天津师范大学835语言文字学基础考研辅导经验

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天津师范大学835语言文字学基础考研辅导经验天津师范大学835语言文字学基础考研复习都是有依据可循的,考研学子关注事项流程为：考研报录比-大纲-参考书-资料-真题-复习经验-辅导-复试-导师，缺一不可。

天津师范大学835语言文字学基础这门科目我个人感觉是不易理解的，理论性的东西太强而且特别的多，但是这门专业课我的考研成绩却是140分，只差几分便能够达到满分，这都要归功于天津考研网为我提供的《天津师范大学汉语言文字学专业考研红宝书-全程版》这套资料以及学长的一对一辅导。

我是一个理解能力蛮强的学生，而拿到天津考研网主编的《天津师范大学汉语言文字学专业考研红宝书-全程版》这套资料之后更是如鱼得水，这套资料里面有已经为同学们总结好的一些相关知识点，而我呢就是把这些知识点了解透彻然后把这些知识点进行二次总结，这样过了一个多月我就把这里知识点吃透了，接下来就开始进行真题阶段，真题不愧是检验自己掌握知识点程度的阶段，做完之后才发现自己所掌握知识点中的不足以及困难点，有的知识点我看完解析之后再根据自己的理解就能够把这些知识点重新掌握并且完善强化，而有的一些知识点则是无法理解，感觉以我的智商这些知识点我不能完全理解，这些题目我也不知从何下手，没有一点点的思路和头绪，之后我就通过天津考研网找到了天津师范大学本专业的一位学长为我进行答疑，和学长沟通之后我豁然开朗，原来还能够用另类的思路进行答题，而且学长也是从每一道题的题性，出题的思路以及出题的一些套路这些方面来为我一一说明，让我对于这门课的考试有了一个更深层次的了解，通过五次的答疑让我对于这门课已经有了一个全面的了解，不仅仅解决了所有积累下来的问题，而且学长还和我透露了一些关于复试方面的技巧及经验，让我对于复试更有把握，能够以高成绩考入天津师范大学又有了很大的信心，而最后也如我所愿，以招收人数第二名的成绩考入这个专业并且给了导师一个很好的印象，相信在以后科研阶段能够和导师收获更多的东西。

最后对那些想要考高分数的同学们说，如果遇到任何疑难杂症不要想着通过自己解决，尝试着找个辅导为你解决一下，如果找不到推荐通过天津考研网找为学长为你辅导，效果还是蛮不错的，最后希望同学在学习835语文文字学基础的时候一定要坚持下去，总会有收获的一天。

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳第一部分模拟部分 第1章半导体二极管 1.1 考点归纳 一、半导体基础知识 1．半导体的分类 （1）本征半导体 ①概念 本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子：自由电子和空穴。 ③本征激发 受光照或热激发，半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子，此时共价键中留下一个空位，即空穴。 （2）杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的，如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度，因此电子为多数载流子，空穴为少数载流子，显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的，如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度，因此空穴为多数载流子，电子为少数载流子，显电中性。2．半导体特性

半导体导电性能的两个重要特性：掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大，温度升高，导电能力增强。 二、PN结 1.PN结的形成 （1）耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，又称耗尽区。 （2）内电场 在空间电荷区的两侧，P区带负电，N区带正电，形成内电场，方向由N区指向P 区，可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性 （1）正向导通 PN结外加正向电压时，与内外电场方向相反，外电场的存在削弱内电场，使耗尽区变窄，促进扩散运动，从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。 （2）反向截止 PN结外加反偏电压时，内电场和外电场的方向相同，增强内电场，使耗尽区变宽，形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时，反向电流会突然快速增加的现象。 （1）电击穿

