DDRII
磁性材料基本参数详解
磁性材料基本参数详解 磁性是物质的基本属性之一，磁性现象与各种形式的电荷的运动相关联，物质内部电子的运动和自旋会产生一定大小的磁矩，因而产生磁性。 自然界物质按其磁性的不同可分为：顺磁性物质、抗磁性物质、铁磁性物、反铁磁性物质以及亚铁磁性物质，其中铁磁性物质和亚铁磁性物质属于强磁性物质，通常将这两类物质统称为“ 磁性材料” 。 铁氧体颗粒料: 是已经过配料、混合、预烧、粉碎和造粒等工序，可以直接用于成形加工的铁氧体料粒。顾客使用该料可直接压制成毛坯，经烧结、磨削后即可制成所需磁芯。本公司生产并销售高品质的铁氧体颗粒料，品种包括功率铁氧体JK 系列和高磁导率铁氧体JL 系列。 锰锌铁氧体: 主要分为高稳定性、高功率、高导铁氧体材料。它是以氧化铁、氧化锌为主要成分的复合氧化物。其工作频率在1kHz 至10MHz 之间。主要用着开关电源的主变压器用磁芯. 。 随着射频通讯的迅猛发展，高电阻率、高居里温度、低温度系数、低损耗、高频特性好（高电阻率ρ、低损耗角正切tg δ）的镍锌铁氧体得到重用，我司生产的Ni-Zn 系列磁芯，其初始磁导率可由10 到2500 ，使用频率由1KHz 到100MHz 。但主要应用于1MHz 以上的频段、磁导率范围在7-1300 之间的EMC 领域、谐振电路以及超高频功率电路中。磁粉芯: 磁环按材料分为五大类：即铁粉芯、铁镍钼、铁镍50 、铁硅铝、羰基铁。使用频率可达100KHZ ，甚至更高。但最适合于10KHZ 以下使用。 磁场强度H ： 磁场“ 是传递运动电荷或者电流之间相互作用的物理物” 。 它可以由运动电荷或者电流产生，同时场中其它运动或者电流发生力的作用。 均匀磁场中，作用在单位长磁路的磁势叫磁场强度，用H 表示； 使一个物体产生磁力线的原动力叫磁势，用F 表示：H=NI/L, F = N I H 单位为安培/ 米（A/m ），即: 奥斯特Oe ；N 为匝数；I 为电流，单位安培（A ），磁路长度L 单位为米（m ）。 在磁芯中，加正弦波电流，可用有效磁路长度Le 来计算磁场强度： 1 奥斯特= 80 安/ 米 磁通密度，磁极化强度，磁化强度 在磁性材料中，加强磁场H 时，引起磁通密度变化，其表现为： B= ц o H+J= ц o (H+M) B 为磁通密度( 磁感应强度) ，J 称磁极化强度，M 称磁化强度，ц o 为真空磁导率，其值为4 π× 10 ˉ 7 亨利/ 米（H/m ） B 、J 单位为特斯拉，H 、M 单位为A/m, 1 特斯拉=10000 高斯（Gs ） 在磁芯中可用有效面积Ae 来计算磁通密度：
教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数 日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：https://www.wendangku.net/doc/6f4132433.html, 同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。 基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。 CL CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。 RAS与CAS 内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。 Tras
LTE常用参数详解
LTE现阶段常用参数详解 1、功率相关参数 1.1、Pb（天线端口信号功率比） 功能含义：Element）和TypeA PDSCH EPRE的比值。该参数提供PDSCH EPRE（TypeA）和PDSCH EPRE（TypeB）的功率偏置信息（线性值）。用于确定PDSCH（TypeB） 的发射功率。若进行RS功率boosting时，为了保持Type A 和Type B PDSCH 中的OFDM符号的功率平衡，需要根据天线配置情况和RS功率boosting值根 据下表确定该参数。1，2，4天线端口下的小区级参数ρB/ρA取值： PB 1个天线端口2个和4个天线端口 0 1 5/4 1 4/5 1 2 3/5 3/4 3 2/5 1/2 对网络质量的影响：PB取值越大，RS功率在原来的基础上抬升得越高，能获得更好的 信道估计性能，增强PDSCH的解调性能，但同时减少了PDSCH （Type B）的发射功率，合适的PB取值可以改善边缘用户速率， 提高小区覆盖性能。 取值建议：1
