当前位置：文档库 › Polarization-induced size control and ablation dynamics of Ge nanostructures formed by a femtosecond

Polarization-induced size control and ablation dynamics of Ge nanostructures formed by a femtosecond

Polarization-induced size control and ablation dynamics of Ge nanostructures formed by a

femtosecond laser

Min Ah Seo and Dai Sik Kim

School of Physics, Seoul National University, Seoul 151-747, Korea

minahseo@phya.snu.ac.kr

Hyun Sun Kim and Sae Chae Jeoung

Optical Nano Metrology Group, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon 305-304, Korea

scjeoung@kriss.re.kr

Abstract: We report a method for controlling the size of a Ge (germanium)

nanostructure by changing the angle between the ultrafast laser polarization

and the crystal axis of Ge. The nanostructure size dependence on the laser

polarization with respect to the Ge crystal axis exhibits a sinusoidal function

with a minimum size at (100) axis. Moreover, the measurement of transient

reflection reveals the presence of large anisotropies in both its amplitude

and its relaxation dynamics with a minimum at (100) crystal axis. This

implies that the observed anisotropic dependence of nanostructure size of

Ge is followed by a different carrier density as well as its relaxation process,

depending on the orientation of the Ge crystal axis only at near and above

threshold fluence.

? 2006 Optical Society of America

OCIS codes: (320.7130) Ultrafast processes in condensed matter, including semiconductors;

(320.2250) Ultrafast optics, femtosecond phenomena

References and links

1.L. Qu and X. Peng, “Control of photoluminescence properties of CdSe nanocrystals in growth,” J. Am.

Chem. Soc. 124, 2049 (2002).

2.L. T. Canham, “Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of

wafers,” Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).

3. F. Korte, S. Nolte, B. N. Chichkov, T. Bauer, G. Kamlage, T. Wagner, C. Fallnich, and H. Welling, “Far-

field and near-field material processing with femtosecond laser pulses,” Appl. Phys. A 69, S7 (1999).

4.P. P. Pronko, S. K. Dutta, J. Squier, J. V. Rudd, D. Du, and G. Mourou, “Machining of sub-micron holes

using a femtosecond laser at 800 nm,” Opt. Commun. 114, 106 (1995).

5.J. P. Sylvestre, A. V. Kabashin, E. Sacher, M. Meunier, and J. H. T. Luong, “Stabilization and size control of

gold nanoparticles during laser ablation in aqueous cyclodextrins,” J. Am. Chem. Soc. 126, 7176 (2004).

6. F. Mafune, J.-Y. Kohno, Y. Takeda, and T. Kondow, “Full physical preparation of size-selected gold

nanoparticles in solution: laser ablation and laser-induced size control,” J. Phys. Chem. B 106, 7575 (2002).

7.J.-P. Sylvestre, S. Poulin, A. V. Kabashin, E. Sacher, M. Meunier, and J. H. T. Luong, “Surface chemistry of

gold nanoparticles produced by laser ablation in aqueous media,” J. Phys. Chem. B 108, 16864 (2004).

8.T.-H. Her, R. J. Finlay, C. Wu, and E. Mazur, “Femtosecond laser-induced formation of spikes on silicon,”

Appl. Phys. A 70, 383 (2000).

9.S. C. Jeoung, H. S. Kim, M. I. Park, J. Lee, C. S. Kim, and C. O. Park, “Preparation of room-temperature

photoluminescent nanoparticles by ultrafast laser processing of single-crystalline Ge,” Japn. J. Appl. Phys.

44, 5278 (2005).

10.The threshold energy 0.492J/cm2 is defined as the energy showing as amorphous layer on the part of

focusing area after ablation.

11.K. Sokolowski-Tinten, C. Blome, C. Dietrich, A. Tarasevitch, M. H. Hoegen, and D. Linde, “Femtosecond

x-ray measurement of ultrafast melting and large acoustic transients,” Phys. Rev. Lett. 87, 225701 (2001).

12. C. V. Shank, R. Yen, and C. Hirlimann, “Time-resolved reflectivity measurements of femtosecond-optical-

pulse-induced phase transitions in silicon,” Phys. Rev. Lett. 50, 454 (1983).

13. D. C. Sayle and S. C. Parker, “Encapsulated oxide nanoparticles: the influence of the microstructure on

associated impurities within a material,” J. Am. Chem. Soc. 125, 8581 (2003).

14.T. Pfeifer, W. Kutt, and H. Kurz, “Generation and detection of coherent optical phonons in germanium,”

Phys. Rev. Lett. 69, 3248 (1992).

15. A. Murali, A. Barve, V. J. Leppert, S. H. Risbud, I. M. Kennedy, and H. W. H. Lee, “Synthesis and

characterization of indium oxide nanoparticles,” Nano Lett. 1, 287 (2003).

16.J. Bonse, S. M. Wiggins, and J. Solis, “Dynamics of femtosecond laser-induced melting and amorphization

of indium phosphide,” J. Appl. Phys. 96, 2352 (2004).

1. Introduction

Much attention has been given to the preparation of luminescent nano-sized semiconductor materials [1, 2] in the interest of fundamental research and application. In some applications, including the optoelectronic, microelectronic, and micro- and nano-biosensors, it is critical to create local nanostructures directly on the devices or on an assembled integrated chip [3]. The advent of reliable generation and amplification of the ultrafast laser enables it to be used for laser-induced microfabrication with high quality [4-7]. A significant improvement of a size and its dispersion reduction of a colloidal gold nanoparticle was reported in a case of ultrafast laser ablation over a nanosecond laser process. Recently, T-H Her et al. [8] reported that the irradiation of 500 laser pulses with 100 fs pulse width on silicon surfaces under 500 torr SF6 or Cl2 creates conical spikes capped by a 1.5 mm ball at the tops. We have also recently reported that the irradiation of an ultrafast laser on a Ge single crystal with a laser fluence far above the ablation threshold results in the formation of a room-temperature photoluminescent Ge nanostructure dangled on the microstructures [9].

In this report, we demonstrate that relative angle change between laser polarization and the Ge crystal axis can be applied to control the size of Ge nanostructures accompanied with a strongly polarized amorphization near and above the ablation threshold. Measured changes in anisotropic reflectivity during ablation of Ge prove that the relative angle between laser polarization and the crystal axis governs the ablation process with encapsulated oxidation and particle formation with critical size.

2. Experiment

Samples of the Ge nanostructure were prepared with femtosecond laser ablation of an undoped (001) Ge single crystal with diamond cubic structure. A linearly polarized femtosecond pulse was used to ablate the Ge wafer, which was cut from Ge (001) single crystal wafers (EaglePicher Technologies, USA) with a resistivity higher than 30 cm

Ω. To prevent the effect of successive subpulses, single-shot configuration was adapted in the current work with the use of a fast mechanical shutter. The ablation of the Ge wafer was performed by a Ti:sapphire laser (Quantronics, USA) in air. This laser delivers pulses with energy of up to 1 mJ at 800 nm and a repetition rate of 1 kHz. The fundamental output of the laser was delivered to the galvanometer scanner (Scanlab AG, Germany). The topological changes of the Ge surface after laser ablation was measured with an atomic force microscope (AFM) (PSIA, Korea), and then the images were put into a personal computer for further analysis of particle size distribution by using a commercial image processor (Wright, Canada). Because the laser output profile is not flat, the size distribution was spatially inhomogeneous within the single-shot processed spot. Therefore we took special care not to limit our measurements to similar areas of topography. Instead we measured more than nine spots within every configuration of experiments, thus minimizing the variation of particle size distribution in spot by spot. It should be noted that the variation of the analysis is less than 20% between each shot. The crystal axis was determined by measuring the XRD pattern (X’pert MRD, Philips) for Ge wafers used in the current study.

