模电试卷1

模拟电路基础练习卷（一）

姓名班级

一、填空题

1、晶闸管导通必须具备两个条件，即和

，晶闸管导通后，失去控制作用，此时晶闸管依靠本身作用维持导通状态，所以晶闸管对控制极电流放大作用。

2、单结晶体管的导通条件是，导通后若Ue减小到

时，单结晶体管就会从转变为状态。

3、能为晶闸管提供的电路，称之为触发电路，晶闸管常用的触发电路有触发电路。

4、晶闸管整流电路与晶体管整流电路的最大区别是：晶闸管整流电路的输出是

，而晶体二极管整流电路输出的是。

5、在感性负载单相半控整流电路中，续流二极管的作是。

6、晶闸管的保护有和，前者是采用

方法在整流电路的、、或中，后者是采用的方法在整流电路的、、或中。

7、单结晶体管伏安特性曲线可以分为区、区和区，单结晶体管工作在区。

8单结晶体管具有性，不同的单结晶体管的分压比是的，其大小与单结晶体管的有关。

9、电阻性负载单相半空桥式整流电路的最大导通角是，控制角与导通角的关系是，当控制角为60°时，导通角是，导通角越大，则输出电压。

10、晶闸管导通后通过晶闸管的电流决定于；触发导通的晶闸管，当阳极电流减小到低于维持电流以下时，晶闸管处于状态。

一、判断题

1、晶闸管阳极电流受控制极电流控制。（）

2、只要晶闸管的阳极电流小于维持电流，晶闸管就会关断。（）

3、晶闸管内部有3个PN结，单结晶体管内部只有1个PN结。（）

4、单结晶体管具有单向导电性，而晶闸管没有。（）

5、单结晶体管用于可控整流电路，其作用是控制电路。（）

6、峰点电压是指单结晶体管导通后的最大发射极电压。（）

7、可控整流电路中单结晶体管振荡触发电路和主电路采用同一交流电源，目的是为了同步。（）8、改变单结晶体管的分压比可以改变单结晶体管触发电路输出脉冲的发频率。

（）9、电感性负载可控整流电路的特点是：负载两端的电压和通过它的电流总是成正比的，而且波形相同。（）10、电阻性负载单相半控桥式整流电路中，当控制角大于90°时，晶闸管承受的最大反向电压小于1.4U2。（）

