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M5450芯片

M5450M5451

LED DISPLAY DRIVERS

September 1993.M5450 34 OUTPUTS/15mA SINK .M5451 35 OUTPUTS/15mA SINK

.CURRENT GENERATOR OUTPUTS (NO EX-TERNAL RESISTORS REQUIRED)

.CONTINUOUS BRIGHTNESS CONTROL .SERIAL DATA INPUT .ENABLE (ON M5450)

.WIDE SUPPLY VOLTAGE OPERATION .TTL COMPATIBILITY

Application Examples :

.MICROPROCESSOR DISPLAYS .INDUSTRIAL CONTROL INDICATOR .RELAY DRIVER

INSTRUMENTATION READOUTS DESCRIPTION

The M5450 and M5451 are monolithic MOS inte-grated circuits produced with an N-channel silicon gate technology. They are available in 40-pin dual in-line plastic packages.

PIN CONNECTION

A single pin controls the LED display brightness by setting a reference current through a variable re-sistor connected to V DD or to a separate supply of 13.2V maximum.

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BLOCK DIAGRAM

(Figure 1)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

FUNCTIONAL DESCRIPTION

Both the M5450 and the M5451 are specially desi-gned to operate 4 or 5-digit alphanumeric displays with minimal interface with the display and the data source. Serial data transfer from the data source to the display driver is accomplished with 2 signals,serial data and clock. Using a format of a leading "1" followed by the 35 data bits allows data transfer without an additional load signal. The 35 data bits are latched after the 36th bit is complete, thus providing non-multiplexed, direct drive to the dis-play.

Outputs change only if the serial data bits differ from the previous time.

Display brightness is determined by control of the output current LED displays.

A 1nF capacitor should be connected to brightness control, pin 19, to prevent possible oscillations.A block diagram is shown in figure 1. For the M5450a DATA ENABLE is used instead of the 35th output.The DATA ENABLE input is a metal option for the M5450.

The output current is typically 20 times greater than the current into pin 19, which is set by an external variable resistor. There is an internal limiting resis-tor of 400? nominal value.

Figure 2 shows the input data format. A start bit of logical "1" precedes the 35 bits of data. At the 36th clock a LOAD signal is generated synchronously with the high state of the clock, which loads the 35bits of the shift registers into the latches.

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At the low state of the clock a RESET signal is generated which clears all the shift registers for the next set of data. The shift registers are static mas-ter-slave configurations. There is no clear for the master portion of the first shift register, thus allow-ing continuous operation.

There must be a complete set of 36 clocks or the shift registers will not clear.

When power is first applied to the chip an internal power ON reset signal is generated which resets all registers and all latches. The START bit and the first clock return the chip to its normal operation.Bit 1 is the first bit following the start bit and it will appear on Pin 18. A logical "1" at the input will turn on the appropriate LED.

Figure 3 shows the timing relationship between Data, Clock and DATA ENABLE.

A max clock frequency of 0.5MHz is assumed.For applications where a lesser number of outputs are used, it is possible to either increase the current per output or operate the part at higher than 1V V OUT .

The following equation can be used for calcula-tions.

T j = [(V OUT ) (I LED ) (No. of segments) + (V DD ? 7mA)](124°C/W) + T amb where :

T j = junction temperature (150°C max)

V OUT = the voltage at the LED driver outputs I LED = the LED current

124°C/W = thermal coefficient of the package T amb = ambient temperature

The above equation was used to plot Figures 4, 5and 6.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T amb within operating range, V DD = 4.75V to 13.2V, V SS = 0V, unless otherwise specified)

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Figure 3 1.0

0.8

0.60.4

0.2

20406080100

P (W)

0Figure 4

2400.4

0.8

1.21.6

2.0

2.42.8

3.2

283

V (V)

Figure 5

5450-04.E P S

Figure 2 : Input Data Format

48121620

2428323640

045

85105I (mA)0

Figure 6

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TYPICAL APPLICATIONS

BASIC ELECTRONICALLY TUNED RADIO OR TV SYSTEM

DUPLEXING 8 DIGITS WITH ONE M5450

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POWER DISSIPATION OF THE IC

The power dissipation of the IC can be limited using different configurations.

a) In the application R must be chosen taking into account the worst operating conditions.

R is determined by the maximum number of seg-ments activated

R =

V C ? V D MAX ? V O MIN N MAX ? I D

The worst case condition for the device is when roughly half of the maximum number of segments are activated.

It must be checked that the total power dissipation does not exceed the absolute maximum ratings of the device.

In critical cases more resistors can be used in conjunction with groups of segments.

In this case the current variation in the single resistor is reduced and P tot limited.

b) In this configuration the drop on the serial con-

nected diodes is quite stable if the diodes are properly chosen.

The total power dissipation of the IC depends, in a first approximation, only on the number of seg-ments activated.c) In this configuration V OUT + V D is constant. The total power dissipation of the IC depends only on the number of segments activated.M5450 - M5451

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PACKAGE MECHANICAL DATA

40 PINS - PLASTIC DIP

Dimensions

Millimeters

Inches Min.

