出渣滓，果汁从过滤网流出。一般产品的 外形比较大，部件较多，功率为200到400瓦之 间。 搅拌式搅拌后用过滤网过滤果汁 这种搅拌机身采用、可分离式刀叶和果汁过滤 网。搅拌机可令您随心所欲的制作各种果汁。动 力强劲的750瓦马达不费吹灰之力便可轻松搅 拌、粉碎或切割各种物料。借助其多级速度旋钮 及专用快捷按钮，便可按自己的方式进行碎冰或 调制果汁。利用果汁过滤网，您可以轻松制作出 无果核或果仁的清澈果汁。使用完毕后，可将分 离式刀叶和果汁过滤网放入洗碗机内进行清洗. 压榨式利用杠杆原理 水果蔬菜榨汁机，该手动榨汁机利用杠杆原理可快 速榨取果汁，省时省力，在家里便可轻松享受自制 新鲜果汁的乐趣。本产品外型新颖，方便清洗且节 约能源，是现代家庭厨房必备。它能使蔬菜及水果 中的维生素，矿物质及其它营养成份不被破坏，并 可按您的要求榨出各种新鲜的饮料。榨出的饮料具 有健康和美容的功能，能有效地预防高血压、糖尿 病等。 螺旋挤压式 电机带动螺旋刀具高速旋转将水果 粉碎，从而获得果汁， 这种榨汁机不用电能，操作方便， 环保。 多功能组合式 这种搅拌榨汁机集多项功能于一身，除可在家 中调制各种各样的中、西饮品、汤类或酱汁， 以至婴儿食品，还附有豆浆网，可以制作新 鲜豆浆，而个别型号也有干磨器及碎肉器选 择，让你可制作更多美食及甜品。 17”盘型滚刀结构和技术参数介绍 图 1 目前国内生产盾构刀具的厂家相当多。 在关键部件轴承的选择，国内多选择USA的“铁木肯”系列轴承。海瑞克选poland 的SKF系列轴承。所选都是世界知名品牌。我认为所有设计都围绕该部件为基准来设计的，所 有我定为关键部件。（图3） 刀圈多为H13 钢（USA牌号，国内和热做模具钢接近的合金钢材料），热处理后HRC55-60. 与刀榖做过盈配合（过盈量在0.15-0.25mm ），预热套装到刀榖配合位置。在加挡圈以防止 刀圈外脱。 轴多采用轴承钢之内的材料；刀榖，上下端盖采用合金结构钢材料锻打，调质后加工而 成。下端盖与轴配合目前国内的产品多为间隙配合在加工楔口防止转动，以O型圈做密封的方法设计的，而海瑞克是下端盖与轴为小过盈的紧配合。上端盖采用与轴的螺纹配合，通过4 个环形阵列的扳手孔旋紧到轴上。（扳手要自己做） 浮动密封的浮动环目前也有大约 2 种加工情况，一种车床加工再做表面处理的，在研磨；一种为时效处理后磨床加工的，在研磨的。相比后者较好。浮动密封的胶圈要恢复性好，弹 性好，耐油。（图4） 防尘密封主要国内厂家的一些滚刀有这个设计，海瑞克没见到过，所以上图片中没有显 示。就是在刀榖与上下端盖的间隙处，在刀榖内加工环槽，在里面安装密封条与端盖发生小 摩擦以防止岩层粉末进入刀体内。 除单刃滚刀外还有双刃， 3 刃等多种滚刀，即在刀榖上安装多个刀圈，分单个刀榖上安装 2 个刀圈；多个刀榖上安装多个刀圈（多为中心滚刀图5） 以海瑞克17”滚刀出厂标准，刀圈外径为17 英寸，扭矩约24-35n.m ，刀圈HRC55-60（未 做准确测量，凭经验和粗测设备估计和参照国内出厂数据）图 3 图 北京航空航天大学研究生课程考核记录 2010－2011 学年第一学期 学号姓名李梁成绩 课程名称：《高等机械原理》 论文题目：榨汁机工作原理分析 任课教师评语： 任课教师签字：考核日期：年月日 《产品设计与虚拟样机》 课题：榨汁机工作原理分析 姓名：李梁 学号： 班级： 指导教师：郭卫东教授 2011年2月28日 目录 1 榨汁机的工作过程 (4) 2 分析说明 (4) 3 榨汁机总体结构设计 (5) 4 典型机构设计 (6) 5 总结 (7) 参考文献 (7) 榨汁机工作原理分析 中航工业沈阳飞机工业（集团）有限公司李梁 摘要：机械传动已经伴随人们走过了几千年的历史，无论是在生活还是生产方面，它都为人类的发展进程作出了巨大的贡献。为了深入的了解机械传动的发展给人们生活带来的影响，本文阐述了榨汁机的工作原理。 关键字：机械传动榨汁机送果压榨出汁 1.榨汁机的工作过程 送果阶段——压榨阶段——出汁、排渣阶段——复位 2.分析说明 果子被送果机构抛入下榨碗后，上碗开始迅速下降，当上下碗接触后，下降速度变慢，使果子进入以下变化：果子受压变形，果皮含油层破裂出油，同时上碗帽内喷淋环喷出的水将油及时冲走，防止皮油进入果汁。当果子受压达到一定程度后，下刀在底部打出一圆孔，上碗继续下压，将果子内部成份从刚才底部切开的圆孔，通过下刀口压进漏汁管，在压榨接近终结过程中，上刀立即在果子顶部打孔，果皮进入上碗间隙处，这一过程中去芯孔管迅速上移，对漏汁管内的成分进行挤压。