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半导体概念题

半导体概念题
半导体概念题

1.同质结:同种半导体构成的结。

.同型结:同种导电类型构成的结。

2.突变结:P区和N区之间的杂质分布变化陡峭的PN结。

3.线性缓变结:P区和N区之间的杂质分布变化比较缓慢,可看成是线性变化的PN结。

4.单边突变结:PN结一侧的掺杂浓度比另一侧的高得多,表示为P+N或PN+。

5.正向注入:正偏时,扩散流大于漂移流,n区电子扩散到p区(-xp)处积累成为p区的少子;p区的空穴扩散到n 区的(xn)处积累成为n区的少子。

6.反向抽取:反偏时,p区的电子漂移到n区,n区的空穴漂移到p区。

7.变容二极管:工作在反偏状态下的二极管,势垒电容随反偏电压的增加而减小。

8.肖特基二极管:金属和半导体形成整流接触时具有正向导通,反向截止的作用。

9. 势垒电容Cj:形成空间电荷区的电荷随外加电压变化所引起的电容。

10.扩散电容Cd:p-n结处于正偏时,扩散区的存储电荷随偏压变化所引起的电容。

11.真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量

12.功函数:从费米能级到真空能级的能量差

13.电子亲和势:真空能级到导带底的能量差

14.欧姆接触:它在所使用的结构上不会添加较大的寄生阻抗,且不足以改变半导体内的平衡载流子浓度,使器件特性受到影响。

15.整流接触:金属与半导体形成的具有整流效应的接触,又称为整流结。

16. 发射效率:发射区的多子扩散到基区形成的电流分量与流过发射极的总电流的比值。

17.基区输运系数:发射区多子扩散到基区,又穿过基区到达集电区形成的电流分量与发射区多子扩散到基区形成的电流分量的比值。

18. 基区宽度调制效应:基区准中性宽度随外加电压VBE和VBC的变化而变化的现象。

19.基区击穿/穿通电压:若在发生雪崩击穿之前集电结的空间电荷层到达了发射结,则晶体管穿通,这个击穿电压就叫做穿通电压,过程即为基区穿通。

20.电流集边效应:注入电流向发射结边缘集中的现象称为发射极电流集边效应。

21.场效应:导电沟道的电导受控于栅极偏压。

22.沟道:当外加的栅电压足够时,形成耗尽层并在SiO2下开始积累电荷形成反型层,这电荷连接了漏极和源极而导通,这就是沟道。

23.沟道电荷:半导体表面反型层中的反型层中的反型载流子(少子)电荷。

24.积累:半导体表面的多数载流子浓度大于体内热平衡多数载流子浓度的情况。

25.耗尽:与电离杂质浓度相比,半导体表面的自由载流子浓度可以忽略的现象。

26.反型:半导体表面的少数载流子浓度高于本证载流子浓度的现象。

27.阈值电压VT:使半导体表面出现强反型所需要的最小栅偏压。

28.平带电压Vfb:使半导体表面能带呈平带状态所需要外加的电压。

29.夹断电压VDSAT:导电沟道中靠近楼段的反型层电荷为0时,所加的漏端电压。

30.沟道电导:漏极电流对漏极电压的变化率。

31.跨导:漏极电流对栅极电压的变化率。

1. 二极管的存贮延迟时间和反向恢复时间及其物理根源

电荷存储和反向恢复时间:正偏时,电子从n区注入到p区,空穴从p区注入到n区,在耗尽层边界有少子的积累。导致p-n结内有等量的过剩电子和空穴-电荷的存储。

突然反向时,这些存储电荷不能立即去除,消除存储的电荷有两种途径:复合和漂移。都需要经过一定时间ts, p-n结才能达到反偏状态,这个时间为反向恢复时间。

6. 保持在室温的pn结二极管内部的稳态载流子浓度如下图所示:

(1)二极管是正偏还是反偏?解释你的答案是怎样得到的?

(2) 在二极管中小注入条件占优势吗?解释你的答案是怎样得到的?

(3)定性说明在耗尽区边界少数载流子的积累或存贮与扩散电容(C)之间有什么物理上的联系?

(4)定性说明在耗尽区边界少数载流子的积累或存贮与在瞬态关断过程中观察到的存贮延迟时间(ts)之间有什么物理上的联系?