二、选择题

1、感性负载可控整流电路中续流二极管接反时，电路（）。

A、能正常工作

B、会开路

C、会短路

D、不确定

2、在电阻性负载单相半控桥式整流电路中，当导通角为120°时，输出直流电压的平均值为（）。

A、0.45U2

B、0.675U2

C、0.9U2

D、0

3、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）特性，可以组成频率可变的（）振荡电路。

A、负阻和RC充放电，正弦波

B、负阻和RC充放电，三角波

C、负阻和RC充放电，锯齿波

D、饱和和RC充放电，锯齿波

4、改变单结晶体管振荡器中充放电时间常数，可以改变输出脉冲的（）。

A、峰值

B、频率

C、有效值

D、最大值

5、选用晶闸管主要考虑（）两个参数。

A、反向重复峰值电压和通态平均电流

B、断态重复峰值电压和通态平均电流

C、反向重复峰值电压和通态平均电压

D、断态重复峰值电压和维持电流

6、晶闸管由中间P层引出的电极是（）。

A、门极

B、阳极

C、阴极

D、无法确定

7、为防止晶闸管电流上升过快，可采用（）

A、串联一个扼流圈

B、通过一个RC串联电路与负载并联

C、通过一个续流二极管与晶闸管并联

D、以上三种方法均可

8、如果对可控整流电路的输出电流波形质量要求较高，最好采用（）滤波

A、串接平波电抗器

B、并接大电容

C、串接大电阻

D、并接小电阻

三、综合题

1、试分析下图所示的电路中，S接通和接通后又断开时电路中灯泡的亮灭情况

2、晶闸管装置中是否可以不采用过电压、过电流保护，而选用较高电压、电流

等级的晶闸管？

3、已知Ubb=20V,单结晶体管分压比为0.6,。试问发射极电压升到多少伏时，单

结晶体管才会导通？当Ubb=12V时情况又如何？

4、电阻性负载单相半控桥式整流电路最大输出为110V，输出电流为50A。求：（1）交流电源电压的有效值U2

（2）当控制角为60°时的输出电压。

5、电路如图所示，分析以下情况下输出电压Ud和晶闸管两端电压Ut的波形变

化，并说明理由。

(1)晶闸管两端不加触发电压

(2)晶闸管内部断开

(3)晶闸管T1内部短路，T2

不加触发脉冲

模电试卷+9道经典题型

15-16学年第1学期模拟电子技术A期末试卷（B）一、判断题 1.直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，但是不能放大交流信号。 2.从能量控制和转换的角度看，功率放大器和电压放大器没有本质的区别。 3.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 4.在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。 5.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。 6.任何单管放大电路的输入电阻都与负载电阻无关。 7.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。 8.当OCL电路的最大输出功率为1W时，功率管的集电极最大耗散功率应大于1W。 二、单项选择题 1.P型掺杂半导体的多数载流子是（） A.空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 2.场效应管本质上是一个（） A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 3.测得某放大电路中某晶体管三个电极对地电位分别为-1.4V、-0.7V和 -6.7V，则该三极管的类型为（） A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 4.下列四图为NPN管共射基本放大电路输出电压u o波形，则截止失真的波形和消除失真的主要措施均正确的是（） A.增大V BB B.减小V BB C.减小V BB D.增大V BB 5.制作频率为2MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应采用（） A.LC正弦波振荡电路 B.RC正弦波振荡电路 C.石英晶体正弦波振荡电路 D.多谐振荡器 6.要求将电流信号转换成与之成稳定关系的电压信号，应引入（） A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 7.差分放大器中，若u I1=2.02V，u I2=l.98V，则u Id、u Ic分别为（） A.2V、0.02V B.2V、4V C.0.04V、2V D.0.02V、0.04V 8.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用（） A.共漏电路、共射电路 B.共源电路、共射电路 C.共基电路、共漏电路 D.共源电路、共集电路 9.反应场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导 10.互补输出级采用共集形式是为了使（） A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D.交越失真小 11.为防止50Hz的电网电压干扰，可以在电路中加一个（） .. ..

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可 选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系 数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.

路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模电考试试题

模电考试试题 Revised by Jack on December 14,2020

选择 1、半导体二极管加正向电压时，有（A） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、三极管工作于放大状态的条件是(A ) A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（B） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 4、共模抑制比KCMR越大，表明电路（C） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 5、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（A） A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 填空 1、N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 2、集成运算放大器采用直接耦合方式放大，理想条件Rid为无穷大，R0为0

5、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 6、电流源电路特点，直流等效电阻小，交流等效电阻大 7、直流稳压电源一般由电源变压器、滤波电路、整流电路和稳压电路组成 计算 1、放大电路如图1所示,若VCC=12V，Rc=Ω，Rb=400kΩ，Re1=100Ω， Re2=2kΩ，RL=kΩ，=50, r bb=300欧 (1)、求静态工作点； (2)画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri和Ro。 解（1） I BQ== I CQ=βI BQ= VCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)= （2）画出简化h参数等效电路如图 (3)、rbe=[300+(1+β) ]=

模电试卷及答案

《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院： 电气 课程号：15012335 考试日期： 2010-12-30 考试方式：开卷闭卷 其他 考试时间： 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分) 1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是（ ） A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为（ ）功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。 (a ）正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共 10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。( ) + - 命 题人： 熊兰 组题人： 审题人： 命题时间： 教务处制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密

模拟电路试卷(总集)

苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au

模电试卷2007-2008

北京交通大学考试试题及参考答案 课程名称：模拟电子技术2007-2008学年第二学期出题教师：集体 班级：学生姓名_________学号 一、填空（15分） 1.变容二极管在利用其变容特性工作时，应使变容二极管工作在_____________工作状态。 2.MOS管是______________器件，小信号工作时可以等效成______________源。 3._______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 4.NMOS管的衬底是_______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位_______的电位 上。 5.二极管的V-A特性和工作范围如图1所示，工作点在Q，试求二极管的直流电阻R be 的电阻值是______________和交流电阻r be的电阻值是______________。 图1 1.在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是_______， 不能放大电压、可以放大电流的是_______，输入电阻最小的是_______，输出电阻最小的是_______。 2.结型场效应管的栅源极间必须加_______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源 极间必须加_______偏置电压才能正常放大。 解答： 1.反向偏置；或反向电压工作。 2.电压控制；电压控制电流源。 3.同相；反相。 4.P；低。 5.367欧姆；100欧姆 6.共基；共集；共基；共集 7.反向；反向

二、选择填空（10分） 1.如图2所示单级共射放大电路及输出特性曲线，图中MN为直流负载线。 (a) (b) 图2 (1) 要将静态工作点由Q1点调整到Q2，应__________； (2) 要将静态工作点由Q1点调整到Q3，应__________。 A．增大R B B．减小R B C．增大R C D．减小R C E．增大U CC F．减小U CC 2. 如图3是低频功率放大器，请回答下列问题。 (1) 最大输出功率近似为______W。 (2) 级间负反馈元件________。 (3) 电路的反馈类型是____________。引入此反馈可使输入电阻____________。 (4) 要大幅度增加共模抑制比，应将此电路中的_____________改变为____________。 (5) 在没有交越失真的情况下，A、B两点间电压约为____________V。此功率放大器是______类工作状态。

模电试题及答案1-2

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA

a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷

模电试题及标准答案

《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

模电期末考试试题

一、判断。 1由于集成运放是直接耦合放大电路，因此只能放大直流信号，不能放大交流信号。（） 2理想运放只能放大差模信号，不能放大共模信号。（） 3不论工作在线性放大状态还是非线性状态，理想运放的反相输入端与同相输入端之间的电位差都为零。（） 4不论工作在线性放大状态还是非线性状态，理想运放的反相输入端与同相输入端均不从信号源索取电流。（） 5 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）6电路只要满足│AF│=1，就一定会产生正弦波振荡。 ( ) 7负反馈放大电路不可能产生自激振荡。 ( ) 8为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。（） 9输入电压在单调变化的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变一次。 ( ) 10单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高（） 二、选择。 1所谓放大器工作在闭环状态，是指（） A. 考虑信号源内阻 B. 有反馈通路 C. 接入负载 D. 信号源短路 2差分放大电路的差模信号是两个输入信号的（）共模信号是两个输入端信号的（）。 A、差 B．和 C．平均值 3在输入量不变的情况下，若引人反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大 D．净输入量减小 4直流负反馈是指（）。 A直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大直流信号时才有的负反馈 C．在直流通路中的负反馈 5为了实现下列目的，应引入 A．直流负反馈 B．交流负反馈 ①为了稳定静态工作点，应引入（）； ②为了稳定放大倍数，应引入（）； ③为了改变输入电阻和输出电阻，应引入（）； ④为了抑制温漂，应引入（）； ⑤为了展宽频带，应引入（）：6.利用基本放大电路的微变等效电路只可求该放大电路的（） A. 电压放大倍数 B. 输入电阻和输出电阻 C. 静态工作点 D. 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 7.如图一所示电路，输入电压v I = 5mV，输出电压v O = 40mV，则反馈电阻R f为（） A. 80kΩ B. 40 kΩ C. 50 kΩ D. 70 kΩ 8.NPN型和PNP型三极管的区别是（） A. 由两种不同的材料硅或锗构成 B. 掺入的杂质不同 C. P区和N区的位置不同 D. 所加的正负电源不同 9.如图二所示负反馈放大电路的类型是：（） A. 电压并联负反馈电路 B. 电压串联负反馈电路 C. 电流并联负反馈电路 D. 电流串联负反馈电路 10.在单管共射放大器中（） A. i o与v i反相 B. v o与i o同相 C. v o与v i同相 D. v o与v i反相 三.填空题。 ⒈集成运放的输入级电路通常是一个⑴，输出级电路通常是⑵。 ⒉在反馈放大电路中，根据反馈量的引入对净输入量的影响的不同，可将反馈分为⑶和⑷两种类型。 ⒊在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号⑸；大小相等、极性或相位相反的两个输入信号称为信号⑹。 ⒋金属—氧化物——半导体场效晶体管简称MOS管，按其导电沟道中用来导电的载流子的类型，可将其分为⑺和⑻两种。 ⒌工作于线性区的理想运放，其净输入端有两个特点：即净输入电压v di = 0和净输入电流i di = 0通常称为⑼和⑽。 图二

中南大学模电试卷及答案

中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第1套） 一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。 3． 在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 放大器，A u2是 放大器，A u3是 放大器。 4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝ 。 5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ，则此滤波器为 滤波器， 其通带放大倍数为 ，截止频率为 。 6． 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的最大输出功率为 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。

2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益

模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ

a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子

大学模电题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，

模电试题(题库)

模电试题库 一、填空题。 1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、温度升高时，三极管的β将 （增加、减小、不变）。 3、要让三极管工作在放大区，发射结要求 ，集电结要 （正偏或反偏）。 4、当差分放大器两边的输入电压为1i u =7mV ，2i u =-3mV ，输入信号的差模分量为 ，共模分量 为 。 5、在放大电路中，如果要想提高输出电阻，减小输入电阻的要求，应引入 反馈。 6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。 7、乙类推挽放大器，由于三极管的死区电压造成的失真现象，这种失真称为 。 8、 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。 [ 9、放大器级间耦合方式有三种： 耦合； 耦合； 耦合；在集成电路中通常采用 耦合。 10、负反馈能够改善放大电路的性能，例如它可以提高增益的稳定性， ， ， 等。 11、场效应管属于_______________控制器件，而三极管属于_____________控制器件。（电压或电流） 12、差放电路中，公共发射极电阻Re 对于共模信号而言，相当于每个差放管的发射极接入________ _____的电阻，对于差模信号而言，Re 相当于为__________ ______。 13、负反馈能使放大器许多性能获得改善，如_______________、__________________、 __________________、__________________。但是性能的改善是以牺牲______________________为代价的 14、振荡电路的振幅平衡条件是：__________________________,相位平衡条件是： ___________________________. 15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态，必须满足的外部条件是_________________ _________ ___________, （ 16．为简化分析过程，在应用集成运放时总假定它是理想的，理想运放具有以下特点：开环差模增益A d =___________，开环输入电阻R i =_____________, 开环输出电阻R o =_______________。 17、某双极型半导体三极管其三个电极流过的电流如图所示：分别为：①、②、③10mA ，则该三极管为________ 型，三个电极分别为：①___e _____ ②____b ___ ___③__c ______ 。 18．三极管各电极的电流分配关系为_e=b+c _。 19．晶体管的输出特性是指当三极管基极电流I B 一定时，___________与_____________之间的关系。 20．晶体管输出特性有三个区域： 、 和 。晶体管工作在 时，相当于闭合的开关；工作在 时，相当于断开的开关。 21．三极管图形符号中的发射极的箭头表示三极管的________________方向。 22．在放大电路中，为了稳定静态工作点，宜引入__________反馈；要展宽频、稳定增益，宜引入____________反馈；为了提高输入阻抗，宜引入___________反馈。

模拟电路试卷与答案(十套)

模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a， b。2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大 电路的输入电阻。 4．一个 NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1 =u i2 , 则输出电压为V ； 若 u =1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压 u为μV，共模输入信号 u为μV。 i1id ic 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻 较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。A．β增加， I和 u减小 B.β和 I 增加， u 减小 CBO,BE CBO BE C．β和 u BE减小， I CBO增 加 D.β、 I CBO和 u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。A. 通过增加一级放大 B.利用两个