压榨结束时，果皮被上切刀切断进入上碗帽，果汁通过漏汁管细孔被压入果汁收集槽，籽核从去芯孔管下方开口出排出，乳装皮油混合物从下碗座流出。榨汁完成后，上碗机构迅速上移，去芯孔管清孔漏汁管，做好下一个压榨准备。 滚刀工作原理分析 盘形滚刀简称盘刀，就是隧道掘进机滚压破岩常用得一种刀具型式,典型得盘刀一般由刀圈、轮毂与轴组成。?盘形滚刀在各类隧道掘进机上使用非常广泛，主要用于全断面岩石隧道掘进机、盾构及顶管设备。过去盘形滚刀主要用于全断面岩石隧道掘进机刀盘破岩,随着隧道及地下工程得快速发展，所遇到地层复杂性逐渐增加,开始在盾构刀盘上使用盘刀(同时布置切刀与滚刀）,形成所谓得复合式盾构,以应对各种软硬不均或富水地层，如砂卵(砾)石地层、风化岩地层及越江、跨海隧道得高水压地层_1］。实践证明,这种盾构对地层具有良好得适应性，大大拓展了盾构得适用范围。国际上现在有研发全能隧道掘进机得趋势， 1盘形滚刀得受力及破岩机复合式盾构应该就是全能隧道掘进机得一种雏型。? 理?每把盘形滚刀在切割岩石得过程中,刀刃与岩石之间都存在３个方向得相互作 用力:(1)法向推压力FN,指向开挖面,由刀盘得推力提供;（２）切向滚动切割力FR，指向滚刀切向，由刀盘转矩提供;（3)滚刀边缘得侧向力ＦIJ,由滚刀对岩石得挤压力与刀盘旋转得离心力所产生，指向刀盘中心,其数值较小,与其它2个力不属于同一数量级,一般不考虑。３个方向得作用力见图1。切向滚动切割力主要取决于推力、切深及滚刀直径。盘刀直径一定,切深越大，所需滚动切割力越大;切深确定时，滚动切割力随盘刀直径得增大而减小。?刀盘工作时，滚刀先与开挖面接触,在推力作用下紧压在岩面上，随着刀盘得旋转，盘形滚刀一方面绕刀盘中心轴公转，同时绕自身轴线自转。盘形滚刀在刀盘得推力与转矩共同作用下，在掌子面上切出一系列同心圆沟槽。刀盘旋转并压人岩石得过程中，盘形滚刀对岩石将产生挤压、剪切、拉裂等综合作用，首先在刀刃下会产生小块破碎体,破碎体在刀刃下被碾压成粉碎体,继而被压密形成密实核,随后密实核将滚刀压力传递给周围岩石,并产生径向裂纹，其中有一条或多条裂纹向刀刃两侧向延伸，到达自由面或与相邻裂纹交汇,形成岩石碎片,整个过程如图2所示。由此形成得岩渣由破碎体、粉碎体及岩石碎片组成，各部分得组成比例取决于岩石性质、刀圈几何尺寸、推压力及刀问距。 图１滚刀受力示意图 ?图2 滚刀破岩原理示意图 2、1 布刀方式分析?盘形滚刀 ２盘形滚刀在刀盘上得布置? 在刀盘上得布置应满足一定得力学与几何学规律，布置时一般应满足:（1）尽可能使滚刀及刀盘受力均匀，使作用在大轴承上得径向载荷为零；(2）使前面得刀具能够为后面得刀具提供破岩临空面，形成前后滚刀顺次破岩,如图3所示。 图3 滚刀顺次破岩原理 因此，盘形滚刀在刀盘上一般按单螺旋线或双螺旋线模式,相邻滚刀按一定相位差布置.如R０bbins型与Jａvａ型掘进机得中心刀都布置在同一直线上；Rｏｂbins型掘进机正刀与边刀都以相邻2把刀为一组呈对称布置(相位角相差180°，相邻2组刀具沿刀盘轴线旋转９0°)；而Ｊａvａ型掘进机正刀与边刀亦以对称布置为原则,但相邻刀具相隔160~～1６5°.?盘形滚刀通常有单刃、双刃及三刃3种形式。盘形滚刀在刀盘上得布置应便于形成顺次破岩，即前一把滚刀先形成较好得切割轨迹及延伸裂纹,后一把滚刀到达时产生得裂纹将终止于前把滚刀形成得裂纹（即裂纹贯通、形成岩片）。由于双刃与三刃滚刀不能较好地满足所有滚刀顺次破岩得要求,且容易产生不均匀磨损，造成刀具受力恶化及刀具浪费，应尽可能选用单刃滚刀，边刀也应采用单刃滚刀.但为了节约刀盘空间，无论盾构还就是掘进机，在刀盘中心大都布置双刃或三刃滚刀。 ２、2 刀间距得确定原则及方法?无论就是采用哪种方式布置刀具,刀间 3.1.1 岩石试件模拟 3.1.2 盘形滚刀模拟 分析流程： 第一阶段 1.在硬岩a中以带入8种滚刀尺寸，掘进速度3m/h,最终贯入量10mm，分三个阶段进行记录：第一个阶段是冲击挤压破碎阶段，（受力激增阶段）（贯入深度5mm） 第二个阶段是大量微裂纹形成阶段，（受力增长阶段）（贯入深度7.5mm） 第三个阶段是主裂纹形成阶段。（受力稳定）（贯入深度10mm）记录的主要内容有a.破岩的面积，裂缝延伸情况， b.滚刀的接触应力 2.在较硬岩b中带入8种滚刀尺寸，掘进速度3m/h,最终贯入量10mm，分三个阶段进行记录：第一个阶段是冲击挤压破碎阶段，（受力激增阶段）（贯入深度5mm） 第二个阶段是大量微裂纹形成阶段，（受力增长阶段）（贯入深度7.5mm） 第三个阶段是主裂纹形成阶段。（受力稳定）（贯入深度10mm）记录的主要内容有a.破岩的面积，裂缝延伸情况， b.