文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展

InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展

第11卷 第1期 太赫兹科学与电子信息学报Vo1.11,No.1 2013年2月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Feb.,2013

文章编号:2095-4980(2013)01-0043-07

InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展

金 智,苏永波,张毕禅,丁 芃,汪丽丹,周静涛,杨成樾,刘新宇

(中国科学院微电子研究所,北京100029)

摘 要:随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。

本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。

关键词:太赫兹;InP基晶体管;固态电子器件;太赫兹单片集成电路

中图分类号:TN322+.8文献标识码:A

Development of InP-based three-terminal terahertz solid state electronic

devices and circuits

JIN Zhi,SU Yong-bo,ZHANG Bi-chan,DING Peng,WANG Li-dan,ZHOU Jing-tao,YANG Cheng-yue,LIU Xin-yu (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)

Abstract:The fast development of microelectronics makes the cutoff frequency of semiconductor devices exceed terahertz,which significantly improves the frequency characteristics of terahertz circuits.

The solid-state electronic circuits can operate at terahertz frequency. The development of InP-based

bipolar devices and field effect transistors are reviewed, and their applications in terahertz circuits and

systems are introduced as well.

Key words:terahertz;InP-based transistors;solid state electronic device;Terahertz Monolithic Integrated Circuits(TMIC)

1 太赫兹及太赫兹系统

太赫兹指频率在0.1 THz~10 THz范围的电磁波,其波长在30 μm~3 mm之间,介于微波和光波之间,具有波长短、透过率高、带宽宽等特点,在太赫兹成像、太赫兹频谱和太赫兹通信等方面具有广阔的应用前景[1]。太赫兹波对很多非极性材料具有很强的穿透力,可以轻易透过多种非金属外包装材料。太赫兹光子能量很低(只有几个电子毫伏),不会对被探测物质造成损伤。在安检成像领域,通过探测分析太赫兹波的时域谱或者2D图像,可以发现隐藏的武器和爆炸物。在无损探测领域,太赫兹波被成功用于检测美国国家航空航天局太空舱的外壁缺陷情况。在军事研究领域,太赫兹波的独特性能,使其在通信、雷达、电子对抗、制导和卫星方面具有广阔的应用空间。太赫兹波是非常好的宽带信息载体,与光波相比,其具有波束宽、易定位和能耗低的优点,非常适合卫星间通信。综上所述,太赫兹成像、太赫兹通信和太赫兹波谱是太赫兹应用的3个主要方向。

太赫兹产生、太赫兹传输和太赫兹探测是太赫兹得以应用的基础。太赫兹系统分为主动探测和被动探测。主动探测系统由发射和接收构成。在发射端,较低频率的发射控制信号与太赫兹源经过混频器形成调制的太赫兹信号,信号经功率放大器放大,经天线发射出去;在接收端,太赫兹波经天线接收,经低噪声放大器放大,进入混频器,通过与本振源进行下混频,变为中频信号,由后端进行信号处理。其中本振源、混频器、功率放大器、低噪声放大器都工作在太赫兹频段,这对半导体器件和电路的频率特性提出非常高的要求。太赫兹通信系统和主动成像系统的基本构成与此类似。由于物体的太赫兹波较弱,主动式探测实际上是采用太赫兹波照射物体,而探测反射的太赫兹波,其信噪比要好得多。与主动探测系统相比,被动探测系统没有发射端,天线收集的太赫兹信号经低噪声放大器放大后,经过混频器并与本振下混频,中频信号经过中频放大器后进行探测。这2种系统的噪声

收稿日期:2012-12-18;修回日期:2012-12-29

基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(No.2010CB327502)

电力电子器件

电力电子器件 电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。主电路:在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作在开关状态。 ◆由信息电子电路来控制,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器。 电力电子器件的功率损耗 断态损耗 通态损耗:是电力电子器件功率损耗的主要成因。 开关损耗:当器件的开关频率较高时,开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。分为开通损耗和关断损耗。 电力电子器件在实际应用中,一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。 电力电子器件的分类 按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件:指晶闸管(Thyristor)、快速晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管。 ◆全控型器件:IGBT、GTO、GTR、MOSFET。 ◆不可控器件:电力二极管(Power Diode)、整流二极管。 按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型:通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。Thyrister,GTR,GTO。 ◆电压驱动型:仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。电力MOSFET,IGBT,SIT。 按照驱动信号的波形(电力二极管除外) ◆脉冲触发型:通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。晶闸管,SCR,GTO。 ◆电平控制型:必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在通断状态。GTR,MOSFET,IGBT。 按照载流子参与导电的情况 ◆单极型器件:由一种载流子参与导电。MOSFET、SBD(肖特基势垒二极管)、SIT。 ◆双极型器件:由电子和空穴两种载流子参与导电。电力二极管,PN结整流管,SCR,GTR,GTO。 ◆复合型器件:由单极型器件和双极型器件集成混合而成,也称混合型器件。IGBT,MCT。 GTO:门极可关断晶闸管。SITH(SIT):静电感应晶体管。 GTR:电力晶体管。MCT:MOS控制晶体管。 ITBT:绝缘栅双极晶体管。MOSFET:电力场效应晶体管。 电力二极管 二极管的基本原理——PN结的单向导电性 ◆当PN结外加正向电压(正向偏置)时,在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流,称为正向电流IF,这就是PN结的正向导通状态。 ◆当PN结外加反向电压时(反向偏置)时,反向偏置的PN结表现为高阻态,几乎没有电流流过,被称为反向截止状态。 ◆PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态,这就叫反向击穿。

