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华科电力电子技术本科生期末考试试卷

华科电力电子技术本科生期末考试试卷
华科电力电子技术本科生期末考试试卷

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

《电力电子技术(本科)》模拟题问答题答案

第 1 页 共 1 页(电力电子技术(本科)) 《电力电子技术(本科)》模拟题问答题答案 1.产生有源逆变的条件是什么? 答:逆变电路必须同时具备下述两个条件才能产生有源逆变: (1)变流电路直流侧应具有能提供逆变能量的直流电源电势Ed ,其极性应与晶闸管的导流电流方向一致。 (2)变流电路输出的直流平均电压Ud 的极性必须为负(相对于整流时定义的极性),以保证与直流电源电势Ed 构成同极性相连,并且满足Ud

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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广东技术师范学院电力电子技术期末考试B卷附答案

广东技术师范学院 全日制本科生课程考试试卷 科 目:电力电子技术 (B )卷 (参考答案及评分标准) 一、选择题(本大题共10小题,每小题2分,共20分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将 工作在 。 ( B ) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.开关状态 2. 大功率晶体管的文字符号是 。 ( B ) A. GTO B.GTR C.P-MOSFET D. IGBT 3.下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是 。( C ) A. GTO 和SCR B.GTR 和电力二极管 C.GTR 和IGBT D. IGBT 和SCR 4.单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时,晶闸管承受正向电压的 最大值为 。 ( B ) A. 2U 22 1 B.2U 2 C.2U 22 D.2U 6 5. 关于有源逆变的条件,表述正确的是 。 ( B ) A 要求晶闸管的控制角 小于90度,使Ud 为正值

B.要求晶闸管的控制角α大于90度,使Ud为负值 C.要求晶闸管的控制角α大于60度,使Ud为正值 D.要求晶闸管的控制角α大于30度,使Ud为正值 6.升压斩波电路能使输出电压高于电源电压的关键原因是电容C的 电压保持和。( B ) A. VD的单相导电 B. 电感L储能泵升 C. 电感L“通直阻交”性 D. 电容C的电压保持 7.斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是。( D ) A.电力二极管 B. 机械式开关 C.半控型器件 D. 全控型器件 8.一交流单相晶闸管调压器用作控制从220V交流电源送至电阻为3Ω,感抗为3Ω的串联负载电路的电压,则稳态时控制角移相范围是。( B ) A. 00~1800 B. 300~1800 C. 450~1800 D. 600~1800 9.整流电路是。( A ) A.AC/DC变换器 B.DC/AC变换器 C.AC/AC变换器 D.DC/DC变换器 10.电流型逆变器,交流侧电流波形为。( A ) A.矩形波B.锯齿波C.梯形波D.正弦波 二、填空题(本大题共8小题,每小题2分,共16分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1.晶闸管是三端器件,三个引出电极分别是阳极、__ 阴___极和门极。 2.单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的目的 是为了防止失控现象的产生。 3.要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用宽脉冲触发;二是用双脉冲触发。 4.交交变频电路中的相控整流电路是工作在整流状态还是逆变状态,则是由输出电流方向和输出电压方向的异同决定。 5.在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组整流状态、正组逆变状态、反组整流状态、反组

电力电子技术考试试题

电力电子技术考试试题

华南农业大学期末考试试卷(A卷) 学号姓名年级专业 题号一二三四总分 得分 评阅人 一、填空题(每题2分,共20分) 1.电压驱动型电力电子器件有,电流驱动型电力电子器件有。2.全控型电力电子器件有,半控型电力电子器件有,不控型电力电子器件有。 3.晶闸管的额定参数有电压定额、电流定额等,其中电流定额参数包括通态平均电流和、、浪涌电流等。 4.缓冲电路又称吸收电路其作用是抑制电力电子器件的 、,以减小器件的开关损耗。 5.单相半波可控整流电流带电阻性负载,其触发角的移相范围是; 由于其输出脉动大,变压器二次侧电流中含有直流成分,造成变压器铁心的,所以在实际中很少使用。 6.单相桥式可控整流电路带阻感性负载(电感足够大),其触发角的移相范围是;此时晶闸管的导通角是。7.采用单相桥式半控型整流电路可能会发生现象,