天津师范大学全日制教育硕士考研参考书目一览

天津师范大学全日制教育硕士考研参考 书目一览 本文系统介绍天津师大全日制教育硕士考研难度，天津师大全日制教育硕士就业方向，天津师大全日制教育硕士学费介绍，天津师大全日制教育硕士考研参考书，天津师大全日制教育硕士考研初试经验五大方面的问题，凯程天津师大全日制教育硕士老师给大家详细讲解。特别申明，以下信息绝对准确，凯程就是王牌的教育硕士考研机构！ 五、天津师大全日制教育硕士考研参考书是什么？ 天津师大教育硕士考研参考书很多人都不清楚，这里凯程老师给大家整理出来了：333教育综合参考书： ①教育学原理： 《教育学》，王道俊、郭文安编人民教育出版社 ②中国教育史： 《中国教育史》，孙培青编华东师范大学出版社 《简明中国教育史》，王炳照等著北京师范大学出版社 ③外国教育史： 《外国教育史》，张斌贤、王晨副编教育科学出版社 ④教育心理学： 《教育心理学》，张大均编人民教育出版社 《教育心理学》，陈琦、刘儒德编高等教育出版社 复试参考书： 《全日制普通高中地理课程标准（实验）》高中地理教材 《生物课程与教学论》郑晓慧浙江教育出版社 《历史教育学》叶小兵等著高教出版社 《历史课程与教学论》陈志刚翟霄宇著科学出版社 《全日制义务教育历史课程标准》 《普通物理学》程守洙高教出版社 《物理教学论》李新乡科学出版社 《新编教育管理学》华东师大出版社吴志宏编 《教育管理学》北师大出版社陈孝彬等著 《学前教育学》黄人颂人民教育出版社（第二版） 以上参考书比较多，实际复习的时候，请按照凯程老师指导的重点进行复习，有些内容是不考的，帮助你减轻复习压力，提高复习效率。 四、天津师大全日制教育硕士考研辅导班有哪些？ 对于天津师大教育硕士考研辅导班，业内最有名气的就是凯程。很多辅导班说自己辅导教育硕士，您直接问一句，天津师大教育硕士参考书有哪些，大多数机构瞬间就傻眼了，或者推脱说我们有专门的专业课老师给学生推荐参考书，为什么当场答不上来，因为他们根本就没有辅导过天津师大教育硕士考研，更谈不上有天津师大教育硕士考研的考研辅导资料，有考上天津师大教育硕士的学生了。在业内，凯程的天津师大教育硕士考研非常权威，基本

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称：模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例： 模拟部分： 1、半导体器件（5～10％） （1）理解二极管单向导电特性，掌握二极管伏安特性； （2）理解三极管放大原理，掌握三极管的输入、输出特性曲线； （3）掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理（20～25％） （1）掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算； （2）掌握放大电路微变等效电路分析法，理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应（5～10％） 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器（10～20％） （1）理解零点漂移的概念，理解差动电路克服温漂的原理； （2）掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈（5～10％） （1）理解反馈的概念，掌握反馈类型的判断方法，能根据要求引入负反馈； （2）理解反馈对放大器性能的影响； （3）掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算； （4）理解自激的概念，能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路（20～25％） （1）理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 （2）掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路（10～15％） 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路（10～20％） （1）掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算； （2）能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路（15～20％） OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源（0～10％） （1）整流电路的工作原理及分析计算； （2）电容滤波电路的工作原理及分析计算； （3）稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分： 一、逻辑代数基础（5～10％） （1）逻辑代数基本概念、公式和定理； （2）逻辑函数的化简方法。 二、门电路（15～20％） （1）掌握分立器件门电路的分析方法； （2）理解TTL集成门电路的结构特点，掌握其外特性； （3）理解COMS集成门电路的结构特点，掌握其外特性。 三、组合逻辑电路（30～40％） （1）掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法； （2）熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法； （3）掌握用中规模集成芯片MSI（译码器、数据选择器等）实现组合逻辑函数。 四、触发器（15～20％） （1）熟悉触发器电路的结构特点； （2）掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

