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五邑大学2013模电试卷A卷答案

任课教师：项华珍试卷分类（A卷或B卷） A

五邑大学试卷参考答案及评分标准

学期：2012 至2013 学年度第二学期课程：模拟电子技术课程代号：0700790

使用班级：信息工程学院2011级本科生

一、判断题（15分）（正确打√，错误打?，每题1.5分）

1、在P型和N型半导体中，多数载流子的浓度由温度决定。（?）

2、晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（?）

3、要使三极管工作在放大区，发射结需正偏、集电结需反偏。（√）

4、放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的交流变化量之比，因此它与静态工作点无关。（?）

5、场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。（?）

6、振荡电路一定包括正反馈环节。（√）

7、桥式整流电路的输出电压是交流信号。（?）

8、功率放大电路的最大输出功率是指负载电阻上可能获得的最大直流功率。（?）

9、直流放大器必须采用直接耦合方式，所以它无法放大交流信号。（?）

10、共集电极电路的输入电阻较小、输出电阻较大。（?）

二、选择题（15分）（每空1.5分）

1、在甲乙类功率放大电路中，功放管的导通角为（ B ）。

A、π2

B、π

>C、π

2、若电源变压器副边电压有效值为20V，则桥式整流电路每个二极管所承受的最大反向电压为（ B ）。

A、20V

B、2

20V C、40V

3、放大电路中的静态分量是指（ A ）。

A、直流电源所提供的电压、电流

B、电压、电流中随输入信号变化的部分

C、正弦交流输入、输出信号

4．单级NPN管放大电路如下图所示，用直流电压表测出U CE≈V CC，可能是因为（ C ）。

A 、CC V 过大

B 、c R 开路

C 、b R 开路

5、三端集成稳压块7905的输出直流电压为（ B ）。 A 、+5V B 、-5V C 、79V

6、正弦波振荡器的平衡振荡的条件是（ B ）。 A 、1>?

?F A B 、1=?

?F A C 、0=?

?F A 7、场效应管作为放大管，工作在（ A ）。

A 、恒流区

B 、可变电阻区

C 、截止区

8、由NPN 管组成的单级共射放大电路中，当静态工作点过低时，首先出现（ B ）。 A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、线性失真 9、为了稳定输出电流，同时要提高输入电阻，应加（ C ）。

A 、串联电压负反馈

B 、并联电流负反馈

C 、串联电流负反馈 10、电压比较器工作在（ B ）。

A 、负反馈状态

B 、开环或正反馈状态

C 、无源状态

三、基本分析计算题（20分）（每小题5分）

1、电路如图所示，设二极管均为理想的。试判断每个二极管的导通、截止情况，并计算O U ？

解：D1导通，D2截止。 (3分)

Uo=0V （2分）

2、试分析图示电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设电容对交流信号均可视为短路。解：不能。(2分)

因为输入端被电容C3交流短路，信号无法加入。(3分)

3、如图所示的OTL 互补对称功率放大电路，问：

（1）为使负载能够获得足够大的功率，要求最大输出的峰值电压为10V ，图中电源取值合适否？如果不合适？应取多少？（忽略管子的饱和压降）。

（2）D 1、D 2、R 2

的作用是什么？R 2的值合适否？如果不合适，是应增大还是减小？

解：（1）电源取值不合适。U CC ＝20V 。(2分)

（2）D 1、D 2、R 2的作用是防止交越失真。R2取值太大，应减小。(3分)

4、在放大电路中，测得某晶体管的各个电极对地静态电位如图所示，试判断晶体管的管型、材料、及各个管脚。

解：NPN 锗管。(3分)

1——e ；2——b ；3——c (2分) L

R C

U 1

u 2

四、（15分）

电路如图所示。电路参数均已知，C 1、C 2、C 3、C 4可视为交流短路。要求：（1）计算电路的静态工作点（C I 、CE U ）；（2）画出电路的微变等效电路；（3）求放大器的输入电阻R i 、输出电阻R o ；（4）求电压增益?

