技术研发部硅料清洗实验工艺
技术研发部硅料清洗实验工艺
1、原生多晶清洗工艺实验：
1.1 混酸清洗：
1.1.1 将多晶硅装入花篮中，每个花篮装料量不能超过花篮的2/3高；
1.1.2在酸洗槽中加入清洗时需要的酸液，酸液按照下面的比例用量杯加入，氢氟酸：硝酸 =1:6（氢氟酸
2.5升，硝酸15升），待所有酸液添加完成后，用PP搅拌棒将混酸搅动均匀，静置2分钟后，完成配酸作业；
1.1.3将装完原生多晶硅的花篮放入酸洗槽中进行清洗，清洗的具体操作为：将花篮缓缓放入酸洗槽中，静置10-15秒后将PP搅拌棒放入酸液中对原生多晶硅进行搅拌，先沿着花篮内圈用搅拌棒顺时针搅拌三圈，顺时针搅拌完成后再逆时针搅拌三圈，所有搅拌完成后，将装有硅料的花篮在酸洗槽中再静置10-15秒后拿出，完成混酸清洗作业。
1.1.4所有完成混酸清洗的原生多晶硅在从酸液中拿出后，需先在溢流水槽中静置15秒以去除表面的大部分残留酸及降低硅料表面温度；
1.1.5将直接纯水清洗的原生多晶硅放入溢流水槽中进行清洗，将装有硅料的花篮进入溢流纯水中，沿着花篮内圈用搅拌棒顺时针搅拌三圈，顺时针搅拌完成后再逆时针搅拌三圈，所有搅拌完成后，将装有硅料的花篮在溢流水槽中再静置2分钟后取出，完成纯水清洗作业；
1.1.6 超声清洗作业: 将清洗完成后的硅料从花篮中取出，放入网布加入超声波清洗机中进行超声清洗作业，每台超声波清洗机中装料不多于30-50公斤/台；超声清洗时间为30分钟，现场工艺以实际工艺流程卡为准，超声清洗过程中，每10分钟左右需提起网布抖动3次；超声作业完成后，应先将超声发生器主机电源关闭，将硅料连同网布直接放到烘车花篮中进行烘干后单独包装注明技术实验用料；
2、单晶循环料
2.1.1 混酸清洗:首先观察单晶边皮料、头尾料的表面，如果有明显的油性笔痕迹，需将物料用沾有酒精的百洁布将字迹擦净。确保表面没有明显的字迹后，将硅料均匀的摆放到方形花篮中，确保每块硅料不能层叠摆放，每个花篮装料
量为20-25公斤；）
2.1.2在酸洗槽中加入清洗时需要的酸液，酸液按照下面的比例用量杯加入，氢氟酸：硝酸 =1:6（氢氟酸2.5升，硝酸15升），待所有酸液添加完成后，用PP搅拌棒将混酸搅动均匀，静置2分钟后，完成配酸作业；
2.1.3将装完硅料的花篮放入酸洗槽中进行清洗，清洗的具体操作为：将花篮缓缓放入酸洗槽中，静置30-40秒后，用搅拌棒轻轻拨动硅料，确保每个表面都可以被酸液清洗到，完成上述操作后，将花篮在酸洗槽中再静置20-30秒后拿出，完成混酸清洗作业。
2.1.4所有完成混酸清洗的硅料在从酸液中拿出后，需先在溢流水槽中静置15秒以去除表面的大部分残留酸及降低硅料表面温度；
2.1.5 将将直接纯水清洗硅料直接放入溢流水槽中进行清洗，将装有硅料的花篮进入溢流纯水中，冲洗的过程中要将花篮上下抖动以确保能够将硅料上的酸液清洗干净，将装有硅料的花篮在溢流水槽中再静置60S后取出，完成纯水清洗作业；
2.1.6超声清洗作业：将清洗完成后的硅料从花篮中取出，放入网布加入超声波清洗机中进行超声清洗作业，每台超声波清洗机中装料以不超出水面为准；超声清洗时间为40分钟，超声清洗过程中，每10分钟左右需提起网布抖动3次；
备注：将单晶头尾料装入花篮中，装料完成后将花篮放入自来水中把硅料表面打湿，再用百洁布蘸取酒精将单晶头尾料表面完全擦拭一遍，擦拭的标准为，四周光滑面需完全擦拭至少一遍，底部刀截面需完全擦拭至少三遍。擦拭干净的标准为，物料表面没有任何其他肉眼可见的杂质痕迹；
单晶硅片从切片到抛光清洗的工艺流程
一、硅片生产主要制造流程如下： 切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入 二、硅片生产制造流程作业实习 1.硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的 固定在切割机上和方位角的确定。 2.切片(Slice)：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以 获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。 3.面方位测定：利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前 要加工的硅棒测定其X、Y方位角，以保证所加工的硅片的X、 Y方位角符合产品加工要求。 4.倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进 行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5.倒角(BV)：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要 求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产 生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面 层的厚度不均匀分布。 6.厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片 分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。 7.磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤
层，同时获得厚度均匀一致的硅片。 8.磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。 9.磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模 式，如裂纹、划伤、倒角不良等。 10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。 11.激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。 12.研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。 13.扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。 14.CP前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。 15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去 除31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。 16.CP后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。 17.CP检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以 及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。 18.DK(Donar Killer)：利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳 定电阻率。 19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次 缺陷以吸附表面金属杂质。 20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。 21.CVD前洗：去除有机物和颗粒。 22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分 解SiH4外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。
手工地毯极简工艺操作规范
手工地毯极简工艺操作 规范 Document serial number【KK89K-LLS98YT-SS8CB-SSUT-SST108】
这篇文章织女姐将简单的介绍一下手工地毯是怎么生产出来的，科普文，略枯燥。 1.准备原材料 在制作手工地毯前，要准备原材料，羊毛和真丝。古代制作羊毛地毯时，使用的羊毛都是当地的羊毛，比如宁夏毛、青海毛、藏毛、和田毛等，现在我们制作地毯用的羊毛是进口的新西兰羊毛。丝线我们用的桑蚕丝。 2.设计艺术创作 地毯图案设计是制作地毯的关键步骤，好设计的地毯，美观度和价值都会提升很多。设计的过程大致是，设计师将地毯图案设计好，并制成织工们编织过程中使用的蓝图。 3.染线合股织毯 根据设计稿，将原材料的纱线染成对应颜色。一条手工地毯可能需要几十种颜色的纱线。染好的彩色纱线要经过合股才能织毯，一般多为三、四、六股不等。缠成球状，以备织毯时用。 4.工具利其器 准备耙子、小刀、剪刀等作为织毯工具。耙子主要作用是划实纬线，小刀是为了割断毯纱，剪刀的主要作用是地毯编织完毕后，将表面参差不齐的毛绒修的平整，当然，地毯在成形后片剪时也需要剪刀。 5.织机搭架子 织机也叫做机梁，是地毯织造的工具，根据地毯尺寸的不同，要准备大小不同的织机。 6.挂经栓挂经线 挂经就是按照地毯的规格大小，将经线栓在织机上，并拴好绞棒。每个织机在挂地毯时都需要3个人一起完成。 7.手工打结八字扣
手工打结就是织毯的方法，我们一般采用八字扣的方法织毯，编织的时候，在前后两根经线组成的一个经头上，打一个“8”字形的扣，将毯纱栓在经线上，并用刀砍断纱线，在地毯表面形成一个小绒头，也叫做栓头。织工们沿着纬线逐个经头打结，打完一排，然后由前后两对经线间过一根横向的纬线，再用耙子砸平，再沿前后经外缘过一根横向纬线并砸实。最后用剪刀将毯面的线头剪齐，至此就编织完了一道，整块地毯就只是这样一道道编织而成的。 手工打结的方法不只八字扣一种，常见的还有马蹄扣，马蹄扣就是栓出来的形状是马蹄形。除了这两种以外，还有连环扣、梅花扣、组合扣、小辫扣等。这些编织技法，根据地毯花纹的不同需要灵活运用，才能最大限度的展现出一些地毯的艺术感，从而将地毯的图案以最高的水平逼真的反映出来。 除了栓扣以外，在打结的过程中，有的图案还需要进行润法的处理，简单来说就是对设计稿中的过渡色和相近色进行处理，比如可以用相近颜色的纱线重新合成一股来打结。动物鬃毛编织就是润法来处理的。 所以手工打结是织工们编织地毯的基本功，它与地毯的质量密切相关，也影响地毯的产量，既要快又要好，水平高的织工还能最大程度的节省原材料。 手工打结这个环节就是手工地毯区别与机制地毯的最最重要的环节。图案相同的一条地毯，织工不同，织出来的感觉并不相同，高水平的织工织出来更加自然立体，原因就在于其在打结的过程中，要凭借经验和手感对图案进行二次微调，这也是机制地毯无法赶超手工地毯的原因所在。 8.平整地毯剪平绒头 打结完毕之后，要进行对地毯进行平整，也简称平毯。平毯是将地毯毯面的绒头剪平，通常用平毛机来完成。平毯主要是为了纠正毯面绒头砍的不齐，毯面局部高低不平等因素。一般我们的地毯都有厚度的标准，真丝的相对羊毛的要稍薄一些，平毯也是对超过标准厚度的毯面进行切削、剪平，使绒头厚薄一致、毯面平整光洁。
铸造多晶硅中的金属杂质及其对硅片性能的影响aaa