电荷存储和反向恢复时间:正偏时,电子从n区注入到p区,空穴从p区注入到n区,在耗尽层边界有少子的积累。导致p-n结内有等量的过剩电子和空穴-电荷的存储。

突然反向时,这些存储电荷不能立即去除,消除存储的电荷有两种途径:复合和漂移。都需要经过一定时间ts, p-n结才能达到反偏状态,这个时间为反向恢复时间

2. 对一个具有良好放大能力的三极管的发射区(E区),基区(B区)和集电区(C区)的掺杂浓度和基区的宽度各有什么要求?为什么?

NE>>NB>NC, 目的是使三极管有更大的发射效率,从而提高放大系数

WB<

3. 双结型晶体管中ICBO和VCBO的物理意义?并画出实验中用晶体管图示仪测试pnp晶体管ICBO和VCBO的电路图

ICBO的物理意义:三极管的发射极开路时,CB结反偏时,流过CB的反向饱和电流。VCBO的物理意义:三极管的发射极开路时,能加在集电极-基极间的最大反向电压,即CB端的击穿电压。测试电路图如下:

5. 三极管的基区做成缓变基区的优点是什么?

在基区形成内建电场,在内建电场的作用下,从发射区扩散到基区的载流子可以更快的传输到发射区,提高基区传输因子,减少基区渡越时间,从而可以提高三极管的放大系数和特征频率。

半导体物理基本概念-2014年

半导体物理基本概念: 离子晶体, 共价晶体, 晶胞, 肖脱基缺陷,费仑克尔缺陷,施(受)主杂质, 施(受)主电离能, 直(简)接复合, 复合率, 量子态密度, 状态密度, 有效状态密度, 绝缘体(半导体\导体)能带特点, 深(浅)杂质能级, 费米能级, 平衡态, 非平衡态, 载流子漂移运动,空穴,陷阱, 陷阱中心, 扩散系数, 扩散长度, 散射几率,电离杂质散射,迁移率, 复合中心,直接复合,间接复合, 简并半导体, 非简并半导体, 爱因斯坦关系 离子晶体:正负离子交替排列在晶格格点上,靠离子键结合成。 共价晶体:由共价键结合而成的晶体叫共价晶体。 (补充:晶体的分类(按原子结合力的性质分) 离子晶体:正负离子交替排列在晶格格点上,靠离子键结合成。 原子晶体:晶格格点上交替排列的是原子,依靠共价键结合而成。 分子晶体:占据晶格中格点位置的是分子,依靠范德瓦耳斯力结合而成。 金属晶体:晶格格点上排列着失去价电子的离子实,依靠金属键结合而成。) 晶胞:反映布拉菲点阵对称性的前提下,构成布拉菲点阵的平行六面体。除顶点上外,内部和表面也可以包含格点。 肖脱基缺陷:晶体结构中的一种因原子或离子离开原来所在的格点位置而形成的空位式的点缺陷 费仑克尔缺陷:指晶体结构中由于原先占据一个格点的原子(或离子)离开格点位置,成为间隙原子(或离子),并在其原先占据的格点处留下一个空位,这样的空位-间隙对就称为弗仑克尔缺陷 施主杂质:杂质在硅、锗等半导体中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。 施主电离能:多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。 受主杂质:杂质在硅,锗等半导体中能接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心。 受主电离能:使空穴挣脱受主杂质成为导电空穴所需要的能量。 直接复合:电子在导带和价带之间直接跃迁而产生复合 间接复合:电子和空穴通过禁带的能级进行复合 载流子复合率:单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。 量子态密度:k空间单位体积内具有的量子态数目。 状态密度:能量E附近单位能量间隔内的量子态数。 有效状态密度: 绝缘体能带特点:价带全部被电子填满,禁带上面的导带是空带,且禁带宽度较大。 半导体能带特点:价带全部被电子填满,禁带上面的导带是空带,但禁带宽度相对较小。 导体能带特点: 深杂质能级:若杂质提供的施主能级距离导带底较远;或提供的受主能能级距离价带顶较远,这种能级称为深能级,对应的杂质称为深能级杂质。 浅杂质能级:通常情况下,半导体中些施主能级距离导带底较近;或受主能能级距离价带顶较近。这种能级称为浅能级,对应的杂质称为浅能级杂质。