In the reflectivity measurement, while the polarization of the pump (800 nm) and probe (super continuum) beam were set to be orthogonal, the intensity of the probe beam is kept at

less than 0.1% of the photo excitation of the pump. The pump pulse was controlled by a triggered mechanical shutter during the probe beam irradiation with normal incidence.

3. Results and discussion

The whole-area image and near-the-focus image of the laser-processed sample surface are shown in Figs. 1(a) and 1(b), respectively. The volcano-like surface formed by single pulse consists of numerous nanostructures on the center of the ablated region, and the nanostructure shape closely resembles a hemisphere. In addition, there is no doubt of the presence of GeO x (2–3 nm thick) from the characterization of the nanostructures observed with an energy dispersive spectrometry (EDS) in Fig. 1(c) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) in Fig. 1(d). In Fig. 1(d), the gray parts that encapsulate the structure represent GeO x amorphous layers. The nanostructure is crystallized and covered with amorphous layers the thickness of a few nanometers. It should be noted that abundant oxygen encapsulates the Ge crystal, and the particle cannot grow anymore after the capsulation, which determines the particle size quantitatively.

Fig. 1. AFM images of the processed regions at a fluence of 0.56 2

J for the total area (a),

/cm

and the center region (b). EDS spectrum of the Ge surface after being exposed to the

femtosecond laser (c) and HRTEM image of Ge nanostructure (d) are shown. It should be

noted that abundant oxygen is observed in addition to Ge.

Typical AFM images and the normalized size distributions of Ge nanostructures formed by femtosecond laser irradiation are shown in Fig. 2(a). In Fig. 2(a), the numbers denote relative angles between laser polarization and the Ge (100) axis. The average particle size shows a sinusoidal function with a minimum at the (100) axis. The particle size distribution was measured as a function of an angle between the crystal axis and laser polarization at the two different laser fluences of F th [10] (hollow circle) and 2F th (filled circle), and the results are plotted in polar coordinate (Fig. 2(b)).

The size distribution exhibits a )

sin(?dependent behavior where ? denotes the angle

between the laser polarization and the (100) crystal axis. The optical polarization parallel to the (100) axis of the Ge crystal results in the smallest particle size, while the polarization parallel to (110) results in the largest particle size. For the lower laser fluence, F th, the mean particle size varies from 7 nm to 11 nm. Further increase in the laser fluence results in a slightly larger particle between 10 nm to 17 nm. With the increasing of the laser fluence, the nanoparticle size increases whereas its number density decreases, as shown in Fig. 2(c). The particle number density decreases due to the rapid expansion of the molten layer into air, void nucleation, or the removal of matter during amorphization as power increases[11].

Fig. 2. The normalized size distributions of Ge nanostructures are shown in (a) with various

angles between laser polarization and crystal axis of Ge at 2F th. The numbers denote relative

angle from crystal (100) axis. Particle size is strongly affected by the polarization with respect

to the crystal axis (b), and the average size is a sinusoidal function with a minimum at the (100)

axis. The gray lines are simply visual guides. The size and number density of structures vs. the

fluences (c) are shown, and two gray lines in (c) are only visual guides.

When fluence becomes extremely high, we observe significant dispersion of size distribution. Therefore improvement in size dispersion and stability of nanostructure size are considered to occur only near and slightly higher than the ablation threshold. To help determine which mechanism governs this anisotropy in size distribution and what determines nanostructure size, we measured the reflectivity changes during the ablation process.

In Fig. 3 transient reflectivity changes are shown with different fluences near zero delay time. At the laser fluence less than the ablation threshold, F = 0.6 F th, the reflectivity changes essentially exhibit polarization independence. As the fluence increases toward the ablation threshold and beyond, however, strong incident polarization dependence begins to develop with resulting anisotropies as large as 13%. In depth, the photo-induced reflectivity has a maximum when the optical polarization is parallel to the (100) crystal axis with sinusoidal dependence. While the reflectivity change is negligible at laser fluence less than ablation threshold, the changes are remarkably enhanced in dynamic ranges when the fluence exceeds the threshold.

Fig. 3. Transient polarization-dependent reflectivity changes as a function of the azimuthal

angle between the polarization and Ge crystal axis with different laser fluences near zero delay

time. The gray lines are a visual guide.

For a Ge single crystal, each Ge atom has four immediate neighbors in a tetrahedral shape. While the conduction orbital is anti-bonding, the valence orbital between immediate neighbors is bonding [11]. The inter-band excitation of a dense electron-hole plasma leads to disorder and a break in the bonding in a crystal during ablation. The excitation of electron-hole pairs weakens the bonding, and then nonthermal molten layers build up [12]. These occurrences, the amorphization process and the amorphous-atomistic structures of the nanoparticle, have already been well-investigated elsewhere [13]. This initial amorphization, which is induced by short pulse laser, essentially governs transient polarization-dependent reflectivity change, as shown in Fig. 3.

Temporal profiles of the reflectivity changes at different incident fluences and different polarization angles are shown in Fig. 4. By close analysis of the temporal profiles, it is noted that there are at least more than two decaying components: one of them has a time constant less than our time resolution of 150 fs; the other is longer than 1 ps. It is very interesting to note that the two components are evidently dependent on the azimuthal angle as well as the incident fluence. In this time-resolved reflectivity measurement, we observed a transition to high reflectivity change, which indicates that the liquid state has anisotropically occurred even though our time resolution is not sufficient. The amorphization process is known to be very fast (t << ps) which is consistent with our measurement result [12] and directly related to the thickness of molten layer at the surface of the crystal during the ablation. This ultrafast initial decrease in reflectivity, due to photo-induced absorption by an optical phonon, provides clear evidence that a portion of the Ge crystal undergoes nonthermal melting within subpicoseconds [11, 14]. The difference in the amplitude of the ultrafast components, which is strongly dependent on the azimuthal angle even at the same incident fluence, suggests that the thickness of the molten layer is dependent on the polarization. With this assumption, it is estimated that the molten layer thickness for the polarization parallel to the (110) axis is larger than that of the polarization parallel to the (100) axis. Furthermore, with the assumption that larger absorption leads to a thicker molten layer [11], larger Ge nanoparticle size with increasing fluence, seen in Fig. 2(c), can be understood.

Fig. 4. Reflectivity changes with different fluences and different polarization are measured with

various time delay from -10 to several 25 ps.

The following decay component represents the anisotropic melting state, which comes from thermalization of the optical energy, proving different oriented particle formation. Just after amorphization, complex physicochemical processes including thermal melting, recrystallization, encapsulation by an oxide layer [15], and nanoparticle formation [16] etc. will contribute the reflectivity changes within several picoseconds. Among them, the oxide layer formation might play an important role in preventing inter-particle coalescence or aggregation [5]. These time constants, 1τ and 2τ, responsible for the above-mentioned complex physicochemical processes should increase as the thickness of the molten layer #9718 - $15.00 USD Received 23 November 2005; revised 12 March 2006; accepted 14 March 2006

increases. The result indicates that the molten layer thickness, which is analogized from reflectivity changes, plays an important role in nucleation and particle growth and finally determines the size of structures regardless of the oxidation velocity. Moreover, the measured reflectivity after 1 ms represents the terminal state of a Ge nanoparticle for the irreversible process.