铸造多晶硅中的金属杂质及其对硅片性能的影响 摘要： 关键词：多晶硅铸造多晶硅金属杂质 正文： 金属杂质特别是过渡金属杂质，在原生铸锭中的浓度般都低于1×10”cm 3，但是它们无论是以单个原子形式，或者以沉淀形式出现，都对太阳能电池的转换效率有重要的影响。近期由于硅料中所含金属杂质超标，导致多个晶锭出现电阻率严重异常而整锭报废，另外还出现较多晶棒切片后的硅片电阻率出现较大波动，对公司的经济效益带来严重的影响。下面对铸造多晶硅中金属杂质的性质及其对硅片性能的影响进行详细的分析，为多晶硅片的生产及异常硅片的处理提供一定的参考。 1.铸造多晶硅中金属杂质的来源 铸造多晶硅中的金属杂质主要有Fe，Al，Ga，Cu，Co，Ni等，铸造多晶硅中金属杂质的来源主要有以下几个方面： A．原生硅料中含有一定量的金属杂质，这也是金属杂质的一个主要来源。目前由于硅料异常紧缺，导致一些含杂质较多的硅料在市场上 流通，造成铸出的晶锭出现问题的事故时有发生。 B．在硅料的清洗，铸锭及切片的整个过程中由于使用各种金属器件接触，导致金属杂质的引入。这也是铸造多晶硅中金属杂质含量偏高 的一个主要原因。整个工艺流程中引入金属杂质的途径有很多，例 如硅料清洗过程中清洗液的残留，晶锭转运过程中使用的不锈钢转 运车，多晶硅棒破碎过程中所使用的铁锤等。 2.过渡族金属在硅片中的扩散和溶解 硅中金属杂质的引入可以在晶体生长过程中，或者在硅片的抛光、化学处理、离子注入、氧化或其他处理过程中首先在表面附着，随后后续的高温热处理过程中扩散进入硅基体。 A．金属杂质在硅锭中的分布 在高温（>800℃）下，过渡族金属一般都有很快的扩散速度而溶解度则相对较小。Cu、Ni为快速扩散杂质，在高温下，Cu、Ni的扩散速率甚至可以接近于
半导体工艺流程
1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2
3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就
最新地毯污渍技术
地毯污渍技术
地毯上有污渍后要及时清除.. 食用油渍：用汽油或四氯化碳等挥发性溶剂擦，然后残余部分用酒精清洗.. 酱油渍：如果是新弄脏的，先用冷水刷过，再用洗涤剂洗就可以；陈渍可用温水加入洗涤剂和氨水刷洗，然后用清水漂净.. 鞋油渍：用汽油，松节油或酒精擦洗，再用肥皂洗净.. 尿渍：新污渍可用温水或10%的氨水液洗除。陈渍先用洗涤剂洗，再用氨水洗，纯毛地毯要用柠檬酸洗.. 果汁渍：先用5%的氨水液清洗，然后再用洗涤剂一遍。但氨水对纯毛地毯纤 维有损伤作用，故应尽量减少使用，一般可用柠檬酸或肥皂清洗，用酒精也可.. 冰淇淋渍：用汽油擦拭.. 酒渍：新渍用水清洗即可。陈渍需用水清洗即可 地毯的保养 地毯铺好后，必须经常进行清理，才能保持美观，并减少使用中的磨损。地毯上的污物主要有两大类，其一为尘土及其它颗粒物质，其二为污垢和油渍及其它化学物质。前者可采用定期吸尘或清洗即可解决，对后者则需用化学溶济，需专业人员指导，如方法不当，反使污渍扩散，须谨慎从事。 (1) 地毯的污渍 A. 渍、脏在地毯层次上的分布 地毯的多层式结构，使其容易埋藏污渍、脏物。 污渍不仅在地毯表面，而且会深入到纤维组织缠结的呈托层。 灰土、沙粒渗入第二，三承托层内，成为潜藏的脏物，不断损坏地毯纤维。 地毯被不断擦动，污渍、脏物会愈埋愈深。
B. 毯污渍、脏物分类： a. 水基性和干性污渍、脏物 大部分地毯污渍属于水基性和干性物质，包括尘土、沙粒、淀粉、软饮料、茶汁、水果汁约占全部污渍、脏物的 80%-85% ，特别是微细的尘土，工作与生活的脱落物，大多粘附在地毯表层。较大的脏物颗粒会滑落在承托层。 b. 油基性污渍、脏物 ( 这包括动、植物油，化妆品，鞋油，圆珠笔油 ) 等。 c. 蛋白质基污渍、脏物 ( 这包括血、呕吐物、尿、食品类 ) ，这两类污渍、脏物约占 15/20% 左右。 (2) 使用中具体地毯污渍的处理 清除地毯常见污渍的方法： 食用油渍：用汽油或四氯化碳等挥发性溶剂清除，残余部分要用酒精清洗。 酱油渍：新渍先用冷水刷过，再用洗涤剂洗即可除去。陈渍可用温水加入洗涤剂和氨水刷洗，然后用清水漂净。 鞋油渍：用汽油，松节油或酒精擦除，再用肥皂洗净。 尿渍：新渍可用温水或 10% 的氨水液洗除。陈渍先用洗涤剂洗，再用氨水洗，纯毛地毯要用柠檬酸洗。 果汁渍：先用 5% 的氨水液清洗，然后再用洗涤剂一遍。但氨水对纯毛地毯纤维有损伤作用，故应尽量减少使用，一般可用柠檬酸或肥皂清洗，用酒精也可。 冰淇淋渍：用汽油擦拭。 酒渍：新渍用水清洗即可。陈渍需用氨水加硼砂的水溶液才能清除。如果是毛、丝材料的地毯，可用草酸清洗。
硅料的清洗方法讲解(图文)_走过路过不要错过
在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。 原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。但问题是：1、生产厂家处理了没有2、生产厂家处理的结果是什么3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。 头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办那就是清洗。我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。这三个问题怎样处理切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。 碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。 埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。 综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。 其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。 一、硅料的浸泡 随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。但对处理相对简单，低成本的可再利用料仍可以降低成本，这些主要是坩埚底料和半导体废片料等。 我们在对埚底料和半成品半导体硅片进行除石英和金属电路处理上通常采用洗篮和花篮静止泡洗12小时(根据酸的浓度和比例)。这种方法是最简易和节约成本的。问题在于静止过程中料的表面和酸反应、酸的处理能力需要长时间慢慢释放。在此种情况下，如果加入循环泵，用于搅拌酸液，缩短浸泡时间更能起到均匀处理的作用。