天津师范大学333教育硕士考研科目和复习计划

天津师范大学333教育硕士考研科目和复习计划 教育硕士也就是所谓的教育学的专硕，是从2010年开始实行的考试。主要是为培养中小学一线的教师而设立的。 主要包含的专业：分为两类，一类是指 学科教学英语、学科教学化学、学科教学语文、学科教学数学、学科教学生物等等一类的学科教学，这个是需要有学科背景的，也就是说你的本科是学相关专业的，如英语、数学、化学、生物、物理等等。 一类是指没有学科背景限制的，包含特殊教育、小学教育、学前教育、心理健康教育、科学教育、思想政治教育、教育管理等等。 可以参加考试的对象：应届毕业的学生、工作几年的同学，当然，这几个专业之中，教育管理是需要至少是3年的工作经验的。具体的工作年限需要看一下报考学校的招生简章。考试科目是包含政治、英语、333教育综合、专业课4门的。 其中，333教育综合是按照全国统一的大纲命题的，注意：不是全国统考，而是，全国统一大纲，各个学校自己出题，是按照大纲出题的，所以说，是有章可循的。333教育综合考的是以下几本书： 王道俊、郭文安主编：《教育学》，人民教育出版社2009年版 孙培青主编：《中国教育史》，华东师范大学出版社2009年版 王炳照等著：《简明中国教育史》，北京师范大学出版社2007年版 张斌贤主编、王晨副主编：《外国教育史》，教育科学出版社2008年版 张大均主编：《教育心理学》，人民教育出版社2005年版 陈琦、刘儒德主编：《教育心理学》，高等教育出版社2005年版 而另一门专业课是跟你的本科相关的，比如说，你是想考英语学科教学的话，这个专业课就是考的跟英语相关的，可能考的是翻译，可能是考的英语文化等等。 具体的专业主要有以下几个：学科教学（思政）、学科教学（体育）、学科教学（语文）、学科教学（英语）、学科教学（美术）、学科教学（（历史）、学科教学（数学）、学科教学（物理）、学科教学（化学）、学科教学（地理）、学科教学（生物）、心理健康教育、现代教育技术、科学与技术教育、小学教育、学前教育、教育管理这几门专业方向。 相应的参考书想了解的更清楚的，可以咨询我的用户名。

2015考研天津师范大学汉语言文学复试线参考书考研真题研究方向

1/9 【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌官方网站：https://www.wendangku.net/doc/2817144788.html, 1育明教育天津分校2015年天津地区15所高校考研辅导必备 天津分校地址南开区南京路新天地大厦2007 专注考研专业课辅导8年天津地区专业课辅导第一品牌 天津分校赵老师与大家分享资料 育明教育，创始于2006年，由北京大学、中国人民大学、中央财经大学、北京外国语大学的教授投资创办，并有北京大学、武汉大学、中国人民大学、北京师范大学复旦大学、中央财经大学、等知名高校的博士和硕士加盟，是一个最具权威的全国范围内的考研考博辅导机构。更多详情可联系育明教育天津分校赵老师。 2015考研天津师范大学汉语言文学复试线参考书考研真题研究方向院系所、专业、研究方向、科目组 招生人数考试科目备注 001文学院（电话：(022)23766064）69 050103汉语言文字学9①101思想政治理论 ②201英语一或202俄语或203日语 ③635汉语（古代汉语及现代汉语） ④835语言文字学基础（语言学概论及专业基础） _01汉字音韵 _02现代汉语语法 _03汉语方言学 _04古文字学 _05汉语语音学

2/9 【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌 官方网站： https://www.wendangku.net/doc/2817144788.html, 2 _06训诂学 050104中国古典文献学3①101思想政治理论 ②201英语一或202俄语或203日语 ③636古代汉语，古代文学 ④836中国古典文献学 _00不区分研究方向 考研政治每年平均分在4，50分，不是很高，政治取得高分除了靠记忆力还要有一定的技巧，今天我就考研政治中的一些答题技巧，来和同学们分享一下。 选择题分值为50分。其中单选题16道，满分16分;多选题17道，满分34分。选择题由于考查范围广，涉及的知识点零散，这种题型很需要考生对教材和大纲有系统而熟练的掌握。选择题中，多选题的难度较大，它是拉开政治分数的一个题型之一。 单项选择题 政治单选是属于必得的高分题型。而应 对单选这种题型，考生在记忆相关概念时一 定要明晰，不能模棱两可，尤其是容易混淆 的概念，一定要注意区分。而最能帮助考生 区分的方法是适度的习题训练，通过练习来 加强记忆和理解。在得分方面，单选题总分 值在16分，考生最好拿12分以上的分数。 解答单项选择题要掌握一定的技巧，掌 握技巧的前提是形成正确的解题思路。 第一步是读懂题，审好题，准确把握题 干的规定性。即题干所要求回答的是什么问 题，在什么范围、方面、角度和条件下回答 这一问题;