=i o u U U A 。

解：（1）(6分)

)

(

e c2c1E CE e BE

B E C

C b2b1b1B R R R I U U R U U I U R R R U CC ++-≈-=?+≈

（2）图略(4分)

（3）(3分)

o be b2b1i E

be mV 26)

1(200R R r r R R R I r be =≈=++=∥∥β

（4）(2分)

L c1)(r R R A u ∥β-=

U L

五、（10分）

如图所示电路中，运算放大器均为理想的。写出o1u 、o2u 、o u 的表达式。

解：

o1u R R u -= (3分)

2o )1(u R R u += (3分) o2

6745o14

o 1u R R R R R u R R u +???? ??++-=(4分)

六、（12分）如图所示反馈放大电路：（1）指出级间交流反馈网络；（2）判断级间交流反馈组态；（3）在深度负反馈条件下，计算反馈系数?

F 和闭环电压增益

uf A 。

解：（1）R5、R7、C2构成级间交流反馈网络。(2分)

（2）串联电压负反馈。(3分)

（3）5

75R R R U U F o f u +== (3分) 57

11R R F U U A u

i o uf

+=≈= (4分)

u u

七、（13分）

差分电路如图所示。已知100=β,Ω='

300b b r ，V 6.0BE =U 。求:

（1）静态时C1I 、C2I 、C3I 、CE1U 、CE2U 、CE3U ；（2）双端输出的差模放大倍数；（3）差模输入电阻和输出电阻。

解：（1）(7分) 静态时，0i2i1

==u u 即输入端接地

mA 2.033

.02.73e BE E3C3=-=-=

=R U U I I Z mA 1.02

3E E2E1C2

C1=====I I I I I

C 1E1C 1C E2C E1U U U U U ≈-==

11101.012c C 1C C

=?-=-=R I U )(EE e3E3E3E3E1C E3U R I U U U U ---=-≈-=

V 4.5126.6=+-=

（2） (3分)

k Ω .57720.1

10120026)(1E1b b be1=+=++='I βr r 68.757

.275550)

//(be b L c u1ud

-≈+?-=+-==r R R R β A A

（3） (3分)

Ω=?+?=+=k .14

6510)57.275(2)(23

be b id r R R Ω=Ω?==k 20k 1022c od R R

c语言-往年试卷题型_五邑大学

五邑大学考试试题未经允许，不能转载一、单选题 1．设有int x=9; 则表达式( 1/3 * ++ x ) 的值是_____________。 A) 3 B) 0C) 9 D) 10 2．设ch是char类型的变量，其值为A，且有下面的表达式 ch=(ch>='A'&&ch<='Z')?(ch+32):ch 上面表达式的值是_____________。 A) A B) a C) Z D) z 3．设p1和p2是指向同一个int型一维数组的指针变量，k为int型变量，则不能正确执行的语句是。 A) p1=p2; B) p2=k; C) k=*p1+*p2; D) k=*p1 * (*p2); 4．请选出可用作C语言用户标识符的一组标识符_______________。 A) float B) for C) a3_b3D) 3a define _Abc _123 DO int temp TEMP sizeof 5．以下叙述中不正确的是。 A) 在不同的函数中可以使用相同名字的变量 B) 函数中的形式参数是局部变量 C) 在一个函数内定义的变量只在本函数范围内有效 D) 在一个函数内的复合语句中定义的变量在本函数范围内有效 6．执行下面的程序段后 int k=3, s[2]; s[0]=k; k= s[1]*10; 变量k中的值为_____________。 A) 10 B) 30 C) 33 D) 不定值 7. 若声明和定义了一个结构体类型的数据如下： struct student { int num;

现欲输入结构体成员分量num的值，下面函数调用中正确的是。 A) scanf(“%d”,student); B) sca nf(“%d”,&student.num); C) scanf(“%d”,&num); D) scanf(“%d”,&stu_1.num); 8. 若已定义x为int 类型变量，则下面说明指针变量p的语句_____________是正确的。 A) int p=&x ; B) int *p=x; C) int *p=&x; D) *p=*x; 9．若程序中定义了以下函数 float myadd(float a, float b) { return (a+b);} 并将其放在调用语句之后，则在调用之前应该对该函数进行说明，以下选项中错误的说明是。 A) float myadd(float, float); B) float myadd(float a,b); C) float myadd(float a, float b); D) float myadd(float x, float y); 10．有以下程序，执行后结果是。 #include char fun(char x , char y) { if(x0&&b>0____________。 3．以下程序执行后的输出结果是_________________。 #include void main() { int a=4,b=5,c=0,d; d=!a&&!b||!c; printf("%d\n",d); } 4．以下程序执行后的输出结果是_______________。 #include void main() { char a[10]={'1','2','3','4','5','6','7','8','9','\0'},*p;