1.2、Pa（不含CRS的符号上PDSCH的RE功率与CRS 的RE功率比） 功能含义：不含CRS的符号上PDSCH的RE功率与CRS的RE功率比 对网络质量的影响：在CRS功率一定的情况下，增大该参数会增大数据RE功率 取值建议：-3 1.3、PreambleInitialReceivedTargetPower（初始接收目标功率(dBm)） 功能含义：表示当PRACH前导格式为格式0时，eNB期望的目标信号功率水平，由广播消息下发。 对网络质量的影响：该参数的设置和调整需要结合实际系统中的测量来进行。该参数设 置的偏高，会增加本小区的吞吐量，但是会降低整网的吞吐量；设 置偏低，降低对邻区的干扰，导致本小区的吞吐量的降低，提高整 网吞吐量。 取值建议：-100dBm~-104dBm 1.4、PreambleTransMax（前导码最大传输次数） 功能含义：该参数表示前导传送最大次数。 对网络质量的影响：最大传输次数设置的越大，随机接入的成功率越高，但是会增加对 邻区的干扰；最大传输次数设置的越小，存在上行干扰的场景随机 接入的成功率会降低，但是会减小对邻区的干扰 取值建议：n8，n10
nmon使用说明书
Linux性能分析工具nmon for Linux ----nmon使用说明书 目录 一、概述 (1) 二、下载 (1) 三、安装 (2) 四、使用 (2) 五、利用nmon_analyser分析.nmon文件 (4) 六、FAQ (6) 一、概述 Nmon工具是一种非常好用的，有图形界面的linux性能检测器。Nmon这个系统管理员、调谐器、基准测试工具将提供给你大量重要的性能信息。它在AIX 和Linux 性能监视和采集性能数据等方面得到了广泛应用。 二、下载 nmon下载地址： https://www.wendangku.net/doc/6f4132433.html,/collaboration/wiki/display/WikiPtype/nmon
nmon还带了个分析工具(nmon_analyser)，下载地址： https://www.wendangku.net/doc/6f4132433.html,/collaboration/wiki/display/Wikiptype/nmonanalyser 三、安装 nmon 是一个二进制可执行文件，无需安装，解压后直接执行可执行文件就可以使用了。可以将nmon文件上传到服务器的/usr/bin目录，这样他就可以在任意目录执行了。第一次执行命令：chmod +x nmon; ./nmon; 之后直接执行nmon目录即可。 nmon工具界面： 四、使用 nmon有两种使用方法，其一是进入nmon界面，通过按键来查看性能情况；其二是生成nmon文件，之后利用nmon_analyser进行性能分析。 1、执行命令：nmon进入nmon界面，通过按键来查看性能参数信息。 （按键一下进入，再按一下退出） c =CPU CPU 使用率 m=memory 内存使用情况 d=disks 磁盘统计信息 r=resource 系统资源视图 k=kernel 内核统计信息 h=more option (help) 多种选择 l=CPU Long-term 长期处理器平均使用率视图 j=filesystems 文件系统视图 n=network 网络接口视图 N=NFS 网络文件系统视图 t=Top-process 查看消耗资源最多的进程
内存型号说明
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
IGBT基本参数详解
第一部分IGBT模块静态参数 1，：集射极阻断电压 在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时最容易超过限值。 2，：最大允许功耗 在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。 其中，为结温，为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。 在这里，顺便解释下这几个热阻， 结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与壳的温差； 芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升； 芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。 