分立器件

半导体技术-中国半导体分立器件分会

“半导体技术”2011年第11期摘要” 材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析 制造工艺技术 P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究 集成电路设计与应用 P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器 P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现 P853- 一种高功率馈线合成器的设计 P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现 P862- 2~18GHz宽带ALC放大器 P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器 P871- 双极型LDO线性稳压器的设计 封装、检测与设备 P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究 P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究 P885- 多线切割张力控制系统研究 P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估

材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093; 2．南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009) 摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。 关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇 (厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心 福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005) 摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。 关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构

中科大半导体器件原理考试重点

《半导体器件原理》课程复习提纲 2017.12 基础：半导体物理、半导体器件的基本概念、物理效应。 重点：PN结、金半结、双极型晶体管、JFET、MESFET、MOSFET。根据物理效应、物理方程、实验修正等，理解半导体器件的工作原理和特性曲线，掌握器件的工作方程和各种修正效应，了解器件的参数意义，能够进行器件设计、优化、应用、仿真与建模等。 第一章：半导体物理基础 主要内容包括半导体材料、半导体能带、本征载流子浓度、非本征载流子、本征与掺杂半导体、施主与受主、漂移扩散模型、载流子输运现象、平衡与非平衡载流子。 半导体物理有关的基本概念，质量作用定律，热平衡与非平衡、漂移、扩散，载流子的注入、产生和复合过程，描述载流子输 运现象的连续性方程和泊松方程。（不作考试要求） 第二章：p－n结 主要内容包括热平衡下的p－n结，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电场等概念，p－n结的瞬态特性，结击穿，异质结与高低结。 耗尽近似条件，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电势等概念，讨论pn结主要以突变结（包括单边突变结）和线性缓变结为例，电荷分布和电场分布，耗尽区宽度，势垒电容和扩散电容的概念、定义，直流特性：理想二极管IV方程的推导；

对于考虑产生复合效应、大注入效应、温度效应对直流伏安特性的简单修正。PN的瞬态特性，利用电荷控制模型近似计算瞬变时间。结击穿机制主要包括热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。要求掌握隧道效应和碰撞电离雪崩倍增的概念，雪崩击穿条件，雪崩击穿电压、临界击穿电场及穿通电压的概念，异质结的结构及概念，异质结的输运电流模型。高低结的特性。 第三章：双极型晶体管 主要内容包括基本原理，直流特性，频率响应，开关特性，异质结晶体管。 晶体管放大原理，端电流的组成，电流增益的概念以及提高电流增益的原则和方法。理性晶体管的伏安特性，工作状态的判定，输入输出特性曲线分析，对理想特性的简单修正，缓变基区的少子分布计算，基区扩展电阻和发射极电流集边效应，基区宽度调制，基区展宽效应，雪崩倍增效应，基区穿通效应，产生复合电流和大注入效应，晶体管的物理模型E－M模型和电路模型G－P 模型。跨导和输入电导参数，低频小信号等效电路和高频等效电路，频率参数，包括共基极截止频率fα和共射极截止频率fβ的定义，特征频率f T的定义，频率功率的限制，其中少子渡越基区时间，提高频率特性的主要措施。开关特性的参数定义，开关时间的定义和开关过程的描述，利用电荷控制方程简单计算开关时间。 开关晶体管中最重要的参数是少子寿命。异质结双极型晶体管的结构及优点。

FA507A细纱机控制线路的改造

FA507A细纱机控制线路的改造实践 本公司使用的40台FA507A细纱机（上海二纺机股份有限公司1995年3月设计生产），是1995年10月投产使用的,在生产过程中,曾多次发生下列故障： 一、JBK-350控制变压器烧毁。 经观察和分析，造成JBK-350控制变压器烧毁的原因主要在H1指示灯电源控制线上无设计保险，而H1指示灯在灯泡发生烧毁，一旦取下灯泡无及时补上的情况下，指示灯底座内的舌簧容易弹起造成24伏电源长时间短路，烧毁了控制变压器。另外，灯泡在安装和拆卸过程中因舌簧较长易造成火、零线的短路，烧毁了控制变压器。 改进方法：在线路X1：52处加装2安培的瓷保险，杜绝了此故障的发生，经多年试用，效果良好。 二、牵引电磁铁断电后衔铁不能自动复位。 经观察和测试分析，造成此故障的原因主要为： 1、电磁铁衔铁（型号：MQ1-5101，额定吸力：15牛顿，额定行程：20毫米，吸引线圈电压：交流220伏）表面渗入机油，造成上下衔铁吸合时的自然粘合现象。 2、在可编程控制器（以下称A1）输出继电器处于常开状况下，电磁铁线圈（以下称Y1）内仍存有剩磁，衔铁不易凭借自身重力自然复位。 3、机械调节不灵，造成衔铁卡死。

改进方法： 1、针对电磁铁衔铁表面渗入机油现象，采用控制油泵加油次数和加油量，尽可能避免机油渗入电磁铁衔铁表面。 2、在YI断电的情况下（AI的29输出继电器常开状况下），因控制线路设计原因，控制变压器的交流220伏电压的一端仍流经电磁铁线圈内,造成其线圈内的电源分离不彻底，线圈内仍有一定量的剩磁存在,衔铁不易复位。为了消除此现象，我公司采用改进线路的方法，在AI的29处和线路X1：39之间，加装一中间继电器（以下称ZJ1），由原来AI的输出继电器直接控制电磁铁线圈Y1，改为控制ZJ1线圈的电源通断，而由ZJ1常开触电控制Y1的电源通断（如下图），彻底将Y1在断电情况下与电源分离。通过以上改进，解决了电磁铁在断电情况下仍有剩磁的状况，从而，做到了FA507A 细纱机电磁铁使用正常。 3、机械调节不灵，造成衔铁卡死现象，本公司通过加大机械调节力度和检查考核力度，避免此现象的发生。 经过近八年的实践运行证明效果明显，既减少了设备故障，又保证了40台细纱机三自动的正常运行。 沙涯富宏纺织有限公司 2008年8月15日

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况 半导体分立器件行业的下游需求情况 随着国民经济的快速发展及行业技术工艺的不断突破，半导体分立器件的应用领域有了很大的扩展。近年来，受益于国家经济转型升级以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持良好的增长态势，从而为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。半导体分立器件的下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域，且在上述领域应用基本保持稳定的增长。在国家产业政策的支持下，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域将成为国内分立器件行业新的增长点，特别是该等应用领域将给MOSFET、IGBT等分立器件市场中的主流产品提供巨大的市场机遇。 （1）消费电子 MOSFET 等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件，消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高，而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移，直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出，

使得消费电子市场需求量进一步上升。根据美国消费电子协会统计，2013 年中国消费电子市场整体规模达到16,325 亿元，成为全球最大的消费电子市场，根 据2017年3C行业报告，2017年中国消费电子市场将突破2万亿，预计增长7.1%。 目前我国笔记本电脑、彩色电视机等众多消费类电子产品的生产规模已经位居全球第一，同时以智能电视、无人机等为代表的新兴消费类电子产品也开始在国内实现量产。根据IDC 的预测，智能电视是互联网快速发展的产物，2016 年国内智能电视销量达4,098 万台，预计到2018 年智能电视销量将突破5,000 万台。近年来我国无人机市场规模快速增长，根据IDC 的预测，我国航拍无人机的 市场规模将由2016 年的39 万台增加到2019年的300 万台，年均复合增长率高 达97.40%。上述消费电子产品市场规模的快速增长，有力地拉动了对上游半导体功率器件的需求。 （2）汽车电子

半导体器件基本结构

课题4.1 半导体器件基本结构 4.2晶体二极管 教学目标【知识目标】掌握PN结单向导体的原理 【能力目标】1.懂得什么是半导体 2.理解PN结的单向导电性 3.掌握半导体的分类 4.懂得半导体的主要参数【德育目标】培养学生的抽象理解能力 教 学重点半导体的主要参数 教 学 难 点 PN结单向导体的原理 教 学时间2课时（第11周） 教 具 准 备 半导体、电阻、电流表 教学组织与实施 教师活动学生活动 【新课导入】 提问1： 【新课讲授】 1.导体绝缘体和半导体 各种物体对电流的通过有着不同的阻碍能力，这种不同的物体允许电流通过的能力叫做物体的导电性能。 通常把电阻系数小的（电阻系数的范围约在0.01~1欧毫米/米）、导电性能好的物体叫做导体。例如：银、铜、铝是良导体。 含有杂质的水、人体、潮湿的树木、钢筋混凝土电杆、墙壁、大地等，也是导体，但不是良导体。 电阻系数很大的（电阻系数的范围约为10~10欧姆·毫米/米）、导电性能很差的物体叫做绝缘体。例如：陶瓷、云母、玻璃、橡胶、塑料、电木、纸、棉纱、树脂等物体，以及干燥的木材等都是绝缘体（也叫电介质）。 举例说明哪些是导体哪些是绝缘体哪些是半导体

导电性能介于导体和绝缘体之间的物体叫做半导体。例如：硅、锗、硒、氧化铜等都是半导体。半导体在电子技术领域应用越来越广泛。 2.PN结 PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。 P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴； N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 3.PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN 结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。 如果外加电压使PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏； PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。 (2)PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 分清楚P型半导体和N型半导体

半导体分立器件测试系统说明书

QTEC-4000 半导体分立器件测试系统

目　录 　 １　EDITOR使用 ２　Logger使用说明 ３　Opener使用

1.EDITOR使用　 点击ＰＥｄｉｔｏｒ图标 打开Ｅｄｉｔｏｒ主界面　 　 1．1菜单说明:

１．１．１文件菜单　 菜单项　说 明　键盘快捷键　新建　新建测试文件　Ｃｔｒｌ　＋　Ｎ　 打开　打开已有的测度文件　Ｃｔｒｌ　＋　Ｏ　 保存　保存编辑完成的文件　Ｃｔｒｌ　＋　Ｓ　 另保存　将编辑的文件以其他的名称保存 打开暂存文件　打开暂时保存的文件 保存暂存文件　保存暂时的文件 编辑文件头信息　编辑测试文件信息 密码　文件保护密码的设定 设置双机并行时同一个器件进行分时测试，以提 　 设置并行测试点　 高测试速度　 打印　打印测试文件 打印预览　预览打印文件 打印机设置　打印机的设定 退出　退出正在运行的Ｅｄｉｔｏｒ 注： 保存已下载到测试主机中的文件时，测试主机会自动下载保存后的程序。故在保存此类文件之前需确认测试程序不在使用的状态。

１．１．２测试项目菜单　 　 　 １．１．３分类项菜单　 菜单内容　操作指令含义　键盘快捷键　鼠标的快捷操作　 新增　增加分类项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｗ 修改　修改分类项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｘ　鼠标左键双击修改处　 插入　插入分类项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｙ 删除　 删除分类项目　 Ｃｔｒｌ　＋　Ｚ　 　 菜单内容　 操作指令含义　 键盘快捷键　鼠标的快捷操作　 新增　增加测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｒ 修改　修改测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｓ　鼠标左键双击修改处　 插入　插入测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｉ 删除　删除测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｕ 复制块　批量拷贝测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｖ 删除块　批量删除测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｗ 反转极性　批量测试项目极性反转　Ｃｔｒｌ　＋　Ｘ 替换　替换已有的测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｙ　 　设置跳转　测试项目整体跳转设定 功能设置　 各功能的整体设定

半导体分立器件

半导体分立器件 半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。 1）国产半导体器件型号命名法 国产半导体器件型号由五部分组成，如表1-13所示。半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。 表1-13 中国半导体器件型号命名法

示例1：“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管，序号为10。 示例2：“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管，序号31，规格号为A。 示例3：“CS 2 B”型为场效应管，序号为2，规格号为B。 2)半导体二极管 二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种；按结构可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。 （1）常用二极管的类型有： ①整流二极管 主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型2CL51型等。 ②检波二极管 其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，为点接触型，其结电容小，一般为锗管。检波二极管常采用玻璃外壳封装，主要型号有2AP型和1N4148（国外型号）等。 ③稳压二极管 稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作于反向击穿区，实现稳压；其被反向击穿后，当外加电压减小或消失，PN结能自动恢复而不至于损坏。稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。 ④光电二极管 光电管又称光敏管。和稳压管一样，其PN结也工作在反偏状态。其特点是：无光照射时其反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，其反向电阻减小，反向电流增大。光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中，其PN结面积较大，是专门为接收入射光而设计的。光电管在无光照射时的反向电流叫做暗电流，有光照射时的电流叫做光电流（或亮电流）。其典型产品有2CU、2DU系列。 ⑤发光二极管 发光二极管简写做LED。它通常用砷化镓或磷化镓等材料制成，当有电流通过它时便会发出一定颜色的光。按发光的颜色不同发光二极管可分为红色、黄色、绿色、蓝色、变色和红外发光二极管等。一般情况下，通过LED的电流在10～30mA之间，正向压降约为1.5～3V。LED可用直流、交流、脉冲等电源驱动，但必须串接限流电阻R。LED能把电能转换成光能，广泛应用在音响设备、数控装置、微机系统的显示器上。 ⑥变容二极管 变容二极管是利用PN结加反向电压时，PN结此时相当于一个结电容。反偏电压越大，PN结的绝缘层加宽，其结电容越小。如2CB14型变容二极管，当反向电压在3～25V区间变化时，其结电容在20～30pF之间变化。它主要用在高频

我国半导体分立器件行业研究

我国半导体分立器件行业研究 1、行业现状及发展前景 （1）半导体分立器件简介 分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，如二极管、晶体管、电阻、 电容、电感等，主要实现电能的处理与变换，是半导体市场重要的细分领域。 根据功能用途，可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器 件（Power Semiconductor Device），又称电力电子器件（Power Electronic Device）。 典型功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导 体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是弱电控制与强电运行间的桥 梁。除保证设备正常运行以外，功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的 功率半导体器件包括二极管（普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等）、 晶体管（双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT 等）、晶闸管（普通 晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等）。 作为分立器件最重要和最广泛的应用领域，功率半导体器件在大功率、大电

流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势，因此可替代性较低。功率半导体器件目前几乎应用于所有的电子制造业，如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域，应用范围广阔。半导体分立器件行业处于产业链的中游，其产品被广泛应用于各终端领域。半导体分立器件在半导体（硅基）产业链中的位置如下图所示（虚线方框部分）： 从具体制造流程上来看，可以进一步将半导体分立器件划分为芯片设计、芯片制造、封装测试等环节。 芯片设计是指通过系统设计和电路设计，将设定的芯片规格形成设计版图的过程。在对芯片进行寄存器级的逻辑设计和晶体管级的物理设计后，设计出不同规格和效能的芯片。

10kV开关电气控制回路图

检修部员工培训模块 TDJXGYAQ 5.4.1.11 设备检修工艺、方法—电气 10kV开关电气控制回路图 2017-09-30发布 2017-12-01实施大唐国际托克托发电有限责任公司检修部

目录 1、符号及说明 (3) 2、断路器的控制回路的基本要求 (3) 3、断路器控制回路详解 (4)

编制人：张志峰主讲人：张志峰 10kV开关电气控制回路图 1、符号及说明 1.1 如图所示为托克托发电厂五期10kV开关VBG-12P的电气原理图。 1.2 图中操作电源选用AC/DC110V。 图1手车式电气原理图 1.3 图中：HQ：合闸线圈；TQ：分闸线圈；M：储能电机；R0：电阻；S8：辅助开关（当手车在试验位置切换）； S9：辅助开关（当手车在工作位置切换）；SP5：合闸闭锁用电磁铁辅助开关；S2：微动开关；DL：辅助 开关；U：桥式整流器（直流时取消2U~4U）；K1：合闸闭锁线圈；K0：防跳继电器；Y7~Y9：过流脱扣 器；X：航空插头；L1~L10：连接线；PCB：线路板。 1.4 图中包括电机回路、合闸回路、闭锁回路、分闸回路、辅助回路。 2、断路器的控制回路的基本要求 2.1、应能监视控制电源及跳、合闸回路的完好性：断路器的控制电源最为重要，一旦失去电源断路器便无法操作。 因此，无论何种原因，当断路器控制电源消失时，应发出声、光信号，提示值班人员及时处理。 2.2、具有防止多次合、跳闸的“跳跃”闭锁装置。断路器的“跳跃”现象一般是在跳闸、合闸回路同时接通时才 发生。发生“跳跃”对断路器是非常危险的，容易引起机构损伤，甚至引起断路器的爆炸，故必须采取闭锁

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒

半导体分立器件行业发展研究 -半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒 半导体分立器件行业竞争格局 经过多年的发展，国内厂商在中低端分立器件产品的技术水平、生产工艺和产品品质上已有很大提升，但在部分高端产品领域仍与国外厂商有较大的差距。由于国外公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道，国内销售的高端半导体功率器件仍旧依赖海外进口。面对广阔的市场前景，国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。我国半导体分立器件行业起步较晚，近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下，行业内部分企业以国外先进技术发展为导向，逐步形成了以自主创新、突破技术垄断、替代进口为特点的发展模式。半导体分立器件行业内，新洁能等部分企业掌握了MOSFET、IGBT 等产品的核心技术，通过产品的高性价比不断 提高市场占有率，在与国外厂商的竞争中逐步形成了自身的竞争优势。

行业利润水平 1、行业利润水平的变动趋势 近年来，我国半导体分立器件行业平均利润水平总体上呈现平稳波动态势，在不同应用领域及细分市场行业利润水平则存在着结构性差异。一般而言，在传统应用领域，低端产品行业进入门槛较低，市场竞争较为充分，导致该领域产品行业利润水平相对较低。而在新兴细分市场以及中高端半导体分立器件市场，由于产品技术含量高，产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒，市场竞争程度相对较低，行业内部分优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势，能够在该领域获得较高的利润率水平。 2、行业利润水平的变动原因 半导体分立器件行业的利润水平主要受到宏观经济形势和下游行业景气度、以及行业技术水平等因素的综合影响。 宏观经济形势及下游行业景气程度方面。半导体分立器件作为基础性元器件，应用领域涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等广泛的下游行业。宏观经济形势则直接影响该等行业的整体发展状况，从而传导至对半导体分立器件的需求的变化，进而影响半导体分立器件行业的利润水平。

开关控制电路整理

1：蜂鸣器控制电路无源蜂鸣器。当BUZZ为高电平时，三极管T1（三极管N型）导通，蜂鸣器响，低电平蜂鸣器不响。R5作用是限流。 图： 1.1 下面电路增加了电容C18和反向二极管D2.作用是滤波和阻止反向。二极管的反向击穿电压很高。一般小功率三极管触发电压很低，0.7V，电流也很小，一般不到1UA. 图1.2： 2:IO 控制电源开关是否导通。利用三极管和MOS管。 MOS：MOSFET管式FET的一种，可以被制作成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共四种，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，NMOS，PMOS。 对于这两种增强型的MOS管，常用的是NMOS，特点是导通电阻小，开关电源和马达驱动的引用都是它。 导通条件： NMOS：当Vgs大于一定的数值时，就导通；PMOS：当Vgs小于一定的数值时，就导通。 开关损耗： 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，产生损耗必然的，现在的MOS管导通电阻一般都是几十毫欧姆。

MOS管AO3401：P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 导通条件：一般不要超过-12V即可对于AO3401来说。下面是对不同的压差对应的阻抗值： 下面是开关控制电路在工程中的应用： 1：通过一个IO管脚控制电源是否导通。

2：下面是两个MOS管3401,没有加入开关控制，只是上电后，VDD就等于输入电压。 此时可以两路供电，如果J5没有输入电压，由VBUS供电，经过F1输出5V电压。 下面电路可以把R10换成开关，Q201是始终导通状态，内部二极管压降是0.5V左右。 注意：两个三极管方向是不同的，Q200左边是S，右边是D；Q201左边是D，右边是s。 当J5有电压时，Q200导通，Q201也满足导通条件，压降由0.5V变为0.1V。具体详解在下一节。 注：VBUS右边断开。

FA506型细纱机

FA506型细纱机上配套使用了AJQ-1型精纺机吹吸清洁器。该吹吸风清洁器是循环往复式工作，用车头、车尾上面的行程开关6CK、7CK控制清洁器的停开，用时间继电器3SJ控制其间歇时间，用10J、12J、13J三只继电器控制清洁器在落纱前停在车头的位置，吹吸风清洁器对减轻运转工人劳动强度、保持机台清洁、稳定产品质量起到了良好效果。但在实际使用过程中，存在着许多不足和故障隐患：(1)时间继电器3SJ时间调整过短时，容易使清洁器间歇时间过短而自动恢复运行，造成清洁器滤棉网上的废棉不易被吸尽，从而造成管道堵塞，使清洁器的风量减小，增大了吹吸电机的负荷；(2)行走和吹吸电机在设计时功率过小，因长时间往复运行，容易过负荷烧坏；(3)原控制电路使用的是中间继电器，这种继电器价格比较便宜，但密封性不好，用在主回路时易使触点内附飞花而使电机缺相运行、烧坏电机，用在控制电路时易使清洁器在工作时经常因接触不良而出现故障，同时，在分断电流时因孤光易引燃飞花而产生电气火警；(4)其配套使用的行走和吹吸电机均是铝合金外壳，虽然重量轻，但不易保养，损坏后不易修复，使维修保养不能得到保证。 以上种种原因使我公司104台吹吸风清洁器在使用几年后全部停用，造成设备大量闲置和浪费。针对以上存在的问题，我们根据实际情况，在不影响使用效果和整体结构的前提下，对原吹吸风装置的控制电路进行了改进。主要改进有：(1)改原循环往复式工作为单程工作，在控制线路中保留3SJ时间继电器，使吹

吸风清洁器运行到车头时能自动延时回到起始位置车尾处，省略10J、12J、13J三只中间继电器，减少中间环节，以降低故障率，并节约改造成本(见图1)；(2)改造后的清洁器由挡车工在巡回过程中根据需要手动控制开关，可以避开落纱时间；(3)增加了清洁器在车尾处的停止时间，有利于废棉被彻底吸净，避免外吸管堵塞，彻底消除因管道堵塞负荷过重烧坏电机的缺陷和吹吸风量小的不足；(4)把控制行走和吹吸的中间继电器改为密封性好，故障损坏率少的CJX2型交流接触器，可以避免因缺相而烧坏的情况，同时减少电气火灾隐患。 改造后的吹吸风清洁器最大限度地使用了原设备的配置，减少了浪费，又节约了改造费用，每台改造仅需材料费200元左右。 改造后清洁器风量、风压稳定，大大降低了故障率和停台率，降低了配件的损耗，并且降低了整机能耗。先期改造的26台吹吸风清洁器经过一年多的运行，效果良好。

2020年半导体分立器件制造行业分析报告

2020年半导体分立器件制造行业分析报告 2020年7月

目录 一、行业上下游之间的关联性 (3) 1、芯片设计 (3) 2、晶圆制造 (3) 3、封装测试 (4) 二、影响行业发展的因素 (4) 1、有利因素 (5) （1）国家政策的有力支持 (5) （2）半导体产业重心转移带来的国产替代机遇 (5) （3）功率半导体产业技术发展 (6) （4）新兴科技产业的发展孕育新的市场机会 (6) 2、不利因素 (7) （1）半导体产业基础薄弱 (7) （2）国产功率半导体器件产品附加值较低 (7) （3）高端技术人才短缺 (7) 三、进入行业的壁垒 (8) 1、市场壁垒 (8) 2、技术壁垒 (8) 3、专业人才壁垒 (9) 四、行业经营特征 (9) 五、行业竞争情况 (10) 1、扬杰科技 (11) 2、捷捷微电 (11) 3、派瑞股份 (11) 4、中车时代电气 (12)

一、行业上下游之间的关联性 半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，此外还有为晶圆制造与封装测试环节提供所需材料及专业设备的支撑产业链。作为资金与技术高度密集行业，半导体行业形成了专业分工深度细化、细分领域高度集中的特点。 1、芯片设计 芯片设计的本质是将具体的产品功能、性能等产品要求转化为物理层面的电路设计版图，并且通过制造环节最终实现产品化。设计环节包括结构设计、逻辑设计、电路设计以及物理设计，设计过程环环相扣，技术和工艺复杂。芯片设计公司的核心竞争力取决于技术能力、需求响应和定制化能力带来的产品创新能力。 2、晶圆制造 晶圆制造是半导体产业链的核心环节之一。晶圆制造是根据设计出的电路版图，通过炉管、湿刻、淀积、光刻、干刻、注入、退火等不同工艺流程在半导体晶圆基板上形成元器件和互联线，最终输出能够完成功能及性能实现的晶圆片。晶圆制造产业属于典型的资本和技

2020年半导体分立器件行业分析

2020年半导体分立器件行业分析 一、行业管理 (2) 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 (2) 1、行业技术水平和技术特点 (2) 2、行业特征 (3) （1）周期性 (3) （2）区域性 (3) （3）季节性 (4) 三、行业上下游的关系 (4) 1、上游行业情况 (4) 2、下游行业情况 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业主要企业情况 (6) （1）安世集团（Nexperia） (7) （2）英飞凌（Infineon） (7) （3）意法半导体（ST Microelectronics） (7) （4）华润微电子有限公司 (8) （5）杭州士兰微电子股份有限公司 (8) （6）苏州固锝电子股份有限公司 (8) （7）江苏捷捷微电子股份有限公司 (9) （8）吉林华微电子股份有限公司 (9) （9）强茂电子（无锡）有限公司 (9) （10）无锡新洁能股份有限公司 (9)

一、行业管理 国内半导体行业已实现市场化的发展模式，基本形成了各企业面向市场自主经营，政府职能部门产业宏观调控，行业协会自律规范的管理格局。半导体产业的行业宏观管理职能由国家工业和信息化部承担，主要负责产业政策制定、引导扶持行业发展、指导产业结构调整等；中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构，下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会等专业机构。行业协会主要承担行业引导和服务职能，负责产业及市场研究、行业自律管理以及开展业务交流等。 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 1、行业技术水平和技术特点 半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域，不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高，半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及

半导体器件原理简明教程习题标准答案傅兴华

半导体器件原理简明教程习题答案 傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点. 解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料。 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料。 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料. 1.6 什么是有效质量，根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率 的相对大小. 解 有效质量指的是对加速度的阻力.k E h m k ??=2 1*1 由能带图可知,Ge 与Si 为间接带隙半导体,Si 的Eg 比Ge 的Rg 大，所以Ge μ>Si μ.GaAs 为直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说GaAs μ>Ge μ>Si μ. 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料1的禁带宽度为1.1eV,材料2 的禁带宽度为 3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件? 解 本征载流子浓度:)exp( )( 1082.42 15 T dp dn i k Eg m m m n ?= 两种半导体除禁带以外的其他性质相同 ∴)9.1exp()exp()exp(0.31.121T k k k n n T T ==-- T k 9.1>0 ∴21n n >∴在高温环境下2n 更合适 1.11在300K 下硅中电子浓度330102-?=cm n ,计算硅中空穴浓度0p ,画出半导体能带图,判 断该半导体是n 型还是p 型半导体. 解 3 173 21002 02 0010125.1102)105.1(p -?=??==→=cm n n n p n i i ∴>00n p 是p 型半导体 1.16硅中受主杂质浓度为31710-cm ,计算在300K 下的载流子浓度0n 和0p ,计算费M 能级相 对于本征费M 能级的位置,画出能带图. 解 3 17 010-==cm N p A 2 00i n p n = T=300K →310105.1-?=cm n i 330 2 01025.2-?==∴cm p n n i 00n p > ∴该半导体是p 型半导体 )105.110ln(0259.0)ln(10 17 0??==-i FP i n p KT E E

2019年半导体分立器件行业发展研究

2019年半导体分立器件行业发展研究 （一）半导体行业基本情况 1、半导体概况 （1）半导体的概念 半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性：掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性）、热敏性、光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显 的变化）、负电阻率温度特性，整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重 要的组成部分，在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。 （2）半导体行业分类 按照制造技术的不同，半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元，主要实现对

信息的处理、存储和转换；分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。 分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示：

在分立器件发展过程中，20 世纪50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET 发展起来；20 世纪80 年代后期，沟槽型功率MOSFET 和IGBT 逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时

半导体分立器件、集成电路装调工国家职业标准

半导体分立器件、集成电路装调工 国家职业标准 1. 职业概况 1．1 职业名称：半导体分立器件、集成电路装调工。 1．2 职业定义：使用设备装配、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路的人员。 1．3 职业等级：本职业共设四个等级，分别为：初级（国家职业资格五级）、中级（国家职格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。 1．4 职业环境：室内、常温（部分高温），净化。 1．5 职业能力特征：有一定的分析、判断和推理能力，手指灵活、手臂灵活、动作协调。知觉好。 1．6 基本文化程度：高中毕业（或同等学历）。 1．7 培训要求： 1．7．1 培训期限：全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。晋级培训：初级不少于400标准学时；中级不少于300标准学时；高级不少于150标准学时；技师于150标准学时。 1．7．2 培训教师：培训初、中、高级的教师应具有本职业技师职业资格证书或相关专业8级专业技术职务任职资格；培训技师的教师具有本职业技师职业资格证书3年以上或专业高级专业技术职务任职资格。 1．7．3 培训场地设备：理论培训场地应具有可容纳20名以上学员的标准教室，并配备设备。实际操作培训场所应具备必要的实验设备和产品测试仪器的实践场所。 1．8 鉴定要求： 1．8．1 适用对象：从事或准备从事本职业的人员。 1．8．2申报条件： ——初级（具备下列条件之一者） （1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （2）在本职业连续见习工作2年以上。 （3）本职业学徒期满。 ——中级（具备以下条件之一者） （1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作3年以上，经本职业中级正训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。

开关控制回路说明图

图中：+WC、-WC —控制母线；FU1、FU2—熔断器，R1-10/6型，250V；SA—控制开关，LW 2 -1a . 4.6a .40.20.20/F8型；HG —绿色信号灯具，XD2型，附2500Ω电阻；HR —红色信号灯具，XD2型，附2500Ω电阻； KL —中间继电器，DZB-115/220V型；KMC—接触器；KOM —保护出口继电器；QF—断路器辅助开关；WCL—合闸小母线；WSA—事故跳闸小母线；WS—信号小母线；YT—断路器跳闸线圈；YC—断路器合闸线圈，FU1、FU2—熔断器，RM10-60/25 250V；R1—附加电阻，ZG11-25型，1Ω；R2—附加电阻，ZG11-25型，1000Ω；（+）WTW—闪光小母线。（一）“跳闸后”位置 当SA的手柄在“跳闸后”位置，断路器在跳闸位置时，其常闭触点闭合，+WC经FU1 SA11-10 HG及附加电阻QF（常闭）KMC线圈FU2 -WC。此时，绿色信号灯回路接通，绿灯亮，它表示断路器正处于跳闸后位置，同时表示电源、熔断器、辅助触点及合闸回路完好，可以进行合闸操作。但KMC不会动作，因电压主要降在HG及附加电阻上。 （二）“预备合闸”位置 当SA的手柄顺时针方向旋转90o至“预备合闸”位置，SA9-10接通，绿灯HG回路由（+）WTW SA9-10 HG QF（常闭）KMC FU2 -WC导通，绿灯闪光，发出预备合闸信号，但KMC仍不会启动，因回路中串有HG和R。 （三）“合闸”位置 当SA的手柄再顺时针方向旋转45o至“合闸”位置时，SA5-8触点接通，接触器KMC回路由+WC SA5-8 KL2（常闭）QF（常闭） KMC线圈-WC导通而启动，闭合其在合闸线圈回路中的触点，使断路器合闸。断路器合闸后，QF常闭触点打开、常开触点闭合。 （四）“合闸后”位置 松手后，SA的手柄自动反时针方向转动45o，复归至垂直（即“合闸后”）位置，SA16-13触点接通。此时，红灯HR回路由FU1 SA16-13 HR KL线圈QF（常开）YT线圈FU2 -WC 导通，红灯亮，指示断路器处于合闸位置，同时表示跳闸回路完好，可以进行跳闸。（五）“预备跳闸”位置 SA手柄在“预备跳闸”位置时，SA13-14导通，经（+）WTW HR KL QF常开触点YT -WC回路，红灯闪光，发出预备合闸信号。 （六）“跳闸”位置 将SA手柄反时针方向转45o至“跳闸”位置，SA6-7导通，HR及R被短接，经+WC SA6-7 KL QF常开触点-WC，使YT励磁，断路器跳闸。断路器跳闸后，其常开触点断开，常闭触点闭合，绿灯亮，指示断路器已跳闸完毕，放开手柄后，SA复位至“跳闸后”位置。 当断路器手动或自动重合在故障线路上时，保护装置将动作跳闸，此时如果运行人员仍将控制开关放在“合闸”位置（SA5-8触点接通），或自动装置触点KM1未复归，断路器SA5-8将再合闸。因为线路有故障，保护又动作跳闸，从而出现多次“跳—合”现象。此种现象称为“跳跃”。断路器若发生跳跃不仅会引起断路器毁坏，而且还将扩大事故，所谓“防跳”措施，就是利用操作机构本身机械上具有的“防跳”闭锁装置或控制回路中所具有的电气“防跳”接线，来防止断路器发生“防跳”的措施。 图E-106中所示控制回路采取了电气“防跳”接线。其KL为跳跃闭锁继电器，它有两个线圈，一个电流启动线圈，串于跳闸回路中；另一个电压保护线圈，经过自身常开触点KL1与合闸接触器线圈并联。此外在合闸回路中还串有常闭触点KL2，其工作原理如下： 当利用控制开关（SA）或自动装置（KM1）进行合闸时，若合在故障线上，保护将动作，KOM触点闭合，使断路器跳闸。跳闸回路接通的同时，KL电流线圈带电，KL动作，其常

细纱机A513型电气控制系统改造 盘龙

细纱机A513型电气控制系统改造盘龙 发表时间：2017-11-29T09:35:15.477Z 来源：《电力设备》2017年第21期作者：盘龙 [导读] 摘要：为了改善和提高Ａ513型细纱机纺纱工艺要求、实现钢领板三自动落纱的可靠性、稳定性、安全性，减少落纱过程中行程开关、电磁铁等元件的损坏，寻求新的变频器调节频率控制电机速度来取代传统的风机直接启动方式（南宁锦虹棉纺织有责任公司广西南宁 530000） 摘要：为了改善和提高Ａ513型细纱机纺纱工艺要求、实现钢领板三自动落纱的可靠性、稳定性、安全性，减少落纱过程中行程开关、电磁铁等元件的损坏，寻求新的变频器调节频率控制电机速度来取代传统的风机直接启动方式，满足细纱车间纺纱品种多样化的工艺要求，为这一课题而采用施耐德变频器自动调节控制负压风机在线实时控制和传动，同时为解决细纱A513型三自动落纱过程安全可靠性，加装传感器和微型继电器等元件，改造原电气控制线路，完成了整个落纱的自动化，避免人工手动落纱繁琐步骤，以确保了A513型细纱机运行的稳定、落纱的安全可靠。 关键词：变频器；传感器；三自动；负压调节；落纱 1 导言 A513型细纱机在全国纺织企业中仍占一定比例，设备虽有一定年份，但其机械刚性完好，材质过硬，价格低廉；随着国内纺织技术市场发展和纺织品种多样化，单一的品种质量难以满足当前市场需求，为此，必需对该机型进行改造，开发生产适应市场对路的新品种，提高产品的质量档次，满足下游客户的需求，我公司为了赢得产品在市场上的主导权，积极寻求各式各样的小品种试纺，其中紧密纺品种最受当下市场青睐。因此必需再原有基础上加装负压紧密纺装置，加改电气控制线路，同时为了满足生产工艺要求，彻底地解决三自动落纱过程存在一系列诸多问题，必须改造原有的三自动电气控制系统，以满足细纱生产的要求。 2改造前A513型细纱机存在的问题 （1）纺纱品种单一，难以适应市场上的需求，电气设备急需改造，以满足纺纱品种多样化。长期以来，国内A513型设备传动结构简单，所纺纱线单一，难以适应当下市场需求，针对于纺织行业新常态下，要寻求到满足市场需求的新思路，必需在原有设备基础上加于改造。在A513型细纱机上加装负压紧密纺，满足赛络纺工艺的要求，也可加装竹节装置，做多样化竹节工艺纱线，甚至可改造加装缎彩纱驱动伺服装置，满足不同色纱的需求。 （2）三自动落纱失灵，无法落纱，落纱后纱尾过长，甚至烧坏电器元件。原A315型细纱机是常规继电器控制线路，延续至今未做大的改动，机台故障率较高，电气维修花费时间长，机械调节也难于把握准确性，电气控制线路较复杂，落纱过程中都是有触点接触，开关稍有接触不良或被氧化，都导致落纱过程无法进行下去，各撞块对各行程开关的相对位置，必须校装正确，生产过程经常出现满纱时“三自动”行程开关和电磁阀动作失灵，造成不能正常落纱，甚至电磁铁长时间通电发热烧坏，给正常生产带来影响 3电气控制改造设计 3.1满足纺纱工艺多样化，负压紧密纺变频器装置的设计 为了节省成本，保留部分原常规继电器控制，充分利用原有的中间继电器和交流接触器相关触点，改进控制线路，同时加装1台4KW 施耐德变频器拖动紧密纺风机，1个传感器采集风压大小反馈信号给变频器实时PID调节，2个接触器用来接通清花电机和刮花电机主回电路，而1个时间继电器和1个计数器则控制清刮花动作时间和次数，1个直流微型继电器与变频器的控制端子回路形成原控制线路的回路保护和变频器报警保护。其电气控制原理图，如下图（1） A513型电气控制原理图图（1） 该部分电气控制原理如下：变频器、电机等电器元件正常时接通电源后，直流微型继电器触点接通原A513型控制回路，启动准备就绪。当按下原启动按钮，原来风机接触器得电，原风机启动运行，同时启动信号给到施耐德变频器，把变频器相关参数设置好后，随即拖动紧密纺风机启动运行。根据负压风道传感器采集模拟信号，对比变频器参数设定数值后，在线实时PID控制变频器频率大小，进而控制负压数值，以满足纺纱的工艺要求；根据现场需要，调节设置好清刮花电机的工作时间，以求节能效果。 3.2三自动落纱部分电气改造设计 在A513型细纱机原有机构，保留蜗轮轴上左凸轮行程开关1CK1、1CK2、1CK3，去掉在成型右凸轮轴上装有行程开关2CK1、2CK2、2CK3，3DT限位电磁铁，见图（2）；而撑爪电磁铁1DT早已经不用，2DT制动电磁铁保留但可以不用。加改用3个交流传感器代替原先3个凸轮行程开关，由3个交流微型继电器和改进原控制线路，得以控制实现三自动落纱整个自动过程