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电子技术基础与技能总复习题八

电子技术基础与技能总复习题八
电子技术基础与技能总复习题八

电子技术基础综合复习试题八

一、填空题

1、由二值变量所构成的因果关系称为关系。能够反映和处理关

系的数学工具被称为逻辑代数。

2、在正逻辑的约定下,“1”表示电平,“0”表示电平。

3、数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是关系,所以数字电路也

称。

4、TTL集成JK触发器正常工作时,其d R和d S端应接电平。

5、典型的TTL与非门电路使用的电路为电源电压为 V,其输出高电平为 V,其输出端是低电平为 V, CMOS电路的电源电压为 V 。

6、有一数码10010011,作为自然二进制数时,它相当于十进制数,作为8421BCD码时,它相当于十进制数。

7、PN结具有__________性能。

8、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。

9、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________小的特点,起阻抗

变换作用。

10、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最大,这种现象称

为______________。

二.选择题

1、晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。

A.零偏

B.反偏

C.正偏

2、若晶体三极管的集电结反偏、发射结正向偏置,则当基极电流减小时,使该三极管:()。

A.集电极电流减小

B.集电极与发射极电压V CE上升

C.集电极电流增大

3、请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路()。

A、计数器

B、寄存器

C、译码器

D、触发器

4、已知逻辑函数与其相等的函数为()。

A、B、C、D、

5、8线—3线优先编码器的输入为I0—I7 ,当优先级别最高的I7有效时,其输出012Y Y Y ?? 的值是( )。

A .111 B. 010 C. 000 D. 101

6、在同相输入比例运算电路中,负反馈电阻R f =0时,电路为( )

A.反相比例运算电路

B.电压跟随电路

C.加法电路

D.减法电路

7、为解决功放出现交越失真的问题,应( )

A 进行相位补偿

B 取消功放管的静态工作点偏置

C 适当设置功放管的静态工作点

D 适当增加负载RL 的值

8.、有一个左移移位寄存器,当预先置入1011后,其串行输入固定接0,在4个移位脉

冲CP 作用下,四位数据的移位过程是( )。

A. 1011--0110--1100--1000--0000

B. 1011--0101--0010--0001--0000

C. 1011--1100--1101--1110--1111

D. 1011--1010--1001--1000--0111

9、一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。

A .15

B .8

C .7

D .1

10、下列数字电路中,不属于组合电路的是( )

A.编码器

B.译码器

C.数码寄存器

D.全加器

三.简答与分析题

1、如图是一个电路,写出逻辑表达式并化简,列出真值表,分析其逻辑功能。

Y

2、已知:电路如图所示V1、V2为理想二极管。求:1)哪只二极管导通2)U AO=?

3、有A、B、C三个输入信号,当输入信号均为0或其中一个为1时,输出Y=1,其余

情况Y=0。请完成下列问题:

(1)根据题意列写真值表;

(2)写出逻辑表达式并化成最简与或表达式;

(3)画出对应的逻辑图。

4、试分析如图所示时序逻辑电路的逻辑功能,设各角发器的初始状态为Q2Q1Q0=100。

完成下列问题;

(1)填充下面的状态表;

(2)画出Q2Q1Q0在所给CP脉冲作用下的波形图;

(3)说明此电路的逻辑功能。

模拟电子技术基础考试试题答案-(1)

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

电子技术基础复习题-直流稳压电源

《电子技术基础》复习题 直流稳压电源 一、单项选择题: 1.在单相半波整流电路中,所用整流二极管的数量是()。 (a) 四只(b) 二只 (c) 一只 2.在整流电路中,二极管之所以能整流,是因为它具有()。 (a) 电流放大特性(b) 单向导电的特性(c) 反向击穿的性能 3.在整流电路中,设整流电流平均值为I ,则流过每只 二极管的电流平均值I I D0 的电路是()。(a) 单相桥式整流电路 (b) 单相半波整流电路(c) 单相全波整流电路 4.整流电路如图所示,设变压器副边电压有效值为 U 2,输出电流平均值为I O 。二极管承受最高反向电 压为2 2 U,通过二极管的电流平均值为I O且能正常工作的整流电路是下图中()。

~ ~ ~ u O u O u O i O D 1D 2 () b () a - - - 5.整 流 电 路 如 图 所 示, 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 为U 2, 二 极 管D 所 承 受 的 最 高 反 向 电 压 是 ( )。 (a) U 2 (b) 22U (c) 222U ~ u O - 6.整 流 电 路 中, 整 流 电 压u O 的 平 均 值 为U 2(U 2 为 变 压 器 副 边 电 压u 2 的 有 效 值), 符 合 该 值 的 整 流 电 路 是 下 图 中( )。