3，集电极直流电流 在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由最大耗散功率算出该值。所以给出一个额定电流，必须给出对应的结和外壳的温度。 ) 4，可重复的集电极峰值电流 规定的脉冲条件下，可重复的集电极峰值电流。 5，RBSOA，反偏安全工作区 IGBT关断时的安全工作条件。如果工作期间的最大结温不被超过，IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。 6，短路电流
短路时间不超过10us。请注意，在双脉冲测试中，上管GE之间如果没有短路或负偏压，就很容易引起下管开通时，上管误导通，从而导致短路。 7，集射极导通饱和电压 在额定电流条件下给出，Infineon的IGBT都具有正温度效应，适宜于并联。 随集电极电流增加而增加，随着增加而减小。 可用于计算导通损耗。根据IGBT的传输特性， 计算时，切线的点尽量靠近工作点。对于SPWM方式，导通损耗由下式获得， M为调制因数；为输出峰值电流；为功率因数。 第二部分IGBT模块动态参数 1，模块内部栅极电阻 为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了栅极电阻，该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力。 2，外部栅极电阻 数据手册中往往给出的是最小推荐值，可以通过以下电路实现不同的和。
nmon研究报告
操作系统监控工具Nmon使用与介绍
目录 1.目的 (3) 2.NMON简介 (3) 2.1软件特性 (3) 2.2软件组成 (3) 2.3运行环境 (4) 2.4软件功能 (4) 2.5软件获取 (5) 3.NMON使用 (6) 3.1下载软件 (6) 3.2安装软件 (6) 3.3运行界面 (7) 3.4使用方法 (8) 3.4.1实时监控 (8) 3.4.2后台监控 (9) 3.4.3定时任务 (9) 4.NMON监控结果介绍 (10) 4.1生成结果文件 (10) 4.2主要性能参数介绍 (11) 4.3页面介绍 (11) 5.NMON监控案例介绍 (18) 5.1常见现象和产生原因 (18) 5.2实例介绍 (19) 5.2.1示例一 (19) 5.2.2示例二 (21) 5.2.3示例三 (25) 附录一常用网站 (27) 附录二参考资料 (27)
1.目的 本文介绍操作系统监控工具Nmon的概念、使用方式及使用参数。指导运维人员通过nmon 工具监视AIX/Linux操作系统资源使用情况，收集监控结果及产生的数据文件，制作相关系统性能分析报告。 2.Nmon简介 Nmon (Nigel’s Monitor)是由IBM 提供、免费监控AIX 系统与Linux 系统资源的工具。该工具可将服务器系统资源耗用情况收集起来并输出一个特定的文件,并可利用excel 分析工具（nmon analyser）进行数据的统计分析。 2.1软件特性 nmon 工具可以在一个屏幕上显示所有重要的性能优化信息，并动态地对其进行更新。这个高效的工具可以工作于任何哑屏幕、telnet 会话、甚至拨号线路。另外，它不会消耗大量的CPU 周期，通常低于百分之二（在更新的计算机上，其CPU 使用率将低于百分之一）。nmon使用哑屏幕，在屏幕上对数据进行显示，并且每隔两秒钟对其进行更新。用户可以很容易地将这个时间间隔更改为更长或更短的时间段。如果拉伸窗口，并在X Windows、VNC、PuTTY 或类似的窗口中显示这些数据，nmon 工具可以同时输出大量的信息。 nmon 工具还可以将相同的数据捕获到一个文本文件，便于以后对报告进行分析和绘制图形。输出文件采用电子表格的格式(.csv)。 目前nmon已开源，以sourceforge为根据地，网址是https://www.wendangku.net/doc/6f4132433.html,。2.2软件组成 Nmon使用需要nmon工具和nmonanalyser分析程序两者配合使用。nmon工具生成性能数据文件，然后monanalyser以nmon生成的数据文件作为输入，输出为Excel 电子表格，并自动地生成相应的图形，使得我们能够直观地观察OS性能（CPU、IO和内存等）的变化过程。
全面教你认识内存参数
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
