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河南科技大学电子技术习题第二章答案

第二章集成运算放大电路及应用习题

一、填空题

1.衡量放大器的零点漂移是否严重要用等效输入零点漂移电压来衡量漂移的大小。

2.正弦波信号发生器发生自激振荡的条件包括相位条件 2A F n ??π+=±，幅值条件 1U A F = 。

3.理想运算放大器的输入电阻R i 可视为① 无穷大，输出电阻R O 可视为②

零，开环电压放大倍数可视为③ 无穷大。

4. 集成运算放大器线性应用时电路分析的特点是虚短u+=u-，虚断i+=i-=0。

5.射极输出器电路引入了电压串联负反馈。

二、选择题

1.下列四个信号，（ A ）属于差模信号。

A . +2mV ，-2mV

B .+4mV ，-2mV

C .+5mV ，+1mV

D .+2mV ，+2mV

2.要使放大电路输出电压稳定，输入电阻提高，应在电路中选用（ A ）负反

馈。

A .电压串联

B .电流串联

C .电压并联

D .电流并联

3.差动放大电路对差模信号的放大倍数Ad=100，对共模信号的放大倍数

Ac=0.1，则该电路的共模抑制比为（ B ）。

A .100

B .1000

C .20db

D .30db

4.运算放大器“虚短”的概念适用于（ B ）。

A .运算放大器工作在非线性区时

B .运算放大器工作在线性区时

C .运算放大器工作在饱和区时

D .任何情况下均可以应用

5.图2-1所示双向稳压器的稳定电压为±U Z ，且U Z 的值小于运放的饱和电压

U O (sat)，当u i >u R 时，u O 等于( C )。

A .零

B .+U Z

C .–U Z

D .+U O (sat)

图2-1

6.图2-2所示两级运放电路中引入了( B )交流负反馈。

图2-2

A . 电压串联

B . 电压并联

C . 电流串联

D . 电流并联

7.理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是（ B ）。

A .同相端和反相端的输入电流相等而相位相反

B .运放的输入电阻接近无穷大

C .运放的开环电压放大倍数接近无穷大

D .运放的共模抑制比很大

8.一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为A U ，反馈系数为F ，起振时要保证（ A ）。

A .||1u A F >

B .||1u A F <

C .||1u A F =

D .||0u A F =

9.桥式RC 正弦波振荡器的振荡频率取决于（ D ）。

A .放大器开环电压放大倍数的大小

B .由输入信号的频率决定

C .反馈电路中的反馈系数F 的大小

D .选频电路中R 、C 的大小

10.直接耦合放大电路中，采用差分放大电路结构的主要目的是（ D ）。

A .提高电压放大倍数

B .提高带负载能力

C .提高输入电阻

D .抑制零点漂移

11.振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压，是依靠了振荡器中的( A )。

A .选频环节

B .正反馈环节

C .基本放大电路环节

D .稳幅环节

12．关于阻容耦合放大电路和直接耦合放大电路，下列说法错误的是（ C ）。

A .阻容耦合放大电路只能用于放大交流信号

B .阻容耦合多级放大电路的静态工作点互不影响

C .直接耦合放大电路不能放大直流信号

D .直接耦合放大电路中存在零点漂移

三、计算题

1．分别求解图2-3所示各电路中输入输出信号的运算关系。

图2-3(a)

图2-3(b)

解：(a)两级运放均为反相比例运算电路

311

o i R u u R =- 211o o o R u u u R =-=- 3211111

22o o o o o o i R u u u u u u u R =-=--=-= (b)

112o i i o u u u u R R

--=

222o i i u u u R R

-= 整理以上两式可得 122()o i i u u u =-

2．图2-4所示电路中运放A1、A2各组成何种电路，写出u o 、u o1与u i1、u i2的关系表达式，若u i1=1V ，u i2=2V ，运放U OM =12V ，定性画出u o 的变化曲线。

图2-4

解：A1组成减法电路；A2组成积分电路。

11221202020(1)22101030

o i i i i u u u u u =-++?=- 136110101010o o u u dt -=-????

2110(22)i i u u dt =--? 设积分时间为t m ，则

2110(22)20o i i u u u dt t =--=-?

0.620

oM m U t s ==

3．图2-5所示电路中运放A1、A2各组成何种电路，写出u o1、u o 与u i1、u i2的关系表达式。R F = 20k Ω，R 1=20k Ω，R 2=10k Ω， R 3=10K Ω，C=1μF ，根据u i1、u i2波形画出u o1、u o 的波形。

图2-5

解： A 1为反相加法电路，A 2积分电路。

1121212122020()()22010

F F o i i i i i i R R u u u u u u u R R =-+=-?+?=-- 11236311(2)101010o o i i u u dt u u dt R C -=-=---????

