【复旦研究生课程】半导体工艺技术 李炳宗 Chapter 1

Chapter 1 Progress and Main Factors of Semiconductor Technology

? Invention of Transistor and Integrated Circuits

? From SSI to VLSI/ULSI/SLSI

? Device Miniaturization

-----The Key of Progress

? Micro-fabrication Technology

-----The Way to Progress

? Si and its based Thin Films

-----The Material Base for Progress ? Moore’s Law

? Semiconductor Technology Roadmap

? Leading Edge CMOS Technology

? Microelectronics Revolution and Information Age ? From Micro- to Nano-

I. Invention of Transistor and Integrated

Circuit

1947.12.23: Invention of Point

contact transistor by Bardeen &

Brattain

---1st paper on Transistor: “The

transistor, a semiconductor triode”

( Phys. Rev. 74, 230, 1948)

---By Webster’s: “Transistor =

transfer + resistor, transferring

electrical signal across a resistor”

1948-1952: Shockley developed basic theory of transistor ---Junction diode and transistor theory: “The theory of p/n junction in semiconductors and p/n junction transistors”

(1949.7 in Bell System Tech.

J.)

---Field effect transistor

theory: Modulation of

conductance of thin films of

semiconductor by surface

charges” (Phys. Rev. 74, 232,

1948)

---1956 Nobel Prize in

Physics to Bardeen, Brattain

and Shockley

1950-1956: Basic Transistor fabrication technology developed

---From Ge device to Si device

---From alloy p/n junction to diffusion junction fabrication 1950 Diffused junction (Hall, Dunlap; GE)

1952 JFET (Shockley; Bell Lab)

1954 1st Si transistor (TI)

1955 Diffused diodes & transistors (Bell Lab)

1958.9.12 1st IC---“Solid

Circuit” by J. Kilby of TI

---Flip-flops phase shift oscillators

---On Ge substrate

---Mesa structure with Tr, R, C

---Etching by black wax protection

---Wire bonding interconnect ion

2000 Nobel Prize in Physics to J. Kilby

(Shared with Afilov and Kroemer )

1958-1960: Basic IC process and device technology

--- Oxidation process (Atalla; bell Lab)

--- pn Junction Isolation (K. Levovec)

--- Al metal film evaporation

Planar process technology (J. Hoerni;

Fairchild)

1st Si monolithic IC-

“Microchip”

by R. Noyce (Fairchild,

as one of the IC

technology founders)

1959-63: MOS Devices

---1959: MOS capacitor (J. Moll; Stanford) ---1960-63: Si surface study & MOS devices (Sah, Deal, Grove…)

---1962: PMOS (Fairchild); NMOSFET (RCA)

---1963: CMOS (Wanlass, Sah; Fairchild)

II. From SSI to VLSI/ULSI

Rapid progress of IC as the results of intensive R & D on: ---Fabrication technology

---Si and other material science

---Device physics

---Circuit and system

---…..

Successful pursuit for higher integration-invariable goal By A. Reisman By J. Meindl SSI (Small Scale Integration) 21-5 2-30 MSI (Medium Scale Integration) 26-10 30-103 LSI (Large Scale Integration) 211-15 103-5 VLSI (Very Large Scale Integration) 216-20 105-7 ULSI (Ultra Large Scale Integration) 221-25 107-9 SLSI (Super Large Scale Integration) >226 >109 (GSI: Gigantic/Giga Scale Integration) or SoC (System on Chip)

Tremendous IC progress in:

---Performances (Speed, Power, Reliability)

---Functions: from a simple logic gate to a complex system ---Productivity and cost

---Application expansion

Chip patterns in equal area:

Rapid integration scaling up with new process technologies

A significant big step forward every decade since IC

invention

---1958-1967 SSI *Planar technology

---1968-1977 LSI *Ion implantation doping

*Poly-Si gate technology

*Device isolation by Local Oxidation of Si (LOCOS)

*Self-aligned Tr. by R. Bower (1969 patent)

*One Tr. DRAM cell by R. Denard (1968 patent)

*Microprocessor (1971, Intel)

---1978-1987 VLSI

*Fine lithograph technology (DSW stepper, e-b mask) *Plasma and Reactive Ion Etching

*Magnetron Sputtering

---1988-1997 ULSI

* Sub-μ and deep Sub-μ CMOS technology

* Deep UV lithograph and patterning

---1998- 2007 SoC/SLSI, Nano-meter CMOS

*Cu and Low-k interconnection technology

*High-k gate insulator

*SOI, etc

III. Device miniaturization-The key to progress of

Microelectronics

Evolution of Si-IC processing features

Year* 1980 1984 19871990199319961999 2001 2004 Feature

Size(μm)

2.0 1.5 1.0 0.8 0.5 0.350.25 0.18 0.09 DRAM 64K 256K 1M 4M 16M64M256M 512M 1G Chip

size(cm2)

0.3 0.4 0.5 0.9 1.4 2.0 3.0 4.5

Wafer

diam.(mm)

75 100 125 150 200 200 200 200 300

Process steps 100 150 200 300 400 500 600 700-

800

Utility

impurity

(ppb)

1000 500 100 50 5 1 0.1 0.01 *Mass production started year

IC Industry: “Make it big in a make-it-small business”!

DRAM --- an excellent example

1M (TI) 4M (TI) 16M (IBM)64M Hitachi)256M (Mitsubishi) 1G (Hitachi-95 4G (NEC-97) 4G (2001)

Cell (μm 2) 21.5 (2.5x8.6) 8.9 (2.6x3.4) 4.13 (1.48x2.8) 1. 28 0. 72 (0.6x1.2) 0.29 0.23 0.1

Die (mm 2) 50.3 (4.3x11.7) 100 (9.8x10.2) 140.9(7.8x18.1)200 (20x10) 304 (13.2x22.8)

714 986 645

(*The data were from 1st R&D product)

Device min. Feature size:

(20-30)μm/1960→6μm/1972→0.09μm/2004 Device miniaturization leads to:

*Lager scale integration *Higher speed *Better reliability

*more and smarter function *Higher productivity *Lower cost *Lower power

*Broader application Device miniaturization by “ Scaling-down Principle” Device geometry-L g , W g , t ox , x j →ⅹ1/k

Power supply-V dd →ⅹ1/k

?Device speed →ⅹk Substrate doping-N

→ⅹk Chip density →xk 2 Device miniaturization or downsizing—a general trend of electronics device

1900 1950 1960 1970 2000 2010 Vacuum tube Transistor IC LSI VLSI/ULSI SoC 10 cm 1cm 1mm 10 μm 100 nm 10 nm 10-1 m 10-2 m 10-3 m 10-5 m 10-7m 10-8m ∴106 Times device feature size reduction in 100 years!

Memory Technology Evolution

IV. Micro-fabrication Technology—The way to IC progress An interdisciplinary science and technology subject

---Integration of a series of various science and technology *Semiconductor device physics

*Material science

*Energy beam technology (e-beam, ion beam, Laser…..)