常用电力电子器件特性测试

实验二:常用电力电子器件特性测试 (一)实验目的 (1)掌握几种常用电力电子器件(SCR、GTO、MOSFET、IGBT)的工作特性;(2)掌握各器件的参数设置方法,以及对触发信号的要求。 (二)实验原理 图1.MATLAB电力电子器件模型 MATLAB电力电子器件模型使用的是简化的宏模型,只要求器件的外特性与实际器件特性基本相符。MATLAB电力电子器件模型主要仿真了电力电子器件的开关特性,并且不同电力电子器件模型都具有类似的模型结构。 模型中的电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的门槛电压。串联电感限制了器件开关过程中的电流升降速度,模拟器件导通或关断时的动态过程。MATLAB电力电子器件模型一般都没有考虑器件关断时的漏电流。 在MATLAB电力电子器件模型中已经并联了简单的RC串联缓冲电路,在参数表中设置,名称分别为Rs和Cs。更复杂的缓冲电路则需要另外建立。对于MOSFET模型还反并联了二极管,在使用中要注意,需要设置体内二极管的正向压降Vf和等效电阻Rd。对于GTO和IGBT需要设置电流下降时间Tf和电流拖尾时间Tt。 MATLAB的电力电子器件必须连接在电路中使用,也就是要有电流的回路,

但是器件的驱动仅仅是取决于门极信号的有无,没有电压型和电流型驱动的区别,也不需要形成驱动的回路。尽管模型与实际器件工作有差异,但使MATLAB电力电子器件模型与控制连接的时候很方便。MATLAB的电力电子器件模型中含有电感,因此具有电流源的性质,所以在模块参数中还包含了IC即初始电流项。此外也不能开路工作。 含电力电子模型的电路或系统仿真时,仿真算法一般采用刚性积分算法,如ode23tb、ode15s。电力电子器件的模块上,一般都带有一个测量输出端口,通过输出端m可以观测器件的电压和电流。本实验将电力电子器件和负载电阻串联后接至直流电源的两端,给器件提供触发信号,使器件触发导通。 (三)实验内容 (1)在MATLAB/Simulink中构建仿真电路,设置相关参数。 (2)改变器件和触发脉冲的参数设置,观察器件的导通情况及负载端电压、器件电流的变化情况。 (四)实验过程与结果分析 1.仿真系统 Matlab平台 2.仿真参数 (1)Thyristor参数设置: 直流源和电阻参数:

电力电子器件驱动电路

驱动电路的比较 电力电子器件的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口,是电力电子装置的重要环节,对整个装置的性能有很大的影响。电力电子器件对驱动电路的一般性要求 ①驱动电路应保证器件的充分导通和可靠关断以减低器件的导通和开关损耗。 ②实现与主电路的电隔离。 ③具有较强的抗干扰能力,目的是防止器件在各种外扰下的误开关。 ④具有可靠的保护能力当主电路或驱动电路自身出现故障时(如过电流和驱动电路欠电压等),驱动电路应迅速封锁输出正向驱动信号并正确关断器件以保障器件的安全。 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。晶闸管是半控型器件,一般其驱动电路成为触发电路,下面分别分析晶闸管的触发电路,GTO、GTR、电力MOSFET和IGBT的驱动电路。 1晶闸管的触发电路 晶闸管的触发电路的工作原理如下: 1 由V1、V2构成的脉冲放大环节和脉冲变压器TM和附属电路构成的脉冲输出环节两部分组成。 2 当V1、V2导通时,通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。 3 VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设的。