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程
晶体硅太阳能电池的制造 工艺流程 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020
提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。 晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下： （1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 （2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。 （3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 （4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为－。 （5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 （6）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。 （7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。 （8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。 （9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。 （10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。
由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。
地毯清洗方案
地毯清洗方案 地毯清洗方案提要：及时清理。每天用吸尘器清理，不要等到大量污渍及污垢渗入地毯纤维后清理，只有经常清理，才易于清洁。在清洗地毯时要注意将地毯下面的地板清扫干净。 地毯清洗方案 一、地毯清洗地毯总给人高雅、华贵、呈现气派的感觉。地毯的质地、图案、花色间接反映了使用者的文化底蕴、审美层次和欣赏品味。但被污染弄脏的地毯，好象身上的衣服被弄脏的一样，让人十分沮丧。如何将厚重的地毯清洗保养得洁净、清新、松软而富于弹性呢？这就要求我们要有品质良好的专用清洁药剂、先进高效的清洗机器设备、专业有经验的作业工人和一份长期持久、可实现的清洁保养计划。我们同样不仅拥有这些基本必要条件，还拥有许多对付各种特殊污迹污渍的技术和窍门，相信定能祝您一臂之力。 清洗地毯规范及操作： 包括各种真皮、纯毛、化纤质地的地毯、挂毯、床毯、装饰毯等。地毯处理是蒸汽桑拿机、多功能机清洗机、吸尘吸水机，结合专用消毒、除污药剂对地毯蒸汽杀螨虫、杀菌、泡沫清洗除污、吸尘吸水机吸污水、风干、梳理，最后用防
污喷剂处理，使地毯表面形成防水薄膜，达到防水防尘效果。 （一）地毯清洗的作用及目的：延长使用寿命、保持地毯良好的外观，维护室内空气质量、减少细菌滋生条件。 （二）地毯的种类：天然纤维人造纤维羊毛尼龙 （三）地毯最佳护理方法：预防保护、局部除污、定期清洗、 （四）工具：清洗机、吸水机、风干机、蒸汽机、喷壶、工作指示牌。 （五）药剂：地毯清洗剂（高泡、无泡）、地毯除渍剂、除胶剂、中性清洁剂、空气清爽剂。 一、清洗方式： 1、湿洗 使用工具：地毯清洗机、地毯吸水机、三速地毯吹干机等清洗设备及高泡地毯清洗剂、低泡地毯清洗剂、地毯除渍剂等专用药剂。 一般程序： A、全面吸尘 B、局部除污c、全面清洗D、漂洗、消毒 E、吸水、烘干 2、干洗 使用工具：地毯干洗机、吸尘吸水机、梳毛机等专业工具和药剂 一般程序；
酸洗
（一） 硅料的酸洗 在生产单晶棒和多晶块时，使用的硅料的纯度须达到99.9999%以上。酸洗的目的主要是去除金属离子和氧化皮，原生多晶主要是在炸料时产生，头尾埚底及碎片主要是在切割时等情况产生。 1、酸洗方法： A、原生多晶在生产厂家经过清洗处理原则上不需要再进行酸洗，对一些包装损坏或有疑惑的硅料依据情况选择酸洗方式。一般采用柠檬酸或氢氟酸处理即可，若表面有氧化现象的采用混合酸洗； B、头尾、埚底和碎片料，铸多晶时可以采用单酸洗，拉单晶时必须采用混合酸洗； C、小颗粒和碎片料在酸洗时一定要多翻动，使其充分反应。 2、酸洗工艺： A、根据不同硅料的情况配置相应的混合酸比例及选择酸的种类； B、酸反应→纯水漂洗→纯水冲洗（酸洗到漂洗要注意控制时间避免氧化） 3、酸洗设备： 现今一般企业都采用二槽式手动酸洗产品：即酸槽、水槽另加冲水槽。此设备适用于普通大块硅料清洗，对小颗粒和碎片硅料清洗有一定难度。再者对操作人员要求相对较高，酸雾和酸液对操作人员的危害系数增多。考虑安全生产和为了保证产品清洁度，在此设备上做了三项工艺改进： A、在人员安全方面：采用了传动方式将工件篮放置在升降机构上，自动下降至酸槽，可避免酸液和酸雾对操作人员造成的伤害。处理时间可以定时，到时自动升起。 B、在酸雾处理方面：常规办法是顶部吸风，致使酸雾在上升过程中易膨胀，泄漏到车间。采用槽体侧吸风方法，在酸雾刚产生时就进行吸雾处理，顶部吸风和后吸风加强，空气对流避免酸雾往前泄漏； C、在均匀清洗硅料方面：在升降机构上设计一个翻转动作，硅料一进入槽体即开始翻转动作，硅料便在酸液中滚动从而达到均匀清洗的目的。在设定的时间内完成清洗，翻转停止，工件篮升出酸液； D、在纯水漂洗槽内具有同样自动升降和翻转功能，达到无死角漂洗目的。 （二） 在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。 原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。但问题是：1、生产厂家处理了没有？2、生产厂家处理的结果是什么？3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗？所以一般要动一下，可能很