12100(2)i i u u dt =+?

010t ms ≤≤时，01004400t

o u dt t ==? t=10ms 时，340040010104o u t V -==??=

1020ms t ms ≤≤时，31010100(4)48400t

o u dt V t -?=-+=-?

t=20ms 时，38400840020100o u t V -=-=-??=

u o 的变化曲线如下图所示

4．图2-6为反相输入式电平检测器，它可以用来判断信号电平是大于还是小于某一值。图中的双向稳压管D 的稳压值U Z = ±6V 。已知u i 的波形如图b 所示。试画出与其对应的u o 波形。

(a) (b)

图2-6

解：2i u V >时6o Z u U V =-=-

2i u V <时6o Z u U V ==

电子技术基础复习题及答案最新版本

电子技术基础一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C；(B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（）（A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变；（C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）（A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）（A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）（A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为（）

电子技术习题集-答案

第2章习题 2.1.1如右下图所示电路中，E12V =， D为硅二极管，R10K =Ω，则二极管D和和电阻R上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？解：二极管正偏导通: D U0.7V ≈; R U120.711.3V =-= D R 11.3 I I 1.13mA 10 === 2.1.2 在下图中的各电路图中， i u12sin tω =V，二极管D的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压 o u 的波形。（a）（b）（c）解： 2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a）和（b）中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压 AB U。设二极管是理想的。 (a) (b) 解：(a) D导通， AB U6V =-；（b）D1导通，D2截止； AB U0V =；

2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压 Z U6V =，输入电压 i u12sin tω =V，画出输出电压 o u波形图。解： 2.2.2在下图所示的(a)和（b）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。解：（a）由于稳压管的击穿电压各不相同，击穿电压低的管子工作，而另一个不工作。 (b)可以串联连接，输出电压为两个稳压管稳压电压之和。 2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U14V =，波动范围10% ±；稳压管的稳定电压 Z U6V =，稳定电流 Z I5mA =，最大耗散功率 ZM P180mW =；限流电阻R200Ω =；输出电流 o I20mA =。（1）求I U变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？解：输入电压波动范围： Imin I U0.9U(0.914)V12.6V ==?= Imax I U 1.1U(1.114)V15.4V ==?=

电子技术基础习题答案(优.选)

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

电子技术试题及答案(

资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。只供学习与交流资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。只供学习与交流

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时，空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2) _______________________________________________ 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

电工电子技术课后答案

《电工电子技术》（第二版）节后学习检测解答第1章节后检验题解析第8页检验题解答： 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换；电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂，电路元件是理想的，电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向，但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说，某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出，因此在求解电路列写方程式时，各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向，方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时，参考方向下某电量前面取正号，即假定该电量的实际方向与参考方向一致，若参考方向下某电量前面取负号，则假定该电量的实际方向与参考方向相反；求解结果某电量为正值，说明该电量的实际方向与参考方向相同，求解结果某电量得负值，说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在，参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为：在图1-5中，五个二端元件分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的参考方向已标出，在参考方向下通过测量得到：I 1＝－ 2A ，I 2＝6A ，I 3＝4A ，U 1＝80V ，U 2＝－120V ，U 3＝ 30V 。试判断哪些元件是电源？哪些是负载？解析：I 1与U 1为非关联参考方向，因此P 1=－I 1×U 1=－（－2）×80=160W ，元件1获得正功率，说明元件1是负载；I 2与U 2为关联参考方向，因此P 2=I 2×U 2=6×（－120）=－720W ，元件2获得负功率，说明元件2是电源；I 3与U 3为关联参考方向，因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ，元件3获得正功率，说明元件3是负载。根据并联电路端电压相同可知，元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压，因此可得：U 4=40V ，左高右低；U 5=90V ，左低右高。则元件4上电压电流非关联，P 4=－40×（－2）=80W ，元件4是负载；元件5上电压电流关联，P 5=90×4=360W ，元件5是负载。验证：P ＋= P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P －= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率，符合功率平衡。第16页检验题解答： 1、电感元件的储能过程就是它建立磁场储存磁能的过程，由2/2L LI W =可知，其储能仅取决于通过电感元件的电流和电感量L ，与端电压无关，所以电感元件两端电压为零时，储能不一定为零。电容元件的储能过程是它充电建立极间电场的过程，由2/2C CU W =可知，电容元件的储能只取决于加在电容元件两端的电压和电容量C ，与通过电容的电流无关，所以电容元件中通过的电流为零时，其储能不一定等于零。 2、此电感元件的直流等效电路模型是一个阻值等于12/3=4Ω的电阻元件。 3、根据dt di L u =L 可知，直流电路中通过电感元件中的电流恒定不变，因此电感元件两端无自感电压，有电流无电压类似于电路短路时的情况，由此得出电感元件在直流情况下相当于短路；根据图1-5检验题4电路图 U 3