~ ~ ~ ? u O u O D 1 () a (c) + - +- D 2 7.整 流 电 路 如 图 所 示, 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 为10 V , 则 输 出 电 压 的 平 均 值 U O 是 ( )。 (a) 9 V (b) V (c) V ~ u O + - 8.设 整 流 变 压 器 副 边 电 压u U t 222=sin ω,欲 使 负 载 上 得 到 图 示 整 流 电 压 的 波 形, 则 需 要 采 用 的 整 流 电 路 是( )。 (a) 单 相 桥 式 整 流 电 路 (b) 单 相 全 波 整 流 电 路 (c) 单 相 半 波 整 流 电 路

(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案

74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 : 审 题 人 : 命 题 时 间 : 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题( 卷) 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 (请将答案写在答题纸上,答在试卷上不给分) 一. 选择题(16分) 1.已知A B A B B A Y +++=,下列结果正确的是( ) a . Y =A b .Y=B c .A B Y += d .Y=1 2.已知A=(10.44)10(下标表示进制),下列结果正确的是( ) a . A=(1010.1)2 b .A=(0A .8)16 c . A=(12.4)8 d .A=(20.21)5 3.下列说法不正确的是( ) a .当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b .三态门输出端有可能出现三种状态(高阻态、高电平、低电平) c .OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d .集电极开路的门称为OC 门 4.以下错误的是( ) a .数字比较器可以比较数字大小 b . 半加器可实现两个一位二进制数相加 c .编码器可分为普通全加器和优先编码器 d .上面描述至少有一个不正确 5.下列描述不正确的是( ) a .触发器具有两种状态,当Q=1时触发器处于1态 b .时序电路必然存在状态循环 c .异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d .主从JK 触发器具有一次变化现象 6.电路如下图(图中为上升沿Jk 触发器),触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”,请问在时钟作用下,触发器下一状态(Q 3 Q 2 Q 1)为( ) a .“101” b .“100” c .“011” d .“000” 7.电路如下图,已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”,74LS191具有异步置数的逻辑功能,请问在时钟作用下,电路的下一状态(Q 3 Q 2 Q 1 Q 0)为( ) a .“1100” b .“1011” c .“1101” d .“0000” 8.下列描述不正确的是( ) a .EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b .DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c .积分型单稳触发器电路只有一个状态 d .上面描述至少有一个不正确 二.判断题(9分) 1.TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA ( ) 2.TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空( ) 3.当决定事件发生的所有条件中任一个(或几个)条件成立时,这件事件就会发生,这种因果关系称为与运算。() 4.将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。() 5.设计一个3进制计数器可用2个触发器实现( ) 6.移位寄存器除了可以用来存入数码外,还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器( ) 7. 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现( ) 8. 施密特触发器电路具有两个稳态,而多谐振荡器电路没有稳态( ) 9. DRAM 需要定期刷新,因此,在微型计算机中不如SRAM 应用广泛( ) 三.计算题(8分) 1、在如图所示电路中,U cc =5V ,U BB =9V ,R 1=5.1kΩ, R 2=15kΩ,R c =1kΩ,β=40,请计算U I 分别为5V ,0.3V 时输出U O 的大小?。 密 线 封 A B

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

电子技术基础期末考试考试题及答案

电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门: xxx 时间: xxx 整理范文,仅供参考,可下载自行编辑

触发器,输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下, A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<) 10.电路如下图所示,若初态都为0,则的是<) 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<) A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<) A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为<) A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为<) 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为<) A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分)<对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴< ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降< ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开<) 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<) 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<)

注:将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里, 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.<10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: <1)R开路;<2)RL开路;<3)稳压二极管V接反; <4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.<16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: <1)列出状态表,状态转换图; <2)说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题,每小题2分,共30分) 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分) 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26. 27.解:稳压二极管V接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q2Q1Q0=000

电子技术基础复习题及答案..

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C; (B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14.N 个变量的逻辑函数应该有最小项( ) A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15.函数F=B A +AB 转换成或非-或非式为( ) A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16.图示触发器电路的特征方程Qn+1 =( ) A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17.多谐振荡器有( ) A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态,一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18.本征半导体电子浓度______空穴浓度,N 型半导体的电子浓度______空穴浓度,P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 ( ) A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19.稳压管构成的稳压电路,其接法是( )

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有_____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

电子技术基础复习题与答案

中南大学网络教育课程考试(专科)复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C; (B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( )

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试卷 一、填空题(20分) 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈,只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络,即________。 10、负反馈放大电路有四种类型:___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型:_______、_______、_______和_______。 二、判断题(1—5题每题2分,6—15题每题1分,共20分) 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2

3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态,T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小,说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较,从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题(1题12分,2题13分,3题15分,共40分) 1、设计一反相加法器,使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4),允许使用的最大电阻为280kΩ,求各支路电阻。

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

电子技术基础考试必备十套试题,有答案

电子技术基础试题(八) 一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最 大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功放, ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分) 1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。

A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接 入电路,这时组合管的稳压值是:( )。 A.8V 7.为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:()。

