IC配单

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电子元件符号作用单位大全

电阻）——电子元器件基础知识（1 表示，单位为欧姆、千欧、R导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号 表示。一、电阻的型号命名方法：、MΩ兆欧，分别用Ω、KΩ ，用国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称 ，材料表示电阻，W表示电位器。第二部分：字母表示，表示产品的名字。如R有机实心、合成碳膜、S-用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-第三部分：X-线绕。C-沉积膜、I-玻璃釉膜、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、普通、表示产品属于什么类型。1-分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，高特殊、G-8-高压、9-5-高温、6-精密、7-精密、高阻、2-普通、3-超高频、4-序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区可调。第四部分:功率、T-型普通碳膜电阻例如：R T 1 1 分产品的外型尺寸和性能指标等 电容2）——电子元器件基础知识（ 旁电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，表示电容，电容单位C路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。 用,1F=10^6uF=10^12pF ）uF）、皮法拉（pF有法拉（F）、微法拉（ （不适用于压国产电容器的型号一般由四部分组成电容器的型号命名方法 第一部分：材料、分类和序号。敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、第三部分：第二部分：材料，用字母表示。名称，用字母表示，电容器用C。用第四部分：序号，用数字表示。分类，一般用数字表示，个别用字母表示。D-C-高频陶瓷、A-字母表示产品的材料：钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、金属化纸、玻璃釉、J-合金电解、H-复合介质、I-铝电解、E-其它材料电解、G-云母低频陶瓷、V-Q-漆膜、T-L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、纸介云母、纸、Y-Z- 电感线圈3）——电子元器件基础知识（ 一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘*电感线圈是由导线一圈表示，单位有亨利L管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用。，1H=10^3mH=10^6uH、毫亨利(mH)、微亨利(uH)(H) 按导磁体性质分类：可变电感。电感形式分类：固定电感、电感的分类按天线线圈、分类：工作性质空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按分类：单层线圈、绕线结构振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按多层线圈、蜂房式线圈。 表示线圈本身固有特性，L电感量1、电感量L 电感线圈的主要特性参数与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在电感线圈对交流电流阻碍作用的大感抗XL 、线圈上，而以特定的名称标注。2、的关系为和交流电频率它与电感量，小称感抗XL单位是欧姆。LfXL=2πfL 3 与其等效为感抗XLQ是表示线圈质量的一个物理量，Q品质因素Q 品质因素值值愈高，回路的损耗愈小。线圈的QQ=XL/R 线圈的Q的电阻的比值，即：高

单电子器件概述

单电子器件概述 一 引言 对于目前的电子器件来说，器件的最小尺寸要大于电子的德布罗意波长，也就是说我们都是将电子看成是经典的粒子，我们不妨将这种器件称为经典器件。但近些年来，随着微细加工技术的飞快发展和电子电路集成度的提高，都要求电子器件的尺寸越小越好。但是器件尺寸的缩小并不是无限度的，就像CMOS 器件，它由于受固体结构特性的最小尺寸，电流、电压感应击穿，功率耗散，热噪声和海森堡测不准原理等因素的限制, 已经接近物理极限, 要想进一步发展大规模集成电路, 就需要更小的器件。例如其沟道长度如果缩小到小于0.25微米，甚至几十纳米几纳米数量级时，因为量子隧穿，器件就会失效。也就是说随着器件尺寸的缩小就必须要考虑器件的量子效应，所以量子器件成为了人们的研究热点。今天我将给大家介绍一种量子器件--单电子器件。 二 什么是单电子器件？ 单电子器件是基于库仑阻塞效应和单电子隧道效应的基本物理原理来控制一个或少数几个电子的位置和移动的一种新型纳米电子器件。（单电子效应：通过改变电压的方法来操纵电子一个一个的运动） 三 单电子器件的基本理论（库伦阻塞效应和单电子隧穿现象） 1.我们先从一个简单的模型来解释库仑阻塞和单电子隧穿现象 库伦阻塞效应最早是在微小隧道结实验中发现的，如图1所示，一个理想的没有旁路电导的金属隧穿结。它实际上就是一个平行板电容器，只不过电极板之间的间距只有十几个?，结面积也很小所以隧穿结的电容也很小假设只有1×10-16F 的量级。当有电子隧穿过隧道结时会使结两端的电位差发生变化，从而使节的静电能也发生变化，给结附加的充电能C e 2 ，如果此时的静电能远远大于低温下的热运动能量k B T( k B 玻耳兹曼常数0.38066×10-23，T 是绝对温度)。则由这个电子隧穿所引起的电位变化会对下一个电子隧穿产生阻止作用，这就是隧穿过程的库伦阻塞效应。 图 1 隧穿结上充电电荷Q 引入的静电能等于?=Q C Q dq C q 022 当电容C 很小时它的贡献就不容忽视。 在电子隧穿前，电容有初始电荷Q o ，对应充电能e Q o 22