*Optical engineering

*Thermal processing

*Plasma technology

*Thin film technology

*Circuit and system

Si wafer process technology-Basic & Core Technology of Microelectronics

*A highly dynamic and

sensitive technology

*Duality-innovation &

stability

*CMOS core based processes-

mainstream of ULSI

technology

Ultra pure materials

*Si;

*Chemicals;

*De-ionized water;

*Gases of semiconductor-pure-degree (ppb & better)

Ultra clean facility

*Clean room class: 100→10→1→0.1 (particles/cubic feet) *Ultra clean mini-environment

Fine controlled equipment

*Variety of advanced techniques to be applied: Optical, e-beam, ion beam, plasma, Laser, X-ray…..

CAD design

CAT test

Package and reliability techniques

Ⅴ. Si and Si-based thin films --- the material base for rapid progress of semiconductor technology

Si – Unique combination of a series of excellent crystalline, electrical, chemical, mechanical properties

Δ Stable elemental material and diamond-like crystalline structure

ΔGood semiconductor properties

ΔExcellent processing manufacturing capability

ΔOne of best investigated and developed materials

(Large amount of literatures, purity, crystal perfection,

large diameter crystal,…)

ΔA series of Si-based semiconductor, dielectric and conductor thin film materials

Si-based thin films – exceptional superiority of Si among various semiconductors

ΔP-type, N-type Si epitaxial films : for different devices

ΔPolycrystalline Si film: Key material for self-aligned

devices, many other applications

ΔAmorphous Si film: TFT large area IC for AMLCD…

ΔSiO2,Si3N4,Si x O y N z dielectric thin films

— Impurity diffusion masking – Key of planar

technology

— Gate dielectrics

— Device isolation and passivation

ΔSi1-x Ge x film: Energy bandgap engineering material, hetero-junction devices, strained Si devices Δmetal silicide film

— Various conducting films: WSi2, CoSi2, TiSi2, NiSi, PtSi,…

— Self-aligned low-resistance contact

— Schottky barrier contact for bipolar IC

Si in periodic table and its crystalline

structure

ΔSi – No. 14th element in periodic table

ΔSi--diamond crystalline structure—

determined by inter-atomic force

*Si atom: 14 electrons—(1s22s22p6) 3s23p2

*Si in crystal:

Inter-atomic interaction leads to:

Valent electron orbit s2p2→

→ sp3 hybridization（杂化）

→ 4 hybrid orbits→4 covalent bonds

→ Tetrahedron structure

→ Diamond cubic lattice

Bond length d=0.235nm; Bond angle=109°28’

ΔDiamond lattice---combination of 2 face centered cubic (fcc) lattices

*Lattice constant: a=0.543nm

*Density: N=5.0x1022 cm-3; ρ=2.328 g cm-3

*Nearest atomic distance: d=31/2a/4=0.235nm

*Number of atoms in unit cell: n=8/a3

Energy band formation of

Si diamond lattice crystal

*Isolated atom-discrete energy

levels

*Inter-atomic spacing↓→Energy

level splitting→Bands formation

Band structure difference between insulator(a), semiconductor (b) and

conductor(c) Si and other elements in group IV with diamond lattice

C Si Ge α-Sn(灰锡) a (nm) 0.357 0.543 0.566 0.649 d (nm) 0.154 0.235 0.245 0.281 E g (eV)(RT) 5.45 1.12 0.67 0.08

T M (°C)

>4000 1420 936 T K = 13°C Crystalline planes of Si

(100) (110) (111)(Double layer)

Distance between

planes, d(nm) a/4 =0.136

21/2a/4 =0.192

Between: d 1= 31/2a/4=0.235

Within: d 2=31/2a/12=0.078 d= d 1 + d 2 = 31/2a/4

Atoms/Plane,σ=nd Nd (cm 2) 2/a 2

6.78x10142x21/2/a 2 9.60x1014

Double layer:8/31/2/a 2=1.57x1015

Single layer:4/31/2/a 2=7.84x1014

Bonds/atom

between planes(m) 2 1 Between: 1

Within: 3

Bond density /plane (m σ)

4/a 2 1.36x10152x21/2/a 2 9.60x10

14Between: 1x4/3

1/2/a 2

=7.84x1014 Within: 3x4/31/2/a 2=2.35x1015

*(111)planes---closely packed double layer

--Within double layer---highest bond density between planes --Between double layers---lowest bond density

→ (111)---cleavage plane; most common exposed plane Si and IC fabrication materials in Periodic Table

---More and more elements and their compounds have been and to be found applications in IC fabrication process

VI. Moore’s Law

Proposed firstly by Gordon Moore in 1965

Doubling the number of transistor every 18-24 months

Exponential growth

of semiconductor

technology and

industry

(A common law at

certain stage for a

new industry under

rapid development)

Effectively well

since 1960 and may

be continuing in the

next 20 years

It is an economics law of technology and market expansion Interesting “Anti-inflation law” in the microelectronics industry

The Paradox of Moore’s Law---As transistors grow smaller, opportunities grow larger

Ⅶ. Semiconductor technology Roadmap

SIA Roadmap – NTRS (National Technology Roadmap for Semiconductors)

1992 edition: 1992 – 2007 (0.5 0.1μm)

1994 edition: 1995 – 2010 (0.35 0.07μm)

1997 edition: 1997 – 2012(0.25 0.05μm)

International Roadmap – ITRS

1999 edition: 1999 – 2014(180 35nm)

2001 edition: 2001 – 2016(130 22nm)

2003 edition: 2003 – 2018(100 18nm)

ΔBased on Moore’s Law and Scaling-down Principle

ΔResults of collective work of scientists & engineers from Industry, universities and research institutions

ΔUnique guidance for high-tech development

ΔCombination of market competition and technological

development

Roadmap – “shared contribution in the pre-

competitive domain”

*Min. Feature Size in 1994, 1997, 1999, 2001, 2003 Roadmap (nm) Year 95 97 98 9901 02 03 040506070809101112 13 14 16 18

2003 1009080706557504535 32 22 18

2001 130 115 10090807065 45 32 22

1999 180 130 100705035

1997 250 180 1301007050

1994 350 250 180 ********

1994199619982000200220042006200820102012201420162018

M i n . F e a t u r e S i z e (n m )

Year

Acceleration of Semiconductor technology progress from mid 90’s to early 00’s by more aggressive scaling 500nm →350nm →250nm: 3 years/node

250nm →180nm →130nm: 2 years/node (faster than original prediction) Prediction of product generations in ITRS-2003 ---Back to the 3 years/node scaling

More material and processing challenges for ULSI manufacturing

(By P. Gargini, Intel, 2002)

A series of technological obstacles (“Red Bricks”) to be overcome for sub-100nm IC fabrication

ultra thin SiON or high-K?

dielectrics:

--Gate

--Patterning

low-K?

--Interconnection:

--…..