半导体产业介绍

半导体整个生态链 主要分为:前端设计(design),后端制造(mfg)、封装测试(package),最后投向消费市场。 不同的厂商负责不同的阶段,环环相扣,最终将芯片集成到产品里,销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类,一类是IDM (Integrated Design and Manufacture),包含设计、制造、封测全流程,如Intel、TI、Samsung这类公司;另外一类是Fabless,只负责设计,芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry,如华为海思、展讯、高通、MTK(台湾联发科)等。 前端设计是整个芯片流程的“魂”,从承接客户需求开始,到规格、系统架构设计、方案设计,再到Coding、UT/IT/ST(软件测试UT:unit testing 单元测试IT: integration testing 集成测试ST:system testing 系统测试),提交网表(netlist或称连线表,是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式)做Floorplan,最终输出GDS(Graphics Dispaly System)交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同,负责前端设计的工程师要提前差不多半年,开始熟悉工艺库,尝试不同的Floorplan设计,才能输出Foundry想要的GDS。 后端制造是整个芯片流程的“本”,拿到GDS以后,像台积电,就是Foundry 厂商,开始光刻流程,一层层mask光刻,最终加工厂芯片裸Die。 封装测试是整个芯片流程的“尾”,台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die,外面没有任何包装。从晶圆图片,就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西,上面横七竖八的划了很多线,切出了很多小方块,那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的,需要外面加封装,用金线把芯片和PCB板连接起来,这样芯片才能真正的工作。 台积电是目前Foundry中的老大,华为麒麟系列芯片一直与台积电合作,如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。 半导体行业的公司具主要分为四类: 集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture):指不仅设计和销售微芯片,也运营自己的晶圆生产线。Intel,SAMSUNG(三星),东芝,ST(意法半导体),Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。 无晶圆厂供应商Fabless:公司自己开发和销售半导体器件,但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如:Altera(FPL),爱特(FPL),博通(网路器件),CirrusLogicCrystal(音频,视频芯片),莱迪思(FPL),英伟达(FPL),

2013各板块龙头股一览表

2012年各板块龙头股一览表(全) (1).指标股:中国石油、工商银行、建设银行、中国石化、中国银行、中国神华、招商银行、中国铝业、中国远洋、宝钢股份、中国国航、大秦铁路、中国联通、长江电力 (2).金融、证券、保险:招商银行、浦发银行、民生银行、深发展A、工商银行、中国银行、中信证券、宏源证券、陕国投A、建设银行、华夏银行、中国平安、中国人寿 (3).地产:万科A、金地集团、招商地产、保利地产、泛海建设、华侨城A、金融街、中华企业 (4).航空:中国国航、南方航空、上海航空 (5).钢铁:宝钢股份、武钢股份、鞍钢股份 (6).煤炭:中国神华、兰花科创、开滦股份、兖州煤业、潞安环能、恒源煤电、国阳新能、西山煤电、大同煤业 (7).重工机械:江南重工、中国船舶、三一重工、安徽合力、中联重科、晋西车轴、柳工、振华港机、广船国际、山推股份、太原重工 (8).电力能源:长江电力、华能国际、国电电力、漳泽电力、大唐发电、国投电力 (9).汽车:长安汽车、中国重汽、一汽夏利、一汽轿车、上海汽车、江铃汽车 (10).有色金属:中国铝业、山东黄金、中金黄金、驰宏锌锗、宝钛股份、宏达股份、厦门钨业、吉恩镍业、中金岭南、云南铜业、江西铜业 (11).石油化工:中国石油、中国石化、中海油服、海油工程、金发科技、上海石化 (12).农林牧渔:北大荒、通威股份、中牧股份、新希望、中粮屯河、丰乐种业、新赛股份、敦煌种业、新农开发、冠农股份、登海种业 (13).环保:龙净环保、菲达环保 (14).航天军工:中国卫星、火箭股份、西飞国际、航天信息、航天通信、哈飞股份、成发科技、洪都航空 (15).港口运输:中国远洋、中海海盛、中远航运、上港集团、中集集团 (16).新能源:天威保变、丰原生化 (17).中小板:苏宁电器、思源电器、丽江旅游、华星化工、科华生物、大族激光、中捷股份、华帝股份、苏泊尔、七匹狼、航天电器、华邦制药 (18).电力设备:东方电机、东方锅炉、特变电工、平高电气、国电南自、华光股份、湘电股份 (19).科技类:歌华有线、东方明珠、综艺股份、中信国安、方正科技、清华同方 (20).高速类:赣粤高速、山东高速、福建高速、中原高速、粤高速、宁沪高速、皖通高速 (21).机场类:深圳机场、上海机场、白云机场 (22).建筑用品:中国玻纤、长江精工、海螺型材 (23).水务:首创股份、南海发展、原水股份 (24).仓储物流运输:中化国际、铁龙物流、外运发展、中储股份 (25).水泥:海螺水泥、华新水泥、冀东水泥 (26).电子类:晶源电子、生益科技、法拉电子、华微电子、彩虹股份、广电电子、深天马A、东信和平 (27).软件:用友软件、东软股份、恒生电子、中国软件、金证股份、宝信软件 (28).超市:大商股份、华联综超、友谊股份、上海家化、武汉中百、北京城乡、大连友谊、新华传媒 (29).零售:王府井、广州友谊、新华百货、重庆百货、银座股份、益民百货、中兴商业、东百集团、百联股份、武汉中商、西单商场、上海九百 (30).材料:星新材料、中材国际 (31).酒店旅游:华天酒店、黄山旅游、峨眉山、丽江旅游、锦江股份、桂林旅游、北京旅游、西安旅游、中青旅游、首旅股份 (32).奥运:北京城建、中体产业 (33).酒类:贵州茅台、五粮液、张裕A、古越龙山、水井坊、泸州老窖 (34).造纸:岳阳纸业、华泰股份、晨鸣纸业 (35).啤酒:青岛啤酒、燕京啤酒 (36).家电:佛山照明、青岛海尔、四川长虹、海信电器、格力电器、美的电器、苏泊尔 (37).特种化工:烟台万华、金发科技、三爱富、华鲁恒升