4. Conclusion

With these different initial, amorphous responses it should be discussed why under the same laser fluence, the changes in the azimuthal angle between the laser polarization and the crystal axis could give large variations in nanostructure size with polarization. The discussions given in the previous section led us to suppose that the exposure of laser fluence with laser polarization parallel to the (110) crystal axis results in a thicker molten layer, which follows the formation of larger nanostructures in comparison to the case parallel to the (100) crystal axis. If we noted that an additional absorption just after photoexcitation should play an important role in the overall laser ablation process, the pulse width used in the current work of about 150 fs is quite long enough to result in an anisotropic amorphization process even in single-shot duration. Even if we are not able to know any conclusive underlying mechanism within the current observations, the supposed strong anisotropy, likely originating from higher-order contributions to an optical absorption near and beyond the threshold intensity, is consistent with the observed anisotropy in size distribution and fluence-dependent particle numbers in Figs. 2(b) and 2(c).

Acknowledgments

We greatly acknowledge the financial contribution from the Ministry of Commerce, Industry and Energy of Korea.

酒店前台服务员管理规章制度

---------------------- 前台规章制度一、仪容仪表 1. 上班时间需化淡妆，长发须佩戴头花或盘起。 2. 着装必须干净整洁，必须穿工作服上班。 3. 不能留长指甲，不能涂指甲油，不能佩戴夸张的饰品。 4. 保持最佳的精神状态工作。二、工作纪律 1. 上班时间，不能吃东西、上网看电视，打接与工作无关的电话时间不能过长（特殊情况和家里重大事情除外）。 2. 上班时间不能在前台睡觉、不能串岗、不能拿上班时间会客，不能大声喧哗。 3.上班时间不能无故缺席，离岗时要在登记表做好记录（楼层巡检，吃饭，检查各个会议室等）不得无故闲逛。三、工作规定 1. 上班期间服务态度好。主动向客人问好、站立服务、耐心的与客人交流，让客人在酒店住的舒适。 2. 员工不能把私人情绪带入工作中，随时随地对客人保持微笑。 3. 不能拿酒店财物私用或带回家（如有发现一律重罚或开除）。 4. 时刻保持前台的清洁。 5. 员工不能徇私舞弊，互相包庇。 6. 当班人员上班，不能迟到早退、不能擅自离岗、不能私自换班（需提前报告领导写好换班条，待领导审批，通过方可换班）、不能无故旷工（特殊情况可向部门领导请示）。以上规章制度一经核实，发现第一次给予警告，第二次给予罚款，犯多次或屡教不改者，公司有权给予开除处理。备注：（罚款方式：第一次20元，第二次50元，情况严重者重罚） ---------------------------------------------------------精品文档

---------------------- ---------------------------------------------------------精品文档前台工作内容 1. 为客人办理入住登记并请客人签字确认，认付款方式(挂账、现金,)问明付过押金后给客人房卡，并向客人解释房卡内容，在电脑中及时占房，发放早餐卷。 2.住宿登记单上,住几个人写几个人的名字,以便开门。入住时要询问客人住几天,以便刷几天的房卡,收几天的房费。同时,电脑上时间也要与此一致, 以方便楼层。坚持姓氏称呼。 3.阅读交班本，了解上一班未完成事项，及时进行跟进和处理。 4.查看各部门钥匙使用和归还纪录情况，并将钥匙分类放置。 5.核对房态，确保房态正确，清点房卡，所有一致加起来数目和上一班交接相符和。 6.如有客人要求换房，确定已通知客房服务人员和楼层服务人员进行打扫，检查。确认无误，收回房卡，发放新的发卡为客人换房。 7.了解每日会议信息和会议用房数，若会议举办方有任何要求，及时与楼层服务员和客房服务员联系并跟进。

酒店房卡管理规定

酒店房卡管理规定一、房卡类别 1、客房房卡分总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 2、总控卡由相关管理人员持有。 3、领班卡由各楼层领班持有。 4、楼层卡各楼层员工持有。 5、客人卡由前台员工保管、制作。注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报部门，采取相应的措施（消磁和补办），当班人员要有补办记录，以免酒店遭受损失二、房卡管理 1、总控卡由总经理、副总经理、前厅部经理、客房部经理、大堂经理持有。 2、领班卡、楼层卡由客房服务中心保管，实行每天签字借用制度。 ⑴领班卡用于查房使用，此卡可以开启所管辖的楼层所有客房房门。 ⑵楼层卡用于服务员打扫卫生使用，按照服务员的工作范围制作。 ⑶调换楼层时要有交接手续。

3、持卡人不得将自己的卡借给其他人员使用，一定发现必将严惩。 4、客人卡的管理制度： ⑴将客房卡交给客人前，前台员工必须确认客人身份； ⑵前台原则上单人房每间只发放一张房卡，双人房根据客人要求可发放两张房卡，并在电脑中注明数量； ⑶客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向客人收取或从押金中扣除赔偿费→重新制作l张新的房卡给客人→确保前一张房卡作废。 ⑷客人钥匙损坏： A. 验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作一张房卡给客人，并与客人说明赔偿费用。 B. 如果卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作1张房卡给客人，并向客人说明赔偿费用。 ⑸客人寄存钥匙： A. 听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡袋填写房号，将房卡插入房卡袋内，放在抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还房卡。 B. 如验卡时，房号不能显示，应先验明身份，再进行寄

酒店前台房卡管理规定

酒店前台房卡管理规定 SANY GROUP system office room 【SANYUA16H-

前台房卡管理规定一、房卡类别： 1、客房房卡分总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 2、总控卡店级领导、客房相关管理人员持有（董事长、总经理、副总经理、客务总监、客房经理） 3、领班卡由各楼层领办持有 4、楼层卡各楼层员工持有 5、客人卡由前台员工制作注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报部门，采取相应的措施（消磁和补办），前台要有补办记录，以免酒店遭受损失二、客人卡的管理制度： 1、将客房匙交给客人前，前台员工必须确认客人身份； 2、前台原则上单人房每间只发放一条房匙，双人房根据客人要求可发放两条房匙，并在电脑中注明； 3、客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向客人收取或从押金中扣除赔偿费（30元）→重新制作l把新的钥匙给客人→通知房务中心→使用管理卡到该房间插一次卡（做消磁处理），确保插卡前使用的钥匙作废。 4、客人钥匙损坏： A.验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作l把钥匙给客人，并向客人致歉。 B.如果卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作1把钥匙给客人，并向客人致歉。 5、客人寄存钥匙： A.听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡填写房号，钥匙插入新房卡，放在寄存抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还钥匙，将写房号的房卡撕毁。 B.如验卡时，房号不能显示，应先验明身份，重新制作钥匙，再进行寄存。 C.如客人寄存时嘱咐他人来取→填写留言单，请客人签字确认→钥匙、留言单放在房卡中存放于收银抽屉内→领取时验明身份→留言单保留在客帐内直至客人退房。 6、客人退房时，前台员工应提醒客人交还房匙→如客人出示的钥匙没有房卡或押金单证明其房号，必须验卡验证无误后，方可通知客房服务员查房并办理退房手续。 7、退房时，客人将钥匙留在房间：客房服务员查完房交到前台。凡有折痕、断裂、明显污迹、坏的钥匙，交前台主管保管。

