蒋玉龙教授-半导体物理ppt-6

复旦大学上海医学院 工作简报

复旦大学上海医学院 工作简报 【2013】第9期（总第23期） 主办：上海医学院办公室 2013年12月31日 [ 焦点新闻 ] ◇复旦学者首次成功解析哺乳动物TET蛋白三维结构。复旦大学 生物医学研究院、附属肿瘤医院研 究员徐彦辉带领其课题组成员胡 璐璐、李泽和程净东等，经4年多 潜心研究，首次成功解析了哺乳动 物骨髓造血关键蛋白TET2的三维 结构,该成果对研究多种疾病的发病机制，尤其对血液肿瘤（如 髓系白血病）治疗性药物开发有重大意义。该成果12月6日已 在线发表在国际顶级学术期刊《细胞》杂志上，引起世界同行广 泛关注。（生物医学研究院） ◇我校雷群英教授入选“中国十大青年女科学家”。12月17日， 第十届“中国青年女科学家奖”颁奖 仪式在北京举行。“中国青年女科学 家奖”有着中国青年科技女性“诺贝 尔奖”之称，本届中国青年女科学家 奖评审委员会由36位院士组成，共有

114个单位和22名专家推荐有效候选人192人。最终，来自全国6所高校和4所科学研究院的10位青年女科学家获此殊荣，基础医学院生物化学与分子生物学系雷群英教授名列其中。 （基础医学院） ◇上海医科大学校友会第四届理事会第二次理事扩大会议隆重 召开。12月22日上午，上海医科大学校友会四届二次常务理事会和理事扩大会议在治道楼一楼八角厅召开。校友会名誉会长朱世能；顾问郑天心、陈秉衡；会长彭裕文；第一副会长桂永浩；副会长王卫平、袁正宏、熊仿杰、蔡向东、陈克铨、朱依谆、程刚；来自北京、新疆、山东、安徽、常州等地和上海理事、校友特邀代表70多人出席会议。会议首先听取彭裕文会长作的校友会工作报告。上医校友会副会长、上医北京校友会会长陈克铨汇报“现代白求恩行动”和上医北京校友会工作情况介绍。桂永浩第一副会长从医学教育、学科建设、评估、人才培养、创新模式医学高端人才引进和学校扩建等方面介绍上海医学院工作情况。会上，陈秉衡、陈克铨、张学军、乌榴君、吴志全、颜志渊、杨家宽、王洪复、刁承湘等就进一步推进校友会的工作，上医发展，加强上医历史教育，医学教育改革，积极畅所欲言，建言献策。最后，彭裕文会长总结发言，真诚感谢校友们，对医学学科建设和发展发自肺腑的关心、支持和帮助。（上海医科大学校友会） [ 对外交流] ◇重庆医科大学雷寒校长一行来访上海医学院。12月10日，重庆医科大学校长雷寒、副校长田杰一行访问上海医学院。复旦大学副校长、上海医学院院长桂永浩，上海医学院副院长汪玲，公共卫生学院院长陈文，上海医学院办公室主任包江波，医学教育管理办公室副主任孙利军等一同出席接待。桂永浩副校长首先对

半导体物理学(第7版)第三章习题和答案

AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF 第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。 3 22 233*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c πππππ= +-=-== = =-=*+ + ? ?** ）（） （单位体积内的量子态数） （) (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'21 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si -=??? ? ??+?=+++====+++=* ****系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则：令） （关系为 ）（半导体的、证明：[] 3 1 23 2 21232' 212 3 2 31 '2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E =-==∴-??? ?????+??==∴?=??=+** πππ）方向有四个， 锗在（旋转椭球， 个方向，有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在