4 为了获得触发脉冲波形中的强脉冲部分,还需适当附加其它电路环节。 晶闸管的触发电路特点:触发脉冲宽度要保证晶闸管可靠导通,有足够的幅值也不能超过晶闸管门级的电压、电流和功率定额等参数。 2 GTO驱动电路 GTO的开通控制与普通晶闸管相似,下图为典型的直接耦合式GTO驱动电路,其工作原理可分析如下: 1 电路的电源由高频电源经二极管整流后提供,VD1和C1提供+5V电压,VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压,VD4和C4提供-15V电压。 2 V1开通时,输出正强脉冲;V2开通时,输出正脉冲平顶部分; 3 V2关断而V3开通时输出负脉冲;V3关断后R3和R4提供门极负偏压。GTO驱动电路的特点:触发脉冲前沿的幅值和陡度要足够,在整个导通期间都施加正门极电流。避免电路内部的相互干扰和寄生振荡,可得到较陡的脉冲前沿;缺点是功耗大,效率较低。 3GTR的驱动电路 下图为GTR的一种驱动电路,其包括电气隔离和晶体管放大电路两大部分,本电路的特点是:当负载较轻时,如果V5的发射极电流全部注入V,会使V过饱和,关断时退饱和时间延长。但是VD2和VD3构成贝克钳位电路可避免上述情况的发生。 V

电力电子器件大全及使用方法详解(DOC 42页)

第1章电力电子器件 主要内容:各种二极管、半控型器件-晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,器件的选取原则,典型全控型器件:GTO、电力MOSFET、IGBT,功率集成电路和智能功率模块,电力电子器件的串并联、电力电子器件的保护,电力电子器件的驱动电路。 重点:晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,器件的选取原则,典型全控型器件。 难点:晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数。 基本要求:掌握半控型器件-晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,熟练掌握器件的选取原则,掌握典型全控型器件,了解电力电子器件的串并联,了解电力电子器件的保护。 1 电力电子器件概述 (1)电力电子器件的概念和特征 主电路(main power circuit)--电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路; 电力电子器件(power electronic device)--可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件; 广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类。 两类中,自20世纪50年代以来,真空管仅在频率很高(如微波)的大功率高频电源中还在使用,而电力半导体器件已取代了汞弧整流器(Mercury Arc Rectifier)、闸流管(Thyratron)等电真空器件,成为绝对主力。因此,电力电子器件目前也往往专指电力半导体器件。 电力半导体器件所采用的主要材料仍然是硅。 同处理信息的电子器件相比,电力电子器件的一般特征: a. 能处理电功率的大小,即承受电压和电流的能力,是最重要的参数;

专科《电子元器件与实用电路基础》 试卷 答案

专科《电子元器件与实用电路基础》 一、(共56题,共152分) 1. 若电路中某元件的端电压为,电流, 为关联方向,则该元件是___。(2分) A.电阻 B.电感 C.电容 .标准答案:C 2. UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有____。(2分) A.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 .标准答案:B 3. 图4-1与图4-2两条曲线的相位差=_____。 (2分) A.900 B.-450 C.-1350 .标准答案:C 4. 已知2电阻的电压,当为关联方向时,电阻上电流 =___A。(2分) A. B. C. .标准答案:B 5. 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为____。(2分) A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 .标准答案:B 6. 在基本放大电路中,输入耦合电容C1作用是________。(2分) A.通直流和交流 B.隔直流通交流 C.隔交流通直流 .标准答案:B 7. 差动放大器比非差动的直接耦合放大器以多用一个晶体三极管为代价,换取 ____。(2分) A.高的电压放大倍数 B.使电路放大信号时减少失真 C.抑制零点漂移 .标准答案:C 8. 单稳态多谐振荡器的耦合电路A是由________构成。(2分) A.电阻 B.电容 C.电阻和电容 .标准答案:B 9. 单相半波整流电路中,负载为500Ω电阻,变压器的副边电压为12V,则负载上电压平均值和二极管所承受的最高反向电压为________。(2分) A.5.4V、17V B.5.4V、12V C.9V、12V .标准答案:A 10. 在纯电感电路中,电压应为_____。(2分) A. B. C. .标准答案:B 11. 乙类双电源互补对称功率放大电路中,正负电源轮流供电。(2分) ( ) .标准答案:正确 12. 充放电过程的快慢取决于时间常数,时间常数越大,过程越短。(2分) ( ) .标准答案:错误 13. 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(2分) ( ) .标准答案:错误 14. 集成放大电路采用直接耦合的主要原因之一是不易制作大容量电容。(2分)( ) .标准答案:正确 15. 脉冲电路是数字电路的基础。在数字设备中,数字信号的波形就是脉冲信号。(2分) ( )

电力电子器件特性和驱动实验一

实验三常用电力电子器件的特性和驱动实验 一、实验目的 (1) 掌握常用电力电子器件的工作特性。 (2) 掌握常用器件对触发MOSFET、信号的要求。 (3) 理解各种自关断器件对驱动电路的要求。 (4) 掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。 (5) 掌握由自关断器件构成的PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、预习内容 (1) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT的结构和工作原理。 (2) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT有哪些主要参数。 (3) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT的静态和动态特性。 (4)阅读实验指导书关于GTO、GTR、MOSFET、IGBT的驱动原理。 三、实验所需设备及挂件

四、实验电路原理图 1、SCR 、GTO 、MOSFET 、GTR 、IGBT 五种特性实验原理电路如下图X-1所示: 图 X-1特性实验原理电路图 三相电网电压