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U PUp—

电子技术习题册答案

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2 第1章逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++＝

电工学电子技术课后答案第六版秦曾煌

第14章晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下： C B I I β≈ (1)E B C B I I I I β=+=+ C C B B I I I I ββ?= = ? 3．晶体管的特性曲线和三个工作区域（1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。此时，B I =0，C I =CEO I 。晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。 14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压D U =0.7V 。

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

电子技术习题册答案

第1章逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B )C =A (B C )⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ (1) A +A B C +A B C +C B +C B ( C A B B C BC BC A +=++++=)()1( 2) A B C +A BC +A B C +A B C A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y =A B C +B C +A B 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++=

(2) )( AB Y D C B C ABD +++＝ D C AB D C B D C AB D C B C D B D A D C B C AD B BD A D C B C ABD B A =+=+++++=+++++=++++=)() () ()( 4．根据下列各逻辑式，画出逻辑图。 ①Y=（A+B ）C ； ②Y=AB+BC ； ③Y=（A+B ）（A+C ）； 5．试对应输入波形画出下图中 Y 1 ~ Y 4 的波形。

6.如果“与”门的两个输入端中， A为信号输入端， B为控制端。设当控制端B=1和B=0两种状态时，输入信号端A的波形如图所示，试画出输出端Y的波形。如果A和B分别是“与非”门、“或”门、“或非”门的两个输入端，则输出端Y的波形又如何？总结上述四种门电路的控制作用。

第2章组合逻辑电路 1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式，列出真值表，然后说明逻辑功能。 AB Y B A B A Y =+=21 半加器真值表略 2.已知逻辑式B A AB Y +=： ①列出逻辑真值表，说明其逻辑功能； ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图； ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图； ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图； ③双2/4线译码器74LS139 有两个2-4线译码器

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第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）

数字电子技术课后答案

数字电子技术基础答案第1章自测题 1.1填空题 1. 100011.11 00110101.01110101 11110.01 1E.4 2. 4 3. n 2 4. 逻辑代数卡诺图 5.)(D C B A F += )(D C B A F +=' 6.))((C B D C B A F +++= 7. 代数法卡诺图 8. 1 1.2判断题 1. √ 2.√ 3. × 1.3选择题 1.B 2.C 3.C 1.4 A F =1⊙B AB F =2 B A F +=3 1.5 1.6 C L = 1.7 AB C B A BC Y ++= 习题 1.1 当000012=A A A ,7A 到3A 有1个不为0时，就可以被十进制8整除 1.2 (a)AC BC AB F ++=1 （b ）B A AB F +=2 (c)C B A S ⊕⊕= AC BC AB C ++=0 1.3略 1.4 (1) ）（B A D C F ++=)(1 ))((1B A D C F ++=' (2) ）（B A B A F ++=)(2 ))((2B A B A F ++=' (3) E D C B A F =3 DE C AB F =' 3

(4) )()(4D A B A C E A F +++=）（ ))()((4D A C AB E A F +++=' 1.5 C B A F ⊕⊕= 1.6 (1) B A C B C A L ++= (2) D B C B D C A L +++= (3) AD L = (4) E ABCD L = (5) 0=L 1.7 C B A BC A C AB ABC C B A L +++=),,( 1.8(1) ABD D A C F ++=1 (2) BC AB AC F ++=2 (3) C A B A B A F ++=3 (有多个答案) (4) C B D C AB C A CD F +++=4 (5) C B A ABD C B A D B A F +++=5 (6) 16=F 1.9 (1) AD D C B B A F ++=1 (2) B A AC F +=2 (3) D A D B C B F ++=3 (4) B C F +=4 1.10 (1) C A B F +=1 (2) B C F +=2 (3) D A B C F ++=3 (4) C B A D B D C F ++=4 1.11 C A B A D F ++= 1.12 (1) D B A D C A D C B F ++=1（多种答案） (2) C B BCD D C D B F +++=2 (3) C B C A D C F ++=3 (4) A B F +=4 (5) BD D B F +=5 (6) C B D A D C A F ++=6（多种答案） (7) C A D B F +=7（多种答案） (8) BC D B F +=8（多种答案） (9) B D C F +=9 1.13 略第2章自测题 2.1 判断题 1. √ 2. √ 3. × 4. √ 5. √ 6. √ 7. × 8. √ 9. × 10√ 2.2 选择题 1．A B 2．C D 3．A 4．B 5．B 6．A B D 7．C 8．A C D 9．A C D 10.B 习题 2.1解：ABC Y =1

