《物理学》选择题和填空题
选择题
1-1某质点的运动学方程x=6+3t-5t 3，则该质点作 （ ） （A ）匀加速直线运动，加速度为正值 （B ）匀加速直线运动，加速度为负值 （C ）变加速直线运动，加速度为正值 （D ）变加速直线运动，加速度为负值
1-2在一艘大船上进行篮球比赛。球的质量是m ，球相对船的速率是v ，船相对岸的速度是V 2、V 1和V 2的方向相同。 （ ）
（A ）以船为参照系，球的动能是 以岸为参照系，球的动能也是 。
（B ）以船为参照系，球的动能是 以岸为参照，球的动能是 。
（C ）以船为参照系，球的动能是 ，以岸为参照系，球的动能是 。
（D ）一般地，所选参照系不同，同一物体的动能数值会有所差异。
1-3 一作直线运动的物体，其速度x v 与时间t 的关系曲线如图示。设21t t →时间内合力作功为A 1，32t t →时间内合力作功为A 2，43t t →时间内合力作功为A
，则下述正确都为： （A ）01?A ，02?A ，03?A （B ）01?A ，02?A ， 03?A （C ）01=A ，02?A ，03?A （D ）01=A ，02?A ，03?A
1-4 关于静摩擦力作功，指出下述正确者 （ ） （A ） 物体相互作用时，在任何情况下，每个静摩擦力都不作功。 （B ） 受静摩擦力作用的物体必定静止。
（C ） 彼此以静摩擦力作用的两个物体处于相对静止状态，所以两个静摩擦力作功之和等于零。
1-5 质点沿半径为R 的圆周作匀速率运动，经过时间T 转动一圈，那么在2T 的时间内，其平均速度的大小和平均速率分别为 （ ） （A ）
， （B ） 0，
（C ）0， 0
（D ）
T
R
π2， 0 1-6 某质点沿直线运动，其加速度是35-=t a x ，那么，下述结论正确者为 （ ） （A ） 根据公式t a x x =υ，它的速度是t t x 352
-=υ
2
1
2
1υm 21
2
1υm ()2
2121υυ+m 21
2
1υm T R
π2T
R π2T
R
π2t
()22
121υυ+m ()2212
1
υυ+m
（B ） 因为 ，则利用 不定积分关系，可算得这个质点的速度公式为
（C ） 因力导数有无穷多个原函数，按题给条件，无法确定此质点的速度公式 填空题
1-7已知质点的X 和Y 坐标是)3.0cos(10.0t X ?=π，)3.0sin(10.0t y π=。此质点运动学方程的矢量表示式r= ；它的轨道曲线方程是 从这个方
程可知，其运动轨道的形状是 ；它的速度公式是υ= ，速率υ= 法向加速度n a ，切向加速度τa 总加速度的大小a= ，方向是 。
1-8沿直线运动的质点，其运动学方程是3
2
0et ct bt x x +++=（x 0，b ，c ，e 是常量）。初始时刻质点的坐标是 ；质点的速度公式υx = ;初始速度等于
；加速度公式a x = ;初始速度等于 ；加速度a x 是时间的 函数，由此可知，作用于质点的合力是随时间的 函数。 1-9已知某质点的运动学方程是 j t t ti r )9.44(32
-+=
这个质点的速度公式υ= ；加速度公式是a= ；无穷小时间内，它的位移dyj dxi dr +== 。d υ、dx 和dy 构成无穷小三角形，dr 的大小ds=dr = ；它的速率公式 = 。 地球绕太阳运动的轨道是椭圆形。在远地点时地球太阳系统的引力势能比近地点时大，则地球公转时的速度是 点比 点大。
选择题
4－1真空系统的容积为5.0×10-3m 3，内部压强为1.33×10-3Pa 。为提高真空度，可将容器加热，使附着在器壁的气体分子放出，然后抽出。设从室温（200C ）加热到2200C ，容器内压强增为1.33Pa 。则从器壁放出的气体分子的数量级为
（A ）1016个； （B ）1017个； （C ）1018个； （D ）1019个
4－2在一个坟闭容器内，将理想气体分子的平均速率提高到原来的2倍，则 （A ）温度和压强都提高为原来的2倍； （ ） （B ）温度为原来的4倍，压强为原来4倍； （ ） （C ）温度为原来的4倍，压强为原来2倍； （ ） （D ）温度和压强都是原来的4倍。 （ ）
4－3两瓶不同种类的理想气体。设其分子平均平动动能相等，但分子数密度不相等，
dt
d a x
υ=?
=dt a x x υ232335t t x -=υdt
ds
=
υ
则 （ ）
（A ）压强相等，温度相等； （B ）压强相等，温度不相等； （C ）压强不相等，温度相等； （D ）方均根速率相等。
4－4在封闭容器中，一定量的N 2理想气体，温度升到原来的5倍时，气体系统分解为N 原子理想气体。此时，系统的内能为原来的 （ ）
(A)
6
1
倍 （B ）12倍 （C ）6倍 （D ）15倍
4－5 f(υp )表示速率在最概然速率υP 附近单位速率间隔区间内的分子数点总分子的百分比。那么，当气体的温度降低时，下述说法正确者是 （ ）
（A ）p υ变小，而)(p f υ不变； （B ）p υ和)(p f υ变小； （C ）p υ变小，而)(p f υ变大； （D ）p υ不变，而)(p f υ变大。
4－6 三个容器A 、B 、C 中盛有同种理想气体，其分子数密度之比为n A :n B :n C =4:2:1,方均根速率之比为
4:2:1::222=C B A υυυ则其压强之比为P A :P B :P C 为
（A ）1：2：4 （B ）4：2：1 （C ）1：1：1 （D ）4：1：4
1
填空题
4－7 气体压强是描述大量气体分子对器壁碰撞的产均效果的宏观物理量。在边长为L 的立方形容器中，推导气体压强公式，先求得一个分子（例如第i 个分子）对器壁的平均作用力=i f ；然后求得N 个分子对器壁的平均作用=F ；再进一步求得压强公式P ＝ 。
4－8 室内生起火炉后，此室内由于温度升高到270C 由于窗子敞开，室内压强不变。那么，此室内由于温度升高，分子数减少的百分数是 。
4－9 有体积相同的一瓶氢气和一瓶氧气（都视为理想气体），它们的温度相同，则（用“是”或“不”填入）：（1）两瓶气体的内能 一定比氧气分子的平均速率大；（2）平动平动动能 一定相同；（3）氢分子的平均速率 一定比氧分子的平均速率大。
4－10 图示的曲线分别是氢和氧在相同温度下的速度分布曲线。从图给数据可判断，氢分子的最概然速率是 ；氧分子的最要然速率是 ；氧分子的方均根速率是 。
4-10题 图
4－11 说明下列各式的物理意义：
（A ）
RT 21
； （B ）RT 23
；
（C ）RT i
2 ；
（D ）RT v 2
3
。
4－12 自由度为i 的一定量的刚性分子理想气体，其体积为V ，压强为P 。用V 和P
表示，其内能E ＝ 。
选择题
5-1 某理想气体状态变化时，内能随体积变化的关 系如图中AB 直线，则此过程是
（A ）等压过程 （B ）等体过程 （C ）等温过程
（D ）绝热过程 题5-1图
5-2 一理想气体系统起始温度是T ，体积是V ，由如下三个准静态过程构成一个循环：绝热膨胀2V ，经等体过程回到温度T ，再等温地压缩到体积V 。在些循环中，下述说法正确者是（ ）。
（A ）气体向外放出热量； （B ）气体向外正作功； （C ）气体的内能增加； （C ）气体的内能减少。
5-3两个卡诺循环，一个工作于温度为T 1与T 2的两个热源之间；另一个工作于T 1和T 3的两个热源之间，已知T 1＜T 2＜T 3，而且这两个循环所包围的面积相等。由此可知，下述说法正确者是（ ）
（A ）两者的效率相等；
（B ）两者从高温热源吸取的热量相等； （C ）两者向低温热源入出的热量相等； （D ）两者吸取热量和放出热量的差值相等。 5-4判断下述说法
（A ）功可全部变为热量，但热不能全部变为功； （ ）
（B ）热量可从高温物体传到低温物体，但不能从低温物体传到高温物体； （ ） （C ）热量不能乍动地从低温物体传到高温物体； （ ）
（D ）热量不能从低温物体传到高温特体而不引起其它变化； （ ）
5-5下列四循环中，从理论上看能够实现的循环过程（）
题5-5图
填空题
5-6系统在某过程中吸热150J，对外作功900J，那么，在此过程中，系统内能的变化是。
5-7绝热过程中，系统内能的变化是950J，在此过程中，系统作功。
5-8一定量的理想气体，从某状态出发，如果经等压、等温或绝热过程膨胀相同的体积。在这三个过程中，作功最多的过程是；气体内能减少的减少的过程是；吸收热量最多的过程是。
5-9热机循环的效率是0.21，那么，经一循环吸收1000J热量，它所作的净功是，放出的热量是。
7-11如下状态方程各属理想气体的什么过程？
P d V=vR d T.