《电子技术基础》考试试题

共4页 第1页 《电子技术基础》考试试题 时量：120分钟 总分：100分 （每小题1.5分，共15分）单项选择题： 1、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V ，接入12K Q 的负载 电阻后，输出电压降为 3V ，这说明放大电路的输出电阻为 A. 10K Q B.2 K Q C.4 K Q D.3 K Q 2、 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 ________ 区。 A.正向特性 B. 反向饱和特性 C.反向击穿特性 D. 不确定 3、 为了使高内阻信号源与低阻负载很好地配合，可以在信号源与 低阻负载间接入 ______ 。 A.共射电路 B. C.共集电路 D. 4、多级负反馈放大电路在下列 A.回路增益AF 大 B. C ?闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 5、 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要 区别是，前者的运放通常工作在 ________ 。 A .开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C.放大状态 D. 线性工作状态 6、 差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压增益则 A.增加一倍 B. 为双端输入时的1/2 C.不变 D. 不确定 7、对于有二个输入变量和一个输出变量的逻辑问题，由于状态赋 值的不同，列出的真值表可以有 _________ 。 A. 一种 B.二种 C.三种 D.四种 8 A ? B 函数表达式为 ________ : 共基电路 共集一共基串联电路 —情况下容易引起自激。 反馈系数小

C. A B D. AB AB 共4页 第2页 A. AB AB B. A+B 9、 与函数式 A+ABC 相等的表达式为 _________ 。 A. A+B B. A+C C. A+BC D. BC 10、 将二进制数（1110100） 2转换为十进制数应为 ________ 。 A. 15 B. 116 C. 110 D. 126 、（本题10分）用图1所示的1片双4选1的数据选择器，搭建一 位全加器电路，该电路的输入变量为 A （加数）、B （加数）、C I （低 位来的进位信号）；输出变量为S （和），C O （向高位的进位信号）。 三、 （本题10分）用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与或表达式。 1. 丫1 二' m （0,1,2,5,6,7,8,9,13,14） 2. 丫2「m （0,2,4,5,7,13） ' d （8,9,10,11,14,15） 四、 （本题10分）电路如图 2所示，试画出在所示 C 脉冲作用下 QI 和Q2端的信号波形，设两个触发器的初始状态为 0。

电子技术基础考研

注意事项：1．本试卷共12道大题，满分150分； 2．本卷属试题卷，答案一律写在答题纸上，写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁，不要在试卷上涂划； 3．必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题，其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一 填空题（本题共14小题除标注外每空1分，共30分） 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ，试分析在不同的U 1、U 2组态下，VD 1、VD 2是导通还是截止，并求U O 的值，把正确答案填入表内。（每三空1分） 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时，VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。（每三空1分） V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时，测得输出电压为3V ，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V ，说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1

4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1Ω k，其它条件不变时，测得输出电压为4V，说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路，这个两级放大电路在信号频率为10Hz时，放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍，或者说下降了________________dB，放大倍数的相位与中频时相比，附加相移约为________________度。（每空0.5分） 6、试在下列空格中填写合适数值。（每空0.5分） 在两边完全对称的差分放大电路中，若两输入端电压u I1＝u I2，则双端输出电压u O＝＿＿＿V；若u I1＝1mV，u I2＝0mV，则差分放大电路的差模输入电压u Id＝＿＿＿mV，其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1＝＿＿＿mV，u Id2＝＿＿＿mV，共模输入信号u Ic＝＿＿＿mV。 7、电路如图所示，A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路，A2组成电路，VD1、VD2和R组成的电路起作用，u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1＝6.3V，VD Z2的稳定电压 U Z2＝7.7V，它们的正向导通电压U D均为0.7V，U I和R的取值合理，U I的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。（每空0.5分） 填空： U O1＝V，U O2＝V，U O3＝V， U O4＝V。

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识，随后重点阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件，因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习，应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数，并熟悉半导体相关基础知识，最后需要了解半导体器件的选用原则，为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表1-1-1）。 表1-1-1 半导体基本名词术语

二、半导体二极管 1二极管的结构和分类（见表1-1-2） 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表1-1-3）。 表1-1-3 二极管的伏安特性

3二极管的主要参数 为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表1-1-4）。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表1-1-5）。