房卡管理制度

酒店前台房卡管理一、房卡类别及制卡权限： 1、客房房卡分总卡、领班卡、楼层卡、客人卡 2、总卡为客房相关管理人员持有（董事长、总经理、副总经理、客务总监、客房经理、前厅经理）由前厅经理制作 3、领班卡由各楼层领办持有由大堂副理或前厅经理制作 4、楼层卡各楼层员工持有由大堂副理制作 5、客人卡由前台员工制作二、客人卡的管理制度： 1、将房卡交给客人前，前台员工必须确认客人身份； 2、前台原则上单人房每间只发放一张房卡，双人房根据客人要求可发放两张房卡，并在电脑中注明； 3、客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向客人收取或从押金中扣除赔偿费（50元）→重新制作一张新的房卡给客人→通知房务中心→使用管理卡到该房间插一次卡（做消磁处理），确保插卡前使用的房卡作废。 4、客人房卡损坏： 1)验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作一张房卡给客人，并向客人致歉。 2)如果房卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作一张房卡给客人，并向客人致歉。

5、客人寄存房卡： 1)听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡套填写房号，房卡插入房卡套，放在寄存抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还房卡，将写房号的房卡套撕毁。 2)如验卡时，房号不能显示，应先验明身份，重新制作房卡，再进行寄存。 3)如客人寄存时嘱咐他人来取→填写留言单，请客人签字确认→房卡、留言单放在房卡中存放于收银抽屉内→领取时验明身份→留言单保留在客帐内直至客人退房。 6、客人退房时，前台员工应提醒客人交还房卡→如客人出示的房卡没有房卡或押金单证明其房号，必须验卡验证无误后，方可通知客房服务员查房并办理退房手续。 7、退房时，客人将房卡留在房间：客房服务员查完房交到前台。凡有折痕、断裂、明显污迹、坏的房卡，交前台主管保管并做记录。 8、未经登记客人许可，不得为任何来访者开启客人房间或发卡给来访者； 9、任何服务员如发现房卡遗留于公共场所，应立即交当值主管，送回前台接待处处理； 10、客房服务员不得对客人以错放房卡在房间内为由，随便开房门让客人进入，应即时打电话到前台接待处核实客人身份，如有任何疑问，应请客人到前台接待处办理补卡手续。 11、前台服务员每班交接时，必须核对客人房卡数量。发现任何缺失必须上报并在交接本上作记录。 12、所有房卡上不能贴房号

星级酒店房卡管理守则4.doc

星级酒店房卡管理制度4 一、房卡类别： 1、客房房卡分总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 2、总控卡店级领导、客房相关管理人员持有(董事长、总经理、副总经理、客务总监、客房经理) 3、领班卡由各楼层领办持有 4、楼层卡各楼层员工持有 5、客人卡由前台员工制作注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报部门，采取相应的措施(消磁和补办)，前台要有补办记录，以免酒店遭受损失二、客人卡的管理制度： 1、将客房匙交给客人前，前台员工必须确认客人身份; 2、前台原则上单人房每间只发放一条房匙，双人房根据客人要求可发放两条房匙，并在电脑中注明; 3、客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向客人收取或从押金中扣除赔偿费(30元)→重新制作l把新的钥匙给客人→通知房务中心→使用管理卡到该房间插一次卡(做消磁处理)，确保插

卡前使用的钥匙作废。 4、客人钥匙损坏： A.验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作l把钥匙给客人，并向客人致歉。 B.如果卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作1把钥匙给客人，并向客人致歉。 5、客人寄存钥匙： A.听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡填写房号，钥匙插入新房卡，放在寄存抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还钥匙，将写房号的房卡撕毁。 B.如验卡时，房号不能显示，应先验明身份，重新制作钥匙，再进行寄存。 C.如客人寄存时嘱咐他人来鳃填写留言单，请客人签字确认→钥匙、留言单放在房卡中存放于收银抽屉内→领取时验明身份→留言单保留在客帐内直至客人退房。 6、客人退房时，前台员工应提醒客人交还房匙→如客人出示的钥匙没有房卡或押金单证明其房号，必须验卡验证无误后，方可通知客房服务员查房并办理退房手续。 7、退房时，客人将钥匙留在房间：客房服务员查完房交到前台。凡有折痕、断裂、明显污迹、坏的钥匙，交前台主管保管。 8、未经登记客人许可，不得为任何来访者开启客人房间或

客房部房卡管理制度

客房部房卡管理制度及开门程序房卡管理制度 1、作为客房部的任何一员，如将总卡或是楼层卡丢失，就等于丢掉自己的这份工作，后果是不堪设想的，因为这关系到酒店和客人的财产安全和人生安全问题； 2、所有持卡人都应做到卡不离人，不可将卡乱扔乱放，更不可将卡随便给部门以外的人去开房门； 3、每天上下班或吃饭的时候，都应有交接卡的程序，做好交接的登记； 4、不可将卡带离工作岗位，用餐或下班时应将卡交还房务中心保管； 5、每个持卡人都应爱护房卡，正确使用房卡。敲门开门程序 1、客房部任何持卡人都应养成，不管是任何房态（也就是说：不管是空房、住人房、锁房还是维修房等等”）都应养成敲门报服务员”的好习惯； 2、在开房门前首先要时刻了解所要开门的房间状态（即:房态），一般除住人房而外，我们只需敲一次房门报服务员”即可，而对住客房来讲就不能简单化，不管此时房间是否有客或是无客，都应先按门铃三下或再敲三次房门，然后报：服务员”同时耳朵要时刻关注房间有无动静（也就是说：是否听到有客人回应？”； 3、不可不敲门直接就拿房卡开门，或者是边敲门边插房卡开门，

还有任何人都不能抱有：我以为房间没有客人”的这种想法，而直接插卡开门的话，将会酿成大错，这些可都是开门的大忌； 4、开门时要注意房卡芯片的朝向，同时要懂得识别电脑锁信号灯所表示的意思，电脑锁信号灯一般有以下四种表示意义： A、房卡芯片朝向正确和设置房号和门牌号对得上，插入房卡电脑锁会亮绿灯，你会听到嘟”一声，此时立即拔出房卡，此时又会听到电脑锁内弹簧回弹的声音，这时房门就可以打开了； B、房卡所设置的房号与门牌号对不上（也就是说：客人如果走错房间”，或者是房卡超时和插卡不到位，此时电脑锁会闪三下黄灯，房门是打不开的； C、任何房卡插反了，电脑锁都会亮红灯，抽出房卡红灯立即熄灭，此时房门是打不开的； D如果房间里面打上防盗栓的话，此时用总卡、楼层卡、宾客卡开门，电脑锁都会先亮黄灯，再亮红灯，并且会有嘟”一声鸣响； E、不管你怎么插卡，电脑锁都不会亮灯的话，表示电脑锁没有电了，就要采取措施更换电池，方可用卡开门。 5、客房部任何持卡人都不能随便用自己的卡去帮客人开门，必须确认客人身份无误后，方可用自己的卡帮客人开门，一般客人开不了门并要求帮其开门有以下几种情况： A、客人有卡，没欢迎卡，走错房间； B、客人有卡，有/无欢迎卡，但客人不会开；