Typ.Max.Min.

Typ.Max.

a10.630.025b 0.45

0.018b10.230.310.0090.012b2 1.27

0.050

D 52.58 2.070

E 15.216.68

0.598

0.657

e 2.540.100e348.26

1.900

F 14.1

0.555

i 4.4450.175L

3.3

0.130

D I P 40.T B L

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PACKAGE MECHANICAL DATA

44 PINS - PLASTIC CHIP CARRIER

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芯片的制造过程资料

芯片的制造过程芯片的制造过程制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。

3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。制造芯片的基本原料制造芯片的基本原料:硅、金属材料(铝主要金属材料,电迁移特性要好.铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快）、化学原料等。芯片制造的准备阶段在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器来完成的。而后，将原料进行高温溶化为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel 为研制和生产300毫米硅锭建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使

集成电路中器件互联线的研究

集成电路中器件互联线的研究王锴摘要：集成电路的互连线问题当今集成电路领域的一个研究热点,随着半导体器件和互连线尺寸的不断缩小,越来越多的关键设计指标，如性能、抗扰度等将主要取决于互连线,或受互连线的严重影响。为了加强对于互连线技术的了解和对互连线问题的进行研究,文章讨论了互连线发展的缘由和互连线材料。关键词：:超大规模集成电路互连线问题建模金属互连线 1引言集成电路工业作为信息产业的基础,对国民经济和社会发展产生着日益重要的影响。而在集成电路发展的大部分时间里，芯片上的互连线几乎总像是“二等公民”，它们只是在特殊的情形在或当进行高精度分析时才以予考虑。随着深亚微米半导体工艺的出现，这一情形已发生了迅速的变化。由导线引起的寄生效应所显示的尺寸缩小特性并不与如晶体管等有源器件相同，随着器件尺寸的缩小和电路速度的提高，它们常常变得非常重要。事实上它们已经开始支配数字集成电路一些相关的特性指标，如速度、能耗和可靠性。这一情形会由于工艺的进步而更加严重，因为后者可以经济可行地生产出更大尺寸的芯片，从而加大互连线的平均长度以及相应的寄生效应。因此仔细深入得分析半导体工艺中互连线的作用和特性不仅是人们所希望的，也是极为重要的。这使得互连线影响、或以互连线为中心的集成电路设计方法学和计算机辅助设计技术成为了集成电路领域的研究热点。2 集成电路互连线发展缘由一般认为，硅材料的加工极限是10nm 线宽。我们都知道，从工艺水平来看，集成电路发展实现了从微米级别（0.5um，0.35um，0.18um，0.13um）到纳米级别（100nm，90nm，65nm，45nm，28nm，22nm）的跨越。目前Intel、Samsung、TSMC等跨国跨地区企业先后进入22nm工业化量产工艺节点。随着集成电路向超深亚微米的迈进，即制造工艺由已经可以规模量产的28nm 进一步朝22nm，18nm提升，并向10nm逼近时，摩尔定律在集成电路技术发展中的适用性开始受到挑战。由于器件特征尺寸的进一步微缩，虽然电路的门延迟减小，但是特征尺寸的减小将导致互连引线横截面和线间距的减小。互连线的横截面和间距的减小，将不可避免的使得互连延迟效应变得更加严重。为了应对特征尺寸进一步缩小而带来的互连延迟的问题，产业界开始通过研发新材料、新结构、

(整理)集成电路IC知识

集成电路IC常识中国半导体器件型号命名方法第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号日本半导体分立器件型号命名方法第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准原部标规定的命名方法X XXXXX 电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平； H：HTTL；（三位数字） B ：塑料扁平； E：ECL； C：陶瓷双列直插； I：I-L； D：塑料双列直插； P：PMOS； Y：金属圆壳； N：NMOS； F：金属菱形； F：线性放大器； W：集成稳压器； J：接口电路。原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号 T：TTL；品种代号C：（0-70）℃；W：陶瓷扁平； H：HTTL；（器件序号）E ：（-40~85）℃；B：塑料扁平； E：ECL； R：（-55~85）℃；F：全密封扁平； C：CMOS； M：（-55~125）℃；D：陶瓷双列直插； F：线性放大器； P：塑料双列直插； D：音响、电视电路； J：黑瓷双理直插； W：稳压器； K：金属菱形； J：接口电路； T：金属圆壳； B：非线性电路； M：存储器； U：微机电路；其中，TTL中标准系列为CT1000系列；H 系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列；原部标规定的命名方法CX XXXX中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度范围封装 T：TTL电路；字母表示器件系C：（0~70）℃F：多层陶瓷扁平； H：HTTL电路；列品种G：（-25~70）℃B：塑料扁平； E：ECL电路；其中TTL分为：L：（-25~85）℃H：黑瓷扁平； C：CMOS电路；54/74XXX；E：（-40~85）℃D：多层陶瓷双列直插； M：存储器；54/74HXXX；R：（-55~85）℃J：黑瓷双列直插； U：微型机电路；54/74LXXX；M：（-55~125）℃P：塑料双列直插； F：线性放大器；54/74SXXX； S：塑料单列直插； W：稳压器；54/74LSXXX； T：金属圆壳； D：音响、电视电路；54/74ASXXX； K：金属菱形； B：非线性电路；54/74ALSXXX； C：陶瓷芯片载体； J：接口电路；54/FXXX。 E：塑料芯