表1-1-5 二极管等效电路

5稳压二极管 稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管

天津师范大学全日制教育硕士考研各专业复试分数线一览

天津师范大学全日制教育硕士考研各专 业复试分数线一览 本文系统介绍天津师大全日制教育硕士考研难度，天津师大全日制教育硕士就业方向，天津师大全日制教育硕士学费介绍，天津师大全日制教育硕士考研参考书，天津师大全日制教育硕士考研初试经验五大方面的问题，凯程天津师大全日制教育硕士老师给大家详细讲解。特别申明，以下信息绝对准确，凯程就是王牌的教育硕士考研机构！ 六、天津师大全日制教育硕士复试分数线是多少？ 2015年天津师大教育硕士专业复试分数总成绩不低于320分，且政治英语成绩不低于44分，专业课不低于66分。复试采取笔试和面试相结合的方式进行，面试内容包括专业知识的综合能力和应用能力（口试）、外语听力、口语测试。 考研复试面试不用担心，凯程考研有系统的专业课内容培训，日常问题培训，还要进行三次以上的模拟面试，还有对应的复试面试题库，你提前准备好里面的问题答案，确保你能够在面试上游刃有余，很多老师问题都是我们在模拟面试准备过的。 五、天津师大全日制教育硕士考研参考书是什么？ 天津师大教育硕士考研参考书很多人都不清楚，这里凯程老师给大家整理出来了：333教育综合参考书： ①教育学原理： 《教育学》，王道俊、郭文安编人民教育出版社 ②中国教育史： 《中国教育史》，孙培青编华东师范大学出版社 《简明中国教育史》，王炳照等著北京师范大学出版社 ③外国教育史： 《外国教育史》，张斌贤、王晨副编教育科学出版社 ④教育心理学： 《教育心理学》，张大均编人民教育出版社 《教育心理学》，陈琦、刘儒德编高等教育出版社 复试参考书： 《全日制普通高中地理课程标准（实验）》高中地理教材 《生物课程与教学论》郑晓慧浙江教育出版社 《历史教育学》叶小兵等著高教出版社 《历史课程与教学论》陈志刚翟霄宇著科学出版社 《全日制义务教育历史课程标准》 《普通物理学》程守洙高教出版社 《物理教学论》李新乡科学出版社 《新编教育管理学》华东师大出版社吴志宏编 《教育管理学》北师大出版社陈孝彬等著 《学前教育学》黄人颂人民教育出版社（第二版） 以上参考书比较多，实际复习的时候，请按照凯程老师指导的重点进行复习，有些内容

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中，是无权码的有（）。[北京邮电大学2015研] A．8421BCD码 B．5421BCD码 C．余三码 D．格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码，两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值，常见的有8421BCD码、5421BCD码等；无权码的每一位不具有权值，整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1（10100011.11）2＝（）10＝（）8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为（），十六进制数为（）。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111；27.E查看答案

【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111.1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421BCD＝（）2＝（）8＝（）10＝（）16。[山东大学2014研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。（1000 0111）8421BCD＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 111）2＝（127）8。同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝（）2＝（）8＝（）10＝（）8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二进制数与其权值相乘，然后再相加得到相应的十进制数，（0010 1011）2＝（43）10；8421BCD码是一种二进制的数字编码形式，用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码，（43）10＝（0100 0011）8421BCD。

2021天津师范大学英语语言文学考研参考书真题经验

天津师范大学英语语言文学考研经验

考研无疑是一件非常枯燥的事情，但是在考研的过程中我在high研APP上认识了很多朋友，他们给了我很多的帮助，我也希望可以把这种爱心传递下去，所以仅以这篇经验贴致敬那些high研APP上给予我帮助的前辈。 1.先说政治吧 政治建议看李凡政治新时器，看完一章节然后做配套的1000题里的选择题。这一环节在暑假开始就可以。大题主要是答题体系和思路，后期有肖四肖八还有其他辅导机构的预测题也要背一背。 政治主要是最后两个月甚至一个月来下大功夫背诵。当然这需要你对自己政治有一定基础或者高中文科生的前提下。 九月中旬开始必须进行政治的复习了，我直接用肖秀荣精讲精练来代替大纲来看，看一章做一章题目，做的题目就是肖秀荣1000题上配套的。决定你政治分数高低的，往往不是你的分析题，因为分析题大家考前都会背肖四等模拟卷，差距并不大，而客观题是实打实的。肖秀荣1000题这本书对于你的客观题提升是非常大的。我的建议是1000题至少要做两次，第一遍就是上面说的第一轮看一章精讲精练，然后做一章1000题，第二遍可以只做错题，然后错了的题目回过头来在精讲精炼上找到对应的章节的知识点上圈出来，着重记忆。 风中劲草上市了，就可以把政治新时器放下来了，着重地看这一本书，要反复地看这本书，争取看个两遍，如果时间实在来不及，一遍至少，然后把自己不熟悉的地方再加强看一遍。在你做完以上工作后，你的政治基础已经打下来了，接下来就该是到了不断做题巩固提高的阶段。肖秀荣全家桶中知识点提纲和考点预测这两本书我建议大家也都把这两本书看了，因为里面的有一些事件会议的统计啊，近代史的时间轴啊什么的对于你的记忆来说都是非常有帮助的。 这样地按部就班地复习到11月份，基本上各种政治模拟卷都陆续上市了。我在这里采取的战略是能买到的模拟卷都买！只刷选择题！我这里给大家推荐一些老师出的卷子，让大家少走点弯路。肖八肖四这个不讲了，肖秀荣全家桶里的不能落下，任汝芬任四，米鹏老师出的试卷，风中劲草也会出三套卷子，以上基本上质量最高的一批卷子。如果你还要刷，可以选石磊，徐涛，万磊他们的卷子，尽可能全刷了，一两分的选择题有可能就决定了你今后的命运。 2.综合英语