中职 电子技术基础考试题

电子技术期中考试试题卷 姓名________ 班级_________学号___________ 时间:90分钟 满分:100分 一、 选择题 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度 2.测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 4.由NPN 管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是 ( ) (A )饱和失真 (B ) 截止失真 (C ) 频率失真 5.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 ( ) (A )增加 (B )减少 (C )不变 6.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 7.晶体三极管工作在饱和状态时,满足( ) A. 发射结、集电结均正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 8.稳压二极管正常工作时应工作在( )区。 A. 死区 B. 正向导通 C. 反向截止 D. 反向击穿 9、某负反馈放大电路框图如下所示,则电路的增益i o F X X A 为( )。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09 10.图示电路中,AB 之间电压V 对应的方程式为( )。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 二、填空题: 1.N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。 2.PN 结具有_________特性。 3.利用半导体材料的某种敏感特性,如_______ 特性和_______ 特性,可以制成热敏电阻和光敏元件。 4.画放大器直流通路时,_______视为开路,画交流通路时,藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 5.理想运放的输出电阻是________,输入电阻是________。 6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。 7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。 8、单相桥式整流电路,若其输入交流电压有效值为10V ,则整流后的输出电压平均值等于______。 X o

电子技术基础复习题及答案(DOC)

电子技术基础 、选择题: 1?在杂质半导体中,少子浓度主要取决于() (A)掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2 ?测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V, 则该管工作于() (A)放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使3值由50变为100,则电路的放大倍数() (A)约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4 .在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A)输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾Re是为了( (A)提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C)提高共模抑制比 6 .若A+B=A+C 贝^( (A) B=C ; (B) B= C ; (C)在A=0的条件下,B=C 7 ?同步计数器中的同步是指( (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 &由NPNt组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是 (A)饱和失真(B) 截止失真(C) 频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是 (A)多数载流子(B)少数载流子(C) 既有多数载流子又有少数载流子 10?当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 (A)增加(B)减少(C)不变 11?通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( A、输入电阻高 B 、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是 13 .将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( D. 17. 多谐振荡器有( 空穴浓度 ( A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19.稳压管构成的稳压电路, 其接法是( A 、 (01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、 (000100110001)2 14. N 个变量的逻辑函数应该有最小项( A 、2n 个 B 、n2 个 C 、2n 个 D. (2n-1)个 15 ?函数F=AB +AB 转换成或非-或非式为 A 、A +B +A +B B 、A +B +A +B 、AB +AB D 、A +B +A +B 16?图示触发器电路的特征方程 Qn+1 =( A. —n — n TQ +TQ n B. T Q +TQn C. A 、两个稳定状态 、一个稳定状态, 一个暂稳态 C 、两个暂稳态 、记忆二进制数的功能 18?本征半导体电子浓度 空穴浓度,N 型半导体的电子浓度 空穴浓度,P 型半导体的电子浓度

《电子技术基础》模拟试题

二、判断题:(每小题2 分,共20 分) 1、逻辑电路的输出变量与其输入变量之间为一定的逻辑关系。() 2、逻辑变量的取值可以是任意种。() 3、非门输出电压的大小与输入电压的大小成比例。() 4、带使能端的译码器可作数据分配器使用。() 5、具有记忆功能的各类触发器是构成时序电路的基本单元。() 6、时序电路无记忆功能。() 7、计数器具有定时作用。() 8、要改变触发器的状态,必须有CP 脉冲的配合。()9、两个状态等价的条件是在相同的输入条件下具有相同的 输出和相同的次态。() 10、因为逻辑表达式A+B+AB=A+B 成立,所以AB=0 成立。()

《电子技术基础(1)(下)》模拟题二 一、填空题:(每空 1 分,共计20 分) 1、辑代数中基本的逻辑运算有、和三种。 2、将输出端并在一起的逻辑门有、、。 3、逻辑代数化简常常采用和两种方法。 4、74LS138 是组合集成器件,74LS151 是组合集成器件。 5、触发器按功能分类有、、、和等五种触发器。 6、计数种类繁多,若按计数脉冲的输入方式不同,可分为和两 大类。 7、将模拟信号转换成数字信号需要采样、和四个过程。 二、判断题(20 分,每题 2 分) 1、在二进制与十六进制的转换中,有下列关系: (1001110111110001)B=(9DF1)H () 2、8421 码和8421BCD 码都是四位二进制代码。() 3 、二进制数1001 和二进制代码1001 都表示十进制数9 。 () 4 、TTL 与非门输入采用多发射极三极管,其目的是提高电路的开关速度。 ( ) 5 、OC 与非门的输出端可以并联运行,实现“线与”关系,即L=L1+L2 () 6 、CMOS 门电路中输入端悬空作逻辑0 使用。 () 7 、数字电路中最基本的运算电路是加法器。 ( ) 8 、要改变触发器的状态,必须有CP 脉冲的配合。

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