全球重点芯片公司介绍

全球重点芯片公司介绍龙继军英特尔公司——全球最大的芯片制造商英特尔公司是全球最大的芯片制造商及国际领先的个人电脑网络产品和通信产品的生产商。自一九八五年进入中国市场以来，英特尔公司已在中国设立了十二个办事机构，并在上海兴建了世界一流的制造工厂。为了与中国的计算机行业共同发展，在上海和北京分别成立了英特尔上海软件实验室和英特尔中国研究中心。我们不仅努力发展新一代的微型处理器，更为各方人士的沟通，学习和生活作出多元化的改善。杰出的员工是我们成功的关键。英特尔公司以独特的企业文化，"业绩为本"的激励机制及每一位员工都能享受的股票期权计划，创造"良好的工作环境"，吸引最优秀的人才。我们身为高科技的先驱者，为您提供不可多得的工作机会。把握科技时代的脉搏，亲身体验探索尖端科技领域的乐趣，发掘具有创意的解决方案，在无止境的挑战中开拓人生的崭新境界，尽在英特尔世界。日本Elpida公司——全球最大芯片工厂日本硕果仅存的DRam芯片制造商Elpida内存公司表示，计划在未来三年最多投资5000亿日元（54亿美元）建立全球最大的芯片制造工厂之一。这一投资突出显示了DRam芯片制造商面临的压力，他们需要通过增加投资来保持竞争力。英飞凌、Nanya技术公司已经宣布将合作投资建立工厂，明年的产量将能达到50000个圆片。 Elpida希望这一投资能使公司进入市场领先者的行列。三星、美光、英飞凌目前主宰着市场。iSuppli 的数据显示，Elpida目前是全球第六大DRam芯片制造商，有4.3%的份额。Elpida是日立和NEC建立的合资企业，希望这家位于Hiroshima的工厂在2005年秋季能开始生产先进的300毫米圆片，主要用于数码产品，其中包括手机和数码电视。最初的产量将在每月一万个圆片左右，但是在2007年可望提高到每月六万个圆片。ING芯片分析师YoshihiroShimada表示：“这一投资是Elpida生存的条件。如果他们不能发展，就应该退出。所以，他们必须这么做。”Elpida在市场中还是一个轻量级选手，市场份额只有排名第三的英飞凌的四分之一。 Elpida目前仍然在调整第一座工厂的生产线，希望在年底将生产能力提高到28000个300毫米圆片。汇丰分析师史蒂夫-迈尔斯表示：“如果只有一个工厂，市场份额就会相对太低。”但是Elpida要募集新工厂的资金也面临着巨大的障碍，他们将通过银行贷款还将发行债券和新股，同时租赁一些设备。Elpida计划今年IPO上市，这是这一投资的先决条件。 IDC——全球第3大DRAM厂商据韩国媒体报道，市场研究公司IDC日前称，去年，德国的英飞凌科技公司已经超过韩国Hynix半导体公司成为全球第三大DRAM制造商。全球最大的内存片制造商三星电子公司，去年仍然保持了其在这一市场的领头地位，其市场份额是29.7%。美国的美光科技公司排列第二，市场份额是19.7%。 IDC还预计，今年全球科技发展投资与去年比将增长7%，而今年早些时候曾预计这个数字是4.9%。台湾TSMC——全球最大的芯片代工企业台湾积体电路制造公司（TSMC，简称台积电）是全球最大的芯片代工企业，该公司行政总裁及创始人张忠谋（MorrisChang）对芯片行业的健康状况有独特观点。张忠谋认为，尽管深深困扰芯片行业的3年低迷时期即将结束，但是该行业的前景还不能说是一片光明。他认为半导体行业在宽带、传感器和无线应用领域都有良好的发展机会，还有许多应用潜力有待开发。但是，看似光明的前景却处在一个令人担忧的背景之下。电子设备中的半导体含量已经饱和。1980年代，电子装备中半导体的平均含量仅为5%。随后该比例逐年上升，2000年达到最高点21%。目前该含量又开

集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术【半导体封装测试】

UESTC-Ning Ning 1 Chapter 2 Chip Level Interconnection 宁宁芯片互连技术集成电路封装测试与可靠性

UESTC-Ning Ning 2 Wafer In Wafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆) Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬) Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型) Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装) 典型的IC 封装工艺流程集成电路封装测试与可靠性

UESTC-Ning Ning 3 ? 电子级硅所含的硅的纯度很高，可达99.9999 99999 % ? 中德电子材料公司制作的晶棒( 长度达一公尺，重量超过一百公斤 )