滚刀的接触应力 3.在较软岩c中带入8种滚刀尺寸，掘进速度3m/h,最终贯入量10mm，分 三个阶段进行记录：第一个阶段是冲击挤压破碎阶段，（受力激增阶段）（贯入深度5mm） 第二个阶段是大量微裂纹形成阶段，（受力增长阶段）（贯入深度7.5mm） 第三个阶段是主裂纹形成阶段。（受力稳定）（贯入深度10mm）记录的主要内容有a.破岩的面积，裂缝延伸情况， b.滚刀的接触应力 4.在软岩d中带入8种滚刀尺寸，掘进速度3m/h,最终贯入量10mm，分三个阶段进行记录：第一个阶段是冲击挤压破碎阶段，（受力激增阶段）（贯入深度5mm） 第二个阶段是大量微裂纹形成阶段，（受力增长阶段）（贯入深度7.5mm） 第三个阶段是主裂纹形成阶段。（受力稳定）（贯入深度10mm）记录的主要内容有a.破岩的面积，裂缝延伸情况， b.滚刀的接触应力 通过观察破岩面积和受力分析在每种岩石条件下的最佳滚刀尺寸第二阶段 1.在硬岩a中选取第一阶段中获得的硬岩下的最佳滚刀模型，选取滚刀的间距50、60、70mm进行计算（两个滚刀是有先后顺序的，不是同时压入），通过观察两个滚刀的裂纹的情况，分析最佳滚刀间距。 2.在软岩d中选取第一阶段中获得的硬岩下的最佳滚刀模型，选取滚刀的间距70、80、90mm进行计算，通过观察两个滚刀的裂纹的情况，分析最佳滚刀间距。 第三阶段 1.通过第一阶段的计算分析硬岩a的条件下，最佳滚刀尺寸时的应力情况，来计算随着滚刀贯入度的增加，应力的增长情况。然后采用两个滚刀同时压入岩石，在几个贯入度时，观察裂纹的闭合连接情况，取裂缝连通时的贯入度为最优贯入度。 2.通过第一阶段的计算分析软岩d的条件下，最佳滚刀尺寸时的应力情况，来计算随着滚刀贯入度的增加，应力的增长情况。然后采用两个滚刀同时压入岩石，在几个贯入度时，观察裂纹的闭合连接情况，取裂缝连通时的贯入度为最优贯入度。 第四阶段 滚刀齿数2、4、8时，滚刀间距80mm（8齿滚刀：8个单滚刀同时压入岩石，无先后顺序），随便取一种岩石情况，贯入度取10mm，掘进速度取3m/h 分析滚刀接触力，裂缝情况。 微流控芯片五大优点及四大缺点分析 微流控的五大优点（一）集成小型化与自动化微流控技术能够把样本检测的多个步骤集中在一张小小的芯片上，通过流道的尺寸和曲度、微阀门、腔体设计的搭配组合来集成这些操作步康，最终使整个检测集成小型化和自动化。 （二）高通量由于微流控可以设计成为多流道，通过微流道网络可以同时将待检测样本分流到多个反应单位，同时反应单元之间相互隔离，使各个反应互不相干扰，因此可以根据需要对同一个样本平行进行多个项目的检测。与常规逐个项目检测相比，大大缩短了检测的时间，提高了检测效率，具有高通量的特点。 （三）检测试剂消耗少由于集成检测的小型化，使微流控芯片上的反应单元腔体非常小，虽然试剂配方的浓度可能有一定比例的提高，但是试剂使用量远远低于常规试剂，大大降低了试剂的消耗量。 （四）样本量需求少由于只在小小的芯片上完成检测，因此需要被检测的样本量需求非常少，往往只需要微升甚至纳升级别。此外还可以直接用全血进行检测，对于婴儿、老人、残疾人这些血量少、静脉采集困难的人群，使其检测更加方便;或者是非常珍贵稀少的样本，使其多项指标检测成为可能。 （五）污染少由于微流控芯片的集成功能，原先在实验室里需要人工完成的各项操作全部集成到芯片上自动完成，使人工操作时样本对环境的污染降低到最低程度。例如在分子核酸类检测中，无论是样本本身，还是制备后准备用于检测的核酸，均会对实验室造成污染，气溶胶的扩散使得后续样本检测容易出现假阳性。这也是为什么常规分子核酸类检测需要至少在3个房间分别进行不同的操作。微流控技术的使用很好的解决了这一问题。 正因为微流控具有以上几个重要的优势和优点，使其成为了POCT的首选。而我们判断这类产品在市场上有没有需求和竞争力，可以从这几个方面上进行判断。 微流控的四大缺点（一）核心技术缺乏规范和标准一个成熟的微流控产品，往往需要配套使用的试剂，核心的微流控芯片，芯片驱动平台，光电检测模块，信号处理模块以及人机 微流控芯片加工技术解析 微流控芯片的发展微全分析系统的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy 公司的Manz与Widmer提出的，当时主要强调了分析系统的微与全，及微管道网络的MEMS加工方法，而并未明确其外型特征。次年Manz等即在平板微芯片上实现了毛细管电泳与流动。微型全分析系统当前的发展前沿。微流控分析系统从以毛细管电泳分离为核心分析技术发展到液液萃取、过滤、无膜扩散等多种分离手段。