模拟电子技术试题及答案
练习一
一、填空(16分)
1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管
2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管
B．P沟道结型场效应管
C．N沟道增强型MOS管
D．N沟道耗尽型MOS管
3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大
5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri
C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri
6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．30
7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路
C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路
8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。
A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器
三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短
路。
1．分别指出V1、V2的电路组态；
2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；
3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)
四、图示运算放大电路中，已知uI1 = 10 mV，uI2 = 30 mV，求uO = ？(10分)
五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)
六、分析图示两个电路的级间反馈。回答：(12分)
1．它们是正反馈还是负反馈？
2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？
3．它们属于何种组态？
4．各自的电压放大倍数大约是多少？
七、电路如图所示。试回答：
1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？
2．如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？
3．在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10分)
八、电路如图所示，已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240Ω，电容C = 200 μF。求：(8分)
1．整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏？
2．当电网电压在±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？
练习二
一、填空：(18分)
1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用__耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用____耦合方式。
2．在三极管多级放大电路中，，总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器。
3．单相桥式整流电路中，若输入电压U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) =___A。
4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。
5．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用? 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用滤波器。
6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为。
二、选择正确答案填空(9分)
1．图示电路中二极管是理想的，电阻R为6Ω。当普通指针式万用表置于R X 1 Ω档时，用黑表笔(通常带正电)接A点，红表笔(通常带负电)接B点，则万用表的指示值为。
a．18Ω； b．9 Ω； c．3 Ω； d．2 Ω； e．0 Ω。
2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的。
a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小
3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V，接入3 kΩ的负载电阻后输出电压降为3 V。这说明放大电路的输出电阻为。
a．10 kΩ； b．2 kΩ； c．1 kΩ； d．0.5 kΩ。
三、判断下列管子的工作状态(10分)
1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。2．电路如图所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。
四、图示差分放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置，已知 b1 = b2 = 50，UBE1 = UBE2 = 0.7 V，其它参数如图所示。1．求静态工作点(IB、IC、UCE)；
2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；
3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时，求uO = ？(12分)
五、已知集成运放的BWG = 1 MHz，试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率。(8分)
六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各输出电压Uo的值。(10分)
七、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
1．试判断级间反馈的极性和组态；
2．试求其闭环电压放大倍数Auf。 (10分)
八、题图电路为两个三端集成稳压器，已知电流IQ = 5 mA。
1．写出图(a)中的I0的表达式，并算出具体数值；
2．写出图(b)中的Uo的表达式，并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；
3．指出这两个电路分别具有什么功能。(9分)
九、画出图中各电路的电压传输特性，要求uI的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为±12 V。(12分)
练习三
一、填空(26分)
1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种。