可以采用 加以解决。 8. 确定最小逆变角的依据是min βδγθ'=++,其中δ表示 ,γ表示 , θ'表示安全裕量角。 9. 斩波电路近似计算公式是在负载电流连续的情况下得到的,一般要求负载 较重或者 。 10. 横向换流三相桥式逆变电路,每个晶闸管的导通角度是 ; 纵向换流三相桥式逆变电路,每个晶闸管的导通角度是 。 二、 判断题 (每题1分,10题共10分,对√、错×) 1. 电力系统中整流二极管一般是硅管。 ( ) 2. GTR 集电极的电压升高后出现雪崩击穿即一次击穿后,如果集电极电流不 超过最大允许耗散功率时对应的限度,GTR 一般不会损坏。 ( ) 3. 晶闸管的串并联一般需要考虑均压和均流问题,对静态和动态的均压和均 流解决方法是相同的。 ( ) 4. 漏感造成的换相重叠角对系统总是不利的,应尽量减小或消除。 ( ) 5. 大功率直流可逆电机晶闸管调速系统四象限运行一般采用两组变流桥反并 联电路的连接方式。 ( ) 6. 三相半波可控整流电路采用共阴接法和共阳接法,其A 、B 相的自然换相点 相差120度。 ( ) 7. 交流调功电路和交流调压电路的控制方法相同。 ( ) 8. 用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,减少 其谐波分量。 ( ) 9. 面积等效原理是PWM 控制技术的理论基础。 ( ) 10. PWM 整流电路可以实现静止无功功率发生器的功

2020年成人本科电气工程及自动化专业考试真题

电气工程及自动化: 电气工程及其自动化涉及电力电子技术,计算机技术,电机电器 技术信息与网络控制技术,机电一体化技术等诸多领域,是一门综合性较强的学科,其主要特点是强弱电结合,机电结合,软硬件结合, 电工技术与电子技术相结合,元件与系统相结合,使学生获得电工电子、系统控制、电气控制、电力系统自动化、电气自动化装置及计算 机应用技术等领域的基本技能。 该专业培养具有工程技术基础知识和相应的电气工程专业知识, 具有解决电气工程技术分析与控制问题基本能力的高级工程技术人 才。电气工程及其自动化专业是为各行各业培养能够从事电气工程及 其自动化、计算机技术应用、经济管理等领域工作的宽口径、复合型 的高级工程技术人才。 考试试题模拟: 填空题 1、安全工作规程是中规定:设备对地电压高于250V 为高电压;在250V 以下为低电压;安全电压为36V 以下;安全电流为10mA 以下。 2、值班人员因工作需要移开遮栏进行工作,要求的安全距离是 10k V 时0.7 m ,35k V 时 1.0 m ,110k V 时 1.5 m ,220k V 时 3.0 m 。 3、雷雨天气需要巡视室外高压设备时,应穿绝缘靴,并不得接近避雷器、避雷针和接地装置。

4、遇有电气设备着火时,应立即将该设备的电源切断,然后进行灭火。 5、值班运行工的常用工具有钢丝钳、螺丝刀、电工刀、活板手、尖嘴钳、电烙铁和低压试电笔等。 6、在变压器的图形符号中Y 表示三相线圈星形连接。 7、变电站(所)控制室内信号一般分为电压信号;电流信号;电阻信号。 8、在带电设备周围严禁使用皮尺、线尺、金属尺和进行测量工作。 9、带电设备着火时应使用干粉、1211 、二氧化碳灭火器, 不得使用泡沫灭火器灭火。 10 、变电站(所)常用直流电源有蓄电池、硅整流、电容储能。 11 、变电站(所)事故照明必须是独立电源,与常用照明回路不能混接。 12 、高压断路器或隔离开关的拉合操作术语应是拉开、合上。 13 、继电保护装置和自动装置的投解操作术语应是投入、解除。 14 、验电装拆接地线的操作术语是装设、拆除。 15 、每张操作票只能填写一个操作任务,每操作一项,做一个 记号“√”。 16 、已执行的操作票注明“已执行”。作废的操作应注明“作

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电力电子技术期末考试试题及答案.