如何做性能测试报告
性能测试报告编写说明 2013年5月
目录 1.概述 (1) 1.1 编写目的 (1) 1.2 参考资料 (1) 1.3 注意事项 (1) 2.测试相关准备 (2) 2.1 系统相关参数配置说明 (2) 2.2 测试报告环境准备 (2) 2.3 JMeter测试举例 (2) 2.3.1 准备测试脚本 (2) 2.3.2 启动NMON监听 (3) 2.3.3 执行测试用例 (4) 2.3.4 查看测试结果 (5) 2.3.5 编写测试报告 (6) 2.4 LoadRunner测试举例 (13) 2.4.1 准备测试脚本 (13) 2.4.2 启动NMON监听 (16) 2.4.3 执行测试用例 (17) 2.4.4 查看测试结果 (20) 2.4.5 LoadRunner相关参数配置说明 (21) 2.4.6 编写测试报告 (21)
1.概述 1.1编写目的 说明XXX系统进行压力测试时的一些前提条件及具体操作，以及如何在工具报告中提取哪些相应信息填写在报告内容中，为以后新增交易压力测试报告编写提供参考等。1.2参考资料 《XXX系统项目性能测试方案.doc》 《XXX系统项目性能测试报告.doc》 1.3注意事项 压力测试报告中的数据与具体部署运行环境硬件配置、应用服务器、数据库服务器参数配置相关。
2.测试相关准备 2.1系统相关参数配置说明 1、调整应用程序日志打印级别全部为ERROR级，同时不打印交易日志信息； 2、调整App服务器单个Server的线程池数（WebContener）为100至200； 3、保证应用程序使用JNDI数据库连接池方式访问数据库，连接池数量为100至200； 4、保证连接安全子系统TCPIP通讯缓冲池初始值为100，最大值为300； 5、保证连接短信发送平台的TCPIP（NATP报文）通讯缓冲池初始值为100，最大值为300； 6、App服务器JVM内存堆设置（测试环境单个server：256至512），负载测试时，最好取消监控垃圾回收监控项。 2.2测试报告环境准备 1、启动App服务器（测试环境：10.10.0.100）NMON监听，每10秒获取一次CPU、IO资源信息，取15分钟内的数据大约100执行次左右，具体命令为：nmon -f -t -s 10 -c 100； 2、启动DB2服务器（测试环境：10.10.2.100）NMON监听，每10秒获取一次CPU、IO资源信息，取15分钟内的数据大约100执行次左右，具体命令为：nmon -f -t -s 10 -c 100； 3、启动JMeter监听器中的“用表格察看结果”、“聚合报告”、“察看结果树”至少三项。 2.3JMeter测试举例 2.3.1准备测试脚本 1.打开JMeter安装路径下的bin目录，运行jmeter.bat命令，出现下图所示：
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。 CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL） RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间 RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间” 二、 DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级： DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3 DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3 DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4 三、 SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上 内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。 在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。 上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执
汽车基本参数详解