2018中国计量大学808电子技术基础考研真题

一、单选题（每题2分，共20分） 1. 为提高共模抑制比应采用（ ） A. 共射放大电路 B. 共基放大电路 C. 多级放大电路 D. 差动放大电路 2. 由理想二极管构成的限幅电路如图1所示， 当输入电压V V i 9=时，输出电压o V 为 ( )。 A. 3V B. 9V C. 15V D. 6V 3. 在乙类功率放大电路中，三极管在信号的( )内导通。 A. 一个周期 B. 半个周期 C. 四分之一周期 D.四分之三周期 4. 若一无零单极点系统，极点频率610H f Hz =，中频电压增益dB A I 100=，则 710f Hz = 时，增益为（ ）dB 。 A. 100 B. 40 C. 20 D. 80 5. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（ ）。 A ．不变 B ．提高一倍 C ．提高两倍 D ．减小为原来的一半 6. 在开环放大电路中引入( )负反馈，可使输入电阻增大. A. 电压 B.电流 C.串联 D.并联 7. 反相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于( ) A. 电压并联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 正反馈 D. 电压串联负反馈 8. 在桥式整流电路中接入电容C 滤波后，输出直流电压较未加C 时（ ） A. 不变 B. 降低 C.升高 D. 不定 - V O + -

9. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为100，反馈系数为0.09，则闭环放大倍数为( ) A. 0.02 B. 100 C.25 D.10 10. 功放电路采用甲乙类工作状态的原因是为了消除（ ）。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C.截止失真 D.频率失真 二、简答题（共16分） 1.（5分）单相直流稳压电源电路如图2所示， （1）指出它由哪几部分组成，并写出它们的名称； （2）当电路正常工作时，V O =？ 2.（5分）某OCL 互补对称电路如图3所示，已知三极管T 1 、T 2的饱和压降为V V CES 1=， V V CC 18=，Ω=8L R 。 （1）计算电路的最大不失真输出功率max O P ； （2）计算电路的效率。 O v

2021年电子技术基础考研题库

2021年电子技术基础考研题库 2021年电子技术基础考研题库【考研真题精选＋章节题库】（上册） 目录 第一部分考研真题精选 一、填空题 二、选择题 三、分析题 第二部分章节题库 第1章数字逻辑概论 第2章逻辑代数与硬件描述语言基础 第3章逻辑门电路 第4章组合逻辑电路 第5章锁存器和触发器 第6章时序逻辑电路 第7章半导体存储器 第8章CPLD和FPGA 第9章脉冲波形的变换与产生 第10章数模与模数转换器

第11章数字系统设计基础 ? 试看部分内容 考研真题精选 一、填空题 1（10100011.11）2＝______10＝______8421B C D。[电子科技大学2 009年研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为______，十六进制数为______。[重庆大学2014年研] 【答案】100111.111；27.E查看答案 【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补

零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111. 1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421B C D＝______2＝______8＝______10＝______16。[山东大学2014年研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BC D码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。 （1000 0111）8421B C D＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 1 11）2＝（127）8。 同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝______2＝______8＝______10＝______8421B C D。[山东大学2015年研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二