第三章平衡态半导体的物理基础半导体物理学

第三章习题 平衡半导体的物理基础 1、当E-E F 分别为kT 、4kT 、7kT ，用费米分布和玻尔兹曼分布分别计算分布概率，并对结果进行讨论。 2、设半导体导带具有以下E －k 关系， ??? ? ??++=3222122 2m k m k m k E z y x (E >0) 试求出其有效质量m *和状态密度g(E)（单位晶体体积） 3、设二维能带具有以下抛物线性E －k 关系， m k E 22 2 = (E>0) 求单位面积晶体的态密度g(E)。 4、Si 和GaAs 态密度有效质量分别为m n =1.065m 0, m p =0.647m 0；m n =0.067m 0, m p =0.47m 0, 求在300K 下两者的N C 和N V 。若Si 和GaAs 的E G 分别为1.17eV 和1.52eV ，求两者的本证载流子浓度。 5、已知Si 中只含施主杂质N D =1015cm -3，现在40K 测得电子浓度为1012cm -3，试估算该施主杂质的电离能。 6 7、对补偿的N 型半导体，推导公式： )e x p ()(kT g N n N N n N n D D C A D A ε-=--+ 8、试由金的能级位置及有关数据计算掺有11015cm -3施主和21015cm -3 的金的n 型硅的电阻率（设g=1）。 9、每立方厘米的硅样品中掺有1014个硼原子，硼原子在Si 中的掺杂能级为E A ， 电离能为0.045eV ，求： （a ）在温度T ＝300K 时，硅样品中的载流子（电子与空穴）浓度是多少？ （b ）在温度T= 470K 时，硅样品中的载流子（电子与空穴）浓度是多少？ 10、 在上题所给出的条件下，计算F i E E -，并在能带图中仔细画出Ei 和E F 的位置。（在300K 时，E G (Si)＝1.17eV ，/0.608p n m m * *=，在470K 时，E G (Si) ＝1.08eV ，/0.17p n m m **=。 ） 11、 *利用类氢原子模型，估算Si 半导体中杂质B 和P 的电离能。（选做）

大学教务处处长任期述职报告

大学教务处处长任期述职报告 201x年5月担任教务处处长，主持教务处全面工作。现报告如下： 一、坚持理论学习，提高政治思想素质 任现职以来，认真学习党的十八大和十八届三中、四中、五中全会精神，积极参加党的群众路线教育实践活动、“三严三实”专题教育、“两学一做”学习教育活动，通过学习，进一步增强了自己的党性原则，提高了宗旨意识、政治意识和规矩意识，能严格按照严以修身、严以用权、严以律己和谋事要实、创业要实、做人要实的标准要求自己，自觉遵守党的政治纪律和政治规矩，做政治上的“明白人”。通过学习，进一步坚定了对党的理论自信、道路自信、制度自信和文化自信的理解和认识。重温党章，使自己更加明确了党员的责任和义务，更加牢固地树立了全心全意为教职工生服务的主动性和自觉性。平时主动贯彻落实校党委重大决策部署，政治态度坚定，思想品质优良，坚持原则，遵纪守法，立德树人，为人师表。 XX 二、认真履行岗位职责，扎扎实实做好本职工作 任教务处长以来，敢于担当，围绕转型发展，实施人才培养模式创新，规范教学管理，深化教育教学改革。

首先，为学校转型发展献计出力。针对学校转型发展教育思想观念大讨论，采取走出去，请进来的办法，加快教育思想观念转变。先后到合肥学院、常熟理工学院考察学习。邀请黄淮学院、合肥学院、常熟理工学院专家教授作报告，拓宽了视野，触动了思想，深化了教职工对应用型人才培养的理解和认识。参与学校转型发展“八大工程”中应用型专业集群建设工程、应用型人才培养模式改革创新工程、课程教学范式综合改革工程和教师教育打造工程方案制定。 其次，实施人才培养创新工程，在人才分类培养基础上，着力构建应用型人才培养新体系。实施“博雅名师”工程，制定《商丘师范学院教师教育改革方案—博雅名师工程》，设立了“教师教育教学研究中心”，建设了教师教学技能实训平台，召开了豫东地区教师教育联盟大会，组织编写《教师人文素养》和《教师科学素养》教材。针对应用型人才培养改革，实施产学研合作教育。探索学术型后备人才培养新途径，大力推进本科生考研工程。近五年学生考研率逐年提高，考取人数从300多人，提高到800人。任教务处长5年多时间里，4次修订人才培养方案，探索出突出需求、能力本位、课程优化、强化实践、模式创新、融入双创的应用型人才培养新体系。 XX 第三，加大专业调整力度，加强专业集群建设，推进学

半导体物理答案第三章

任课老师：吴海霞 作业章次：第三章 完成日期：2010年4月9日姓名：高磊 学号： 20070682 班级： 01530701 老师点评：

6.计算硅在-78℃、27℃、300℃时本征半导体费米能级、假定它在禁带中线处合理吗？ ()() 假设它在中线处合理 约为的时，时，时，，其中即本征半导体不带电解：∴?-+==?-+==?-+==∴==++=++=∴====∴----- --eV E Si eV E E E K T eV E E E K T eV E E E K T m m m m m m T k E E N N T k E E E h T k m N h T k m N e N e N p n g v c F v c F v c F p n n p v c c v v c F p v n c T k E E v T k E E c v F F c 1) (102.22 573) (1016.12300)(105.7219559.0,08.1ln 432ln 2222 ,22 2230 *0* * * 003 2 /30*3 2 /30* 00 ππ 10.以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n 型锗在300K 时以杂质电离为主的饱和区掺杂的浓度范围 ??? ?????=??? ? ???-≤∴≤??? ? ??????? ??=?=??=≥--026.0exp 21005.1%10exp 2%10%10exp 2104.2104.21010190031413T k E N N T k E N N D cm n N D c D D c D i D 解：强电离时 11.若锗中施主杂质电离能D E ?=0.01eV ，施主杂质浓度分别为D N =31410-cm 及31710-cm 。计算1、99%电离；2、90%电离；3、50%电离时温度各为多少？

