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DIODES齐纳二极管D3Z10BF选型手册

DIODES齐纳二极管D3Z10BF选型手册
DIODES齐纳二极管D3Z10BF选型手册

Features

? 400mW Power Dissipation on FR-4 PCB ? Very Tight Tolerance on V Z

? Ideally Suited for Automated Assembly Processes

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ?

Halogen and Antimony F ree. “Green” Device (Note 3)

Mechanical Data

? Case: SOD323F

? Case Material: Molded Plastic , “Green” Molding Compound; UL Flammability Classification Rating 94V-0 ? Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 ? Terminal Connections: Cathode Band

?

Terminals: Finish - Matte Tin Annealed over Copper Alloy leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ?

Weight: 0.01 grams (Approximate)

Ordering Information (Note 4)

* Example: The part number for the 3.6 Volt device would be D3Z3V6BF-7.

Notes: 1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.

2. See https://www.wendangku.net/doc/2212967207.html,/quality/lead_free.html for more information about Diod es Incorporated’s definitions of Hal ogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free.

3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and

<1000ppm antimony compounds.

4. For packaging details, go to our website at https://www.wendangku.net/doc/2212967207.html,/products/packages.html.

Marking Information

Top View

XX = Product Type Marking Code

(See Electrical Characteristics Table) YM = Date Code Marking Y = Year (ex: X = 2010)

M = Month (ex: 9 = September)

XX

Y M

SOD323F

Thermal Characteristics

Notes: 5. Device mounted on FR-4 PCB with suggested pad layout, board size 35mm * 25mm.

6. The Zener voltage is measured <40ms after power is supplied.

7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.

P , P O W E R D I S S I P A T I O N (W )

D T , AMBIENT TEMPERATUR

E (C)

Fig. 1 Power Derating Curve

A °

V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

F Fig. 2 Typical Forward Characteristics I , I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (m A )

F

1

10

100

1,000

0.40.60.81 1.2 1.4

V , ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 3 Typical Zener Breakdown Characteristics Z I , Z E N E R C U R R E N T (m A )

Z

V , ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Zener Breakdown Characteristics Z I , Z E N E R C U R R E N T (m A )

Z

5

I , Z E N E R C U R R E N T (m A )

Z V , ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 5 Typical Zener Breakdown Characteristics Z

Package Outline Dimensions

Please see AP02001 at https://www.wendangku.net/doc/2212967207.html,/_files/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.

SOD323F

Suggested Pad Layout

Please see AP02001 at https://www.wendangku.net/doc/2212967207.html,/_files/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.

SOD323F

2

α Y X X1

G

检测二极管

一)普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。 1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。 2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。 3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。 也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称:10A15 ?主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装:TO-220F ?脚位长度:6-12mm ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名:FCH20A15 ?型号简称:20A15 ?主要参数:20A 150V ?产品封装:TO-220F ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

双向触发二极管项目实施方案(申请材料)

双向触发二极管项目实施方案 一、项目总论 (一)项目名称 双向触发二极管项目 (二)规划设计机构 泓域咨询机构 (三)项目建设单位 xxx投资公司 (四)法定代表人 向xx (五)公司简介 成立以来,公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。本公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念,倡导“诚信尊重”的企业情怀;坚持“品质营造未来,细节决定成败”为质量方针;以“真诚服务赢得市场,以优质品质谋求发展”的营销思路;以科学发展观纵观全局,争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。