V d p=vR d T
P d V+v d p=0
P d V+V d p=vR d T(d V、d p、d T均不等于零)
5-10在等压条件下，把一定量理想气体升温50K需要161J的热量。在等体条件下把它的温度降低100K，放出240J的热量，则此气体分子的自由度是。
5-11一定量的理想气体从相同初态开始，分别ad，ac，ab过程到达具有相同温度的终态。其中ac为绝热过程，如图所示，则ab过程是，ad过程是。（填吸热或放热）
题5-11图
选择题
7-1 关于电场强度定义式 ，指出下列说法中的正确者 （ ）
（A ） 场强E 的大小与检验电荷0q 的电量成反比；
（B ） 对场中某点，检验电荷受力F 与0q 的比值不因0q 而变； （C ） 检验电荷受力F 的方向就是场强E 的方向； （D ） 若场中某点不放检验电荷0q ，则F =0，从而E =0。 7-2 电场强度 这一定义的适用范围是 （ ）
（A ） 点电荷产生的电场 ； （B ）静电场； （C ）匀强电场； （D ）任何电场。 7-3 在SI 中，电场强度的量纲是 （ ） （A ）1
1
--MLT I （B ）2
1
--MLT I
（C ）31--MLT I （D ）3-IMLT
7-4 判断正误
（A ） 静电力与检验电荷有关，也与场点的位置有关；（ ） （B ） 电场强度与检验电荷无关，只与场点的位置有关；（ ） （C ） 一定要用正电荷才能确定场强的方向； （ ） （D ） 场强的方向就是电荷在该点受电场力的方向； （ ）
（E ） 在 和 两式中，q 的含义相同。（ ）
7-5在带电量为+q 的金属球的电场中，为测量某点的场强E ，在该点放一带电电为 的检验电荷，电荷受力大小为F ，则该点电场强度E 的大小满足 （ ）
（A ） （B ）
（D ） （D ）E 不确定
q F
E =0
q F E =q
F E =02
04r E r
q πε=3
q +q
F E 3=q
F
E 3?q
F E 3?
7-6 在场强为E 的匀强电场中，有一个半径为R 的半球面，若电场强度E 的方向与半球面的对称轴平行，则通过这个半球面的电通量的大小为（ ）
（A ）πR 2E ； （B ）2πR 2E ； （C ）;22
E R π （D ）
E R 22
1π。
7-7边长为a 的正方体中心放置一个电荷Q ，通过一个侧面的电能量为 （ ） （A ） （B ） （C ）
πεQ
（D ）
6εQ
7-8如图所示，闭合面s 面外有一点电荷q ，P 为 题9-8图
s 面上一点，在s 面外A 点有一点电荷q '，若将q '移到s 面外另一点B 处，则下述正确者是 （ ）
（A ） S 面的电通量改变，P 点的场强不变 （B ） S 面的电通量不变，P 点的场强改变 （C ） S 面的电通量和P 点的场强改变 （D ） S 面的电通量和P 点的场强都改变 7-9高斯定理 说明静电场的性质是
（A ）电场线不是闭合曲线 （
） （B ）静电力是保守力 （ ） （C ）静电场是有源场 （ ） （D ）静电场是保守力场 （ ） 7-11有人根据高斯定理得出下述结论，请判断
（A ）闭合曲面内的电荷的代数和为零，闭合面上任一点的场强一定为零； （ ） （B ）闭合曲面上各点的场强为零，闭合曲面内一定没有电荷； （ ） （C ）闭合曲面上各点的场强仅由面内的电荷决定； （ ） （D ）通过闭合曲面的电能量仅由面内的电荷决定； （ ）
（E ） 凡是对称分布的均匀带电系统都可以通过高斯定理求它的电场强度。（ ） 7-12指出关于电势叙述的正确者
（A ）电势的正负决定于检验电荷的正负； （ ）
（B ）带正电物体周转的电势一定是正，带负电物体周围的电势一定是负的； （C ）电势的正负决定于外力对检验电荷作功的正负
（D ）空间某点的电势是不确定的，可正可负，决定于电势零点的选取。 （ ） 7-13 判断下列叙述的正误
04πεQ 02πεQ
∑?=
?q
d s
1
εS E
（A ）电势等于零的物体一定不带电 （ ） （B ）电势高的地方，电场强度一定大 （ ） （C ）场强为零时，电势一定为零 （ ）
（D ）负电荷沿着电场线方向移动，它的电势能增加。 （ ）
7-14 若将负点电荷q 从电场中的a
（ ）
（A ）电场力作负功； （B ）电场强度b a E E ?； （C ）电势能减少； （D ）电势b a V V ?
7-15真空中两块互相平行的无限大均匀带电平板，其面电荷密度分别为σ+和σ2+，两板间距离为d ，两板间电势差为 （ ） （A ）0 （B ）
（C ） （D ）
7-16半径为R 的均匀带电圆环，其轴线上有两点21P p 和，它们到环心的距离分别为2R 和R ，如轨图示。若取无限远处电势为零，21P p 和点的电势分别为21V V 和，则 （ ）
（A ） （B ）
（C ）214V V =
（D ）V 1=2V 2
7-17 下列叙述中正确者是（ ） （A ）等势面上各点场强的大小一定相等； （B ）在电势高处，电势能也一定高； （C ）场强大处，电势一定高；
（D ）场强的方向总是从电势高处指向电势低处。
7-18 极板面积为s 、间距为d 的平行电容器，接入电源保持电压V 恒定。此时，若把间距拉开为2d ，则电容器中的静电能将电能交改变了 （ ）
（A ） （B ）
（B ）
（D ）
7-19 平行板电容器充电后仍与电源连接，若用绝缘手柄将两极板间距拉大，则极板上
d 0
23εσd
0εσd
2εσ21
2
5
V V =21
2
5V V =
202V d S
ε2
04V d S
ε2
04V d
S
ε-202V d
S
ε-
题图 9-14题图
9-16
电量Q ，场强E 和电场能量W e 将作下述变化，正确者是 （ ）
（A ） Q 增大，E 增大，W e 增大 （B ） Q 减小，E 减小，W e 减小 （C ） Q 增大，E 减小，W e 增大 （D ） Q 减小，E 增大，W e 增大。 填空题
7-20 两个正点电荷所带电量分别为21q q 和，当它们相距r 时，两电荷之间相互作用力为F= ，若Q q q =+21，欲使两电荷间的作用力
最大，则它们所带电量之比 = 。
7-21四个点电荷到坐标原点O 的距离均为d ， 如图示，O 点的电场强度E = 。
7-22 边长为a 的六边形中，六个顶点都放在电荷，其 电量的绝对值相等。如图示的四种情况下，六边形中点场强 的大小分别为E a = 。E b = ，C E = ， E d = 。并在图中画出场强E 的方向。
7-23 真空两块互相平行的无限大均匀带电平板，其中一块的面电荷密度为σ+，另一块的面电荷密度为σ2+，两极板间的电场强度大小为 。
7-24 如图示，负点电荷Q 的电场中有a 、b 两点，则 点电场强度的大小大， 点的电势高。一正点电荷q 置于b 点的电势能W e = ，将此点电荷从b 点移至a 点，电势能将 （填减小，增加或不变）。
7-25 半径为R 、均匀带电Q 的球面，若取无穷远处为零电势点，则球心处的电势 V 0= ；球面外离球心r 处的电势V φ= 。如在此球面挖去一小面积S ?（连同其上电荷），那么，球心处的电势V 0= 。
7-26 一均匀带电Q 的球形薄膜，在它的半径从R 1扩大到R 2的过程中，如图所示距球
2
1
q q
x
题图
9-21 +q +q
(a)+q +q
(b)(c)+q -q
?