X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图 2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图如下图X-3所示: 图X-3 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图 3、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图如图X-4 图X-4 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图 五、实验内容 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 五种器件特性的测试 2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动电路的研究。 六、注意事项 (1)注意示波器使用的共地问题。 (2)每种器件的实验开始前,必须先加上器件的控制电压,然后再加主回路的电源;实验结束时,必须先切断主回路电源,然后再切断控制电源。 (3)驱动实验中,连接驱动电路时必须注意各器件不同的接地方式。 (4)不同的器件驱动电路需接不同的控制电压,接线时应注意正确选择。 七、实验方法与步骤 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 五种器件特性的测试 1)关闭总电源,按图X-5的框图接主电路

电力电子器件特性和驱动实验一

实验三 常用电力电子器件的特性和驱动实验 一、实验目的 (1) 掌握常用电力电子器件的工作特性。 (2) 掌握常用器件对触发MOSFET 、信号的要求。 (3) 理解各种自关断器件对驱动电路的要求。 (4) 掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。 (5) 掌握由自关断器件构成的PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、预习内容 (1) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的结构和工作原理。 (2) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 有哪些主要参数。 (3) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的静态和动态特性。 (4)阅读实验指导书关于GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的驱动原理。 三、实验所需设备及挂件 四、实验电路原理图 1、SCR 、GTO 、MOSFET 、GTR 、IGBT 五种特性实验原理电路如下图X-1所示: 图 X-1特性实验原理电路图 X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图 三相电网电压

2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图如下图X-3所示: 图X-3 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图 3、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图如图X-4 图X-4 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图 五、实验内容 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 五种器件特性的测试 2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动电路的研究。 六、注意事项 (1)注意示波器使用的共地问题。 (2)每种器件的实验开始前,必须先加上器件的控制电压,然后再加主回路的电源;实验结束时,必须先切断主回路电源,然后再切断控制电源。 (3)驱动实验中,连接驱动电路时必须注意各器件不同的接地方式。 (4)不同的器件驱动电路需接不同的控制电压,接线时应注意正确选择。 七、实验方法与步骤 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 五种器件特性的测试 1)关闭总电源,按图X-5的框图接主电路 图X-5实验接线框图

电路图常见电器元件标识及符号.

电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM 避雷器 F

快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容器 C 电力电容器 CE 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS 温度控制开关,辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT

电力电子器件及其驱动电路实验报告

电力电子技术实验报告姓名 教师 班级 学院

实验一 、电力晶体管(GTR)特性研究 1 ?熟悉(GTR)的开关特性与二极管的反向恢复特性及其测试方法 2. 掌握GTR缓冲电路的工作原理与参数设计要求 二.实验内容 1. 不同负载时的GTF开关特性测试。 2. 不同基极电流时的开关特性测试。 3. 有与没有基极反压时的开关过程比较 4. 并联冲电路性能测试。 5. 串联冲电路性能测试。 6. 二极管的反向恢复特性测试。 三.实验线路 四.实验设备和仪器 1. MCL-07电力电子实验箱中的GTR与PWM波形发生器部分 2. 双踪示波器 3. 万用表 4. 教学实验台主控制屏

五.实验方法 1 ?不同负载时GTR开关特性测试 (1)电阻负载时的开关特性测试 GTF单元的开关S1合向“ ”,将GTF单元的输入“ 1”与“6”分别与PWM波形发生器的输出“ 1”与“ 2”相连,再分别连接GTF单元的“3”与“ 5”,“9”与“ 7”,“ 15”、“ 16” 与“ 19”,“29”与“21”,以及GTF单元的“ 8”、“ 11”、“ 18” 与主回路的“ 4”, GTF单元的“22”与主回路的“1”,即按照以下表格的说明连线。 用示波器观察,基极驱动信号ib (“19”与“18”之间)及集电极电流ic (“21”与“18” 之间)波形,记录开通时间ton,存贮时间ts、下降时间tf。 t on= 1.8 us ,t s= 1.8 us ,t f= 1.2 us (2)电阻、电感性负载时的开关特性测试 除了将主回器部分由电阻负载改为电阻、电感性负载以外(即将“ 1”与“22”断开而将“ 2” 与“22”相连),其余接线与测试方法同上。 t on= 2.1 us,t s=10.0 us,t f= 2.5 us 2.不同基极电流时的开关特性测试 (1)基极电流较小时的开关过程 断开GTR单元“16”与“19”的连接,将基极回路的“ 15”与“19”相连,主回路的“ 1” 与GTR单元的“22”相连,其余接线同上,测量并记录基极驱动信号ib (“19”与“18”之间)及集电极电流ic (“21”与“18”之间)波形,记录开通时间ton,存贮时间ts、下降时间tf o t on= 1.9 us,t s= 10.3 us,t f=2.0 us (2)基极电流较大时的开关过程 将GTR单元的“ 15”与“19”的连线断开,再将“14”与“19”相连,其余接线与测试方法同上。 t on= 1.7 us,t s= 10.9 us,t f= 2.2 us 1. 绘出电阻负载与电阻、电感负载时的G TR ff关波形,并在图上标出ton、tS与tf,并分析 不同负载时开关波形的差异。 电阻负载