保护电路 控的器件中,容量最大的是 1.电阻负载的特点是 _电压和电流成正比且波形相同 _,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 a 的最大移相范围是 0-180 2.阻感负载的特点是 流过电感的电流不能突变 ,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中, 晶闸管控制角 a 的最大移相范围是 3.单相桥式全控整流电路中, 带纯电阻负载时,a 角移相范围为 0-180°,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 _岛丄/2_和_/2丄; __购2_和_血2=;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 J 电力电子器件一般工作在 —开关— 状态。 冬在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 —通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为 —开关损耗—。 3. 电力电子器件组成的系统,一般由 —控制电路__、_驱动电路_、 _主电路—三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为 一单极型器件_、—双极型器件_、一复合型器件_三类。 L 电力二极管的工作特性可概括为 —承受正向电压导通,承受反相电压截止 _。 匚电力二极管的主要类型有 一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。7_肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极管的开关损耗。 二晶闸管的基本工作特性可概括为 —正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止 —。 生对同一晶闸管,维持电流 IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL__大于—IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为,UDSM 大于—Uba 丄逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 生GTO 勺__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET 勺漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区_、前者的饱和 区对应后者的 — 放大区__、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区—。 14. 电力MOSFET 勺通态电阻具有—正—温度系数。 15J GBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降—,开关速度—小于—电力MOSFET 。 生按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型_和一电流驱动型_两类。 17J GBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 —负―温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有 —正―温度系数。 生在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR 、门极可关断晶闸管(GTO 、电力晶体管(GTR 、电力场效应管(电力 MOSFE )、绝缘栅 双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是 _电力二极管—,属于半控型器件的是—晶闸管_,属于全控型器件的是 _GTO 、GTR 、电力MOSFET IGBT _; 属于单极型电力电子器件的有 _电力 MOSFET 亠属于双极型器件的有 _电力二极管、晶闸管、 GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 —IGBT _;在可 _晶闸管_,工作频率最高的是 _电力MOSFET 属于电压驱动的是 电力MOSFET IGBT _,属于电流驱动的是 _晶闸管、GTO 、GTR 。 第2章整流电路 _,其承受的最大正反向电压均为 =屈2 —,续流二极管承受的最大反向电压为 _卮2_ (设U 2为相电压有效值)。 带阻感负载时,a 角移相范围为 0-90°,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个 平波电抗器。 4. _单相全控桥反电动势负载电路中, 当控制角a 大于不导电角 时,晶闸管的导通角 =_n- a- _; 当控制角 小于不导电角 时,晶闸管的导通角 =_ n-2 _o L 电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于_J2U 2_,晶闸管控制角 a 的最大移相范围是_0-150°,使负载电流连 续的条件为__ 30o __(U2为相电压有效值)。 L 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120°,当它带阻感负载时, 的移相范围为 0-90°。 乙三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中, 共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 一最高_的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是 —最低 — 的相电压;这种电路 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_ 60o _。 L 对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值 一下降_。 0-180 O

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷 一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时,_________损 耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________ 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。 4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是 _____________,应用最为广泛的是___________。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压 为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。 8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电 流的通路为_______; 1文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术期末考试试题及答案 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在开关状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。 9.对同一晶闸管,维持电流与擎住电流在数值大小上有大于。 10.晶闸管断态不重复电压与转折电压数值大小上应为,大于。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13的漏极伏安特性中的三个区域与共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的_饱和区。 14.电力的通态电阻具有正温度系数。 15的开启电压()随温度升高而_略有下降,开关速度小于电力。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。17的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。 18.在如下器件:电力二极管()、晶闸管()、门极可关断晶闸管()、电力晶体管()、电力场效应管(电力)、绝缘栅双极型晶体管()中,属于不可控器件的是_电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管_,属于全控型器件的是_、、电力、_;属于单极型电力电子器件的有_电力_,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、、_,属于复合型电力电子器件得有_;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力,属于电压驱动的是电力、_,属于电流驱动的是_晶闸管、、_。 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围