-q
-q
(d)题图
9-22 a
b
-Q
题图
9-24
心为R 的一点的场强将由 变为 ；电势由 变为 ；通过以R 为半径的球面的通量由 变为 。
7-27 平行板电容器充电后与电源断开，然后充满相对电容率为r ε的各向均匀电介质。其电容C 将 。两极板间电势差将 （填减小、增大或不变）。
7-28 平行板电容器两极板间距离为d ，若插入一面积与极板相同，厚度为 ，相对电容率为r ε的各向同性均匀电介持板，如图示。则插入介质后的电容C 与原来的电容C 0之比 = 。
选择题
11-1 两个载有相等电流I 的圆线圈，一个处于水平位置，一个处于竖直位置，如图所示。在圆心O 处的磁感强度的大小是 （ ）
（A ） 0 （B ） （C ）
（D ）
11-2 无限长载流直导线在P 处弯成以O 为圆心，R 为半径的圆，如图示。若所通电流为I ，缝P 极窄，则O 处的磁感强度B 的大小为 （ ）
（A ） （B ） （C ）
（D ）
11-3 磁场的高斯定理?
=?s dS B 0说明了稳恒稳场的某些性质。判定下列说法的正误：
（A ） 磁感线是闭合曲线； （ ）
（B ） 磁场力是保守力； （ ） （C ） 磁场是无源场； （ ） （D ） 磁场是非保守力场； （ ）
2d
C C
题图
9-26 题图
9-28 R
I u 20R
I
u 220R
I
u 0R
I
u π0R I u 0R
I u 2110??? ??-πR I u 2110??? ??+π
题11-1图 题11-2图 题11-4图
11-4 在无限长载流直导线附近作一个球形闭合曲面S ，如图所示。当S 面向长直导线靠近时，穿过S 面的磁通m Φ和面上各点磁感强度的大小将。 （ ）
（A ）m Φ增大，B 也增大； （B ）m Φ不变，B 也不变 （C ）m Φ增大，B 不变； （D ）m Φ不变，B 增大。 11-5 判断正误。在安培环路定理
∑?=?I u dl B L
中，
（A ）若没有电流穿过回路L ，则回路L 上各点的B 均为零； （ ） （B ）若L 上各点B 为零，则穿过L 的电流的代数和为零； （ ） （C ）因为电流是标量，所以等式右边
∑I 应为穿过回路的所有电流的算术和； （ ）
（D ）等式左边的B 只是穿过闭合回路L 的所有电流共同产生的磁感强度。 （ ） 11-6安培环路定理中
∑?=?I u dl B L
说明磁场的性质是
(A) 磁场力是非保守力 ( ) (B) 磁感线是闭合曲线 ( ) (C) 磁场是无源场 ( ) (D) 磁场是非保守力场 ( )
11-7 一细长载流直导线通有电流I ，导线上还带有线电荷密度为λ的净电荷。一带电粒子在距此导线r 处平行于导线以速度v 作直线运动。设粒子只受电磁力作用，则当导线内电流变为时 时 ，粒子仍作直线运动的条件是 ( )
（A ）使导线上净电荷密度增大一倍； （B ）将粒子电荷增加一倍； （C ）加上平行于导线的外加磁场； （D ）将粒子速率加倍。 11-8 判断下列叙述的正误
(A) 通电螺线管内充入磁介质后，其内部的磁感强度一定大于真空时的值； ( ) (B) 一条形磁介质在外磁场作用下被磁化，该介质一定为顺磁质； ( ) (C) 铜的磁导率1
6
10255.1--??=m H u 它属于抗磁质； ( ) (D) 铁的相对磁导率r u 》1，且不为常量； ( )
11-9如图所示，载流导线在圆 心O 处的磁感强度的大小为 ( )
104(A)
R I u 204(B )R I
u ???? ??+210
114(C )R R I u ????
??-21
0114(D )R R I u
11-10 四条互相平行的载流长直导线中的电流均为I ，如图示放置。正方形的边长为a ，
2
I
题11-9图 题11-10图 正方形中心O 处的磁感强度的大小为 。
11-11 一无限长载流导线中部弯成如图所示的四分之一圆周MN ，圆心为O ，半径为R 。若导线中的电流强度为I ，则O 处的磁感强度B 的大小为 ( )
填空题
11-12 若将电流元Idl 放在径为R 的圆心，如图所示。将圆周等分成八段。Idl 在图中1、2、3、4各等分点的磁感强度的大小分别为1dB = ；2dB = ；
3dB = ；4dB = 。右半圆 各点磁场的方向为 ；左半圆各点磁场
的方向为 。
题11-11图 题11-12图 题11-14图
11-13 某点的地磁场为T 4
107.0-?，这一地磁场被半径为5.0cm 的圆形电流线圈中心的磁场抵消。则线圈通过 A 的电流。
11-14 将导线弯成两个半径分别为21R R 和且共面的两个半圆，圆心为O ，通过的电流为I ，如图示。则圆心O 点的磁感强度的大小为 ；方向为 。
11-15 在如图所示回路L 1、L 2、L 3、L 4的环流为
= 。
a
I u A π022)
(a
I u B π02)
(a
I u C π22)
(00
)(D R
I u A π2)
(0?
?
? ??+412)(0ππR I u B R
I u C π8)(0
R
I u D 8)
(0?
?1
L dl B
题11-15图 题11-16图
= ； =
；
= 。 11-16 空间某一区域同时存在着电磁场E 和B ，它们互相垂直，E 垂直睛纸面向里，B 水平向左。若有一带电q 的负电荷以速度v(与水平成θ角)进入电磁场，如图示，则电荷受的电
场力e f = ，方向为 ；磁场力m f = ，方向为 ；电荷作匀速直线运动的条件为 。
选择题
13-1如图示，两个同频率、同振幅的简谐振动曲张a 和b ，它们的相位关系是 （ ）
（A ）a 比b 滞后2π；（B ）a 比b 超前2π；（C ）b 比超前2π；（D ）b 比滞后2
π；
题13-1图
13-2研究弹簧振子振动时，得到四条曲线，如图所示。图中横坐标为位移x ，纵坐标为
有关物理量。描述物体加速度与位移的关系曲线是 （ ）
题13-2图
13-3 上题中，描述物体速率与位移的关系曲线是 （ ）
13-4以频率v 作简谐振动的系统，其动能（或势能）随时间变化的频率是 （ ） （A ）
2
v
（B ）v （C ）2 v （D ）4 v 13-5 简谐振动物体的位移为振幅的一半时，其动能和势能之经为 （ ） （A ）1：1 （B ）1：2 （C ）3：1 （D ）2：1 13-6科谐振动的t x -曲线如图示，
在6秒时刻，下列叙述中正确都为 （ ）
（A ）此时速度最小
??2
L dl B ??3L dl B ?