数电电子技术基础习题答案册

习题答案第一章数制和码制 1. 数字信号和模拟信号各有什么特点？答：模拟信号一一量值的大小随时间变化是连续的。数字信号一一量值的大小随时间变化是离散的、突变的(存在一个最小数量单位△)。 2. 在数字系统中为什么要采用二进制？它有何优点？答：简单、状态数少，可以用二极管、三极管的开关状态来对应二进制的两个数。 3. 二进制：0、1;四进制：0、1、2、3;八进制：0、1、2、3、4、5、6、7;十六进制：0、1、2、 3、4、5、6、7、8、9、A、B、C、D、E、F。 4. (30.25)10=( 11110.01)2=( 1E.4)16。(3AB6) 16=( 0011101010110110)2=(35266)8。 (136.27)10=( 10001000.0100) 2=( 88.4) 16。 5. B E 6. ABCD 7. (432.B7) 16=( 010*********. 10110111) 2=(2062. 556) 8。 8. 二进制数的1和0代表一个事物的两种不同逻辑状态。 9. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数；符号位为1表示负数。这种表示法称为原码。 10. 正数的反码与原码相同，负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。 11. 正数的补码与原码相同，负数的补码即为它的反码在最低位加1形成。 12. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数；符号位为1表示负数。正数的反码、补码与原码相同，负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。负数的补码即为它的反码在最低位加1形成。补码再补是原码。 13. A:(+1011)2的反码、补码与原码均相同：01011; B: (-1101)2的原码为11101,反码为10010, 补码为10011. 14. A: (111011)2的符号位为1,该数为负数，反码为100100,补码为100101. B: (001010)2 的符号位为0,该数为正，故反码、补码与原码均相同：001010. 15. 两个用补码表示的二进制数相加时，和的符号位是将两个加数的符号位和来自最高有效数字位的进位相加，舍弃产生的进位得到的结果就是和的符号。+3的补码000011, +15的补码001111,和为010010; +9 的补码01001, -12 的补码10100,和11101. 16. (100001000) BCD= (108) D= (6C) H= (01101100) Bo 17. A 18. A 19. 常见的十进制代码有8421码，2421码，5211码，余3码，余3循环码；前3种码从左到右每一位的1分别用码的权值表示；余3码的权值为8、4、2、1;余3循环码相邻的两个代码之间仅有一位的状态不同。 20. 计算机键盘上的按键是ASCII 码。1000100 1011000 1011000 1011001. (参见教材P15表 1.5.3) 习题答案第二章逻辑代数基础 1. 二值逻辑是指只有两种对立逻辑状态的逻辑关系。如门的开、关等。二值逻辑中的正逻辑指有1表示高电平，开关闭合等有信号的状态，0表示低电平，开关断开等无信号状态；负逻辑则正好与正逻辑相反。 2. 见教材P22-23。 3. 正逻辑与、或、非运算的真值表：

电工电子技术试题(含答案)

一选择题： 1、理想二极管的反向电阻为（ B ）。 A 零 B 无穷大 C 约几百千欧 D 以上都不对 1.在换路瞬间，下列各项中除( B )不能跃变外，其他全可跃变。 (a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流 4.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ D ）。 (A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率 (C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗 5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压 V t u BC )180sin(2380-=ω，则相电压=C u （ D ）。 (a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω (c) V t )120sin(2380+ω （d ）2202sin(30)t ω+ 6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同 (f1>f2)的两电源下，此时线圈的磁通Φ1和Φ2 关系是( B )。 (a)Φ1 >Φ2 (b)Φ1<Φ2 (c)Φ1=Φ2 7.一负载电阻为RL ，经变压器接到内阻R0＝800Ω的电源上，变压器原、副绕组的额定电流为2A ／20A ，若使从变压器原绕组看进去的等效负载电阻RL ′＝R0时，则RL 等于（ B ）