UESTC-Ning Ning 4 Wafer Back Grinding ?Purpose The wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process. ?Process Methods: 1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光 )

这是一份我国芯片各细分领域龙头名单

这是一份我国芯片各细分领域龙头名单！今天来为大家梳理一下我国芯片产业链以及各细分领域的龙头企业。首先，我们来看看芯片的分类：日常生活中，我们可以发现芯片的种类比如有通信芯片、人工智能芯片、LED芯片、电脑芯片等等。芯片的产业链是这样的：根据产业链划分，芯片从设计到出厂的核心环节主要包括 6 个部分：（1）设计软件，芯片设计软件是芯片公司设计芯片结构的关键工具，目前芯片的结构设计主要依靠EDA（电子设计自动化）软件来完成；（2）指令集体系，从技术来看，CPU 只是高度集合了上百万个小开关，没有高效的指令集体系，芯片没法运行操作系统和软件；（3）芯片设计，主要连接电子产品、服务的接口；（4）制造设备，即生产芯片的设备；（5）圆晶代工，圆晶代工厂是芯片从图纸到产品的生产车间，它们决定了芯片采用的纳米工艺等性能指标；（6）封装测试，是芯片进入销售前的最后一个环节，主要目的是保证产品的品质，对技术需求相对较低。总体来看，在指令集、设计等产业环节中绝大多数技术壁垒比较高的环节，中国芯片产业地位非常薄弱，与欧美芯片产业企业存在较大差距，而在圆晶代工、封装测试等技术要求相对不高的

环节，中国凭借其劳动力优势，则有望率先崛起，成为有希望赶超世界平均水平的领域。国内芯片产业链及主要厂商梳理：图片来自：西南证券研报芯片的各个细分领域龙头有哪些呢？国内存储芯片设计龙头是兆易创新；国产GPU龙头是景嘉微；扬杰科技是我国半导体分立器件龙头；中芯国际是我国内地晶圆代工龙头；三安光电是全球LED芯片龙头；士兰微是国内IDM优质企业；北方华创是国产半导体设备龙头；至纯科技为A股唯一一家高纯工艺系统集成供应商；晶瑞股份是国内微电子化学品领先企业；中科曙光是国内高性能计算的龙头企业；紫光国芯是紫光集团旗下半导体行业上市公司，是目前国内领先的集成电路芯片设计和系统集成解决方案供应商；北京君正是嵌入式处理器芯片领先企业；中颖电子是国内优质的IC设计公司；汇顶科技是全球生物识别芯片领先企业；长电科技是国产半导体封测龙头；除了上面的细分领域龙头值得进一步研究之外，还可以关注国家集成电路产业基金（简称“大基金”）这几年的投资标的。光大证券对“大基金”投资标的进行了汇总，截至2018年1月19日，大基金已成为50多家公司股东，涉及18家A股公司、3家港股公司，目前大基金持股市值超200亿元。中国证券报也梳理了一些比较好的A股芯片公司。兆易创新：国产存储龙头

芯片互联技术的研究现状与发展趋势

芯片互联技术的研究现状与发展趋势许健华（桂林电子科技大学机电工程学院，广西桂林）摘要：概述了芯片级互联技术中的引线键合、载带自动键合、倒装芯片，其中倒装芯片技术是目前半导体封装的主流技术，从微电子封装技术的发展历程可以看出，IC芯片与微电子封装互联技术是相互促进、协调发展、密不可分的，微电子封装技术将向小型化、高性能并满足环保要求的方向发展。将介绍芯片互联一些技术与未来发展趋势。关键词：微电子封装；芯片互联；倒装焊；微组装技术；发展现状 Chipinterconnection technology research status and development trend Xu Jian-hua (Gulin university of electronic technology institute of electrical and mechanical engineering,Guilin,China) Abstract:Summarizes the wire bonding of chip-level interconnection technology,loaded with automatic bonding,flip-chip,including flip-chip technology is the mainstream of the semiconductor packaging technology.Can be seen from the development of microelectronics packaging technology;IC chip and microelectronic package interconnection technology is mutual promotion,coordinated development, inseparable, microelectronics packaging technology to the direction of miniaturization,high performance and meet the requirements of environmental protection. Key words: Microelectronics packaging; Chip interconnection;Flip-chipbonded;Microassemblytechnology;Development situation 前言：从上世纪九十年代以来，以计算机（computer）、通信（comunication）和家用电器等消费类电子产品（consumer electronics）为代表的IT产业得到迅猛发展。微电子产业已成为当今世界第一大产业，也是我国国民经济的支柱产业。现代微电子产业逐渐演变为设计、制造和封装三个独立产业。微电子封装技术是支持IT产业发展的关键技术，作为微电子产业的一部分，近年来发展迅速：微电子封装是将数十万乃至数百万个半导体元件（即集成电路芯片）组装成一个紧凑的封装体，由外界提供电源，并与外界进行信息交流。微电子封装可以保证IC在处理过程中芯片免受机械应力：环境应力例如潮气和污染以及静电破坏。封装必须满足器件的各种性能要求，例如在电学（电感、电容、串扰）、热学（功率耗散、结温、质量）、可靠性以及成本控制方面的各项性能指标要求。现代电子产品高性能的普遍要求，计算机技术的高速发展和LSI，VLSI，ULSI的普及应用，对PCB 的依赖性越来越大，要求越来越高。PCB制作工艺中的高密度、多层化、细线路等技术的应用越来越广。其中集成电路IC封装设备的发展与芯片技术的发展是相辅相成的。新一代IC的出现常常要求有新的封装形式，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。它已经历了三个发展阶段：第一阶段为上世纪80年代以前，封装的主体技术是针脚插装；第二阶段是从上世纪80年代中期开始，表面贴装技术成为最热门的组装技术，改变了传统PTH插装形式，通过微细的引线将集成电路芯片贴装到基板上，大大提高了集成电路的特性，而且自动化程度也得到了很大的提高；第三阶段为上世纪90年代，随着器件封装尺寸的进一步小型化，出现了许多新的封装技术和封装形式，其中最具有代表性的技术引线键合、载带自动焊、有球栅阵列、倒装芯片和多芯片组件等，这些新技术大多采用了面阵引脚，封装密度大为提高，在此基础上，还出现了芯片规模封装和芯片直接倒装贴装技术，因此芯片互联技术得到大力发展。