地面地毯施工工艺
第五章主要分项工程施工方案和技术措施 （十）地面地毯施工工艺 一）、材料要求 1.地毯通常情况下不易点燃，具有天然的阻燃、难点燃和自熄性能，即使燃烧，亦不会产生有害气体，尼龙刚性好，易染色，耐磨性好，色牢度好，决定该纤维地毯弹性恢复特好。地毯的品种、规格、主要性能和技术指针必须符合设计要求。应有出厂合格证明。 2.客房绒高选定阿克明密度7X9，以7mm为宜，过高不宜保养、吸尘和清洗，公共区域应以经纬密7×10，绒高6mm为宜，因为公共区域、走廊、电梯厅人流量及车流量大，洗涤周期短，使用过程中要求相对稳定，抗碾压耐用力好，地毯绒高不宜过高，以减少行李车阻力。 3.胶垫以3.5kg/m2高胶阻燃为宜，客房、会议室应选择厚度相对厚一点，走廊、餐厅人流量及车流量大，踏辗频率高，应选择密度大，较硬且相对薄一点的胶垫。 4.羊毛及羊毛混纺地毯在正常及保养使用年限内不得出现虫蛀现象，所使用的原、辅料都应符合国家环保标准。 5.地毯应满足客房柔软舒适的要求，并且无异味，满足国家相应的环保要求，取得CRI+PLUS标志必须经过为期14天的、由美国独立实验室执行的测定一系列化学成分排放的检测过程。 6.地毯应具有保暖性、耐磨性及抗起毛起球性能好，同时具有抗静电、耐污、
阻燃以及防虫蛀等性能，在使用两年内，不得有脱毛，同时能抵御阳光臭氧引起的褪色现象。 7.胶粘剂：无毒、不霉、快干、0.5h之内使用张紧器时不脱缝，对地面有足够的粘结强度、可剥离、施工方便的胶粘剂，均可用于地毯与地面、地毯与地毯宫接拼缝处的粘结。一般采用天然乳胶添加增稠剂、防霉剂等制成的胶粘剂。 8.倒刺钉板条：在1200mm*24mm*6mm的三合板条上钉有两排斜钉（间距为 35-40mm），还有五个高强钢钉均匀分布在全长上（钢钉间距约400mm左右，距两端各约100mm左右）。 9.铝合金倒刺条：用于地毯端头露明处，起固定和收头作用。多用在外门口或其它材料的地面相接处。 10.铝压条：宜采用厚度为2mm左右的铝合金材料制成，用于门框下的地面处，压住地毯的边缘，使其免于被踢起或损坏。 （二）、主要机具 1.裁毯刀、裁边机、地毯撑子（大撑子撑头、大撑子承脚、小撑子）、扁铲、墩拐、手枪钻、割刀、剪刀、尖嘴钳子、漆刷橡胶压边滚筒、熨斗、角尺、直尺、手锤、钢钉、小钉、吸尘器、垃圾桶、盛胶容器、钢尺、合尺、弹线粉袋、小线、扫帚、胶轮轻便运料车、铁簸箕、棉丝和工具袋、拖鞋等。 （三）、作业条件 1.在地毯铺设之前，室内装饰必须完毕。室内所有重型设备均已就位并已调试，
硅料酸洗过后的水印怎么控制
硅料酸洗过后的水印怎么控制？用酒精擦过的硅料酸洗是不是会发黑？ 水印，这个估计是你的酸配比有问题，减少氢氟酸含量，加长酸洗时间试试。还有酒精擦过的不会发黑！ 追问 HF和硝酸1:35会有什么问题啊有问题也应该是有酸印把 回答 HF和HNO3的浓度分别是多少？你们的清洗机是不是在酸里洗了直接提到纯水槽里，在硅料脱离酸的液面到进入水里这个过程大概要几秒？ 追问 是酸洗洗60S后直接到清洗1了时间大概啊1S.加长冲水时间或超声波会不会好点啊 回答 我是问在从酸槽移动到冲洗水槽这个过程中，硅料会在空气中暴露多长时间？还有酸洗过后的水洗是用的什么方式（淹没、喷淋、鼓泡）？如果有印记的话，加长水洗和加超声波估计效果不明显。可以把你清洗的过程明确点吗，特别是酸洗到水洗这个过程！ 追问 硅料每换槽都会在空气暴露每次1S酸洗过后经过3道清洗时间分别是10S 20S 35S都是淹没在加上到30S的超声波最后20S的清洗完后结束 回答 这个过程是人工操作，还是由设备自动完成？暴露一秒确实很短，按理说若果水洗是全部淹没的话不会出现你说的情况，还有，我建议你们的水洗和超声波曹时间加长3倍以上。不知你们的烘干是用的什么方式（温度，真空）？你们用的清洗设备是深圳捷佳创的吗？ 结合酸洗环境的不同;冬天HF：HNO3=1:4----1:5，，，，夏天的话1:5----1:8.在这个范围内根据清洗效果适当调节！ 硅料酸洗中氢氟酸与硝酸怎么样配比最合理不同的料请举例说明一下。
追问 买来的原生多晶与复拉料（头尾边皮）都按这个比例吗 回答 还是那句话，看你用的什么酸。如果酸没问题，这个比例估计就没什么问题。复拉料的话也没问题。 追问 酸洗过以后超过烘干后料表面有淡黄色的东西是什么是什么原因造成的呢？ 回答 原因可能是酸洗过后再水洗的过程中在空气中暴露太久，或是水洗槽的水酸浓度太高。当然也有可能其它原因。比如酸的浓度配比温度等有问题 硅片经过初步清洗去污后，要进行表面腐蚀，这是由于机械切片后，在硅片表面留下的平均为30^-50Hm厚的损伤层，腐蚀液有酸性和碱性两类。 1、酸性腐蚀法 硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用，其溶液配比为浓硝酸:氢氟酸=10:1到2: 1。硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅，其反应为 3Si+4HN0==3Si0+2H0+4N0 而氢氟酸使在硅表面形成的二氧化硅不断溶解，使反应不断进行，其反应为