2．图中二极管为理想器件，V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V。
3．三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极，晶体管为__型三极管。
4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V，最大稳定电流IZmax = 20 mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时，其读数分别为__ 、 __、。
5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，则其总电压增益为__dB，折合为__倍。
6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE，使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ 。
7．三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V，而CW7809的输出电压则为___V。
二、已知图示电路中的三极管 b = 60，rbb￠ = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。试求：
1．静态工作点；
2．画出微变等效电路；
3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro。(12分)
三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件，试估算闭环电压增益 (8分)
四、在图示电路中，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12 V。
1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路？
2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？
3．若输入为1 V的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？(12分)
五、电路如图所示。
1．正确连接A、B、P、N四点，使之成为RC桥式振荡电路；
2．电路的频率f0是多少？
3．若R1 = 2 千欧，求Rf的最小值。(12分)
六、图为一高通有源滤波电路。设A为理想运算放大器，试推导传递函数Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式，并求出截止频率fp。(8分)
七、在图示两个电路中，A为理想运算放大器，输出电压的极限值为Uomax。
1．指出这是两个什么类型的电路；
2．画出它们的电压传输特性。(10分)
八、在图示电路中，Rf和Cf均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0 V。
1．为稳定输出电压uO，正确引入负反馈；
2．若使闭环电压增益Auf = 10，确定Rf = ？
3．求最大不失真输出电压功率Pomax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？(12分)
练习四
一、填空(20分)
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为__V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V。
2．场效应管属于__控制型器件，而晶体三极管则是___控制型器件。
3．某场效应管的转移特性曲线如图所示，由此可知该管是 (N或P)沟道 (增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管，图中UGS = －2 V称为该管的电压。
4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：
表明其下限频率为____，上限频率为，中频的电压增益为__dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ 。
5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压 DUI1 = DUI2，则输出电压 DUo = 。若 DUI1 = +1500 mV，DUI2 = +500 mV，则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ，差模输入信号分别为 DUId1 = ，DUId2 = ，共模输入信号 DUIc = 。
6．设计一个输出功率为20 W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W的功率管两个。
二、两级放大电路如图所示，已知三极管 b1 =b2 =50，rbe1 = 1.6 kΩ，rbe2 = 1.3 kΩ，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。 (共14分)
1．试说明V1和V2各组成什么电路组态？
2．画出中频区的H参数微变等效电路；
3．计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；
4．计算中频区源电压放大倍数Aus。
三、图示电路中的模拟乘法器和运算放大器均为理想器件。(10分)
1．为对运算放大器形成负反馈，应对uI2的极性有何限制？
2．推导uo与uI1、uI2之间的关系式，指出该电路具有何种运算功能。
3．设K = 0.1 V-1，R1 = 10 kW，R2 = 1 kΩ，uI1与uI2极性相同且绝对值均为10 V，问输出电压uo = ?
四、电路如图所示，设满足深度负反馈条件，电容C1、C2的容抗很小，可以忽略不计。(10分)
1．试判断级间反馈的极性和组态；
2．估算其闭环电压放大倍数。
五、图示电路为一阶低通有源滤波器。设A为理想运算放大器，试推导该电路的传递函数，并求出通带截止频率fp。(8分)
六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L = 0.5 mH，C1 = C2 = 40 pF。(10分)
七、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图所示。已知W7805的输出电压为5 V，IQ = 8 mA，晶体管的β = 50，|UBE| = 0.7 V，电路的输入电压UI = 16 V，求输出电压Uo是多少伏？(6分)
八、在图示电路中，设运算放大器是理想的，电阻R1 = 33 kΩ，R2 = 50 kΩ，R3 = 300 kΩ，R4 = Rf = 100 kΩ，电容C = 100 mF。试计算下列各值：
1．当uI1 = 1 V时，uo1 = ？
2．要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V，uI2应为多大？(设电容两端的初始电压uc = 0。)
设t = 0时uI1 = 1 V，uI2 = -2 V，uc = 0 V，求t = 10 s时uo = ？ (12分)
九、OCL电路如图所示，负载电阻RL = 50 kW，设晶体管的饱和管压降可以忽略。(10分)