公司在管理模式、组织结构、激励制度、科技创新等方面严格按照科 技型现代企业要求执行,并根据公司所具优势定位于高技术附加值产品的 研制、生产和营销,以新产品开拓市场,以优质服务参与竞争。强调产品 开发和市场营销的科技型企业的组织框架已经建立,主要岗位已配备专业 学科人员,包括科技奖励政策在内的企业各方面管理制度运作效果良好。 管理制度的先进性和创新性,极大地激发和调动了广大员工的工作热情, 吸引了较多适用人才,并通过科研开发、生产经营得以释放,因此,项目 承办单位较好的经济效益和社会效益。公司实行董事会领导下的总经理负 责制,推行现代企业制度,建立了科学灵活的经营机制,完善了行之有效 的管理制度。项目承办单位组织机构健全、管理完善,遵循社会主义市场 经济运行机制,严格按照《中华人民共和国公司法》依法独立核算、自主 开展生产经营活动;为了顺应国际化经济发展的趋势,项目承办单位全面 建立和实施计算机信息网络系统,建立起从产品开发、设计、生产、销售、核算、库存到售后服务的物流电子网络管理系统,使项目承办单位与全国 各销售区域形成信息互通,有效提高工作效率,及时反馈市场信息,为项 目承办单位的战略决策提供有利的支撑。 为了确保研发团队的稳定性,提升技术创新能力,公司在研发投入、 技术人员激励等方面实施了多项行之有效的措施。公司自成立以来,一直 奉行“诚信创新、科学高效、持续改进、顾客满意”的质量方针,将产品 的质量控制贯穿研发、采购、生产、仓储、销售、服务等整个流程中。公

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

二极管的知识点总结

半导体二极管 基本结构 PN 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。电路符号: 伏安特性

主要参数(直流,主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护等等。) 1.最大整流电流I F 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。 3.反向电流IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 主要参数(交流) 1.微变电阻 r D r D 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之 比: D D D i v r ??=

2.二极管的极间电容 势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容:为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的少子(电子)在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累。同理,在N区有空穴的积累。正向电流大,积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 PN结高频小信号时的等效电路 晶体二极管模型

二极管分类按结构材料分: (1)锗二极管 (2)硅二极管 按制作工艺分:

(1)点接触型二极管:pn结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。 (2)面接触型二极管:结面积大,用于工频大电流整流电路。 (3)平面型二极管:往往用于集成电路制造工艺中。pn结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。 按功能用途分: (1)硅整流二极管:硅整流二极管除主要应用于电源电路做整流元件外,还可用作限幅、保护、钳位等。(常用整流二极管主要是1n、2cz 系列) (2)检波二极管:检波二极管的结点容小、工作频率高、正向压降小,但允许流过的最大正向电流小、内阻大。多用于小信号、高频率的电路,用作检波、鉴频、限幅。(常用检波二极管主要是2ap系列) (3)稳压二极管:利用稳压二极管的反向击穿特性,用作稳压基准电压、保护、限幅、电平转换等。其中2dw230~2dw232稳压管内部具有温度补偿,电压温度系数低,可用于精密稳压电路。(常用稳压二极管主要是1n、2cw、2dw系列) (4)光敏二极管:利用光敏二极管在光的照射下,反向电流与光照成正比的特性,应用于光电转换及光控、测光等自动控制电路中。(常用硅光敏二极管主要是2cu、2du系列) (5)变容二极管:变容二极管的结电容可以随外加偏压的不同而变化,主要应用于lc调谐、自动频率控制稳频等场合。(常用变容二极管主要是2cc、1n系列)

MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT

◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste,High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop,high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT

双向触发二极管的应用

双向触发二极管的应用 双向触发二极管亦称二端交流器件( DIAC ),与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉,所以常用来触发双向晶闸管,还可构成过压保护等电路。 双向触发二极管的构造、符号及等效电路如图 1 所示。它属于三层构造、具有对称性的二端半导体器件,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的 NPN 晶体管。其正、反向伏安特性完全对称,见图 2 。当器件两端的电压 V 小于正向转折电压 V ( BO )时,呈高阻态,当 V > V ( BO )时进入负阻区。同样,当 V 超过反向转折电压 V ( BR )时,管子也能进入负阻区。转折电压的对称性用ΔV ( B )表示,ΔV ( B ) =V ( BO ) -V ( BR )。一般要求ΔV ( B )< 2V 。双向触发二极管的耐压值( V ( BO )大致分 3 个等级: 20 ~ 60V , 100 ~ 150V , 200 ~ 250V 。 下面介绍用兆欧表和万用表检查双向触发二极管的方法。 (1 )将万用表拨于R×1k (或R×10k 档),因为DIAC 的V (BO )值均在20V 以上,所以测量正、反向电都应是无穷大。 (2 )按图3 所示接好电路。由兆欧表提供击穿电压,并用直流电压档测量DIAC 的正向转折电压V (BO 。然后调换DIAC 的电极,测出反向转折电压V (BR )。最后检查转折电压的对称性 实例:选择ZC25 -3 型兆欧表,将500 型万用表拨至50V 档,被测触发二极管为DB3 型,其外形与检波二极管相似,管壳呈天蓝色。主要参数是:V (BO )=35V (典型值),峰值脉冲电流I PK =5mA 。首先用R× 1k 档测量正、反向电阻均为无穷大,然后按图 3 所示分两次测得:V (BO )

MBR10200CT-MBR20100CT ASEMI高压肖特基二极管规格

MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管 肖特基二极管MBR10200CT参数规格: 肖特基二极管MBR10200CT电流:10A; 肖特基二极管MBR10200CT电压:200V; 肖特基二极管MBR10200CT管装:50/管;盒装:1000PCS/盒。 肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料 MBR10200CT肖特基类型:高结温芯片,品牌:ASEMI, 应用市场:电源,小家电,LED电源,各式充电器,开关电源,LED显示屏等。 MBR10200CT肖特基相关参数如下: MBR10200CT电压Vrrm:200V MBR10200CT电流If平均:10A MBR10200CT正向电压Vf最大:0.87V MBR10200CT电流,Ifs最大:150A MBR10200CT工作温度范围:-40°C to+150°C

MBR10200CT封装形式:TO-220/TO-220F/ITO-220 MBR10200CT反向恢复电流,Irrm:10UA 肖特基系列型号: MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT 肖特基二极管封装:TO-251,TO-252,TO-263, TO-220,TO-247,TO-3P

防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV,它以氧化锌为基料,加入多种添加剂,经过混料造粒, 压制成坯体,高温烧结,两面印烧银电极,焊接引出端,最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜,通流量大,响应速度快,缺点是寄生电容大,不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中,起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择:交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍,直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷,或者当承受不同电流冲击,造成管芯的压敏电阻体 分布不均,一些部位电阻会降低,导致漏电流增加,最终导致薄弱点微融化,最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器,它将过高的电压钳制至一个安全范围,藉以保护后 面的电路,有着比其它保护元件更快的反应时间,这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点:可分为单双向,响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后,性能不下降,可靠性高,体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小,且功率大的寄生电容也大,低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。

选型注意,单双向,电压,功率,电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件,一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时,就引起间隙放电,从而限制了极间的电压,使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大(KA级),漏电流小,寄生电容小等优点,缺点是其响应速度慢(μs级),动作电压精度低,有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法:min(UDC)≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量,1.15是电源波动系数。 特性曲线

肖特基二极管讲解

肖特基二极管简介 肖特基二极管(SBD)是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称,是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件,它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件,以其发明人博士(1886年7月23日—1976年3月4日)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

双向触发二极管 DB6

Feature s 1. V BO : 60V (TYP) 2. Breakover voltage range: 56 to 70V Applications Functioning as a trigger diode with a fixed voltage reference, the DB 6 can be used in conjunction with triacs for simplified gate control circuits or as a starting element in fluorescent lamp ballasts. Absolute Maximum Ratings (Limiting values) Parameter Symbol Value Unit Repetitive peak on-state current (tp=20μs F=120 Hz) I TRM 2 A Operating junction temperature range T j -40 ~ +125 ℃ Storage temperature range T stg -40 ~ +125 ℃ Electrical Characteristics (T j =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Value Unit MIN. 56 TYP . 60 Breakover voltage* V BO MAX. 70 V Breakover voltage symmetry |V BO1-V BO2| MAX. ±5 V Dynamic breakover voltage* △V V BO and V F at 10mA MIN. 10 V Output voltage* V O see diagram 2(R=20Ω) MIN. 5 V Breakover current* I BO MAX. 50 μA Rise time* tr see diagram 3 MAX. 2 μs Leakage current* I R V R =0.5V BO max MAX. 10 μA *Applicable to both forward and reverse directions. **Connected in parallel to the device.

肖特基(Schottky)二极管

肖特基(Schottky)二极管 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小; 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如 1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用 一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极 管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A)均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电 压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中, 前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、

肖特基二极管电路特性

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我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对

于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号,各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列,其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

各种二极管和三极管的检测方法

各种二极管和三极管的检测方法 中心议题:二极管二极管和三极管三极管的检测方法 二极管的检测:1、检测小功率小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。 (c)、以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。 B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。另外,也可以用万用表R×1k挡进行测试,一般正向电阻小于1k的多为高频管。 C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是,这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5k~10k,反向电阻值为无穷大。 3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为4.5k左右,反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次,一般正向电阻为几欧,反向电阻仍为无穷大。 4、检测双向触发二极管将万用表置于R×1k挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。 5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测用万用表R×1k挡测量管子的好坏。对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。 6、高频变阻二极管的检测A、识别正、负极。高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环的一端为正极。B、测量正、反向电阻来判断其好坏。具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同,当使用500型万用表R×1k挡测量时,正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k~5.5k,反向电阻为无穷大。 7、变容二极管的检测将万用表置于R×10k挡,无论红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障,用万用表是无法检测判别的。必要时,可用替换法进行检查判断。 8、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节1.5V干电池,将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压,使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好,必定有一次能正常发光,此时,黑表笔所接的为正极,红表笔所接的为负极。 9、红外发光二极管的检测A、判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00

30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57

SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4

肖特基二极管应用选择

肖特基(SCHOTTKY)系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析,并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后,着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途,1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途,以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分: 一.肖特基二极管简介 二.我所肖特基二极管生产状况 三.我所肖特基二极管种类 四.我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五.介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六.功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一.肖特基二极管简介:

双向二极管

双向触发二极管 此主题相关图片如下: 双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅,在电路中作过压保护等用途。 图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。 双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称(见图5)。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(B0)时,器件呈高阻态。当U>V(B0)时,管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V(BR)时,管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级:20-60V、 100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V,可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管,表针均应不动(RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏,并能提供大于250V的直流电压的电源,检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有,可用兆欧表按图6所示进

行测量(正、反各一次),电压大的一次V(BR)。例如:测一只DB3型二极管,第一次为27.5V,反向后再测为28V,则△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V<2V,表明该管对称性很好。 图7是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。通过调节电位器R2,可以改变双向可控硅的导通角,从而改变通过灯泡的电流(平均值)实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。 该电路在双向可控硅加散热器的情况下,可控负载功率可达500W,各元件参数见图所标注。 双向触发二极管典型应用电路 双向触发二极管是一种压敏负阻器件。在一般情况下,双向触发二极管呈高阻截止状态,当外加电压(不分正负)的幅值大于双向触发二极管的转折电压时,它便会击穿导通。 1.双向触发二极管在可控硅调压电路中的应用 双向触发二极管触发双向可控硅的调压电路是触发二极管的一种典型应用电路。图14-41所示的就是采用这种电路构成的交流调压电路。 当电路接通交流市电后,交流市电便通过负载电阻R1、电位器RP 、电阻R2 向电容器C充电只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压.电容器C 便通过限流电阻R1以及双向触发二假管VD1向双向可控硅VS的控制极放电.触发可控硅VS 导通。改变电位器RP的阻值便可改变向C充电的速度.也就改变了双向可控硅的导通角。由于双向触发二极管在正、反电压下均能工作,所以整个电路可以工作于交流电的正、负两个半周。 2 ,过压保护电路 图14 -42 所示的是由双向触发二极管与双向可控硅组成的过压保护电路。电压正常工作时加在双向触发二极管两端的电压小于转折电压. VD1不导通,双向可控硅处于截止状态,负载RL可得到正常的供电。当供电电压超出限定值时,加在双向触发 二极管两端的电压便会大于转折电压, VD1导通并触发双向可控硅使其也导通,使负载RL免受过压损害。

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