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

五邑大学数电第10次课前作业答案

第5章时序逻辑电路习题 5-2-1 分析图所示时序电路的逻辑功能，写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程，画出电路的状态转换图和时序图。 CLK Z 解：从给定的电路图写出驱动方程为： ?? ???===n n n n n Q D Q D Q Q Q D 120 12 100)(⊙ 将驱动方程代入D 触发器的特征方程D Q n =+1，得到状态方程为： ?? ???===+++n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q 1120 112 1010)(⊙ 由电路图可知，输出方程为 2 n Z Q = 根据状态方程和输出方程，画出的状态转换图如图题解5-1(a ）所示，时序图略。 \

综上分析可知，该电路是一个八进制计数器。 5-2-2已知时序电路如图所示，假设触发器的初始状态均为“0”。 (1)写出电路的状态方程和输出方程。 (2)分别列出X=0和X=1 2种情况下的状态转换表，说明其逻辑功能。 (3)画出X=1时，在CP 脉冲作用下的Q 1、Q 2和输出Z 的波形。答案（1）驱动方程： ?? ???===+==n n n n n n Q K Q J K X Q Q X Q Q J 12121121211 （2）电路的状态方程和输出方程为 ?????+=+=++n n n n n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q X Q 1 2211 212 111 CP Q Q Z n n ?=21 （2）X=0和X=1两种情况下的状态转换表如表所列，其逻辑功能：当X=0时，为2位二进制减法计数器；当X=1时，为三进制减法计数器。作出X=0的状态表： 1 1 1 0 0 1 0 0 Q 2 n+1 Q 1 n+1 次态 0 0 1 1 1 0 0 1 Q 2 n Q 1 n 现态输出 0 0 0 CP Z

五邑大学试卷_C语言程序设计_信息学院各专业_A卷

选择题（30%：15小题，每小题2分） 1. 以下叙述正确的是（）。 A) 在C程序中，main函数必须位于程序的最前面。 B) C语言的每一行中只能写一条语句。 C) C语言本身没有输入输出语句。 D) 一个程序的执行是从本程序的main函数开始，到本程序文件的最后一个函数结束。 2. 若有说明：int a[10]; 则对 a 数组元素的正确引用是（）。 A） a[10] B） a[3.5] C） a(5) D） a[10-10] 3. 下面关于"A"的说法正确的是（）。 A）它代表一个字符常量 B）它代表一个字符串常量 C）它代表一个字符 D）它代表一个变量 4. 若用数组名作为函数调用的实参，传递给形参的是( )。 A）数组的首地址 B）数组第一个元素的值 C）数组全部元素的值 D）数组元素的个数 5. 以下选项中属于C语言数据类型的是（）。 A）复数型 B）记录型 C）双精度型 D）集合型 6. 设 a=5,b=6,c=7,d=8,m=2,n=2, 则执行 (m=a>b)&&(n=cb)?a:b); 则输出结果是 ( )。

9. 可判断变量 a为正，b为负的正确表达式是 ( )。 A） a*b <0 B） (a>0||b >0)&&a*b <0 C） (a<0||b<0)&&a*b <0 D） a>0&&a*b<0 10. 在C语言中要求参加运算的数必须是整数的运算符是（）。 A） / B） ! C） % D） = = 11. 下列程序段中while循环体执行的次数是（）。 int k=0; while(k=1) k++; A）一次也不执行 B）只执行一次 C）有语法错，不能执行 D）无限次 12. 若有以下说明，且0≤i<10，则对数组元素的错误引用是（）。 int a[]={1,2,3,4,5,6,7,8,9,10},*p=a,i; A） *(a+i) B） p+i C） a[p-a+i] D） *(&a[i]) 13.有定义语句： int b; char c[10]; 则正确的输入语句是 ( )。 A） scanf("%d%s",&b,&c); B） scanf("%d%s",&b,c); C） scanf("%d%s",b,c); D） scanf("%d%s",b,&c); 14. 设有如下定义： struct sk { int a; float b; }data; int *p; 若要使p指向data中的a域，正确的赋值语句是( )。

五邑大学专插本参考数字电路与逻辑设计

命题人：徐秀平审批人：试卷分类（A 卷或B 卷） A 五邑大学试卷学期： 2008 至 2009 学年度第一学期课程：数字电路与逻辑设计专业：电子、计算机、交通班级：：学号：一、（包含8个小题，共38分） 1.1 用公式法化简下面逻辑函数（4分） CD D A BD B A Y +++= 1.2 利用卡诺图化简下面逻辑函数，要求画出卡诺图，求得最简与或式。（6分） ∑∑+= ），），，，，，，，，，138(1514109763210 (d m Y .3电路如图所示，①试写出输出端逻辑式；2，已知输入信号的波形，请对应画出输出端的波形。（4分） A B Y

1.4电路如图所示，其中所有的门均为TTL 门。若已知各门的参数为I OH =0.25mA ，I OL =14mA ，I IH =0.05mA ，I IL =1.6mA ，试求能带多少个同类门？（4分） 1.5电路如图所示，请写出输出Q 的特性方程，并画出对应时钟脉冲CLK 的输出Q 的波形（4分） 1. 6电路如图所示，①说明它的容量是多少？②写出各片的地址范围（十六进制表示）。（6分） Q Q SET CLR D A B CLK Q D R 'TTL } N Y 0 0000 t t t t t CLK D R 'A B Ω51B A Y ΩK 10

1.7 CB555定时器接成的电路如图所示，若V CC =12V ，①试问CB555接成的是什么电路？②若输入电压v I 波形如图所示，试画出输出电压v 0的波形。（6分） 1.8 如图所示电路为4位倒T 型电阻网络D/A 转换器。已知R=10K Ω，V REF =12V 。当某位数字量d i =1时，开关接S i 接运算放大器的反相输入端，；当d i =0时，开关接S i 接地。试求：①输出模拟电压v o 的范围；②求d 3d 2d 1d 0=1011时，对应的输出的模拟电压v o 值。（4分） I v o v 0 t t 10V 5V

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

五邑大学《电路分析基础》专插本考试大纲

五邑大学《电路分析基础》考试大纲 Ⅰ考试性质普通高等学校本科插班生招生考试是由专科毕业生参加的选拔性考试。高等学校根据考生的成绩，按已确定的招生计划，德、智、体全面衡量，择优录取。因此，本科插班生考试应有较高的信度、效度、必要的区分度和适当的难度。 Ⅱ考试内容总要求：《电路分析基础》是电子信息与通信类、电气工程及自动化类、仪器仪表类以及计算机应用类等专业的专业基础课。是信息学院平台课程之一。一、考试基本要求： 1. 熟练掌握电路分析基础的基本概念和基本语法知识； 2. 能熟练地运用电路分析基础知识解决电路问题的能。二、考核知识范围及考核要求：第一篇总论和电阻电路的分析第一章集总参数电路中电压、电流的约束关系 §1-1 电路及集总电路模型(A) §1-2 电路变量电流、电压及功率(A) §1-3 基尔霍夫定律(A) §1-5 电阻元件(A) §1-6 电压源(A) §1-7 电流源(A) §1-8 受控源(A) §1-9 分压公式和分流公式（A） §1-10 两类约束(A) KCL、KVL方程的独立性(B) §1-11 支路电流法和支路电压法(A) 第二章运用独立电流、电压变量的分析方法 §2-1 网孔分析法（A） §2-2 节点分析法(A) 第三章叠加方法与网络函数 §3-1 线性电路的比例性(A) 网络函数(B) §3-2 叠加原理(A) §3-3 功率与叠加原理(B) 第四章分解方法及单口网络 §4-1 分解的基本步骤（A） §4-2 单口网络的电压电流关系（A）

§4-3 单口网络的置换——置换定理（A） §4-4 单口网络的等效电路（A） §4-5 一些简单的等效规律和公式（A） §4-6 戴维南定理（A） §4-7 诺顿定理（B） §4-8 最大功率传递定理（A）第二篇动态电路的时域分析第六章电容元件与电感元件 6-1 电容元件(B) 6-2 电容的VCR（A） 6-3 电容电压的连续性和记忆性(A) 6-4 电容的贮能(A) 6-5 电感元件(B) 6-6 电感的VCR (A) 6-7 电容与电感的对偶性(A) 6-8 电容电感的串并联（B）第七章一阶电路 7-1 分解的方法在动态电路分析中的运用(A) 7-2 一阶微分方程的求解(B) 7-3 零输入响应(A) 7-4 零状态响应(A) 7-5 线性动态电路的叠加原理(A) 7-6 三要素法（A）第八章二阶电路 8-1 LC电路中的正弦振荡（A） 8-2 RLC串联电路的零输入响应(A) 8-3 RLC串联电路的完全响应(A) （上述内容中，A的内容是重点，必须讲清讲透，要求学生掌握；B的内容重要程度次于A，要求学生熟悉） Ⅲ考试形式及试卷结构 1、考试形式为闭卷、笔试。考试时间为120分钟，试卷满分为100分。 2、试卷内容比例：试卷内容将覆盖全部7章。其中：第1、2、 3、4等4章所占比例为70-80%，其余3章所占比例为20-30%。 3、试卷难易比例：易、中、难分别为40%、40%和20%。 4、试卷题型比例：简单计算题占60-70%;复杂计算题占30-40%。

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

五邑大学模电2010-2011(2)模拟电子技术基础B

命题人：钟东洲审核人：试卷分类（A 卷或B 卷） B 五邑大学试卷学期： 2010 至 2011 学年度第二学期课程：模拟电子技术基础课程代号： 005A1670 使用班级：信息工程学院09级姓名：学号：选择题 (共8 分) 1 稳压管是一种特殊二极管，稳压时工作在（）状态。 A ．正偏 B. 反偏 C ．导通 D. 截止 2. 电路如图1所示，若Ω=k 030b R ，R c =3k Ω,晶体管的β＝50，则晶体管处于（）工作状态 A. 饱和 B. 截止 C. 线性放大 D. 击穿 3. 用直流电压表测得放大电路中NPN 管各电极对地电位分别是2V 、6V 和2.7V ，则三个电极分别为（） A. （b ，c ，e ） B. （c ，b ，e ） C.（e ，c ，b ） D. （e ，c ，b ） 4．用恒流源取代典型差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的 ( )。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 D 差模输出电阻小 5. 乙类互补对称推挽功率放大电路产生交越失真的原因是（）。 A. 零点漂移 B. 晶体管的死区电压 C.饱和失真 D. 截止失真 6. 为了使放大器具有稳定的输出电压，一般引入（）负反馈电路。 A. 电压 B. 电流 C. 串联 D. 并联 7.自激振荡电路起振的幅值条件是。 A. 0=F A B. 1=F A C. 1>F A D. ∞=F A 8. 整流电路如图2所示, 设变压器副边电压有效值为U 2，则输出电压平均值为U o 为（）。 A. 0.9U 2 B. 2 C. 0.5U 2 D. 1.2U 2 二、填空题 (每空１分，共 18分) R

五邑大学光电技术试题3

命题人：李阳审核人：试卷分类（A 卷或B 卷） A 五邑大学试卷学期： 2012 至 2013 学年度第 1 学期课程：光电子技术课程代号： 010A1860 使用班级： AP10221、AP10222 姓名：学号：一、单选题：（50分，每小题2分）请将正确的答案填入下表中： 1、从光源的分类上分，汞灯属于：（B ）（A ）热辐射光源；（B ）气体放电光源；（C ）激光光源；（D ）电致发光光源。 2、在辐射度学的基本物理量中，描述点辐射源的辐射功率在不同方向上分布的物理量是（C ）（A ）辐射能；（B ）辐射通量；（C ）辐射强度；（D ）辐射出射度。 3、从辐射通量与光通量之间的换算关系可知，1W=（A ）lm. （A ）683；（B ）386；（C ）836；（D ）638。 4、绝对黑体的温度决定了它的辐射光谱分布，随着温度T 的升高，峰值波长将（A ）。（A ）向短波方向移动；（B ）向长波方向移动；（C ）不移动；（D ）随机移动。 5、日光灯是一种低压汞灯，发出波长为（ B ）nm 紫外光源，再激发荧光粉发了可见光。（A ）283.7；（B ）253.7；（C ）353.7；（D ）333.7。 6、激光器的构成一般由（A ）组成。（A ）激励能源、谐振腔和工作物质（B ）固体激光器、液体激光器和气体激光器（C ）半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料（D ）电子、载流子和光子 7、热释电器件是由TGS 、LiTaO 3等热电晶体材料组成的，但不论哪种材料，都有一个特定温度，称居里温度。只有（ C ）居里温度，材料才有自发极化性质。题号一二三四五六总分得分题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案试卷编号得分 m

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

五邑大学模电2011-2012(2)模拟电子技术基础A(答案)

命题人：项华珍审批人：试卷分类（A 卷或B 卷） A 五邑大学试卷答案学期： 2011 至 2012 学年度第二学期课程：模拟电子技术课程代号： 005A1670 使用班级：信息工程学院2010级姓名：标准答案学号：一、选择题（20分）（每空2分）1、功率放大电路负载上所获得的功率来源于（ C ）。 A ．输入信号 B ．功放管 C ．直流电源 2、运放中采用有源负载，是为了（ B ）。 A ．提高输入电阻 B ．增大电压放大倍数 C ．减小输入电阻 3、电压比较器工作在运放输出特性的（ B ）。 A ．线性区 B ．非线性区 C ．截止区 4、理想运放在深度负反馈时工作于线性区，具有虚断、虚短特性，表现为（ C ）。 A ．-+=i i 、-+=u u B ．-+=i i 、0==-+u u C ．0==-+i i 、-+=u u 5、为了抑制直接耦合时的零点漂移，集成运算放大的输入级一般采用（ A ）。 A ．差分放大电路 B ．其集电极电路 C ．共发射极电路 6、场效应管的输出漏极电流受输入栅源电压的控制，故其为（ A ）。 A ．电压控制器件 B ．电流控制器件 C ．电阻控制器件 7、由NPN 管组成的单级共射放大电路中，当静态工作点过高时，首先出现（ A ）。 A ．饱和失真 B ．截止失真 C ．线性失真 8、共集电路常常作为多级放大电路的输出级，是因为其（ A ）。 A ．输出电阻小 B ．输出电阻大 C ．输入电阻大 9、双极性三极管作为恒流源使用时，管子工作在输出特性的（ A ）。 A ．放大区 B ．饱和区 C ．截止区 10、双极性三极管的温度特性差，是因为（ A ）浓度受温度影响。

五邑大学单片机试卷

单片机二五邑大学信息学院一、填空题(30分)（每空1分） 1）8051系列单片机中，片内数据存储区一共分为3个区，这3个区分别为：；；。2）8K╳8位的存储器共有地址线根。 3）3 — 8译码器74LS138在全译码寻址方式中，译码器的输出端通常与单片机接口芯片的端连接。 4）当单片机接到外设的中断申请时，单片机响应中断，单片机将暂停的执行，转去执行程序，执行完，再执行程序。 5）8051单片机的中断源有：，，，，。 6) 单片机P0口为总线和总线的复用端口，74LS373与P0口连接，其输出线作为系统的，74LS373的G端与单片机连接。 7) 当单片机接到外设的中断申请时，单片机响应中断，单片机将暂停执行，转去执行程序，执行完，再执行程序。 8) 已知程序执行前有A=01H，SP=52H，（51H）=FFH，(52H)=FFH。下述程序执行后： POP DPH POP DPL MOV DPTR,#3000H RL A MOV B,A MOVC A,@A+DPTR PUSH A

MOV A,B INC A MOVC A,@A+DPTR PUSH A RET ORG 3000H DB 10H,80H,30H,80H,50H,80H 请问：A=（），SP=（），（51H）=（），（52H）=（），PC=（）。 9) 如果DPTR=507BH，SP=32H，（30H）=50H，（31H）=5FH，（32H）=3CH，则执行下列指令后： POP DPH POP DPL POP SP 则：DPH=（），DPL=（），SP=（） 10) 假定A=83H，（R0）=17H，（17H）=34H，执行以下指令： ANL A,#17H ORL 17H,A XRL A,@R0 CPL A 后，A的内容为（）。二、简答题(20分) 1）单片机的复位（RST）操作有几种方法，复位功能的主要作用。（5分） 2）编制中断服务程序时，为什么在主程序的初始化程序中，必须设置 SETB EA 这条指令，以及在中断服务程序中为什么通常需要保护现场和恢复现场？ 3）中断服务子程序返回指令RETI和普通子程序返回指令RET有什么区别？三、判断下列指令的正误：（10分） 1）MOV 28H,@R2 （）2）DEC DPTR （） 3）INC DPTR （） 4）MOV C,30H （）

五邑大学模电2010-2011(2)模拟电子技术基础A(答案)

命题人：徐秀平审核人：试卷分类（A 卷或B 卷） A 五邑大学试卷（答案）学期： 2010 至 2011 学年度第二学期课程：模拟电子技术基础课程代号： 005A1670 使用班级：信息工程学院09级姓名：学号：选择题 (共8分) 1 半导体二极管若看做一个电阻，则具有（B ）。 A ．线性 B. 非线性 C 恒流性 D 恒压性 2. 若测得晶体三极管在放大电路中的三个极的电位为V B =1.2V ，V E =0.9V ，V C =6V ，则晶体三极管处于（ C ）工作状态 A. 饱和 B. 截止 C.放大 D. 击穿 3. 今测得晶体三极管3个电极的电流为I 1 =2mA ，I 2 =–0.02mA ，I 3 =–1.98mA ，如图1–1所示，则此三极管的三个电极为（ D ）。 A. （b ，c ，e ；NPN ） B. （c ，b ，e ；PNP ） C.（e ，c ，b ；NPN ） D. （e ，b ，c ；PNP ） 4. 为了抑制直接耦合多级放大电路的零点漂移，一般在输入级采用（ C ）。 A ．共发射极放大电路 B ．射极输出器 C ．差分放大电路 D ．功率放大电路 5. 甲乙类互补对称功率放大电路的静态工作点是在功放管输出特性的（ D ）。 A. 饱和区 B. 放大区 C 截止区 D. 放大区但靠近截止区 6. 为了减小放大电路从信号源索取电流，一般引入（ C ）负反馈电路。 A. 电压 B. 电流 C. 串联 D. 并联 7. RC 文氏桥正弦波振荡电路是利用电阻和电容组成（ C ）的振荡电路。 A. 放大电路 B. 负反馈电路 C. 选频网络 D. 稳幅网络 8.整流电路如图1–2所示, 设变压器副边电压有效值为u 2，若二极管D 2开路，则输出电压平均值为U o 为（ C ）。 1 -1图3

五邑大学计算机组成原理试卷(2017-2018-1)B

五邑大学试卷B参考答案及评分标准学期： 2017 至 2018学年度第 1 学期课程：计算机组成原理课程代号： 0800200 使用班级:160801-809,170810-812 一、单项选择题(20分, 每小题2分) 1. 定点32位字长的字，采用补码形式表示时，一个字所能表示的小数范围是C。 A．0 ~ +(1-2-31) B．-(1-2-31) ~ +1 C．-1~ +(1-2-31) D．- (1-2-31) ~ +(1-2-31) 2. 在定点二进制补码运算中，采用单符号判别法，当B产生上溢出。 A.最高位的进位和次高位的进位为00 B.最高位的进位和次高位的进位为01 C.最高位的进位和次高位的进位为11 D.最高位的进位和次高位的进位为10 3. 定点二进制运算其中，减法运算一般通过D来实现。 A.原码运算的二进制减法器 B.补码运算的二进制减法器 C.补码运算的十进制加法器 D.补码运算的二进制加法器 4. 在多级存储体系中，“cache—主存”结构的作用是解决 D 的问题。 A．主存容量不足B．主存与辅存速度不匹配 C．辅存与CPU速度不匹配D．主存与CPU速度不匹配 5. SRAM芯片，存储容量为32K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为 A 。 A．15，16 B．16，16 C．32，16 D．16，32 6. 在cache的映射方式中不需要替换策略的是__B__。 A．全相联映射方式B．直接映射方式 C．组相联映射方式D．全相联映射方式和组相联映射方式 7. 立即寻址方式的数据在 A 中。 A.指令 B.存储器单元 C.寄存器 D.ALU 8．微程序控制器中，机器指令与微指令的关系是 B 。 A．每一条机器指令由一条微指令来执行 B．每一条机器指令由一段微程序来解释执行 C．每一条微指令由机器指令来解释执行 D．每一段机器指令组成的程序可由一条微指令来执行 9．改变程序执行顺序，是靠改变D的内容来实现的。

五邑大学数电第4次课前作业答案

第2章逻辑门电路习题 2-3-1 如图所示，试说明怎样将与非门、或非门、异或门当做反相器使用？各输入端应如何连接？如下图所示 2-3-3 已知图中的门电路为74系列TTL门电路，试指出各门电路的输出是什么状态（高电平、低电平、高阻态）? Y1为低电平；Y2为高电平；Y3为高电平；Y4为低电平；Y5为低电平；Y6为高阻态；Y7为高电平；Y8为低电平；

2-2-4在图题所示的TTL 门电路中，要求实现下列规定的逻辑功能时，其连接有无错误？如有错误请改正。 Y=AB 答案解：（a ）有错误。普通门电路不允许输出端直接相连，应将图中的逻辑门改为O C 门。（b ）正确。图中第二个门是同或门，同或表达式：。当同或门一端接 V CC 时，相当于输入1，这时输出信号与另一输入信号是相等的。由下图可见，它可以实现。（c ）有错误。正确的连接请见图解。（d ）有错误。正确的连接请见图解。 2-3-5 图所示，已知OC 门G 1~G 3输出高电平时集电极开路三极管的漏电流最大值为I OH （max ） =0.25mA ；低电平最大输出电流I OL （max ）=16mA 。门电路G 4~G 6的高电平输入电流最大值为I IH （max ）=40μA ，低电平输入电流最大值I OL （max ）=-1.6mA 。要求OC 门输出的高、低电平满足V OH ≥3.6V 、V OL ≤0.2V 。试计算当V CC =5V 时外接电阻R P 的取值范围。 A Y B A Y B

参考答案： Ω>>Ω4294.1P R K 2-3-6电路如图题所示，试用表格方式列出各门电路的名称，输出逻辑表达式以及当ABCD=1001时，各输出函数的值。答案解答见表解。

五邑大学试卷-C语言程序设计-信息学院各专业-B卷1教学文案

五邑大学试卷-C语言程序设计-信息学院各专业-B卷1

选择题（30%：15小题，每小题2分） 1. 在一个C程序中（）。 A） main函数必须出现在所有函数之前 B） main函数可以在任何地方出现 C） main函数必须出现在所有函数之后 D） main函数必须出现在固定位置 2. C语言中最基本的数据类型包括( )。 A）整型、浮点型、逻辑型 B）整型、浮点型、字符型 C）整型、字符型、逻辑型 D）整型、浮点型、逻辑型、字符型 3. 以下二维数组 a 的正确说明是 ( )。 A） int a[1,1]; B） float a(3,4); C） double a[2][4]; D） float a(3)(4); 4. 设有：int a=2,b=3,c=7,d=8,m=3,n=3; 执行 (m=a>b)&&(n=c>d) 后的 n 值为（）。 A） 0 B） 1 C ） 2 D） 3 5. 一般情况下，C语言是以（）表示运算结果为逻辑真。 A） F B） T C） 1 D） 0 6. 设a、b和c都是int型变量，且a=3,b=4,c=5;则以下的表达式中，值为0的表达式是( )。 A） a&&b B） a<=b C） a||b+c&&b-c D） !((a

8. int *p1,*p2; 以下表达式错误的是 ( )。 A） p1+p2 B） p1-p2 C） p1=p2 D） p1= =p2 9. 设有如下定义： struct sk { int a; float b; }data; int *p; 若要使p指向data中的a域，正确的赋值语句是 ( )。 A） p=&a; B） p=data.a; C） p=&data.a; D） *p=data.a; 10. 下面各项中，含有错误的是（）。 A） char s[10]; s="program"; B）char s[ ]={ 'p ', 'r ', 'o ', 'g ', 'r ', 'a ', 'm', '\0'}; C ) char s[10] ="program"; D）char s[10]={"program"}; 11. while(leap) 和下列哪个等价？（） A） while (0) B） while (5) C） while (leap= =0) D） while (leap!=0) 12. 有以下程序： main() { int i,t[][3]={9,8,7,6,5,4,3,2,1}; printf("%d",t[2][1]);

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri 6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。 A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1 、rbe1，V2的b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。