电子元件符号、作用、单位大全

电子元器件基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、

电子器件个人资料

74ls01 2输入四与非门(oc) 74ls02 2输入四或非门 74ls03 2输入四与非门(oc) 74ls04 六倒相器 74ls05 六倒相器(oc) 74ls06 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,30v) 74ls07 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,30v) 74ls08 2输入四与门 74ls09 2输入四与门(oc) 74ls10 3输入三与非门 74ls11 3输入三与门 74ls12 3输入三与非门(oc) 74ls13 4输入双与非门(斯密特触发) 74ls14 六倒相器(斯密特触发) 74ls15 3输入三与门(oc) 74ls16 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,15v) 74ls17 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,15v) 74ls18 4输入双与非门(斯密特触发) 74ls19 六倒相器(斯密特触发)

74ls20 4输入双与非门 74ls21 4输入双与门 74ls22 4输入双与非门(oc) 74ls23 双可扩展的输入或非门 74ls24 2输入四与非门(斯密特触发) 74ls25 4输入双或非门(有选通) 74ls26 2输入四高电平接口与非缓冲器(oc,15v) 74ls27 3输入三或非门 74ls28 2输入四或非缓冲器 74ls30 8输入与非门 74ls31 延迟电路 74ls32 2输入四或门 74ls33 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74ls34 六缓冲器 74ls35 六缓冲器(oc) 74ls36 2输入四或非门(有选通) 74ls37 2输入四与非缓冲器 74ls38 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74ls39 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出)

单电子器件

一 什么是单电子器件（SED ） 二 单电子器件的基本原理 库仑阻塞效应和单电子隧穿 三 单电子晶体管（SET ）及其工作原理（量子旋转门效应） 四 单电子器件的应用 一 引言 对于目前的电子器件来说，器件的最小尺寸要大于电子的德布罗意波长，也就是说我们都是将电子看成是经典的粒子，我们不妨将这种器件称为经典器件。但近些年来，随着微细加工技术的飞快发展和电子电路集成度的提高，都要求电子器件的尺寸越小越好。但是器件尺寸的缩小并不是无限度的，就像CMOS 器件，它由于受固体结构特性的最小尺寸，电流、电压感应击穿，功率耗散，热噪声和海森堡测不准原理等因素的限制, 已经接近物理极限, 要想进一步发展大规模集成电路, 就需要更小的器件。例如其沟道长度如果缩小到小于0.25微米，甚至几十纳米几纳米数量级时，因为量子隧穿，器件就会失效。也就是说随着器件尺寸的缩小就必须要考虑器件的量子效应，所以量子器件成为了人们的研究热点。今天我将给大家介绍一种量子器件--单电子器件。 二 什么是单电子器件？ 单电子器件是基于库仑阻塞效应和单电子隧道效应的基本物理原理来控制一个或少数几个电子的位置和移动的一种新型纳米电子器件。（单电子效应：通过改变电压的方法来操纵电子一个一个的运动） 三 单电子器件的基本理论（库伦阻塞效应和单电子隧穿现象） 1.我们先从一个简单的模型来解释库仑阻塞和单电子隧穿现象 库伦阻塞效应最早是在微小隧道结实验中发现的，如图1所示，一个理想的没有旁路电导的金属隧穿结。它实际上就是一个平行板电容器，只不过电极板之间的间距只有十几个?，结面积也很小所以隧穿结的电容也很小假设只有1×10-16F 的量级。当有电子隧穿过隧道结时会使结两端的电位差发生变化，从而使节的静电能也发生变化，给结附加的充电能C e 2 ，如果此时的静电能远远大于低温下的热运动能量k B T( k B 玻耳兹曼常数0.38066×10-23，T 是绝对温度)。则由这个电子隧穿所引起的电位变化会对下一个电子隧穿产生阻止作用，这就是隧穿过程的库伦阻塞效应。 图 1 隧穿结上充电电荷Q 引入的静电能等于?=Q C Q dq C q 022 当电容C 很小时它的贡献就不容忽视。 在电子隧穿前，电容有初始电荷Q o ，对应充电能e Q o 22

