常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220
TO-252
TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚
注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补
封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)
SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330
SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330
SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230
SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
TO-220N型06N60 5.5600750
MOS管应用电路设计
本文来自:https://www.wendangku.net/doc/2910584855.html,原文网址：https://www.wendangku.net/doc/2910584855.html,/sch/jcdl/0084942.html
MOS管应用电路设计
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
现在的MOS驱动，有几个特别的需求，
1，低压应用
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。
同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合
本文来自:https://www.wendangku.net/doc/2910584855.html,原文网址：https://www.wendangku.net/doc/2910584855.html,/sch/jcdl/0084942.html
2，宽电压应用
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
3，双电压应用
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高电压采用共地方式连接。
这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压同样会面对1和2中提到的问题。
在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含
图1用于NMOS的驱动电路
图2用于PMOS的驱动电路这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：
压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
这个电路提供了如下的特性：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3，gate电压的峰值限制
4，输入和输出的电流限制
5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换展主要趋势有：（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。（2）低输出电压技术：随着半导不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低应微处理器和便携式电子设备的要求。
这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先，随着开关频率的不断提高，对性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压2.5～3.6V 芯片的工作电压较低。
MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管但是由于MOS管的寄生电容大，一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。
在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压升压型DC－DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验压1.5V，负载电容为60pF时，工作频率能够达到5MHz以上。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
2常用场效应管的脚位图
1使用注意事项
对于P沟道mos管，VDS=-6V,VGS=-4.5V，ID=- 2.8A
也就是栅极低于源极电压时开始导通。
相反对于N沟道mos管，VDS=6V,VGS= 4.5V，ID=2.8A
也就是栅极高于源极电压时开始导通。
容易出现的错误
大家注意到无论是N还是P mos管在D--->
S之间都有二极管，此二极管起保护作用。
———————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————型号材料管脚用途参数
3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W
4405/R9524
2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36
2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W
2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5
2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15
2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3
2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035
2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18
2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB
2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB
2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB
2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB
2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W
2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB
2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W
2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6
2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7
2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5
2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15
2SK447NMOS SDG高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511NMOS SDG高速功放开关250V0.3A8W5.0