?4
L dl B
（B ）此时加速度最大 （C ）此时势能最小
题13-6图
13-7 波线上A 、B 两点相距m 31，B 点的相位比A 点滞后6
π
，波的频率为2Hz ，则波速为 （ ）
（A ）1
8-?s m （B ）
132-?s m （C ）12-?s m （D ）13
4
-?s m 13-8一质点沿y 方向振动，振幅为A ，周期为T ，平衡位置在坐标原点。已知t=0时该质点位于y=0处，向y 轴正运动。由该质点引起的波动的波长为λ。则沿x 轴正向传播的平面简谐波的波动方程为 （ ）
（A ）)222cos(λπππ
x T t A y -+=； （B ）)222cos(λπππx T t A y ++= （C ）)222cos(λπππx T t A y +-=； （D ）)222cos(λ
πππx
T t A y --=
13-9 苛波沿一弦线传播，其波动方程为
m x
t y )200
(100cos 01.0-
=π 如果弦线的密度3
3
105-??=m kg ρ，则波的能流密度为 （ ）
（A ）2
4
108.9-??m W ； （B ）2
6
2
10-??m W π （C ）2
5
2
105-??m W π； （D ）2
2
500-?m W π
13-10 一简谐波，振幅增为原来的两倍，而周期减为原来的一半。则后者的强度I 与原来波的强度I 0之比为 （ ）
（A ）1； （B ）2； （C ）4； （D ）16
13-11 频率为500Hz 的波，其波速为1
360-?s m ，相位差为
3
π
的两点的波程差为（ ）
（A ）0.12m (B)
m π
21
(C)
m π1500
(D)0.24m
13-12 如图示，S 1和S 2是相距
4
λ
的两相干波源，S 1的相位比S 2的相位落后
2
π
，每列波在S 1和S 2连线上的振幅A 0不随距离变化。在S 1左侧和S 2右侧各处合成波的振幅分别为A 1和A 2，则 （ ）
（A ）A 1＝0，A 2＝0 （B ）A 1＝2A 0，A 2＝0 （C ）A 1＝0，A 2＝2A 0 （D ）A 1＝2A 0，A 2＝2A 0
填空题 题13-12图
13-13 一物体的质量为kg 2
105.2-?，它的振动方程为
m t x )4
5cos(100.62π
-?=-
则振幅为 ，周期为 ，初相为 。质点在初始位置所受的力为 。 在π秒末的位移为 ，速度为 ，加速度为 。
13-14 某质点作简谐振动的t x -曲线如图示。则质点的振幅为 ，圆频率为 ，振动方程为 ，初相为 。
13-15 某简振动方程为
m t x )3
2cos(4.0π
π-=
物体在振动过程中速度从零变到速度为1
4.0-?-s m π的最短时间为 。
13-16 已知弹簧振子的总能量为128J ，设振子处于最大位移的4
1
处时，其动能的瞬时值为 ，势能的瞬时值为 。
13-17 有两个弹簧振子。第一振子物体的质量为第二振子物体质量的两倍，而振幅则为第二振子的一半。设两振子以相同的频率振动，则第一振子的能量与第二振子能量之比为 。
13-18 两简谐振的议程为
cm t x )6
2cos(81π
+
=
cm t x )6
2cos(62π
-=
两振动的相位差为 ，合振幅为 ，合振动的初相为 ，合振动的方程为 。
13-19已知平面简谐波方程为
)c o s (?+-=cx bt A y
式中A 、b 、c 、?均为常量。则平面简谐波的振幅为 ，频率为 ，波速为 ，波长为 。
13-20一平面踊沿x 轴正方向传播，速度1
100-?=s m u ，0=t 时的波形如力示。从波形图可知、波长为 ，振幅为 ，频率为 周期为 波动方程为 。
题13-20图
13-21一平面简谐波沿x 轴负向传播已知m x 1-=处质点的振动方程为
m wt A y )cos(1?+=
若波速为u ，则此波的波动方程为 。
13-22一横波在t 时刻的波形图如图示。试指出A 、B 、C 、D 四点中哪些点的振动速度
为正，哪些点的振动速度角为负，哪些点的振动速度为零：A v 为 ，B v 为
C v 为 ，
D v 为 。
13-23一平面简谐波在0.03s 的波形图如图示。波沿x 轴负向传播，波速为
13100.5-??s m ，则平面简谐波的波动方程为 。若该波的强度为2221069.1-??m W π，则该介质的密度为 。
题13-22图 题13-23图
13-24波的相干条件为 。
选择题
12-1在杨氏双缝干涉实验中，如果缩短双缝间的距离，下列陈述正确的是（ ） A 相邻明（暗）纹间距减小； B 相邻明（暗）纹间距增大； C 相邻明（暗）纹间距不变
D 不能确定相邻明（暗）纹间距的变化情况。
12-2 牛顿环实验装置是用一平凸透镜置于一平板玻璃上。今以平行单色光从上向 下垂直入射，并从上向下观察，看到有许多明暗相间的同心圆环，这些圆环的特点为（ ） A 接触点是明的，同心圆环是等距离的； B 接触点是明的，同心圆环是不距离的； C 接触点是暗的，同心圆环是等距离的； D 接触点是暗的，同心圆环是不距离的； 12-3 光波的衍射没有声波显著，是由于（） A 光是电磁波； B 光速比声速大
C 光有颜色；
D 光波长比声波小得多。
12-4 观察屏上单缝夫琅和费衍射花样，如入射光波长变大时，中央明条纹宽度（ ） A 变小 B 衍射图样下移
C 不变
D 由其他情况而定。
12-5 在单缝夫琅和费衍射实验中，若将单缝向上移动，则（ ） A 衍射图样上移； B 衍射图样下移
C 衍射图样不变；
D 衍射图样发生变化。
12-6 若一束白光通过衍射光栅，则中央明条纹为（ ） A 变大； B 变小；
C 不变；
D 由其他情况而定。 12-7 光栅常量变小时，下列正确说法是（ ） A 衍射条纹间距变大，条纹宽度变大； B 衍射条纹间距变大，条纹宽度变小； C 衍射条纹间距变小，条纹宽度变小； D 衍射条纹间距变小，条纹宽度变大。
12-8 关于光学仪器的分辨率，下列说法正确的是（ ） A 与入射光波长成正比，与透光孔径成反比； B 与入射光波长成反比，与透光孔径成反比； C 与入射光波长成正比，与透光孔径成正比； D 与入射光波长成反比，与透光孔径成正比； 填空题
12-9 550nm 的黄绿光射入折射率为1.52的玻璃中，则该光在玻璃中的波长为 。 12-10 真空中波长为λ的单色光，在折射率为n 的介质中从A 点传到B 点，相位改变π2，则光程为 ，从A 点到B 点的几何路程为 。
12-11 一束波长为λ的单色光，从空气垂直入射到折射率为n 的透明薄膜上，要使反射光得到加强，薄膜的最小厚度为 。要使透射光得到加强，薄膜的最小厚度为 。
12-12 单缝夫琅和费衍射实验中，除中央明纹外，其他明纹的宽度为 ，中央明纹宽度为其他明纹宽度的 倍。
12-13 波长为λ的平行单色光垂直照射到缝宽为a 的单缝上，产生单缝夫琅和费衍射。当满足=?sin a 时，在衍射角?方向出现k 级暗条纹。
12-14 光栅产生的条纹花样，是在光栅的每个透光缝的 作用基础上，各透光缝之间产生相互 作用总效果。
12-15 以白光垂直照射衍射光栅，不同 的光有不同的衍射角，可见光中 色光衍射角最小， 色光衍射角最大。
13-16 一平行光束垂直照射到一平面光栅上，则第三级光谱中波长为 的谱线刚好与波长为670nm 的第二级光谱线重叠。
12-17 一束自然光斜入射至折射率为n 的玻璃板上，反射光为 偏振光，折射光为 偏振光。当入射角为 角时，反射光为完全偏振光，其光振动方向 。 12-18在双缝干涉实验中，以单色自然光为光源，可在屏上得到一组明暗相间得干涉条纹，今在双缝后加一很薄得偏振片，则屏上干涉条纹得分布将 （变、不变或消失） ，明条纹的光强为原来的 倍。
半导体物理学试题库完整
一．填空题 1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数.内部势场） 2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度.费米分布函数） 3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。（正.相等） 4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。（[100]. 间接带隙） 5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷） 6．在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2.1/1+exp(2)） 7．从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙.直接带隙） 8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度.禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石.闪锌矿） 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。（直接.间接） 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射.晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴.复合中心）
肿瘤学选择题及填空题