(By P. Gargini, Intel, 2002)

Ⅷ. Leading-edge CMOS Technology

Continuous progress and

accelerating scaling-down

Intensive R & D on nanometer

CMOS device technology,

approaching material and device

limits

Critical issues for further scaling-

down

— Lithography and nanofabrication

— Multilevel interconnection materials and process

— Choice of gate dielectrics/electrode material and process — Well and channel engineering to suppress short channel effect, V th fluctuation, mobility degradation

— S/D and salicide engineering to suppress junction leakage, doping fluctuation

CMOS technology status of 2004

— Mass production ≧130nm

— Advanced manufacturing ~90nm

— Manufacturing development ~65nm

— Process and device R&D ≦45nm

Intel 70nm CMOS for 130nm

generation (S. Tyagi et al., IEDM-

2000)

— p-/p+ epi. Substrate; — DUV

lithography; 1.3V

— Shallow Trench Isolation(STI): 450nm

deep, 364nm width;

— Gate Oxide : 1.5nm; Gate length: 70nm;

double (n+/p+) poly-Si gate

— Shallow S/D extensions, halo; — CoSi2

Salicide

— Dual V th for both n/p MOS

— I on =1.03/0.5mA/μm, I off =10nA/μm (High V t)

— Dual damascene Cu+FSG (K=3.6) for multilevel (6) interconnection

— t pd?7ps/stag e

Intel 30nm CMOS for 70nm

generation

— 248nm, phase shift mask

lithography

— Gate oxide:0.8nm;

PolySi:100nm;

Inversion C ox≥1.9μF/cm2

— 50nm Ni-silicide

— V dd = 0.85V;

— NMOS: I on =514μA/μm,

I off=100nA/μm

PMOS : I on =282μA/μm, I off=83 nA/μm

— Peak transconductance: NMOS – 1200ms/mm

— Gate delay – 0.94ps

AMD 15 nm CMOS transistors

(B. Yu et al. IEDM’2001, p.937)

? Patterned 248 DUV lithography

? Gate stack: Poly-Si/0.8nmEOT

(1.4nm physical, nitride/oxynitride)

? Ultra-shallow highly activated

junction

? NiSi

? V dd=0.8V; Drive current :

NMOS I on =615μA/μm,

PMOS I on =265μA/μm,

Leakage current:(for both devices) I off<500nA/μm

? Gate delay(CV/I)

NMOS: 0.29ps; PMOS: 0.68ps

? Energy-delay product:

NMOS: 42pJ-ps/m;

PMOS: 97pJ-ps/m

Ⅸ. “Microelectronics Revolution and Information Age”

Revolutionary Development of Microelectronics Intensive Positive Feedback

Great Social-Economic Influences of Microelectronics

Development: Computer

Communication

Automation, Robotics

Consumer Electronics

Significant Change in Economic Structure

Popularization of the High-tech Products – Interesting

Phenomena

Magic Si chip rapidly enter the factory, office & home

Information Age

C&C 3C (Computer + Communication + Consumer)

Information Super Highway (Internet)

– A national or world network of information “Highway” – Optical-fiber cable

“Cars” – Multimedia System – Integration of Computer, Telephone, TV, FAX, …

All kind of audio & video information can be

transferred and provided

US plan – NII – National Information Infrastructure

(1993.9)

Proposal on Information Super Highway by Al. Gore in 1991 (Proposal on Inter-state Highway by his

father A. Gore in 1955)

∴Semiconductor Microelectronics–Basic for Information Technology

复旦大学研究生英语教师用书

研究生英语 研究生高级英语 教师用书 主编 曾建彬黄莺 编委（以汉语拼音为序） 范若恩谷红欣顾乡何静 黄莺刘雯卢玉玲夏威 雍毅曾建彬张宁宁赵蓉

前言 《研究生英语》和《研究生高级英语》是复旦大学研究生课程及教材建设重点资助项目，受到了复旦大学研究生院和上海市重点学科建设项目“英语语言文学”项目的资助。该教材根据中国学生的英语学习需求，采用“博采众长，学以致用”的编写原则，在教材编写中汲取各种有效的英语教学理论和实践方法，为了适应研究生英语课程改革和创新的需要编写而成。《研究生英语》供非英语专业硕士研究生第一外国语（英语）课程使用，《研究生高级英语》供非英语专业博士硕士研究生第一外国语（英语）课程使用。 本书为《研究生英语》和《研究生高级英语》教学参考书的合订本，提供课后练习的参考答案、课文参考译文，以及翻译练习的参考答案，供教师备课参考之用。 本书由《研究生英语》和《研究生高级英语》编委负责编写（以汉语拼音为序）：范若恩、谷红欣、顾乡、何静、黄莺、刘雯、卢玉玲、夏威、雍毅、曾建彬、张宁宁、赵蓉，均为复旦大学外文学院研究生英语教学部教师。 本书在编写的过程中得到了复旦大学研究生院和复旦大学出版社的大力支持，在此表示衷心的感谢。 由于编写人员教学任务重、时间紧、水平有限，教材中的错误及不妥之处在所难免，敬请读者提出宝贵的意见。 编者 2011年12月

使用说明 本书为《研究生英语》和《研究生高级英语》教学参考书的合订本，供非英语专业硕士研究生和博士研究生教学的英语教师参考使用，内容包括《研究生英语》和《研究生综合英语》课文的背景材料、练习答案以及参考译文等。还包括各单元的补充阅读和翻译练习的参考答案。 关于课文（Text）有以下内容： 1．背景材料(Background Information)，包括作者介绍、与课文内容相关的英语国家文化、社会生活和风土人情等背景知识。 2．课文练习答案(Key to Exercises)，包括课后练习V ocabulary Study和Cloze的参考答案。 3．课文译文（Translation of the Text），为了帮助学生更好地理解课文内容，主要采取直译的办法，对个别无法直译的句子则采取意译。 此外，每一单元还提供了一篇补充阅读（Supplementary Reading）和针对研究生论文写作和科研活动的翻译和写作教程与练习。其中《研究生英语》包括了Translating Skills和Writing Skills，《研究生高级英语》包括了Translation Appreciation and Practice和Academic Writing。对于补充阅读后的练习Cloze和翻译部分的练习，本书也提供了参考答案，供使用本教材的教师和自学者使用。 在具体安排教学活动时，教师可根据教学实际情况有选择地使用上述内容。 本书的练习答案和参考译文由《研究生英语》和《研究生高级英语》的编写人员提供。在本书的编写过程中，我们得到复旦大学出版社施胜今同志的热情关怀和大力支持，我们在此表示衷心的感谢。 由于编写人员教学任务重、时间紧，加之水平有限，仓促成书，错误和疏漏之处在所难免，敬请使用本书的教师或其他读者提出宝贵的意见。 编者 2011年12月

复旦大学招收外校推免硕士生实施.

复旦大学招收外校推免硕士生实施 2012-07-31 复旦大学2013年招收外校推荐免试硕士生实施办法 欢迎全国高校优秀应届本科毕业生申请复旦大学推荐免试硕士研究生（以下简称“推免生”），现将复旦大学2013年招收外校推免生办法公布如下： 一、申请条件 拥护中国共产党的领导，愿为社会主义现代化建设服务，品德良好，遵纪守法，且能取得所在高校推荐免试资格的优秀应届本科毕业生： 1．学术研究兴趣浓厚，有较强的创新意识、创新能力和专业能力倾向； 2．诚实守信，学风端正，无任何考试作弊、剽窃他人学术成果以及其他违法违纪受处分记录； 3．本科阶段学习成绩、特别是专业成绩突出，英语水平符合申请学科专业的要求； 4．由申请院系或学科专业确定的、与上述条件不相违背的其他条件。 二、申请材料 申请者须通过复旦大学研究生招生网“复旦大学研究生报考服务系统”提交以下材料： 1．近期正面免冠彩色证件照片（电子版JPG格式，150×200像素，大小30K 以内）； 2．本科阶段历年成绩单（须加盖教务处或院系公章），JPG或PDF格式； 3．外语水平证明，如CET四、六级成绩等； 4．有关获奖证书和学术科研成果（如发表论文、出版物或原创性工作等）。 上述第3、4项材料原件须于复试时携带，以备验证。 完成网上申请后，需打印和寄送以下材料： 1．《复旦大学2013年推荐免试研究生申请表》； 2．《复旦大学推荐免试研究生专家推荐信》2封；

3．《推荐免试资格证明》； 4．本科阶段历年成绩单（原件）。 上述第1-3项材料由申请人在报考服务系统中下载打印（统一用A4纸），按要求填妥后，连同第4项材料，于2012年9月23日前（以邮戳为准,院系另有规定的按其规定执行）寄送至申请院系（各院系联系方式参见申请系统提示）。《推荐免试资格证明》若在递交申请材料阶段未及签字盖章，可先将推荐免试研究生申请表及其他申请材料寄出，获得复试资格者，最迟须于复试时将该证明递交申请院系。未寄送上述材料者，其网上申请无效，所有申请材料恕不退还。 三、申请与选拔考核程序 1．申请者登录复旦大学研究生招生网“复旦大学研究生报考服务系统”，通过“招收推荐免试研究生申请选拔”模块填写和提交申请信息，并按要求向申请院系寄送申请材料。申请时请仔细阅读《复旦大学2013年推荐和招收免试研究生网上申请须知》。 网上申请路径：复旦大学研究生招生网(https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,/)>>>复旦大学研究生报考服务系统>>>招收推荐免试研究生申请选拔。 网上申请时间：2012年6月1日至9月23日（各院系接受申请的具体时间以院系规定为准）。 申请材料寄送截止日期：2012年9月23日（以邮戳为准，院系另有规定的'按其规定执行）。 2．院系组织对申请材料进行评审，择优确定拟复试名单，并于2012年10月上旬或中旬组织复试。经复试拟同意招收者，将寄发《复旦大学2013年推荐免试硕士研究生拟录取通知书》。 3．拟招收并取得所在高校正式推荐资格者，须按照2013年全国硕士生网上报名的要求，于规定时间内凭推荐学校提供的免试校验码，选择当地高招办指定的报考点进行网上报名和办理现场确认手续。 《全国推荐免试攻读硕士学位研究生（直博生）登记表》（省市高招办盖章）须于2012年11月14日前寄（送）至我校研究生院招生办公室（地址：上海市邯郸路220号，邮编：200433）。未进行网上报名和网上确认的考生将取消其推免资格。 正式录取通知书将在政审合格后于2013年6月上旬由院系寄发。 四、其他事项

复旦大学学术学位研究生培养工作规定(试行)

复旦大学学术学位研究生培养工作规定（试行）（2017年7月21日研究生院院务会审议通过，2017年9月1日起施行） 第一章总则 第一条为加强学术学位研究生（以下简称“研究生”）的培养和管理工作，提高研究生的培养质量，根据《中华人民共和国学位条例》、《中华人民共和国学位条例暂行实施办法》、《复旦大学章程》、《复旦大学学籍管理规定》以及国务院学位委员会学科评议组制定的《一级学科博士、硕士学位基本要求》，制订本规定。 第二条研究生教育以培养学术研究人员和高级专门人才为目标。 博士研究生教育旨在培养在本门学科上掌握坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识、具有独立从事科学研究工作的能力、能在科学或专门技术上做出创造性成果的专门人才。 硕士研究生教育旨在培养在本学科上掌握坚实的基础理论和系统的专门知识、具有从事科学研究工作或独立从事专门技术工作能力的专门人才。 第三条研究生培养工作实行校、院两级管理，具有相应层次研究生招生和培养权限的学院（系、所、中心，以下简称“院系”）为研究生培养的二级单位。各院系与研究生培养相关的学术性事务，受学校学术委员会、学位评定委员会、教学指导委员会的指导和监督；与研究生培养相关的行政管理事务，受学校研究生院的业务指导和监督。 第四条各院系应在充分讨论的基础上制订研究生培养方案及其资格考试、开题、中期考核、学位论文预审、学术活动及其他培养环节的工作细则，经学位评定分委员会或院系研究生教学指导委员会审定，报研究生院备案后执行。 工作细则应至少提前3个月向师生公布。 第二章指导教师 第五条研究生指导教师（以下简称“导师”）是研究生培养的第一责任人。研究生的培养由导师或导师组全面负责，实行导师组联合指导的，应确定一名主

复旦大学考研复试失败经验分享

复旦大学考研复试失败经验分享 本人就是某财复试被刷的（大概是唯一一个，sad） 先说一下自己的复试吧。个人感觉就我自己的复试结果而言，自身表现不好是主要原因，期间老师主要问了我两个问题，价格歧视和公共产品为什么不能由市场提供。 前一个问题我先举了火车票的差别定价作为例子，后来老师让我仔细说一下每一级价格歧视（第一级、第二级、第三级），这个因为不记得了，所以沉默了一会，然后说自己不记得了，老师很好奇地问了句，你们本科这方面内容应该学的比较深入才对吧（本人专业是经济相关的），我脑子一抽回了一句，因为这些基本理论都在大一大二学的，当时用的全是英文教材，几乎都看不懂，老师又随口问了句，那你微观当时用的是谁的教材，我想了几秒，也没有答上来（当时记得好像是范里安，但记不清范里安到底是写宏观还是微观的了，没敢回答），老师后来就问了公共产品为什么不能由市场提供。 我先回答了公共产品的两个性质（非竞争性和非排他性），然后又开始用自来水来举例（我记得上课的时候老师说的就是自来水的例子），提问的老师打断了我说，谁说自来水不能由市场提供，那美国的自来水为什么是由市场提供的？ 因为对美国的情况不了解，所以请求思考了一会，没想出来，就请老师介绍了一下美国的情况，听完之后还是比较懵逼，然后老师又告诉我，自来水不是公共产品，听完之后更加懵逼了，这时候中间的老师补充了一句，自来水也可以算是公共产品，但不典型（后来去网上查了一下，确实如此），此后间歇性地挣扎了几句，但没有给出完整的回答。 最后我的复试是以沉默结束的，时间到了之后老师问我还能不能回答，看我答不上来就让我出去了。

就面试期间老师的态度来看，我所在的组的老师基本还算比较友善，虽然在我答不上来之后明显表现出了不耐烦= =但我觉得这大概也是因为长时间面试疲劳以及我的表现确实让人没有沟通欲望。 此外可能也确实存在老师态度不端正的情况（比如玩手机），运气成分也占有一定的比例，但要求复试有一个统一的评分标准显然也是无法实现的，即使是同一个老师，面对不同的人也没有办法做到完全相同的对待。 关于经院方面，我只能说这次经院对于复试的安排挺让人失望的，至少会让我们这些复试被刷的人很失望。最重要的一点就是复试的时间拖得太晚，让人几乎没法调剂。 虽然拖的晚可能是为了争取更多的入学名额（据相关消息声称），但在决定采取差额复试的同时，显然没有考虑到被刷考生的感受，尤其是对于二战以及二战以上的群体，在升学这条道路上奋斗了好几年，好不容易看见了曙光，又被无情地踢下了深渊，几乎没有留下任何可以在这条路上继续前行的方法。 其次我个人认为有关领导做出了一个错误的决定，就是以差额复试为代价适当压低了分数线，就本人了解的情况来看，复旦经院之所以会在今年聚集如此多的考生，就是大家默认其复试不会刷人。我相信即使分数线涨到410、415，只要坚持复试不刷人，复旦仍然会对大部分考生，尤其是本科非985、211的考生有着致命的吸引力，现在这种情况已经被院方自己打破，就如那篇帖子标题所说，复旦不刷人的神话已经破灭了，短期内再想像今年这样聚集一大批如此高质量生源（就初试成绩而言），几乎不可能了。 最后，关于招生计划的消息真的太不透明了，每次计划都是几十个，结果招收都是一百多个，建议想招多少就写多少，就算又偏差也别太多，要不等分数线的时候，看到漫天飞舞的小道消息，真的考验心脏。

复旦大学微电子882半导体器件原理完整版

一．选择题１５＊６ １。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：B Ａ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度 ２。二极管正向阈值电压Ｖf：b Ａ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化 ３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：B Ａ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上 ４。双极型晶体管共基极连接： Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放 大 ５。晶体管基区运输系数主要决定于：c Ａ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度 ６。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C Ａ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度 不能太高否则发射率反而下降 ７。电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：B Ａ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０ ８。题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性） ９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是： Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方 向平移一段距离，与类型无关 １０．mos管＂缓变沟道近似＂是指： Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢 Ｃ：沿沟道方向的电场很小 １１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat： Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt １２．nos管体电荷变化效应是指； Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影 响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响 １３．mos亚阈值电流的主要特征： 具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不 大 １４．nos管短沟道效应是指：

复旦大学微电子考研经验分享

复旦微电子考研心得 复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。 下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。 总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^ 心得之二:

2020年复旦大学研究生入学教育考试资料部分题库(供参考)

复旦大学的校名出自（）中的“卿云烂兮，纠缦缦兮；日月光华，旦复旦兮”，本义是追求光明，含有自主办学、复兴中华的意味 《尚书大传》 复旦大学校训是（），出自《论语?子张》。 “博学而笃志，切问而近思” 1949年之前和之后的两个阶段中，复旦大学任职时间最长的两位校长分别是（）和（）李登辉，陈望道 复旦大学上海医学院（原上海医科大学）创建于（）年，是中国创办的第一所国立大学医学院，严福庆出任首任院长。（）年，上海医科大学和复旦大学合并，组建成为新的复旦大学。1927，2000 我校经过多年的建设和发展，形成了“一体两翼”的校园格局，即以（）为一体，以（）为两翼。 邯郸校区、江湾校区，枫林校区、张江校区 复旦大学研究生学籍管理规定 为了维护我校正常的研究生教育教学秩序，保障研究生的合法权益，使研究生的学习、生活等符合规范的要求，根据2005年教育部颁布的《普通高等学校学生管理规定》，特制定本规定。 第一章入学与注册 第一条按国家招生规定录取的新生，持我校录取通知书及其他有关证明，在规定的期限内到校报到，办理入学手续。因故不能按期入学者，须凭有关证明向研究生院主管部门请假。 第二条新生入学后三个月内，按照国家招生规定经全面复查合格者，在学校规定时间内统一正式注册，领取校徽和学生证，取得研究生学籍。如有下列情况之一者，由研究生院审定，取消其入学资格： （一）未请假逾期二周或请假逾期四周未按时报到者，除因不可抗力等正当事由以外，视为放弃入学资格； （二）无论何时经查证属弄虚作假或徇私舞弊而被录取者； （三）经健康复查，发现有严重疾病，一年内难以治愈，无法坚持正常学习者。 被取消入学资格者，原为应届毕业生，退回其生源所在地；原为在职职工或待业人员，退回原单位或家庭所在地。 第三条对患有疾病的新生，经学校指定的二级甲等以上医院诊断不宜在校学习的，可保留入学资格一年。保留入学资格者不具有学籍。在保留入学资格一年内，由学校指定医院复查确认病愈者，可向学校申请入学，应按下一学年新生入学标准重新办理入学及注册手续。复查不合格或者逾期不办理入学手续者，取消入学资格。 第四条每学期开学时，研究生应当在学校规定日期内到所在院系办理注册手续。因故不能如期注册者，应当履行暂缓手续。未按学校规定缴纳学费或者其他不符合注册条件的不予注册。家庭经济困难的研究生可以申请贷款或者其他形式资助，办理有关手续后注册。 第二章课程考核与成绩记载

复旦大学研究生招生简章 - 留学生办公室

复旦大学2006年外国留学生(研究生)招生简章 学制：3年 招生专业：请参见研究生院网站https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,/招生简章中的硕士、博士专业目录。 申请资格：硕士 --- 大学本科毕业以上学历，身体健康的外国籍公民。 博士 --- 获得硕士以上学位，身体健康的外国籍公民。 申请时间：2006年3月1日至4月30日，可到校申请或邮寄材料申请。邮寄材料必须在4月30日前寄到。 申请材料： 1）《复旦大学外国留学生入学申请表》，可从网上下载打印使用，网址为 https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,/。请按要求认真填写，并贴上照片。 2）毕业证书（应届生为预计毕业证明）和学位证书原件或公证件。 中、英文以外文本的证书还需提供公证过的中文或英文翻译件； 3）本科或硕士阶段全部课程的成绩单原件或公证件。 中、英文以外文本的成绩单还需提供公证过的中文或英文翻译件； 4）个人陈述 申请硕士者1000字左右，申请博士者1500字左右，用中文撰写。内容应包括个人学习、工作经历，学术研究成果，硕士或博士阶段的研究计划等； 5）两名副教授(或副教授以上职称人士)的推荐信,须为中文或英文的原件； 6）HSK6级以上证书原件或公证件，或能够证明自己汉语水平的其他材料；7）护照复印件（有效期内的普通护照）； 8）证件照2张（同护照照片尺寸，申请表上贴一张）； ★申请材料不全者不予受理。不论录取与否，以上材料一律不予退还。 报名费：100美元或800元人民币（申请时一并缴纳，可用现金、现金支票、邮政汇款的形式支付。报名费不予退还。） 录取：经审核材料，根据申请者的情况和专业要求，分别采取下列三种方式录取：①免试录取②面试录取③笔试加面试后录取 ★ 我校将用E-mail与申请者保持联系，告知录取方式。 ★ 笔试时间：2006年5月27日、28日，具体时间和地点请见准考证。 ★ 录取结果将于2006年6月中旬在留学生办公室网站上公布（https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,），《录取通知书》随后寄发。 笔试科目：两门笔试加面试。考试科目同中国学生考试科目，其中政治理论和外语免考，请到https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,查询。参考书目请直接向院系咨询。学费：硕士：文科 26000元/年，理科30000元/年，医科/艺术 48000元/年博士：文科 30000元/年，理科 37000元/年，医科/艺术54000元/年入学：2006年9月初，具体时间以《录取通知书》为准。 备注：报考MBA、IMBA和英文授课的国际政治（中国政治与外交）项目，请看该项目招生简章。 联系方式：地址：上海市邯郸路220号复旦大学留学生办公室招生部 邮政编码：200433 电话：86-21-65642258 65117628 传真：86-21-6511-7298 网址：https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html, E-mail: fso@https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,

复旦大学研究生学费及奖助政策

凯程考研集训营，为学生引路，为学员服务！ 复旦大学研究生学费及奖助政策 根据最新规定，研究生入学需缴纳学费，而为了减轻学生费用负担，名牌高校与普通高校均对研究生实行奖助学金政策，二者相互冲抵，学生所交各项费用实际上已经以另一种形式返回。一般而言，名气越好的高校，学生在资金费用方面的负担越小，获取奖助学金的机会越多、金额越高。由于很多考生对于高校的收费标准及奖助学金发放政策十分关注，中国教育在线考研频道特整理985系列高校最新(2014年度)硕士研究生收费及奖助学金政策，供考生参考： 以下为复旦大学研究生学费缴纳标准： (一)按照国家规定，我校从2014年秋季学期起，依据“新生新办法、老生老办法”的原则，全面实行研究生教育收费制度。2014年秋季学期前入学、并已按规定实行收费政策的硕士生(含学术型和专业学位两类)，仍执行现行学费标准。2014年秋季学期起入学的硕士生，收费办法如下： (1)学术型硕士生(此前未收取学费者)的学费标准最高为每生每年8000元，按学年收取; (2)专业学位硕士生及此前已收取学费的学术型硕士生的学费标准，除院系有调整通知外，仍按现行学费标准收费。各类硕士生的现行学费标准请关注我校财务处网站(网址：https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,/)“通知公告”栏发布的教育收费公示。 在全面实行研究生教育收费制度的同时，我校将进一步加大对研究生教育的投入，完善研究生奖助体系，提高研究生在校学习生活待遇，使研究生们能够安心完成学业。新的研究生奖助方案请关注我校研究生院网页“学生奖助”栏目或研究生招生网发布的最新信息。 以下为复旦大学研究生奖学金设奖类别及金额 学年奖学金包括国家奖学金、学业奖学金和冠名奖学金(专项奖学金)三大类。国家奖学金和冠名奖学金不可兼得，学业奖学金和其他奖项可以兼得。 国家奖学金设奖金额：硕士研究生20000元/人。 冠名奖学金设奖奖额：2000~15000元/人不等。 学业奖学金设奖金额：硕士生均2000元 小提示：目前本科生就业市场竞争激烈，就业主体是研究生，在如今考研竞争日渐激烈的情况下，我们想要不在考研大军中变成分母，我们需要：早开始+好计划+正确的复习思路+好的辅导班（如果经济条件允许的情况下）。2017考研开始准备复习啦，早起的鸟儿有虫吃，一分耕耘一分收获。加油！

复旦大学集成电路工艺原理作业01

作业1：阅读2011年国际半导体技术发展规划（ITRS）https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,/ 题目1－3为必做题，参考“Executive summary”,其余选做。选做题目需要参考其他文档，见题目后面括号中的文档名。 注：技术节点以“DRAM”为准。 1.最小特征尺寸 a.请说明以下概念的区别：DRAM 1/2线宽、MPU 1/2线宽、光刻栅长以及物理栅长。 b.作图比较DRAM 1/2线宽、光刻栅长和物理栅长三个技术参数随年代的变化。 c.每个技术节点DRAM 1/2线宽减少多少？（以比例表示） 2.四个技术节点（32,22,16,10 nm）的比较： a.作图说明高性能器件和低功耗器件工作电压的预期值。 b.作图说明四个技术节点高性能器件和低功耗器件阈值电压和工作电压的预期比值。 c.作图说明四个技术节点芯片尺寸的预期值。 d.作图说明四个技术节点最高时钟频率的预期值。 e.作图说明四个技术节点功率耗散的预期值。假定你同时知道源电压的预期值，则这 些预期暗示着对32 nm技术节点和10 nm技术节点平均工作电流怎样的要求？ 3.缺陷的数目及光刻版数目 a.作图对比2005版和2011版关于缺陷数目的规划（CPU和DRAM）。 b.作图表示CPU和DRAM光刻版数目在各个技术节点的变化。 4.驱动电流（I on）和关断电流（I off）（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点驱动电流(mA/um)的预期值。 b.作图说明四个技术节点关断电流(nA/um)的预期值。 c.作图说明四个技术节点驱动电流和关断电流的预期比值。 5.本征延时（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点CV/I的预期值。 b.作图说明相应CV/I和时钟频率的预期比值。 6.氧化层厚度（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点栅氧化层厚度的预期值。 b.作图说明四个技术节点的栅漏电流密度的预期值。 7.硅片表面处理（Front end processes） a.作图说明随年代硅片表面颗粒大小和数目的要求。 b.作图说明随年代可动离子密度的变化。

半导体物理50本书

半导体物理50本书 1、半导体激光器基础633/Q003 (日)栖原敏明著科学出版社;共立出版2002.7 2、半导体异质结物理211/Y78虞丽生编著科学出版社1990.5 3、超高速光器件9/Z043 (日)斋藤富士郎著科学出版社;共立出版2002.7 4、半导体超晶格物理214/X26夏建白，朱邦芬著上海科学技术出版社1995 5、半导体器件:物理与工艺6/S52 (美)施敏(S.M.Sze)著科学出版社1992.5 6、材料科学与技术丛书.第16卷,半导体工艺5/K035(美)R.W.卡恩等主编科学出版社1999 7、光波导理论与技术95/L325李玉权,崔敏编著人民邮电出版社2002.12 8、半导体光学性质240.3/S44沈学础著科学出版社1992.6 9、半导体硅基材料及其光波导571.2/Z43赵策洲电子工业出版社1997 10半导体器件的材料物理学基础612/C49陈治明，王建农著科学出版社1999.5 11、半导体导波光学器件理论及技术666/Z43赵策洲著国防工业出版社1998.6

12、半导体光电子学631/H74黄德修编著电子科技大学出版社1989.9 13、分子束外延和异质结构523.4/Z33 <美>张立刚，<联邦德国>克劳斯·普洛格著复旦大学出版社1988.6 14、半导体超晶格材料及其应用211.1/K24康昌鹤，杨树人编著国防工业出版社1995.12 15、现代半导体器件物理612/S498 (美)施敏主编科学出版社2001.6 16、外延生长技术523.4/Y28杨树人国防工业出版社1992.7 17、半导体激光器633/J364江剑平编著电子工业出版社2000.2 18、半导体光谱和光学性质240.3/S44(2)沈学础著科学出版社2002 19、超高速化合物半导体器件572/X54谢永桂主编宇航出版社1998.7 20、半导体器件物理612/Y75余秉才，姚杰编著中山大学出版社1989.6 21、半导体激光器原理633/D807杜宝勋著兵器工业出版社2001.6 22、电子薄膜科学524/D77 <美>杜经宁等著科学出版社1997.2 23、半导体超晶格─材料与应用211.1/H75黄和鸾，郭丽伟编著辽宁大学出版社1992.6 24、半导体激光器及其应用633/H827黄德修，刘雪峰编著国防

复旦大学研究生助教工作实施办法

复旦大学研究生助教工作实施办法 （试行，2017.10） 为加强对研究生担任助教工作的管理，规范助教设置和人员聘任、培训、考核与奖惩制度，充分发挥助教的教学辅助作用，从而推进课程建设，深化教学改革，制定本实施办法。 组织管理 第一条担任助教工作是研究生参与、协助课程教学的行为，也是研究生培养的重要环节。研究生通过担任教学助理，参与教学服务，锻炼工作能力，并获得岗位津贴。 第二条学校研究生工作部负责研究生助教工作的总体实施，对各院系助教工作的实施过程进行指导及监督。本科生院和研究生院根据各类课程性质及教学要求，审核各院系助教岗位设置，确定助教总体需求。党委研究生工作部汇总并公布助教岗位设置，协助设岗院系具体实施聘任工作，发放助教津贴，协助组织助教考评工作。 第三条院系负责本单位助教工作的具体实施。包括制订本单位研究生助教工作实施细则，确定助教岗位设置及其聘任、管理、考核办法及工作程序，并予以执行。 岗位设置 第四条学校综合考虑全校助教经费投入和各院系教学任务、师资力量，设定各院系的助教岗位数量。 第五条原则上，以下课程可优先设立助教岗位： 1、本科生课程：通识教育核心课程、文理基础课程、实验课程、混合式教学课程、书院新生研讨课、全英语课程等； 2、研究生课程：学位基础课、研究生FIST课程。

其他类型的课程如需设置助教，可根据课程性质及助教工作安排提出申请。 第六条原则上，理论课程40人可设立一个全岗助教岗位；实验课程15-20人可设立一个全岗助教岗位。具体可依据课程的不同要求、助教工作量等因素酌情增减上述人数标准，但需经过职能部门讨论确定。院系应根据课程需求，合理安排硕士研究生、博士研究生分任相应的助教工作岗位。 第七条全岗助教平均每周工作时间约为10小时，每月工作时间不少于40小时。院系可根据工作需要设置全岗和半岗助教。院系设置助教岗位时，必须对其工作职责进行明确的规定，并报学校审核批准。 第八条助教须在课程主讲教师的指导下做好教学辅助工作，了解每个学生的学习情况，保持每周与主讲教师沟通，及时解决教学环节中出现的问题。助教的主要职责是： 1、理论课程辅导：答疑，组织讨论，上习题课，批改作业等； 2、实践课程辅导：指导实验，批改实验报告，协助组织实习和社会调查等； 3、准备课堂教具及演示装置； 4、参与课程监考，批改试卷等。 详细工作职责，分别参见本科生院及研究生院发布的助教岗位职责有关规定。 第九条助教不得承担课堂主讲任务，不负责选定课程内容、习题、编写考题和确定学生最终成绩等。 第十条主讲教师上课时，助教须随堂听课，了解教学进度和内

复旦大学研究生新生入学须知

复旦大学研究生新生入学须知 【2013】31号 1．9月2日上午8：30 —下午4：30 2．凡无故逾期两周不报到者，或入学三个月内政审复查不合格者，以及体格检查不符合高校招生体检标准者或发现有通过不正当手段入学者，取消入学资格。请新生务必在规定的时间来校报到，若提前来校难以安排住宿，请谅解。 二、报到地点：邯郸（路）校区新生：武东路57号，北区学生公寓体育馆。 枫林校区：医学院路138号明道楼一楼大厅。 张江校区：（微电子学专业、计算机科学技术学院、软件学院、药学院的新生），学生生活园区（华佗路280号）2幢4号楼现场办公室。 江湾校区：（法学院、先进材料实验室的新生），淞沪路2005号行政楼一楼。 三、报到需带以下材料：1．研究生录取通知书。2．一寸证件照10张。3．带好前置学历（毕业）证书和学位证书。 4．党员组织关系介绍信。5．户口需迁入学校的同学所需携带材料请详细看第十二条。 四、缴费：缴费项目、标准及办法详见协议书和财务处《研究生新生缴纳学宿费须知》，新生须凭缴费凭证办理各种手续和注册。 五、体检时间：邯郸校区：9月9 日—9 月15日，枫林校区：9月 3 日—9月4日，新生（含转博生）均需到校保健中心体检。体检时请务必携带好新生入学通知书及身份证（或有效证件如驾照等等），体检时间以学院为单位分批进行（具体安排另行通知）。未体检或体检不合格者，不予注册。新生体检详见《研究生新生入学体检须知》。 六、入学教育：9 月2日—9月6日，新生（含转博生）入学教育由各院系自行安排。 七、开学典礼：9月6日。 八、上课时间：9月9日（星期一）。 九、注册时间：9月26 日—9月27日（星期四－星期五）,体检合格的新生须凭《报到手续表》、持前置学历证书和学位证书及《研究生录取通知书》经院系秘书审核合格后，准予注册。（新生的录取通知书留给学生本人作纪念，注册时不用收回）。 十、注册地点：新生所在院系，其中医口类的金山医院、市五人民医院、市公共卫生中心在医学院路138号治道楼303室。 十一、注意事项： 1．学校不安排接站，新生托运的行李由学校统一取回，新生在报到时凭行李托运单领取（托运行李应使用学校提供的行李标签），新生生活用品自备。行李托运注意事项详见《研究生新生行李托运须知》 2．注册前暂凭《研究生录取通知书》证明身份，出入校门。 十二、关于研究生户口迁移的注意事项： 1．上海籍新生（包括已办理落户上海手续并取得上海市常住居民户口者）的户口不能迁入学校。

2020年复旦大学考研招生简章

根据教育部《复旦大学关于选拔普通高校优秀考生进入研究生阶段学习的通知》文件精神，结合学校实际，对普通高校毕业生进入硕士阶段学习提出如下要求。 一、报考事项安排 1.每年报考我校的考生很多，要早复习，早准备。按照考试范围复习。 2.我校考生，到学校考试中心，办理内部试卷。 3.每年有很多考生，不知道考试重点范围，不知道考试大纲要求，盲目复习，浪费时间和精力，复习效果很差，影响考试。 4.每年有很多考生，选择错误的复习资料，解题思路及讲解答案都是错误的，具有误导性，不利于复习。 5.学校为考生正确复习，印刷内部试卷。 6.内部试卷：包含考试范围、历年真题、考试题库、内部复习资料。 7.专业课，学校出题。一定要按照内部试卷复习，每年都有原题出现。 8.内部试卷联系QQ363.916.816张老师。学校安排邮寄，具体事项联系张老师。 二、选拔对象条件 1.普通高校本科毕业生，主干课程成绩合格，在校学习期间未受到任何纪律处分。 2.身体健康状况符合国家和学校规定的体检要求。 三、招生专业计划 1.招生要求和专业，详见《教育部选拔普通高等学校本科毕业生进入硕士阶段学习招生及专业总表》。 2.学校计划招收全日制硕士研究生和非全日制硕士研究生，《硕士学位研究生招生专业目录》公布的拟招生人数（含推免生），实际招生人数将根据国家下达我校招生计划、各专业生源情况进行适当调整。我校部分专业将另设计划用于接收调剂生，具体专业及拟招生人数将在初试成绩公布后另行公布。 四、报名资格审核 1.报考考生按照《教育部选拔普通高等学校优秀毕业生进入研究生阶段学习专业对照及考试课程一览表》以下简称《专业对照及考试课程一览表》选择报考专业，并填写《教育部普通高等学校毕业生进入研究生阶段