AC1094 MP3解码芯片ic方案说明

AC1094方案说明一、简介 AC1094是杰理推出的一款mp3解码芯片,SSOP24封装的，支持MP3和WAV。24位的DAC输出[这个参数含水分]。但是目前来说这款芯片是非常成功的一款产品，成本低廉，性能稳定二、杰理方案的分类说明系列分类对应的芯片目前版本封装备注 2系列已经停产，无需关心 1系列AC1090E版LQFP48多GPIO口AC1094E版SSOP24 AC1093E版SSOP24 AC1082E版SOP16 1系列的特点单价低，2013年推出的，生命周期要长。支持MP3、WAV。不支持录音和WMA解码 3系列AC3090-C C版LQFP48带录音AC3094-C C版SSOP24 AC3082-C C版SOP16 3系列的特点是单价高，支持录音和WMA格式的解码，生命周期可能会短 4系列[蓝牙方向]AC4101目前主推的蓝牙芯片 AC4106低成本蓝牙基本停产无需关心AC4107目前主推低成本蓝牙，AC4109争对蓝牙耳机应用 4系列的特点是芯片为ARM内核，时钟最高128M，分别应用在蓝牙和语音识别，QQ：2491352264 AC46系列AC4601LQFP48支持点阵屏 AC4602SSOP28 AC4603SSOP24 AC4605SSOP20 AC46系列，是单芯片的蓝牙芯片，目前是主推的蓝牙方案[插卡+蓝牙+FM]，但是缺点就是功耗比较大杰里的所有系列的芯片，都是一个晶圆，只是根据不同的需求，进行不同方式的封装，也就是说1系列里面SOP16和LQFP48封装的晶圆是一样的

三、AC1094的特点 ●小型封装SOP24。两边出脚。生产加工和调试十分方便 ●支持USB设备、TF卡、FM、AUX、FLASH。 ●支持遥控功能 ●按键稳定支持10个，上一曲、下一曲 ●可以带显示的插卡方案，另外高达15个可用的GPIO，可以组成很多功能 1、AC1094的管脚说明引脚序号引脚名称功能描述备注1DACL左声道 2DACR右声道 33V3 3.3V稳压输出 4VIN电源输入 3.2V-5V 5GND电源地 6P23/P24通用输入输出口AUX输入脚 7P25通用输入输出口AUX输入脚 8P26通用输入输出口可以做GPIO 9P27通用输入输出口可以做GPIO 10P46/VPP通用输入输出口外部中断[低触发] 11P17通用输入输出口SPI的输入12P16通用输入输出口SPI的时钟13P01通用输入输出口SPI的输出14P00通用输入输出口 15P05通用输入输出口 16P02通用输入输出口 17P20通用输入输出口SDCLK 18P21通用输入输出口SDCMD 19P22通用输入输出口SDDAT 20USBDM通用输入输出口USB- 21USBDP通用输入输出口USB+ 22RTCVDD复位脚复位脚 23VCOM DAC的参考电压DAC的参考电压24DACVSS DAC的输出地DAC的输出地

