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碳纳米管薄膜氢等离子体的微波衰减特性_贾鹏

碳纳米管薄膜氢等离子体的微波衰减特性_贾鹏
碳纳米管薄膜氢等离子体的微波衰减特性_贾鹏

第29卷第2期2015年6月南华大学学报(自然科学版)

Journal of University of South China (Science and Technology )Vol.29No.2Jun.2015

收稿日期:2014-11-12

基金项目:湖南省自然科学基金资助项目(14JJ2085);湖南省衡阳市科技局科学研究基金资助项目(2014KJ14)作者简介:贾

鹏(1980-),男,山西临汾人,南华大学数理学院讲师,硕士.主要研究方向:碳纳米管材料的物理特性.*通讯作者.

文章编号:1673-0062(2015)02-0084-03

碳纳米管薄膜氢等离子体的微波衰减特性

鹏,彭志华

*

(南华大学数理学院,湖南衡阳421001)

要:研究了电子碰撞和自由电子密度分布对铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管

中氢等离子体微波衰减的影响,运用Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB )法理论推导了碳纳米管薄膜氢等离子体的微波衰减系数公式.模拟结果表明,随着单壁碳纳米管薄膜氢

等离子体中自由电子密度的线性增加,衰减吸收峰值增加,衰减吸收峰向高频方向移动.随着电子有效碰撞频率的增加,

衰减吸收峰向低频方向做微小移动.铁催化高压歧化生成的碳纳米管薄膜中氢等离子体对3-4GHz 的微波产生强烈衰减吸收.关键词:碳纳米管;氢等离子体;微波;衰减吸收

中图分类号:TM272文献标识码:A

Microwave Attenuation of the Hydrogen Plasma in Carbon Nanotubes Film

JIA Peng ,PENG Zhi-hua *

(School of Mathematics and Physics ,University of South China ,Hengyang ,Hunan 421001,China )

Abstract :The influences of electronic collision and liberal electron density of hydrogen plasma on microwave attenuation of hydrogen plasma in carbon nanotubes films are investi-gated in detail.Based on Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB )approximation ,the microwave attenuation coefficient of hydrogen plasma in single wall carbon nanotubes ,which are grown by iron-catalyzed high-pressure disproportionation (HiPco ),is deduced.Numerical results indicate that with the increase of the liberal electron density ,the maximum attenuation ab-sorption Att max increases ,

and the attenuation absorption peak shifts towards the high fre-quencies.As the electronic effective collision frequency increases ,the attenuation absorp-tion peak shifts slowly towards low frequency.Microwave energy loss (3-4GHz )is pre-dominantly caused by the hydrogen plasma in carbon nanotubes films ,which are grown by iron-catalyzed high-pressure disproportionation (HiPco ).

key words :carbon nanotubes ;hydrogen plasma ;microwave ;attenuation absorption

第29卷第2期贾鹏等:碳纳米管薄膜氢等离子体的微波衰减特性0引言

近年来,含碳纳米管材料的制备及其对电磁波

的吸收性能已成为材料科学领域研究的热点之

一[1-6].研究表明[2,5-9]:碳纳米管较大的比表面积、

特殊的管道结构及高压和低温均有利于氢气在碳

纳米管中的凝聚吸附.铁催化高压歧化生成的单壁

碳纳米管薄膜中的氢气在微波辐射下,部分被电

离,形成等离子体,对微波产生强烈的吸收,且伴随

着剧烈的热能释放[6-10].Baldwin[11]通过散射实验,

对氢等离子体的热效应和朗道阻尼进行了微观分

析,证明氢等离子体具有耗散介电性质.

基于氢等离子体具有耗散介电性质,本文提出

了铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管薄膜氢等离

子体中自由电子密度的线性分布模型、在考虑了电

子碰撞对微波衰减吸收的基础上,数值模拟了单壁

碳纳米管薄膜非磁化氢等离子体的微波吸收特性.

1理论模型

碳纳米管具有良好的吸附储氢性能,铁催化

高压歧化过程为碳纳米管吸附氢气提供了有利条

件.在微波作用下,其高频电磁场能使气体激发而

产生等离子体[12-14].由于离子、中性粒子和碳纳

米管分子质量远大于电子,仅考虑电子间碰撞时,

碳纳米管薄膜氢等离子体的相对介电常数为[11]

εr=1-

ω2p

ω2+ν2e

-j

υe

ω

ω2p

ω2+ν2e

,(1)

式(1)中,ωp=

n

e

e2

ε0m

槡e为等离子体频率,m e、e

和n e分别为自由电子的质量、电量和密度,ε0是真空中的介电常数,ω=2πν为入射电磁波角频率,νe为电子有效碰撞频率,可由统计理论推算,实际应用时可取经验值,对于非磁化等离子体,νe 一般在109Hz 1011Hz之间[10].

设含氢等离子体的铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管薄膜厚度为d,微波垂直入射碳纳米管薄膜,方向为z轴,n e延z轴线性分布,其分布函数为

n e =n

e0

+

n

emax

-n

e0

d

z(0<z<d),(2)

式(2)中,z=0处电子数密度为n e0,在z=d处电子数密度为n emax,n e数量级一般在1017m-3 1019m-3之间[15],考虑到单壁碳纳米管对氢气的吸附量以及微波作用后氢形成等离子体的数量和比率,n e在1017m-3数量级,取n emax=3?1017m-3,n

e0

=2?1017m-3.

根据电磁波在耗散介质中的传播规律,微波在碳纳米管氢等离子体中的色散关系为

k=k

ε

槡r=k r+jk j,(3)式中k0=ω0/c是真空中的波数,k r、k j分别是k 的实部和虚部,由于碰撞效应,虚部k j反映随着波在氢等离子体中的传输其幅度会不断地衰减.由式(1)、式(2)两式可得

k

j

=k

r sinφ/

()

2,(4)r=1-

ω2p

ω2+ν2e

2-

ω2p

ω

[]

{}214

φ=

φ0

φ0+

{πReεr>()0

Reε

r

()}0,(5)φ0=arctg-

νeω2p

ωω2+ν

e

-ω2

()

[]

p

,(6)在无源耗散介质中沿Z轴方向传播的电磁波的横向电场传播方程为

d2E(z)

d x2

+k2E(z)=0,(7)当

1

k2

d k

d z

1时,则电场的W.K.B解为

E(z)=E

exp(-j∫z0k d z'),(8)则入射微波在d=1cm厚的单壁碳纳米管氢等离子体中的能量衰减系数为

Att=10lg P(z)

P

[]

=10lg E

2(z)

E

[]2

=20lg

()e k j=

40(lg e)πν

c

1-

e2n

ez

(ν2+ν2

e

)ε

m

e

2-

e2

ε0m e

n

ez

ν

[]

{}214sin(φ2).