材料工程领域-复旦大学材料科学系

复旦大学材料工程领域介绍 复旦大学“材料工程”领域工程硕士专业面向以微电子与集成电路制造、平板显示制造、新材料生产与研发为主要发展方向的高新技术产业、科研机构等实际应用部门，为其培养具有创新能力、研发能力和管理能力的综合型高级人才。学生通过2.5-5年的专业学习，毕业后具有承担高新技术研发，高科技管理等部门相关工作的能力；并具有自身发展的潜力。 经国务院学位委员会办公室批准（（2002）39号文件），复旦大学自2002年起招收“材料工程”领域工程硕士专业学位研究生。 集成电路制造与微分析 本专业方向着重培养学生微电子器件工艺与集成、新型电子封装材料和失效分析等方面的创造能力。集成电路技术已进入深亚微米的制造领域，本专业培养适应信息产业集成电路制造和电子封装技术中需要的高技术人才。集成电路制造包括研究超大规模集成电路等微电子器件的新工艺；新型固体器件结构的研究、分析和模拟；集成电路的可靠性物理；IC制造业的质量管理；集成电路和微器件的设计制造、分析以及电子材料微结构分析。 主要专业课程：深亚微米IC工艺集成、半导体物理和器件物理、集成电路分析和设计、电子材料分析、半导体材料、微电子器件可靠性物理、电子封装材料与工艺、电子电路设计与分析等。 新材料与技术 本专业方向主要涉及新材料的设计与制备、成型与加工、结构与性能、表征与分析以及服役性能的模拟与评价等。下设五个研究方向：复合材料、先进涂料技术、材料失效分析、发光材料及能源材料。强调新材料与现代化学的结合、新材料与工程应用的相互渗透，培养学生具有宽广的知识面和解决工程实际问题的能力，并具备独立研发新材料的综合技能。 主要专业课程：材料化学（II）、聚合物物理（II）、聚合物材料合成与应用、涂料技术基础课、科技创新与战略管理、材料失效分析、腐蚀与防腐等。 薄膜与显示材料 本专业方向主要涉及薄膜与显示材料的制备、加工、结构性能表征以及模拟与评价等。包括以下几个研究方向：透明导电薄膜；纳米光电功能薄膜；信息功能薄膜；染料敏化太阳能电池；有机电致发光材料；电子发光显示和液晶显示材料。着重培养学生在薄膜与显示材料领域的专业理论知识和研究技能，为学生薄膜材料与器件、发光材料与器件方面打下扎实的基础，从而成为薄膜和显示材料技术领域具有创新能力、研发能力和管理能力的综合型高级人才。

2018年复旦大学研究生推免报名要结束啦,你报了没

2018年复旦大学研究生推免报名要结束啦，你报了没 2018年要报考复旦大学研究生的同学注意啦！复旦大学招生2018推荐免试研究生预报名已经到了尾声了，甚至有的专业已经结束报名了，有些专业还有时间，聚英考研网提醒大家大家不要错过报名时间哦！ 一、申请范围 全国高校2018届优秀本科毕业生，拥护中国共产党的领导，愿为社会主义现代化建设服务，品德良好，遵纪守法。 二、申请办法 1.路径：复旦大学研究生招生网 (https://www.wendangku.net/doc/6a6698508.html,/)>>>研究生报考服务系统>>>招收推荐免试研究生申请。 2.流程：登录报考服务系统，以个人电子邮箱进行“注册”，注册时请填写个人真实有效信息。只可填报一个申请志愿，不可兼报。申请信息填写完毕、确认无误后点击“确认并提交”，申请提交后信息不可更改。 3.时间：2017年5月8日8:00开通（期间24小时开放），我校各招生单位网上申请具体截止时间不一，详见报考服务系统内我校各招生单位报名时间或电话咨询。 凡有意向报考我校推荐免试研究生者（含复旦大学本校生）均须在我校研究生报考服务系统中预报名，暂无本科成绩排名、预计可取得所

在学校推荐资格的考生均可报名，已参加我校夏令营并取得优秀营员的考生无须报名。报名时间详见下表：

三、提交材料 1．网上申请上传材料 （1）近期正面免冠彩色证件照片，电子版JPG格式，150×200像素，大小30K以内； （2）本科阶段历年成绩单（须加盖教务处或院系公章），JPG或PDF格式； （3）外语水平证明，如CET四、六级成绩等； （4）有关获奖证书和学术科研成果（发表论文、出版物或原创性工作）； （5）其他各招生单位要求上传的材料。 2．确认并提交网上申请后打印材料（统一用A4纸） （1）《复旦大学2018年推荐免试研究生登记表》1份（复旦大学学生）；

这群复旦电工人,毕业后就这么浪了三十年!

这群复旦电工人，毕业后就这么浪了三十年！ 三十年前三十年后▼82级电工校友30年后再聚首 忆往昔峥嵘岁月2016年9月23日，时隔三十年，作为复旦的第一届电子工程系学生，1982级电子工程系的校友们重回母校。在重聚的座谈会上，常务副校长包信和、信息学院书记汪源源、微电子学院常务副院长张卫及副院长闵昊等校领导和院领导，以及信息学院的任课老师同82级的校友们共同追忆复旦青葱的岁月，一齐分享30年事业的苦与乐。文刘畅、李智展叶甜春（右） 叶甜春：复旦微电子应该是一支国家队中国科学院微电子研究所所长 叶甜春一直很关心复旦微电子的发展，作为中科院微电子所的所长，他多次强调中科院微电子所要做“不辱使命的国家队”，而谈及复旦微电子的定位，他认为，“复旦微电子也应该是一支国家队，要在国家层面发挥引领作用。”叶甜春列举了复旦微电子所占据的天时地利人和： 首先，复旦微电子历史悠久。1956年中央倡导发展半导体技术，由谢希德先生和黄昆先生（并称“北黄南谢”）牵头，五校联办我国第一届半导体器件短期培训班，我国半导体学科由此发端。同年，由谢希德创立半导体物理专业，复旦微电子由此肇始，同根同源。

其次，复旦微电子人才聚集。很多优秀的人才进入到这个专业，行业内也有很多复旦系的领军人物、专家、企业家发挥巨大的作用。 最后，从地域上讲，上海是国家集成电路产业的重心，从制造到设计，上海都是最大的一块，而复旦在该区域的中心，有得天独厚的优势。“就像斯坦福大学在硅谷的地位，复旦也应该树立这样的地位。应该站在顶端，站在第二层次都不对。”叶甜春说。 虽然有国家需求和产业需求，但叶甜春认为，复旦微电子不能只瞄准产业运作。“因为毕竟是大学，大学要突出创新。”叶甜春强调了他的“未知赛道”理论：微电子产业是未知赛道的赛跑，不同于“赛车”“马拉松”这种已知赛道的竞争，“你跟在人家后面你会发现，前面的路他看不清楚，你也看不清楚，这个时候需要创新，大学很有必要做探索性、试错性的研究。”2013年，复旦大学微电子学院成立，叶甜春认为，微电子学科有必要作为一个独立学院，但更要“开放的办”。“微电子是一个基础性学科，和所有学科发展都有关系，需要和材料、物理结合，也要和计算机科学、软件科学结合。要面向新能源、电动车、移动通讯等产业，甚至瞄向物联网。” 老龄化社会到来以后，社会的服务和管理需要更高的技术手段，全面的信息化时代的核心就是从数字化到智能化。叶甜春说，“最核心就是两个东西：硬件，载体是芯片；软件，也