1.悬挂系统与汽车的发动机和变速器被称为汽车的三大主要部件，是一部汽车的核心技术。 2.车长,长宽,长高, 单位mm. 3.轮距(较宽的轮距有更好的横向的稳定性与较佳的操纵性能), 4.轴距（反应汽车内部空间重要参数), 5.最小离地间距(汽车底盘与地面的距离,距离越大,车辆的通过性就越好) 6.最小转弯直径: 外转向轮的轨迹圆直径（将车辆方向盘向某个方向打满,驾驶车辆转一个圈.表明汽车转弯性能灵活 与否的参数.) 7.空车质量(按出厂技术装备完整,油水加满后的质量.单位为kg) 8.允许总质量:汽车在正常条件下准备行驶时,包括载人/物时的允许总质量. 9.允许总质量-空车质量=汽车承重质量 10.车门数(2门, 3门,4门,5门,6门) 11.座位数(2位,5位不等),行李箱容积(单位L) 12.油箱容积:指一辆车能够携带燃油的体积,单位为L.一般油箱容积与该车的油耗有关,油箱要能保证车行驶500公里 以上.百公里耗油10升的话,油箱容积在60升左右. 13.前后配重:指车身前轴与车身后轴各自所承担重量的比.汽车的配重,一般是在50:50最平均. 14.接近角:汽车满载静止时,汽车前端突出点向前轮所引切线与地面的夹角. 15.离去角: 汽车满载静止时,身车身后端出点向后轮引切线与地面之间的夹角. 16.爬坡角度: 当汽车满载时在良好路面上用第一档克报的最大坡度角,它表汽车的爬坡能力.用度数表示. 17.最大涉水深度: 汽车所能通过的最深水域.单位mm. 评价汽车越野性能的重要指标. 18.发动机: 又称引擎,把化学能转化为机械能.装配在汽车上主要以汽油,柴油,电池等. 标准的描述方法:排气量+排列形 式+汽缸数+发动机特殊功能. 如宝马3升直列6缸双涡轮增压直喷发动机. 奔驰1.8升直列4缸机械增压发动机. 18.1发动机放置位置: 前置,中置,后置发动机. 或分为横向式/纵向式发动机. 18.2发动机结构: L直列V形, W形,H形,转子发动机(尺寸小,重量轻,功率大,但是技术复杂,成本高,耐用性低) 18.3进气方式: 自然吸气, 涡轮增压, 机械增压, 18.3.1自然吸气: 利用汽缸内产生的负压力,将外部空气吸入.（常用,寿命长,维修方便） 18.3.2涡轮增压: 相当一个空气压缩机.利用发动机排出的废气作为动力来推动涡轮室内的涡轮.优点是发动 机动力增加40%,缺点就是迟滞性. 18.3.3机械增压: 采用皮带与发动机曲轴皮带连接,利用发动机转速来带动机械增压器内部叶片,以产生增压 空气送入引擎进气管内.以此达到增压并使发动机输出动力变高的目的 18.4混合气形成方式: 单点电喷, 多点电喷, 直喷式 18.4.1单点电喷:以喷油嘴取代了化油器,进气总管中的节流阀体内设置一只喷射器,对各缸实施集中喷射,汽 油被喷入进气气流中,形成可燃混合气,同上进气歧分配到各个气缸内.（电子控制,但无法精确均匀混合 与分配） 18.4.2多点电喷:每个气缸都由单独的喷油嘴喷射燃油.(目前主流的形式,能够按照每个气缸的需求实现精确 的按需供油,因此,降低了油耗和排放. 18.4.3直喷式: 燃油喷嘴安装在气缸内,直接将燃油喷入气缸内与进气混合.喷射压力也进一步提高,使燃油雾 化更加细致,真正实现了精准地按比例控制喷油并与进气混合,并且消除了缸外喷射的缺点. 18.5排气量:指活塞从上止点到下止点所扫过的气体容积,又称单缸排量.它取决于缸径和活塞行程.排气量越大,功 率和扭矩就会越大.单位为升(L) 18.6最大功率: 也叫马力,单位是kw或ps. 千瓦/匹.输出功率与发动机的转速关系很大.有100kw/6000rpm. 18.7最大扭矩: 发动机性能的一个重要参数,是指定发动机运转时从曲轴端输出的平均力矩.扭矩的大小也是和发 动机转速有关系的.在不同的转速就会有不同的扭矩.扭矩越大,发动机输出的劲就越大.扭矩决定了汽车的加速能力,爬坡能力和牵引力. 18.8汽缸: 按照冷却方式分为水冷发动机(水套)和风冷发动机气缸体(散热片) 一般来说,缸数越多,排量越大, 功率 越高,速度越高,加速度也越快. 18.9每缸气门数: 指发动机每个汽缸所拥有的气门数,有2,3,4,5,6几种.但超过6结构复杂,寿命短.常用为4气门. 气 门与气缸数量可以作为判断发动机优劣标准之一,但不是唯一的. 18.10凸轮轴: 活塞发动机里的一个部件,它的作用是控制气门的开启和闭合动作.其材质一般是特种铸铁,或者锻件. 凸轮轴的主体是一根与汽缸组长度相同的圆柱形棒体.上面套有若干个凸轮,用于驱动气门.凸轮轴的一端是轴承支承点,另一端与驱动轮相连接.