其中多相层流分离微流控系统结构简单，有多种分离功能，具有广泛的应用前景。已有多篇文献报道采用多相层流技术实现芯片上对试样的无膜过滤、无膜参析和萃取分离。同时也有采用微加工有膜微渗析器完成质谱分析前试样前处理操作的报道。流控分析系统从以电渗流为主要液流驱动手段发展到流体动力气压、重動、离心力、剪切力等多种手段。 直至今日，各国科学家在这一领域做出更加显著地成绩。微流控技术作为当前分析科学的重要发展前沿，在研究与应用方面都取得了飞速的发展。 微流控芯片的原理微流控芯片采用类似半导体的微机电加工技术在芯片上构建微流路系统，将实验与分析过程转载到由彼此联系的路径和液相小室组成的芯片结构上，加载生物样品和反应液后，采用微机械泵。电水力泵和电渗流等方法驱动芯片中缓冲液的流动，形成微流路，于芯片上进行一种或连续多种的反应。激光诱导荧光、电化学和化学等多种检测系统以及与质谱等分析手段结合的很多检测手段已经被用在微流控芯片中，对样品进行快速、准确和高通量分析。微流控芯片的最大特点是在一个芯片上可以形成多功能集成体系和数目众多的复合体系的微全分析系统？微型反应器是芯片实验室中常用的用于生物化学反应的结构，如毛细管电泳、聚合酶链反应、酶反应和DNA 杂交反应的微型反应器等。其中电压驱动的毛细管电泳（Capillary Electrophoresis ，CE）比较容易在微流控芯片上实现，因而成为其中发展最快的技术。它是在芯片上蚀刻毛细管通道，在电渗流的作用下样品液在通道中泳动，完成对样品的检测分析，如果在芯片上构建毛细管阵列，可在数分钟内完成对数百种样品的平行分析。自1992 年微流控芯片CE 首次报道以来，进展很快？首台商品仪器是微流控芯片CE （生化分析仪，Aglient），可提供用于核酸及 滚齿加工原理 图8-69a为滚齿加工的工作原理。滚齿时切削齿坯的刀具为滚刀，由于滚刀的螺旋升角较大，所以外形象一个蜗杆，滚刀在垂直于螺旋槽方向开槽，形成若干切削刃，其法向剖面具有齿条形状。因此当滚刀连续旋转时，刀齿可视为一个无限长的齿条的移动，如图8-69b。同时刀齿由上而下的进行切削，保持齿条（滚刀）和齿坯之间的啮合关系，滚刀就可在齿坯上加工出渐开线齿形，图8-69c。 滚齿加工的精度一般为8～7级，表面粗糙度Ra为3.2～1.6μm。 滚齿加工是在滚齿机上进行的，图8-70为滚齿机外形图。滚刀安装在刀架上的滚刀杆上，刀架可沿着立柱垂直导轨上下移动。工件则安装在心轴上。 滚齿时滚齿机必须有以下几个运动： 1．切削运动（主运动）即滚刀的旋转运动，其切削速度由变速齿轮的传动比决定。 2．分齿运动 即工件的旋转运动，其运动的速度必须和滚刀的旋转速度保持齿轮与齿条的啮合关系。其运动关系由分齿挂轮的传动比来实现。对于单线滚刀，当滚刀每转一转时，齿坯需转过一个齿的分度角度，即1/z 转（z 为被加工3．垂直进给运动 即滚刀沿工件轴线自上而下的垂直移动，这是保证切出整个齿宽所必须的运动，由进给挂轮的传动比再通过与滚刀架相连接的丝杆螺母来实现。 齿轮的齿数）。 在滚齿时，必须保持滚刀刀齿的运动方向与被切齿轮的齿向一致，然而由于滚刀刀齿排列在一条螺旋线上，刀齿的方向与滚刀轴线并不垂直。所以，必须把刀架扳转一个角度使之与齿轮的齿向协调。滚切直齿轮时，扳转的角度就是滚刀的螺旋升角。滚切斜齿轮时，还要根据斜齿轮的螺旋方向，以及螺旋角的大小来决定扳转角度的大小及扳转方向。 齿轮滚刀是一种专用刀具，每把滚刀可以加工在滚齿机上除加工直齿、斜齿外圆柱齿轮外，也可以模数相同而齿数不等的各种大小不同的直齿或斜齿渐开线外圆柱齿轮。 加工蜗轮、链轮。但不能加工 内齿轮。对于加工双联齿轮和三联齿轮它也受到许多限制。 滚齿加工的原理及滚齿加工润滑油的选择 1．滚齿加工原理 滚齿加工是按照展成法的原理来加工齿轮的。用滚刀来加工齿轮相当于一对交错轴的螺旋齿轮啮合。在这对啮合的齿轮副中，一个齿数很少、只有一个或几个，螺旋角很大，就演变成了一个蜗杆状齿轮，为了形成切削刃，在该齿轮垂直于螺旋线的方向上开出容屑槽，磨前、后刀面，形成切削刃和前、后角，于是就变成了滚刀。滚刀与齿坯按啮合传动关系作相对运动，在齿坯上切出齿槽，形成了渐开线齿面，如图1a 所示。在滚切过程中，分布在螺旋线上的滚 微流控芯片的加工方法 MEMS技术是u-TAS发展的基础，也是微流控芯片加工中最广泛采用的方法。MEMS加工技术包括了常规平面工艺中的光刻、氧化、扩散、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)生长、镀膜、压焊等，又增加了三维体加工工艺，如双面光刻、各向异性和各向同性化学腐蚀、等离子或离子束深刻蚀、LIGA技术、硅—硅键合、硅—玻璃键合等。 目前，国际上应用较为广泛的MEMS制造技术有牺牲层硅工艺、体微切削加工技术和LIGA工艺等，新的微型机械加工方法还在不断涌现，这些方法包括多晶硅的熔炼和声激光刻蚀等。结合微流控芯片的具体功能要求与芯片选用的材料特性，微流控芯片的加工工艺在MEMS加工工艺基础上有所发展，主要包括光刻和蚀刻等常规工艺，以及模塑法、软光刻、激光切蚀法、LIGA技术等特殊工艺。 1、硅质材料加工工艺 在硅材料的加工中，光刻(lithography)和湿法刻蚀(wetetching)技术是2种常规工艺。由于硅材料具有良好的光洁度和很成熟的加工工艺，主要用于加工微泵、微阀等液流驱动和控制器件，或者在热压法和模塑法中作为高分子聚合物材料加工的阳模。光刻是用光胶、掩模和紫外光进行微制造。光刻和湿法蚀刻技术通常由薄膜沉淀、光刻、刻蚀3个工序组成。 首先在基片上覆盖一层薄膜，在薄膜表面用甩胶机均匀地附上一层光胶。然后将掩模上的图像转移到光胶层上，此步骤为光刻。再将光刻上的图像，转移到薄膜，并在基片上加工一定深度的微结构，此步骤完成了蚀刻。 在石英和玻璃的加工中，常常利用不同化学方法对其表面改性，然后可以使用光刻和蚀刻技术将微通道等微结构加工在上面。玻璃材料的加工步骤与硅材料加工稍有差异，主要步骤有：1)在玻璃基片表面镀一层Cr，再用甩胶机均匀的覆盖一层光胶；2)利用光刻掩模遮挡，用紫外光照射，光胶发生化学反应；3)用显影法去掉已曝光的光胶，用化学腐蚀的方法在铬层上腐蚀出与掩模上平面二维图形一致的图案；4)用适当的刻蚀剂在基片上刻蚀通道；5)刻蚀结束后，除去光胶和牺牲层，打孔后和玻璃盖片键合。标准光刻和湿法刻蚀需要昂贵的仪器和超净的工作环境，无法实现快速批量生产， 2、高聚物材料加工工艺 以高聚物材料为基片加工微流控芯片的方法主要有：模塑法、热压法、LIGA技术、激光刻蚀法和软光刻等。模塑法是先利用光刻和蚀刻的方法制作出通道部分突起的阳模，然后在阳模上浇注液体的高分子材料，将固化后的高分子材料与阳模剥离后就得到了具有微结构的基片，之后与盖片(多为玻璃)封接后就制得高聚物微流控芯片。这一方法简单易行，不需要高技术设备，是大量生产廉价芯片的方法。热压法也需要事先获得适当的阳模。热压法的具体步骤为：在热压装置中将高聚物基片与阳模紧贴在一起，当基片加热到软化温度后，对阳模施加压力，可在基片上印制出相应的微结构，将阳模和基片一起冷却后脱模，就得到所需的微结构。此法比较适用于PMMA和PC等聚合物材料。LIGA技术适合高深宽比的聚合物芯片的制作，其加工流程是由X光深层光刻，微电铸和微复制3个环节构成。X光深层光刻可以在光胶中得到高深宽比的微通道；微电铸是在显影后的光胶图像间隙(微通道)中沉积金属，去掉光胶后得到所需微通道的阳模；微复制是在阳模上通过复制模塑方法在高聚物材料上形成所需的微通道结构。除了可制作较大高宽比的结构，与其它微细加工方法相比，LIGA技术还具有应用材料广泛，可以是金属、陶瓷、聚合物、玻璃等；可制作任意截面形状图形结构，加工精度高，可重复复制，符合工业上大批量生产要求，制造成本相对较低。激光刻蚀法是一种不同于以往方法的新加工方法，它可直接根据计算机CAD数据在金属、塑料等材料上加工微结构，是一种非接触式的加工手段。它利用紫外激光使高分子材料曝光，把二维图形复制下来，通过控制曝光的强度控制材料的刻蚀深度，最终用压力吹去降解产物，得到有通道的微流控基片，该方法加工简便快捷，但是对技术设备要求较高 3、软光刻加工工艺 滚刀工作原理分析 盘形滚刀简称盘刀，是隧道掘进机滚压破岩常用的一种刀具型式，典型的盘刀一般由刀圈、轮毂和轴组成。 盘形滚刀在各类隧道掘进机上使用非常广泛，主要用于全断面岩石隧道掘进机、盾构及顶管设备。过去盘形滚刀主要用于全断面岩石隧道掘进机刀盘破岩，随着隧道及地下工程的快速发展，所遇到地层复杂性逐渐增加，开始在盾构刀盘上使用盘刀(同时布置切刀和滚刀)，形成所谓的复合式盾构，以应对各种软硬不均或富水地层，如砂卵(砾)石地层、风化岩地层及越江、跨海隧道的高水压地层_1]。实践证明，这种盾构对地层具有良好的适应性，大大拓展了盾构的适用范围。国际上现在有研发全能隧道掘进机的趋势，复合式盾构应该是全能隧道掘进机的一种雏型。 1 盘形滚刀的受力及破岩机理 每把盘形滚刀在切割岩石的过程中，刀刃与岩石之间都存在3个方向的相互作用力：(1)法向推压力FN，指向开挖面，由刀盘的推力提供；(2)切向滚动切割力FR，指向滚刀切向，由刀盘转矩提供；(3)滚刀边缘的侧向力FIJ，由滚刀对岩石的挤压力和刀盘旋转的离心力所产生，指向刀盘中心，其数值较小，与其它2个力不属于同一数量级，一般不考虑。3个方向的作用力见图1。切向滚动切割力主要取决于推力、切深及滚刀直径。盘刀直径一定，切深越大，所需滚动切割力越大；切深确定时，滚动切割力随盘刀直径的增大而减小。 刀盘工作时，滚刀先与开挖面接触，在推力作用下紧压在岩面上，随着刀盘的旋转，盘形滚刀一方面绕刀盘中心轴公转，同时绕自身轴线自转。盘形滚刀在刀盘的推力和转矩共同作用下，在掌子面上切出一系列同心圆沟槽。刀盘旋转并压人岩石的过程中，盘形滚刀对岩石将产生挤压、剪切、拉裂等综合作用，首先在刀刃下会产生小块破碎体，破碎体在刀刃下被碾压成粉碎体，继而被压密形成密实核，随后密实核将滚刀压力传递给周围岩石，并产生径向裂纹，其中有一条或多条裂纹向刀刃两侧向延伸，到达自由面或与相邻裂纹交汇，形成岩石碎片，整个过程如图2所示。由此形成的岩渣由破碎体、粉碎体及岩石碎片组成，各部分的组成比例取决于岩石性质、刀圈几何尺寸、推压力及刀问距。 TBM盘形滚刀应用于隧道工程中的工作原理 摘要：盘形滚刀在各类隧道掘进机上使用非常广泛，主要用于全断面岩石隧道掘进机、盾构及顶管设备。过去盘形滚刀主要用于全断面岩石隧道掘进机刀盘破岩，随着隧道及地下工程的快速发展，所遇到地层复杂性逐渐增加，开始在盾构刀盘上使用盘刀(同时布置切刀和滚刀)，形成所谓的复合式盾构，以应对各种软硬不均或富水地层，如砂卵(砾)石地层、风化岩地层及越江、跨海隧道的高水压地层。实践证明，这种盾构对地层具有良好的适应性，大大拓展了盾构的适用范围。国际上现在有研发全能隧道掘进机的趋势，复合式盾构应该是全能隧道掘进机的一种雏型。本文对盘形滚刀进行了较系统的分析和总结。 关键词：盘形滚刀；西秦岭隧道；tbm刀盘 abstract：in the past,convolute hob is mainly used in making cutter of the trigonal tunnel grab when cutting rock. now,convolute hob is widely equipped in all kinds of tunnel grab,such as trigonal tunnel grab,shield and pipe-jacking fixture. with the development of tunnel and underground project,shield-cutter equipped with circular knife,comes into being the compound shield,which helps to cut kinds of ground with much water,such as grit ground,airslaked ground and high hydraulic pressure tunnel.to be proved,this shield suits the stratum excellently,so that the application of 微流控芯片的前景简介 微流控技术从最近十几年来就一直带有很多明星光环，比如2006年7月，Nature杂志将微流控技术称为“这一世纪的技术”，在2004年美国Business 2.0杂志封面文章称其是“改变未来的其中新技术之一”。所以焜哥有理由相信，微流控技术将会是21世纪具有革命性的一项科学技术。 据某证券投资公司的行业报告称：微流控芯片产业的产值在2015年为28亿美元，到2018年市场规模将达到58亿美元，年复合增长率（CAGR）超过了27%。这么高的复合增长率，让焜哥看得真是鸡血沸腾啊。。。 （微流控即时诊断市场预测，法国市场研究机构Yole Development提供的数据，转载自互联网） 微流控作为一项革命性的技术，可以应用的领域非常多，比如目前应用最为广泛的医疗诊断领域，食品安全领域，环境监测领域等。下图简单总结了几个微流控可以大展身手的领域。 即时检验（Point-Of-Care-Testing，POCT）是体外诊断（IVD）行业的一个新兴细分行业，也是目前微流控应用最为市场化的一个行业，国外有很多公司已经开发出了快速，安全，准确度高的微流控芯片，这些芯片功能齐全，形状多样。如下图为几种成功的微流控技术与POCT结合的应用场景。 POCT的快速发展离不开检验技术的不断升级，更新，截止目前为止，POCT从初期的干化学，免疫层析技术已经发展到了目前的传感器技术，生物芯片技术，以及代表未来技术潮流的微流控芯片技术等，这些技术的发展遵循的路线可以大体上分为：（按照样本与试剂接触媒介的不同）“Tube，Chip，Paper”三个阶段。