2SK534NMOS GDS高速开关800V5A100W4.0
2SK539NMOS GDS开关900V5A150W2.5
2SK560NMOS GDS高速开关500V15A100W0.4
2SK623NMOS GDS高速开关250V20A120W0.15
2SK727NMOS GDS电源开关900V5A125W110/420nS2.5
2SK734NMOS GDS电源开关450V15A150W160/250nS0.52
2SK785NMOS GDS电源开关500V20A150W105/240nS0.4
2SK787NMOS GDS高速开关900V8A150W95/240nS1.6
2SK790NMOS GDS高速功放开关500V15A150W0.4可驱电机2SK791NMOS GDS电源功放开关850V3A100W4.5可驱电机2SK794NMOS GDS电源开关900V5A150W2.5可驱电机
2SK817NMOS GDS电源开关60V26A35W40/230nS0.055
2SK832NMOS GDS高速开关900V4A85W55/100nS4.0
2SK899NMOS GDS功放开关500V18A125W130/440nS0.33
2SK962NMOS GDS电源开关900V8A150W280/460nS2.0
2SK940NMOS SDG激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007NMOS GDS功放开关450V5A60W60/130nS1.6
2SK1010NMOS GDS高速开关500V6A80W70/130nS1.6
2SK1011NMOS GDS高速开关450V10A100W110/240nS0.65
2SK1012NMOS GDS高速开关500V10A100W110/240nS0.9
2SK1060NMOS GDS功放开关100V5A20W50/140nS0.27
2SK1081NMOS GDS激励,驱动800V7A125W145/250nS2.2
2SK1082NMOS GDS激励,驱动900V8A125W145/250nS2.8
2SK1094NMOS GDS激励,驱动60V15A25W80/300nS0.065
2SK1101NMOS GDS功放开关450V10A50W165/360nS0.65
2SK1117NMOS GDS电源开关600V6A100W1.25
2SK1118NMOS GDS电源开关600V6A45W65/105nSD1.25
2SK1119NMOS GDS电源开关1000V4A100W3.8
2SK1120NMOS GDS电源开关1000V8A150W1.8
2SK1161NMOS GDS电源开关450V10A100W75/135nS0.8
2SK1170NMOS GDS电源开关500V20A120W147/290nS0.27
2SK1180NMOS GDS投影机用500V10A85W60/40nS0.6
2SK1195NMOS GDS电梯用230V1.5A10W37/100nS
2SK1198NMOS GDS高速开关700V2A35W20/80nS3.2
2SK1217NMOS GDS电源开关90V8A100W280/460nS2.0
2SK1221NMOS GDS电源开关250V10A80W60/150nS0.4
2SK1247NMOS GDS电源开关500V5A30W50/90nS1.4
2SK1250NMOS GDS开关-感性500V20A150W130/260nS0.35
2SK1254NMOS GDS低噪放大120V3A20W25/195nS0.4
2SK1271NMOS GDS功放开关1400V5A240W55/260nS4.0
2SK1272NMOS GDS高速开关60V1A0.75W50/500nS0.65
2SK1329NMOS GDS电源开关500V12A60W90/180nS0.6
2SK1358NMOS GDS电源开关900V9A150W65/120nS1.4
2SK1374NMOS贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US50
2SK1379NMOS GDS激励,开关60V50A150W78/640nS0.017
2SK1387NMOS GDS激励,开关60V35A40W66/500nS0.035
2SK1388NMOS GDS激励,开关30V35A60W125/480nS0.022
2SK1419NMOS GDS高速开关60V15A25W55/150nS0.08
2SK1445NMOS GDS高速开关450V5A30W45/175nS1.4
2SK1459NMOS GDS高速开关900V2.5A30W40/160nS6.0
2SK1460NMOS GDS高速开关900V3.5A40W50/265nS3.6
2SK1463NMOS GDS高速开关900V4.5A60W50/265nS3.6
2SK1482NMOS GDS开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507NMOS GDS高速开关600V9A50W110/240nS1.0
2SK1535NMOS GDS通用900V3A30W45/110nS5.0
2SK1537NMOS GDS通用900V5A100W65/145nS3.0
2SK1681NMOS GDS电源开关500V30A300W180/320nS0.35
2SK1745NMOS GDS激励,开关500V18A150W120/210nS0.36
2SK1794NMOS GDS电源激励开关900V6A100W50/105nS2.8
2SK1796NMOS GDS功放开关900V10A150W90/230nS1.2
2SK1850NMOS GDS开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916NMOS GDS开关电源用450V18A80W170/33nS0.45
2SK1937NMOS GDS开关UPS用500V15A125W100/230nS0.48
2SK1985NMOS GDS开关UPS用900V5A50W35/105nS2.8
2SK2039NMOS GDS电源开关900V5A150W70/210nS2.5
2SK2040NMOS GDS电源开关600V2A20W11/45nS5
2SK2082NMOS GDS开关UPS用900V9A150W85/210nS1.40
2SK2101NMOS GDS电源开关800V6A50W50/130nS2.1
2SK2141NMOS GDS传动驱动600V6A35W30/880nS1.1
2SK2147NMOS GDS开关UPS用900V6A80W145/250nS2.8
2SK2161NMOS SDG高速开关200V9A25W27/255nS0.45
2SK2189NMOS GDS高速开关500V10A70W70/400nS1.0
2SK2485NMOS GDS监视器用电源900V6A100W30/85nS 2.80 2SK2487NMOS GDS监视器用电源900V8A140W50/153nS1.1
2SK2611NMOS GDS监视器用电源900V9A150W
2SK2645NMOS GDS监视器用电源500V15A125W
2SK4847NMOS GDS电源开关100V36125W0.08
3SK103NMOS gGDS高频放大15V0.02A0.2W900MHz
3SK122NMOS gGDS高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB
BS170NMOS60V0.3A0.63W12/12nS5.0
BUZ11A NMOS GDS开关50V25A75W60/110nS0.055
BUZ20NMOS GDS功放开关100V12A75W75/80nS
FS3KM NMOS GDS高速开关500V3A30W23/60nS4.4
FS5KM NMOS GDS高速开关900V3A53W50/190nS4.
FS7KM NMOS GDS高速开关900V5A50W35/105nS2.8
FS10KM NMOS GDS高速开关
FS12KM NMOS GDS高速开关250V12A35W53/120nS0.40
FS7SM-16NMOS GDS高速开关800V7A150W1.6
H120N60NMOS GDS开关600V120A
IRF130(铁)NMOS GDS功放开关100V14A79W75/45nS0.16
IRF230(铁)NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4
IRF250(铁)NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4
IRF541NMOS GDS功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610NMOS GDS功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5
IRF630NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4
IRF640NMOS GDS功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720NMOS GDS功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8
IRF730NMOS GDS功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0
IRF740NMOS GDS功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830NMOS GDS功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5
IRF840NMOS GDS功放开关500V8A125W35/33nS0.85
IRF9530PMOS GDS功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531PMOS GDS功放开关60V12A75W140/140S0.3
IRF9541PMOS GDS功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610PMOS GDS功放开关200V1A20W25/15nS2.3
IRF9630PMOS GDS功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630PMOS GDS功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20NMOS GDS功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30NMOS GDS功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40NMOS GDS功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30NMOS GDS功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120NMOS功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3
IRFD123NMOS功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3
IRFI730NMOS GDS功放开关400V4A32W1.0
IRFI744NMOS GDS功放开关400V4A32W1.0
IRFP054NMOS GDS功放开关60V65A180W0.022
IRFP140NMOS GDS功放开关100V29150W0.85
IRFP150NMOS GDS功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240NMOS GDS功放开关200V19A150W0.18
IRFP250NMOS GDS功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340NMOS GDS功放开关400V10A150W0.55
IRFP350NMOS GDS功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353NMOS GDS功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360NMOS GDS功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440NMOS GDS功放开关500V8.1A150W0.85
IRFP450NMOS GDS功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460NMOS GDS功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140PMOS GDS功放开关100V19A150W100/70nS0.2
IRFU020NMOS GDS功放开关50V15A42W83/39nS0.1
IXGH20N60ANMOS GDS600V20A150W
IXGFH26N50NMOS GDS500V26A300W0.3
IXGH30N60ANMOS GDS600V30A200W
IXGH60N60ANMOS GDS600V60A250W
IXTP2P50PMOS GDS功放开关500V2A75W5.5代J117
J177PMOS SDG开关30V1.5mA0.35W
M75N06NMOS GDS音频功放开关60V75A120W
MTH8N100NMOS GDS功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80NMOS GDS功放开关800V10A150W
MTM30N50NMOS功放开关(铁)500V30A250W
MTM55N10NMOS GDS功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10NMOS GDS功放开关100V27A125W0.05
MTP2955PMOS GDS功放开关60V12A75W75/50nS0.3
MTP3055NMOS GDS功放开关60V12A75W75/50nS0.3
MTP40N06NMOS GDS功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3
MTW20N50NMOS GDS功放开关500V20A250W0.27
RFP40N10NMOS GDS功放开关100V40A160W30/20nS0.04
RFP50N05NMOS GDS功放开关50V50A132W55/15nS0.022
RFP50N06NMOS GDS功放开关60V50A145W55/15nS0.022
RFP6N60NMOS GDS功放开关600V6A75W80/100nS1.50
RFP60N06NMOS GDS功放开关60V60A120W50/15nS0.03
RFP70N06NMOS GDS功放开关60V70A150W
SMP50N06NMOS GDS功放开关50V60A125W50nS0.026
SMP60N06NMOS GDS功放开关60V60A125W50nS0.023
SMW11N20NMOS GDS功放开关200V11A150W
SMW11P20PMOS GDS功放开关200V11A150W
SMW20N10NMOS GDS功放开关100V20A150W
SMW20N10PMOS GDS功放开关100V20A150W
SSH7N90NMOS GDS高速电源开关900V7A150W
SSP6N60NMOS GDS高速电源开关600V6A150W
SSP5N90NMOS GDS高速电源开关900V5A125W
SSP7N80NMOS GDS高速电源开关800V7A75W
SUP75N06NMOS GDS功放开关60V75A125W0.05
W12NA50W NMOS GDS功放开关50V12A150W300/600nS
GT15Q101NMOS GDS IGBT1400V15A150W