系统常用命令——AIX和Linux常用命令讲解与对比
单选题 1. 下面关于修改权限的命令正确的是√ A chmod aa u+r B chmod u+wx aa C chmod aa ug+w D chmod u+w；g-w aa 正确答案： B 2. 下列关于nmon使用的说法正确的是× A Linux系统中，不需要上传nmon文件 B Linux系统中，在nmon目录下，启动nmon，直接输入nmon即可 C aix6.1系统中，需要先上传nmon，再修改权限，才能使用nmon工具 D aix中，在任意目录，都可实时启动nmon实时监控 正确答案： D 3. 下列关于用户的说法正确的是√ A 修改用户密码用password命令 B 切换用户用su 命令 C who命令只显示当前用户的属性 D id查看当前所有在线用户属性 正确答案： B 4. 下列关于进程的说法正确的是（）√ A kill -3 pid 是用于杀掉某个进程 B Linux系统想要看top进程可用topas命令 C linux使用topas命令可查看进程id D 查找Java进程可用命令ps -ef|grep java 正确答案： D 多选题
5. 下列说法正确的是× A find命令可用于查找存在于文件内的某个字段 B whereis命令适用于查找命令存在的目录 C pwd显示当前所在目录 D aix系统下，使用find命令查找文件，不用输入在哪个目录查找目标文件 正确答案： B C 6. 下列关于vmstat命令说法正确的是√ A vmstat命令会报告有关内核线程、虚拟内存、磁盘、管理程序页、陷阱和处理器活动的统计信息。 B 如果us和sys条目的平均高于80%，很可能遇到了CPU 瓶颈。如果上升到了100%，系统就真的太繁忙 C 如果us和sys条目数字很小，但wa（等待I/O）很高（通常大于30），这意味着系统上存在I/O 问题，从而导致CPU 不能到达其最佳工作状态。 D vmstat 5意思是5秒取一次数据 正确答案： A B C D 判断题 7. Linux系统下可用rm 目录名删除非空目录√ 正确 错误 正确答案：错误 8. mv命令可用于重命名文件√ 正确 错误 正确答案：正确 9. 查看文件尾部内容用tail 命令× 正确 错误 正确答案：正确
内存芯片参数介绍
内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、
单反相机基本参数调试详解
单反相机基本参数调试详解
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单反相机基本参数调试详解 单反相机作为一种比较复杂的摄影工具,让一些新手望而却步。其实只要了解了相机的一些简单的参数,想要上手还是比较容易的，今天小编就整理了网上的一些关于单反相机基本参数调试的内容，分享给大家。?一、镜头的焦距?焦距在物理中是指透镜中心到平行光聚集点的距离;而在摄影中,是指当对焦在无穷远时，镜头中心到感光器成像平面的距离。因此，只要知道镜头的焦距是怎样影响拍摄效果的就可以了。图下就是不同焦距拍摄的示意图。? ? ?