从下图可以看出微流控技术在POCT中所占据的技术地位。 破壁料理机 破壁料理机[1-3]集合了、、冰激凌机、、研磨机等产品功能，完全达到一机多用功能，可以瞬间击破食物，释放植物生化素的机器。 简介 破壁料理机[1-3]是在传统榨汁机、原汁机、料理机的基础上发展起来的，属最新第四代果汁机，集打果汁、冰沙、现磨豆浆、五谷粉等于一体。由于超高转速（45000转/分以上）能瞬间击破疏果的细胞壁，有效地萃取植物生化素，从而获得破壁料理机的美名，是现代居家保健、养生首选家电产品。而最新一代的果汁机在则是集加热和搅拌于一体的更多功能的破壁料理机，不仅可以做、，还可以加热做、、药材汤、粥品等。采用低转速破壁，增强扭力的技术。不仅避免了蔬果高速击打营养容易和分解的缺点，而且效果更佳，打出的蔬果汁如丝般细腻。[ 发展历史 第一代果汁机：榨汁机是一种可以将蔬果快速榨成果蔬汁的机器。它早在1930年由诺蔓·沃克博士（Dr. Norman Walker ）发明 工作原理：是采用电机带动旋刀高速旋转,通过离心力从汁渣混合物中分离出果汁，是单螺旋设计。 主要特点：转速每分钟约5000-20000转，出汁率低大约只有50%，疏果浪费多，果汁易变色，口感差，零部件多，清洗麻烦。 第二代果汁机：原汁机是在榨汁机的基础上发展起来的，其主要工作目的都是将水果变成果汁，以提高口感和方便饮用 工作原理：低转速螺旋榨压方式，汁渣分离的形式结构，是双螺旋设计。 主要特点：每分钟60转，低速榨汁，原汁机的出汁率可达75%以上，分离式结构，渣汁分离，连续提取，出汁质量高，零部件多，清洗麻烦。 第三代果汁机：料理机是在全食物全营养理念发展而来的集打果汁、豆浆、冰沙等于一体的机型 工作原理：采用容杯和主机分式设计，通过高速旋转刀片将容杯的疏果打碎，从而释放蕴涵在疏果中的水分。 主要特点：转速每分钟约20000-40000转、4叶锋利刀片，打出疏果汁口感不够细腻，破壁率约在50-65%，清洗简单。 第四代果汁机：破壁料理机是在料理机的基础上发展而来的，继承了料理机的设计结构以及主要功能，由于转速更高，打出的豆浆、疏果汁更细腻、口感。 目录 1 概述 (1) 1.1 研究目的及意义 (1) 1.2 国内外技术发展状况 (1) 1.3 主要研究内容 (2) 2 技术任务书 (2) 2.1 产品设计依据及设计要求 (2) 2.2 主要结构概述 (2) 2.3 工作原理 (2) 2.4 技术经济分析 (3) 3 设计计算说明书 (3) 3.1 结构方案分析 (3) 3.2 离心式榨汁机的基本结构 (4) 3.3 离心式榨汁机的工作原理 (5) 3.4 总体设计要点 (5) 4 电机的选择 (5) 4.1 电动机的选择要求 (5) 4.2 电动机类型的选择 (6) 4.3 电动机额定功率的确定 (7) 5 榨汁部件的设计 (8) 6 榨汁机壳体的设计 (10) 6.1 榨汁机壳体材料的选择 (10) 6.2 榨汁机壳体的设计 (11) 7 榨汁机的使用说明书 (16) 7.1 安装说明 (16) 7.2 使用说明 (16) 7.3 安全警告事项说明 (17) 7.4 清洁、保养说明 (17) 7.5 易发故障处理说明 (18) 7.6 技术参数 (19) 结论 (20) 致谢 (21) 参考文献 (22) 毕业设计说明书中文摘要 2 离心式榨汁机的机械设计 摘要随着科学技术的不断发展，农业机械化技术也发展到了一个新的水平；随着 农业机械化技术的发展和人们生活水平的提高，水果榨汁机的改进成为目前消费者 关心的热点问题。本文介绍了榨汁机的研究意义、榨汁机的研究现状，分析了榨汁 机的发展前景，详细讲述了离心式榨汁机的工作原理。这次和同组人员一起设计的 离心式榨汁机能够更独特地更好地满足消费者的意愿，本着简单、方便、实用为原 则一切从消费者的利益出发。而且，该榨汁机祛除了以前榨汁机出汁率底、果汁不 清的弊端。单相串激式电动机充分体现了自动化、高效化、小型化、简单化、环保 化等特点。 最后，我相信我们所设计的这台集专业化、智能化，自动化、，高效化、小 型化、简单化、环保化、安全性为一体的榨汁机能够早日走进消费者的家庭。 关键词离心式榨汁机、电机选配、壳体设计、榨汁部件设计 毕业设计说明书外文摘要 目录 榨汁机的分析报告 (2) 一、榨汁机的应用现状、 (2) 1．发展历程 (2) 2．国内外技术现状 (2) 3．国内外技术差异 (3) 二、榨汁机的结构原理 (4) 三、榨汁机马达的控制方案 (5) 1、Fairchild高效无刷直流电机控制设计方案 (6) 2、Magnachip 的Power Module 的马达控制应用 (6) 3、Samsung N429 MCU (Cortex M0) 通用电机控制 (6) 4、ST 的80W直流无刷电机控制板方案 (6) 5、ST 的三相高压变频器电路电源板解决方案 (7) 6、TI 的InstaSpin系列马达控制方案 (7) 7、TE 小家电马达堵转保护方案 (7) 四、结论 (8) 榨汁机的分析报告 一、榨汁机的应用现状、 1．发展历程 2006年3月10日起至3月22日，在重庆中国三峡博物馆举办的“明居木香———中国明清古典家具展”上，共展出了总价值达2000多万元的600多件明清古典家具，其中，一个特别的“家具”吸引了大家的目光，这就是一台榨汁机。 看来，吃水果用榨汁机来榨取果汁食用，并不是现代人的专利，早在明代以前，中国古人就已懂得这种方法。一个长约20厘米的小方凳，把水果放在上面，将其上的木板压下，压出的水果汁会顺槽流下，设计巧妙、独具匠心。它的出现，也充分说明了古人对生活质量的重视。 2．国内外技术现状 《中国榨汁机行业发展现状及市场竞争格局研究报告》系列是榨汁机领域专业和全面的深度研究报告。本报告重点着眼于中国国内市场，全面客观的反映目前中国榨汁机行业的现状，把脉中国榨汁机行业发展的脉搏。报告全面介绍了中国榨汁机供、销、需现状及未来走势，同时对多家业内代表性企业进行详细梯度分析，重点介绍了各公司的产能、产量、成本、价格、利润、负债及技术设备和扩产情况，同时对榨汁机市场供需变化及企业发展策略进行了分析阐述，并对中国榨汁机行业发展走势进行全面分析和介绍，对整个榨汁机行业的过去、现在和未来进行了全面的分析和总结。报告可根据不同的客户需求，分别对榨汁机行业的市场投资前景及风险评估，行业发展及市场竞争现状，行业未来发展趋势的预测进行深度剖析。总体而言，这份在全球榨汁机产业市场不断发展变化的背景下发布的专向行业研究报告，力求客观公正及数据详实的方式对榨汁机行业的发展走势进行了分析阐述，方便客户为榨汁机行业发展规划和投资决策进行参考。 [训练]榨汁机工作原理分析 北京航空航天大学研究生课程考核记录 2010,2011 学年第一学期 学号姓名李梁成绩 课程名称:《高等机械原理》 论文题目:榨汁机工作原理分析 任课教师评语: 任课教师签字: 考核日期: 年月日 《产品设计与虚拟样机》 课题: 榨汁机工作原理分析 姓名: 李梁 学号: 班级: 指导教师: 郭卫东教授 2011年2月28日 目录 1 榨汁机的工作过程 (4) 2 分析说明 (4) 3 榨汁机总体结构设计 (5) 4 典型机构设 计 (6) 5 总结...................................................................... .. 7 参考文献 (7) 榨汁机工作原理分析 中航工业沈阳飞机工业(集团)有限公司李梁摘要:机械传动已经伴随人们走过了几千年的历史，无论是在生活还是生产方面，它都为人类的发展进程作出了巨大的贡献。为了深入的了解机械传动的发展给人们生活带来的影响，本文阐述了榨汁机的工作原理。 关键字:机械传动榨汁机送果压榨出汁 1.榨汁机的工作过程 送果阶段——压榨阶段——出汁、排渣阶段——复位 2.分析说明 果子被送果机构抛入下榨碗后，上碗开始迅速下降，当上下碗接触后，下降速度变慢，使果子进入以下变化:果子受压变形，果皮含油层破裂出油，同时上碗帽内喷淋环喷出的水将油及时冲走，防止皮油进入果汁。当果子受压达到一定程度后，下刀在底部打出一圆孔，上碗继续下压，将果子内部成份从刚才底部切开的圆孔，通过下刀口压进漏汁管，在压榨接近终结过程中，上刀立即在果子顶部打孔，果皮进入上碗间隙处，这一过程中去芯孔管迅速上移，对漏汁管内的成分进行挤压。压榨结束时，果皮被上切刀切断进入上碗帽，果汁通过漏汁管细孔被压入果汁收集槽，籽核从去芯孔管下方开口出排出，乳装皮油混合物从下碗座流出。榨汁完成后，上碗机构迅速上移，去芯孔管清孔漏汁管，做好下一个压榨准备。滚齿加工工作原理
微流控芯片分析法
微流控芯片的发展及制造工艺介绍
榨汁机原型分析报告(优)
盾构滚刀简介
榨汁机工作原理分析
滚刀工作原理分析
滚刀分析计算流程
微流控芯片五大优点及四大缺点分析
微流控芯片加工技术解析
滚齿加工工作原理
微流控芯片的加工方法
滚刀工作原理分析
TBM盘形滚刀应用于隧道工程中的工作原理
微流控芯片的前景分析
破壁机的原理结构
709 离心式水果榨汁机设计
榨汁机的分析报告
[训练]榨汁机工作原理分析