模拟电路电子技术基础考研试题

第一部分：模拟电路 一、填空题(共10分，每小题2分) 1、由二极管D和正偏直流电源V，交流信号源υs及负载R L构成的串连电路，当V＝3V时，测得R L上的交流压降υL＝100mV。若调节V＝4V，其他参数不变，则υL100mV。 2、基本放大电路的静态工作电流调得太大，容易产生失真，这种失真属于失真。 3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。放大器的噪声系数N F的定义是：。 4、某负反馈放大电路，其开环增益Ag＝100mS，反馈系数Fr＝10KΩ，开环输入电阻R i＝3KΩ，则其闭环输入电阻R if ＝。（R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻） 5、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常由 和电路两部分组成。 二、分析与计算题 1．（8分）对于增强型n沟MOSFET ， 1）写出其在线性区的伏安特性表达式； 2）在V DS＞＞2（V GS－V TH）条件下，写出上述伏安特性表达式的近似表达式； 3）已知MOSFET的μn·Cox＝50μA/V2，V TH＝0.7V, 当V GS=2.5V ，求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON＝？ 2．（10分）两相同单级放大器组成二级放大器，回答如下问题1）在其单级放大器的截止频率处，二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB？ 2）为保证二级放大器的上限频率为106Hz，下限频率为156Hz，计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少？ 3．（6分）一理想运算放大器组成的电路如图所示，试求该电路的输入电阻R i表达式。

4． （12分）在下图所示的多级运算放大电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路： 1）写出计算υO1、υO2、υO 的表达式 2）若 R 3＝R 5＝R f1＝R f2 ＝200K Ω，R 1＝R 2＝R 4＝R 7＝20K Ω，C ＝5μF ，t ＝0 时，加入阶跃信号υi 1＝－0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC ＝0，求需经过多长时间使υO ＝5V ？ 5．（15分）在下图（a ）所示的单极放大电路中，场效应管T 的转移特性如下图（b ）所示。已知＋V DD ＝＋15V ，R D ＝15k Ω，R S ＝8 k Ω，R G ＝100 k Ω，R L ＝75 k Ω；要求 （！）用近似方法计算电路的静态工作点；（提示：T 的伏安特性方程可近似为：2 P GS D 1???? ??U U I I DSS －＝，U GS ＝－I D ×R S ，U P 为夹断电压）。 （2）计算放大器的输入电阻 R i 和输出电阻 R o ； （3）计算场效应晶体管的跨导 g m ； （4）计算放大器的电压放大倍数 A u ； 6、（14分）下图所示RC 桥式振荡电路中，设运放A 为理想组件，设R ＝3.9K Ω， C ＝0.01μF ，R T ＝15K Ω，＋V CC ＝＋15V ，－V CC ＝－15V ，试回答如下问题：

天津师范大学教育学考研经验之谈

天津师范大学教育学考研经验之谈 在确定考研目标院校后要制定各阶段每一门科目的复习计划，按计划进行复习。如果自制力不够或跨考，可以选择报辅导班，博仁的学习资料层次分明、重难点突出，复习与练习结合，还有老师解难答疑，VIP学员泽有专门的老师全程跟踪，确保落实复习计划，很实用。无论选哪个学校，都会有不少竞争对手，所以要相信自己，朝着目标不懈努力，重视结果也要重视过程。 下面，我想分科目介绍一下英语、政治和专业课的复习方法。 考研英语复习策略 第一步：贮备足量词汇，打下坚实基础 1.打好持久攻坚战，长期坚持 考试前的10个月的时间里，需要对英语单词开始进行持久记忆。英语词汇的学习是一个长期积累的过程。考研大纲规定的五千多的词汇与词组中，我们在从中小学到现在基本已经掌握了一千到三千的词汇量了，不论在之前的词汇量有多大，在考前的这几个月内，都不能放松对词汇的记忆和学习。 2.结合阅读的文章，删旧词背新词 在背诵单词的时候，将单词拿到一个句子当中，甚至结合整篇文章去理解与背诵，就会发现效果会非常的好。一般来讲，对大纲词汇的记忆，最好达到90%以上，减去自己已有的词汇量，还有两千到三千的新的单词需要去背诵。在背诵过程中，可以随时将自己词汇表中或手中卡片本中的已记住的旧词汇进行删除，而只留下未记住词汇，以加速记忆。 3.遇到新词（超纲词），能记就记 需要注意的一点是，背诵单词不是单独进行的。背诵单词的同时，也会进行英语阅读以及做一些历年真题试卷，这时候遇到的一些新的单词，也需要大家去记忆，这些地方遇到的单词和词汇书上的单词会重叠一部份，没关系，权当是又加深了一遍记忆。但有一部份是超过大纲的，这时候，大家也要背诵，因为考卷中也会有一些超纲的词汇，量虽然不会很大，频率却很高，所以把真题、模拟题中的一些新词要背诵下来，阅读一些课外读物时遇到的单词，也要尽量去记忆。 第二步：阅读足量文章 1.准备越早越好 从四月份开始，伴随着背诵词汇的同时，也要开始进行英语文章的阅读了。阅读文章要尽早，而且最好再准备看专业课以前就要有大量的阅读经历，这样在备考的后期，就不会因为对专业课复习占用大量的时间，而导致英语阅读这块的准备不足了。还有，就是阅读理解的提高，将会带动英文整体水平的提高，因为其他包括翻译、完型填空和作文部分，都会得益于阅读理解部分水平的提高。