(9)2数值计算与分析

当v e=22.0GHz,n e0<n e<n emax时,在微波段0 30GHz内单壁碳纳米管薄膜氢等离子体中的能量衰减情况如图1所示.n e从2?1017m-3增加到3?1017m-3时,衰减吸收峰值从29.9dB/cm 增加到32.87dB/cm;当ν一定时,随着n e线性增加,Att max增大,吸收峰向高频方向移动,且其吸收峰值缓慢变大.由图1知,单壁碳纳米管薄膜氢等离子体对3-4GHz频段的微波产生强烈吸收.图2是n e=2.181?1017m-3,νe取15 25GHz 时,在微波段0 30GHz的吸收衰减情况.当νe从

15GHz增加到25GHz时,最大衰减Att

max

从34.56dB/cm减少至28.80dB/cm,且随着电子碰撞

58

南华大学学报(自然科学版)2015年6月

有效频率的增加,吸收峰向低频方向做缓慢移动

.图1单壁碳纳米管薄膜氢等离子体的微波

衰减随入射微波频率和自由电子密度变化的关系Fig.1The microwave attenuation of hydrogen plasma

in single wall carbon nanotubes film vs incident microwave frequency and liberal electron

density

图2单壁碳纳米管薄膜氢等离子体的微波

衰减随入射微波频率和电子有效碰撞频率变化的关系Fig.2The microwave attenuation of hydrogen plasma in single wall carbon nanotubes film vs the incident microwave frequency and electronic effective collision frequency

3结果与讨论

本文构建了铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管薄膜氢等离子体中自由电子密度的线性分布模型.数值模拟结果表明,随着单壁碳纳米管薄膜

氢等离子体中n e 的线性增加,

k j 增加,Att max 增加,吸收峰向高频方向移动;随着νe 增加,k j 减少,Att max 减小,吸收峰缓慢地向低频方向移动.理论研究发现,铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管薄膜中氢等离子体对3 4GHz 的微波产生强烈吸收.

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carbon nanotubes for hydrogen storage [C ].Proceedings of the 2002US DOE Hydrogen Program Review ,

2002.6

8

碳纳米管纳米材料的应用要点

碳纳米管及其复合材料在储能电池中的应用 摘要碳纳米管具有良好的机械性能和导电性、高化学稳定性、大表面积以及独特的一维结构,选择合适的方法制备出碳纳米管复合材料,可以使其各种物理化学性能得到增强, 因而在很多领域有着极大的应用前景,尤其是在储能电池中的应用。本文分析了碳纳米管及其复合材料的特点,总结了碳纳米管的储锂机理,对其发展趋势作了展望。 关键词碳纳米管复合材料储能电池应用 Abstract carbon nanotubes(CNTs) are nanometer-sized carbon materials with the characteristics of unique one-dimensional geometric structure,large surface area,high electrical conductivity,elevated mechanical strength and strong chemical inertness. Selecting appropriate methods to prepare carbon nanotube composites can enhance physical and chemical properties , and these composites have a great future in many areas,especially in energy storage batteries . In this paper, based on the analysis and comparison of the advantages and disadvantages of carbon nanotube composites,the enhancement mechanisms of the CNTs catalysts are introduced. Afterward,the lithium ion storage properties are summarized according to the preparation methods of composite materials. Finally, the prospects and challenge for these composite materials are also discussed. Keywords carbon nanotube; composite; energy storage batteries; application 1 引言 碳纳米管(CNTs)在2004 年被人们发现,是一种具有特殊结构的一维量子材料, 它的径向尺寸可达到纳米级, 轴向尺寸为微米级, 管的两端一般都封口, 因此它有很大的强度, 同时巨大的长径比有望使其制作成韧性极好的碳纤维。碳纳米管由于其独特的一维纳米形貌被作为锂离子电池负极材料广泛研究,通过对碳纳米管进行剪切,官能化及掺杂等方法进行改性处理,能有效的减少碳纳米管的首次不可逆容量,增加可逆的储锂比容量。此外,碳纳米管的中空结构也成为抑制高容量金属及金属氧化物体积膨胀理想复合基体。本文中,我们研究了碳纳米管的储锂性能,考察了碳纳米管作为锡类复合材料基体,其内部限域空间对高容量金属及金属氧化物的储锂性能促进的具体原因。该研究结果为碳纳米管以及其他具有限域空间的结构在锂离子电池中的应用提供了参考。 2 碳纳米管的储锂机理和应用 相比广泛应用的石墨类材料,碳纳米管在锂离子电池负极材料中有其独特的应用优势。首先,碳纳米管的尺寸在纳米级,管内及间隙空间也都处于纳米尺寸级,因而具有纳米材料的小尺寸效应,能有效的增加锂离子在化学电源中的反应活性空间;其次,碳纳米管的比表面积较大,能增加锂离子的反应活性位,并且随着