半导体物理学(第7版)第三章习题和答案

半导体物理学(第7版)第三章习题和答案 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。 3 22 233*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c πππππ= +-=-== ==-=*+ + ? ?** ）（） （单位体积内的量子态数） （) (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'2 1 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si -=??? ? ??+?=+++====+++=* ****系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则：令） （关系为 ）（半导体的、证明：[] 3 1 23 2212 32' 2123 2 31'2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E =-==∴-??? ?????+??==∴?=??=+** πππ）方向有四个， 锗在（旋转椭球，个方向，有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在

推进课程共享与教学改革全面提升大学教学质量_陆昉

中国大学教学 2014年第1期 陆 昉，复旦大学副校长，教授。 推进课程共享与教学改革 全面提升大学教学质量 陆 昉 摘 要：基于共享课程建设的大背景，针对当前高校教学中所存在的问题，本文提出共享课程建设应配套相应教学改革，具体论述了以学生为主体、适合学生个性化学习需求的混合式教学模式和操作方法，以及共享课程建设的创新模式。并以“大学物理”教学改革和上海课程共享中心实践为例，说明混合式教学和课程共享是全面提升高校教学质量的重要途径。 关键词：共享课程；混合式教学；教学改革；教学质量 近几年，国内外高校在开放性精品课程建设与共享方面都做了大量的工作，并取得了一定的成效。同时，建设过程也出现了一些问题，如因课程建设目的不明确，后续管理和利用不足；网络平台静态呈现多而交互性不够等。究其深层原因，可得出这一结论：课程共享若没有以学生能力培养为目标的教学改革来配套，仅仅注重课程内容共享，教学往往难以取得预期效果。对此，我们需要更多的深层思考：为什么要做课程共享，如何来做好课程共享，以及课程共享过程如何搞好教学改革。本文对上述问题先做基本分析，再以“大学物理”课程教学改革为例，围绕上述三个方面的问题进行研讨。 一、大学教学改革的迫切性 不论是大学教育还是中学教育，其教学系统都是由教师、学生、教材以及教学媒介四个要素构成。相比基础教育的多次改革尝试，现在的大学教学依然沿袭以教师为中心、以学科为中心的教学现状，课堂教学多以讲授式为主，难以激发学生学习兴趣和主动性。因此，无论从学生学习的层面，还是从教师教学的层面，大学教学都存在一些问题，影响着课堂教学质量提高。 从学生角度来讲，教师主导的讲授式课堂，教师根据个人经验设定若干教学阶段，难以考虑学生的个性化需求，学生的学习状态与教师授课 进程不匹配。如，课堂上学生的思路跟不上教师授课节奏，却不能及时反馈；课后学生自学的疑惑没有得到及时解答，上述情况直接导致了学生学习兴趣的缺失和学习动力的不足。“上课基本睡觉，作业基本靠抄，考试基本靠蒙”的情况在大学并不鲜见。此外，现在的传统教学也缺少对学生表达能力的锻炼和思辨能力的培养。 从教师层面来讲，由于教学任务重，课时量有限、班级人数多等多种原因，教师往往试图在尽量短的时间里将知识尽可能多地传授给学生，缺少与学生的深层互动和情感交流。教师变为单纯的知识传授者，教学活动几乎沦为重复性的体力劳动。以复旦大学“大学物理课程”为例，每年有十多位教师给若干班级讲授几乎相同的内容，加之科研任务繁重，教师们难以从教学中获 得价值感和成就感，缺少提高教学质量的激情。 研究表明：教学方式决定了学生的学习成效。David A. Sousa 曾做过一个“学习24小时后的知识保持率”的统计，数据如下表： 学习方式 保持率 讲 授 5％ 阅 读 10% 视听结合 20% 示 范 30% 讨论组 50% 实践练习 75% 向他人讲授/即时应用 90%

半导体物理第1章和第3章作业答案(精)

Solutions To The Problems Of Semiconductor（Part I） Solutions To The Problems Of Chapter 1st&3rd （CEIE of HBU 席砺莼） 1－1．（P32）设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： h2k2h2(k?k1)2h2k23h2k2+和Ev(k)= －； Ec(k)=3m0m06m0m0 m0为电子惯性质量，k1＝1/2a；a＝0.314nm。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 22(k?k1)22kdEc(k)根据＝＋＝0；可求出对应导带能量极小值Emin的km03m0dk 值： kmin＝k1， 由题中EC式可得：Emin＝EC(K)|k=kmin=2k1； 4m034 由题中EV式可看出，对应价带能量极大值Emax的k值为：kmax＝0； 2k122k12h2；∴Eg＝Emin－Emax＝＝并且Emin＝EV(k)|k=kmax＝ 12m06m048m0a2 (6.62×10?27)2＝0.64eV ＝?28?82?1148×9.1×10×(3.14×10)×1.6×10 ②导带底电子有效质量mn 2d2EC222h28232dEC=+=；∴ m=m0 n＝/223m0m03m08dkdk ③价带顶电子有效质量m’ 2d2EV162 '2dEV=?，∴==?m/m0 n6m0dk2dk2 ④准动量的改变量 1－2．（P33）晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 133h△k＝(kmin-kmax)= k1= [毕] 48a Solutions To The Problems Of Semiconductor（Part I） [解] 设电场强度为E， ∵F=h ∴t=∫0dt=∫t12a0hdk=qE（取绝对值）∴dt=dtqEdk ；E＝107V/m时，t＝8.3×1013当E＝102 V/m时，t＝8.3×108（s） （s）。 [毕] 19－33－7．（P81）①在室温下，锗的有效状态密度Nc＝1.05×10cm，Nv

半导体物理学(第7版)第三章习题和答案

第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。 3 22 233*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c πππππ= +-=-== ==-=*+ + ? ?** ）（） （单位体积内的量子态数） （) (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'2 1 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si -=??? ? ??+?=+++====+++=* ****系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则：令） （关系为 ）（半导体的、证明：[] 3 1 2 3 2212 32' 212 3 2 31'2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E =-==∴-??? ?????+??==∴?=??=+** πππ）方向有四个， 锗在（旋转椭球， 个方向，有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在

半导体物理第三章习题答案

第三篇 题解 半导体中载流子的统计分布 刘诺 编 3-1、对于某n 型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即E Fn >E Fi 。 证明：设n n 为n 型半导体的电子浓度，n i 为本征半导体的电子浓度。显然 n n > n i i n i n F F F c c F c c E E T k E E N T k E E N >??? ? ??--?>???? ??--?则即00exp exp 即 得 证。 3-2、试分别定性定量说明： （1） 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度 越高； （2） 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。 解： (1) 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能 量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。 由公式 T k E v c i g e N N n 02- = 也可知道，温度不变而减少本征材料的禁带宽度，上式中的指数项将因此而增加，从而使得载流子浓度因此而增加。 （2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，受激发的载流子将因此而 增加。由公式 可知，这 3-3、若两块Si 样品中的电子浓度分别为2.25×1010cm -3和6.8×1016cm -3，试分 ??? ? ??--=???? ? ?--?=T k E E N p T k E E N n V F V F c c 0000exp exp 和

别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm -3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？ 解：由 2 00i n p n = 得 () () () () ????????≈??==?=??= =--3 3162 10022023 101021001201103.3108.6105.1100.11025.2105.1cm n n p cm n n p i i 可见， 型半导体本征半导体n p n p n →>→≈02020101 又因为 T k E E v v F e N p 00 -- =，则 ?????? ?+=???? ?????+=???? ???+=+≈???? ?????+=??? ? ???+=eV E E p N T k E E eV E E p N T k E E v v n v F v v v v F 331.0103.3101.1ln 026.0ln 234.0100.1101.1ln 026.0ln 3190202 10190101 假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm -3 的受主杂质，那么将出现杂质补偿，第一种半导体补偿后将变为p 型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 答：第一种半导体中的空穴的浓度为1.1x1010cm -3,费米能级在价带上方0.234eV 处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3x103cm -3,费米能级在价带上方0.331eV 处。掺入浓度为2.25×1016cm -3的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为p 型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 3-4、含受主浓度为8.0×106cm -3和施主浓度为7.25×1017cm -3的Si 材料，试求温度分别为300K 和400K 时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。 解：由于杂质基本全电离，杂质补偿之后，有效施主浓度 317* 1025.7-?≈-=cm N N N A D D 则300K 时， 电子浓度 ()3 1701025.7300-?=≈cm N K n D 空穴浓度 ()() () 3 2172 10001011.31025.7105.1300-?≈??==cm n n K p i 费米能级