1．若输入电压有效值Ui = 12 V，求输出功率Po、电源提供功率PDC以及两管的总管耗PC；
2．如果输入信号增加到能提供最大不失真的输出，求最大输出功率Pomax、电源此时提供的功率PDC以及两管的总管耗PC；
3．求两管总的最大管耗PCM。
练习五
一、填空题(20分)
1．处于放大状态的NPN型晶体管，UB、UC、UE 三个电位之间的关系是___ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_______ ；2．理想运算放大器的开环电压放大倍数为__，输入电阻为___，输出电阻为___；工作在线性区时，运放两个输入端电压___，称做___；流入输入端的电流为___，称做___。
3．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为___V，经过电容滤波后为___ V，二极管所承受的最大反向电压为______ V。
4．差分放大电路，若两个输入信号uI1 = uI2，则输出电压，uO =___；若u I1 = 100 mV，u I 2 = 80 mV则差摸电压uId =___；共摸电压uIc =____。5．某晶体管的极限参数PCM = 200 mW，ICM = 100 mA，U(BR)CEO = 30 V，若它的工作电压UCE为10 V，则工作电流不得超过___mA；若工作电流IC = 1 mA，则工作电压不得超过________ V。
6．某放大电路的电压增益为80 dB，相当电压放大倍数为______ 倍。
7．产生正弦波振荡的幅值平衡条件是________，相位平衡条件是___ 。
二、选择题(7分)
1．工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。
a．开环或正反馈状态 b．深度负反馈状态 c．放大状态 d．线性工作状态
2．某电路有用信号频率为2 kHz，可选用( )。
a．低通滤波器 b．高通滤波器 c．带通滤波器 d．带阻滤波器
3．某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，电路形式应选( )。
a．电流串联负反馈 b．电流并联负反馈 c．电压串联负反馈 d．电压并联负反馈
4．与甲类功率放大方式相比，OCL互补对称功放的主要优点是( )。
a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真
5．集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。
a．增大放大倍数 b．减小温漂 c．提高输入电阻
6．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区
三、放大电路如下图所示，已知：VCC = 12 V，RB1 = 120 kΩ，RB2 = 39 kΩ，RC = 3.9 kΩ，RE = 2.1 kΩ，RL = 3.9 kΩ，rbb￠ = 200Ω，电流放大系数β = 50，电路中电容容量足够大，要求：
1．求静态值IBQ，ICQ 和UCEQ( 设UBEQ = 0.6 V )；
2．画出放大电路的微变等效电路；
3．求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。
4．去掉旁路电容CE，求电压放大倍数Au ，输入电阻Ri 。 (14分)
四、设图中A为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分)
五、题图四个中间级电路，假设各电路都设置有合适的静态工作点(图中未画出)。(12分)
1．指出其级间反馈的极性，若为负反馈说明组态；
2．写出其中的负反馈电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数表示式。
六、同学们在实验中用集成运放组成了四个LC正弦波振荡电路，请说出每个振荡电路的类型，并判断它们是否都能振荡起来?(6分)
七、题图电路，A1，A2为理想运放。
1．说明电路由哪些基本单元电路组成；
2．画出u0与u01的电压传输特性曲线；
3．设t = 0时，uc(0) = 0，u0 = 12 V，现接入uI = -10 V，经过多长时间u0 翻转到 -12 V ？
4．若uI 输入如图所示的矩形波，请画出u01和u0的波形。 (14分)
八、题图为由三端集成稳压器W7805构成的直流稳压电路。已知IQ = 9 mA，电路的输入电压为16 V，求电路的输出电压UO = ？ (5分)
九、图示电路中，输入信号是正弦电压，V1，V2管的饱和压降可以忽略，且静态电流很小，VCC = VEE = 15 V，RL = 8 Ω。
1．请说明该功放电路的类型；
2．负载上可能得到的最大输出功率；
3．每个管子的最大管耗PCM为多少？电路的最大效率是多大？ (10分)
试卷一(答案)
一、填空(16分)
1．单向导电性。
2．正向、反向；正向、正向。
3．0.707、3dB、±45°。
4．交流串联负反馈、交流电压负反馈。
5．0、0、78.5%、交越。
6．电压串联负反馈，放大。
二、(24分)
1．A 2．D 3．C 4．C 5．D 6．A 7．D 8．A
三、(12分)
1．V1组成共射放大电路，V2组成共集电极放大电路；
2．图略；
3．
四、(10分)
五、(8分)
电压放大倍数：Au0 = Auf = 1 + Rf/R1 = 1 + 16/5.1 = 4.14 下限频率：fL = 1/2pRC = 40.8 Hz
六、(12分)
图(a)：负反馈，交、直流反馈兼有，电压并联组态，
；
图(b)：负反馈，交、直流反馈兼有，电压串联组态，
。
七、(10分)
1．满足相位平衡条件；
2．电容三点式正弦波振荡电路；
3．
八、(8分)
1．U I(AV) " 24 V。
2．
故求得100 Ω￡ RL ￡ 133 Ω。
试卷二(答案)
一、填空(18分)
1．直接、变压器。
2．-200，共基极，共发射极，共集电极。
3．27 V，0.135 A。
4．RC串并联、1/3、0°。
5．低通，高通，带阻，带通。
6．2p，p，大于 p 小于2p。
二、(9分)
a、b、c?。
三、(10分)
1．V1截止，V2倒置，V3饱和；
2．V4工作在饱和区(放大区)，V5工作在可变电阻区。
四、(13分)
1．
，， UCE1 = UC - UE = 8.7 V；2．图略；
3．
，
， uo = -548 mV。
五、(8分)
fL = 1/2pR1C1 = 79.5 Hz ， fH = BWG/Auf = 20 kHz 。
六、(10分)
(a) Uo = 0.45 V；(b) Uo = 0.15 V。
七、(10分)
1．(a)为电压并联负反馈，(b)为电流串联负反馈；
2．
八、(10分)
1．IO = U23 / R + IQ " 1 A ；
2．UO = U23(1 + R2 / R1 ) + IQR2 " 10 V ；
3．(a) 为恒流源电路，(b) 为可调的稳压电源。
九、(12分)
试卷三(答案)
一、填空(26分)
1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道。
2．截止，导通，-2.7 V。
3．E，C，B，PNP。
4．12 V，12 mA，6 mA，12 V，12 mA，0 mA。
5．80 ?dB，104倍。
6．提高，减小，提高；
7．-12 V，+8 V。
二、(12分)
1．IB = 18.5 mA，IC = 1.11 mA，UCE = 6.25 V；