碳纳米管的特性及应用_孙晓刚

作者介绍:孙晓刚(1957-),男,吉林人,江西金世纪冶金(集团)股份有限公司高级工程师,长期从事碳纳米管制备工 艺的研究,并对碳纳米管的工业化生产进行了广泛深入的研究和商业策划工作。 收稿日期:2001-02-21 修回日期:2001-05-08 碳纳米管的特性及应用 孙晓刚1,曾效舒2,程国安2 (1.江西金世纪冶金(集团)股份有限公司,江西南昌 330046; 2.南昌大学,江西南昌 330029) 摘 要:介绍了巴基球及碳纳米管的发现和历史,重点介绍 了碳纳米管的基本性能和晶体结构,描述了碳纳米管电传导 和热传导的机理。文中还介绍了碳纳米管的主要生产方法 和各自的优点。根据全球碳纳米管应用研究的方向,对碳纳 米管的应用领域进行了探讨,展望了碳纳米管的应用前景及 商业开发价值。 关键词:碳纳米管;性能;制备;应用 中图分类号:T B383 文献标识码:A 文章编号:1008-5548(2001)06-0029-05 1 碳纳米管简介 仅仅在十几年前,人们一般认为碳的同素异形 体只有两种:石墨和金刚石。1985年,英国Sussex 大学的Kroto教授和美国Rice大学的Sm alley教授 进行合作研究,用激光轰击石墨靶以尝试用人工的 方法合成一些宇宙中的长碳链分子。在所得产物中 他们意外发现了碳原子的一种新颖的排列方式,60 个碳原子排列于一个截角二十面体的60个顶点,构 成一个与现代足球形状完全相同的中空球,这种直 径仅为0.7nm的球状分子即被称为碳60分子。此 即为碳晶体的第三种形式。 1991年,碳晶体家族的又一新成员出现了,这 就是碳纳米管。日本NEC公司基础研究实验室的 Iijima教授在给《Nature》杂志的信中宣布合成了一 种新的碳结构。它由一些柱形的碳管同轴套构而 成,直径大约在1~30nm之间,长度可达到1μm。 进一步的分析表明,这种管完全由碳原子构成,并可 看成是由单层石墨六角网面以其上某一方向为轴, 卷曲360°而形成的无缝中空管。相邻管子之间的 距离约为0.34nm,与石墨中碳原子层与层之间的距 离0.335nm相近,所以这种结构一般被称为碳纳米 管。这是继C60之后发现的碳的又一同素异形体, 是碳团簇领域的又一重大科研成果。 碳纳米管由层状结构的石墨片卷曲而成,因卷 曲的角度和直径不同,其结构各异:有左螺旋的、右 螺旋的和不螺旋的。由单层石墨片卷成的称为单壁 碳纳米管,多层石墨片卷成的称为多壁碳纳米管。 碳纳米管的径向尺寸较小,管的外径一般在几纳米 到几十纳米;管的内径更小,有的只有1nm左右。 而碳纳米管的长度一般在微米量级,长度和直径比 非常大,可达103~106,因此,碳纳米管被认为是一 种典型的一维纳米材料。 碳纳米管、碳纳米纤维材料一直是近年来国际 科学的前沿领域之一。仅就碳纳米管而言,自从 1991年被人类发现以来,就一直被誉为未来的材 料。 2 基本性能 碳纳米管的性质与其结构密切相关。就其导电 性而言,碳纳米管可以是金属性的,也可以是半导体 性的,甚至在同一根碳纳米管上的不同部位,由于结 构的变化,也可以呈现出不同的导电性。此外,电子 在碳纳米管的径向运动受到限制,表现出典型的量 子限域效应;而电子在轴向的运动不受任何限制。 无缺陷金属性碳纳米管被认为是弹道式导体,其导 电性能仅次于超导体。根据经典电阻理论和欧姆定第7卷第6期 2001年12月 中 国 粉 体 技 术 China Powder Science and Technology Vol.7No.6 December2001

宏量可控制备碳纳米管阵列

附件2 论文中英文摘要格式 作者姓名:张强 论文题目:宏量可控制备碳纳米管阵列 作者简介:张强,男,1984年3月出生,2004年9月师从于清华大学魏飞教授,于2009年7月获博士学位。 中文摘要 化学工程为现代高新技术产业的发展提供了最基本的生产手段与技术。近年来,纳米技术的蓬勃发展为新型工业开拓了科学和工程技术应用空间。作为一种具有一维管状结构的纳米材料,碳纳米管在力学、热学、电学、光学、声学等方面表现出优异的性能,成为纳米领域中最受关注的对象之一。随着应用研究的深入,人们发现,相互缠绕的聚团状碳纳米管往往作为一种化工原材料添加到最终产品中,这样就难以充分发挥碳纳米管的优异性能。相关研究表明,碳纳米管的取向和排列可以显著影响其作为宏观材料的性能。如果能够将碳纳米管做成高度规整的定向阵列结构,那么阵列本身就是带有功能的产品——超级弹簧、定向薄膜、过滤器、电池电极、场发射体等;碳纳米管阵列也可以经进一步加工形成人工合成的超强纤维、电子器件、高性能复合材料,从而极大地提高材料的性能;由于碳纳米管阵列的易分散性,即使破坏碳纳米管阵列的排列,将其单分散后应用于导电、导热、力学增强复合材料时仍表现出比聚团状单壁和多壁碳纳米管更为优异的性能。所以,碳纳米管阵列是诸多类型碳纳米管材料中的高端产品。 虽然高度规整的碳纳米管阵列已经开发出很多应用。但是,时至今日,基于碳纳米管阵列的所有应用还不能够看到明确的实用前景。其重要原因是可控、大规模宏量制备应用研究所需的宏量规模的定向碳纳米管阵列样品仍然非常困难。众多研究者采用高纯硅片作为基板,每批次仅获得几毫克碳纳米管阵列样品。碳纳米管阵列的市售价格可高达2000美元/片硅片。因此,要实现纳米技术为人类造福的目标,首要的问题就是能够探索出可在工业规模上大量生产碳纳米管阵列的方法。而探索宏量可控制备碳纳米管阵列的科学以及开发工业生产碳纳米管阵列的技术是化学工程发展中的新问题。本文研究了碳纳米管阵列所涉及到的各个尺度上的科学问题,并应用纳米过程工程的基本方法分析了碳纳米管阵列的宏量制备,探索制备过程中的技术和控制手段,为碳纳米管阵列的宏量制备提供一个切实可行的技术路线,进而为碳纳米管阵列的实用化铺平道路。 本文在理解碳纳米管团聚结构特点的基础上,对碳纳米管阵列的生长机理进行了探索。采用时空分析方法,指出在原子/分子层次上,碳纳米管的生长遵循气液固生长机制。此模型较好地解释单根碳纳米管如何在纳米金属催化剂生长,以及碳纳米管的直径控制,但是并未解释碳纳米管如何有效组装形成有序阵列。我们通过催化剂标记的方法,发现在单根尺度上,碳纳米管阵列遵循底部生长机制,即碳纳米管的生长点在其与基板结合的根部,但没有解释

碳纳米管基薄膜材料报告

碳纳米管基薄膜材料报告 引言: 碳纳米管是典型的一维纳米材料,自1991年被发现以来,由于其优异的力学性能、电学特性、极高的热导率、良好的热稳定性和化学稳定性等特点,都使其在纳米结构及功能复合材料、场效应晶体管、透明电极、锂离子电池、超级电容器等诸多领域中具有广阔的应用前景,受到人们的广泛关注。其具有特异的物理和化学性能,是由石墨层片卷曲后形成的无缝管,在范德华力作用下可形成2种不同的晶体结构:单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。研究表明,只有将碳纳米管组装成宏观材料,如薄膜,才能充分发挥碳纳米管的优越性能,实现其潜在应用。因此,如何连续制备碳纳米管薄膜并保持单根碳纳米管的优良性能就成为了科学界和产业界人士的共同梦想。 一、制备方法 碳纳米管可以通过电弧法、化学气相沉积法和激光烧蚀法等方法直接在各种衬底上生长。在实际应用上,需将碳纳米管在低温情况下沉积到诸如ITO 玻璃、柔性透明薄膜上以实现大面积制备。这种需求可以通过溶液法将碳纳米管沉积到衬底上来实现场致电子发射的冷阴极也可以通过溶液法制备。但碳纳米管和衬底 间的附着力较差,从而成为阻碍溶液法制备均匀碳纳米管薄膜的一个关键问题。单壁碳纳米管 多壁碳纳米管