酒店房卡管理制度

南融全际酒店房卡管理制度一、房卡类别： a)客房房卡分总裁卡、管理卡、总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 b)总裁卡、管理卡、总控卡由总经办班相关管理人员持有（总经理、总助） c)领班卡由客房经理和客房主管、领班持有 d)楼层卡由各楼层客房部员工持有 e)客人卡由前台员工制作注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报直属上级，采取相应措施（消磁和补办），前台需有补办记录，以免酒店遭受损失二、房卡操作流程 a)领班卡、楼层卡由客房部负责保管，必须存放在指定地方，客房经理须每天检查 b)楼层房卡由客房经理/主管在每日晨会时发放给服务员 c)服务员在领用和交接时必须在工作记录本上记录并签名确认 d)服务员在当班时才有权使用楼层卡在班次结束时需将楼层卡归还 e)服务员非工作需要不得擅自开启客房房门 f)不得随便为他人开启客房 g)客人在楼层要求开门，服务员请客人核对身份，用电话和前台核对（姓名、身份证、入住日期等），待确认客人身份后方可为客人开启房门 h)按前台指示为客人开启房门三、房卡保管 a)房卡要时刻随身携带，不得乱丢、乱放 b)严禁将房卡转借他人使用 c)丢失房卡，马上报告主管，查明原因，积极寻找 d)房卡严禁当取电卡使用 e)夜班员工领取领班卡 f)房卡归还必须有记录，并且签名确认四、客人卡管理制度 a)客人入住前前台人员将客人房间房卡制作给客人 b)原则上每个房间只发放一张房卡，若客人需要两张房卡需收取相应的押金为客人发放两张房卡并在电脑上注明，在交班记录本上做好交接 c)客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符说明规定，向客人收取赔偿费重新制作一把新的房卡给客人开具赔偿单签客人签字在交班记录本上做好交接管理人员根据赔偿单到财务处领取新房卡 d)客人房卡损坏：验卡显示房号和客人所报相同，且房卡还未过期核对客

酒店管理规范

客房服务流程及规范一、目的:为了规范客房服务人员的服务行为,提高酒店的客房服务水平, 提升客户对服务的满意度,特制定工作标准。二、员工仪容仪表: 1.手指甲不得超过0、5毫米,时刻保持清洁,不可涂指甲油; 2.经常理发,头发梳理整齐。保持前不遮眉、中不盖耳、后不过领,女士长发要简单盘于脑后。男士胡须应始终修剪干净。 3.不可佩戴夸张首饰,男士只可带样式简单的手表; 4.整齐穿着酒店制服,制服要求干净整洁; 5.员工不可佩戴有色及大框眼镜; 6.女员工必须着淡妆,不可不化妆或化浓妆。三、对客服务规范: 1.见到客人要侧身礼让并微笑点头问好; 2.与客人交谈时要有礼貌,必须使用礼貌用语; 3.对客人的额外要求,应立即报告主管; 4.不得向客人索要小费或礼品; 5.如果发现客人在房间里吵闹、发病或醉酒,立即通知主管; 6.非工作需要不得开启或进入客人房间,如因工作需要应先敲门经客人允许后方可进入; 7.在客人房间做清洁时,不得翻瞧客人物品; 8.不得想客人泄露酒店管理秘密; 9.不得想客人泄露其她客人的信息及秘密; 10.不得私自为客人结账,应礼貌指引到前厅处。四、物品发放流程及规范: 1.填写申请单 ①客房部凡领用物品,均须规定填写申请单; ②申请单须经主管与经理审批。 2.发放与盘点 ①凭经理审批后的申请单,有客房文员予以发放,发货时要注意物品保质期,先进先发、后进后发; ②客房文员按时进行月度物品盘点存量。 3.做好发放记录 ①发放物品时,客房文员要以填好的物品领用单(含日期、名称、规格、型号、数量、单价、用途等)为依据; ②客房文员要及时做好物品管理账簿,保证账物一致。

酒店前台房卡管理制度

酒店前台房卡管理制度一、房卡类别： 1、客房房卡分总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 2、总控卡店级领导、客房相关管理人员持有（董事长、总经理、副总经理、客务总监、客房经理） 3、领班卡由各楼层领班持有 4、楼层卡各楼层员工持有 5、客人卡由前台员工制作注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报部门，采取相应的措施（消磁和补办），前台要有补办记录，以免酒店遭受损失二、客人卡的管理制度： 1、将客房匙交给客人前，前台员工必须确认客人身份； 2、前台原则上单人房每间只发放一条房匙，双人房根据客人要求可发放两条房匙，并在电脑中注明； 3、客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向客人收取或从押金中扣除赔偿费（30元）→重新制作l把新的钥匙给客人→通知房务中心→使用管理卡到该房间插一次卡（做消磁处理），确保插卡前使用的钥匙作废。 4、客人钥匙损坏： A.验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作l把钥匙给客人，并向客人致歉。 B.如果卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作1把钥匙给客人，并向客人致歉。 5、客人寄存钥匙： A.听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡填写房号，钥匙插入新房卡，放在寄存抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还钥匙，将写房号的房卡撕

毁。 B.如验卡时，房号不能显示，应先验明身份，重新制作钥匙，再进行寄存。 C.如客人寄存时嘱咐他人来取→填写留言单，请客人签字确认→钥匙、留言单放在房卡中存放于收银抽屉内→领取时验明身份→留言单保留在客帐内直至客人退房。 6、客人退房时，前台员工应提醒客人交还房匙→如客人出示的钥匙没有房卡或押金单证明其房号，必须验卡验证无误后，方可通知客房服务员查房并办理退房手续。 7、退房时，客人将钥匙留在房间：客房服务员查完房交到前台。凡有折痕、断裂、明显污迹、坏的钥匙，交前台主管保管。 8、未经登记客人许可，不得为任何来访者开启客人房间或发卡给来访者； 9、任何服务员如发现房卡遗留于公共场所，应立即交当值主管，送回前台接待处处理； 10、客房服务员不得对客人以错放锁匙在房间内为由，随便开房门让客人进入，应即时打电话到前台接待处核实客人身份，如有任何疑问，应请客人到前台接待处办理补匙手续。 11、前台服务员每班交接时，必须核对客人钥匙数量。发现任何缺失必须上报并在交接本上作记录。 10、所有IC卡上不能贴房号。

前台房卡管理规定

酒店安全管理制度

酒店安全管理制度总则一、为了加强酒店的安全监督管理，防止和减少安全事故，保障酒店、客人和员工的生命和财产安全，促进酒店经营管理的健康发展，根据《中华人民共和国安全法》和有关法律法规的规定，特制定本规定。二、酒店设安全管理委员会，由总经理任主任委员，副主任委员由酒店副总担任，以协管酒店工保部工作。安全管理委员会其他委员由各部门负责人担任，并由总经理任命。安全管理委员会的常设办事机构为工保部，安全日常工作由工保部负责，档案管理由总经办负责。三、各部门应根据本部门各岗位的工作特点，依照国家及行业的有关劳动安全规定及技术标准，制定和不断完善本部门各类劳动安全管理制度和操作规程。四、各部门制定的各类劳动安全管理规章制度，须报总经办备案。五、在发生安全事故时，可根据酒店总经理指示成立事故处理小组，并按酒店制定的《安全管理工作程序和报告制度》（见附件一）进行妥善处置。六、酒店劳动安全实行酒店、部门、班组三级管理。七、酒店安全管理委员会的职责： 1、组织、指导各部门贯彻落实国家的安全方针和有关政策、规定。 2、教育各部门管理人员尊章守法，带头搞好安全。 3、听取各部门安全方面的情况汇报，发现问题及时找有关人员研究解决。 4、协调各部门安全工作，调查、布置、指导、检查安全情况，发现问题立即纠正。 5、负责随时检查、通报各部门劳动安全管理的执行情况，对出现的各类不安全问题及职业伤害事故进行调查分析，并提出处理意见和整改措施。八、部门负责人安全职责： 1、在酒店安全管理委员会的领导下，对本部门执行安全规章制度的情况进行经常性的监督检查，对各岗位、设备的安全操作和安全运行进行监督。 2、向酒店安全管理委员会提交安全书面工作意见，主要包括：针对部门的安全隐患提出防范措施、隐患整改方案、安全技术措施和经费开支计划。 3、参与制定酒店和部门防止伤亡、火灾事故和职业危害的措施及危险岗位、危险设备的安全操作规程，并负责督促实施。 4、经常进行现场安全检查，及时发现、处理事故隐患。如有重大问题，应以书面形式