半导体制造基本概念

半导体制造基本概念 晶圆(Wafer) 晶圆(Wafer)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅,再经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长,重76.6公斤的8?? 硅晶棒,约需2天半时间长成。经研磨、??光、切片后,即成半导体之原料晶圆片。 光学显影 光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率,更在IC 制程的进步上,扮演着最关键的角色。由于光学上的需要,此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。 干式蚀刻技术 在半导体的制程中,蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应。 电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先,电浆会将蚀刻气体分子分解,产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷。 晶圆系置于带负电的阴极之上,因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻,而后者也是干式蚀刻的重要角色。 基本上,随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同,蚀刻由下列两种模式单独或混会进行:

1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出。 2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击(sputtering)出来。 化学气相沉积技术 化学气相沉积是制造微电子组件时,被用来沉积出某种薄膜(film)的技术,所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时,包含有被沉积材料之原子的气体,会被导入受到严密控制的制程反应室内。当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时,会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。 CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有,不过最重要的是其厚度都必须足够均匀。较为常见的CVD薄膜包括有: ■二气化硅(通常直接称为氧化层) ■氮化硅 ■多晶硅 ■耐火金属与这类金属之其硅化物 可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层(plasmas nitride dielectrics)是目前CVD技术最广泛的应用。这类薄膜材料可以在芯片内部构成三种主要的介质薄膜:内层介电层(ILD)、内金属介电层(IMD)、以及保护层。此外、金层化学气相沉积(包括钨、铝、氮化钛、以及其它金属等)也是一种热门的CVD应用。 物理气相沉积技术 如其名称所示,物理气相沉积(Physical Vapor Deposition)主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气,藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后,可将靶材原子一个个溅击出来,并使被溅击出来的材质(通常为铝、钛或其合金)如雪片般沉积在晶圆表面。制程反应室内部的高温与高真空环境,可使这些金属原子结成晶粒,再透过微影图案化(patterned)与蚀刻,来得到半导体组件所要的导电电路。 解离金属电浆(IMP)物理气相沉积技术