IMBH60NMOS GDS-100IGBT1000V60A300W
IMBH60D NMOS GDS-100IGBT1000V60A300W(带阻)
SDT3055NMOS GDS
TSD45N50V NMOS场效应模块500V45A400W
TN2460L
35N1201200V35A250W
EXB841IGBT驱动
——————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————
IRFP250200V33A180W**NMOS场应
IRFP240200V19A150W**NMOS场应
IRFP150100V40A180W**NMOS场应
应
IRF840500V8A125W**NMOS场应
IRF830500V 4.5A75W**NMOS场应
IRF740400V10A125W**NMOS场应
IRF730400V 5.5A75W**NMOS场应
IRF720400V 3.3A50W**NMOS场应
IRF640200V18A125W**NMOS场应
IRF630200V9A75W**NMOS场应
IRF610200V 3.3A43W**NMOS场应
IRF54180V28A150W**NMOS场应
IRF540100V28A150W**NMOS场应
IRF530100V14A79W**NMOS场应
IRF440500V8A125W**NMOS场应
2SC41191500V15A250W**NPN 2SC41111500V10A250W**NPN 2SC4106500V7A50W*20MHZ NPN
2SC116235V 1.5A10W**NPN 2SC100880V0.7A0.8W*50MHZ NPN 2SC90030V0.03A0.25W*100MHZ NPN 2SC82845V0.05A0.25W**NPN 2SC81560V0.2A0.25W**NPN 2SC38035V0.03A0.25W**NPN 2SC10660V 1.5A15W**NPN
2SB1494120V25A120W**PNP(达顿）
2SB1429180V15A150W**PNP
2SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达顿）
2SB137560V3A2W**PNP 2SB133580V4A30W**PNP 2SB1317180V15A150W**PNP
2SA1785400V1A1W*140MHZ PNP 2SA1668200V2A25W*20MHZ PNP 2SA1516180V12A130W*25MHZ PNP 2SA1494200V17A200W*20MHZ PNP 2SA1444100V 1.5A2W*80MHZ PNP 2SA1358120V1A10W*120MHZ PNP 2SA1302200V15A150W**PNP 2SA1301200V10A100W**PNP 2SA1295230V17A200W**PNP 2SA1265140V10A30W**PNP 2SA1216180V17A200W**PNP
TIP41C100V6A65W**NPN TIP36C100V25A125W**PNP TIP35C100V25A125W**NPN
顿) MJ450290V30A200W**PNP MJ305560V15A115W**NPN MJ295560V15A115W**PNP MN6501500V6A80W**NPN BUX98A400V30A210W**NPN BUX84800V2A40W**NPN BUW13A1000V15A150W**NPN BUV48A450V15A150W**NPN BUV28A225V10A65W**NPN BUV2690V14A65W**NPN BUT12A450V10A125W**NPN BUT11A1000V5A100W**NPN BUS14A1000V30A250W**NPN
常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应
MOS管参数解释
MOS管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS管驱动 MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS 管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V其他电压，看手册)。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
MOS管i-v特性
一、实验目的 分析mos晶体管i-v特性分析 二、实验要求 了解结型场效应管和MOS管的工作原理、特性曲线及主要参数 三、实验内容 1、MOS器件的结构介绍 2、MOS的工作原理 3、i-v特性曲线 图1 原理图
1．特性曲线和电流方程 输出特性曲线 与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止 区和击穿区几部分。 转移特性曲线 转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和 区(恒流区),此时i D 几乎不随v DS 而变化,即不同的v DS 所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用v DS 大于某一数值(v DS ＞v GS -V T )后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线. i D 与v GS 的近似关系 与结型场效应管相类似。在饱和区内,i D 与v GS 的近似关系式为 ( v GS ＞ V T ) 式中I DO 是v GS =2V T 时的漏极电流i D 。 2.参数 2 GS DO D )1(-=T V v I i
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压V P，而用开启电压V T表征管子的特性。 MOS管 1. 基本结构 原因：制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使v GS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压v DS，就有电流i D。 如果加上正的v GS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，i D增大。反之v GS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，i D减小。当v GS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，i D趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用V P表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压V P也为负值，但是，前者只能在v GS<0的情况下工作。而后者在v GS=0，v GS>0，V P 场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 MOS管主要参数 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V； ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后 ，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。 5. 低频跨导gm ·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6. 导通电阻RON ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 7. 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1～3pF ·CDS约在0.1～1pF之间 8. 低频噪声系数NF ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 ·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化 ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB） 电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3 附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304 SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558 MOS管介绍 在使用MOS，一般都要考虑MOS，，最大电流等因素。 MOSFET管是FET，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS，比较常用的是NMOS。。所以开关电源，一般都用NMOS。 在MOS，漏极和源极之间会寄生一个二极管。，在驱动感性负载(如马达)这个二极管很重要，并且只在单个的MOS，在集成电路芯片内部通常。 MOS，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。 ，但没有办法避免。 MOS管导通特性 ，相当于开关闭合。 NMOS，Vgs，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)只要栅（如4V或10V,，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但，虽然PMOS，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS导通后都有导通电阻存在，因而在DS，两端还，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS。现在的小功率MOS，几十毫欧左右 MOS，一定不是在瞬间完成的。MOS，流 ，在这段时间内，MOS，叫做开关损。，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，。，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小 。。 MOS管驱动 MOS，只要GS，就可以了。，我们还需要速。 在MOS，在GS，GD，而MOS，实际上就。，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路， 。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大。 普遍用于高端驱动的NMOS导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V，看手册)。，要得到比VCC，就要专门的升压电路。很多马达 ，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS。 M os f et参数含义说明 Feat ur es: V ds： D S击穿电压.当V gs=0V时，M O S的D S所能承受的最大电压 R ds(on)：D S的导通电阻.当V gs=10V时，M O S的D S之间的电阻 I d：最大D S电流.会随温度的升高而降低 V gs:最大G S电压.一般为：-20V~+20V I dm:最大脉冲D S电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd:最大耗散功率 Tj:最大工作结温，通常为150度和175度 Ts t g:最大存储温度 I ar:雪崩电流 Ear:重复雪崩击穿能量 Eas:单次脉冲雪崩击穿能量 B V ds s： D S击穿电压 I ds s:饱和D S电流，uA级的电流 I gs s: G S驱动电流，nA级的电流. gf s:跨导 Q g: G总充电电量 Q gs: G S充电电量 Q gd: G D充电电量 Td(on):导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到V ds下降到其幅值90%的时间 Tr:上升时间，输出电压 V D S从 90%下降到其幅值 10%的时间 Td(of f):关断延迟时间，输入电压下降到 90%开始到 V D S上升到其关断电压时 10%的时间Tf:下降时间，输出电压 V D S从 10%上升到其幅值 90%的时间 (参考图 4)。 C i s s:输入电容，C i s s=C gd + C gs. C os s:输出电容，C os s=C ds +C gd. C r s s:反向传输电容，C r s s=C gc. 型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG18 0K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538 2SC4633 1500V,0.03A,7W 2SC4451,2SC4576 NPN 2SC4686A 1500V,0.05A,10W 2SC4578 NPN 2SC4833 500V,5A,35W BUT11AF,2SC3310,2SC3570,2SC4026 NPN 2SC4054,2SC4160,2SC4073,2SC4371 2SC4834 500V,8A,45W BU306F,BUT12AF,2SC3626,2SC4130, NPN 2SC4161,2SC4559 2SC4890 1500V,12A,75W BU2525AF,BU2527AF,2SC5105 NPN 2SC4897 1500V,20A,150W 2SC3997,2SC4290A,2SD2356 NPN M O S管参数解释Prepared on 21 November 2021 MOS管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS管驱动 MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V其他电压，看手册)。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 Mosfet参数含义说明Features:Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs =10V时，MOS的DS之间的电阻Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低Vgs:最大GS电压.一般为：-20V~+20VIdm:最大脉冲DS 电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd:最大耗散功率Tj:最大工作结温，通常为150度和175度Tstg:最大存储温度Iar:雪崩电流Ear:重复雪崩击穿能量Eas:单次脉冲雪崩击穿能量BVdss：DS击穿电压Idss:饱和DS电流，uA级的电流Igss:GS驱动电流，nA级的电流.gfs:跨导Qg:G总充电电量Qgs:GS充电电量Qgd:GD充电电量Td(on):导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间Tr:上升时间，输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间T d(off):关断延迟时间，输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间Tf:下降时间，输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间(参考图4)。Ciss:输入电容，Ciss=Cgd+Cgs.Coss:输出电容，Coss=Cds+Cgd.Crss:反向传输电容，Crss=Cgc. 其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通，所以以NMOS管为例，只需要将栅得足够低，让它在中无法形成，也就没有了沟道，没有低阻通路，自然就变成高阻态，从漏源两端看上去，它便是关断的 追问 实验三MOS管参数仿真及Spice学习 刘翔 10214070 一、实验内容和要求。 实验内容： （1）使用S-Edit绘制电路图，将其转换成Spice文件。 （2）利用T-Spice的对话框添加仿真命令。 （3）利用W-Edit观察波形。 实验要求： （1）利用Tanner软件中的S-Edit、T-Spice和W-Edit，对NMOS管的参数进行仿真。