2．图略；
3．
，Ri = 1.58 kΩ， Ro = 4.9 kΩ。
三、(8分)
电压串联负反馈；。
四、(12分)
1．A1组成反相比例电路，A2组成单值比较器，A3组成电压跟随器；
2．A1和A3工作在线性区，A2工作在非线性区；
3．uO1 = -10 V，uO2 = 12 V，uO3 = 6 V。
五、(12分)
1．A与N、B与P分别相连；
2．
；
3．Rf > 4 kΩ。
六、(8分)
七、(10分)
1．图(a)为反相迟滞比较器，图(b)为同相比例运算电路。
2．见图：
八、(12分)
1．电压串联负反馈；
2．
， Rf = 90 kΩ；
3．
，最大输出时Uom = VCC = AufUim，Uim = 1.5V。试卷四(答案)
一、填空(20分)
1．0.5 V，0.7 V；0.1 V，0.2 V。
2．电压，电流。
3．P，增强，绝缘栅，开启电压。
4．10 Hz，106 Hz，60 dB，-180°。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属
《数字电路》期末模拟试题及答案
. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1= 2Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1
王兆安版电力电子技术试卷及答案
20××－20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) （时间90分钟 满分100分） （适用于 ××学院 ××级 ××专业学生） 一、 填空题（30分,每空1分）。 1．如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。（只写简称） 2．单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ；带阻感负载时，α角移相范围为 ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3．直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4．升降压斩波电路呈现升压状态时，占空比取值范围是__ _。 5．与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6．当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7．三相交交变频电路主要有两种接线方式，即 _和 。 8．矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ；控制方式是 。 9．逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 型逆变器和 型逆变器。 10．把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题（18分,每题6分）。 1．逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合？ 2．交流调压电路和交流调功电路有什么异同？ 3．功率因数校正电路的作用是什么？有哪些校正方法？其基本原理是什么？ 三、计算题（40分，1题20分，2题10分，3题10分）。 1．一单相交流调压器，电源为工频220V ，阻感串联作为负载，其中R=0.5Ω，L=2mH 。 试求：①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功率因数；④当2πα＝时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2．.三相桥式电压型逆变电路，工作在180°导电方式，U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 ．如图所示降压斩波电路E=100V ，L 值极大，R=0.5Ω，E m =10V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值
数字电子技术模拟试题4
泰山学院课程考试专用 《数字电子技术》模拟试题 4 （试卷共8页，答题时间120分钟） 一、填空题（每空 1分，共 20 分。） 1、(33)10=( )16=( )2 2、若各门电路的输入均为A 和B ，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________,或非门的输出为___ ___,同或门的输出为__ __。 3、一个数字信号只有 种取值，分别表示为 和 。 4、一个三态门如图1.4， 当E ′=__________时,Y=)('AB 。 5、某EPROM 有8位数据线、13位地址线，则其存储容量为 位。 6、若要构成七进制计数器，最少用 个触发器，它有 个无效状态。 7、多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 8、A/D 转换的一般步骤包括 、 、 和 。 9、欲将触发器置为“1”态，应使D R '= , D S '= 。 二、选择题（每题 2分，共 20 分。请将答案填在下面的表格内）1、在不影响逻辑功能的情况下,CMOS 与非门的多余输入端可_______。 A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过大电阻接地 2、下图中,满足Q ＊ =1 的触发器是_____________。
3、由四个触发器构成十进制计数器,其无效状态有__________。 A.四个 B.五个 C.六个 D.十个 4、以下电路中,欲获得一个数字系统的时钟脉冲源,应采用____________。 A ．D 触发器 B.多谐振荡器 C.单稳态触发器 D.施密特触发器 5、逻辑代数中有3种基本运算： 、 和 。 A. 或非，与或，与或非 B. 与非，或非，与或非 C. 与非，或，与或 D. 与，或，非 6、用555定时器构成的施密特触发器的回差电压可表示为 。 A. cc V 3 1 https://www.wendangku.net/doc/3e5719151.html, V 3 2 C. V cc D. cc V 4 3 7、在下列门电路中，输出端不可以并联使用的是 。 A. 三态门 B.集电极开路门（OC 门） C.具有推挽输出结构的TTL 门电路 D.CMOS 传输门 8、某A/D 转换器有8路模拟信号输入，若8路正弦输入信号的频率分别为1KHz ,…,8KHz ，则该A/D 转换器的采样频率f s 的取值应为 。 A. f s ≤1KHz B. f s =8KHz C. f s ≥16KHz D. f s ≥2KHz 9、四位环形计数器的有效状态有 个。 A. 2 B. 4 C. 6 D. 8 10、下列电路中不属于时序逻辑电路的是 。 A.计数器 B. 全加器 C.寄存器 D.分频器 1、Y 1=A )('BC +AB C ' 2、Y 2（A ，B ，C ，D ）=∑m （1,3,5,7,8,9）+∑d(11,12,13,15)四、1、电路如图4.1(a)所示,各电路的CP 、A 、B 、C 波形如图（b ）所示。
电力电子技术试题及答案(1)
《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）
电力电子技术-模拟试题2-试卷
电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变
数字电子技术模拟试题及答案
《数字电子技术》模拟试题 20分）一、填空题（每题2分，共 1511、十六进制数97 。，对应的十进制数为 0 时，输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或 加器。半 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入 线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括：位。最高8、 采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 15分）二、单项选择题（每个3分，共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中，不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须 有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分）三、简答题（共A??B左边＝（A?）（A?B）（?1A?A?B）?解：分） 1、（证明：
4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示，画出卡诺图。（6分）某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分）四、分析题（20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝CP↑；CP0＝CP↑。 2）列出其驱动方程：（4分） Q1；K0＝＝1 ；J0。Q0J1＝；K1＝1?Q?Q1或XX3）列出其输出方程：（1分）Z＝XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04）求次态方程：4（分）；10分）9）作状态表及状态图（5．
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题（A ） 注：卷面 85分，平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。（8分） 选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶 闸管的额定电压是700V 。（ ） 第 1 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名：
（2） 对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。（ ） （3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势” 负载，已知60β=o ，2100U V =， 50E V =,电路处于可逆变状态。 （ ） 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。（6分） 第 2 页 （共 8 页） 试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：
二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下， 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图 （要标明反电势极性）。（5分） 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ， Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。（5分） 第 3 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名： u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连 续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。（5分） i VT10
电力电子技术期末复习考卷综合
一、填空题： 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在 开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括 三个方面：通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。导通：正向电压、触发电流 （移相触发方式） 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现 失控 现象，为了避免单相桥式 半控整流电路的失控，可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。（电源相电压为U1） 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。（电源相电压为U 2） 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路，包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。（是否有交流环节） 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路：电压大小变换：降压斩波电路（buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式： U=ɑE ɑ=占空比，E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ，即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，调节输出电压有效值的电路， 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断，改变通态周期数和断态周期数的比，调节输出功率平均值的电路， 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。
数字电子技术模拟试题及答案
数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020
《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器
5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝
电力电子技术试题20套及答案
考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大 的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
电力电子技术模拟试题三
二、单项选择题（每小题1分，共16分）在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题 目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 ①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成 ①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（ ） ①干扰信号 ②触发电压信号 ③触发电流信号 ④干扰信号和触发信号 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ ①导通状态 ②关断状态 ③饱和状态 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a 的最大移相范围是（ ① 90° ② 120° ③ 150 ° 单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（ ① T U2 ② 2U 2 ③ 2.2U 2 单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（ 厂 L ① 2U 2 ②2 2U 2 ③ 2 U2 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角a 的移相范围是（ ①0° ~90° ②0° ~180° ③90° ~180° 单相全控桥反电动势负载电路中， 当控制角a 大于不导电角3时， 15. 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. ） ④反向截止 （） ④可关断晶闸管 P. H / ④不定 ） ④ 180° ） ④6U 2 ) ④6U 2 ） ④ 180° ~360° 晶闸管的导通角9= 电力电子技术模拟试卷四 （考试时间 150 分钟） 、填空题（每小题 1分，共 14分） 1. 1 . 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 。 2. 2 . 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另 。 一类是 3. 3. 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 U Fm 等 于 ，设U 2为相电压有效值。 4. 4. 同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L I H 。 5. 5. 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值 。 6. 6. 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是 措 施。 7. 7. 三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有 —种方式。 & 8 . 晶闸管断态不重复电压U DSN 与转折电压U BO 数值大小上应为， U DSM _ U BO 。 9. 9. 抑制过电压的方法之一是用 吸收可能产生过电压的能量， 并用 电阻将其消耗。 10?为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是 ______________________________________ 。 11. ____________________________________________________________ 改变SPWM 逆变器中的调制比，可以改变 ________________________________________________________________ 的幅值。 12. 180°导电型电压源式三相桥式逆变电路， 其换相是在 的上、下二个开关元 件之间进行。 13. ____________________________________________________________ 恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是 ________________________________________________________________ 。 14. ____________________________________________________________________ 功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用 ____________________________________________________________ 型二极管，以便与功 率晶体管的开关时间相配合。
数字电路模拟题
题型分布：填空题2*9=18、选择题3*4=12、逻辑函数化简6+7+7=20、画波形10、分析与设计15+25=40 一、填空题 1、与非门的逻辑功能为。 2、数字信号的特点是在上和上都是断续变化的，其高电平和低电平常用 和来表示。 3、三态门的“三态”指，和。 4、逻辑代数的三个重要规则是、、。 5、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触发器 受到外触发时进入态 6、计数器按增减趋势分有、和计数器。 7、一个触发器可以存放位二进制数。 8、优先编码器的编码输出为码，如编码输出A 2A 1 A =011，可知对输入的进 行编码。 9、逻辑函数的四种表示方法是、、、。 10、移位寄存器的移位方式有，和。 11、同步RS触发器中，R，S为电平有效，基本RS触发器中R，S为 电平有效。 12、常见的脉冲产生电路有 13、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 14、常见的脉冲产生电路有，常见的脉冲整形电路 有、。 15、数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两 类：、。 16、寄存器按照功能不同可分为两类：寄存器和寄 存器。 17、逻辑函数F== 18、触发器有两个互补的输出端Q、，定义触发器的1状态 为，0状态为，可见触发器的状态指的是端的状态。 19、一个触发器可以记忆位二进制代码，四个触发器可以记忆位二进 制代码。 20、主从JK触发器的特性方程。 21、时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时 序电路和时序电路。 22、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触 发器受到外触发时进入态。 23、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 24、逻辑函数的化简有，两种方法。 25、组合逻辑电路没有功能。 26、主从JK触发器的特性方程，D触发器的特性方
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)名校考研真题(多级放大电路)
第3章 多级放大电路 一、填空题 1．差分放大电路的输入端未加输入信号时，收到附近手机造成的10微伏电磁干扰，该电路的差模放大倍数是－30，共模抑制比是80dB ，则该差分放大电路的差模输出电压是( )，共模输出电压是( )。[北京邮电大学2010研] 【答案】－0.3mv ；0.015v μ。 【解析】共模抑制比为80db ，则有 20l g 80 C M R K = 43010| |||ud CMR uc uc A K A A -===， 3 310 uc A -=? 差模输出电压：30100.3m d ud id u A u v v μ==-?=- 共模输出电压：310 3100.0152 c uc ic u A u v v μμ-==??=。 2．直接耦合放大电路零点漂移产生的原因是________(①电源电压不稳定，②晶体管参数随温度变化)。[中山大学2010研] 【答案】② 【解析】在放大电路中，任何元件参数的变化，如电源电压的波动、元件的老化、半导体器件参数随温度变化而产生的变化，都将产生输出电压的漂移。 二、选择题
1．差分放大电路中发射极接入电阻R E的主要作用是( )。[北京邮电大学2010研] A．提高差模电压增益 B．增大差模输入电阻 C．抑制零点漂移 D．减小差模输入电阻 【答案】C 【解析】在差分放大电路中，增大发射极电阻 R的阻值，能有效抑制每一边电路的温 E 漂，提高共模抑制比。 2．图3-1电路中，电阻R E的作用是（）。[北京科技大学2011研] 图3-1 A．仅对共模信号起负反馈作用 B．仅对差模信号起负反馈作用 C．对共模、差模信号都起负反馈作用 D．对共模、差模信号都无负反馈作用 【答案】A 【解析】差动电路对共模信号具有很强的抑制作用，在差模信号作用下Re中的电流变
最新电力电子技术试题及答案(1)
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ） 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ） A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、
电力电子技术考试卷
XX大学 2015-2016 学年第2 学期 《电力电子技术》课程考试试卷（A） 题号 -二二三 四总分分值25103530100 得分 一、填空题（每空1分，共25分） 1. 电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电 气公司研制出第一个________ 为标志的。 2?电力电子器件同信息电子器件相比具有________________ 、___________ _____________ 和_____________ 四个特征。 3?普通晶闸管的额定电流用__________ 标定，而双向晶闸管的额定电流用有 效值标定。 4?直流斩波电路中，所谓导通占空比a是指___________ 和___________ 的比值。 5. ______________________________ 电力电子技术的核心是 6. TSC是指_____________ ,其运行时选择晶闸管投入时刻的原则是 得分评卷人
7?把直流电变成交流电的过程称为逆变，逆变电路交流侧接有电源时称为 __________ ； 交流侧直接与负载连接时，称为 ___________ 。 8. ________ 控制就是对脉冲宽度进行调制的技术，即通过对一系列脉冲 的宽度进行调制，来等效地获得所需要的波形，其控制技术的理论基础是 __________ 。生成所需等效波形的方法主要有 ____________ 、 ___________ 和 跟踪控制方法。 9?使开关开通前其两端电压为零，这种开关称为 _______________ ;使开关关断 前其电流为零，这种开关称为 ____________ 。 10. 根据软开关技术发展的历程可以将软开关电路可以分为 __________ 和 __________ 三类。 11. _________________ UPS 是指 12. _________________________________________________ 三相桥式整流电路是两组三相半波整流电路的 ____________________________ ，而双反星整 流电路则是两组三相半波整流电路的 _____________ ，且后者需用平衡电抗器。 ( )。 2. 普通晶闸管属于（ ）。 A. 全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件 D.以 上都不是 3. 随着晶闸管门极电流 、单项选择题（每题 1分，共10 分） 1.以下英文缩写表示门极可关断晶闸管的是 A.GTO B.MOSFET C.GTR D 」GBT
数字电子技术模拟试题4套
模拟试题一 一、选择填空(每空1分，共20分) 1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。 A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子 2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。 A．扩散B．漂移C．小D．大 3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。 A．双极B．空穴C．单极D．自由电子 4．负反馈放大电路的含义是（）。 A．输出与输入之间有信号通路 B．电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路之外还有信号通路 D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。 A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB 6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。 A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路 7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。 A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容 8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强 9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈 10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。 A．带阻B．带通C．低通D．有源 11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。 A．比较B．滤波C．调整 二、判断正误(每题2分，共10分) 1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。（） 3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（） 三、简答题 1．设图3-1中二极管、为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压= ？（4分） 2．测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子，并说明是硅管还是锗管。 四、（6分）根据图4某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线，试求：（1）静态Q点；（2）三极管电流放大系数β；（3）集电极电阻；（4）最大不失真输出电压幅度。