为了克服此缺陷,在沉积碳纳米管之前,需要在衬底上覆盖一层缓冲层来提高碳纳米管与衬底之间的粘附性。 目前制备碳纳米管薄膜的方法有很多,主要有:化学气相沉积法、电泳沉积法、电弧放电法、浇铸法、层-层吸附自组装法、电化学沉积法、自组装成膜法、浸渍涂布法、改性表面吸附法、过滤-转移法和LB技术等方法。 但是这些方法在制备过程中需要高温作用、表面活性剂、催化剂,设备昂贵,制备过程较为复杂。所以本文主要介绍一种由喷涂和旋涂相结合的方法,在优化工艺参数的条件下,可以制备出透明导电碳纳米管薄膜,成本低廉,制备工艺简洁,为其在场发射器件、透明导电薄膜、电磁屏蔽材料等方面的应用提供了有效的理论依据。 1.碳纳米管溶液的制备 取20mg碳纳米管,溶于100 mL无水乙醇中,在室温下,置于超声波清洗器中(通冷却循环水)分散24 h,得到高浓度的分散均匀的碳纳米管溶液,分别配置成不同浓度(0.008、0.010、0.012、0.014mg/mL)的碳纳米管溶液,待用。 2.碳纳米管薄膜的制备 用去离子水、丙酮(分析纯)、无水乙醇(分析纯)依次清洗石英基片,然后在真空干燥箱中烘干备用;用手持式喷雾器将碳纳米管分散液喷洒在石英玻璃衬底上(或采用匀胶机对其进行旋涂),待分散剂自然挥发干燥后,再进行第二层喷涂(或旋涂),如此反复多次,得到不同厚度的碳纳米管薄膜。 3.碳纳米管薄膜的表征 碳纳米管的透射电镜测试:JEM-2010 F 型高分辨率透射电子显微镜. 薄膜的导电性能测试:RTS-8型四探针电阻测试仪. 薄膜的透光率测试:UV-2550型紫外可见分光光度计. 二、实验原理 旋转涂膜是在衬底旋转时利用离心力的作用成膜的。影响薄膜性能的溶液性质主要是流变性能和表面张力,如溶液的粘度、浓度、触变性和表面张力等。影响薄膜厚度的因素也比较复杂。Emslie,Bonner和Pecr等人认为,在简化条件

碳纳米管的性质性能及其应用前景

碳纳米管的性质性能其应用前景 The Properties and Applications of Carbon Nano-Tubes 张雅坤北京师范大学化学学院201411151935 摘要:从1991年被正式认识并命名至今,碳纳米管凭借其特殊的结构及异常的力学、电学和化学性能获得了材料、物理、电子及化学界的广泛关注。近些年随着碳纳米管及纳米材料研究的深入,其广阔的应用前景也不断地展现出来。本文主要对碳纳米管目前的性质性能及其应用前景进行了系统详细的介绍【8】。 关键词:碳纳米管、无机化学、性质性能、应用前景 一、综述 1.发展历史与研究进程 在1991年日本NEC公司基础研究实验室的电子显微镜专家饭岛(Lijima)在高分辨透射电子显微镜下检验石墨电弧设备中产生的球状碳分子时,意外发现了由管状的同轴纳米管组成的碳分子,这就是现在被称作的“Carbon nanotube”,即碳纳米管,又名巴基管。 1993年,S. Lijima等和D. S. Bethune等同时报道了采用电弧法,在石墨电极中添加一定的催化剂,可以得到仅仅具有一层管壁的碳纳米管,即单壁碳纳米管产物。

1997年,A. C. Dillon等报道了单壁碳纳米管的中空管可储存和稳定氢分子,引起广泛的关注。相关的实验研究和理论计算也相继展开。据推测,单壁碳纳米管的储氢量可达10%(质量比)。此外,碳纳米管还可以用来储存甲烷等其他气体。但该猜测在后来被证实是错误的,碳纳米管无法用于储氢的主要问题有两个:一是假如作为容器进行储氢,则无法对其进行可控的封闭和开启;二是假如用于氢气吸附,则其吸附率不超过1%(质量分数)。 能否控制单壁碳纳米管的生长是近二十余年来一直困扰着碳纳米管研究领域科学家们的难题,能否找到控制方法也成为碳纳米管应用的瓶颈。2014年,这道世界性难题被北京大学李彦教授研究团队攻克,该团队在全球首次提出单壁碳纳米管生长规律的控制方法,研究成果已于2014年6月26日发表在国际权威学术期刊《自然》杂志上,这是碳纳米管研究方面的又一大突破。 2.碳纳米管的制备方法 常用的碳纳米管制备方法主要有:电弧放电法、激光烧蚀法、化学气相沉积法(碳氢气体热解法)、固相热解法、辉光放电法、气体燃烧法以及聚合反应合成法等。 2.1电弧放电法 电弧放电法是生产碳纳米管的主要方法。1991年日本物理学家饭岛澄男就是从电弧放电法生产的碳纤维中首次发现碳纳米管的。电弧放电法的具体过程是:将石墨电极臵于充满氦气或氩气的反应容器中,在两极之间激发出电弧,此时温度可以达到4000度左右。在这种条件下,石墨会蒸发,生成的产物有富勒烯(C60)、无定型碳和单壁或多壁的碳纳米管。通过控制催化剂和容器中的氢气含量,可以

碳纳米管的性质与应用

碳纳米管的性质与应用 【摘要】 本文主要介绍了碳纳米管的结构特点,制备方法,特殊性质,由于碳纳米管独特性质而产生的广泛应用,并对其前景进行展望。 【关键词】 碳纳米管场发射复合材料优良性能 【前言】 自日本NEC科学家Lijima发现碳纳米管以来,碳纳米管研究一直是国际新材料领域研究的热点。由于碳纳米管具有特殊的导电性能、力学性质及物理化学性质等,故其在许多领域具有其广阔的应用前景,自问世以来即引起广泛关注。目前,国内外有许多科学家对碳纳米管进行研究,科研成果颇丰,尤其是碳纳米管在复合材料、储氢及催化等领域的应用。 【正文】 一、碳纳米管的结构 碳纳米管中碳原子以sp2杂化为主,同时六角型网格结构存在一定程度的弯曲,形成空间拓扑结构,其中可形成一定的sp3杂化键,即形成的化学键同时具有sp2和sp3混合杂化状态,而这些p 轨道彼此交叠在碳纳米管石墨烯片层外形成高度离域化的大π 键,碳纳米管外表面的大π 键是碳纳米管与一些具有共轭性能的大分子以非共价键复合的化学基础[1]。 对多壁碳纳米管的光电子能谱研究结果表明,不论单壁碳纳米管还是多壁碳纳米管,其表面都结合有一定的官能基团,而且不同制备方法获得的碳纳米管由于制备方法各异,后处理过程不同而具有不同的表面结构。一般来讲,单壁碳纳米管具有较高的化学惰性,其表面要纯净一些,而多壁碳纳米管表面要活泼得多,结合有大量的表面基团,如羧基等。以变角X 光电子能谱对碳纳米管的表面检测结果表明,单壁碳纳米管表面具有化学惰性,化学结构比较简单,而且随着碳纳米管管壁层数的增加,缺陷和化学反应性增强,表面化学结构趋向复杂化。内层碳原子的化学结构比较单一,外层碳原子的化学组成比较复杂,而且外层碳原子上往往沉积有大量的无定形碳。由于具有物理结构和化学结构的不均匀性,碳