LM567芯片简介

LM567芯片简介音调解码器567详解 -------------------------------------------------------------------------------- 567音调解码器内含锁相环，可以广泛用于BB机、频率监视器等各种电路中。音调解码器本文讨论锁相环电路，介绍NE567单片音调解码器集成电路。此音调解码块包含一个稳定的锁相环路和一个晶体管开关，当在此集成块的输入端加上所先定的音频时，即可产生一个接地方波。此音调解码器可以解码各种频率的音调。例如检测电话的按键音等。此音调解码器还可以用在BB机、频率监视器和控制器、精密振荡器和遥测解码器中。本文主要讨论Philip的NE567音调解码器/锁相环。此器件是8脚DIP封装的567型廉价产品。图1所示为这种封装引脚图。图2所示为此器件的内部框图，可以看出，NE567的基本组成为锁相环、直角相位检波器（正交鉴相器）、放大器和一个输出晶体管。锁相环内则包含一个电流控制振荡器（CC0）、一个鉴相器和一个反馈滤波器。 Philip的NE567有一定的温度工作范围，即0至＋70℉。其电气特性与Philip的SE567大致相同，只是SE567的工作温度为－55至125℉。但是，567已定为工业标准音调解码器，有其它若干个多国半导体集成电路制造厂同时生产此集成块。例如，Anal·g Device提供三种AD567，EXar公司提供5种XR567，而National Sevniconductor提供3种LM567。这类不同牌号的567器件均可在本文讨论的电路中正常工作。因此，本文以下将这类器件通称为567音调解码器。 567基础 567的基本工作状况有如一个低压电源开关，当其接收到一个位于所选定的窄频带内的输入音调时，开关就接通。换句话说567可做精密的音调控制开关。通用的567还可以用做可变波形发生器或通用锁相环电路。当其用作音调控制开关时，所检测的中心频率可以设定于0.1至500KHz内的任何值，检测带宽可以设定在中心频率14%内的任何值。而且，输出开关延迟可以通过选择外电阻和电容在一个宽时间范围内改变。电流控制的567振荡器可以通过外接电阻R1和电容器C1在一个宽频段内改变其振荡频率，但通过引脚2上的信号只能在一个很窄的频段（最大范围约为自由振荡频率的14%）改变其振荡频率。因此，567锁相电路只能“锁定”在预置输入频率值的极窄频带内。567的积分相位检波器比较输入信号和振荡器输出的相对频率和相位。只有当这二个信号相同时（即锁相环锁定）才产生一个稳定的输出，567音调开关的中心频率等于其自由振荡频率，而其带宽等于锁相环的锁定范围。图3所示为567用作音调开关时的基本接线图。输入音调信号通过电容器C4交流耦合到引脚3，这里的输入阻抗约为20KΩ。插接在电源正电源端和引脚8之间的外接输出负载电阻RL与电源电压有关，电源电压的最大值为15V，引脚8可以吸收达100mA的负载电流。引脚7通常接地，面引脚4接正电源，但其电压值需最小为4.75V，最大为9V。如果注意节流，引脚8也可接到引脚4的正电源上。振荡器的中心频率（f0）也由下式确定： f0＝1.1×（R1×C1） (1) 这里电阻的单位是KΩ，电容的单位是uF，f0的单位为KHz。将方程（1）进行相应移项，可得电容C1之值： C1＝1.1/（f0×R1） (2)

芯片制作流程样本

芯片制作全过程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序( Wafer Fabrication) 、晶圆针测工序( Wafer Probe) 、构装工序( Packaging) 、测试工序( Initial Test and Final Test) 等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段( Front End) 工序, 而构装工序、测试工序为后段( Back End) 工序。 1、晶圆处理工序: 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件( 如晶体管、电容、逻辑开关等) , 其处理程序一般与产品种类和所使用的技术有关, 但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗, 再在其表面进行氧化及化学气相沉积, 然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等重复步骤, 最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序: 经过上道工序后, 晶圆上就形成了一个个的

小格, 即晶粒, 一般情况下, 为便于测试, 提高效率, 同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品; 但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测( Probe) 仪对每个晶粒检测其电气特性, 并将不合格的晶粒标上记号后, 将晶圆切开, 分割成一颗颗单独的晶粒, 再按其电气特性分类, 装入不同的托盘中, 不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序: 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上, 并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接, 以作为与外界电路板连接之用, 最后盖上塑胶盖板, 用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片( 即我们在电脑里能够看到的那些黑色或褐色, 两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块) 。 4、测试工序: 芯片制造的最后一道工序为测试, 其又可分为一般测试和特殊测试, 前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性, 如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片, 依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数, 从相近参数规格、品种中拿出部分芯片, 做有针对性的专门测试, 看是否能满足客户的特殊需求, 以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未经过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。制造芯片的基本原料