电力电子技术教学大纲

《电力电子技术》课程教学大纲 Technology of Power Electronic 课程负责人:高艳玲执笔人: 高艳玲编写日期:2012年2月 一、课程基本信息 1.课程编号:L08111 2.学分:3.5学分 3.学时:56(理论44,实验12) 4.适用专业:电气工程及其自动化专业、自动化专业 二、课程教学目标及学生应达到的能力 本课程属电气工程及其自动化、自动化等相关专业必修的专业基础课程,是一门理论分析与实践性很强的课程。在培养计划中列为必修课程。 本课程的教学任务是使学生掌握电力电子器件结构、原理及其特性,掌握典型线路的工作原理分析和波形分析的方法,掌握基本实验的调试方法等内容。 本课程的教学目标是使学生掌握电力电子技术的基本原理、基本概念、基本实验技能,了解该领域出现的新理论、新技术、新方法、新设备,毕业后为从事本专业范围内的科研和电力相关工作奠定基础。 三、课程教学内容与基本要求 (一)绪论(2课时) 主要内容:电力电子技术的发展史、电力电子技术的分类;本课程的教与学的方法,即学习本课程的方法与技巧。 1. 基本要求 (1)掌握电力电子技术的概念,电力电子技术在电力领域的作用。 (2)理解电力电子器件、电力电子电路、控制技术之间的关系。 (3)理解电力电子技术的发展史及发展趋势。 (4)了解本课程的教学方法,掌握学习本课程的方法。 2. 学时分配 课堂教学2学时,其中,电力电子技术的基本概念、电力变换电路的种类、电力电子技术的发展史、电力电子技术的应用(100分钟);对电力电子技术的基本要求(10分钟);电力电子技术的教学方法(10分钟)。 (二)电力电子器件(6课时) 主要内容:电力电子器件概述;不可控器件、半控器件、典型全控器件的构造与原理、特性、主要参数; 1. 基本要求 (1)掌握晶闸管的构造、开通关断的原理、参数的定义方法及计算方法。 (2)掌握三GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT、及其它新型电力电子器件的多元集成结构、符号、特性。 2. 学时分配 课堂教学6学时,其中,电力电子器件概述、不可控器件—电力二极管(2学时);半

(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

电 力 电 子 复 习 姓名:杨少航

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可

电力电子技术考试试题(doc 8页)

一、填空题(11 小题,每空0.5分,共 22 分) 1、电力电子学是 由、和交叉而形成的边缘学科。 2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类; 1) 的电力电子器件被称为半控型器件,这类器件主要是指 及其大部分派生器件。 2) 的电力电子器件被称为全控型器件,这类器件品种很多,目前常用的有和。 3) 的电力电子器件被称为不可控器件,如。 3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义,在空格处填写该参数的名称。 4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,在中小功率领域应用最为广泛的是___________。 5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节,一般采用光隔离,例如;或磁隔离,例如 。 6、缓冲电路又称为吸收电路,缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。其中缓冲电路又称为du/dt 抑制电路,用于吸收器件的过电压。缓冲电路又称为di/dt抑制电路,用于抑制器件时的电流过冲和di/dt,减小器件的损耗。

7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路,当负载分别为电阻负载和电感负载时,晶闸管的控制角移相范围分别是多少(用角度表示,如0°~180°)? 8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中,当控制角α大于停止导电角δ时,晶闸管的导通角θ=_____________。当控制角α小于停止导电角δ时,且采用宽脉冲触发,则晶闸管的导通角θ=_____________。 9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多,因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。换流方式可分以下四种:,, ,。 10、正弦脉宽调制(SPWM)技术运用于电压型逆变电路中,改变_可改变逆变器输出电压幅值;改变 _ _可改变逆变器输出电压频率;改变 _ _可改变开关管的工作频率。 11、在SPWM控制电路中,根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制可分为与_______ _两种类型,采用_______ _调制可以综合二者的优点。 二、选择题(5 小题,每空0.5分,共3分) 1、晶闸管稳定导通的条件() A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压700V,则该晶闸管的额定电压是() A 500V B 600V C 700V D1200V 3、()存在二次击穿问题。 A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET E. IGBT 4、下图所示的是()的理想驱动信号波形。 A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET E. IGBT

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