常用电子元件的中英文对照表

常用电子元件的中英文对照表 电阻 固定电阻：RES 半导体电阻：RESSEMT 电位计；POT 变电阻；RVAR 可调电阻;res1..... 蜂鸣器：BUZZER 1. 2.电容 定值无极性电容；CAP 定值有极性电容;CAP 半导体电容：CAPSEMI 可调电容：CAPV AR 3.电感：INDUCTOR 4.二极管：DIODE.LIB 发光二极管：LED 5.三极管:NPN1 6.结型场效应管：JFET.lib 7.MOS场效应管 8.MES场效应管 9.继电器：PELAY. LIB 10.灯泡:LAMP 11.运放:OPAMP 12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB) 13.开关;sw_pb 原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microprocessor.ddb Intel Databooks.ddb Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb

部分分立元件库元件名称及中英对照AND 与门 ANTENNA 天线 BA TTERY 直流电源 BELL 铃,钟 BVC 同轴电缆接插件 BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容CAPV AR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口 CRYSTAL 晶体震荡器 DB 并行插口 DIODE 二极管 DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LED DPY_7-SEG 7段LED DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容 FUSE 熔断器 INDUCTOR 电感 INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感 JFET N N沟道场效应管 JFET P P沟道场效应管 LAMP 灯泡 LAMP NEDN 起辉器 LED 发光二极管 METER 仪表 MICROPHONE 麦克风 MOSFET MOS管 MOTOR AC 交流电机 MOTOR SERVO 伺服电机 NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门 NPN NPN三极管 NPN-PHOTO 感光三极管 OPAMP 运放 OR 或门 PHOTO 感光二极管 PNP 三极管 NPN DAR NPN三极管

来料检验报告表格

原材料检验报告 No.：物料名称塑胶壳体规格型号 来料数量500pcs 来料日期 抽样标准外观 GB/T 2828.1-2003 允收水准 AQL 2.5 尺寸AQL 1.5 检验项目检验标准检验方法检验结果 检测情况 单项判 定抽样数 （N） 不合格数 （pcs） 外观表面无划痕、缩水、 凹凸点、变形、毛刺、 无限、污渍 目视NG 50 18 NG 尺寸外长89±0.1 卡尺NG 50 50 NG 外宽70±0.1 卡尺NG 50 50 NG 高150±0.1 卡尺OK 50 / OK 卡槽尺寸1 16.75±0.1 卡尺NG 50 50 NG 卡槽尺寸2 16.5±0.1 卡尺NG 50 50 NG 卡槽尺寸3 16.5±0.1 卡尺NG 50 50 NG 卡槽尺寸4 16.5±0.1 卡尺NG 50 50 NG 卡槽尺寸5 16.75±0.1 卡尺NG 50 50 NG 机械强度离地面1M高度做 跌落测试，表面无 开裂、变形 目视OK 5 / OK 备注 初步判定□合格√不合格检验员朱文文 MRB 评审 审核：技术部经理: 技术总工: 采购： 最终结果□合格□特采□挑选□加工□退货□其它物料名称塑胶盖帽规格型号 来料数量500pcs 来料日期