地毯清洗专业保洁流程
地毯清洁标准流程 一、清洁地毯准备工具 1．出泡单刷机，刷头，吸水机，地毯免洗清洁剂，干泡地毯清洗剂，通用消泡剂，尼龙刷，接线盘，盖单。 2．摆刷地毯抽洗机，刷头，地毯免洗清洁剂，低泡地毯香波（地毯清洗剂），通用消泡剂，尼龙刷，接线盘，盖单。 二、地毯的清洗程序（发泡、洗刷，吸干） 1．出泡单刷机清洗地毯的操作程序 (1)对地毯进行吸尘。 (2)清除油溶性污渍。 (3)清除水溶性污渍。 (4)将发泡箱安装在低速清洗机上。 (5)将干泡地毯清洗剂按比例对水稀释，加入打泡箱内。 (6)把地毯刷盘装在低速地擦机底盘上，接通电源。 (7)打开发泡开关，待泡沫充满地毯刷后开动地擦机，将清洗泡沫擦人地毯中。 (8) 出泡单刷机操作行走的方向是：横向由左至右，然后移至另一行，由右至左，每次重叠10cm，直至全面清洗完毕。 (9)用吸地机将被清洗出来的污物彻底吸除干净。 (10)进出口处，盖上盖单，防止清洗后的地毯被污染。
2．冷、热摆刷地毯抽洗机的操作程序（发泡、洗刷，吸干一机完成） (1)对地毯进行吸尘。 (2)清除油溶性污渍。 (3)清除水溶性污渍。 (4)污渍较重的地方，用装有地毯清洁剂的喷壶（或罐装地毯免洗清洁剂），均匀地喷在污渍处，等几分钟后，待污渍溶解，再开机操作。 (5)将低泡地毯香波（地毯清洗剂），按比例兑水进行稀释。 (6)将对好的清洗液加入地毯抽洗机中，进行全面清洗。为防止污水箱内因泡沫过多而影响工作，可在水箱中加入适量的通用消泡剂。 (7)打开电源、发泡箱开关，调节泡沫含水量，调节手柄角度开机操作，直线步进清洗，每次重叠10cm。 (8)重复上述步进动作直至清洗完毕。 (9)手持尼龙刷，用装有地毯清洁剂的喷壶（或罐装地毯免洗清洁剂），手工清洁机器无法清洗的部位。 (10)盖上盖单，防止清后的地毯被污染。 三、地毯清洗的标准 (1)按清洗剂的配比标准合理使用清洗剂。 (2)不得混用清洗剂。 (3)去污要彻底，对重垢和油垢先做特殊处理再清洗。 (4)清洗后的地毯要抽干，不花，无黑条印迹，无残留地毯毛。
浅谈多晶生产过程中粘锅拉裂的成因和改善
浅谈多晶铸锭过程中粘锅拉裂的成因及改善措施 著作者谭文 摘要：多晶铸锭过程中粘锅拉裂是一种常见问题，在高效多晶硅锭生产过程中发生的频率会更多一些，据统计有时高达16%以上。此问题的出现会导致硅锭缺角或崩边事情的发生，影响硅锭开方与切片的收益率。作者对发生粘锅拉裂的成因进行了系统分析，并提出了改善措施。 关键词：氮化硅涂层粘锅拉裂成因 引言 硅片生产企业的多晶铸锭车间，在铸锭过程中时有粘锅拉裂事故的发生，影响企业经济收益。减少这一现象的发生，对于降低企业硅片成本，减少生产环节中的浪费，具有现实意义。 石英陶瓷坩埚氮化硅涂层厚度在铸锭过程中会发生减薄变化，是热场中热流与氩气等气流对坩埚涂层产生不良影响，还是硅料中残留的酸性物质起了破坏作用，或是人工操作不当带来影响？造成粘锅的主要因素是什么？分析和解答这些问题，并找出造成粘锅的主要原因，对可控的因素加以控制，对操作规程做出规范；对不可控制的因素，找出方法进行解决。这就是本文作者的目的，供多晶铸锭生产人员参考，以求与大家一起探讨、找出粘锅的真正成因，制定出改善措施。 二、操作环节对坩埚涂层影响因素分析 2.1喷涂环节 石英陶瓷坩埚在装料前需在其内壁均匀喷涂一层氮化硅涂层，涂层制备时需先调配好氮化硅涂料。通常装料为450kg的坩埚内壁，喷涂氮化硅涂层需用450至500克氮化硅粉体，应提前准备好；坩埚喷涂前应均匀加热为80±5℃，并用洁净的压缩空气吹去表面的颗粒粉尘；Si3N4粉与去离子水配比为：250kg∶1000ml，按此比例配好后需调制搅拌均匀；喷涂时喷枪与坩埚内壁的距离为30cm左右；喷涂操作时，横向喷涂与竖向喷涂动作要均匀、不要让涂料液体在某一处堆积凝结。
清洗工艺流程word版本
硅片超声波清洗机结构特点： 采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业???????? 采用第三代最新技术，全面完善的防酸防腐措施，保护到机器每一个角落 最新全自动补液技术 独特的硅片干燥前处理技术，保证硅片干燥不留任何水痕 成熟的硅片干燥工艺，多种先进技术集于一身 彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置及多工艺方式转换 清洗工艺： 上料→碱腐蚀→纯水漂洗→酸碱腐蚀→纯水漂洗→喷淋漂洗→酸中和→纯水漂洗→碱中和→纯水漂洗→烘干→下料? 适用范围： 各种规格的单晶硅、多晶硅太阳能电池硅片的制绒清洗 XT-1300SG太阳能硅片制绒超声波清洗机 ■ 采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业 ■ 采用第三代最新技术，全面完善的防酸防腐措施，保护到机器每一个角落 ■ 最新全自动补液技术 ■ 独特的硅片干燥前处理技术，保证硅片干燥不留任何水痕 ■ 成熟的硅片干燥工艺，多种先进技术集于一身 ■ 彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置及多工艺方式转换 清洗工艺：上料→碱腐蚀→纯水漂洗→酸碱腐蚀→纯水漂洗→喷淋漂洗→酸中和→纯水漂洗→碱中和→纯水漂洗→烘干→下料 清洗工件：各种规格的单晶硅、多晶硅太阳能电池硅片的制绒清洗 清洗溶剂：水基清洗剂 产品特点：单机械手或多机械手组合，实现工位工艺要求。PLC全程序控制与触摸屏操作界面，操作便利。自动上下料台，准确上卸工件。净化烘干槽，独特的烘干前处理技术，工作干燥无水渍。全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。具备抛动清洗功能，保证清洗均匀。全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。1 ）适合单晶硅片研磨、切割后的批量清洗，多晶硅片线剧切片后的大批量清洗。
