探测器暗电流综述报告

暗电流形成及其稳定性分析

综述报告

目录

光电探测器基本原理 (2)

1.1 PIN光探测器的工作原理 (2)

1.2雪崩光电二极管工作原理 (3)

暗电流的形成及其影响因素 (4)

2.1暗电流掺杂浓度的影响 (4)

2.1.2复合电流特性 (5)

2.1.3表面复合电流特性 (5)

2.1.4欧姆电流特性 (5)

2.1.5隧道电流特性 (6)

2.2结面积和压焊区尺寸对探测器暗电流的影响 (8)

2.3腐蚀速率和表面钝化工艺对探测器暗电流的影响 (10)

2.4温度特性对暗电流影响 (11)

暗电流稳定性分析小结 (12)

参考文献 (13)

光探测器芯片处于反向偏置时，在没有光照的条件下也会有微弱的光电流，被称为暗电流，产生暗电流的机制有很多，主要包括表面漏电流、反向扩散电流、产生复合电流、隧穿电流和欧姆电流。。本文就将介绍光电探测器暗电流形成及其稳定性分析，并介绍了一些提高稳定性的方案，讨论它们的优势与存在的问题。

光电探测器基本原理

光电检测是将检测的物理信息用光辐射信号承载,检测光信号的变化,通过信号处理变换,得到检测信息。光学检测主要应用在高分辨率测量、非破坏性分析、高速检测、精密分析等领域,在非接触式、非破坏、高速、精密检测方面具有其他方法无比拟的。因此,光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法之一,是计量检测技术的一个重要发展方向。

1.1 PIN光探测器的工作原理

在PD的PN结间加入一层本征（或轻掺杂）半导体材料（I区），就可增大耗尽区的宽度，减小扩散作用的影响，提高响应速度。由于I区的材料近似为本征半导体，因此这种结构称为PIN光探测器。图（a）给出了PIN光探测器的结构和反向偏压时的场分布图。I区的材料具有高阻抗特性，使电压基本落在该区，从而在PIN 光探测器内部存在一个高电场区，即将耗尽层扩展到了整个I区控制 I 区的宽度可以控制耗尽层的宽度。

PIN光探测器通过加入中间层，减小了扩散分量对其响应速度的影响，但过大的耗尽区宽度将使载流子通过耗尽区的漂移时间过长，导致响应速度变慢，因此要根据实际情况折中选取I层的材料厚度。

1.2雪崩光电二极管工作原理

雪崩光电二极管,具有增益高固有增益可达,灵敏度高、响应速度快的特点,因而可用于检测高速调制的脉冲位置调制光信号。雪崩光电二极管是利用雪崩倍增效应而具有内增益的光电二极管,它的工作过程是在光电二极管的一结上加一相当高的反向偏压,使结区产生一个很强的电场,当光激发的载流子或热激发的栽流子进入结区后,在强电场的加速下获得很大的能量,与晶格原子碰撞而使晶格原子发生电离,产生新的电子一空穴对,新产生的电子一空穴对在向电极运动过程中又获得足够能量,再次与晶格原子碰撞,这时又产生新的电子一空穴对,这一过程不断重复,使一结内电流急剧倍增,这种现象称为雪崩倍增。雪崩光电二极管就是利用这种效应而具有光电流的放大作用。为保证载流子在整个光敏区的均匀倍增,必须采用掺杂浓度均匀并且缺陷少的衬底材料,同时在结构上采用“保护环”,其作用是增加高阻区宽度,减小表面漏电流避免边缘过早击穿,所以有保护环的APD，有时也称为保护环雪崩光电二极管。

雪崩光电二极管结构示意图

几种雪崩光电二极管的结构,图中（a）是P型N+结构,它是以型硅材料做基片,扩散五价元素磷而形成重掺杂十型层,并在与十区间通过扩散形成轻掺杂高阻型硅,作为保护环,,使一结区变宽,呈现高阻。图(b)是p-i-n结构,为高阻型硅,作为保护环,同样用来防止表面漏电和边缘过早击穿。图表示一种新的达通型雪崩光电二极管记作结构,二为高阻型硅,本图的右边画出了不同区域内的电场分市情况,其结构的特点是把耗尽层分高电场倍增区和低电场漂移区。图(c)中,区为高电场雪崩倍增区,而币义为低电场漂移区。器件在工作时,反向偏置电压使耗尽层从`一结一直扩散到二一边界。当光照射时,漂移区产生的光生载流子电子在电场中漂移到高电场区,发生雪崩倍增,从而得到较高的内部增益,耗尽区很宽,能吸收大多数的光子,所以量子效率也高,另外,达通型雪崩光电二极管还具有更高的响应速度和更低的噪声。

暗电流的形成及其影响因素

探测器暗电流由五部分部分构成:扩散电流、产生复合电流、欧姆电流、表面复合电流和隧道电流。

载流子浓度对器件的暗电流影响：在反向偏置低压时探测器的暗电流主要由产生复合电流构成,偏压再增大时,带与带间隧道电流对暗电流的贡献起主要作用,且光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响。

结面积和压焊区尺寸对探测器暗电流影响：电极压焊区的大小及位置相关的表面漏电对探测器暗电流的影响不大,结区暗电流仍为器件暗电流的主要分量。

腐蚀速率和钝化技术对暗电流影响：腐蚀台面时腐蚀速率稍大, 侧向钻蚀较明显, 这会影响钝化层的淀积, 使部分有源区侧壁没有覆盖到钝化层, 而磁控溅射制作电极时, 金属与这些没有受到钝化保护的有源区形成肖特基势垒。肖特基势垒的电流输运机制很多, 其中一种机制是吸收层中含有许多位错缺陷, 这些位错缺陷会协助载流子通过隧穿方式穿越势垒而到达金属, 其电流表达式近似为I =Is exp(βV)。

温度特性对暗电流影响：零偏时,光电流在20℃以下随着温度的上升而变大,符合相关理论;但是,温度高于20℃后,光电流随温度增加的变化很小,甚至在升温时电流值略有下降。

2.1暗电流掺杂浓度的影响

在忽略其他因素的条件下,双异质结In0.53Ga0.47As探测器暗电流由四部分构成:扩散电流、产生复合电流、欧姆电流、表面复合电流和隧道电流。2.1.1扩散电流特性

扩散电流起源于耗尽区边缘p区和n区热激发产生的少数载流子向耗尽层的扩散。这里所模拟的器件是基于我们实际研制的p+-i-n+异质结台面结构,p区为重掺杂InP层,InP材料ni较小,扩散电流与n2i成正比,所以,p区向耗尽层的扩散电流可忽略不计,在此,只考虑In0.53Ga0.47As层向耗尽层的扩散电流。表达式如下:

式中:ni为本征载流子浓度,Dp为i区中空穴扩散系数,τp为i区中空穴的寿命,Nd为i区的掺杂浓度,A是耗尽层与p区和i区的接触面积,V为探测器所加偏压。

产生复合电流起源于势垒区热激发产生的载流子在电场作用下向势垒区两边的漂移运动,如式(2)所示:

式中:q为电子电量,τeff是有效载流子寿命, W为耗尽层宽度,W=[2εj(Vb+ V)/ qNd] 1/2,εj为i层介电常数, Vb为内建电势差, Vb=(kT/ q)In(Pp0/Pn0),Pp0为p区空穴浓度,Pn0为n区空穴浓度。

2.1.3表面复合电流特性

表面复合电流是由于器件表面的热激发产生的载流子在电场作用下的漂移运动产生的表达式如下所示:

式中:S为表面复合速度。由式(3)可以看出Is与ni成正比,ni又与exp(- Eg/2kT)成正比,Eg为材料禁带宽度。所以一般在器件结构中采用宽禁带的半导体层来制作帽层以减小表面暗电流。

2.1.4欧姆电流特性

欧姆电流表达式为

式中,Reff 为有效电阻,Ro 为理想的异质结阻抗,Rs 是由表面漏电流引起的并联电阻 , Rd由有源区的位错引起的并联电阻

隧道电流主要起源于载流子穿过禁带的隧道效应,电压较高时,隧道电流将决定探测器的暗电流。隧道电流分为带与带间隧道电流和缺陷隧道电流,分别如式(4),(5)所示:

参数γ决定于隧穿载流子的始态与终态,对于带与带间隧道电流,γ=[(2 meEg)1/2 q3 EmV/4π2η2],me是InGaAs导带电子的有效质量,对于In0.53Ga0.47As材料,me= 0.034 m0,m0是电子静止质量,Eg为In0.53Ga0.47As 禁带宽度,Em是耗尽层电场强度,Em= 2(V+ Vb)/ W,Θ=α(2 me/ m0)1/2,α决定于隧穿势垒的具体形状,C1、C2为隧穿常数,Et为缺陷隧穿势垒。其中τeff,Θ,S,C1,C2为可调参数。我们以扩散电流,产生复合电流、表面复合电流和隧

道电流来模拟计算探测器(结构与实测器件结构相同)在反向偏压下的暗电流。计算中所用到的参数数值在表1中列出。模拟结果如图1所示：

图1 暗电流分量随反向偏压变化的模拟结果

实测数据及其与模拟结果的比较如图2所示,由图2可以看出,模拟结果较好地反映了实测结果的变化趋势。说明In0.53Ga0.47As探测器在反向偏压下的暗电流特性。分析图中曲线可以发现,In0.53Ga0.47As探测器暗电流随反向

偏压变化有几个明显不同的区域。综合以上分析可以看出,对In0.53Ga0.47As

探测器,在反向偏置低压时探测器的暗电流主要由产生复合电流构成,偏压再增大时,带与带间隧道电流对暗电流的贡献起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响。此外由于材料及器件参数受生长条件,工艺处理等因素的影响,计算结果与实测结果仍存在着一定偏差。

2.2结面积和压焊区尺寸对探测器暗电流的影响

为分析探测器的结面积对In0.53Ga0.47As PIN·343·探测器反向偏压

下的暗电流的影响,我们制作了3种不同结面积(直径分别为50μm,100μm,150μm)的In0.53Ga0.47As PIN台面探测器,i层掺杂浓度为5× 1016 cm- 3,并分别测量了三者在室温(293 K)反向偏置下的I-V特性,如图3所示。由图可看出, 结面积越大,探测器反向偏压下的暗电流越大,这与预期相符。在反向偏压为5 V时,结面直径为50μm的器件暗电流为4.02× 10- 9 A,结面直径为100μm的器件暗电流为1.1× 10- 8 A,结面直径为150μm的器件暗电流为3.25× 10- 8 A。在反向偏压为20 V时,结面直径为50μm的器件暗电流为8.5×10- 7 A,

结面直径为100μm的器件暗电流为2.54×10- 7 A,结面直径为150μm的器件暗电流为7.13× 10- 7 A。三者存在着一定的比例关系,在反向偏压为5 V时三者比例为1∶2.7∶8.1,在反向偏压为20 V时,三者的比例为1∶2.9∶8.39,与其结面积之比1∶4∶9有较好的相关性,这说明对我们的器件结区的暗电流在总暗电流中仍起主要作用,但表面和压焊电极的漏电也有一定影响。

本节从理论和实验上分析了In0.53Ga0.47As/InP探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,结果表明在低偏压处产生复合电流起主要作用,偏

压增大时,隧道电流对探测器暗电流的贡献起主要作用,且In0.53Ga0.47As层的载流子浓度对探测器反向偏压下暗电流有很大的影响,当载流子浓度由5×1016 cm- 3减小到5× 1015 cm- 3时,10 V偏压下的暗电流约减小3倍。此外,本文通过对器件结面积和压焊电极尺寸对In0.53Ga0.47As探测器反向偏压下暗电流影响的探讨表明,与电极压焊区的大小及位置相关的表面漏电对探测器暗电流的影响不大,结区暗电流仍为器件暗电流的主要分量。

2.3腐蚀速率和表面钝化工艺对探测器暗电流的影响

样品A 、B 和C 的有效电阻Reff 分别为0 .14 、0 .32和0 .36 MΩ, 依次递增, 这大体上能够反映材料内部的性能。与上述结论类似, 数字递变超晶格DGS L1 能够减少吸收层中的位错, InP 缓冲层能减小衬底缺陷对吸收层的影响, 从而使整个样品的体电阻逐渐变大。另外从有效电阻数值上还可以判断并联电阻R s 和Rd 对总电阻的贡献较大, 而这又增加了器件的欧姆电流, 导致暗电流偏大。因此, 为了减少暗电流, 需要在材料生长和器件制作中加以改进。另外, 样品C 中还出现了一个较大的电流分量IM-S , 模拟的结果显示该电流分量表达式近似为I M-S=α×exp(βV), 其中α=0 .17 , β=3 .43 。此电流产生的可能原因是该样品在H3 PO4/ H2 O2 腐蚀台面时腐蚀速率稍大, 侧向钻蚀较明显, 这会影响钝化层的淀积, 使部分有源区侧壁没有覆盖到钝化层, 而磁控溅射制作电极时, 金属与这些没有受到钝化保护的有源区形成肖特基势垒。肖特基势垒的电流输运机制很多, 其中一种机制是吸收层中含有许多位错

缺陷, 这些位错缺陷会协助载流子通过隧穿方式穿越势垒而到达金属, 其电流表达式近似为I =Is exp(βV) 。为了减少这类电流, 需要进一步稳定腐蚀速率和提高钝化技术。

本节小结：PIN 探测器在室温下的暗电流特性。结果表明在零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流, 随着电压增加, 产生复合电流、欧姆电流贡献逐渐增加。通过比较发现在InAlAs/InGaAs 异质界面处的数字递变超晶格和外延初始

生长的InP 缓冲层能够有效地改善探测器的性能。此外为了进一步减小该类探测器工作在小偏压下的暗电流, 还需要优化缓冲层和界面结构以进一步提高材料生长质量以及改善芯片制作中的表面钝化工艺。

2.4温度特性对暗电流影响

图3表明:零偏时,光电流在20℃以下随着温度的上升而变大,符合相关理论;但是,温度高于20℃后,光电流随温度增加的变化很小,甚至在升温时电流值略有下降。对于这一情况可作如下分析:

在非理想情况下,光电转换pn结的伏安特性可以描述为：

其中:Iph表示光生电流;Rs表示pn结串联体电阻(由体电阻、电极接触电阻和电极材料本身电阻构成);Rsh表示旁路电阻;I0表示pn结反向饱和电流;q表示电子电荷;K表示玻耳兹曼常数;T表示绝对温度。

为简化问题,设Rs= Rsh。外加偏压VR= 0时,式(1)变为：

图3中,IL-T曲线可用式(4)进行解释。温度上升会使半导体材料带隙变窄,可能导致Voc下降[2]。Rs主要是高阻区(低掺杂区)体串联电阻,在温度较低时,低掺杂区存在较严重的载流子冻结效应[1],使材料电导率减小,电阻率或体电阻增加。在-50～+ 20℃内,载流子冻结效应随着温度的升高迅速减轻或消除,即Rs由低温时的较大值逐渐减小,此时Rs的减小相对Voc的减小起主导作用,导致IL上升。在20～ 50℃内载流子冻结效应已基本消除,随着温度的升高Rs变化很小,Voc减小起主导作用,从而导致IL值基本不变或者略有下降。由于整机使用的工作条件在-10～+ 50℃,而在室温附近这一范围内,图3光电流的变化幅度足够小(< 10%),因此符合使用要求。

暗电流稳定性分析小结

掺杂浓度、结面积、压焊区尺寸、温度、腐蚀速率和钝化技术等都会对探测器的暗电流稳定性的影响。要减小暗电流提高暗电流的稳定性,少子寿命和材料掺杂浓度应适当提高,但过高的掺杂浓度会使器件的反压过低,还会影响响应速度和光灵敏度,因此材料电阻率的选取应折中考虑；探测器反向偏压下暗电流影响的探讨表明,与电极压焊区的大小及位置相关的表面漏电对探测器暗电流的影响不大；只在表面pn结SiO2层上覆盖聚酰亚胺环形钝化膜,在其他大面积pn 结上不加聚酰亚胺钝化膜,既解决了芯片表面钝化问题,又保证了光电探测器的高光灵敏度；温度上升会使半导体材料带隙变窄,可能导致Voc下降[2]。Rs主要是高阻区(低掺杂区)体串联电阻,在温度较低时,低掺杂区存在较严重的载

流子冻结效应[1],使材料电导率减小,电阻率或体电阻增加，因此要让探测器的暗电流稳定，温度适中和恒定也是影响因素之一。

参考文献

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[2]InGaAsPIN光电探测器的暗电流特性研究_郝国强

[3]低暗电流InGaAsPIN光电二极管_KatsuyaHasegawa

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[5]具有高量子效率_低暗电流_高可靠_省略_面InGaAs_PIN光电二极管_李保根

[6]双异质结扩展波长InGaAsPIN光电探测器暗电流研究_李成

[7]中心带雪崩光电二极管的InGaAsPIN四象限探测器_石柱

[8]一种低暗电流高响度InGaAs_InPpin光电探测器_车相辉

[9]APD微弱光电信号探测技术研究_赵慧玲

[10]Ge_Si异质结及其光电探测器特性研究_魏莹

[11]半导体光电探测器中载流子输运过程研究_马丽芹

[12]光电探测器特性一体化实验系统研究_曲洪丰

[13]光探测器等效电路模型的建立与参数提取_许文彪

[14]硅基光电探测器的研究_周弘毅

[15]基于ADL5317雪崩二极管系统参数测试电路的设计_伍保红

中远红外探测器发展动态

中远红外探测器发展动态 1 红外光电探测器的的历史 红外探测成像具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、可全天候、全天时工作等优点在军用和民用领域都得到了极为广泛的应用按照探测过程的物理机理，红外探测器可分为两类即热探测器和光电探测器。光电探测器的工作原理是目标红外辐射的光子流与探测器材料相互作用，并在灵敏区域产生内光电效应。因具有灵敏度高、响应速度快的优点，光电探测器在预警、精确制导、火控和侦察等红外探测系统中得到广泛应用。 红外焦平面阵列可探测目标的红外辐射，通过光电转换、电信号处理等手段，可将目标物体的温度分布图像转换成视频图像，是集光、机、电等尖端技术于一体的红外光电探测器H。目前许多国家，尤其是美国等西方军事发达国家，都花费大量的人力、物力和财力进行此方面的研究与开发，并获得了成功。红外光电探测器研究从第一代开始至今已有40余年历史，按照其特点可分为三代。第一代(1970s～1980s)主要是以单元、多元器件进行光机串／并扫描成像，以及以4×288为代表的时间延迟积分(TDI，time delay integration)类扫描型(scanning)红外焦平面列阵。单元、多元探测器扫描成像需要复杂笨重的二维、一维扫描系统结构，且灵敏度低。第二代红外光电探测器是小、中规格的凝视型(staring)红外焦平面列阵。M×N凝视型红外焦平面探测元数从1元、N元变成M×N元，灵敏度也分别从l与N1/2增长M×N1/2倍和M1/2。而且，大规模凝视焦平面阵列，不再需要光机扫描，大大简化整机系统。 目前，正在发展第三代红外光电探测器。探测器具有大面阵、小型化、低成本、双色(two-color)与多色(multi-color)、智能型系统级灵巧芯片等特点，并集成有高性能数字信号处理功能，可实现单片多波段融合高分辨率探测与识别。因此，本文将重点综述三代红外光电探测器的材料体系及其研究现状，并分析未来红外光电探测器的材料选择及发展趋势。 2 三代探测器的材料体系与发展现状 红外光电探测器的材料很多，但真正适于发展三代红外光电探测器，即响应波段灵活可调的双色与多色红外焦平面列阵器件的材料则很少。目前，主要有传统的HgCdTe和QWIPs，以及新型的二类SLs和QDIPs，共四个材料体系。作为

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计算机网络安全综述学生姓名：李嘉伟 学号：11209080279 院系：信息工程学院指导教师姓名：夏峰二零一三年十月

［摘要］ 随着计算机网络技术的快速发展，网络安全日益成为人们关注的焦点。本文分析了影响网络安全的主要因素及攻击的主要方式，从管理和技术两方面就加强计算机网络安全提出了针对性的建议。 ［关键词］ 计算机网络；安全；管理；技术；加密；防火墙 一．引言 计算机网络是一个开放和自由的空间，但公开化的网络平台为非法入侵者提供了可乘之机，黑客和反黑客、破坏和反破坏的斗争愈演愈烈，不仅影响了网络稳定运行和用户的正常使用，造成重大经济损失，而且还可能威胁到国家安全。如何更有效地保护重要的信息数据、提高计算机网络的安全性已经成为影响一个国家的政治、经济、军事和人民生活的重大关键问题。本文通过深入分析网络安全面临的挑战及攻击的主要方式，从管理和技术两方面就加强计算机网络安全提出针对性建议。

二．正文 1.影响网络安全的主要因素［1］ 计算机网络安全是指“为数据处理系统建立和采取的技术和管理的安全保护，保护计算机硬件、软件数据不因偶然和恶意的原因而遭到破坏、更改和泄漏”。计算机网络所面临的威胁是多方面的，既包括对网络中信息的威胁，也包括对网络中设备的威胁，但归结起来，主要有三点：一是人为的无意失误。如操作员安全配置不当造成系统存在安全漏洞，用户安全意识不强，口令选择不慎，将自己的帐号随意转借他人或与别人共享等都会给网络安全带来威胁。二是人为的恶意攻击。这也是目前计算机网络所面临的最大威胁，比如敌手的攻击和计算机犯罪都属于这种情况，此类攻击又可以分为两种：一种是主动攻击，它以各种方式有选择地破坏信息的有效性和完整性；另一类是被动攻击，它是在不影响网络正常工作的情况下，进行截获、窃取、破译以获得重要机密信息。这两种攻击均可对计算机网络造成极大的危害，并导致机密数据的泄漏。三是网络软件的漏洞和“后门”。任何一款软件都或多或少存在漏洞，这些缺陷和漏洞恰恰就是黑客进行攻击的首选目标。绝大部分网络入侵事件都是因为安全措施不完善，没有及时补上系统漏洞造成的。此外，软件公司的编程人员为便于维护而设置的软件“后门”也是不容忽视的巨大威胁，一旦“后门”洞开，别人就能随意进入系统，后果不堪设想。

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2010年06 月05日 声明 1、本报告共51页； 2、本报告封面及主要成果须加盖本公司章方为有效；未经本公司书面批准，本 报告复制无效（完整复制除外）； 3、对委托单位送样品，本报告仅对所检验样品负责； 4、对本检测报告如有疑议，应在收到报告15天内向本公司书面提出； 5、本公司负有对所有原始记录及相关资料的保管和保密责任。 武汉楚衡建设工程检测有限公司 地址：武汉市武昌区民主路260号 联系电话： 邮政编码：430000 联系人：梁容 编写： 检测： 校核：

批准： 基本信息 工程名称：浠水县梅子山水库除险加固工程 委托单位：浠水县中小型水库除险加固工程建设协调小组办公室 监理单位：湖北兴禹水利水电工程监理有限公司梅子山水库监理部 检测目的：检测大坝基底岩石透水率 检测时间： 2010年04月24日至2010年05月22日 检测方式：现场帷幕灌浆压水试验 目录 一、前言 (1) 二、帷幕灌浆设计要求 (1) 三、试验依据及完成工作量 (1) 四、施工设备及仪器 (2) 五、试验方法 (2) 六、试验结果 (2) 表1 主坝检测孔压水试验结果汇总表 表2 副坝检测孔压水试验结果汇总表 附表1~40：检测孔各试验段压水试验记录表

一、前言 为了保证浠水县梅子山水库除险加固工程大坝基岩帷幕灌浆的施工质量，浠水县中小型水库除险加固工程建设协调小组办公室委托我武汉楚衡建设工程检测有限公司对其完成的大坝基岩石帷幕灌浆段进行压水试验检测。 根据委托方要求，我公司于2010年04月24日进场开展检测工作，至2010年05月22完成室外工作，于2010年06月05日完成资料整理并提交报告。 二、帷幕灌浆设计要求 根据设计要求，完成帷幕灌浆后，大坝基底岩石透水率应小于10Lu（吕荣）。 三、试验依据及完成工作量 试验依据为《水工建筑物水泥灌浆施工技术规范》（SL62-94）。梅子山水库大坝由主坝和副坝构成，其中：主坝32个单元，共316个孔。副坝7个单元，共70个孔。本次检测将主坝布置11个检测孔，进行33段试验，将副坝布置3个检测孔，进行7段试验。 四、施工设备及仪器 本次压水试验投入的仪器设备有：XY-2工程钻机、压力表、胶塞止水器、3SNS灌浆泵、水表及其它辅材若干，所用

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题目：光电探测器的原理及国内外研究现状 学生姓名：学号： 院（系）：专业：

光电探测器的原理及国内外研究现状 摘要 概述了光电探测器的分类和基本原理，并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了光电探测器国内外研究现状，预测了硅基雪崩光电探测器在军事和激光雷达等方向的应用前景。 关键词：光电探测器；硅基雪崩光电探测器；激光雷达 Principle and Research Statue at Home and Abroad of photoelectric detector Abstract Described the basic principle and assortment of the photoelectric detector. The domestic and abroad research statue from the aspects of material selection and device main applications is summarized. At last the application prospects of silicon-based avalanche photodetector are predicted, such as research on military and laser radar. Keywords: phoroelectric detector；silicon-based avalanche photodetector；laser radar

1 引言 光电探测器的发展历史比较悠久，已有上百年的研究历史。由于这种器件在军事和民用中的重要性，发展非常迅速。随着激光与红外技术的发展，材料性能的改进和制造工艺的不断完善，光电探测器朝这集成化的方向发展。这大大缩小体积、改善性能、降低成本。此外将光辐射探测器阵列与CCD 器件结合起来，可以实现信息的传输也可用于热成像领域。 因此，进一步研究光电探测器是一项重要课题，本文章就从原理及国内外最新的研究状况探索光电探测器领先应用。 2 光电探测器入门 2.1 光电探测器的发展历史 最早用来探测可见光辐射和红外辐射的光辐射探测器是热探测器。其中，热电偶早在1826年就已发明出来【1】。1880年又发明了金属薄膜测辐射计。1947年制成了金属氧化物热敏电阻测辐射热计。1947年又发明了气动探测器。经过多年的改进和发展，这些光辐射探测器日趋完善，性能也有了较大的改进和提高。但是，与光子探测器相比，这些光辐射探测器的探测率仍较低，时间常数也较大。从五十年代开始人们对热释电探测器进行了一系列研究工作，发现它具有许多独特的优点，因此近年来有关热释电探测器的研究工作特别活跃，发展异常迅速。热释电探测器的发展以使得热探测器这个领域大为改观，以致有人估计热释电技术将成为发展电子——光学工业的先导。 应用广泛的光子探测器，除了发展最早、技术上也最成熟、响应波长从紫光到近红外的光电倍增管以外，硅和锗材料制作的光电二极管、铅锡、Ⅲ～Ⅴ族化合物、锗掺杂等光辐射探测器，目前均已达到相当成熟的阶段，器主要性能已接近理论极限。 1970年以后又出现了一种利用光子牵引效应制成的光子牵引探测器。其主要用于CO 2 激光的探测。八十年代中期，出现了利用掺杂的GaAs/AlGaAs材料、基于导带跃迁的新型光探测器——量子阱探测器。这种器件工作于8～12μm波段，工作温度为77K。 2.2 光电探测的分类及原理 光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同，光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器；另一类是热探测器。 光电探测器的工作原理是基于光电效应【2】。热探测器是用探测元件吸收入射辐射而产生热、造成温升,并借助各种物理效应把温升转换成电量的原理而制成的器件。最常用的有温差电偶、测辐射热计、高莱管、热电探测器。一般来说，热探测器的接收元由于表面涂黑它的光谱响应是无选择性的，它只受透光窗口光谱透射特性的限制，因此主要应用于红外区和紫外区，但它的响应率较低、响应速度慢、机械强度低，近来由于热电探测器和薄膜器件的发展，上述缺点已有所改进。 光子型探测器，利用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件，如光电管、光电倍增管和红外变像管等。这些器件都包含一个对光子敏感的光电阴极，当光子投射到光电阴极上时，光子可能被光电阴极中的电子吸收，获得足够大能量的电子能逸出光电阴极而成为自由的光电子。在光电管中，光电子在带正电的阳极的作用下运动，构成

探测器暗电流综述报告

暗电流形成及其稳定性分析 综述报告 目录 光电探测器基本原理 (2) 1.1 PIN光探测器的工作原理 (2) 1.2雪崩光电二极管工作原理 (3) 暗电流的形成及其影响因素 (4) 2.1暗电流掺杂浓度的影响 (4) 2.1.2复合电流特性 (5) 2.1.3表面复合电流特性 (5) 2.1.4欧姆电流特性 (5) 2.1.5隧道电流特性 (6) 2.2结面积和压焊区尺寸对探测器暗电流的影响 (8) 2.3腐蚀速率和表面钝化工艺对探测器暗电流的影响 (10) 2.4温度特性对暗电流影响 (11) 暗电流稳定性分析小结 (12) 参考文献 (13)

光探测器芯片处于反向偏置时，在没有光照的条件下也会有微弱的光电流，被称为暗电流，产生暗电流的机制有很多，主要包括表面漏电流、反向扩散电流、产生复合电流、隧穿电流和欧姆电流。。本文就将介绍光电探测器暗电流形成及其稳定性分析，并介绍了一些提高稳定性的方案，讨论它们的优势与存在的问题。 光电探测器基本原理 光电检测是将检测的物理信息用光辐射信号承载,检测光信号的变化,通过信号处理变换,得到检测信息。光学检测主要应用在高分辨率测量、非破坏性分析、高速检测、精密分析等领域,在非接触式、非破坏、高速、精密检测方面具有其他方法无比拟的。因此,光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法之一,是计量检测技术的一个重要发展方向。 1.1 PIN光探测器的工作原理 在PD的PN结间加入一层本征（或轻掺杂）半导体材料（I区），就可增大耗尽区的宽度，减小扩散作用的影响，提高响应速度。由于I区的材料近似为本征半导体，因此这种结构称为PIN光探测器。图（a）给出了PIN光探测器的结构和反向偏压时的场分布图。I区的材料具有高阻抗特性，使电压基本落在该区，从而在PIN 光探测器内部存在一个高电场区，即将耗尽层扩展到了整个I区控制 I 区的宽度可以控制耗尽层的宽度。 PIN光探测器通过加入中间层，减小了扩散分量对其响应速度的影响，但过大的耗尽区宽度将使载流子通过耗尽区的漂移时间过长，导致响应速度变慢，因此要根据实际情况折中选取I层的材料厚度。

信息加密与网络安全综述文献(附有大量参考文献)

信息加密与网络安全综述 摘要 本文从信息加密问题开始，论述了密码学及其发展、现状和应用，分析了一些加密技术。之后对网络安全问题进行了全面的描述和探讨，分析了不同的网络安全问题。最后探讨了网络安全问题的防范。 关键词：密码学；公钥密码体制；主动攻击

目录 1.信息加密技术 (1) 1.1前言 (1) 1.2密码学的发展 (1) 1.2密码编码与密码分析 (2) 1.2.1密码学分类 (2) 1.2.2密码体制分类 (2) 1.2.2.1对称密码体制 (2) 1.2.2.2公钥密码体制 (2) 1.2.3 密码分析学 (3) 1.2.3.1强力攻击 (3) 1.2.3.2线性密码分析 (4) 1.2.3.3差分密码分析 (4) 1.3密码协议 (4) 1.3.1认证协议 (4) 1.3.1.1数据源认证 (4) 1.3.1.2实体认证 (4) 1.3.1.3密钥建立认证协议 (5) 1.3.2 协议面临的典型攻击 (5) 1.4密码学的发展 (5) 1.4.1标准化趋势 (5) 1.4.2公理化趋势 (5) 1.4.3面向社会的实用化趋 (5) 2. 网络安全问题 (6) 2.1计算机网络 (6) 2.2计算机网络安全 (6) 2.3 面临的威胁 (7) 2.3.1 计算机软件设计上存在的漏洞和缺陷 (7)

2.3.2外部攻击 (7) 2.4 网络安全技术 (8) 2.4.1操作系统安全 (8) 2.4.2 防火墙 (8) 2.4.3 反病毒技术 (8) 2.4.4 入侵检测技术 (8) 2.4.5 数据加密技术 (8) 2.4.6 容灾技术 (8) 2.5网络安全对策 (9) 2.5.1 漏洞和缺陷方面 (9) 2.5.2 外部攻击方面 (9) 2.6总结 (9) 参考文献 (10)

水利工程概预算课程实训指导书1

水利工程概预算课程实训指 导书1 -标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

一、工程概况 某水利枢纽工程位于某县某江上（6类地区，工程在乡镇上），对外交通以铁路为主，铁路终端设物质中转站，中转站距坝址有138km的简易公路。枢纽正常蓄水位638m。总库容亿立米。淹没耕地27199亩，移民25304人，电站总装机4×50万千瓦，保证出力—万千瓦，年平均发电量—亿千瓦时；拦河大坝为双曲拱坝，右岸地下厂房，左岸三级垂直升船工程总工期10年，另施工准备工期1年，自开发工之日至开始发挥效益时间为年，施工总工日4000万工日，高峰施工人数20000人。 二、工程项目及工程量 第一部分建筑工程 （一）建筑工程 1、挡水工程（见表1）； 2、引水工程（见表2）。 表1 1挡水工程 表 三、基础单价计算资料 1、人工工资（标准工资为6类地区，无地区津贴） 2、材料原价 （1）木材：原木原价：2100元/ m3 板枋材：按出材率65%计，加工费按350元/ m3 边角回收50元/ m3 （2）水泥 450元/吨 500元/吨（假定散装和袋装价格相同）水泥包装费（不计） （3）汽油 7500元/吨 （4）柴油 7000元/吨 （5）炸药 2#铵锑 9000元/吨 4#抗水 9500元/吨 （6）钢筋 5000元/吨。 3、施工用电

外购电占97%，基本电价元/度，高压输电线路损耗摊销率5%，35KV以下变配电设备及输电线路损耗摊销率8%，供电设施维护摊销费元/度。 柴油发电占3%，4台固定式480KW柴油发电机机，出力系数，厂用电率5%，变配电及输电线路损耗率8%，单位循环冷却水摊销费元/度，供电设施维护摊销费摊销费元/度。 4、施工供水 最末级水泵流量8045m3/台班（三级供水） 水泵机组总台班费 10000元/台班 供水损耗率10% 摊销费元/m3 5、施工供风（循环水冷却） A型风机20 m3/min, 10台（台班费按施工机械台时费定额计算） 能量利用系数,损耗率20%；摊销费元/ m3 冷却水摊销费元/ m3 6、砂石料单价计算依据（全部人工骨料） 砂45元/m3,碎石40元/m3 四、主要材料运杂费（包括场内外运输） 材料运输均只考虑汽车运输，运距和运费如下： 1、钢材运距150km，运输费用元/t*km，装卸费10元/吨； 2、水泥（袋装）运输费用元/t*km，运距120km,装卸费8元/吨；（20%） 水泥（散装）运输费用元/t*km，运距120km,装卸费10元/吨；（80%） 3、木材运输费用元/m3*km，运距150km，装卸费20元/ m3 4、汽油、柴油运输费用元/t*km，运距150km，不计装卸费； 5、炸药运输费用元/t*km，运距120km，装卸费20元/吨； 采购保管费率3%，运输保险费率1%。 五、单价资料 1、砼工程 （1）每立方砼各材料用量（见下表） （2）坝体砼（C15四级配占60%，C20三级配40%） 2*混凝土搅拌楼拌制自卸汽车运输1km，浇筑采用机械化施工，浇筑层厚2~3m； （3）闸墩砼（C25，二级配）2*混凝土搅拌楼拌制，3m3混凝土搅拌车运输，门座式起重机配3m3吊罐直接入仓，墩厚— （4）隧洞衬砌砼（C20二级配）喷锚支护后平洞钢模衬砌 砼泵浇筑，衬砌厚度90cm，开挖断面 A.挡水工程﹥150m2 B.引水工程50—100 m2，3m3搅拌车洞内运，洞外运，砼拌和楼2× 各种混凝土的配合比如下表：

分布式数据库管理系统简介

分布式数据库管理系统简介 一、什么是分布式数据库： 分布式数据库系统是在集中式数据库系统的基础上发展来的。是数据库技术与网络技术结合的产物。 分布式数据库系统有两种：一种是物理上分布的，但逻辑上却是集中的。这种分布式数据库只适宜用途比较单一的、不大的单位或部门。另一种分布式数据库系统在物理上和逻辑上都是分布的，也就是所谓联邦式分布数据库系统。由于组成联邦的各个子数据库系统是相对“自治”的，这种系统可以容纳多种不同用途的、差异较大的数据库，比较适宜于大范围内数据库的集成。 分布式数据库系统（DDBS）包含分布式数据库管理系统（DDBMS和分布式数据库（DDB）。 在分布式数据库系统中，一个应用程序可以对数据库进行透明操作，数据库中的数据分别在不同的局部数据库中存储、由不同的DBMS进行管理、在不同的机器上运行、由不同的 操作系统支持、被不同的通信网络连接在一起。 一个分布式数据库在逻辑上是一个统一的整体：即在用户面前为单个逻辑数据库，在物理上则是分别存储在不同的物理节点上。一个应用程序通过网络的连接可以访问分布在不同地理位置的数据库。它的分布性表现在数据库中的数据不是存储在同一场地。更确切地讲，不存储在同一计算机的存储设备上。这就是与集中式数据库的区别。从用户的角度看，一个分布式数据库系统在逻辑上和集中式数据库系统一样，用户可以在任何一个场地执行全局应用。就好那些数据是存储在同一台计算机上，有单个数据库管理系统（DBMS）管理一样，用 户并没有什么感觉不一样。 分布式数据库中每一个数据库服务器合作地维护全局数据库的一致性。 分布式数据库系统是一个客户/ 服务器体系结构。 在系统中的每一台计算机称为结点。如果一结点具有管理数据库软件，该结点称为数据库服务器。如果一个结点为请求服务器的信息的一应用，该结点称为客户。在ORACL客户， 执行数据库应用，可存取数据信息和与用户交互。在服务器，执行ORACL软件，处理对ORACLE 数据库并发、共享数据存取。ORACL允许上述两部分在同一台计算机上，但当客户部分和 服务器部分是由网连接的不同计算机上时，更有效。 分布处理是由多台处理机分担单个任务的处理。在ORACL数据库系统中分布处理的例 子如： 客户和服务器是位于网络连接的不同计算机上。 单台计算机上有多个处理器，不同处理器分别执行客户应用。 参与分布式数据库的每一服务器是分别地独立地管理数据库，好像每一数据库不是网络化的数据库。每一个数据库独立地被管理，称为场地自治性。场地自治性有下列好处： ?系统的结点可反映公司的逻辑组织。

电缆探测仪的文献综述

东海科学技术学院 毕业论文（设计）文献综述 题目：电缆探测仪器 系： 学生姓名： 专业： 班级： 指导教师： 起止日期：

金属探测仪器 本次设计的主要任务是设计金属探测仪，金属都有个共同特性，即导电性。由于此性质，在当高频电磁波辐射到金属后，引起涡流效应[3]，从而使辐射体的参数变化，如阻抗、等效电感量[9]等变化，再将这些参数的变化转化成电压、电流[11]、音调的变化效果作为输出指示地下电缆探测仪是电缆维护、电缆施工者的必备工具，地下电缆探测仪，它具备电缆探测中的四大功能，地埋电缆探测仪全面满足各项地下电缆探测的全面需求。带电电缆的路径查找及寻踪、运行电缆的路径查找及寻踪、运行电缆的识别和判断、施工过程中的电缆检测、直埋电缆的故障查找、多种方法电缆深度的准确判读。多年来我们通过全国范围的调研、创新型的研发，用最新的方法、独特的技术研制出了地埋电缆探测仪。光/电缆路[8]由探测仪的研制成功填补了我国在电力电缆探测仪方面的空白，地下电缆路由探测仪使电缆探测技术达到了崭新的高度[3]。 使用地下电缆路径仪(地下电缆探测仪)可以轻松解决了带电电缆路径查找的问题.地埋线探测仪还可直接查找50Hz运行电缆的路径。带电的电缆的路径查找是该带电电缆路径仪的一大特点，该地下电力电缆探测仪器可探测各种高压电缆、低压电缆、光缆的路径。将测量耦合夹钳夹住待测的电缆，通过耦合夹钳在目标电缆上直接产生感应信号。此时沿电缆路径即可接收到信号。此种工作方式可以探测电缆深度不小于3.5米，探测电缆长度不小于3公里。 运行电缆路径仪接收机[8]能够探测运行电缆的50Hz频率。这种工作方式对于区分地下带电电缆及带电电缆、不带电的电缆和金属管探测有很实用的用处。将便携式电缆寻踪仪接收机的工作频率选择为50Hz频率。由于这种工作方式快捷而有效，因此十分的实用。在这种方式中，不需要使用发射器。 在道路施工和建筑施工中，对地面进行开挖是经常的事情。但施工方往往不能及时准确地掌握开挖地区内地下管线及电力电缆的位置和深度等相关资料。目前，由于盲目开挖而导致的各种事故屡见不鲜，供水管路的被挖破、电力电缆、光缆被挖断等等，不但给社会生活造成了很大的影响，同时也给施工方造成很多不必要的损失。开挖前对工作区域内地下管线和电缆的探查已经成为一项必不可少的而且非常有价值的工作。电缆路由探测仪是专门针对“开挖前的电缆、光缆、金属管道探测”这一目的而研发。"这里能不能进行开挖?" 作为施工单位,会经常面对这样的问题? 地下电缆探测仪操作简单,地下电缆探测仪可快速探明开挖区域内地下管线的状况,避免盲目开挖带来的不必要的损失.此种工作方式可探测电缆深度不小于2米[15]。 在建设房子和房屋装修,对于电缆的排布也要清楚它的电缆走向,在装修过程中,如果对电缆走向不明确,很容易出现施工过程中电缆被意外切断,造成意外事故。本次设计中就设计一个电缆探测仪,来检查墙壁中的电缆走向,在开关断的电缆接线头输入一个高频,通过一个信号接收器在电缆周围来回移动,接收到的信号强弱来判断电缆的位子,接近电缆信号强,远离电缆则信号弱。 金属探测器有很多种型号，双线圈金属探测器[14]，能耗型金属探测器[7]，频差式金属探测器等本次毕业设计通过对粗略的一些方案进行预测，最后确定一个具体方安，即就是要做的设计，对一个通有高频信号的导线用金属探测器[7]来检测，通过探测电路的信号F1和检测电路信号F2的频差经过放大输出得到一个让人能听到的声音，用耳机接听来判断电缆的位置。。本次设计用到两个振荡电路，即探测电路的电压反馈振荡电路和固定频率信号的方

【推荐】大数据文献综述

信息资源管理文献综述题目：大数据背景下的信息资源管理系别：信息与工程学院 班级：2015级信本1班 姓名： 学号：1506101015

任课教师： 2017年6月 大数据背景下的信息资源管理 摘要：随着网络信息化时代的日益普遍，我们正处在一个数据爆炸性增长的“大数据”时代，在我们的各个方面都产生了深远的影响。大数据是数据分析的前沿技术。简言之，从各种各样类型的数据中，快速获得有价值信息的能力就是大数据技术，这也是一个企业所需要必备的技术。“大数据”一词越来越地别提及与使用，我们用它来描述和定义信息爆炸时代产生的海量数据。就拿百度地图来说，我们在享受它带来的便利的同时，无偿的贡献了我们的“行踪”，比如说我们的上班地点，我们的家庭住址，甚至是我们的出行方式他们也可以知道，但我们不得不接受这个现实，我们每个人在互联网进入大数据时代，都将是透明性的存在。各种数据都在迅速膨胀并变大，所以我们需要对这些数据进行有效的管理并加以合理的运用。 关键词：大数据信息资源管理与利用

目录 前言：大数据泛指大规模、超大规模的数据集，因可从中挖掘出有价值的信息而倍受关注，但传统方法无法进行有效分析和处理.《华尔街日报》将大数据时代、智能化生产和无线网络革命称为引领未来繁荣的大技术变革.“世界经济论坛”报告指出大数据为新财富，价值堪比 石油.因此，目前世界各国纷纷将开发利用大数据作为夺取新一轮竞 争制高点的重要举措. 当前大数据分析者面临的主要问题有:数据日趋庞大，无论是入

库和查询，都出现性能瓶颈;用户的应用和分析结果呈整合趋势，对 实时性和响应时间要求越来越高;使用的模型越来越复杂，计算量指 数级上升;传统技能和处理方法无法应对大数据挑战. 正文： 大数据概念 大数据定义 维基百科对大数据的定义则简单明了:大数据是指利用常用软件工具捕获、管理和处理数据所耗时间超过可容忍时间的数据集。也就是说大数据是一个体量特别大，数据类别特别大的数据集，并且这样的数据集无法用传统数据库工具对其内容进行抓取、管理 大数据来源 1)来自人类活动:人们通过社会网络、互联网、健康、金融、经济、交通等活动过程所产生的各类数据，包括微博、病人医疗记录、文字、图形、视频等 信息. 2)来自计算机:各类计算机信息系统产生的数据，以文件、数据库、多媒体等形式存在，也包括审计、日志等自动生成的信息. 3)来自物理世界:各类数字设备、科学实验与观察所采集的数据.如摄像头所不断产生的数字信号，医疗物联网不断产生的人的各项特征值，气象业 务系统采集设备所收集的海量数据等 传统数据库和大数据的比较 现有数据处理技术大多采用数据库管理技术，从数据库到大数据，看似一个简单的技术升级，但仔细考察不难发现两者存在一些本质上区别。传统数据库时

雪崩光电探测器

雪崩光电探测器 雪崩光电探测器光电探测器是将光信号转变为电信号的器件，雪崩光电探测器采用的即是雪崩光电二极管(APD) ，能够具有更大的响应度。APD将主要应用于长距离或接收光功率受到其它限制而较小的光纤通信系统。目前很多光器件专家对APD 的前景十分看好，认为APD 的研究对于增强相关领域的国际竞争力，是十分必要的。雪崩光电探测器的材料1)Si Si 材料技术是一种成熟技术，广泛应用于微电子领域，但并不适合制备目前光通信领域普遍接受的 1.31mm,1.55mm 波长范围的器件。 2)Ge Ge APD 虽然光谱响应适合光纤传输低损耗、低色散的要求，但在制备工艺中存在很大的困难。而且，Ge的电子和空穴的 离化率比率( )接近1，因此很难制备出高性能的APD 器件。 3)In0.53Ga0.47As/InP 选择In0.53Ga0.47As 作为APD 的光吸收层，InP 作为倍增层，是一种比较有效的方法[2] 。In0.53Ga0.47As 材料的吸收峰值在 1.65mm, 在 1.31mm,1.55mm 波长有约为104cm-1 高吸收系数，是目前光探测器吸收层首选材料。In0.53Ga0.47As 光电二极管比起Ge 光电二极管，有如下优点：（1） In0.53Ga0.47As 是直接带隙半导体，吸收系数高；（2） In0.53Ga0.47As 介电常数比Ge 小，要得到与Ge 光电二极管相

同的量子效率和电容，可以减少In0.53Ga0.47As 耗尽层的厚度，因此可以预期In0.53Ga0.47As/InP 光二极管具有高的效应和响应；（3）电子和空穴的离化率比率（）不是1，也就是说In0.53Ga0.47As/InP APD 噪声较低；（4） In0.53Ga0.47As 与InP 晶格完全匹配，用MOCVD 方法在InP 衬底上可以生长出高质量的In0.53Ga0.47As 外延层，可以显着的降低通过p-n 结的暗电流。（5）In0.53Ga0.47As/InP 异质结构外延技术，很容易在吸收区生长较高带隙的窗口层，由此可以消除表面复合对量子效率的影响。 4）InGaAsP/InP 选择InGaAsP 作为光吸收层，InP 作为倍增层,可以制备响应波长在1-1.4mm ，高量子效率，低暗电流，高雪崩增益得的APD 。通过选择不同的合金组分，满足对特定波长的最佳性能。 ）InGaAs/InAlAs ln0.52AI0.48As 材料带隙宽（1.47 eV）,在 1.55 mm 波长范围不吸收，有证据显示，薄In0.52Al0.48As 外延层在纯电子注入的条件下，作为倍增层材料，可以获得比lnP 更好的增益特性。 6）InGaAs/InGaAs（P）/InAlAs 和InGaAs/In（Al ）GaAs/InAlAs 材料的碰撞离化率是影响APD 性能的重要因素。研究表明[6] ，可以通过引入InGaAs（P）/InAlAs 和In（Al ）GaAs/InAlAs 超晶格结构提高倍增层的碰撞离化率。应用超晶格结构这一能带工程可以人为控制导带和价带值间的非对称性带边不连续性，并保证

水工建筑物实训练习题 (1)

水工建筑物实训》第一套试卷 总共50题共100分 查看试题范围显示全部试题仅显示答错试题仅显示未答试题仅显示答对试题 考试编号答题开始时间答题结束时间考生姓名总得分 评卷人系统自动评卷评卷时间 一. 单选题（共20题,共40分） 1. ()是输送渠道水流跨越河流、渠道、道路、山谷等架空输水建筑物。（2分） A.渡槽 B.升船机 C.倒虹吸 D.跌水 ☆考生答案：A ★考生得分：2 分评语： A.坝踵不出现压应力 B.坝踵不出现拉应力 C.坝趾不出现拉应力 D.坝趾不出现压应力 ☆考生答案：C ★考生得分：0 分评语： A.梯形 B.曲线形 C.驼峰形

D.圆形 ☆考生答案：C ★考生得分：0 分评语： 4. 为灌溉、发电和供水的需要，从上游向下游输水用的建筑物，称为( )。（2分） A.取水建筑物 B.泄水建筑物 C.整治建筑物 D.输水建筑物 ☆考生答案：C ★考生得分：0 分评语： 5. ()将拱坝视为有一系列各自独立、互不影响的水平拱圈所组成。（2分） A.纯拱法 B.拱梁法 C.有限单元法 D.拱冠梁法 ☆考生答案：A ★考生得分：2 分评语： 6. 土石坝砂砾石地基的透水土层厚度较浅（小于15m）时，应优先采取以下哪种地基处理措施？( A.粘土截水槽 B.混凝土防渗墙 C.帷幕灌浆 D.排水减压井 ☆考生答案：A ★考生得分：2 分评语： A.挑流消能

B. 面流消能 C.底流消能 D.水垫消能 ☆考生答案：C ★考生得分：0 分评语： 8. 用以改善河流的水流条件，调整水流对河床及河岸的作用，以及为防护水库、湖泊中的波浪和水流对岸坡的冲刷。如：丁坝、顺坝、导流堤、护底和护岸等，称为()。（2分） A.挡水建筑物 B.泄水建筑物 C.整治建筑物 D.输水建筑物 ☆考生答案：C ★考生得分：0 分评语： . 76 ☆考生答案：A ★考生得分：2 分评语： A.防止坝基内产生机械或化学管涌 B.有利于基岩的整体性 C.提高基岩的强度 D.降低地基的透水性 ☆考生答案：A

分布式数据库系统复习题

一、何为分布式数据库系统？一个分布式数据库系统有哪些特点？ 答案：分布式数据库系统通俗地说，是物理上分散而逻辑上集中的数据库系统。分布式数据库系统使用计算机网络将地理位置分散而管理和控制又需要不同程度集中的多个逻辑单位连接起来，共同组成一个统一的数据库系统。因此，分布式数据库系统可以看成是计算机网络与数据库系统的有机结合。一个分布式数据库系统具有如下特点： 物理分布性，即分布式数据库系统中的数据不是存储在一个站点上，而是分散存储在由计算机网络连接起来的多个站点上，而且这种分散存储对用户来说是感觉不到的。 逻辑整体性，分布式数据库系统中的数据物理上是分散在各个站点中，但这些分散的数据逻辑上却构成一个整体，它们被分布式数据库系统的所有用户共享，并由一个分布式数据库管理系统统一管理，它使得“分布”对用户来说是透明的。 站点自治性，也称为场地自治性，各站点上的数据由本地的DBMS管理，具有自治处理能力，完成本站点的应用，这是分布式数据库系统与多处理机系统的区别。 另外，由以上三个分布式数据库系统的基本特点还可以导出它的其它特点，即：数据分布透明性、集中与自治相结合的控制机制、存在适当的数据冗余度、事务管理的分布性。 二、简述分布式数据库的模式结构和各层模式的概念。 分布式数据库是多层的，国内分为四层： 全局外层：全局外模式，是全局应用的用户视图，所以也称全局试图。它为全局概念模式的子集，表示全局应用所涉及的数据库部分。 全局概念层：全局概念模式、分片模式和分配模式 全局概念模式描述分布式数据库中全局数据的逻辑结构和数据特性，与集中式数据库中的概念模式是集中式数据库的概念视图一样，全局概念模式是分布式数据库的全局概念视图。分片模式用于说明如何放置数据库的分片部分。分布式数据库可划分为许多逻辑片，定义片段、片段与概念模式之间的映射关系。分配模式是根据选定的数据分布策略，定义各片段的物理存放站点。 局部概念层：局部概念模式是全局概念模式的子集。局部内层：局部内模式 局部内模式是分布式数据库中关于物理数据库的描述，类同集中式数据库中的内模式，但其描述的内容不仅包含只局部于本站点的数据的存储描述，还包括全局数据在本站点的存储描述。 三、简述分布式数据库系统中的分布透明性，举例说明分布式数据库简单查询的 各级分布透明性问题。 分布式数据库中的分布透明性即分布独立性，指用户或用户程序使用分布式数据库如同使用集中式数据库那样，不必关心全局数据的分布情况，包括全局数据的逻辑分片情况、逻辑片段的站点位置分配情况，以及各站点上数据库的数据模型等。即全局数据的逻辑分片、片段的物理位置分配，各站点数据库的数据模型等情况对用户和用户程序透明。

碧流河实验报告初稿

奇台县碧流河水库工程 坝基及坝肩防渗试验报告 葛洲坝新疆工程局（有限公司） 奇台县碧流河基础处理项目经理部 2015年8月15日

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1 灌浆试验的目的与任务 1.1 根据设计说明及要求，通过灌浆试验主要达到以下几个目的； 1.1.1 通过灌浆试验确定灌浆防渗效果，从而评价经灌浆处理后提高防渗能力的可行性和可靠性。 1.1.2 了解岩石的可灌性，补充灌浆区域的地质资料。 1.1.3 通过灌浆试验确定合理有效的灌浆参数。如：深度、灌浆材料、浆液级配、待凝时间、灌浆压力、干料单位耗量和特殊情况处理等。 2 灌浆试验区的地质条件。 坝轴线走向E90°，河谷呈“V ”型，河床宽度约15m ，走向近正N 方向，河床蛇曲不明显、较顺直，枯水期河水位水面宽度3～6m 。水库正常蓄水位高程1734.0m ，对应河床宽度约137m 。按坝轴线的工程地质条件，将坝线分为左岸坝肩、河床坝基、右岸坝肩三部分分别评述： 2.1 左岸坝肩： 左岸(0-155～0-006m)段高程1672～1770m 之间，岸坡坡度50°～55°，下部近乎直立，高程1738～1761m 之间，坡度约35°～45°。岸坡走向354°，向下游岸坡渐缓。左岸坝肩大多基岩裸露，仅在高程1738～1762m 之间，表层有厚1～2m 厚的碎石土或风积粉土。基岩岩性为石炭系上统博格多群上亚群第一组凝灰质砂岩，灰黑色，中厚层状，岩层产状50°SE ∠37°，岩体强风化层厚约5～6m ，纵波速度Vp ＝3100～3500m/s ；弱风化带厚15～18m ，纵波速度Vp ＝3500～4000m/s ；微～新鲜基岩纵波速度Vp=5000～5500m/s 。根据试验资料显示岩体的颗粒密度为2.69g/cm3、干密度2.67g/cm3、湿密度2.68g/cm3、自然吸水率为0.27%、饱和吸水率为0.30%、空隙率0.78%、烘干后抗压强度118MPa 、饱和抗压强度76.5MPa 、软化系数0.70、烘干后抗剪强度c 为3.1MPa 、为51.6度、浸水后抗剪强度c 为2.3 MPa 、 为48.3度。 左岸坝肩桩号0-044.9m 处发育有一小型断层：f7：65°NW ∠86°，断层破碎带宽度0.3～0.5m ，为碎裂岩，与岸坡走向呈大角度相交，因此该断层对坝肩及岸坡稳定影响不大。岩石裂隙主要发育L9：65°NW ∠86°，延伸长度5～8m ，面平直，闭合，为硬性结构面，两组裂隙与层面相互切割，岩体被分割成10～20cm 的块状，由于两组裂隙与岸坡走向呈大角度相交，因此对岸坡稳定影响不大，目前左坝肩自然边坡虽然较陡，但边坡的稳定性尚好，坡脚没有发现大规模的崩塌物，但在坝线附近山体岩石凸凹不平，需要进行削坡处理。心墙基础范围内的断层破碎带必须进行处理，建议沿断层走向清除破碎岩层，在开挖过程中，若破碎带水平方向延伸深度较浅应全部清除，若延伸较深，无尖灭迹象，开挖深度不小于2倍的破碎带宽度且不应小于1.0 m ，回填混凝土处理，在清除过程中应注意上部岩体的稳定，对不稳定岩体可适当的削坡。 据左岸钻孔试验资料，岩体透水率q ≤10Lu 值界限均在基岩面以下埋深45～65m ，透水率q ≤5Lu 值界限均在基岩面以下50～76m ，透水率q ≤3Lu 值界限均在基岩面以下 62～ ? ?

分布式数据库实验报告

南华大学 计算机科学与技术学院 实验报告 （2011 ~2012 学年度第一学期） 课程名称软件设计模式 实验名称设计模式UML建模 姓名肖喜武学号20094350225 专业软件工程班级本09软件02班 地点8-212 教师余颖

一、实验目的 （1）学会如何根据站点的特点对数据库进行分片 （2）学会如何实验amoeba软件对数据库实现分片 二、实验内容 ?某个公司有三个计算机站点，站点B和站点C分别属于部门2和部门3现在希望在站 点B和C上分别频繁访问EMPLOYEE和PROJECT表中有关工作在该部门的雇员和该 部门管辖的项目信息。 ?雇员信息主要是指EMPLOYEE表的NAME,ESSN,SALARY和SUPERSSN属性。 ?站点A供公司总部（部门1）使用，经常存取为保险目的而记录的DEPENDENT信息 外，还定期地存取所有雇员和项目的信息。 请根据这些要求，对该公司关系数据库中的关系进行分片和分布 EMPLOYEE FNAME MINIT LNAME ESSN BDATE ADDRESS SEX SALARY SUPRESSN DNO DEPARTEMNT DNAME DNO MGRSSN MGRSTARTDA TE DEPT_LOCATION DNO DLOCA TION PROJECT PNAME PNUMER PLOCATION DNO WORKS_ON ESSN PNO HOURS DEPENDENT ESSN DEPENDENT SEX BDATE RELATIONSHIP 三、实验步骤 （1）理论分析 先根据DEPARTMENT表的主码DNO的值进行水平分片，然后基于外码部 门号（DNO）将导出的片段应用到关系EMPLOYEE、PROJECT和DEPPTLOCATIONS上，再在刚才得到的EMPLOYEE片段上进行垂直分片，得 到只含熟悉你给｛NAME,ESSN,SALARY,SUPERSSN,DNO｝的片段。图2.13给 出了EMPD2和EMPD3的混合分片，它包括了分别满足条件DNO=2和DNO=3 的EMPLOYEE元组。类似地，PROJECT、DEPARTMENT和DEPT_LOCATIONS 都按部门编号进行水平分片，这些片段根据其相应的部门号分别存储在站点B 和部门C上，如图所示: EMPD5 FNAME MINIT LNAME ESSN SALARY SUPERSSN DNO John B Smith 123456789 30000 333445555 2 Franklin T Wong 333445555 40000 888665555 2 Ramesh K Narayan 666884444 38000 333445555 2 Joyce A English 453453453 25000 333445555 2

网络入侵与防范研究文献综述

学 毕业设计(论文)文献综述 院（系）： 专业： 姓名： 学号： 完成日期：

关于网络入侵防范技术研究的文献综述 文献[1]：文献通过大量的实例，以实际应用为基础，全面系统地介绍了Windows操作系统的管理、基于不同操作系统的网络安全管理和网络设备管理等网络管理技术和实现方法。它的主要内容包括网络管理基础、文件和磁盘管理、活动目录及组策略的管理、Windows 2000/2003服务器的日常管理、网络打印机的管理、DHCP服务器的管理、Windows Server 2003证书的应用和管理、网络防病毒系统的部署和管理、SUS和WSUS补丁管理系统的应用、交换机和路由器的基本管理、交换机VLAN的管理、交换机生成树的管理、访问控制列表(ACL)的应用和管理、网络地址转换(NAT)的应用和管理。文献1、2为我们很好的理解网络及它可能存在的漏洞打下基础，并明白由此而衍生的入侵与防范机理。 文献[2]：该文献首先从常用网络接入技术入手，说明了网络的基本概念，对ISO的OSI分层模型和Internet的分层模型进行了比较；然后，按照从低层到高层的顺序，分别说明各层的功能，并对这些层中的应用情况做了详细介绍；最后，对局域网设计的过程和网络安全进行详细说明。 文献[3]：文献从网络安全所涉及的攻击防御正反两个方面入手，在深入剖析各处黑客攻击手段的基础上，对相应的防御对策进行了系统的阐述。无论是攻击还是防御技术，除了介绍必要的基础知识并深入分析其原理外，还介绍了典型工具及操作实例，让我们在攻防技术的实际运用中建立起对网络安全深刻的认识。 文献[4]：文献向读者介绍了有关网络安全技术方面的内容，为了了解黑客在攻击网络时常用的方法，必须要熟悉网络编程技术。它分为两个部分，第一部分主要是网络基础知识和Visual C++网络编程技术，第二部分是本书的核心内容，给我们分析了网络攻击的原理、典型的技术手段，并给出了相应的防范措施和工具。此外，改文献还介绍了网络系统安全漏洞问题、信息加密技术等内容。 文献[5]：文献全面详细地介绍了信息、信息安全、计算机犯罪、计算机病毒、信息保障体系及信息战的基本概念；阐述了计算机病毒的宏观防范策略与病毒寄生环境；着重剖析了典型的计算机病毒机理、病毒的传染机制及触发机制；论述了计算机病毒的检测技术、清除技术和预防机制；穿插介绍了计算机病毒技术和反病毒技术的新动向与发展趋势。通过文献[3]，我们可以很清晰的了解到各种病毒的攻击原理及其发展历程。 文献[6]：文献全面、系统地讲述了C语言的各个特性及程序设计的基本方法，包括基本概念、类型和表达式、控制流、函数与程序结构、指针与数组、结构、文件、位运算、标准库等内容。这两本文献让我们对C语言功能之强大，应用之广泛有了深刻的认识。 文献[7]：文献从基本概念、基本技术、技术细节和疑难问题4个角度,分C语言、变量和数据存储、排序与查找、编译预处理等21个专题,收集了有关C程序设计的308个常见的问题。每一问题的解答都配有简明而有说服力的例子程序,相关的问题之间还配有详尽的交叉索引,通过该文献可以迅速完善自己的知识体系,并有效地提高自己的编程水