抽样标准外观 GB/T 2828.1-2003 允收水准 AQL 2.5 尺寸AQL 1.5 检验项目检验标准检验方法检验结果 检测情况 单项判 定抽样数 （N） 不合格数 （pcs） 外观表面无划痕、缩水、 凹凸点、变形、毛刺、 无限、污渍 目视NG 50 13 NG 尺寸外长89±0.1 卡尺OK 50 / OK 外宽70±0.1 卡尺NG 50 50 NG 高17±0.1 卡尺NG 50 41 NG 尺寸极柱孔外宽15±0.1 卡尺NG 50 50 NG 极柱孔内宽13±0.1 卡尺OK 50 / OK 极柱+ -间隙24±0.1 卡尺NG 50 50 NG 内宽63±0.1 卡尺NG 50 12 NG 内长82±0.1 卡尺NG 50 50 NG 机械强度离地面1M高度做 跌落测试，表面无 开裂、变形 目视OK 5 / OK 备注 初步判定□合格√不合格检验员朱文文 MRB 评审 审核：技术部经理: 技术总工: 采购： 最终结果□合格□特采□挑选□加工□退货□其它物料名称极柱规格型号 来料数量1000pcs 来料日期 抽样标准外观 GB/T 2828.1-2003 允收水准 AQL 2.5 尺寸AQL 1.5 检验项目检验标准检验方法检验结果 检测情况 单项判 定抽样数 （N） 不合格数 （pcs） 外观 表面无划痕、无缺 口、变形、毛刺、色 差 目视OK 50 1 OK

电子元件BOM配单

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电子元器件来料检报告

电子元器件来料检报告 一、电阻器的检测方法与经验： 1.固定电阻器的检测。A.将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。B.注意：测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。 2.水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。 3.熔断电阻器的检测。在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。 4.电位器的检测。检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时"喀哒"声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有" 沙沙"声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。A.用万用表的欧姆挡测"1"、"2"两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。 B.检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测"1"、"2"(或"2"、"3") 两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近"关"的位置，这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐渐增大，表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至极端位置"3"时，阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。 5.正温度系数热敏电阻(PTC)的检测。检测时，用万用表R×1挡，具体可分两步操作：A.常温检测(室内温度接近25℃)；将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。B.加温检测；在常温测试正常的基础上，即可进行第二步测试-加温检测，将一热源(例如电烙铁)靠近PTC同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大，如是，说明热敏电阻正常，若阻值无变化，说明其性能变劣，不能继续使用。注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。 6.负温度系数热敏电阻(NTC)的检测。 (1)、测量标称电阻值Rt 用万用表测量NTC热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同，即根据NTC热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出Rt的实际值。但因NTC 热敏电阻对温度很敏感，故测试时应注意以下几点：A.Rt是生产厂家在环境温度为25 ℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行，以保证测试的可

单电子器件的研究进展

单电子器件的研究进展 一、前言 当材料的尺寸与电子的德布罗意波长或平均自由程相当时，电子的波动性的影响表现得特别显著，出现电子的量子弹道传输、电导量子、库仑阻塞效应、共振隧穿效应、量子霍耳效应等。在低维系统电子的全新输运过程中，单电子现象是典型的例子。单电子效应是设计和制造各种固体纳米电子器件或单电子器件的基础。完整的固体纳米电子器件由被势垒包围的库仑岛（势阱）和发射或源极、集电极或漏极和用来控制库仑岛量子点中电子数目的栅极组成。库仑岛可由金属或半导体材料组成。根据岛的大小和形状的不同，可构成三种不同的单电子器件：单电子晶体管（SET）、量子点器件（QD）以及共振隧穿二极管和三级管（RTD，RTT）。它们之间的差别是库仑岛的电子能态和充电能U的不同。要使一个电子进入库仑岛，必须克服岛内所有电子对该电子的排斥能量U，U亦称为充电能。U 与岛的三维尺寸有关，岛的体积越小，岛内电子的互相作用越强，U就越大，反之则U小。 二、各器件的研究进展 （一）闪存存储器