选择题 A1型题 1.肿瘤是指： D （1.1.1） A．炎性增生形成的肿物 B．修复过度形成的肿瘤包块 C．代偿肥大所致 D．异常增生而形成的新生物 2.不符合 ．．．肿瘤性增生的是B（1.2.1） A.增生的细胞具有异型性 B.需致瘤因素的持续存在 C.细胞代谢旺盛 D.可不形成肿块 E.相对无止境生长 3.肿瘤性增生区别于炎症性增生的特点 是A（1.2.1） A.增生组织不分化不成熟 B.血管增生 C.纤维组织增生 D.器官的实质细胞增生 E.炎症细胞浸润 4.有关肿瘤的生物学特性，下列哪项不正 确：C（1.2.1） A．幼稚性 B．与机体的不协调性 C．致瘤因素消除后停止增生 D．相对无限制生长 5.有关肿瘤增生与炎性增生：D （1.1.1） A．两者无差异 B．二者对机体均有利 C．两者只有量的差异 D．二者具有质的区别 E. 二者对机体均不利 6.肿瘤的实质是指：C（1.1.1） A．肿瘤的血管 B．肿瘤的结构 C．肿瘤细胞 D．肿瘤的良恶性 7.决定肿瘤特性的是：A（1.1.1） A．肿瘤的实质 B．肿瘤的血管 C．肿瘤的间质 D．肿瘤的结构 8.鉴定恶性肿瘤的组织起源和组织类型 主要依据是：B（1.2.1） A．癌珠的形态 B．肿瘤的实质形态 C．肿瘤间质的类型 D．肿瘤的生长方式 E. 肿瘤实质与间质比例 9.肿瘤的异型性是指：A（1.2.1） A．肿瘤与其起源组织的差异 B．实质与间质比例的差异 C．肿瘤之间大小的差异 D．肿瘤之间的形态差异 E. 肿瘤生长速度的差异 10.区别良恶性肿瘤的重要形态学依据是： D（1.2.1） A．生长方式 B．实质与间质的比例 C．生长速度 D．异型性 E. 间质的类型 11.恶性肿瘤异型性主要表现在C（1.1.1） A.肿瘤细胞胞浆嗜碱性 B.可见核分裂 C.肿瘤细胞核的多形性 D.肿瘤细胞分泌减少 E.组织结构紊乱 12.良性肿瘤异型性主要表现在 C （1.1.1） A.细胞形态不一 B.核分裂像增多 C.组织结构紊乱 D.细胞间变明显 E.细胞分泌减少 13.不符合 ．．．肿瘤形态特点的描述的是A （2.2.1） A.体积巨大的肿瘤多为恶性 B.可发生多原发癌 C.可形成微小癌
CAD选择题和填空题
1.ZWCAD不能处理以下哪类信息：（）C．声音信息 2.CAD标准文件的后缀名为：（）A．dwg 3.保存文件的快捷键是：（）B．Ctrl+S 4.使用Polygon命令可以画出多少边的等边多边形（）C．1024 5.不是环形阵列定义阵列对象树木和分布方法的是：B．项目总数和项目间的角度 6.用旋转命令“rotate”旋转对象时：（）D．可以在三位一体空间缩放对象 7.不能应用修剪命令“trim”进行修剪的对象是：（）D．文字 8.用缩放命令“scale”缩放对象时：（）D．可以在三维空间缩放对象 9.中望CAD中哪个方法不能绘制一条弧线：（）B．起点，圆心，端点画弧 10.应用延伸命令“extend”进行对象延伸时：（）C．可以延伸封闭线框 11.设置线宽的命令是下列哪个：（）A．lineweight 12.下列哪一项不属于对象的基本特性（）D．打印样式 13.拉长命令“lengrhen”修改开发曲线的长度时有很多选项，除了：（B．封闭 14.下列哪个不是中望CAD的截面组成部分（）B．插入栏 15.拉伸命令“stretch”拉伸对象时，不能：（）A．把圆拉伸为椭圆 16.编辑文本的命令为（）C．Ddedit 17.应用偏移命令“offset”对一条多段线进行圆角操作是：（）B．如果一条弧线隔开 两条相交的直线段，将删除该段而替代指定半径的圆角 18.分解文本的说法中正确的是：（）C．分解文本是指将文本分解成由直线或弧线 组成的线条实体 19.提供水平或者垂直方向上的长度尺寸标注是：（）C．基线标注 20.启动尺寸标注样式的命令为：（）C．Dimstyle 21.调出块属性编辑对话框的命令是：（）D．block 22.中望CAD可以进行三维设计，但不能进行：（）D．参数化建模 23.建立三维网格的命令是：（）B．3Dmesh 24.三维对齐命令Align，最多可以允许用户选择几个对应点：（）A．3 25.移动圆对象，使其圆心移动到直线中点，需要应用：（）B．对象捕捉 26.应用倒角命令“charmfer”进行倒角操作时：（）C．不能对文字对象进行倒角 27.在中望CAD中可以指定和添加各种类型文件的搜索路径，除了以下哪种文件： B．ZWCAD主应用程序文件 28.中望CAD的坐标体系，包括世界坐标系和（）坐标系D．用户 29.在绘图时，如果要想将最后一个点参照为原点（0,0）来作图，该介入如下的哪一个命 令（）A．FROM 30.UCS是一种坐标系图标，属于（）Ｃ．自定义坐标系 31.更新屏幕和重新计算图形数据库使用什么命令？（）B．Regen（重生成） 32.在文字标注时，______控制数字小数位的设置？在“标注样式”的“精度”选项 33.属性和块的关系：（）C．属性是块中非图形信息的载体 34.属性提取过程中：（）C．一次可以提取多个图形文件中的属性 35.以下哪些命令是将数据从其他应用程序，通过剪贴板，作为OLE对象进入到ZWCAD 中的：（）C．选择性粘贴 36.属性的定义：（）D．一个块中可以定义多个属性 37.关于中望CAD的打印设置页面，以下说法都是正确的，除了：（） 可选择.plt文件的批量打印 38.下列关于PLT批量打印的说法，不正确的是：（）D．适用于DWG和DXF文件
语音填空、选择练习题及答案
语音 班级姓名学号 一、填空题 1.语音具有___________性、___________性和___________性，其中 ___________是语音的本质属性。 2.发音器官包括三大部分：、、C____________。 3.语音同其他声音一样，具有___________、_______________、 _____________、_____________四个要素。 4.不同的音色至少是由以下三方面原因之一造成的：A_______________、B_______________、C_________________________。 5.元音和辅音的主要区别在于：发元音时， ______________________________；发辅音时， _____________________________。 6.对音节进行彻底的切分可以得出最小的语音单位，其中着眼于自然角度的叫做_____________，着眼于语音的社会功能的叫做_____________。 7.《汉语拼音方案》包括五部分内容：A_________________、 B_________________、C_________________、D ______________、 E_________________。 8.《汉语拼音方案》的主要用途是：A_______________、 B_________________。 9.音节由_____________构成，也是交谈时自然感到的语音单位。 10.声母是音节开头的____________，普通话中共有____________个辅音声母。 11.辅音声母的分类依据是________________和________________。 12.根据发音时声带是否颤动，普通话声母可以分为___________和 ____________两类。 13.根据发音时呼出的气流的强弱，普通话声母可以分为____________和____________两类。 14.普通话声母中的浊音有________________________________。
半导体物理学练习题(刘恩科)
第一章半导体中的电子状态 例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。 解：K状态电子的速度为： （1）同理，－K状态电子的速度则为： （2）从一维情况容易看出： （3）同理 有： （4） （5） 将式（3）（4）（5）代入式（2）后得： （6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。 例2.已知一维晶体的电子能带可写成： 式中，a为晶格常数。试求： （1）能带的宽度； （2）能带底部和顶部电子的有效质量。 解：（1）由E(k)关 系 （1）
（2） 令得： 当时，代入（2）得： 对应E(k)的极小值。 当时，代入（2）得： 对应E(k)的极大值。 根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。 故：能带宽度 （3）能带底部和顶部电子的有效质量： 习题与思考题： 1 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 3 试指出空穴的主要特征。 4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某一维晶体的电子能带为 其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。求： （1）能带宽度； （2）能带底和能带顶的有效质量。 6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？ 7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？ 8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量 描述能带中电子运动有何局限性？ 9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为什么？ 10有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。”是否如此？为什么？ 11简述有效质量与能带结构的关系？ 12对于自由电子，加速反向与外力作用反向一致，这个结论是否适用于布洛赫电子？ 13从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同？ 14试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性？以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系？ 15为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？16为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述？ 17有两块硅单晶，其中一块的重量是另一块重量的二倍。这两块晶体价带中的能级数是否相等？彼此有何联系？ 18说明布里渊区和k空间等能面这两个物理概念的不同。 19为什么极值附近的等能面是球面的半导体，当改变存储反向时只能观察到一个共振吸收峰？ 第二章半导体中的杂质与缺陷能级 例1.半导体硅单晶的介电常数＝11.8，电子和空穴的有效质量各为＝ 0.97， ＝0.19和＝0.16，＝0.53，利用类氢模型估计： （1）施主和受主电离能; （2）基态电子轨道半径 解：（1）利用下式求得和。
肿瘤学试题库试题库