电力电子器件驱动电路和电力电子器件器件的保护

湖南省技工学校 理论教学教案 教师姓名: 注:教案首页,教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制

益阳高级技工学校

(2) GTR 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态,使之不进入放大区和深饱 关断GTR时,施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。 关断后同样应在基射极之间施加一定幅值(6V左右)的负偏压。 电压驱动型器件的驱动电路 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。 为快速建立驱动电压,要求驱动电路输出电阻小。使MOSFET 动电压一般10~15V,使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。关断时施加一 定幅值的负驱动电压(一般取-5 ~ -15V)有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。 (2) IGBT的驱动 多采用专用的混合集成驱动器。 益阳高级技工学校

三、电力电子器件器件的保护 1 过电压的产生及过电压保护 电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压 外因过电压:主要来自雷击和系统操作过程等外因。操作过电压:由分 闸、合闸等开关操作引起;雷击过电压:由雷击引起 内因过电压:主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 )换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后,反 向电流急剧减小,会由线路电感在器件两端感应出过电压。 )关断过电压:全控型器件关断时,正向电流迅速降低而由线路电感在器 件两端感应出的过电压。 过电压保护措施 2 过电流保护 过电流——过载和短路两种情况 保护措施 同时采用几种过电流保护措施,提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施,快熔仅作为短路时的部分区段的保护, 益阳高级技工学校

电子元件基础知识44506

电阻器和电容器 电阻器和电容器简称为阻容元件,在各类电子元器件中,它们是生产量最大,使用范围最广 的一类元件。 (一)电阻器(元件符号R) 我们平常在工作中所说的电阻其实是电阻器。 电阻器是一种具有一定阻值,一定几何形状,一定性能参数,在电路中起电阻作用的实体元件。在电路中,它的主要作用是稳定和调节电路中的电流和电压,作为分流器、分压器和消 耗电能的负载使用。 大部分电阻器的引出线为轴向引线,一小部分为径向引线,为了适应现代表面组装技术 (SMT )的需要,还有“无引出线”的片状电阻器(或叫无脚零件),片状电阻器像米粒般 大小、扁平的,一般用自动贴片机摆放,我们公司的SMT机房里面就有。电阻器是非极性 元件,电阻器的阻值可在元件体通过色环或工程编码来鉴别。 种类: 我们常见的电阻器有下列几种: (1)金属膜电阻器(2)碳膜电阻器 (3)线绕电阻器(4)电位器 (5)电阻网络器(6)热敏电阻器 不同的电阻器,不仅其电阻值不同,功能也不一样,所以不同的电阻器是不可以随便替代的。 2.电阻的单位是欧姆(Q ),千欧(K Q ),兆欧(M Q)o 它们的换算公式为106Q =1M Q =103K Q 注意:若在元件体的一端有一宽的银色环,则此元件不是电阻,是电感器,如果这种银色环 与元件体上其它色环宽度相同,则还是电阻。 5 .电阻器的标识方法 (1 )色环法:目前国标上普遍流行色环标识电阻,色环在电阻器上有不同的含义,它具有简单、直观、方便等特点。色环电阻中最常见的是四环电阻和五环电阻。 四环电阻(碳膜电阻) 第一道色环印在电阻的金属帽上,表示电阻有效数字的最高位,也表示电阻值色标法读数的 方向,第二道色环表示有效数字的次高位,第三道色环表示相乘的倍率,第四环表示误差。 金色为土5%,银色为土10%。 值得注意的是:第四环的位置国内外的标法有异,国外有此厂家把第四环也标在另一端的金属 帽上,遇此情况切记:金色或银色的一端不是第一环。第一环是离元件体端部最近的一环。 例:某电阻的色环依次为“黄、紫、红、银”,则该电阻的阻值为4700 Q =4.7K Q,误差为

了解一下常用电子元件电路维修知识

了解一下常用电子元件电路维修知识 一、电容篇 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C25表示编号为25的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示6 字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。 如:102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF 3、电容容量误差表 符号 F G J K L M 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。 4、故障特点 在实际维修中,电容器的故障主要表现为: (1)引脚腐蚀致断的开路故障。 (2)脱焊和虚焊的开路故障。 (3)漏液后造成容量小或开路故障。 (4)漏电、严重漏电和击穿故障。 二、二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V变容二极管 变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。 变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。 2 维修基础知识 变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差: (1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。 (2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。 出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。