一颗芯片从构想到完成电路设计的过程是怎样的

一颗芯片从构想到完成电路设计的过程是怎样的如果只是科普大流程的话，从199X年硅片的制作流程就没怎么变过，唯一对芯片设计造成比较大的影响的是随着MOS管变小增加的Design Rule。我来简单的说一下模拟电路和数字电路设计/制作方面的差别吧：首先明确一点：所有的ASIC（Application-Specific Integrated Circuit），也即应用芯片，都是有一个Design的目的，如果是在工厂里就是乙方提的要求；在PhD生涯里就是老板布置的活... 要成功通关，待我细细道来：小怪：数字电路电路图推荐武器：Verilog 数字电路一般用Verilog写，主要是因为方便（我才不告诉你我手动垒Standard Cell呢）。比如说CPU级别的芯片，动辄上亿的MOS管，就算一秒画一个，不计连线时间，你得画38个月。小怪：数字电路仿真推荐武器：VCS，MMSIM 写完了Verilog，就要跑数字仿真了。一般会用到Synopsys的VCS或者Mentor Graphics 的MMSIM之类的。这个仿真非常快，因为每一个MOS管都被看成是开关，然后加上一些非常粗糙的模拟出来的延迟时间，目的是看你写出来的玩意能不能正常工作。小怪：模拟电路电路图推荐武器：Cadence（允许准确击打），SPICE（自由度高，可长可短）等这个就比较复杂了。因为模拟电路的自由度非常高! 比方说，一个MOS管在数字电路条件下就是一个开关，但是在模拟电路里面，根据栅极电压和电路结构不一样，分分钟完成：开路-大电阻-放大器-电流源-导通各种功能。所以呢，模拟电路基本就得手画了。小怪：模拟电路仿真推荐武器：Spectre（精度最高），HSPICE，PSpice，HFSS等注：最好跟打小怪，模拟电路电路图小怪用一样的武器

世界著名半导体(芯片)公司--详细

世界半导体公司排名———详细 25大半导体厂商排名（2006年统计数据）： 1. 英特尔，营收额313.59亿美元 2. 三星，营收额192.07亿美元 3. 德州仪器，营收额128.32亿美元 4. 东芝，营收额101.66亿美元 5. 意法半导体，营收99.31亿美元 6. Renesas科技，营收82.21亿美元 7. AMD，营收额74.71亿美元 8. Hynix，营收额73.65亿美元 9. NXP，营收额62.21亿美元 10.飞思卡尔，营收额60.59亿美元 11. NEC，营收额56.96亿美元 12. Qimonda，营收额55.49亿美元 13. Micron，营收额52.90亿美元 14. 英飞凌，营收额51.95亿美元 15. 索尼，营收额48.75亿美元 16. 高通，营收额44.66亿美元 17. 松下，营收额41.24亿美元 18. Broadcom，营收额36.57亿美元 19. 夏普，营收额34.76亿美元 20. Elpida，营收额33.54亿美元 21. IBM微电子，营收额31.51亿美元

22. Rohm，营收额29.64亿美元 23. Spansion，营收额26.17亿美元 24. Analog Device，营收额25.99亿美元 25. nVidia，营收额24.75亿美元飞思卡尔介绍：飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司，为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀，在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。产品领域：嵌入式处理器汽车集成电路集成通信处理器适用于2.5G 和3G无线基础设施的射频功率晶体管基于StarCore? 技术的数字信号处理器(DSP) 下列领域处于领先地位： 8位、16位和32位微控制器可编程的DSP 无线手持设备射频微处理器基于Power Architecture?技术的32位嵌入式产品 50多年来，飞思卡尔一直是摩托罗拉下属机构，2004年7月成为独立企业开始了新的生活。此后，公司在董事长兼首席执行官Michel Mayer的领导下，努力提高财务业绩，打造企业文化，构筑全球品牌。意法半导体（ST）集团介绍

科普下行车记录仪最新情况,分析安霸新出A12芯片与联咏方案

科普下行车记录仪最新情况，安霸又出强悍芯片A12 现在很多朋友一看到记录仪就问什么方案。这里我来普及下方案的知识，其实也有很多行家介绍过了。不过我还是要说说我的见解：方案=主控+模组；模组=感光芯片+镜头主控：说到底就是CPU。下面介绍下主流主控芯片一、安霸安霸A12最新最好，目前已经上市，但是只有凌度一家有售。 A12 最高支持1440P 30帧/秒也可以做到1296P或者1080P 画质功能方面据说增加了，HDR高效防眩光、智能防抖和夜视功能上的改进。安霸A9居二，不过市面上行车记录仪里面不会有的，如果有那么可以认为是骗人的。因为A9被美国Gopro运动DV买断了，其他人都不能用。然后是安霸A7，分为A7LA30 A7LA50 A7LA55 A7LA70 ，A7一般会搭配OV4689的感光芯片CMOS，400万像素。但是也有厂家用OV2710来冒充OV4689,OV2710才200万像素。 A7LA30 只支持1080P 30帧/秒 A7LA50 A7LA55 支持1296P或者1080P 45帧/秒

A7LA70 可以做到1296P或者1080P 60帧/秒二、联咏联咏最新最好的是96660和96663，芯片已经上市，已经有厂家在开发了，估计今年就有成品上市。这两个芯片如果做单镜头的行车记录仪，可以做2K分辨率，比1296P还要高30%；如果做双镜头的，可以做双1080P，更值得一提的是内置ISP，有内置ISP的话就可以使用市面上更多种类的模组了。所以两个镜头都能用SONY的感光芯片CMOS。其次是联咏96655，同样内置ISP,这个芯片能支持sony MIX214和M322的感光芯片，那效果简直是逆天了尤其是夜视效果，不过跟A12还是有很大差距的。然后是96650，搭载镁光0330的感光芯片（也就是360行车记录仪用的这颗），300万像素，市场上70%的高端行车记录仪都是这个配置。清晰度也很不错，售价一般300元到400元。三、全志主要是做双镜头方案的，由于没有什么出彩之处，这里就不多介绍。感光芯片行车记录仪中采用较多的是镁光AR系列、索尼IMX系列、OmniVision、Micron以及从Micron分离出来的Aptina等公司的传感器，主要有30万、100万、300万、500万像素三种。比如镁光AR0330 镁光5100 OV2710 OV4689 sony MIX214、M322。。。。

芯片原理——芯片设计芯片制造

芯片原理芯片——设计芯片制造 1. 芯片为什么要采用CMOS: CMOS，C：是互补的意思complementary，是指采用NMOS和PMOS管形成一个组合实现一个开关功能。也就是最小单元由至少两个MOS管组成。 MO：是金属氧化物的意思，是指MOS管的G极的材质是金属氧化物的上图中，如果采用图A所示，则有Ic这个电流，如果R很大，那么V o的驱动能力就很弱，会造成芯片的反应速度很慢，如果R很小，则在MOS管开通时，电流Ic非常大，因此，这样的电路是没法应用于芯片的，经初步计算，如果采用图A所示的电路，要达到一定的处理速度，那么其功耗是100kW级别的，而采用图B的互补型（N和P型对称布置），则Vi高电平时上管关闭，下管开启，低电平时则相反，这样就不存在电流，那么为什么芯片还是有很大的功耗呢，这就是MOS管的结电容引起的，因为G极就是一个电容效应。充放电虽然对于一个MOS管来说是很小的功耗，但是芯片的晶体管数量非常多，如一个CMOS 开关为1uW，那么1000万个呢就是100W。芯片的功耗基本可以这样理解：P = N * C* f * V2 N：晶体管个数，C：MOS管及其他引起的电容，f为频率、V为电压当频率很高时，为了降低功耗，现在芯片的工作电压一直在降低，如从3V降低到1V，那么功耗降低了9倍，如果通过改善晶体管结构和线路结构，能减少电容C，那么也可以降低芯片功耗。

注意：我们在设计单片机电路时，经常性地采用如图A所示的下拉（或上拉）电阻形式，一般我们的被驱动电路的功耗是比较大的，因此经常会忽略该电路引起的功耗问题。 2. 芯片制作芯片就如多层电路板，最低层为晶体管，然后往上几层就是连线（罗辑）。切开一个晶片的小块，其中上层的导线连接就如这样，就如多层电路板，是一个三维连接体，导线之间会引起电容和信号干扰，而弯弯曲曲的导线，也会引起电感。第一步：制作晶圆。晶圆现在一般为8寸、12寸、20寸等。晶圆本身进行参杂，形成P型，或N型衬底。也就是基板。晶圆的制作过程，在网上有很多视频。第二步：在晶圆上进行杂质注射，这里就需要模板。

集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术

1 Chapter 2 Chip Level Interconnection 芯片互连技术集成电路封装测试与可靠性

UESTC-Ning Ning 3 ? 电子级硅所含的硅的纯度很高，可达99.9999 99999 % ? 中德电子材料公司制作的晶棒( 长度达一公尺，重量超过一百公斤 )

type-c科普

新技术科普 USB Type-C接口定义自从Apple发布了新MacBook，就一堆人在说USB Type-C。我来从硬件角度解析下这个USB Type-C，顺便解惑。尺寸小，支持正反插，速度快（10Gb）。这个小是针对以前电脑上的USB接口说的，实际相对android机上的microUSB还大了点：图为mac 12配备的usb-c接口 USB Type-C接口特色 USB Type-C：8.3mmx2.5mm microUSB：7.4mmx2.35mm 而lightning：7.5mmx2.5mm 所以，从尺寸上我看不到USB Type-C在手持设备上的优势。而速度，只能看视频传输是否需要了。引脚定义

可以看到，数据传输主要有TX/RX两组差分信号，CC1和CC2是两个关键引脚，作用很多：探测连接，区分正反面，区分DFP和UFP，也就是主从配置Vbus，有USB Type-C和USB Power Delivery两种模式。配置Vconn，当线缆里有芯片的时候，一个cc传输信号，一个cc变成供电Vconn。配置其他模式，如接音频配件时，dp，pcie时电源和地都有4个，这就是为什么可以支持到100W的原因。不要看着USB Type-C好像能支持最高20V/5A，实际上这需要USB PD，而支持USB PD需要额外的pd芯片，所以不要以为是USB Type-C接口就可以支持到20V/5A。当然，以后应该会出现集成到一起的芯片。辅助信号sub1和sub2（Side band use），在特定的一些传输模式时才用。 d+和d-是来兼容USB之前的标准的。