2012年北京科技大学817模拟电子技术与数字电子技术基础考研试题

北 京 科 技 大 学 2012 年硕士学位研究生入学考试试题 ============================================================================================================= 试题编号： 817 试题名称： 模拟电子技术与数字电子技术基础 （共 7 页） 适用专业： 物理电子学 说明： 所有答案必须写在答题纸上，做在试题或草稿纸上无效。 ============================================================================================================= 一、（本题 6 分）电路如图 1，二极管为理想元件，其中 E = 2V ，试画出输出电 压 u O 波形，写出简要的分析过程。 图 1 第一题图 二、(本题 15 分)电路如图 2，已知 V CC , R b1, R b2, R e , R S 及晶体管的电流放大倍数 β 和动态电阻 r be 。试求： 1)画出电路的直流通路，并计算静态工作点：I B ，I E ，U CE 。 2)静态时（u i =0）C 1 和 C 2 上的电压各为多少？并说明极性。 3)画出电路的微变等效电路，并标明必要的参考方向。 4)计算电压放大倍数 A u ，输入电阻 r i 和输出电阻 r O 。 图 2 第二题图

um 三、(本题8 分) 假设某单管共射放大电路的对数幅频特性如图3。 1) 求出该放大电路的中频电压放大倍数A& ，下限频率f L 和上限频率 f H ； 2) 说明该放大电路的耦合方式； 3) 画出相应的对数相频特性。 图 3 第三题图 四、(本题12 分)分析图4 所示电路中的反馈。 1)判断电路中是否引入了反馈（指出哪些器件构成了该反馈）？ 2)是直流反馈还是交流反馈？并使用瞬时极性法判断是正反馈还是负反馈（在图中标注判断过程）。 3)如果存在交流负反馈，请判断其组态。 4)估算在理想运放条件下整个电路的电压放大倍数A uf。 图 4 第四题图

阎石《数字电子技术基础》第6版笔记课后习题考研真题详解

阎石《数字电子技术基础》（第6版）笔记和课后习题（含考研真题）详解攻重浩精研学习网提供资料 第1章数制和码制 1.1复习笔记 本章作为《数字电子技术基础》的开篇章节，是数字电路学习的基础。本章介绍了与数制和码制相关的基本概念和术语，包括常用的数制和码制，最后给出了不同数制之间的转换方法和二进制算术运算的原理和步骤。本章重点内容为：不同数制之间的转换，原码、反码、补码的定义及相互转换，以及二进制的补码运算。 一、概述 1数码的概念及其两种意义（见表1-1-1） 表1-1-1数码的概念及其两种意义 2数制和码制基本概念（见表1-1-2） 表1-1-2数制和码制基本概念 二、几种常用的数制 常用的数制有十进制、二进制、八进制和十六进制几种。任意N进制的展开形式为： D＝∑k i×N i 式中，k i是第i位的系数，N为计数的基数，N i为第i位的权。 关于各种数制特征、展开形式、示例总结见表1-1-3。 表1-1-3各种数制特征、展开式、示例总结

三、不同数制间的转换 1二进制转换为十进制 转换时将二进制数的各项按展开成十进制数，然后相加，即可得到等值的十进制数。例如：（1011.01）2＝1×23＋0×22＋1×21＋1×20＋0×2－1＋1×2－2＝（11.25）10。 2十进制转换为二进制 （1）整数部分的转换：将十进制数除以2，取余数为k0；将其商再除以2，取其余数为k1，……以此类推，直到所得商等于0为止，余数k n…k1k0（从下往上排）即为二进制数。以273.69为例，如图1-1-1所示。 （2）小数部分的转换：将十进制数乘以2，取乘积的整数部分为k－1；将乘积的小数部分再乘以2，取乘积的整数部分为k－2，……以此类推，直到求出要求的位数为止，k－1k－2k－3…（从上往下排）即为二进制数。以273.69为例，如图1-1-2所示。 图1-1-1十-二进制整数部分的转换