(a) 0.8Ω (b) 8Ω (c) 80Ω (d) 800Ω k的电阻中通过2mA的电流，试问电阻两端的电压是（ D ）。 1、3Ω A、10V B、6mV C、1.5V D、6V 2、有一额定值为5W 500Ω的线绕电阻，其额定电流为（ D ）。 A、2500 B、100 C、1 D、0.1 3、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W，如将它接到110V 的电源上，则取用的功率为（ B ）W。 A、125 B、250 C、500 D、1000 1. 稳压管起稳压作用，是利用它的（ D ）。 A 正向特性 B 单向导电性 C 双向导电性 D 反向击穿特性 2.某一负载消耗的有功功率为300W，消耗的无功功率为400var，则该负载的视在功率为（ c ）。 (a)700VA (b)100VA (c)500VA 3.图右所示电路中P点电位为( a ) (a)5V (b)4V (c)3V (d)2V 2. 采用差分放大电路是为了（ B ） A 加强电路对称性 B 抑制零点漂移 C 增强放大倍数

电子技术复习题及答案

电子技术复习题一一、填空题 1、右图中二极管为理想器件，题1-1 V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。 16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。 17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器 3、某逻辑门的输入端A、B和输出端F的波形如下图所示，F与A、B的逻辑关系是：B A、与非 B、同或 C、异或 D、或 A B F

电工与电子技术课后答案

习题4 4-1 在题4-1图所示的电路中，电容元件原未储能。① 求开关S 闭合后瞬间各元件上的电压、电流的初始值；② 求开关S 闭合后电路达到稳定状态各元件上的电压、电流的值。解：①由于开关闭合前，电容元件未储能，故由换路定律可知，0)0()0(==- +C C u u 。开关闭合后，电容元件相当短路，其等效电路如题4-1图（a ）所示，则在+ =0t 时各电压、电流为 ② 开关 4-2 解: 4= ② 求稳态值： 4-3 在题4-3图所示电路中，已知Ω=101R ，Ω=202R ，Ω=103R ，F C μ25.0=。开关S 在1t 时刻接通，而在2t 时刻又断开。试分别求两次换路后的时间常数1τ和2τ。解：① 当开关S 在1t 时刻接通时，其时间常数为其中1O R 为从电容元件C 两端看进去的等效电源的内阻。由题4-3图（a ）的电路可得故 s 66 1101410 25.0--?=??=τ ② 当开关S 在2t 时刻由接通到断开后，其时间常数为其中2O R 为由题4-3图（b ）所求的等效电源的内阻，即题4-1图 +题4-2图题4-2图（a） - =02 3 题4-3图（b）

4-4 如题4-4图所示电路，开关S 闭合前电路已处于稳态。在0=t 时，将开关闭合。试求0≥t 时电压C u 和电流C i 、1i 及2i 。解：解一：三要素法在开关闭合前，电路已处于稳态，电容相当于断路，等效电路如题4-4图（a ）所示。则 V 3)0(=- C u 在开关闭合后，由换路定律得V 3)0()0(==-+C C u u 。在+ =0t 时，电容相当于恒压源，等效电路如题4-4(b)所示。则当开关闭合后达到稳定状态时，电容相当于断路，其等效电路如题4-4(c)所示。则 0)(=∞C u ，0)(=∞C i ，0)(1=∞i ，0)(2=∞i 电路的时间常数为其中O R 为从电容元件两端看进去的无源二端网络的等效电阻。由题4-4图（d ）的电路可得那么所求的各量为解二：根据三要素法求得V e 35 1067.1?-=C u 。在开关闭合后，用恒压源代替电容，如题4-4图（e ），其电压为C u 。则（负号说明所设的正方向和实际方向相反） 4-5 如题4-5图所示的RC 电路，电容元件无初始储能。① 0=t 时闭合开关S ，试求0≥t 后的C u 和电流C i ；② 求C u 增加到V 3时所需的时间t ；③ 当开关S 闭合后电路达到稳定状态，又将S 断开，试求S 断开后的电容电压C u 和电流C i 。解：① 在- =0t 时，电容元件无初始储能，即0)0(=-C u ，则根据换路定律在开关S 闭合后电路达到稳定状态，电容C 相当于断路，等效电路如题4-5图（a ）所示，则时间常数τ 其中O R 为题4-5图（b ）中等效电阻。 Ω K 3 O R

河南科技大学电子技术习题第二章答案

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