闪存是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。目前市场上常见的存储按种类可分：U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒等 1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器(简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性，即所存储的数据在主机掉电後不会丢失，其记录速度也非常快。Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术，并拥有一个SRAM接口。 第二种闪存称为NAND闪存，由日立公司于1989年研制成功。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND 的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD、PC cards、USB sticks等存储卡上。目前的闪存市场仍属于群雄争霸的末成熟时期。三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。（二）单电子晶体管 单电子晶体管(SET)被认为是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件，因为这种晶体管工作仅需要很少的电子，所以具有极低的功耗和极高的开关速度。单电子晶体管有良好的应用前景，不仅在高灵敏度测量方面有着别的器件无法比拟的优越性，且在数字电路方面有望开发G-T级的随机存储器和高速数字处理器.研究表明，应用传统半导体工艺和材料可以制造单电子电荷效应的存储器。Augke等人的工作表明可以用与CMOS技术相兼容的工艺制造

常用电子元器件符号图表及符号

常用电子元器件符号图表及符号 这是从网上收集来的比较全面的电子元器件符号集了，对于初学者来说相信是非常有用处的。任何开发机器人的朋友都应该多多少少了解一点基本的电子电路知识。

电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM 避雷器 F 熔断器 FU 快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容器 C 电力电容器 CE

正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS 温度控制开关,辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT 合闸线圈 YC 气动执行器 YPA,YA 电动执行器 YE 发热器件(电加热) FH 照明灯(发光器件) EL 空气调节器 EV 电加热器加热元件 EE 感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL 电阻器,变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT

电子元器件表

0.17 大号鳄鱼夹护套夹测 试夹电源夹0.17/只（10只起拍） 0.14 中号鳄鱼夹护套夹测 试夹电源夹0.14/只（10只起拍） 0.50 勾式测试夹测试勾测 试钩小号0.5元/只 11.00 倍思特SA-10 助焊工具 套装BEST6件套工具焊锡作业辅助 工具 6.50 电烙铁架通用型/铸铁/ 烙铁架耐用/沉稳 16.50 烙铁220V/40W N0.504 TLW-40 正品黄花牌

1.50 红色导线1007 24#线仔 电子线连接线双头镀锡长8CM 1.5 元50条 0.07 1N5819肖特基二极管 （50只起拍） 0.26 HER308 高效率超快恢 复二极管/1000V/3A （20个起卖）DC 牌子 0.04 FR107 快恢复二极管 （50只起拍）FK 0.22 工字电感功率电感 100UH 规格8*10MM 环保（10只起 拍） 0.06 0410色环电感10UH 直 插电感100只起卖 6.25 1/4W五色环电阻包200 欧-4.3K 共25种每种阻值10个

5.00 1/4W 碳膜电阻（1KΩ） 5%精度1000只5元 15.00 NRF24L01（原厂版本） 无线模块 1.90 IRF3205 场效应管 TO-220(用于逆变器、电动机（车）控 制器等) 0.75 3.5mm耳机一分二转 3.5mm接头/一拖二情侣插头/立体声 转换器 2.10 绿色40P锁紧座40P活 座（宽体） 0.25 40P IC座宽体 0.10 16P IC插座IC座

0.05 8P IC座8PIN IC 插座 0.14 20P IC座20P 1.40 优质三节五号电池盒 （全密封带开关）可装3节5号电池 0.16 六角M3x10mm+6铜柱 六角铜柱（配螺母）(10只起拍） 0.35 M3*30MM+6铜柱六角 铜柱（配螺母）（10只起拍） 27.50 特价促销科赛尔CXCEL DT9205A 折叠式大屏幕数字万用表 0.11 小号鳄鱼夹护套夹测试 夹电源夹0.11/只（10只起拍）

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