NMOS器件的T-Spice参数仿真内容如下： a. MOS管转移特性曲线（给定VDS、W、L，扫描VGS）。 b. MOS管输出特性曲线（给定VGS、W、L，扫描VDS）。 c. 温度对MOS管输入/输出特性的影响（给定VGS、VDS、W、L，扫描Temp）。 d. MOS管W对输入/输出特性的影响（给定VGS、VDS、W/L，扫描W）。 e. MOS管L对输入/输出特性的影响（给定VGS、VDS、W/L，扫描L）。 f. MOS管W/L对输入/输出特性的影响（给定VGS、VDS、L，扫描W）。 g. MOS管开关电路输入/输出波形（输入一定频率的方波）。 h. 在MOS管开关电路输入/输出波形中找出传输时间、上升时间和下降时间。 i. MOS管开关电路传输特性曲线。 j. MOS管W/L对传输特性的影响（给定L、扫描W）。 k. 在MOS管传输特性曲线上找出测量输入、输出电压门限，计算噪声裕度。 （2）记录操作步骤，截取相应图片，完成实验报告。 二、实验环境、Tanner软件简介及SPICE命令。 实验环境： Tanner（S-Edit、T-Spice、W-Edit） SPICE命令的插入： Edit —Insert Command命令或工具栏中的，打开T-Spice Command Tool（T-Spice命令工具）对话框，可以在活动输入文件中插入命令。 三、实验流程框图。 四、实验步骤。 1.在S-Edit中绘制电路原理图，导出SPICE文件。 （1）新建一个文件file-new，新建一个模块，module-new，添加所需要的工艺库。 MOS管参数代换大全 型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538 场效应管分类 型号 简介 封装常用三极管型号及参数(1) DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应 MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应 MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应 MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应 MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应 MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应 MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应 MOS管常见型号 场效应管分类型号简介封装 1.MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 2.MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 3.MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 4.MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 5.MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 6.MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 7.MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 8.MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 9.MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 10.MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 11.MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 12.MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 13.MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 14.MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 15.MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 16.MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 17.MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 18.MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 19.MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 20.MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 21.MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 22.MOS FET IRF9520 TO-220 23.MOS FET IRF9540 TO-220 24.MOS FET IRF9610 TO-220 25.MOS FET IRF9620 TO-220 26.MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P 27.MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P 28.MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P 29.MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK 30.MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK 31.MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK 32.MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK 33.MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK 34.MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK 35.MOS FET IRFR9020TF D-PAK 36.MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F 37.MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F 38.MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F 39.MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F 40.MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F M O S管参数解释 集团企业公司编码：（LL3698-KKI1269-TM2483-LUI12689-ITT289- M O S管参数解释MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS管驱动 MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MO S管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10 V其他电压，看手册)。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
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