二、等效焦距?我们把镜头上标注的焦距定义为绝对焦距。绝对焦距是不会随着相机的改变而改变的,它反映了镜头本身的物理特性。而等效焦距这个概念的出现是因为不同相机有着不同大小的感光器。简单来讲，相同的镜头装在不同大小感光器的相机上，照片拍出来的范围会有区别。 怎么来量化不同大小感光器带来的这种差异呢??尼康(NIKON)和佳能（CANOＮ）全幅相机的感光器大小一般在3６mm*２4ｍm左右，如尼康（NＩKＯＮ)D3ｘ,尼康(NIKＯＮ)D７00，佳能(CANON）1ＤｓMarｋIII，佳能(CAＮON）5DＭａrk II。尼康(NIKON）和佳能(CA ＮON）的非全幅(APS-C画幅）相机的感光器大小大约分别在24mｍ*１6mm和２2mm*15ｍm。我们将全幅相机（感光器大小为3６ｍｍ*２4mm的相机）作为摄影衡量标准。也就是说：所有能装在全幅相机上的镜头,等效焦距等于绝对焦距;而镜头在所有其他大小感光器相机上,等效焦距等于绝对焦距乘以一个固定的系数。?举个例子，镜头装在尼康（NIKON）的非全幅(APＳ-C画幅)相机上,如D3０0s，D90，等效焦距约等于绝对焦距乘以1.5倍；镜头装在佳能（CANOＮ)的非全幅(APS-Ｃ画幅）相机上,如７D,６0D，等效焦距约等于绝对焦距乘以1.6倍。意思就是这些镜头装在非全幅（AＰＳ-C画幅) 的相机上,拍摄出来的画面范围等效为一个更长的镜头在全幅相机上拍摄出来的范围。图下的几张例图可以很容易的帮助理解。 从图中我们可以看出一个2０0mm的镜头在APS-C画幅机器尼康(NIＫOＮ）D９0上拍摄到的范围与一个３00ｍm镜头在全画幅机器尼康（NIKOＮ)D7００上一致。 ?三、对焦?对焦又叫聚焦,
5分钟教你学会OS性能分析工具_nmon_(AIX压力测试常用)
5分钟教你学会OS性能分析工具 nmon （压力测试常用） nmon是一个分析OS性能屡试不爽的工具，Nmon的使用需要nmon工具和nmonanalyser 分析程序两者配合使用。nmon工具生成性能数据文件，然后monanalyser以nmon生成的数据文件作为输入，输出为Excel 电子表格，并自动地生成相应的图形，使得我们直观的观察OS性能（CPU、IO和内存等）的变化过程，本文主要描述nomn的使用的详细操作过程。 1）下载nmon工具和nmonanalyser Nmon下载： 位置：可从IBM Wiki上下载 https://www.wendangku.net/doc/6f4132433.html,/collaboration/wiki/display/WikiPtype/nmon 下载页面如下： 例如我测试的系统是AIX5.3,那么就可以下载nmon4aix12e.zip，下载后我们可以看到压缩包里是一些文件，如下：
其实nmon就是shell脚本，nmon文件运行时调用其他的文件，生成性能数据，这个工具运行时也是通过执行nmon脚本接受参数。 Nmonanalyser下载： 位置：可从可从IBM Wiki上下载 https://www.wendangku.net/doc/6f4132433.html,/collaboration/wiki/display/Wikiptype/nmonanalyser 下载页面如下： 例如我们下载V3.3版本的。 2）上传nomn工具到服务器上&修改属性
nmon的安装步骤如下： 1）用root用户登录到系统中； 2）建目录：mkdir /test； 3）把nmon用ftp上传到/test，或者通过其他介质拷贝到/test目录中； 4）执行授权命令：chmod +x nmon。文件属性变为可执行 出现如下页面： +nmon-11f------[H for help]---Hostname=debian4------Refresh= 2secs ---14:48.10-------+ | | | ------------------------------ For help type H or ... | | # # # # #### # # nmon -? - hint | | ## # ## ## # # ## # nmon -h - full | | # # # # ## # # # # # # | | # # # # # # # # # # To start the same way every time | | # ## # # # # # ## set the NMON ksh variable | | # # # # #### # # | | ------------------------------ | | | | Use these keys to toggle statistics on/off: | | c = CPU l = CPU Long-term - = Faster screen updates | | m = Memory j = Filesystems + = Slower screen updates | | d = Disks n = Network V = Virtual Memory | | r = Resource N = NFS v = Verbose hints | | k = kernel t = Top-processes . = only busy disks/procs | | h = more options q = Quit 则表示成功安装 3）在服务器上运行nmon脚本 当我们进行系统的压力测试时，需要在压力测试的同时进行nmon收集OS性能数据。服务器上nmon相关文件如下：
DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael
D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.wendangku.net/doc/6f4132433.html,
目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)
摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao