文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › 模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案 2章 基本放大电路

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案 2章 基本放大电路

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案 2章 基本放大电路
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案 2章 基本放大电路

2章基本放大电路

习题

2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

(a) (b) (c) (d)

图P2.1

解:(a)将-V CC改为+V CC。

(b)在+V CC与基极之间加R b。

(c)将V BB反接,且在输入端串联一个电阻。

(d)在V BB支路加R b,在-V CC与集电极之间加R c。

2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。

(a) (b)

(c) (d)

图P2.2

解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。

图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示;

(a) (b)

(c) (d) 解图P2.2

2.3分别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路,并写出u i o

Q A R R 、、和的表达式。 解:图 (a):123

(1)CC BEQ BQ

V U I R R R β-=

+++,CQ BQ I I β=,(1)CEQ CC BQ c U V I R β=-+。

23//u

be

R R A r β=- ,1//i

be R r R =,23//o R R R =

图(b):[]2

23123

(

)///(1)BQ

CC BEQ R I V U R R R R R β=-+++,CQ BQ I I β=,

41CEQ CC CQ EQ U V I R I R =--。

4u

be

R A r β= ,1//

1be i r R R β

=+,4o R R =。

2.4电路如图P2.4 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时0.7BEQ

U V

=。利用图解法分别求出

L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U (有效值)。

(a) (b)

图P2.4

解:空载时:20,2,6BQ

CQ CEQ I A I mA U V

μ===;

最大不失真输出电压峰值约为5.3V ,有效值约为3.75V 。

带载时:20,2,3BQ

CQ CEQ I A I mA U V

μ===;

最大不失真输出电压峰值约为2.3V ,有效值约为1.63V 。如解图P2.4所示。

解图P2.4 图P2.5

2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,

be r =1kΩ,20i

U mV = ,静态时0.7BEQ

U V

=,

4CEQ U V =,20BQ I A μ=。判断下列结论是否正确,在括号内打“√”和“×”表示。

(1)342002010u

A -=-

=-? (×)(2)4 5.710.7u

A =-=- (×) (3)8054001u A ?=-=- (×) (4)80 2.52001

u

A ?=-=- (√) (5)20120

i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7

350.02i R k k =

Ω=Ω (×) (7)3i

R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω(√) (9)5O

R k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)

(11)20S

U mV

≈ (×) (12)60S

U mV

≈ (√)

2.6电路如图P2.6所示,已知晶体管β=120,U BE =0.7V ,饱和管压降U CES =0.5V 。在下列情况下,用直流电压表测量晶体管的集电极电位,应分别为多少?

(1)正常情况;(2)R b1短路;(3)R b1开路;(4)R b2开路;(5)R b2短路;(6)R C 短路;

图P2.6图P2.7

解:(1)21

17416311CC BE BE

B

b b V U U I A R R μ-=

-=-=, 1.32C B I I mA β==,

∴8.3C CC C c U V I R V =-=。

(2) R b1短路,0==B C I I ,∴15C

U V =。

(3) R b1开路,临界饱和基极电流23.7CC CES

BS

c

V U I A R μβ-=

≈,

实际基极电流2

174CC BE

B

b V U I A R μ-=

=。

由于B BS I I >,管子饱和,∴V U U CES C 5.0==。

(4) R b2开路,无基极电流,15C

CC U V V

==。

(5) R b2短路,发射结将烧毁,C U 可能为15V 。 (6) R C 短路, 15C CC U V V

==。

2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'

100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的

Q

点、

u

A 、i R 和o R 。 解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为:

22CC BEQ

BEQ BQ b

s

V U U I A R R μ-=

-

1.76CQ BQ I I mA β=≈

'26(1)

1.3be bb EQ

mV

r r k I β=++≈Ω 空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:

6.2CEQ CC CQ c U V I R V

=-≈;

308c u

be

R A r β=-≈- // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω;93be

us

u

be s

r A A r R ≈?≈-+ 5o c R R k ==Ω

3L R k =Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为:

(//) 2.3L

CEQ CC CQ c L L c

R U V I R R V

R R =

-≈+

(//)115c L u be R R A r β=-≈- 34.7be us u

be s

r A A r R ≈?≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω5o c R R k ==Ω。

2.8若将图P2.7所示电路中的NPN 管换成PNP 管,其它参数不变,则为使电路正常放大电源应作如何变化?Q 点、

u

A 、i R 和o R 变化吗?如变化,则如何变化?若输出电压波形底部失真,则说明电路产生了什么失真,如何消除?

解:由正电源改为负电源;Q 点、

u

A 、i R 和o R 不会变化;输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真,对PNP 管而言,管子进入截止区,即产生了截止失真;减小R b 。

2.9已知图P2.9所示电路中,晶体管β=100,be r =1.4kΩ。 (1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ,估算R b ;

(2)若测得i U 和o

U 的有效值分别为1mV 和100mV ,则负载电阻R L 为多少?

解:(1)mA R U V I c CE

CC C 2=-=

,A I I C B μβ20/==,

∴Ω=-=

k I U V R B

BE

CC b 565。

(2)由(//)

100o c L u

i be

U R R A U r β=-

=-=- , 可得: 2.625L R k =Ω。图P2.9

2.10在图P2.9所示电路中,设静态时2CQ I mA =,晶体管饱和管压降0.6CES U V =。试问:当负

载电阻L

R =∞和3L R k =Ω时,电路的最大不失真输出电压各为多少伏?

解:由于2CQ

I mA =,所以6CEQ CC CQ c U V I R V

=-=。

空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。故

3.82om U U U V -=

3L R k =Ω时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。故

'

2.12om I R U V

=

2.11电路如图P2.11所示,晶体管β=100,b b r '=100Ω。

(1)求电路的Q 点、u

A 、i R 和o R ; (2)若改用β=200的晶体管,则Q 点如何变化?

(3)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?

解:(1)静态分析:

1

12

2b BQ CC b b R U V V R R =

?=+

1BQ BEQ

EQ f e

U U I mA R R -=

=+

101EQ BQ I I A μβ

=

=+

e (R ) 5.7CEQ CC EQ c

f U V I R R V =-++=图P2.11

动态分析:'26(1)

2.73be

bb EQ

mV

r r k I β=++≈Ω (//)7.7(1)c L u

be f

R R A r R ββ=-=-++ 12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω

5o c R R k ==Ω

(2)β=200时,1

12

2b BQ

CC b b R U V V R R =

?=+(不变)

; 1BQ BEQ

EQ f e

U U I mA R R -=

=+(不变);51EQ BQ I I A μβ

=

=+(减小);

e (R ) 5.7CEQ CC EQ c

f U V I R R V =-++=(不变)。

(3)C e 开路时,(//)// 1.92(1)()c L c L

u

be e f e f

R R R R A r R R R R ββ=-

≈-=-++++ (减小);

12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω(增大);

5o c R R k ==Ω(不变)。

2.12电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,be r =1kΩ。 (1)求出Q 点; (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的

u

A 、i R 和o R 。 解:(1)求解Q 点:

32.3(1)CC BEQ BQ b e

V U I A R R μβ-=

≈++

(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈ 7.17CEQ CC EQ e U V I R V

=-≈

(2)求解放大倍数和输入、输出电阻: R L =∞时;

(1)0.996(1)e

u

be e

R A r R ββ+=≈++ 图P2.12

//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈Ω

R L =3kΩ时;(1)(//)

0.992

(1)(//)e L u

be e L R R A r R R ββ+=

≈++

//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω

输出电阻:////

371s b be

o

e R R r R R β

+=≈Ω+

2.13电路如图P2.13所示,晶体管的β=60 ,

'100bb r =Ω。

(1)求解Q 点、u

A 、i R 和o R (2)设U s = 10mV (有效值),问?i U =,?

o U =

若C 3开路,则?i

U =,?o U =

解:(1) Q 点:

31(1)CC BEQ BQ b e

V U I A R R μβ-=

≈++

1.86CQ BQ I I mA β=≈图P

2.13 () 4.56CEQ CC EQ c e U V I R R V

≈-+≈

u

A 、i R 和o R 的分析: '26(1)

952be bb EQ mV r r I β=++≈Ω, (//)95c L u

be

R R A r β=-≈- //952i b be R R r =≈Ω , 3o c R R k ==Ω。

(2)设U s = 10mV (有效值),则

3.2i

i s s i

R U U mV R R =

?=+;304o

u i

U A U mV =?=

若C 3开路,则:

//[(1)]51.3i b be e R R r R k β=++≈Ω,// 1.5c L u

e

R R A R ≈-≈- 9.6i

i s s i

R U U mV R R =

?=+,14.4o

u i

U A U mV =?= 。 2.14改正图P2.14所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。

(a) (b)

(c) (d)

图P2.14

解:(a)源极加电阻R S ; (b)漏极加电阻R D ;

(c)输入端加耦合电容; (d)在R g 支路加?V GG , +V DD 改为?V DD

改正电路如解图P2.14所示。

(a)

(b)

(c) (d)

解图P2.14

2.15已知图P2.21 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。 (1)利用图解法求解Q 点; (2)利用等效电路法求解

u

A 、i R 和o R 。

(a)

(b) (c) 图P2.15

解:(1)在转移特性中作直线GS

D s u i R =-,与转移特性的交点即为

Q 点;读出坐标值,得出

1,2DQ GSQ I mA U V

==-。如解图P2.15(a)所示。

(a) (b) 解图P2.21

在输出特性中作直流负载线()DS DD D d s u V i R R =-+,与2G S Q U V

=-的那条输出特性曲线的交

点为Q 点,3DSQ

U V

≈。如解图P2.21(b)所示。

(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。

1/DS D

m U GS

i g mV V

u ?=

=

=?

5u m d

A g R =-=- ;1i g R R M ==Ω;5o d R R k ==Ω

2.16已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。

求解电路的Q 点和u

A 。

(a) (b)

图P2.16

解:(1)求Q 点: 根据电路图可知,3GSQ

GG U V V

==。

从转移特性查得,当3GSQ U V =时的漏极电流:1DQ I mA =

因此管压降5DSQ

DD DQ d U V I R V

=-=。

(2)求电压放大倍数:

∵2/m

g mA V

=

=,∴

20u m d

A g R =-=-

2.17电路如图P2.17所示。(1)若输出电压波形底部失真,则可采取哪些措施?若输出电压波形顶部失真,则可采取哪些措施?(2)若想增大

u

A ,则可采取哪些措施?

解:(1)输出电压波形底部失真,类似于NPN 型三极管的饱和失真,应降低Q ,故可减小R 2或增大R 1、R S ;若输出电压波形顶部失真,则与上述相反,故可增大R 2或减小R 1、R S 。

(2)若想增大

u

A ,就要增大漏极静态电流以增大m g ,故可增大R 2或减小R 1、R S 。

2.18图P2.18中的哪些接法可以构成复合管?标出它们等效管的类型(如NPN 型、PNP 型、N 沟道结型…… )及管脚(b 、e 、c 、d 、g 、s ) 。

(a) (b) (c) (d)

(e) (f) (g)

图P2.18

解:(a)不能。(b)不能。

(c)构成NPN 型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。 (d)不能。(e)不能。

(f)构成PNP 型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极。 (g)构成NPN 型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。

电路 第四版 答案(第三章)

第三章电阻电路的一般分析 电路的一般分析是指方程分析法,它是以电路元件的约束特性(VCR)和电路的拓扑约束特性(KCL,KVL)为依据,建立以支路电流或回路电流,或结点电压为变量的回路方程组,从中解出所要求的电流、电压、功率等。方程分析法的特点是:(1)具有普遍适用性,即无论线性和非线性电路都适用;(2)具有系统性,表现在不改变电路结构,应用KCL,KVL,元件的VCR建立电路变量方程,方程的建立有一套固定不变的步骤和格式,便于编程和用计算机计算。 本章的重点是会用观察电路的方法,熟练运用支路法、回路法和结点电压法的“方程通式”写出支路电流方程、回路方程和结点电压方程,并加以求解。 3-1 在一下两种情况下,画出图示电路的图,并说明其节点数和支路数(1)每个元件作为一条支路处理;(2)电压源(独立或受控)和电阻的串联组合,电流源和电阻的并联组合作为一条支路处理。 解:(1)每个元件作为一条支路处理时,图(a)和(b)所示电路的图分别为题解3-1图(a1)和(b1)。 图(a1)中节点数6 b = = n,支路数11 图(b1)中节点数7 = b n,支路数12 = (2)电压源和电阻的串联组合,电流源和电阻的并联组合作为一条支路处理时,图(a)和图(b)所示电路的图分别为题解图(a2)和(b2)。 图(a2)中节点数4 b = n,支路数8 = 图(b2)中节点数15 b = n,支路数9 =

3-2指出题3-1中两种情况下,KCL,KVL独立方程数各为多少 解:题3-1中的图(a)电路,在两种情况下,独立的KCL方程数分别为 (1)5 1= = 4 n 1 - - 1= 6 - 1 - = n(2)3 独立的KVL方程数分别为 (1)6 1= 8 4 + - -n + = 1 b 1= 11 1 b(2)5 + 6 + - -n = 图(b)电路在两种情况下,独立的KCL方程数为 (1)6 1= 5 - = 1 n - 7 n(2)4 1= 1 - = - 独立的KVL方程数分别为 (1)6 + 1= 9 5 b 1 -n + = - = 12 7 1 b(2)5 1= -n + + - 3-3对题图(a)和(b)所示G,各画出4个不同的树,树支数各为多少

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用( A ),第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用( D ),第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B ),第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用( D ),第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000o ui i U A I =>,输出电阻R o <100 ,第一级应采用采用( C ),第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A .便于设计 B .放大交流信号 C .不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A .克服温漂 B .提高输入电阻 C .稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B )。 A .差模放大倍数数值增大 B .抑制共模信号能力增强 C .差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时 0.7BEQ U V ≈。试求: (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >,则应如何调节R c2的值才能使0O u =? 若静态0O u =V ,则R c2=?,电压放大倍数为多少?

测控电路第五版李醒飞第五章习题答案

第五章 信号运算电路 5-1推导题图5-43中各运放输出电压,假设各运放均为理想运放。 (a)该电路为同相比例电路,故输出为: ()0.36V V 3.02.01o =?+=U (b)该电路为反相比例放大电路,于是输出为: V 15.03.02 1 105i o -=?-=-=U U (c)设第一级运放的输出为1o U ,由第一级运放电路为反相比例电路可知: ()15.03.0*2/11-=-=o U 后一级电路中,由虚断虚短可知,V 5.0==+-U U ,则有: ()()k U U k U U o 50/10/1o -=--- 于是解得: V 63.0o =U (d)设第一级运放的输出为1o U ,由第一级运放电路为同相比例电路可知: ()V 45.03.010/511o =?+=U 后一级电路中,由虚断虚短可知,V 5.0==+-U U ,则有: ()()k U U k U U o 50/10/1o -=--- 于是解得: V 51.0o =U 5-2 11 图X5-1 u

5-3由理想放大器构成的反向求和电路如图5-44所示。 (1)推导其输入与输出间的函数关系()4321,,,u u u u f u o =; (2)如果有122R R =、134R R =、148R R =、Ω=k 101R 、Ω=k 20f R ,输入4 321,,,u u u u 的范围是0到4V ,确定输出的变化范围,并画出o u 与输入的变化曲线。 (1)由运放的虚断虚短特性可知0==+-U U ,则有: f R u R u R u R u R u 0 44332211-=+++ 于是有: ??? ? ??+++-=44332211o U R R U R R U R R U R R U f f f f (2)将已知数据带入得到o U 表达式: ()4321o 25.05.02i i i i U U U U U +++-= 函数曲线可自行绘制。 5-4理想运放构成图5-45a 所示电路,其中Ω==k 10021R R 、uF 101=C 、uF 52=C 。图5-54b 为输入信号波形,分别画出1o u 和2o u 的输出波形。 前一级电路是一个微分电路,故()dt dU dt dU C R R i U i i o //*1111-=-=-= 输入已知,故曲线易绘制如图X5-2所示。 图X5-2 后一级电路是一个积分电路,故()??-=-=dt U dt U C R V o o 1122out 2/1 则曲线绘制如图X5-3所示。 图X5-3 /V

电路理论基础第四版 孙立山 陈希有主编 第4章习题答案详解

教材习题4答案部分(p126) 答案4.1 解:将和改写为余弦函数的标准形式,即 2 3 4c o s (190)A 4c o s (190180)A 4c o s (10)A 5s i n (10)A 5c o s (1090)A 5c o s (80)A i t t t i t t t ωωωωωω =-+?=+?-?=+?=+?=+?-?=-? 电压、电流的有效值为 123100270.7V , 1.414A 22 452.828A , 3.54A 22 U I I I ======== 初相位 1 2 3 10,100,10,80u i i i ψψψψ====- 相位差 1 1 1010090u i ?ψψ=-=-=- 1 1 u i u i 与正交,滞后于; 2 2 10100u i ?ψψ=-=?-?= u 与同相; 3 3 10(80)90u i ?ψψ=-=?--?= u 与正交,u 超前于 答案4.2 ()()()(). 2222a 10c o s (10)V -8 b 610a r c t g 10233.1V ,102c o s (233.1)V -6 -20.8c 0.220.8a r c t g 20.889.4A ,20.8c o s (89.4)A 0.2 d 30180A ,302c o s (180)A m u t U u t I i t I i t ωωωω= -?=+∠=∠?=+?=+∠=∠-?=-?=∠?=+? 答案6.3 解:(a)利用正弦量的相量表示法的线性性质得: 1 122 1,U I n U I n ==- (b)磁通相量通常用最大值表示,利用正弦量的相量表示法的微分性质得: m j m U N ω=Φ (c) 利用正弦量的相量表示法的线性性质与微分性质得:

测控电路课后答案

一.1测控电路在整个测控系统中起着什么样的作用? 传感器的输出信号一般很微弱,还可能伴随着各种噪声,需要用测控电路将它放大,剔除噪声、选取有用信号,按照测量与控制功能的要求,进行所需演算、处理与变换,输出能控制执行机构动作的信号。在整个测控系统中,电路是最灵活的部分,它具有便于放大、便于转换、便于传输、便于适应各种使用要求的特点。测控电路在整个测控系统中起着十分关键的作用,测控系统、乃至整个机器和生产系统的性能在很大程度是取决于测控电路。 2影响测控电路精度的主要因素有哪些,而其中哪几个因素又是最基本的,需要特别注意? 影响测控电路精度的主要因素有: (1)噪声与干扰; (2)失调与漂移,主要是温漂; (3)线性度与保真度; (4)输入与输出阻抗的影响。 其中噪声与干扰,失调与漂移(含温漂)是最主要的,需要特别注意。 3为什么说测控电路是测控系统中最灵活的环节,它体现在哪些方面? 为了适应在各种情况下测量与控制的需要,要求测控系统具有选取所需的信号、灵活地进行各种变换和对信号进行各种处理与运算的能力,这些工作通常由测控电路完成。它包括: (1)模数转换与数模转换; (2)直流与交流、电压与电流信号之间的转换。幅值、相位、频率与脉宽信号等之间的转换; (3)量程的变换; (4)选取所需的信号的能力,信号与噪声的分离,不同频率信号的分离等;对信号进行处理与运算,如求平均值、差值、峰值、绝对值,求导数、积分等、非线性环节的线性化处理、逻辑判断等 二.2-1 何谓测量放大电路?对其基本要求是什么? 在测量控制系统中,用来放大传感器输出的微弱电压,电流或电荷信号的放大电路称为测量放大电路,亦称仪用放大电路。对其基本要求是:①输入阻抗应与传感器输出阻抗相匹配; ②一定的放大倍数和稳定的增益;③低噪声;④低的输入失调电压和输入失调电流以及低的漂移;⑤足够的带宽和转换速率(无畸变的放大瞬态信号);⑥高输入共模范围(如达几百伏)和高共模抑制比;⑦可调的闭环增益;⑧线性好、精度高;⑨成本低 2-7什么是高共模抑制比放大电路?应用何种场合? 有抑制传感器输出共模电压(包括干扰电压)的放大电路称为高共模抑制比放大电路。应用于要求共模抑制比大于100dB的场合,例如人体心电测量。 2-8 图2-8b所示电路,N1、N2为理想运算放大器,R4=R2=R1=R3=R,试求其闭环电压放大倍数。 由图2-8b和题设可得u01 =u i1 (1+R2 /R1) = 2u i1 , u0=u i2 (1+R4 /R3 )–2u i1 R4/R3 =2u i2–2

模电-童诗白课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈ U O2=0 U O3≈- U O4≈2V U O5≈ U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β

七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 (1)A C (2)A (3)C (4)A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端 电压为时管子会因电流过大而烧坏。 u i 和u o 的波形如图所示。 u i 和u o 的波形如图所示。 u o 的波形如图所示。 I D =(V -U D )/R =,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 (1)两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。 t t t t

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案定稿版

模拟电子技术基础第四 版童诗白课后答案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 R大的特点。( √ ) GS U大于零,则其输入电阻会明显变小。( × ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。 五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,?=100,U BE=0.7V。 试问: (1)R b=50k?时,U o=? (2)若T临界饱和,则R b=?

测控电路第五版李醒飞第4章习题答案

第四章信号分离电路 4-1简述滤波器功能,按照功能要求,滤波器可分为几种类型? 滤波器是具有频率选择作用的电路或运算处理系统,即对不同频率信号的幅值有不同的增益,并对其相位有不同的移相作用。按照其功能要求,滤波器可分为低通、高通、带通、带阻与全通五种类型。 4-2按照电路结构,常用的二阶有源滤波电路有几种类型?特点是什么? 常用的二阶有源滤波电路有三种:压控电压源型滤波电路、无限增益多路反馈型滤波电路和双二阶环型滤波电路。 压控电压源型滤波电路使用元件数目较少,对有源器件特性理想程度要求较低,结构简单,调整方便,对于一般应用场合性能比较优良,应用十分普遍。但压控电压源电路利用正反馈补偿RC网络中能量损耗,反馈过强将降低电路稳定性,因为在这类电路中,Q值表达式均包含-Kf项,表明Kf过大,可能会使Q 值变负,导致电路自激振荡。此外这种电路Q值灵敏度较高,且均与Q成正比,如果电路Q值较高,外界条件变化将会使电路性能发生较大变化,如果电路在临界稳定条件下工作,也会导致自激振荡。 无限增益多路反馈型滤波电路与压控电压源滤波电路使用元件数目相近,由于没有正反馈,稳定性很高。其不足之处是对有源器件特性要求较高,而且调整不如压控电压源滤波电路方便。对于低通与高通滤波电路,二者Q值灵敏度相近,但对于图4-17c所示的带通滤波电路,其Q值相对R,C变化的灵敏度不超过1,因而可实现更高的品质因数。 双二阶环型滤波电路灵敏度很低,可以利用不同端输出,或改变元件参数,获得各种不同性质的滤波电路。与此同时调整方便,各个特征参数可以独立调整。适合于构成集成电路。但利用分立器件组成双二阶环电路,用元件数目比较多,电路结构比较复杂,成本高。 4-3测控系统中常用的滤波器特性逼近的方式有几种类型?简述这些逼近方式的特点。 测控系统中常用的滤波器特性逼近的方式可分为巴特沃斯逼近、切比雪夫逼近与贝赛尔逼近三种类型。 巴特沃斯逼近的基本原则是在保持幅频特性单调变化的前提下,通带内最为平坦。其特点是具有较为理想的幅频特性,同时相频特性也具有一定的线性度。 切比雪夫逼近的基本原则是允许通带内有一定的波动量ΔKp,故在电路阶数一定的条件下,可使其幅频特性更接近矩形,具有最佳的幅频特性。但是这种逼近方式相位失真较严重,对元件准确度要求也更高。 贝赛尔逼近的基本原则是使相频特性线性度最高,群时延函数τ(ω)最接近于常量,从而使相频特性引起的相位失真最小,具有最佳的相频特性。但是这种

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章半导体基础知识 自测题 一、 (1)v (2)X (3)v (4 )X ( 5)v (6 )X 二、 (1) A (2) C (3) C (4) B ( 5) AC 三、 U oi ?1.3V U O 2= 0 U o3~— 1.3V U o4~ 2V U °5~ 2.3V U °6~— 2V 四、 U o1 = 6V U O 2= 5V 五、 根据 P CM = 200mW 可得:U CE F = 40V 时 I C = 5mA , U CE = 30V 时 l C ~ 6.67mA , U CE ^ 10V 时I C = 20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB - U BE R b l c 「I B 二 2.6mA U CE = V CC _ l C R C = 2V U O = U CE = 2 V 。 2、临界饱和时 U CES = U BE = 0.7V ,所以 上二28.6讥 七、T 1 :恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1 (1) A C (2) A ( 3) C (4) A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和U o 的波形如图所示。 R b V BB - U BE : 45.4k.' U CE = 20V 时 I C = 10mA , V CC - U CES 一 ——=2.86mA R c 也t 指数关系,当 ..'t

1.4 u i 和U o 的波形如图所示。 1.6 I D =( V — U D ) /R = 2.6mA , g~ U T /I D = 10 Q , l d = U i /r D ^ 1mA 。 1.7 (1 )两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM = P ZM / U Z = 25mA , R = U Z /I DZ = 0.24 ?1.2k Q 。 1.9 (1 )当U l = 10V 时,若U O = U Z = 6V ,则稳压管的电流为 4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压 管未击 穿。故 R U o L U l 3.33V R R L 当U I = 15V 时,由于上述同样的原因, U O = 5V 。 当 U I = 35V 时,U O = U Z = 5V 。 (2) l D Z = (U i -U Z ).;R=29mA > I ZM = 25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1) S 闭合。 (2) R min =(V -U D ). I Dm ax 233 门,R max =(V —U D ). I Dmin 二 700门 1.5 U o 的波形如图所示。

测控电路课后答案(张国雄 第四版)

第一章绪论 1-1为什么说在现代生产中提高产品质量与生产效率都离不开测量与控制技术? 为了获得高质量的产品,必须要求机器按照给定的规程运行。例如,为了加工出所需尺寸、形状的高精度零件,机床的刀架与主轴必须精确地按所要求的轨迹作相对运动。为了炼出所需规格的钢材,除了严格按配方配料外,还必须严格控制炉温、送风、冶炼时间等运行规程。为了做到这些,必须对机器的运行状态进行精确检测,当发现它偏离规定要求,或有偏离规定要求的倾向时,控制它,使它按规定的要求运行。 为了保证产品质量,除了对生产过程的检测与控制外,还必须对产品进行检测。这一方面是为了把好产品质量关,另一方面也是为了检测机器与生产过程的模型是否准确,是否在按正确的模型对机器与生产过程进行控制,进一步完善对生产过程的控制。 生产效率一方面与机器的运行速度有关,另一方面取决于机器或生产系统的自动化程度。为了使机器能在高速下可靠运行,必须要求机器本身的质量高,其控制系统性能优异。要做到这两点,还是离不开测量与控制。 产品的质量离不开测量与控制,生产自动化同样一点也离不开测量与控制。特别是当今时代的自动化已不是本世纪初主要靠凸轮、机械机构实现的刚性自动化,而是以电子、计算机技术为核心的柔性自动化、自适应控制与智能化。越是柔性的系统就越需要检测。没有检测,机器和生产系统就不可能按正确的规程自动运行。自适应控制就是要使机器和系统能自动地去适应变化了的内外部环境与条件,按最佳的方案运行,这里首先需要的是对外部环境条件的检测,检测是控制的基础。智能化是能在复杂的、变化的环境条件下自行决策的自动化,决策的基础是对内部因素和外部环境条件的掌握,它同样离不开检测。 1-2试从你熟悉的几个例子说明测量与控制技术在生产、生活与各种工作中的广泛应用。 为了加工出所需尺寸、形状的高精度零件,机床的刀架与主轴必须精确地按所要求的轨迹作相对运动。为了炼出所需规格的钢材,除了严格按配方配料外,还必须严格控制炉温、送风、冶炼时间等运行规程。为了做到这些,必须对机器的运行状态进行精确检测,当发现它偏离规定要求,或有偏离规定要求的倾向时,控制它,使它按规定的要求运行。 计算机的发展首先取决于大规模集成电路制作的进步。在一块芯片上能集成多少个元件取决于光刻工艺能制作出多精细的图案,而这依赖于光刻的精确重复定位,依赖于定位系统的精密测量与控制。航天发射与飞行,都需要靠精密测量与控制保证它们轨道的准确性。 一部现代的汽车往往装有几十个不同传感器,对点火时间、燃油喷射、空

最新模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析

模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可

视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4 故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈ 1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =,最小稳定电流 min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值; (2)若35I U V =时负载开路,则会出现什么现象? 为什么? 解:(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时,输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时,V U R R R U I L L O 3.3=+= ; V U I 15=时,5L O I L R U U V R R = =+; V U I 35=时,11.7L O I Z L R U U V U R R = ≈>+,∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时,mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-=,故稳压管将被烧毁。 1.7 在图Pl.7 所示电路中,发光二极管导通电压 U D =1.5V ,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。

测控电路李醒飞习题答案

第三章 信号调制解调电路 3-1 什么是信号调制?在测控系统中为什么要采用信号调制?什么是解调?在测控系统中常用的调制方法有哪几种? 在精密测量中,进入测量电路的除了传感器输出的测量信号外,还往往有各种噪声。而传感器的输出信号一般又很微弱,将测量信号从含有噪声的信号中分离出来是测量电路的一项重要任务。为了便于区别信号与噪声,往往给测量信号赋以一定特征,这就是调制的主要功用。调制就是用一个信号(称为调制信号)去控制另一作为载体的信号(称为载波信号),让后者的某一特征参数按前者变化。在将测量信号调制,并将它和噪声分离,放大等处理后,还要从已经调制的信号中提取反映被测量值的测量信号,这一过程称为解调。 在信号调制中常以一个高频正弦信号作为载波信号。一个正弦信号有幅值、频率、相位三个参数,可以对这三个参数进行调制,分别称为调幅、调频和调相。也可以用脉冲信号作载波信号。可以对脉冲信号的不同特征参数作调制,最常用的是对脉冲的宽度进行调制,称为脉冲调宽。 3-2 什么是调制信号?什么是载波信号?什么是已调信号? 调制是给测量信号赋以一定特征,这个特征由作为载体的信号提供。常以一个高频正弦信号或脉冲信号作为载体,这个载体称为载波信号。用需要传输的信号去改变载波信号的某一参数,如幅值、频率、相位。这个用来改变载波信号的某一参数的信号称调制信号。在测控系统中需传输的是测量信号,通常就用测量信号作调制信号。经过调制的载波信号叫已调信号。 3-3 什么是调幅?请写出调幅信号的数学表达式,并画出它的波形。 调幅就是用调制信号x 去控制高频载波信号的幅值。常用的是线性调幅,即让调幅信号的幅值按调制信号x 线性函数变化。调幅信号s u 的一般表达式可写为: t mx U u c m s cos )(ω+= 式中 c ω──载波信号的角频率; m U ──调幅信号中载波信号的幅度; m ──调制度。 图X3-1绘出了这种调幅信号的波形。

测控电路课后习题汇总

习题参考答案 (时间仓促,难免有误,请指正,谢谢!) 1-3试从你熟悉的几个例子说明测量与控制技术在生产、生活与各种工作中的广泛应用。 为了加工出所需尺寸、形状的高精度零件,机床的刀架与主轴必须精确地按所要求的轨迹作相对运动。为了炼出所需规格的钢材,除了严格按配方配料外,还必须严格控制炉温、送风、冶炼时间等运行规程。为了做到这些,必须对机器的运行状态进行精确检测,当发现它偏离规定要求,或有偏离规定要求的倾向时,控制它,使它按规定的要求运行。 计算机的发展首先取决于大规模集成电路制作的进步。在一块芯片上能集成多少个元件取决于光刻工艺能制作出多精细的图案,而这依赖于光刻的精确重复定位,依赖于定位系统的精密测量与控制。航天发射与飞行,都需要靠精密测量与控制保证它们轨道的准确性。 一部现代的汽车往往装有几十个不同传感器,对点火时间、燃油喷射、空气燃料比、防滑、防碰撞等进行控制。微波炉、照相机、复印机等中也都装有不同数量的传感器,通过测量与控制使其能圆满地完成规定的功能。 1-4测控电路在整个测控系统中起着什么样的作用? 传感器的输出信号一般很微弱,还可能伴随着各种噪声,需要用测控电路将它放大,剔除噪声、选取有用信号,按照测量与控制功能的要求,进行所需演算、处理与变换,输出能控制执行机构动作的信号。在整个测控系统中,电路是最灵活的部分,它具有便于放大、便于转换、便于传输、便于适应各种使用要求的特点。测控电路在整个测控系统中起着十分关键的作用,测控系统、乃至整个机器和生产系统的性能在很大程度是取决于测控电路。 1-5影响测控电路精度的主要因素有哪些,而其中哪几个因素又是最基本的,需要特别注意? 影响测控电路精度的主要因素有: (1)噪声与干扰; (2)失调与漂移,主要是温漂; (3)线性度与保真度; (4)输入与输出阻抗的影响。 其中噪声与干扰,失调与漂移(含温漂)是最主要的,需要特别注意。 1-7为什么说测控电路是测控系统中最灵活的环节,它体现在哪些方面? 为了适应在各种情况下测量与控制的需要,要求测控系统具有选取所需的信号、灵活地进行各种变换和对信号进行各种处理与运算的能力,这些工作通常由测控电路完成。它包括: (1)模数转换与数模转换; (2)直流与交流、电压与电流信号之间的转换。幅值、相位、频率与脉宽信号等之间的转换; (3)量程的变换; (4)选取所需的信号的能力,信号与噪声的分离,不同频率信号的分离等; (5)对信号进行处理与运算,如求平均值、差值、峰值、绝对值,求导数、积分等、

童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

邱关源《电路》第四版课后第一章答案

第一章电路模型和电路定律 电路理论主要研究电路中发生的电磁现象,用电流i、电压u和功率p等物理量来描述其中的过程。因为电路是由电路元件构成的,因而整个电路的表现如何既要看元件的联接方式,又要看每个元件的特性,这就决定了电路中各支路电流、电压要受到两种基本规律的约束,即: (1)电路元件性质的约束。也称电路元件的伏安关系(VCR),它仅与元件性质有关,与元件在电路中的联接方式无关。 (2)电路联接方式的约束(亦称拓扑约束)。这种约束关系则与构成电路的元件性质无关。基尔霍夫电流定律(KCL)和基尔霍夫电压定律(KVL)是概括这种约束关系的基本定律。 掌握电路的基本规律是分析电路的基础。 1-1说明图(a),(b)中,(1),u i的参考方向是否关联?(2)ui乘积表示什么功率?(3)如果在图(a)中0 u i <>,元件实际发出还是吸收功 >i u;图(b)中0,0 ,0< 率? 解:(1)当流过元件的电流的参考方向是从标示电压正极性的一端指向负极性的一端,即电流的参考方向与元件两端电压降落的方向一致,称电压和电流的参考方向关联。所以(a)图中i u,的参考方向为非关联。 u,的参考方向是关联的;(b)图中i (2)当取元件的i u,参考方向为关联参考方向时,定义ui p=为元件吸收的功率;当取元件的i u,参考方向为非关联时,定义ui p=为元件发出的功率。所以(a)图中的ui乘积表示元件吸收的功率;(b)图中的ui乘积表示元件发出的功率。 (3)在电压、电流参考方向关联的条件下,带入i u,数值,经计算,若0 p, > =ui 表示元件确实吸收了功率;若0 p,表示元件吸收负功率,实际是发出功率。(a)图 <

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章

第8章波形的发生和信号的转换 自测题 一、改错:改正图T8.1所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。 (a) (b) 图T8.1 解:(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。 (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名端。 二、试将图T8.2所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。 图T8.2 解:④、⑤与⑨相连,③与⑧相连,①与⑥相连,②与⑦相连。如解图T8.2所示。 解图T8.2

三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示,填写各电路的名称。 电路1为正弦波振荡电路,电路2为同相输入过零比较器, 电路3为反相输入积分运算电路,电路4 为同相输入滞回比较器。 (a) (b) 图T8.3 四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。 (a) (b) 图T8.4 解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±U T =±U Z。两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。

解图T8.4 五、电路如图T8.5所示。 图T8.5 (1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路; (2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O ); (3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1); (4)定性画出u O1与u O 的波形; (5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变? 解:(1)A 1:滞回比较器;A 2:积分运算电路。 (2)根据12111112121 ()02 P O O O O N R R u u u u u u R R R R = ?+?=+==++ 可得:8T U V ±=± u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。 (3) u O 与u O1的运算关系式 1211121141 ()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C =- -+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。 (5)要提高振荡频率,可以减小R 4 、C 、R l 或增大R 2。 (a) (b) 解图T8.5

测控电路6习题答案

第六章信号转换电路 6-1 常用的信号转换电路有哪些种类?试举例说明其功能。 常用的信号转换电路有采样/保持(S/H)电路、电压比较电路、V/f(电压/频率)转换器、f/V(频率/电压)转换器、V/I(电压/电流)转换器、I/V(电流/电压)转换器、A/D(模/数)转换器、D/A(数/模)转换器等。 采样/保持(S/H)电路具有采集某一瞬间的模拟输入信号,根据需要保持并输出采集的电压数值的功能。这种电路多用于快速数据采集系统以及一切需要对输入信号瞬时采样和存储的场合,如自动补偿直流放大器的失调和漂移、模拟信号的延迟、瞬态变量的测量及模数转换等。 模拟电压比较电路是用来鉴别和比较两个模拟输入电压大小的电路。比较器的输出反映两个输入量之间相对大小的关系。比较器的输入量是模拟量,输出量是数字量,所以它兼有模拟电路和数字电路的某些属性,是模拟电路和数字电路之间联系的桥梁,是重要的接口电路。可用作鉴零器、整形电路,其中窗口比较电路的用途很广,如在产品的自动分选、质量鉴别等场合均用到它。 V/f(电压/频率)转换器能把输入信号电压转换成相应的频率信号,广泛地应用于调频、调相、模/数转换器、数字电压表、数据测量仪器及远距离遥测遥控设备中。f/V(电压/频率)转换器把频率变化信号线性地转换成电压变化信号。广泛地应用于调频、调相信号的解调等。 V/I(电压/电流)转换器的作用是将电压转换为电流信号。例如,在远距离监控系统中,必须把监控电压信号转换成电流信号进行传输,以减少传输导线阻抗对信号的影响。I/V(电流/电压)转换器进行电流、电压信号间的转换。例如,对电流进行数字测量时,首先需将电流转换成电压,然后再由数字电压表进行测量。在用光电池、光电阻作检测元件时,由于它们的输出电阻很高,因此可把他们看作电流源,通常情况下其电流的数值极小,所以是一种微电流的测量。随着激光、光纤技术在精密测量仪器中的普及应用,微电流放大器越来越占有重要的位置。 在以微型计算机为核心组成的数据采集及控制系统中,必须将传感器输出的模拟信号转换成数字信号,为此要使用模/数转换器(简称A/D转换器或ADC)。相反,经计算机处理后的信号常需反馈给模拟执行机构如执行电动机等,因此还需要数/模转换器(简称D/A转换器或DAC)将数字量转换成相应的模拟信号。 6-2 试述在S/H电路中对模拟开关、存储电容及运算放大器这三种主要元器件的选择有什么要求。 选择要求如下: 模拟开关:要求模拟开关的导通电阻小,漏电流小,极间电容小和切换速度快。 存储电容:要选用介质吸附效应小的和泄漏电阻大的电容。

测控电路复习习题及答案

试题一答案 一、选择题 1.右图所示电路为自举组合电路,其输入电流i 为 A. 0 B. u i /10kΩ C. u i /20kΩ D. u i /30kΩ ( C ) 2.右图所示电路的输出电压为 A. )1/(δδ+=i o u u B. )1/(δδ+-=i o u u C. )1/(δδ-=i o u u D. )1/(δδ--=i o u u ( D ) 3.公式2 022 02) ()(ωαωω+++=S S S K S H P 为 A. 二阶有源低通滤波器的传递函数 B. 二阶有源高通滤波器的传递函数 C. 二阶有源带通滤波器的传递函数 D. 二阶有源带阻滤波器的传递函数 ( D ) 4.一个10bit 逐次逼近A/D 转换器,其满量程电压为10V, 若模拟输入电压V 1=i u ,其数字输出量的数值为 u i

A. 0001100101 B. 0001100110 C. 0001000110 D. 0001010101 ( B ) 5.在相位跟踪细分电路中,相位基准 A. 既是反馈环节,又是细分机构,分频数等于细分数 B. 是反馈环节,但不是细分机构 C. 是细分机构,且分频数等于细分数,但不是反馈环节 D. 既是反馈环节,又是细分机构,细分数是分频数的2倍( A ) 6.右图是晶体管三相桥式逆变器,对其特点的叙述哪一个是不正确的 A. 每一相上桥臂晶体管与下桥臂晶体管 各导通1200 B. 上、下桥臂晶体管导通状态互相间隔600 C. 各相之间相位差为1200 D. 换流只能在上下桥臂间进行( D ) 7.在PWM功率转换电路中,有制动工作状态和不可逆的意思是 A. 电路不能提供电动机电枢的反相电流和反相电压 B. 电路能提供电动机电枢的反相电流但不能提供反相电压 C. 电路不能提供电动机电枢的反相电流但能提供反向电压

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院

目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零,则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路

相关文档
相关文档 最新文档