硅料的清洗方法
硅料的清洗方法讲解（图文） 在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。 原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。但问题是：1、生产厂家处理了没有?2、生产厂家处理的结果是什么?3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗?所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。 头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办?那就是清洗。我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。这三个问题怎样处理?切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。 碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。 埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。 综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。 其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。 一、硅料的浸泡
硅片清洗剂
产品名称硅片清洗剂 产品代号PTE-3022DE 产品介绍 针对硅片材质的特殊性，在强酸强碱里易产生过腐蚀，借鉴国内外先进技术配方，采用弱碱及助剂经科学复配而成,为进口清洗剂的替代型产品 本水基型硅清洗剂，由特殊表面活性剂经科学研制构成。能很快清除掉硅表面残留的油污、灰土杂质及金属氧化物。经反复试验， 在行业内知名太阳能厂家联合试验后发现该产品对轻污染硅片及多晶硅料清洗效果非常突出 性能与特点 本品为高浓缩物，主要有钾盐、络合剂、助洗剂复配而成，清洗能力强 本品对硅料的洗净性有非常突出的表现，对铜、铁等金属离子有很强的剥离、络合、洗净效果，经检测对油污的洗净率为99%以上 本产品不含磷与钙、镁、铁、铜、铅等金属离子，环保性好，并符合欧盟ROHS要求 本产品属低泡产品，适合在超声波上使用，不会有泡沫溢出。 本产品除钾、钠离子以外的金属离子含量不高于 50PPm，清洗后的硅片拥有更优异的光电转换效率 物化性质 外观：无色至微黄色液体 气味：有微量香味 密度：1.02 pH 值：＞10 （1%） 闪点：无水溶性：100﹪ 应用说明工艺流程：一槽和二槽循环去离子水预清洗 三槽和四槽清洗处理（槽液45~65℃，3~5分钟） 五槽和六槽循环去离子水漂洗 快速风干 清洗设备：超声波或喷淋及手工擦洗使用 清洗浓度：手动线4～6﹪；自动线连续添加1～2﹪ 控制参数：游离碱度1~2点(工作液) 槽液温度45~65℃ 处理时间2~3分钟 原液指标：PTE-3022DE 外观无色液体 比重 1.00±0.05 PH值10~13 游离碱度30~50
清洗液配制和使用方法： 1）在清洗槽中先加3/4纯净水 2）如果在手动线使用，建议每 100 升槽液中加入 4~6 公斤本清洗剂，并尽可能减少中间的添加量，提高工作效率，当遇到磨光碾磨膏硅片及回收悬浮液切割的硅片时可以适当根据每家的情况在每班8小时中间添加清洗剂，为了保证清洗效果，建议每班更换 3）如果是自动线连续添加使用，可以按每 100 升槽液中加入 1~2 公斤本清洗剂先进行开槽，并根据自动线的硅片清洗量计算后连续添加控制，为了保证清洗效果，建议每1~3个班更换 4）一般每公斤本清洗剂可以处理125#单晶硅片1000片以上，添加时可以根据该比例计算，当遇到磨光碾磨膏硅片及回收悬浮液切割的硅片时应适当增加药剂量，当然在保证硅片成品率的情况下也可适当减少添加量 5）然后将纯净水加至操作液位，加温到所需温度，即可以使用 6）硅片在清洗过程中尽可能减少裸露在空气中的时间，以防止产生花片 包装25kg、 200kg塑桶保质期：1年 请存放于阴凉、通风、干燥处。避免日光曝晒，注意防冻 注意事项 1．线切后的晶棒不可以沾水，如不能及时清洗，最好先存放在悬浮液或清洗剂中（全部浸没） 2．线切后的晶棒一旦上架清洗，必须马上处理。而且在整个清洗过程中不可让硅片自然干燥 3．脱胶时必须保持硅片润湿，亦不可自然干燥 4．一、二槽超声波清洗时须先关闭鼓泡开关，待上架完成后再开鼓泡，主要避免产生碎片 5．清洗人员在整个清洗过程中不得直接接触硅片，必须佩带橡胶手套，以免产生指纹印 6．为保证硅片清洗的洁净度，在脱胶前的喷淋冲洗时间最好控制在30分钟以上 7．在使用中如遇到脏片、白斑等等问题时可及时与技术服务人员联系8．该产品在排放时只要中和、凝絮、沉降等等简单处理，本产品不含重金属、磷酸根 9．对残留物较多的硅片，可适当延长清洗时间
电子级多晶硅清洗过程管控要点