碳纳米管薄膜制备及应用研究进展

1 碳纳米管薄膜的制备 1.1 高密度高取向碳纳米管膜的制备 由浮动催化化学气相沉积制备方法(FCCVD)所制备的薄膜具有良好的取向性,但密度较低。然而,制备出的碳纳米管的丝带聚集在一起用乙醇溶液进行喷雾致密,当乙醇蒸发后形成一层疏松的碳纳米管膜,然后将疏松的碳纳米管薄膜从主轴上剥离出来放在两个光滑的压力为100N的压力板之间挤压,即可以获得高取向、高密度的CNT薄膜[1-2]。如图1所示,为高密度、高取向碳纳米管薄膜的制备过程。其中,图1(a)为高密度高取向碳纳米管薄膜的制备过程,图1(b)、图1(c)、图1(d)分别为碳纳米管丝带、疏松碳纳米管薄、高密度高取向碳纳米管薄膜膜宏观图像。 图1 高密度高取向碳纳米管薄膜的制备过程 1.2 浮动化学气相沉积法制备高强度薄膜 王健农教授课题组创新性地利用浮动化学气相沉积法连续制备出碳纳米管宏观筒状物,并在开放大气环境下将 CNT 薄膜,图2(b)为拉伸曲线,图2(c)为端口形貌。 图2 所制备CNT薄膜、拉伸曲线和端口形貌综上所述可以看出,直接合成机械性能优异、高密度、高取向度的碳纳米管薄膜的研究工作还处于实验研究阶段。要想获得可应用的具有优越性能的碳纳米管纤维和早日将其应用于实际生活,还需要做很多研究工作。 2 碳纳米管薄膜的应用 2.1 碳纳米管长度优化制备透明导电薄膜基板 初始长度为10~15μm多壁碳纳米管经过30min、60min和120min的回流,其长度分别降低到1200nm、205nm、168nm。然后,将多壁纳米管分别在285℃退火24小时,所得碳纳米管薄膜的电气和光学性能将大大提高。薄膜的光学和电气性能强烈依赖于碳纳米管的长度。制备薄膜的多壁碳纳米管回流30min所得到的薄膜光学透过率分别高于回流60min和120min薄膜的2.6%和6.6%。多壁碳纳米管回流30min所得的样品薄膜的薄层电阻也降低了45%和80%。此时,薄膜还具有最小粗糙度[5-10]。图3为透明导电薄膜基板。 2.2 碳纳米管薄膜在应力传感器中的应用 单壁碳纳米管兼具极优异的导电性、稳定性、柔韧性以及拉伸强度,因此在应力传感器方面有着巨大的应用潜力。传统的碳纳米管应力传感器基于碳纳米管的电阻值变化监测外部应力的大小。国家纳米科学中心孙连峰研究员小组的刘政在攻读博士期间发现,基于单壁碳纳米管薄膜两端的开路电压可以构建成功高性能的应力传感器。他们利用极性液滴在悬空碳纳米管薄膜和液滴之间产生毛细管 摘 要:膜状碳纳米管保留了碳纳米管微观性状,也保留了优异的导电能力。它具有良好的机械性能、独特的形貌与结构特征,在储能电池技术、人工肌肉、智能材料以及电子显示屏中的应用越来越普遍。本文介绍碳纳米管薄膜的特点,对几种碳纳米管薄膜制备方法做了简要介绍说明。通过对当前碳纳米管薄膜几大应用方向如超级电容、柔性电池以及场发射装置等的分析,展示了碳纳米管薄膜的巨大应用潜力。 关键词:碳纳米管薄膜 制备 超级电容 柔性电池

常用国产电子管参数

常用国产电子管参数

常用国产电子管参数 参数 类别 典型特性参数极限运用参数 用途备注 参数名称 灯丝阳极 第一 (控 制) 栅压 帘栅 内 阻 互(跨) 导 放 大 系 数 灯丝 最高 阳极 电压 最大 阳极 功耗 帘栅电 压 电 流 电 压 电 流 第 二 栅 压 第 二 栅 流 电压 (大) 电压 (小) 最高 电压 最大 功耗 符号U f I f U a I a U g1U g2Ig 2R i Sμ U f max U f min U a max P a M U g2m ax P g2 max 单位V A V mA V V mA kΩmA — v —V V V W V W 型 号 二

5AR 4 5 1.9 2 × 55 14 8 极 管 ZB 2= 75 n R l =2 k Ω 5Z1P52± 0.2 2× 500 125—————— 5.5 4.51400 6 2—— 5Z2P52± 0.2 2× 400 125—————— 5.5 4.51400 5 0—— 负载 2.7k Ω 5Z3P52± 0.3 2× 500 230—————— 5.5 4.51500115—— 负载 2kΩ 5Z4P52± 0.2 2× 500 122—————— 5.5 4.51300 6 0—— 负载 4.7k Ω

5Z8P52± 0.7 2× 500 400—————— 5.5 4.51700200—— 负载 1kΩ 5Z9P52± 0.3 2× 500 190—————— 5.5 4.51700100—— 负载 2.2k Ω 6Z4 6.30.62× 350 72——————7 5.71000 2 5—— 负载 5.2k Ω 6Z5P6.30.62× 400 70—————— 6.9 5.71100 3 0—— 负载 5.7k Ω 6H Z 6.30.3 2× 150 17——————7 5.74503—— 负载 10k Ω 300 B-98 5 30 45 -60 56 三极 管 300 BC 5 1.2 30 60 -60 5.3