一、填空题 1、环磷酰胺是烷化剂类药物，５-氟脲嘧啶是抗代谢类药物。 2、腹水患者应监测腹围，准确记录出入量。 3、甲胎蛋白（AFP）是诊断肝癌最特异性的血清标志物。 4、肿瘤的介入治疗主要有肝癌肝动脉栓塞化疗和肾癌肾动脉栓塞化疗。 5、三阶梯癌痛治疗原则是按阶梯给药、口服给药、按时给药、个体化给药。 6、化疗药物的毒副作用有即刻反应、早期反应、迟发反应、远期反应等。 7、肿瘤标志物主要包括蛋白质、激素、酶和多胺等。 8、按医瞩准备药物，熟悉常用抗癌药物作用，给药方法和毒性反应。了解患 者的治疗方案。 9、使用化疗药物，应注意药物的配伍禁忌，现配现用，不得放置。掌握药 物的剂量，用法及给药速度，给药顺序及间隔时间。 10 、长期使用阿片类药物可引起便秘，鼓励多饮水，每日 1000～1500 ml 。 11、在化疗中，要注意观察患者的病情变化，随时注意体温、脉搏、 呼、血压、神志等变化。 12、在化疗中，注意有无药物毒性反应发生，如出现出血、呕吐、皮疹、 便秘、腹泻、便血及时报告医生，给予对症处理。 13、处理化疗后患者的排泄物、分泌物，呕吐物时必须戴手套。 14、患者胸腔注药后，指导并协助患者翻身，观察注药后反应。 15、淋巴瘤患者抵抗力低下易造成口腔感染，应加强口腔护理。 16、应用紫杉醇发生过敏反应的主要表现是心律失常和血压下降。 17、抗癌药物的常用给药方法有全身给药和局部用药。 18、化疗期间嘱病人多饮水，每天液体总量不少于 3000ml 。 19、顺铂腹腔化疗后应记录 24小时尿量，每日尿量不能少于 2500ml 。 20、腹腔化疗药液使用前须加温到 37℃～ 38℃左右，防止冷刺激引起寒战等 不良反应。 21、化疗药液外漏应即刻停药，并用生理盐水，利多卡因加地塞米松封闭。 22、使用抗代谢或抗癌抗生素药物易引起口腔炎，要注意做好口腔护理。 23、使用阿霉素类药物的患者，要注意心脏反应，定时检查心电图。
中考数学选择题与填空题解题技巧
选择题与填空题解题技巧 选择题和填空题是中考中必考的题目，主要考查对概念、基础知识的理解、掌握及其应用．填空题所占的比例较大，是学生得分的重要来源．近几年，随着中考命题的创新、改革，相继推出了一些题意新颖、构思精巧、具有一定难度的新题型．这就要求同学切实抓好基础知识的掌握，强化训练，提高解题的能力，才能在中考中减少失误，有的放矢，从容应对． 【典例剖析】 例1.（直接推演法）下列命题中，真命题的个数为（） ①对角线互相垂直平分且相等的四边形是正方形，②如果四边形的两条对角线互相垂直，那么它的面积等于两条对角线长的积的一半，③在一个圆中，如果弦相等，那么所对的圆周角相等，④已知两圆半径分别为5，3，圆心距为2，那么两圆内切（） A．1 B．2 C．3 D．4 ①正确，正方形的判定定理：对角线互相垂直平分且相等的四边形是正方形；②正确，对角线互相垂直的四边形面积等于两条对角线长的积的一半；③错误，弦对的圆周角有两种，一种是顶点在优弧上，另一种是顶点在劣弧上，而这两种角不一定相等，故弦相等，那么它们所对的圆周角不一定相等；④正确，因为当圆心距等于两圆半径之差时，两圆内切，所以该命题是正确的．故选C 课堂练习： 1. 下列命题是假．命题的是（） A. x+2008 例2．（整体代入法） 值为（） A．2006 B．2007 C．2008 D．2009 解：∵抛物线y=x2-x-1与x轴的一个交点为（m，0）， ∴m2-m-1=0，∴m2-m=1， ∴原式=1+2009=2010．故答案为：2010． 课堂练习： 3. 7）． A．2 B．3 C．－2 D．4 4.. 的解为为 例3．（图解法）A（1，2），B（3，2），C（5，7）．若点M （-2，y1），N（-1，y2），K（8，y3）（）A．y1＜y2＜y3B．y2＜y1＜y3C．y3＜y1＜y2D．y1＜y3＜y2 解：A, B的纵坐标相等，二次函数的对称轴x = (1 + 3)/2 = 2 B, C在对称轴右侧, C的纵坐标大于B的纵坐标, 二次函数图像开口向上 M, N在对称轴左侧, M距对称轴较远, y1 > y2 K在对称轴右侧, 距对称轴8 - 1 = 7, 比M距对称轴更远, y3 > y1 6选4填*20套 一、选择题（单选） 1-1. 完全二叉树____B____二叉树。 A.一定是满 B.可能是满 C.不是 D.一定不是满 答案：B 难度：易 1-2．满二叉树_____A____二叉树。 A.一定是完全 B.可能是完全 C.不是 D.一定不是完全 答案：A 难度：易 1-3．完全二叉树中，若某个结点没有左孩子，则它____C____。 A. 有2个右孩子 B.一定有右孩子 C.一定没有右孩子 D.不一定有右孩子 答案：C 难度：中 2. 设一个完全二叉树共有699个结点，则在该二叉树中的叶子结点数为_______。 A.349 B.350 C.255 D.351 3.深度为n的完全二叉树的叶子结点有__________ A.n B.2n C.2n D. 2n-1 4.在一棵完全二叉树中，若编号为i的结点存在左子女，则左子女结点的编号为___C_____ A.2i B.2i-1 C.2i+1 D.2i+2 5.在有n个结点的二叉树的二叉链表表示中，空指针数为（ b ）。 a.不定 b.n+1 c.n d.n-1 6.下列二叉树中，（ a ）可用于实现符号不等长高效编码。 a.最优二叉树 b.次优查找树 c.二叉平衡树 d.二叉排序树 7．具有m个结点的二叉排序树，其最大深度为（ f ），最小深度为（ b ）。 a. log 2 m b. └ log2 m ┘ +1 c. m/2 d .┌ m/2 ┐ -1 e. ┌m/2 ┐ 一、单项选择题 (1)-(5)BBCDC (6)-(10)BCABC (11)—(15)DABBD (16)-(19)CCABB (20)-(24) BBBAC (25)-(27)DBC 二、填空题 （1）有零个或多个（2）有且仅有一个 （3）根据树的广义表表示，可以画出这棵村，该树的度为4。 （4）树的深度为4 (5)树中叶子结点个数为8 （6）n0=14 (7)n-2m+1 (8)2k-1 (9)2i-1 (10)133 (11)59 (12)25=32 (13)?log2(n+1)?=?log269?=7 (14) 25-1+6=37 (15) 19 (16)27-1-20=107 (17)右（18）m+1 (19)n+1 (20) 2m-1 (21)中序（22）直接前驱结点（23）直接后继结点 1．关于二叉树的下列说法正确的是B。 (1)：A．二叉树的度为2 B．二叉树的度可以小于2 1．固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类，它们之间的主要区别是 。 2．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半 导体称 N 型半导体。 3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施 主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载 流子将做 漂移 运动。 5．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末， 为非 简并条件； 为弱简并条件； 简并条件。 6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指： ； 7．施主杂质电离后向 带释放 ，在材料中形成局域的 电中心；受主杂质电离后 带释放 ， 在材料中形成 电中心； 8．半导体中浅能级杂质的主要作用是 ；深能级杂质所起的主要作用 。 9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。 10.施主杂质电离后向半导体提供 ，受主杂质电离后向半导体提供 ，本征激发后向半导体提 供 。 11.对于一定的n 型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致 靠近Ei 。 12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与 和 有关，而与 、 无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 12. 指出下图各表示的是什么类型半导体？ 13．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不 变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 14．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命 τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 15． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子 运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 16．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 17．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主 要作用 对载流子进行复合作用 。 选 117643067 择题 1、TNM各分为几级（） A、T0--T3,N0--N3,M0--M1 B、T0--T3,N0--N2,M0--M1 C、T1--T3,N1--N3,M0--M1 D、T0--T4,N0--N4,M0--M1 E、T0--T4,N0--N3,M0--M1 2、放射治疗过程中放射治疗医师应亲自（） A、每周检查病人一次 B、每月检查病人一次 C、病人来找即检查 D、治疗结束时检查 E、请其他临床科室代为检查 3、近距离治疗疗效最好的是（） A、肺癌 B、食管癌 C、胆管癌 D、直肠癌 E、子宫颈癌 4、诊断恶性肿瘤的主要组织学依据是（） A、结构紊乱 B、组织坏死 C、异型性明显 D、血管丰富 E、纤维组织增生 5、区别良性肿瘤与恶性肿瘤的主要组织学依据是（） A、结构紊乱 B、细胞形态不一 C、间质内炎细胞浸润 D、细胞核多形性 E、纤维组织增生 6、区别乳腺内良性肿瘤与恶性肿瘤的主要临床依据是（） A、肿瘤的体积 B、肿瘤的部位 C、肿瘤的硬度 D、肿瘤的活动度 E、肿瘤的浸润情况 7、暂时性组织间照射最常用于（） A、头颈部肿瘤 B、肺癌 C、胸膜间皮瘤 D、复发性直肠癌 E、妇科肿瘤 8、国际分期TNM中T代表什么（） A、转移癌 B、淋巴结转移癌 C、肝转移癌 D、原发肿瘤 E、颈淋巴结 9、恶性肿瘤的治疗为了取得较好的疗效（） A、有计划得综合治疗 B、无计划的综合治疗 C、先手术再放疗 D、先手术再放疗，然后化疗 E、手术加生物治疗 10、放射治疗最常用的手段是（） A、外照射（远距离照射） B、近距离照射 C、外照射和近距离照射D/内照射 E、同位素治疗 11、放疗医师应对常见恶性肿瘤国际分期（） A要掌握B、一般知道C、一般了解D、大致知道E、大致掌握 12、恶心肿瘤治疗后，总的5年生存率约为（） A、10% B、20% C、30% D、45% E、70% 13、上腔静脉压迫综合征得主要原因是（） A、恶性淋巴结增大 B、转移癌 C、良性肿瘤 D、肺癌 E、结核病 14、一下哪一项不属于一体式铅挡块的优点（） A、照射野铅挡块精确度高 B、每次摆位重复性好 C、摆位省时 D、不方便给角 E、需将校正好的模板与加工的铅铅挡块牢固准确的黏在模板上成为一体 15、放射线高度敏感的组织是（） A/骨髓B、血管C、脊髓D、肺组织E、肾组织 16、近距离治疗疗效最好的是（） A、肺癌 B、食管癌 C、胆管癌 D、子宫颈癌 E、直肠癌 1. 在同一平面内，两条直线有 种位置关系，它们是 ； 2．若直线a//b ，b//c ，则 ，其理由是 ； 3.如图1直线AB ，CD ，EF 相交与点O ，图中AOE ∠的对顶角是 ， COF ∠的邻补角是 。 4．如图2，要把池中的水引到D 处，可过C 点引CD ⊥AB 于D ，然后沿CD 开渠，可使所开渠道最短，试说明设计的依据： ； 5．点P （-2，3）关于X 轴对称点的坐标是 。关于原点对称点的坐标是 。 6．把“对顶角相等”写成“如果……那么……”的形式为 。 7.一个等腰三角形的两边长分别是3cm 和6cm,则它的周长是 cm. 8.若点M （a+5,a-3）在y 轴上，则点M 的坐标为 。 9．若P （X ，Y ）的坐标满足XY ＞0，且X+Y<0,则点P 在第＿＿＿象限 。 10.一个多边形的每一个外角等于30，则这个多边形是 边形，其内角和是 。 11．直角三角形两个锐角的平分线所构成的钝角等于 度。 12．如图3，四边形ABCD 中，12∠∠与满足 关系时AB//CD ，当 时AD//BC(只要写出一个你认为成立的条件)。 图3 13.点P （m ＋3, m ＋1）在平面直角坐标系的x 轴上，则点P 坐标为 . 14. 一个五边形，有一个角是60°，其余四个角的比为2：3：3：4，则其余四个角分别为____________________ 15.线段CD 是由线段AB 平移得到的，点A （–1，4）的对应点C （4，7）则点B （–4，–1）的对应点D 的坐标为________________. 16.已知线段AB ∥x 轴，若点A 的坐标为（1，2），线段AB 的长为3，则点B 的坐标为_______________. A B D C 1 2 A B C D 图2 A F C E B D 图1 O 传说中的十二招 你知道选择题和大题最大的区别是什么吗？那就是选择题只需要有一个模糊的方向，而不需要确切的答案；或者，选择题可以用一些歪招解出来，而不是像大题一样算到吐血——如果每道选择题都像大题一样算，一张卷下来，估计你所有的血小板都不够你用的……而传说中应对选择、填空题的十二招其实来自它们可抓的五个特征…… 一、答案符合题意 我们目前所学的数学，基本上是按照充分必要的套路。所以，题目可以推出答案，答案同样必然符合题意所指。以此本质的基础可以衍生出两大招。 1.特殊值法（适用于选择、填空） 1）对于问区间的题，只需分别找出可选区间中的元素，代入原题检验其真假，其实也就知道了选哪个区间；正如去到陌生的星球，一看满眼纳美人，那么此地当然就是潘多拉星。 2）特殊值一般选取容易算的，代入选项就可以判断真假，假的统统排除。 例题：y = cos(7π2 – 3x ) 是 函数（填奇偶性） 解析：代入x=0 得 y=0 答案：奇 2.代入法（适用于选择） 这个小学生都会。电池有电没电，放进多啦A 梦看看work 不work 不就知道了吗？题目算不出来，把答案代进去看成不成立不就知道了？然而这种方式不仅对一些题目无效，而且浪费太多时间；如果配合其它招式一起用效果会更强。 例题：函数f(x) = 2x ·ln(x-2) – 3 在下列哪个区间有零点（） A 、（1，2） B 、（2，3） C 、（3，4） D 、（4，5） 解析：我们知道若f(x 1)<0 ,f(x 2)>0,则f(x)在x 1 ~ x 2 之间一定有零点，所以把1、2、3、4、5 代入 x ，发现f(3)<0， f(4)>0. 答案：C 二、放诸四海皆准 既然叫做“成立”，那么就是不管什么条件均能成立。我们不妨把题目当做实验品，放到苛刻的条件下，通过观察它的反应剖析其内涵。 半导体物理习题解答 1－1．（P 32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c （k ）和价带极大值附近能量E v （k ）分别为： E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h －0 2 23m k h ； m 0为电子惯性质量，k 1＝1/2a ；a ＝0.314nm 。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝0232m k h ＋0 12)(2m k k h -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝ 14 3 k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ； 由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0； 并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝02126m k h ；∴Eg ＝E min －E max ＝021212m k h ＝2 02 48a m h ＝11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????＝0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=；∴ m n ＝022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=，∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k ＝h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1－2．（P 33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带 底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ，∵F =h dt dk =q E （取绝对值） ∴dt =qE h dk 一、填空题 1 .构件在外荷载作用下具有抵抗破坏的能力为材料的强度要求；具有一定的抵抗变形的能力为材料的刚度要求；保持其原有平衡状态的能力为材料的稳定性要求。 2.构件所受的外力可以是各式各样的，有时是很复杂的。材料力学根据构件的典型受力情况及截面上的内力分量可分为拉伸或压缩、剪切、扭转、弯曲四种基本变形。 3.轴力是指通过横截面形心垂直于横截面作用的内力，而求轴力的基本方法是截面法。 4.工程构件在实际工作环境下所能承受的应力称为许用应力，工件中最大工作应力不能超过此应力，超过此应力时称为失效。 5.在低碳钢拉伸曲线中，其变形破坏全过程可分为（四）个变形阶段，它们依次是弹性阶段、屈服阶段、强化阶段、和局部変形阶段。 6.用塑性材料的低碳钢标准试件在做拉伸实验过程中，将会出现四个重要的极限应力；其中保持材料中应力与应变成线性关系的最大应力为比例极限；使材料保持纯弹性变形的最大应力为弹性极限；应力只作微小波动而变形迅速增加时的应力为屈服极限；材料达到所能承受的最大载荷时的应力为强度极限。 7.通过低碳钢拉伸破坏试验可测定强度指标屈服极限和强度极限；塑性指标伸长率和断面收缩率。 8.当结构中构件所受未知约束力或内力的数目n多于静力平衡条件数目m时，单凭平衡条件不能确定全部未知力，相对静定结构（n=m），称它为静不定结构。 9.圆截面杆扭转时，其变形特点是变形过程中横截面始终保持平面，即符合平面假设。非圆截面杆扭转时，其变形特点是变形过程中横截面发生翘曲，即不符合平面假设。 10.多边形截面棱柱受扭转力偶作用，根据剪应力互等定理可以证明其横截面角点上的剪应力为零。 二、选择题 11.以下关于轴力的说法中，哪一个是错误的Ｃ （A ） 拉压杆的内力只有轴力； （B ） 轴力的作用线与杆轴重合； （C ） 轴力是沿杆轴作用的外力； （D ） 轴力与杆的横截面和材料无关 12.变截面杆AD 受集中力作用，如图所示。设N AB 、N BC 、N CD 分别表示该杆AB 段，BC 段和CD 段的轴力，则下列结论中哪些是正确的？ （B ） (A) N AB >N BC >N CD 。 (B) N AB =N BC 精心整理 急诊医学习题（附答案） 一、选择题（单选140题） 1、2005心肺复苏指南中胸外按压的频率为：B A 、80-100次/分 B 、100次/分 C 、120次/分 D 、60-80次/分 2、A 、 3、A 4A 5A 、6、A 7A 、8A 、5分钟B 、3分钟C 、10分钟D 、2分钟 9、使用单向波除颤仪，电击能量选择为：C A 、200J B 、300J C 、360J D 、150J 10、使用双向波除颤仪，电击能量选择为：C A 、100J B 、100-150J C 、150-200J D 、300J 11、成人心肺复苏时打开气道的最常用方式为：A A、仰头举颏法 B、双手推举下颌法 C、托颏法 D、环状软骨压迫法 12、心室颤动/无脉性室性心动过速治疗时，推荐电击次数为：A A、1次 B、3次 C、2次 D、4次 13、被目击的非创伤心跳骤停患者中最常见的心律为：C A 14 A 15 A C 16 A C 17 A C 18 A、立即检查心跳或脉搏 B、先行胸外按压，在5组（或者约2分钟）心肺复苏后再进行心跳检查 C、立即进行心电图检查 D、调节好除颤仪，准备第二次除颤 19、成人心肺复苏时肾上腺素的用法为：A A、1mg，稀释后静脉推注，每5分钟重复一次 B、1mg-3mg-5mg，稀释后静脉推注，每5分钟递增； C、5mg，稀释后静脉推注，每5分钟重复一次 D、1mg-3mg-5mg---5mg，稀释后静脉推注，每5分钟重复一次 20、成人心肺复苏时血管加压素的用法为：A A、一次性静脉推注40U B、40U，每5分钟重复一次 C 21、18 （B）A D 22 A 23 A 24 A 25 A、洗胃液量 B、洗出液是否澄清无味 C、临床症状是否好转 26、异烟肼中毒时可用下列哪个药物拮抗：（C） A、VitB1 B、VitB2 C、VitB6 D、VitB12 27、有机磷中毒胆碱酯酶重活化剂使用时间：（D） A、1～3d B、3～5d C、5～7d 一、选择题 1．如图所示，波长为λ的平行单色光垂直入射在折射率 为n 2 的薄膜上，经上下两个表面反射的两束光发生干涉， 若薄膜的厚度为e ，而且，n 1 >n 2 >n 3 ，则两束反射光在相 遇点的相位差为： [ A ] (A)λπ/42e n (B)2πn 2 e /λ (C)4πn 2 e /λ+ π (D)2πn 2 e /λ-π 2．如上图所示，平行单色光垂直照射到薄膜上，经上下两个表面反射的两束光发生干涉，若薄膜的厚度为e ，并且，n 1 < n 2 > n 3 ，λ1为入射光在折射率为n 1的媒质中的波长，则两束反射光在相遇点的相位差为 [ C ] (A) 2πn 2 e /( n 1λ1) (B) 4πn 1e /( n 2λ1) +π (C) 4πn 2 e /( n 1λ1) +π (D) 4πn 2 e /( n 1λ1) 3．在双缝干涉实验中，两缝间距离为 ，双缝与屏幕之间的距离为 ，波长为的平行单 色光垂直照射到双缝上，屏幕上干涉条纹中相邻之间的距离是 [ D ] （A ）2 λ D / d. (B) λ d / D (C) d D / λ (D) λ D / d 4．在双缝干涉实验中，入涉光的波长为λ，用玻璃纸遮住双缝中的一个缝， 若玻璃纸 3 1 n λ 中光程比相同厚度的空气的光程大 2.5λ，则屏上原来的明纹处 [ B ] （A ）仍为明条纹 （B ）变为暗条纹 （C ）既非明纹也非暗纹 （D ）无法确定是明纹，还是暗纹 5．如图所示，平板玻璃和凸透镜构成牛顿环装置，全部 侵入n =1.60的液体中，凸透镜可沿OO ' 移动，用波长 λ=500 nm 的单色光垂直入射，从上向下观察，看到中心 是一个暗斑，此时凸透镜顶点距平板玻璃的距离最少是 [ A ] (A)78.1 nm (B)74.4 nm (C)156.3nm (D)148.8nm (E) 0 6．在玻璃（折射率n 3 =1.60）表面镀一层M g F 2 (折射率n 2=1.38) 薄膜作为增透膜，为了使波长为5000?的光从空气(n 1=1.00)正入射时尽可能 少反射，M g F 2薄膜的最少厚度应是 [ E ] (A) 1250? (B) 1810? (C) 2500? (D) 781? (E) 906? 7．硫化镉(C d S)晶体的禁带宽度为2.42 eV ，要使这种晶体产生本征光电导，则入射到晶体上的光的波长不能大于 [ D ] （普朗克常量 h =6.63×10-34 J · s ，基本电荷e =1.60×10-19 C ） (A) 650 nm (B) 628 nm (C) 550 nm (D) 514 nm 60 .1=n ① ② 选择题 1. A fter the war, a new school building was put up _（D. where） 2. A head of me I saw a woman_（A. who） 3. A new idea began to _（A. emerge） 4. A great man shows his greatness_（D. by） 5. B eing engaged in the research work,... _.（B. except to） 6. Both O. J. Simpson and Jim Brown have been_（A. ranked） 7. Before he left the While House, the president made a _（D. farewell） 8. Breakfast is the important_（D. meal） 9. By nine o’clock, all the Olympic .....（D. above which） 10. Can those_（C. seated） 11. Doctor Green went on with his experimen...（A. for all） 12. During these ten years, many new methods have been_（A. adopted） 13. Do you think Mary will call her old friends as soon as she _（B. gets） 14. Danny left word with my secretary _（B. that） 15. Don’t forget to _（A. cable） 16. —Everybody is going to climb the mountain. Can I go too, mum? —____Wait till you are old enough, dear.（D. I’m afraid not） 17. He can hardly understand what the teacher has said, _（B. neither can I） 18. He is the only one of the students who_（D. has） 19. He doesn’t dare to leave the house _（A. in case） 20. He reached London in 1994, _（B. where） 21. —How did you get in touch with the travel agent, Robin? —Oh, that’s easy. I surfed the Internet... _（C. of which） 22. He_____his father in appearance but not in height.（C. resembles） 23. He can hardly understand what the teacher has said, _（B. neither can I） 24. Have you heard ____ news? The pieceof _（C. the, /） 25. —Have you finished the book? —No. I’ve read up to_（D. where） 26. He felt _（D. ashamed） 27. I certainly didn’t intend to _（A. upset） 28. If you want a pen, look inside the _（B. drawer） 29. In order to write his paper, he borrowed a lot of _（B. reference） 30. I calld Hannah many times yesterday evening,...（A. was talking） 31. It is highly ____ that he come here tomorrow to join us.（A. desirable） 32. If you don’t _____ somking you will never get better.（B. give up） 33. If you just stay in this city for a few days, we can give you a _（B. temporary） 34. I never realized that someday I would be married to a _（C. genius） 35. I am afraid it was a____for you to do this.（A. bother） 36. In order to do a good performance in the examination,..._（B. reference） 37. I have bought a story book _（A. in which） 38. If you don’t mind, I _（B. would rather） 39. It is requested that every student _（D. write） 40. I have no _（B. cash）填空选择题库
半导体物理学题库20121229
肿瘤学选择题 (2)汇总
七下数学选择题与填空题各60道
解答选择题填空题的12种巧妙方法
半导体物理学 (第七版) 习题答案
材料力学复习选择题与填空题题库(复习-1)
急诊医学选择题填空题附答案
光学选择题和填空题与参考答案
英语选择题填空题(有答案)
- 2011汇编语言选择题及填空题复习部分
- (完整版)线性代数选择填空试题及答案
- 中考数学选择题与填空题解题技巧
- 计算机网络安全选择题和填空题答案
- 填空题、选择题目题目及答案
- 选择题练习和填空参考题
- 光学选择题和填空题及参考答案
- 大学物理力学部分选择题及填空题及答案
- 语音填空、选择练习题及答案
- 说明关键是理解一般是选择题和填空题
- 选择题和填空题
- 中考数学试卷中的选择题和填空题
- 选择题填空及简答题分析
- CAD选择题和填空题
- 光学选择题和填空题及参考答案
- 《物理学》选择题和填空题
- 光学选择题和填空题及参考答案
- 静力学选择题与填空题已做
- 初中数学选择填空简答题易错题集锦及答案
- 光学选择题和填空题与参考答案