电子元器件与电路基础试题

电子元器件与电路基础试题 一、填空题:(20分,每空1分) 1、通常将三极管的输出特性曲线分为( )、( )和( )。 2、基尔霍夫第一定律指的是(), 第二定律指的是()。 3、晶闸管又称(),对于金属封装的单向晶闸管,螺栓一端为(), 较细的引线端为(),较粗的引线端为()。 4、双向晶闸管的主要技术参数包括()、()、 ()、()。 5、场效晶体管按结构分为()、()。 6、固态继电器,简称(),是由()、()、 ()组成的无触电开关。 7、光电耦合器是一种()转换的器件。 二、单项选择题:(每题1分,共10分) 1.电容器上面标示为107,容量应该是() A.10μF B.100μF C.1000μF 2. 两个容值相同的电容器串联和并联使用容值有什么不同?( ) A.串联容量变小,并联容量变大 B.串联容量变大,并联容量变小 C.串联容量变小,并联容量变小 D.串联容量变大,并联容量变大 3、瓷介电容471、103、104请指出最大容量的电容?() A. 471 B.103 C.104 4、4环色环电阻第四环颜色是银色,对应的误差多少?( ) A.5% B.10% C.15% 5、低压小功率三极管条件下最关键的参数是。( ) A.放大系数β值 B.最大耗散功率Pcm C.穿透电流Iceo 6、一个电源变压器输入电压为220V,初级的线圈匝数为3500匝,输出电压为12V请问次级线圈的匝数是:( ) A.235匝 B.150匝 C.191匝 7、贴片电阻的阻值为5.1K,那么上面的标号应该为( ) A.511 B.512 C.513 8、贴片电阻的封装是:( ) A.0805 B.SOT-23 C.TO-92 9、如何判断发光二极管的管脚极性?( ) A.发光二极管的长脚为正极 B.发光二极管的长脚为负极 C.有的二极管有环状标志的一端是正极 10、三极管硅管的导通电压为() A.0.6V B.0.2V C.0.3V 三、判断题:(20分,每题2分) 1、稳压二极管代换时只要稳定电压值相同即可代换。() 2、在RLC谐振电路中,谐振频率f仅由电路参数L和C决定,与电阻R的大

电气控制回路八种常用元件原理介绍1

电气控制回路八种常用元件原理介绍 断路器、接触器、中间继电器、热继电器、按钮、指示灯、万能转换开关和行程开关是电气控制回路中最常见的八种元件,以图文并茂的方式介绍常用电气元件的原理及应用,通过了解它们在电气回路中的作用来掌握这些元件平时的运行情况。 1、断路器 低压断路器又称为自动空气开关,可手动开关,又能用来分配电能、不频繁启动异步电机,对电源线、电机等实行保护,当它们发生严重过载、短路或欠压等故障时能自动切断电路。常用断路器外形图(如下图) 1P微型断路器 3P微型断路器

塑壳断路器断路器文字符号为:QF 断路器图形符号为: 单极断路器图形符号三极断路器图形符号

2、接触器 接触器由电磁机构和触头系统两部分组成,接触器最常见线圈电压有AC380V、AC220V、AC110V、AC36V、AC24V、AC12V和DC220V、DC36V、DC24V、DC12V等多种。常用的有AC380V、AC220V,机床常用的有AC110V、AC36V 、DC36V、DC24V、等几种,外形一样,就是线圈的电压有区别。 接触器电磁机构由线圈、动铁心(衔铁)和静铁心组成;接触器触头系统由主触头和辅助触头两部分组成,主触头用于通断主电路,辅助触头用于控制电路中。常用接触器外形图片 接触器文字符号为:KM 接触器图形符号表示为:

接触器线圈图形符号: 接触器主触头图形符 号 : 接触器辅助常开触头图形符号接触器辅助常闭触头图形符号 3、热继电器 热继电器是利用电流通过元件所产生的热效应原理而反时限动作 的继电器。 热继电器文字符号:FR 热继电器图形符号: ---------------------------------