浅谈碳纳米管

浅谈碳纳米管 摘要:就对于碳纳米管的优良性质,以及将来在许多的领域的应用,不可避免的说到碳纳米管可能作为某些材料的替代产品,碳纳米管的缺陷和如何改进等问题。 关键词:碳纳米管优良性能 前言:随着科学技术的发展,很多材料和能源都已经快到达它们物理性能的极限了,由于人们对纳米材料的不断探索,终于发现了许多纳米材料所具有的其他材料没有的优良性能,那么我们就来浅谈谈碳纳米管为什么具有这么多的优良性能,和这些优良性能的前景。 正文:正如人们都知道的纳米材料由于具备尺寸小,比表面积大,表面能高等特点,表现出许多特有的物理效应如表面效应小尺寸效应,量子效应和介电限域效应等。从而使纳米材料具有传统材料所不具备的异或反常的物理特性。 碳纳米管由于由于其中碳原子采取SP2杂化,相比SP3杂化,SP2杂化中S轨道成分比较大,使碳纳米管具有高模量和高强度。从而使其表现出良好的力学性能,碳纳米管的抗拉强度达到50~200GPa,是钢的100倍,密度却只有钢的1/6,至少比常规石墨纤维高一个数量级;它的弹性模量可达1TPa,与金刚石的弹性模量相当,约为钢的5倍。碳纳米管的导电性也是可观的,由于碳纳米管的碳原子之间构成六边形,必然就会有一个孤对电子环绕在每个碳原子周围,从

而使其有具有相当好的导电性。理论预测其导电性能取决于其管径和管壁的螺旋角。当碳纳米管的管径大于6nm时,导电性能下降;当管径小于6nm时,碳纳米管可以被看成具有良好导电性能的一维量子导线。有报道有人通过计算认为直径为0.7nm的碳纳米管具有超导性,尽管其超导转变温度只有1.5×10-4K,但是预示着碳纳米管在超导领域的应用前景。当然碳纳米管也具有优良的导热性碳纳米管具有非常大的长径比,因而其沿着长度方向的热交换性能很高,相对的其垂直方向的热交换性能较低,通过合适的取向,碳纳米管可以合成高各向异性的热传导材料。另外,碳纳米管有着较高的热导率,只要在复合材料中掺杂微量的碳纳米管 ,该复合材料的热导率将会可能得到很大的改善。其他性能,碳纳米管还具有光学和储氢等其他良好的性能,正是这些优良的性质使得碳纳米管被认为是理想的聚合物复合材料的增强材料。 对于碳纳米管的应用前景那是可观的,随着化石原料的逐渐枯竭,人们正在寻找清洁能源,目前被人们所看重的莫过于氢能和太阳能了。不管它们中的哪一种能源,目前都陷于瓶颈之中,氢能怎么制取,怎么存储到现在还是问题,至于太阳能我想不必多少,太阳能虽然总量巨大,但是利用率很低,至今还在探索,但是我想说碳纳米管的研究可能就可以解决这些问题,从而解决现在的能源危机。

自组装半导体碳纳米管薄膜的光电特性

[Article] https://www.wendangku.net/doc/567568363.html, 物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao ) Acta Phys.-Chim.Sin.2014,30(7),1377-1383 July Received:February 26,2014;Revised:May 6,2014;Published on Web:May 9,2014.? Corresponding author.Email:shengwang@https://www.wendangku.net/doc/567568363.html,;Tel:+86-136********. The project was supported by the National Key Basic Research Program of China (973)(2011CB933002,2011CB933001)and National Natural Science Foundation of China (61370009,61271051,61321001). 国家重点基础研究发展规划项目(973)(2011CB933002,2011CB933001)和国家自然科学基金(61370009,61271051,61321001)资助 ?Editorial office of Acta Physico-Chimica Sinica doi:10.3866/PKU.WHXB201405093 自组装半导体碳纳米管薄膜的光电特性 赵青靓1 刘旸1,2魏楠1王胜1, * (1北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京100871; 2 北京大学前沿交叉学科研究院,北京100871) 摘要:采用自组装的方法制备99%高纯度半导体碳纳米管平行阵列条带,以金属钯和钪为非对称接触电极制 备碳纳米管(CNT)薄膜晶体管(TFTs)器件.主要研究不同沟道长度碳纳米管薄膜晶体管器件的电输运特性和红外光电响应特性,分析了其中的载流子输运和光生载流子分离的物理机制.我们发现薄膜晶体管器件的电学性能和光电性能依赖于器件沟道长度(L )和碳纳米管的平均长度(L CNT ).当沟道长度小于碳纳米管的平均长度时,器件开关比最低;当沟道长度超过碳纳米管平均长度时,随着沟道长度的增加,器件开关比增加,光电流减小.相关研究结果为高纯碳纳米管薄膜晶体管器件在红外光探测器方面的进一步应用提供参考依据.关键词: 碳纳米管; 自组装;非对称接触;光电响应; 红外; 沟道长度;薄膜晶体管 中图分类号: O649 Photoelectric Characteristics of Self-Assembled Semiconducting Carbon Nanotube Thin Film s ZHAO Qing-Liang 1 LIU Yang 1,2 WEI Nan 1 WANG Sheng 1,* (1Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices,Department of Electronics,Peking University, Beijing 100871,P .R.China ;2Academy for Advanced Interdisciplinary Studies,Peking University,Beijing 100871,P .R.China ) Abstract:We used the self-assembly method to form high purity (99%)semiconducting carbon nanotube (CNT)aligned arrays.Thin-film transistors (TFTs)were fabricated with asymmetric Pd and Sc electrodes.We studied the electronic transport characteristics and infrared photoelectronic properties of the TFTs with different channel lengths.The physical mechanism of carrier transport and the dissociation of photoexcited carries are also discussed.We found that the electronic and photoelectronic properties of the TFTs were dependent on the channel length and the average length of the CNTs.The on/off ratio of the device was the lowest when the channel length of the device (L )was less than the average length of the CNTs (L CNT ),and it increased with increasing L when L was larger than L CNT .In addition,the short circuit current of the device also decreased.These results provide an effective reference for further infrared detector applications based on high-purity semiconducting carbon nanotube TFTs. Key Words:Carbon nanotube;Self-assembly;Asymmetric contact; Photoelectric response; Infrared;Channel length;Thin film transistor 1引言 碳纳米管(CNTs)自1991年被发现以来,1在纳 米电子和光电应用领域以其优异的性能和广阔的应用潜力得到了广泛的关注.在电学方面,半导体 1377

碳纳米管综述

碳纳米管综述 摘要:本文主要介绍碳纳米管的发现及发展过程,并说明碳纳米管的制备方法及其制备技术。同时也叙述碳纳米管的各种性能与应用。 引言:在1991年日本NEC公司基础研究实验室的电子显微镜专家饭岛在高分辨透射电子显微镜下检验石墨电弧设备中产生的球状碳分子时,意外发现了由管状的同轴纳米管组成的碳分子,这就是现在被称作的“Carbon nanotube”,即碳纳米管,又名巴基管。 正文: 碳纳米管的制备: 碳纳米管的合成技术主要有:电弧法、激光烧蚀(蒸发)法、催化裂解或催化化学气相沉积法(CCVD,以及在各种合成技术基础上产生的定向控制生长法等。电弧法 利用石墨电极放电获得碳纳米管是各种合成技术中研究得最早的一种。研究者在优化电弧放电法制取碳纳米管方面做了大量的工作。 T. W. Ebbeseo[2]在He保护介质中石墨电弧放电,首次使碳纳米管的合成达到了克量级。为减少相互缠绕的碳纳米管在阴极上的烧结,D.T.Collbert[3]将石墨阴极与水冷铜阴极座连接,大大减少了碳纳米管缺陷。C. Journet[4]等在阳极中填人石墨粉末和铱的混合物,实现了SWNTs的大量制备。研究发现,铁组金属、一些稀土金属和铂族元素或以单个金属或以二金属混合物均能催化SWNTs 合成。 近年来,人们除通过调节电流、电压,改变气压及流速,改变电极组成,改进电极进给方式等优化电弧放电工艺外,还通过改变打弧介质,简化电弧装置。 综上所述,电弧法在制备碳纳米管的过程中通过改变电弧放电条件、催化剂、电极尺寸、进料方式、极间距离以及原料种类等手段而日渐成熟。电弧法得到的碳纳米管形直,壁簿(多壁甚至单壁).但产率偏低,电弧放电过程难以控制,制备成本偏高其工业化规模生产还需探索。 催化裂解法或催化化学气相沉积法(CCVD) 催化裂解法是目前应用较为广泛的一种制备碳纳米管的方法。该方法主要采用过渡金属作催化剂,适于碳纳米管的大规模制备,产物中的碳纳米管含量较高,但碳纳米管的缺陷较多。 催化裂解法制备碳纳米管所需的设备和工艺都比较简单,关键是催化剂的制备和分散。目前用催化裂解法制备碳纳米管的研究主要集中在以下两个方面:大规模制备无序的、非定向的碳纳米管;制备离散分布、定向排列的碳纳米管列阵。一般选用Fe, Co、Ni及其合金作催化剂,粘土、二氧化硅、硅藻土、氧化铝及氧化镁等作载体,乙炔、丙烯及甲烷等作碳源,氢气、氮气、氦气、氩气或氨气作稀释气,在530℃~1130℃范围内,碳氢化合物裂解产生的自由碳离子在催化剂作用下可生成单壁或多壁碳纳米管。1993年Yacaman等人[5]采用此方法,用Fe催化裂解乙炔,在770℃下合成了多壁碳纳米管,后来分别采用乙烯、聚乙烯、丙烯和甲烷等作为碳源,也都取得了成功。为使碳离子均匀分布,科研人员还用等离子加强或微波催化裂解气相沉积法制备碳纳米管。 激光蒸发法

碳纳米管阵列超双疏性质的发现_翟锦

碳纳米管阵列超双疏性质的发现 * 翟 锦 李欢军 李英顺 李书宏 江 雷 - (中国科学院化学研究所 北京 100080) 摘 要 用高温裂解酞菁金属络合物方法制备了几种具有不同形貌的阵列碳纳米管膜,并对其超疏水和超双疏性质进行了研究.对于具有均匀长度和外径的阵列碳纳米管膜,文章作者发现,在未经任何处理时,其表现出超疏水和超亲油性质,与水的接触角为15815?115b ,与油的接触角为0?110b .经氟化处理后,则表现出超双疏性质,与水和油的接触角分别为171?015b 和161?110b .对具有类荷叶结构的阵列碳纳米管膜,其表面形貌与荷叶的十分接近,且在未经任何处理时所表现出的超疏水性也与荷叶的非常接近,与水的接触角为166b ,滚动角为8b .这种超疏水和超双疏性质是由表面的纳米结构以及微米结构和纳米结构的结合产生的.这一发现为无氟超疏水表面P 界面材料的研究提供了新的思路. 关键词 阵列碳纳米管膜,超疏水,超双疏 DISC OVERY OF SUPER-AMPHIPHOBIC PROPERTIES OF ALIGNED CARBON NA NOTUBE FILMS Z HAI Jin LI Huan -Jun LI Ying -Shun LI Shu -Hong JI ANG Lei - (Institu te o f Che mistry ,Chin ese Aca de my o f Scien ces ,Be ijin g 100080,Ch ina ) Abstract Several kinds of aligned ca rbon nanotube(ACN T )films with different morphologie s were prepared by pyrolysis of me tal phthalocyanines.Supe r -hydrophobic and supe r -amphiphobic prope rties were studied in detail.The ACN T films with fairly uniform length and external diame ter sho wed supe r -hydrophobic and super -oileophilic prope r -ties,with contact angle s(CAs)of 15815?115b and 0?110b for wate r and rape seed oil respectively.After fluorina -tion trea tment,the se angles beca me 171?015b and 161?110b ,respec tively,showing both super -hydrophobic and super -oileophobic properties,typical of a super -a mphiphobic surface.For ACN T films wi th lotus -like structures,not only wa s the morphology close to tha t of lotus leave s,but their supe r -hydrophobic properties we re almost the same a-l so.The CA and sliding angle for wate r of this kind of films were 166b and 8b ,respectively.These super -hydrophobic and super -amphiphobic properties are caused by the nanostructures and the c ombina t ion of nanostructures and mic ro -structures on the surface.This discove ry may provide a ne w method to study supe r -hydrophobic surface P interface ma -terials without fluorine. Key words aligned c arbon nanotube films,super -hydrophobic,super -amphiphobic * 国家重点基础研究项目(批准号:G1999064504),国家自然科学 基金重大项目(批准号:29992530)2001-12-21收到 - 通讯联系人.E -mail:ji anglei@https://www.wendangku.net/doc/567568363.html, 在降雨之后的荷塘里,我们常常可以看到许多 水滴漂浮在荷叶上.这种现象是由于在荷叶的表面上有许多微小的乳突,这些乳突上含有疏水的蜡状物质,使得水滴不能渗入到荷叶中而引起的.这类疏水效果非常好的表面与水的接触角都比较大.最近,我们提出了双疏表面和超双疏表面的概念[1] ,即,既疏水又疏油的表面为双疏表面,而与水和油的接触角都大于150b 的表面为超双疏表面.超疏水和超双疏界面材料在工农业生产上和人们的日常生活中都有非常广阔的应用前景.例如,超疏水界面材料用在室外天线上,可以防积雪从而保证高质量地接收信 号;超双疏界面材料可涂在轮船的外壳和燃料储备箱上,可以达到防污、防腐的效果;在将它应用于石油管道的运输过程中,可以防止石油对管道壁粘附,从而减少运输过程中的损耗,并防止管道堵塞;将它用于水中运输工具或水下核潜艇上,可以减少水的阻力,提高行驶速度;用于微量注射器针尖上,可以完全消除昂贵的药品在针尖上的黏附及由此带来的

新型碳纳米管导电薄膜

新型碳纳米管导电薄膜 手指在手机屏幕上滑动点按,就能翻转页面、接听电话、打字、玩游戏,这些便利都得益于触摸屏。而这生活中随处可见的触摸屏的奥秘,实际上都在这一张薄薄的导电膜上。传统发光器件的导电薄膜多采用ITO薄膜,但其在沉积时要求真空度高,生产成本较高,柔性差,并且粘附性能不好,刚性易碎,限制了其在柔性显示领域的广泛应用。碳纳米管(CNT)导电薄膜作为性能更好的替代品,在导电、透光,强度和柔性方面都呈现良好的特性,少量的CNT就可以形成一层随机的网络结构的CNT柔性透明导电薄膜,可以代替传统的ITO薄膜应用在未来的柔性可穿戴设备当中。据微特克纳米科技从天津工业大学获悉,天津工业大学材料学院耿宏章教授与他的科研团队,经过多年的深入研究,对柔性碳纳米管透明导电薄膜制备进行技术创新,使其产业化生产成为可能,该项目荣获“纺织之光”2016年度中国纺织工业联合会科学技术奖二等奖。与当前国内外同类研究、同类技术的综合比较,这一技术已达到了国际先进水平。 天津工大耿宏章教授团队研发出的可穿戴用柔性光电薄膜制备技术,用一种简易快速喷涂与酸处理技术相结合的技术以及棒涂法与酸处理优化技术相结合,可以大面积快速制备碳纳米管柔性透明导电薄膜,能够克服ITO薄膜的很多缺点,在保持高透光率的前提下提高柔性碳纳米管导电薄膜的导电性能,降低面电阻,降低成本,以期将其更好的应用于光电器件等领域。据微特克纳米科技了解CNT薄膜应用于触屏手机的触摸感应器层,就其柔韧性这一点来说,可以应用于可弯曲、柔性的触摸屏,就其高导电性能的这一点来说,它能够大幅提高触屏手机多点触控的灵敏性,其光学性质稳定,高透光率的特点则会让你的手机屏幕画质更加清晰,色彩逼真。这种薄膜会成为未来应用在可穿戴设备上的最有发展前景的材料之一。 根据NanoMarket公司公布的预测,仅平板显示器、薄膜太阳能电池与有机发光显示等高端应用对透明导电膜的需求到2017年将达到5亿平方米。据微特克纳米科技了解透明导电膜的市场将由2010年的24亿美元增长到2017年的76亿美元,年增长率为45%。特别是在柔性显示领域,碳纳米管薄膜性能优异、环境友好,具有强大的市场竞争力,随着柔性显示器、触摸屏、发光器件等需求的急速增长,碳纳米管薄膜的市场份额逐渐增加,市场前景将非常大,将产生巨大的经济效益。

碳纳米管性质及应用

碳纳米管性质及应用 摘要:碳纳米管的发现是现代科学界的重大发现之一。由于碳纳米管具有特殊的 导电性能、力学性质及物理化学性质等,故其在许多领域具有其广阔的应用前景,自问世以来即引起广泛关注。目前,国内外有许多科学家对碳纳米管进行研究,科研成果颇丰。本文简单综述碳纳米管的基本性质及应用。 关键词:碳纳米管;结构;制备;性质;应用 1 碳纳米管的发现 1991年,日本NEC科学家Lijima在制取C60的阴极结疤中首次采用高分辨隧道电子显微镜(HRTEM)发现一种外径为515nm、内径213nm、仅由两层同轴类石墨圆柱面叠合而成的碳结构。进一步的分析表明,这种管完全由碳原子构成,并看成是由单层石墨六角网面以其上某一方向为轴,卷曲360°而形成的无缝中空管。相邻管子之间的距离约为0.34nm,与石墨中碳原子层与层之间的距离0.335nm相近,所以这种结构一般被称为碳纳米管,这是继C60之后发现的碳的又一同素异形体,是碳团簇领域的又一重大科研成果[1]。 2 碳纳米管的结构 碳纳米管(CNT)又名巴基管,是一种具有特殊结构(径向尺寸为纳米量级,轴向尺寸为微米量级、管子两端基本上都封口)的一维量子材料。它是由单层或多层石墨片围绕中心轴按一定的螺旋角卷绕而成的无缝、中空的“微管”,每层由一个碳原子通过sp2杂化与周围3个碳原子完全键合后所构成的六边形组成的圆柱面。根据形成条件的不同,碳纳米管存在多壁碳纳米管(MWNTs)和单壁碳纳米管(SWNTs) 两种形式。MWNTs一般由几层到几十层石墨片同轴卷绕构成,层间间距为0.34nm左右,其典型的直径和长度分别为 2-30nm0.1-50μm.SWNTs由单层石墨片同轴卷绕构成,其侧面由碳原子六边形排列组成,两端由碳原子的五边形封顶。管径一般从10-20nm,长度一般可达数十微米,甚至长达20cm[2]。 3碳纳米管的制备 碳纳米管的合成技术主要有:电弧法、激光烧蚀(蒸发)法、催化裂解或催化化学气相沉积法(CCVD),以及在各种合成技术基础上产生的定向控制生长法等。 3.1电弧法利用石墨电极放电获得碳纳米管是各种合成技术中研究得最早的一种。研究者在优化电弧放电法制取碳纳米管方面做了大量的工作.T. W. Ebbeseo在He保护介质中石墨电弧放电,首次使碳纳米管的合成达到了克量级。为减少相互缠绕的碳纳米管在阴极上的烧结,D.T.Collbert将石墨阴极与水冷铜阴极座连接,大大减少了碳纳米管缺陷。C. Journet等在阳极中填人石墨粉末和铱的混合物,实现了SWNTs的大量制备。研究发现,铁组金属、一些稀土金属和铂族元素或以单个金属或以二金属混合物均能催化SWNTs合成。 近年来,人们除通过调节电流、电压,改变气压及流速,改变电极组成,改进电极进给方式等优化电弧放电工艺外,还通过改变打弧介质,简化电弧装置。 综上所述,电弧法在制备碳纳米管的过程中通过改变电弧放电条件、催化剂、电极尺寸、进料方式、极间距离以及原料种类等手段而日渐成熟。电弧法得到的碳纳米管形直,壁簿(多壁甚至单壁).但产率偏低,电弧放电过程难以控制,制备

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