客房部房卡管理制度及开门程序

房卡管理制度 1、作为客房部的任何一员，如将总卡或是楼层卡丢失，就等于丢掉自己的这份工作，后果是不堪设想的，因为这关系到酒店和客人的财产安全和人生安全问题； 2、所有持卡人都应做到卡不离人，不可将卡乱扔乱放，更不可将卡随便给部门以外的人去开房门； 3、每天上下班或吃饭的时候，都应有交接卡的程序，做好交接的登记； 4、不可将卡带离工作岗位，用餐或下班时应将卡交还房务中心保管； 5、每个持卡人都应爱护房卡，正确使用房卡。敲门开门程序 1、客房部任何持卡人都应养成，不管是任何房态（也就是说：“不管是空房、住人房、锁房还是维修房等等”）都应养成敲门报“服务员”的好习惯； 2、在开房门前首先要时刻了解所要开门的房间状态（即：房态），一般除住人房而外，我们只需敲一次房门报“服务员”即可，而对住客房来讲就不能简单化，不管此时房间是否有客或是无客，都应先按门铃三下或再敲三次房门，然后报：“服务员”，同时耳朵要时刻关注房间有无动静（也就是说：“是否听到有客人回应？”）； 3、不可不敲门直接就拿房卡开门，或者是边敲门边插房卡开门，还有任何人都不能抱有：“我以为房间没有客人”的这种想法，而直接插卡开门的话，将会酿成大错，这些可都是开门的大忌； 4、开门时要注意房卡芯片的朝向，同时要懂得识别电脑锁信号灯所表示的意思，电脑锁信号灯一般有以下四种表示意义： A、房卡芯片朝向正确和设置房号和门牌号对得上，插入房卡电脑锁会亮绿灯，你会听到“嘟”一声，此时立即拔出房卡，此时又会听到电脑锁内弹簧回弹的声音，这时房门就可以打开了； B、房卡所设置的房号与门牌号对不上（也就是说：“客人如果走错房间”），或者是房卡超时和插卡不到位，此时电脑锁会闪三下黄灯，房门是打不开的； C、任何房卡插反了，电脑锁都会亮红灯，抽出房卡红灯立即熄灭，此时房门是打不开的； D、如果房间里面打上防盗栓的话，此时用总卡、楼层卡、宾客卡开门，电脑锁都会先亮黄灯，再亮红灯，并且会有“嘟”一声鸣响； E、不管你怎么插卡，电脑锁都不会亮灯的话，表示电脑锁没有电了，就要采取措施更换电池，方可用卡开门。 5、客房部任何持卡人都不能随便用自己的卡去帮客人开门，必须确认客人身份无误后，方可用自己的卡帮客人开门，一般客人开不了门并要求帮其开门有以下几种情况： A、客人有卡，没欢迎卡，走错房间； B、客人有卡，有/无欢迎卡，但客人不会开；

酒店客房部管理制度流程

一、房务部规章制度 “宾客至上、服务第一”是我们的服务宗旨：客人永远是对的，是我们的座右铭。对此，每一个前台人员务必深刻、领会、贯彻到一言一行中去。酒店业是服务行业，我们要发扬中国传统的礼节和好客之道，树立服务光荣的思想，加强服务意识，竭力提供高效、准确、礼貌的服务，这宾客创一个“宾至如归”的境界。 1）仪表、仪态：（一）本部门员工以站立姿势服务，总台夜班员工十二点以后方坐，但若有客人前来，当即起立。（二）在服务区域内，身体不得东歪西倒，前倾后靠，不得伸懒腰、驼背、耸肩、不得扎堆聊天。（三）不配带任何饰物、留长指甲、女员工不得涂色在指甲上。（四）必须佩带工号牌，工号牌应佩带在左胸处，不得任其歪歪扭扭，注意修整，发现问题及时纠正，从后台进入服务区域之前，也应检查仪容仪表。 2）表情、言谈：（一）面对客人应表现出热情、亲切、真实、友好，必要时要有同情的表情，做到精神振奋、情绪饱满、不卑不亢。（二）和客人交谈时应眼望对方，频频点头称是。（三）双手不得叉腰，交叉腰前，插入衣裤或随意乱放，不抓头，抓痒，挖耳，抠鼻孔，不得敲桌子，鼓击或摆弄其它物品。（四）不得哼歌曲，吹口哨，跺脚，不得随地吐痰，乱蓬蓬丢杂物，不得当众整理个人衣物，不得将任何物件夹于腋下。（五）在客人面前不得经常看表。（六）咳嗽，打喷嚏时应转身向后，并说对不起。（七）不得大声谈笑、说话、喊叫，乱丢碰物品，发出不必要声响。（八）上班时间不得抽烟、吃食物。（九）不得用手指或笔杆指客人和为人指示方向。（十）要注意自我控制，随时注意自己的言行举动。在与客人讲话时应全身贯注，用心倾听，不得东张西望，心不在焉。（十一）在为客人服务时不得流露出厌烦、冷淡、愤怒、僵硬、紧张和恐惧的表情，不得扭捏作态，做鬼脸、吐舌、眨眼。（十二）员工在服务、工作、打电话和与客人交谈时，如有客人走近，应立即示意，以表示已注意他（她）的来临，不得无所表示，等客人开口。（十三）不得以任何借口顶撞、讽刺、挖苦客人。（十四）指第三者是不能讲他（她），应称那位先生或那位女士。（十五）离开面对客人，一律讲“请稍候”，如果离开时间较长，回来后要讲“对不起，让你久等”，不得一言不发就开始服务。 3）制服：（一）制服应干净、整齐、笔挺。二）纽扣要全部扣好，穿西装制服时，第一颗纽扣须扣上，不得敞开外衣，卷起裤脚，衣袖，领带必须给正。（三）行李员不得不戴制服帽出现在服务区域内。 4）电话：（一）所有来电务必在三响之内接答。

房卡管理规定

房卡管理规定一、房卡类别： 1、客房房卡分总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 2、总控卡由相关管理人员持有。 3、领班卡由各楼层领班持有。 4、楼层卡各楼层员工持有。 5、客人卡由前台员工保管、制作。注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报部门，采取相应的措施（消磁和补办），前厅部要有补办记录，以免酒店遭受损失二、房卡管理 1、总控卡由项目经理、项目副经理、前厅部经理、客房部经理、值班经理持有。 2、领班卡、楼层卡由客房服务中心保管，实行每天签字借用制度。 ⑴领班卡用于查房使用，此卡可以开启所管辖的楼层所有客房房门。 ⑵楼层卡用于服务员打扫卫生使用，按照服务员的工作范围制作。 ⑶调换楼层时要有交接手续。 3、客人卡的管理制度： ⑴将客房卡交给客人前，前台员工必须确认客人身份； ⑵前台原则上单人房每间只发放一张房卡，根据客人实际要求可发放两张房卡，并在电脑中注明数量； ⑶客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向飞行大队相关负责部门或负责人报告→重新制作l张新的房卡给客人→确保前一张房卡作废。 ⑷客人钥匙损坏： A. 验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作l张房卡给客人，。

B. 如果卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作1张房卡给客人，并向客人说明。 ⑸客人寄存钥匙： A. 听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡袋填写房号，将房卡插入房卡袋内，放在抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还房卡。 B. 如验卡时，房号不能显示，应先验明身份，再进行寄存。 C. 如客人寄存时嘱咐他人来取→填写留言单，请客人签字确认→房卡、留言单放在房卡袋中存放于抽屉内→领取时验明身份→留言单保留在客帐内直至客人退房。 ⑹客人退房时，前台员工应提醒客人交还房卡→必须验卡无误后，方可通知客房服务员查房并办理退房手续。 ⑺退房时，客人将房卡留在房间：客房服务员查完房交到房务中心→礼宾员/ 服务员取回送至总台。 ⑻未经登记客人许可，不得为任何来访者开启客人房间或发卡给来访者； ⑼任何服务员如发现房卡遗留于公共场所，应立即交当值经理，送回前台接待处处理； ⑽客房服务员不得对客人以错放房卡在房间内为由，随便开房门让客人进入，应即时打电话到前台接待处核实客人身份，如有任何疑问，应请客人到前台接待处办理补卡手续。 ⑾前台服务员每班交接时，必须核对客人房卡数量。发现任何缺失必须上报并在交接本上作记录。 ⑿所有房卡上不能贴房号。（房卡套未到之前，总台制作客人卡可使用房号贴）

酒店房卡管理规定

酒店房卡管理规定一、房卡类别： 1、客房房卡分总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 2、总控卡由相关管理人员持有。 3、领班卡由各楼层领班持有。 4、楼层卡各楼层员工持有。 5、客人卡由前台员工保管、制作。注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报部门，采取相应的措施（消磁和补办），网络班要有补办记录，以免酒店遭受损失二、房卡管理 1、总控卡由总经理、副总经理、前厅部经理、客房部经理、大堂经理持有。 2、领班卡、楼层卡由客房服务中心保管，实行每天签字借用制度。 ⑴领班卡用于查房使用，此卡可以开启所管辖的楼层所有客房房门。 ⑵楼层卡用于服务员打扫卫生使用，按照服务员的工作范围制作。 ⑶调换楼层时要有交接手续。 3、客人卡的管理制度： ⑴将客房卡交给客人前，前台员工必须确认客人身份； ⑵前台原则上单人房每间只发放一张房卡，双人房根据客人要求可发放两张房卡，并在电脑中注明数量； ⑶客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向客人收取或从押金中扣除赔偿费（30元）→重新制作l张新的房卡给客人→确保前一张房卡作废。 ⑷客人钥匙损坏：

A. 验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作l张房卡给客人，并与客人说明赔偿费用。 B. 如果卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作1张房卡给客人，并向客人说明赔偿费用。 ⑸客人寄存钥匙： A. 听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡袋填写房号，将房卡插入房卡袋内，放在抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还房卡。 B. 如验卡时，房号不能显示，应先验明身份，再进行寄存。 C. 如客人寄存时嘱咐他人来取→填写留言单，请客人签字确认→房卡、留言单放在房卡袋中存放于抽屉内→领取时验明身份→留言单保留在客帐内直至客人退房。 ⑹客人退房时，前台员工应提醒客人交还房卡→必须验卡无误后，方可通知客房服务员查房并办理退房手续。 ⑺退房时，客人将房卡留在房间：客房服务员查完房交到房务中心→礼宾员取回送至总台。 ⑻未经登记客人许可，不得为任何来访者开启客人房间或发卡给来访者； ⑼任何服务员如发现房卡遗留于公共场所，应立即交当值主管，送回前台接待处处理； ⑽客房服务员不得对客人以错放房卡在房间内为由，随便开房门让客人进入，应即时打电话到前台接待处核实客人身份，如有任何疑问，应请客人到前台接待处办理补卡手续。 ⑾前台服务员每班交接时，必须核对客人房卡数量。发现任何缺失必须上报并在交接本上作记录。 ⑿所有房卡上不能贴房号。

酒店房卡管理制度20111231

----------------------------精品word文档值得下载值得拥有---------------------------------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- ----- 峨眉天颐温泉度假大饭店房卡管理制度一、房卡类别 1、客房房卡分总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 2、总控卡店级领导、客房相关管理人员持有（董事长、总经理、副总经理、客务总监、客房经理） 3、领班卡由各楼层领办持有 4、楼层卡各楼层员工持有 5、客人卡由前台员工制作注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报部门，采取相应的措施（消磁和补办），前台要有补办记录，以免酒店遭受损失二、客人卡的管理制度： 1、将客房匙交给客人前，前台员工必须确认客人身份； 2、前台原则上单人房每间只发放一条房匙，双人房根据客人要求可发放两条房匙，并在电脑中注明； 3、客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向客人收取或从押金中扣除赔偿费（30元）→重新制作l把新的钥匙给客人→通知房务中心→使用管理卡到该房间插一次卡（做消磁处理），确保插卡前使用的钥匙作废。 4、客人钥匙损坏： A.验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作l把钥匙给客人，并向客人致歉。 B.如果卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作1把钥匙给客人，并向客人致歉。 5、客人寄存钥匙： A.听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡填写房号，钥匙插入新房卡，放在寄存抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还钥匙，将写房号的房卡撕毁。 ----------------------------精品word文档值得下载值得拥有----------------------------------------------

酒店前台房卡管理制度

酒店前台房卡管理制度酒店前台房卡处理制度一、房卡类别：1、客房房卡分总控卡、工头卡、楼层卡、客人卡。2、总控卡店级领导、客房相关处理人员持有（董事长、总司理、副总司理、客务总监、客房司理）3、工头卡由各楼层领办持有4、楼层卡各楼层职工持有5、客人卡由前台职工制造注：若工头卡、楼层卡丢掉或损坏，应立即上报部分，采纳相应的办法（消磁和补办），前台要有补办记载，避免酒店遭受丢失二、客人卡的处理制度：1、将客房匙交给客人前，前台职工有必要承认客人身份；2、前台原则上单人房每间只发放一条房匙，双人房依据客人要求可发放两条房匙，并在电脑中注明；3、客人房卡丢失：验明客人身份和挂号相符→阐明规则，向客人收取或从押金中扣除赔偿费（30元）→从头制造l把新的钥匙给客人→告诉房务中心→运用处理卡到该房间插一次卡（做消磁处理），保证插卡前运用的钥匙报废。4、客人钥匙损坏：A.验卡→显现房号和客人所报相同，且在期限内→从头制造l 把钥匙给客人，并向客人致歉。B.假如卡号不能显现或不能验卡→验明客人身份和挂号相符→从头制造1把钥匙给客人，并向客人致歉。5、客人存放钥匙： A.听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显现房号和客人所报共同，取房卡填写房号，钥匙刺进新房卡，放在存放抽屉内→客人来取时，验

明身份后，交还钥匙，将写房号的房卡撕毁。B.如验卡时，房号不能显现，应先验明身份，从头制造钥匙，再进行存放。C.如客人存放时吩咐别人来取→填写留言单，请客人签字承认→钥匙、留言单放在房卡中存放于收银抽屉内→收取时验明身份→留言单保留在客帐内直至客人退房。6、客人退房时，前台职工应提示客人交还房匙→如客人出示的钥匙没有房卡或押金单证明其房号，有必要验卡验证无误后，方可告诉客房服务员查房并处理退房手续。7、退房时，客人将钥匙留在房间：客房服务员查完房交到前台。凡有折痕、开裂、显着污迹、坏的钥匙，交前台主管保管。8、未经挂号客人答应，不得为任何来访者敞开客人房间或发卡给来访者；9、任何服务员如发现房卡留传于公共场所，应立即交当值主管，送回前台接待处处理；10、客房服务员不得对客人以错放锁匙在房间内为由，随意开房门让客人进入，应即时打电话到前台接待处核实客人身份，如有任何疑问，应请客人到前台接待处处理补匙手续。11、前台服务员每班交代时，有必要核对客人钥匙数量。发现任何缺失有必要上报并在交代本上作记载。

旅馆治安管理制度

美湖假日酒店治安管理制度 (一) 安全责任制度。旅馆业的法定代表人或者主要负责人为治安责任人，负责组织本单位员工切实贯彻执行相关法律法规和旅馆业治安管理的各项规章制度；加强对内部保卫组织的领导，教育员工提高警惕，遵纪守法，落实各项安全防范措施。 (二) 验证登记制度。对入住旅客，要严格检验其有效证件，做到人证相符，登记内容齐全、准确、不漏登、错登，旅馆入住、退宿登记率达到100%。验证主要是查验旅馆客居民身份、军人证、司法机关的释放证明文书、公安机关的身份证明、有身份证号码的其他证件（驾驶证等），以及行政事业单位的工作证件等；查验登记主要包括查验身份证件真伪，登记旅馆姓名、证件号码、户籍住址以及入住时间等项目。 (三) 使用旅馆业治安管理信息系统制度。 1. 及时录入、修改、传送旅馆地址、名称、经营范围等基本情况； 2. 及时录入、修改、传送旅馆法人、负责人、安保部和客房部、前厅部等部门负责人、客房、总台、安保部门的从业人员花名册； 3. 及时录入、传送行李寄存、现金及贵重物品寄存、拾物登记等情况；

4. 及时录入、传送可疑情况报查信息、骚扰登记情况； 5. 及时录入、传送发生的各种治安案件、刑事案件和治安灾害事故的情况，以及系统设置的其他信息； 6. 及时浏览接收各种通知、通缉、通报、协查，并录入、传送接收回执。 7. 因故不能及时录入旅客住宿信息的，要在1小时内补录、传送。交接班时要检查计算机登记的信息，对未传送的录入信息按规定传送。其他相关信息或信息变更要及时录入、即时传送。 8. 建立系统管理使用日志，将每天入退宿人员信息、录入数量和传输情况如实登记。如遇计算机无法录入和传输帮障时，应在30分种内和系统维修单位联系，同时告知当地派出所。 (四) 访客登记制度。对前来访客的非住宿人员，门卫或前台服务人员应审查登记其身份证件项目、记录会客来去时间，由旅馆工作人员安排会见，提示来访客者遵守访客时间，一般安排在会客室或指定的地点，不宜进入客房会客。 (五) 值班巡查制度。旅馆应根据规模大小设立专兼职内保人员，负责门卫、内部安全保卫和停车场所等重要部位安全管理。旅馆安保人员要加强对消防安全、治安安全检查，建立安全检查登记簿。按规定应安装监控系统的

星级酒店房卡管理制度

一、房卡类别： 1、客房房卡分总控卡、领班卡、楼层卡、客人卡。 2、总控卡店级领导、客房相关管理人员持有(董事长、总经理、副总经理、客务总监、客房经理) 3、领班卡由各楼层领办持有 4、楼层卡各楼层员工持有 5、客人卡由前台员工制作注：若领班卡、楼层卡丢失或损坏，应立即上报部门，采取相应的措施(消磁和补办)，前台要有补办记录，以免酒店遭受损失二、客人卡的管理制度： 1、将客房匙交给客人前，前台员工必须确认客人身份; 2、前台原则上单人房每间只发放一条房匙，双人房根据客人要求可发放两条房匙，并在电脑中注明; 3、客人房卡遗失：验明客人身份和登记相符→说明规定，向客人收取或从押金中扣除赔偿费(30元)→重新制作l把新的钥匙给客人→通知房务

中心→使用管理卡到该房间插一次卡(做消磁处理)，确保插卡前使用的钥匙作废。 4、客人钥匙损坏： A.验卡→显示房号和客人所报相同，且在期限内→重新制作l把钥匙给客人，并向客人致歉。 B.如果卡号不能显示或不能验卡→验明客人身份和登记相符→重新制作1把钥匙给客人，并向客人致歉。 5、客人寄存钥匙： A.听清客人所报房号，请客人稍等→验卡→显示房号和客人所报一致，取房卡填写房号，钥匙插入新房卡，放在寄存抽屉内→客人来取时，验明身份后，交还钥匙，将写房号的房卡撕毁。 B.如验卡时，房号不能显示，应先验明身份，重新制作钥匙，再进行寄存。 C.如客人寄存时嘱咐他人来鳃填写留言单，请客人签字确认→钥匙、留言单放在房卡中存放于收银抽屉内→领取时验明身份→留言单保留在客帐内直至客人退房。

6、客人退房时，前台员工应提醒客人交还房匙→如客人出示的钥匙没有房卡或押金单证明其房号，必须验卡验证无误后，方可通知客房服务员查房并办理退房手续。 7、退房时，客人将钥匙留在房间：客房服务员查完房交到前台。凡有折痕、断裂、明显污迹、坏的钥匙，交前台主管保管。 8、未经登记客人许可，不得为任何来访者开启客人房间或发卡给来访者; 9、任何服务员如发现房卡遗留于公共场所，应立即交当值主管，送回前台接待处处理; 10、客房服务员不得对客人以错放锁匙在房间内为由，随便开房门让客人进入，应即时打电话到前台接待处核实客人身份，如有任何疑问，应请客人到前台接待处办理补匙手续。 11、前台服务员每班交接时，必须核对客人钥匙数量。发现任何缺失必须上报并在交接本上作记录。 10、所有IC卡上不能贴房号。

Polarization-induced size control and ablation dynamics of Ge nanostructures formed by a femtosecond

酒店前台服务员管理规章制度

酒店房卡管理规定

酒店前台房卡管理规定

房卡管理制度

星级酒店房卡管理守则4.doc

客房部房卡管理制度

酒店房卡管理制度

酒店管理规范

酒店前台房卡管理制度

前台房卡管理规定

酒店安全管理制度

客房部房卡管理制度及开门程序

酒店客房部管理制度流程

房卡管理规定

酒 店 房 卡 管 理 规 定

酒店房卡管理制度20111231

酒店前台房卡管理制度

旅馆治安管理制度

星级酒店房卡管理制度

酒店房卡管理规定