电子元件基础知识培训考试试题及答案

电子元件基础知识考试试题 部门:姓名:分数: 一、单项选择题:(每题2分,共30分) 1、二极管在电路板上用( B ) 表示。 A、C B、D C、R 2.、一色环电阻颜色为:红-黑-黑-橙-棕其阻值为( C)。 A、200Ω B、20K C、200K 3、47KΩ±1%电阻的色环为( C )。 A、黄-紫-橙-金 B、黄-紫-黑-橙-棕 C、黄-紫-黑-红-棕 4、电感线圈的单位符号是( B )。 A.L B.H C.R 5、下图所示的二极管,描述正确的是( B )图。 A、黑色端代表正极 B、黑色端代表负极 C、以上描述都不对 6、电容量的基本单位是( C ) A.欧姆 B.亨利 C.法拉 7、电容器上面标示为107,容量应该是( B ) A.10μF B.100μF C.1000μF 8、4环色环电阻第四环颜色是银色,对应的误差多少?( B ) A.5% B.10% C.15% 9、前四环为棕黑黑红的五环电阻标值为多少?( B ) A.100欧姆 B.10K欧姆 C.1K欧姆 10、贴片电阻的阻值为5.1K,那么上面的标号应该为( B ) A.511 B.512 C.513 11 、电容的单位换算正确的是( C ) A.1F=1000000μF B. 1μF =1000000pF C.以上都是 12、电阻按照封装来分非为:( A ) A.贴片电阻,插件电阻 B.水泥电阻,功率电阻 C.色环电阻,标码电阻 13、电感的单位换算正确的是( A ) A.1H=1000,000uH B.1H=1000,000,000uH C.1mH=1000,000uH 14、如何判断发光二极管的管脚极性?( A ) A.发光二极管的长脚为正极 B.发光二极管的长脚为负极 C.有的二极管有环状标志的一端是正极 15、贴片电阻的封装是:( A ) A.0805 B.SOT-23 C.TO-92 二、填空题:(每空1分,共30分) 1. 电阻用字母 R 表示,电阻的基本单位是Ω或者(欧姆),电容用字母 C 表示。 2. 电容的基本单位是 F 或者(法拉) ,二极管用字母 D 表示,IC用字母U 表示。 3. 为保护静电敏感元件,在人接触静电敏感元件时要:穿防静电衣,戴防静电帽,戴防静电手环。 4、配戴静电环时必须戴紧。对静电敏感元件有IC ,,晶体管等。(至少写一种) 5、电阻换算:1MΩ= 103KΩ= 106Ω。

电子元器件基础知识【大全】

电子元器件基础知识 内容来源网络,由“深圳机械展(11万㎡,1100多家展商,超10万观众)”收集整理! 更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、数控系统、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示,就在深圳机械展. 电子元器件是元件和器件的总称。是电子元件和小型机器、仪器的组成部分,其本身常由若干零件构成,可以在同类产品中通用。常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件,如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。 电子元器件组成 电子元器件由两大部分构成:电子器件和电子元件。 电子器件 指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。 电子元件

指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子,对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等),所以又称有源器件。按分类标准,电子器件可分为12个大类,可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。 常用电子元器件介绍 常用的电子元器件有:电阻、电容、电感、电位器、变压器、二极管、三极管、mos管、集成电路等等。 下面就来介绍几个常用的元器件。 电阻 导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。 电阻小的物质称为电导体,简称导体。 电阻大的物质称为电绝缘体,简称绝缘体。 在物理学中,用电阻(resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大,表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体,电阻一般不同,电阻是导体本身的一种性质。 导体的电阻通常用字母R表示,电阻的单位是欧姆(ohm),简称欧,符号是Ω。比较大的单位有千欧(kΩ)、兆欧(MΩ)(兆=百万,即100万)。

电力电子器件驱动电路精编

电力电子器件驱动电路精 编 Jenny was compiled in January 2021

驱动电路的比较 电力电子器件的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口,是电力电子装置的重要环节,对整个装置的性能有很大的影响。电力电子器件对驱动电路的一般性要求 ①驱动电路应保证器件的充分导通和可靠关断以减低器件的导通和开关损耗。 ②实现与主电路的电隔离。 ③具有较强的抗干扰能力,目的是防止器件在各种外扰下的误开关。 ④具有可靠的保护能力当主电路或驱动电路自身出现故障时(如过电流和驱动电路欠电压等),驱动电路应迅速封锁输出正向驱动信号并正确关断器件以保障器件的安全。按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。晶闸管是半控型器件,一般其驱动电路成为触发电路,下面分别分析晶闸管的触发电路,GTO、GTR、电力MOSFET和IGBT的驱动电路。 1晶闸管的触发电路

晶闸管的触发电路的工作原理如下: 1 由V1、V2构成的脉冲放大环节和脉冲变压器TM和附属电路构成的脉冲输出环节两部分组成。 2 当V1、V2导通时,通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。 3 VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设的。 4 为了获得触发脉冲波形中的强脉冲部分,还需适当附加其它电路环节。 晶闸管的触发电路特点:触发脉冲宽度要保证晶闸管可靠导通,有足够的幅值也不能超过晶闸管门级的电压、电流和功率定额等参数。 2 GTO驱动电路 GTO的开通控制与普通晶闸管相似,下图为典型的直接耦合式GTO驱动电路,其工作原理可分析如下:

实用电子元器件与电路基础((美)舍茨(scherz.doc

《实用电子元器件与电路基础》((美)舍茨(Scherz,P.)著) ◆内容简介 本书是一本实用性非常强的电子元器件和实用电子电路的参考工具书。 本书从电路基本原理的介绍开始,对各种类型的电子元器件进行了详细具体的分类介绍。首先重点介绍了包括电阻,电感,电容,变压器等在内的基本电子元器件;然后分别介绍了各种半导体器件、光电器件、运算放大器、直流稳压和调压器件、电声器件等专用元器件;介绍了各种滤波电路的设计及实用电路、各种振荡电路及555时基电路;在数字电路中,从各种门电路、触发器开始,详细介绍了各种中规模集成数字器件,如寄存器、计数器、编码器、译码器、数据选择器、数据分配器、数字显示器,以及大规模集成电路的存储器、可编程逻辑器件、微处理器等;在电机及控制电路中,介绍了直流电机、伺服电机和步进电机等。详细提供了各种元器件的型号、参数、接线引脚、外形、实物图片等,并给出了典型的实用电路图;在本书的最后,结合图解的方法,详细地介绍了制作实用电子电路的过程、方法、步骤和注意事项,以及常用仪器仪表的操作使用,元器件的选择等。 本书可作为电子工程技术人员,电子爱好者的电子元器件和实用电子电路的参考工具书,也可以作为大专院校的教学参考书。 ◆目录 第1章电子学简介 第2章基本理论 2.1 电子学概论 2.2 电流 2.3 电压 2.4 导体的微观结构 2.5 电阻、电阻率和电导率 2.6 绝缘体,导体和半导体 2.7 热和功 2.8 热传导和热阻 2.9 导线规格 2.10 接地 2.11 电路 2.12 欧姆定律和电阻器 2.13 电压源和电流源 2.14 电压,电流和电阻的测量 2.15 电池的串并联 2.16 开路和短路 2.17 基尔霍夫定律 2.18 叠加原理 2.19 戴维南定理和诺顿定理 2.20 交流电路 2.21 交流及电阻,电压和电流的有效值 2.22 电力网

常见电子元件认识

常见电子元件认识 常见电子元件认识 目录 1. 电阻 (2) 2. 电容 (2) 3. 电感 (2) 4. 晶体二极管 (3) 5. 晶体三极管 (3) 6. 双栅极场效应管 (3) 7. 集成电路 (3) 8. 印刷电路板 (3) 9. 电解电容 (3) 10. 磁棒 (3) 11. 中周 (3) 12. 滤波器 (3) 13. 晶振 (3) 14. 开关 (3) 15. 线圈 (3) 16. 连接插座 (3) 制订者:批准者: 日期: 日期:

常见电子元件认识 常见电子元件认识 在我们生产的产品中,PNP,插件接触的元器件有电阻、电容、二极管、三极管、双栅极场效应管、IC、PCB板等,下面分别对其简单说明。 1、电阻(RESISTOR 简称RES) 1-01.分类 (1)固定电阻: 按材料分有金属皮膜,碳素皮膜等电阻; 按外形分有插脚电阻,表面电阻等电阻; 按名称分有热敏电阻,压敏电阻,色环电阻,贴片电阻等电阻 (2)微调电阻:亦称半可调电阻 (3)可调电阻:亦称电位器或可变电阻 一般情况下(1)类电阻值不变化,(2)(3)类电阻阻值可随调整而变化,我们常用的有色环电阻,代号类电阻,表面电阻等,此类电阻没有方向性 1-02.基本单位及换算:

常见电子元件认识 如右图(二)所示: A=第一色环(十位数) C=第三色环(幂指数) B=第二色环(个位数) D=最末环(误差值色环) 电阻值计算:R =(A ×10+B )×10C A=红色=2 C=黄色=4 B=黑色=0 D=银色=±10% 电阻值:R=(2×10+0)×104 =200 K Ω 误差值:=±10% (二) 即该阻值180=200-200×10%≤R ≤200+200×10%=220内均为OK 注:区分最末环 1)一般金色、银色为最末环 2)与其它色环隔离较远的一环为最末环 特例:五色环电阻的计算方法与四色环计算方法相同,五色色环前三位 为有效数字,如右图(三)所示: A=第一色环(百位数) A=红色2 (三) B=第二色环(十位数) B=红色2 C=第三色环(个位数) C=棕色1 D=第四色环(幂指数) D=橙色3 E=最末环(误差值色环) E=红色=±2% 电阻值计算:R=(A ×100+B ×10+C )×10D R=(2×100+2×10+1)×103 误差值:=±2% 注:由于五色环电阻阻值准确,通常只有两种误差代号:±1%及±2% 1-03-02 代号类电阻,如右图(四)所示: 其阻值用三位代号数值来表示。 计算方法有两种:a )用LCR 测试仪直接读出其电阻值; b )根据表面数值来计算 (四) 代号 电阻值 101 10×10=100Ω 102 10×100=1K Ω 103 10×1000=10K Ω 104 10×10000=100K Ω 271 27×10=270 B A C D 分隔开 B A C D E 103

相关文档
相关文档 最新文档