174研究与探索Research and Exploration ·工艺与技术 中国设备工程 2019.02 (下)随着我国对电子级多晶硅用量需求不断增加，自主生 产高纯电子级多晶硅迫在眉睫。在电子级多晶硅生产技术攻 关中，最难解决的技术难题就是硅料清洗，其关键控制点更 是亟需开发掌握的技术。本文主要将对电子级多晶硅清洗过 程中关键控制点进行探究。 1 电子级多晶硅的清洗方法 电子级多晶硅的清洗方法通常采用湿法清洗，硅料湿 法清洗主要包括硅料碱洗及硅料酸洗，目前国外电子级多晶 硅生产企业主要采用硅料酸洗技术。 1.1?硅料碱洗 硅料碱洗主要是指在30~120℃的温度下，使用一定浓 度的碱液，将硅料投入其中液体中，硅料与氢氧根离子反应 产生硅酸根，反应过程中有氢气产生，具体反应方程式如下： Si+2NaOH+H 2O=Na 2SiO 3+2H 2↑ Si →[SiO 3]2- Si-4e →Si 4+H 2O →H 2↑H+1e →H 4H+4e →4H 通过该反应碱蚀适当的厚度，将硅料表面的氧化物、砂浆、粉尘等杂质去除，使硅料表面洁净度符合要求。常规采用使用的碱液为氢氧化钠、氢氧化钾或其他有机碱，但碱洗过后，要选用适当的冲洗方式除去硅料表面残留的碱性物质，常用的冲洗方式有浸泡、喷淋、QDR，通常选用几种重复或者交替使用，为了加快冲洗效果，可适当加入无机酸（如盐酸、氢氟酸），中和残余的碱液，以实现彻底去除残留的问题，提高清洗效果。碱液清洗硅料时，绝大部分金属物不与碱液进行反应，故而碱洗有一定的局限性。1.2?硅料酸洗方法目前在电子级多晶硅清洗行业中，通常选用氢氟酸与硝酸按一定比例混合与硅料进行蚀刻反应，硅料先与硝酸反电子级多晶硅清洗过程管控要点 厉忠海，于跃，王阳，沈棽 （江苏鑫华半导体材料科技有限公司，江苏?徐州?221004） 摘要：电子级多晶硅是集成电路产业链中重要的基础材料，是制造集成电路抛光片、高纯硅制品的主要原料。电子级多晶硅表面金属杂质含量的高低对单晶拉制以及晶圆片的良率的高低有着密切的关系，因此，在生产过程中，通过表面清洗来控制电子级多晶硅后处理过程中带来的表面金属杂质含量，提升电子级多晶硅的质量，保证单晶拉制的成功率、晶圆片的良率。 关键词：电子级多晶硅；清洗方法；表面金属含量 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1671-0711（2019）02（下）-00174-02 提高电能运输效率和质量，降低电网的维护成本，起到保 护环境和节约资源目的，因此在我国有非常好的发展前景， 得到非常广泛应用。 （3）柔性交流电技术的应用。该技术在电网运输中 具备很高的清洁度，但是在实际的运用中还需要使用一 些技术，现在智能电网采用了很多技术，（电力、微型 电子以及控制等方面的技术）。与此同时，在运输电力 中必须将较高清洁度，一些新型电力注入到电网中，而 柔性交流电技术可以对这些方面的需求进行有效满足， 应该通过利用一些电力和控制方面的技术对交流电视网 线进行灵活和合理的控制，因此该技术在智能电网中的 应用非常广泛。 2.3?新型的电力工程技术在智能电网中的应用? （1）构建调度和广域防御网络，这样就能确保我国电 力能源在相对领域得到更加广阔应用，使得电力资源得到科 学合理的配置。（2）构建新型可靠的硬件方面的设备，关 于电力工程在开展运输工作中采用这些新型的硬件设备可以 对运输中输电设备发生的老化现象进行合理避免和解决，最大限度提高运输效率。（3）对拓扑网络进行合理构建，应用这种性质的技术就可以对智能电网和计算机之间进行合理连接，从而就能够构建出成熟和完善的供电系统。3 结语在进行智能电网建设中，要从多经济性、安全性、稳定性及便捷性等多方面进行考虑，确保工程技术得到科学合理的应用。我国电网已经进入到了智能化和科技化的新时代，在进行智能电网建设中电力工程技术发挥着非常重要作用，因此加强对其的研究与应用具有非常重要的现实意义。参考文献：[1]韩佳楠，谷卓木.基层电网建设电力工程安全技术现状及改进措施[J].科技创新导报,2016,（30）.[2]曹江春.电力工程技术在智能电网建设中的应用[J].工程技术研究,2017,（03）.?[3]陈东升.电力工程技术在智能电网建设中的应用探析[J].通讯世界，2017,（11）.?
地毯的清洗及护理
地毯的清洗及护理——德国思诺化学 一般门口地垫有着鲜艳的颜色，它起到防止沙尘进入室内的功能，同时也是门厅装饰的一部分，所以它的清洗护理就显得特别重要。 一、日常护理： 1、将地垫翻转，抖落沙土，通底型地垫则无需翻转，直接抖落沙。 2、用吸尘机吸走地垫表面与纤维空隙间的尘土。 3、将地板清理擦拭干净。 4、重新摆放好地垫。 二、清洁翻新： 1、与日常护理一样，抖掉地垫上的尘土。 2、使用高水压水管冲洗，最好用40℃以下水温冲洗，可以适当使用一些中性清洁剂，不要用酸碱性清洁剂清洗，因为它们会加速地垫的老化。 3、晒干及保持干爽。 4、重新摆放好地垫。 三、地毯清洗特殊污渍处理方法： 1、食用油脂：用汽油或氯化碳等挥发性溶剂清除，残余部分要用酒精清洗。 2、酱油汁：先用冷水刷过，再用洗涤剂，即除去，陈年污汁可用溫水加入洗滌劑和氨水刷洗，然後用清洗淨。 3、鞋油漬：用汽油、酒精擦除，再用肥皂洗淨。 4、尿漬：新的污漬可用溫水或10%的氨水液洗刷去除，陳年污漬先用洗滌劑洗滌，再用氨水洗淨純毛地毯要用檸檬酸洗滌。
5、果汁漬：先用5%的氨水液清洗，以後再用中性洗涤剂洗一遍。但氨水对纯毛地毯纤维有损伤作用，故应是减少使用，一般可用柠檬酸或肥皂清洗，用酒精也可。 6、冰淇淋漬：用汽油擦試。 7、酒漬：新的污漬用水清洗即可。陳年污漬需用氨水加硼砂的水溶液才能清除。如果是毛絲材料的地毯，可用草酸清洗滌。 8、咖啡漬、茶漬：可用氨水洗除。丝、毛地毯可用中性洗滌劑浸10-20分钟后再洗除，或用10%的甘油液清洗。 9、呕吐漬：一种方法是用汽油擦拭后，再用5%的氨水擦拭，最后用温水洗净。另一种方法是用10%氨水將呕吐沾湿，再用加有酒精的肥皂液擦拭，最后用中性洗涤剂清洗干净。 地毯清洗方式 地毯总给人高雅、华贵、呈现气派的感觉。地毯的质地、图案、花色间接反映了使用者的文化底蕴、审美层次和欣赏品味。但被污染弄脏的地毯，好象身上的衣服被弄脏的一样，让人十分沮丧。如何将厚重的地毯清洗保养得洁净、清新、松软而富于弹性呢？这就要求我们要有品质良好的专用清洁药剂、先进高效的清洗机器设备、专业有经验的作业工人和一份长期持久、可实现的清洁保养计划。我们同样不仅拥有这些基本必要条件，还拥有许多对付各种特殊污迹污渍的技术和窍门，相信定能祝您一臂之力。清洗地毯规范及操作：包括各种真皮、纯毛、化纤质地的地毯、挂毯、床毯、装饰毯