《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲

《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲 课程类别:技术基础必修课课程代码:BT1410_2 总学时:总学时48 (双语讲授48) 适用专业:微电子制造工程 先修课程:大学物理、半导体物理、微电子制造基础 一、课程的地位、性质和任务 本课程是微电子制造工程专业的一门必修的专业技术基础课。其作用与任务是:使学生对集成电路制造工艺及其设备有一个比较系统、全面的了解和认识,初步掌握硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化等工艺及其设备,工艺集成以及CMOS工艺的基础理论。 二、课程教学的基本要求 1.初步掌握半导体工艺流程的基本理论与方法; 2.掌握半导体制造技术的基本工艺(硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注 入、金属化、化学机械平坦化)及其设备; 3.初步掌握工艺集成与当前最新的CMOS工艺流程。 三、课程主要内容与学时分配 1、半导体制造概述3学 时 半导体制造在电子制造工程中的地位与概述、基本概念、基本内容 2、硅材料制备3学 时 直拉法、区熔法 3、氧化4学时 氧化物作用、氧化原理、氧化方法、氧化工艺、氧化炉 4、淀积5学 时 物理淀积与化学气相淀积(CVD)、淀积工艺、CVD淀积系统 5、光刻8学 时 光刻胶、光刻原理、光刻工艺、光刻设备、先进光刻技术、光学光刻与软光刻。 6、刻蚀4学 时 刻蚀方法、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子刻蚀、刻蚀反应器 7、离子注入3学 时 扩散、离子注入原理、离子注入工艺、离子注入机 8、金属化4学时 金属类型、金属化方案、金属淀积系统、铜的双大马士革金属化工艺 9、化学机械平坦化(CMP)2学时 传统平坦化技术、化学机械平坦化CMP工艺、CMP应用

半导体FAB里基本的常识简介

半导体F A B里基本的 常识简介精选文档 TTMS system office room 【TTMS16H-TTMS2A-TTMS8Q8-

CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一,是需要一个无尘室,为何需要无尘室 答:由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体? 答:半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何 答:硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa) 何谓VLSI 答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路 在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什幺 答:介电质(Dielectric) 薄膜区机台主要的功能为何 答:沉积介电质层及金属层

何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答:CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种? 答:PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线? 答:良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何? 答:做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答:称为金属沉积前的介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric) 答:金属层间介电质层。 何谓USG? 答:未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass) 何谓FSG? 答:掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)

半导体物理学基本概念汇总

半导体物理学基本概念 有效质量-----载流子在晶体中的表观质量,它体现了周期场对电子运动的影响。其物理意义:1)有效质量的大小仍然是惯性大小的量度;2)有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递,因此可正可负。 空穴-----是一种准粒子,代表半导体近满带(价带)中的少量空态,相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子,描述了近满带中大量电子的运动行为。 回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动,此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场,当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时,发生强烈的共振吸收现象,称为回旋共振。施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。 杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。 n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。 p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。 浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶,即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。 深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底(施主)或价带顶(受主),即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小,但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。 杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时,存在杂质补偿现象,即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级,实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度,即两者之差。

半导体物理学期末复习试题及答案一

1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 ( B )。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半 导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费 米能级会( B )。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数,它和( B )有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型 ( B )。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是( A )能隙结构。 A. 直接 B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( A )杂质作

用,若Si 取代As 则起( B )杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 ( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的 量子态被电子占据的概率为( A )。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中,AB 段代表 ( A ),CD 段代表(B )。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件( B )。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为:( B )。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13. 一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载流子,若光照

半导体FAB里基本的常识简介

CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一,是需要一个无尘室,为何需要无尘室 答:由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W 答:半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G 答:硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D 何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G 答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \ t9 x5 L4 K% _2 f 在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I 答:介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w 薄膜区机台主要的功能为何 答:沉积介电质层及金属层 何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答:CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD分那几种? 答:PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ? 答:良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [ 答:做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答:称为金属沉积前的介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b 何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b 答:金属层间介电质层。1 X8 g' q a0 h3 k4 r" X$ l. l 何谓USG? 答:未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! A M+ U( w/ Q 何谓FSG? 答:掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG?& ~- I3 f8 i( Y! M) q, U 答:掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)6 f/ g4 U& D/ }5 W 何谓TEOS? 答:Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅 TEOS在常温时是以何种形态存在? 答:液体" q) ]0 H- @9 p7 C8 P; D8 Y. P) X 二氧化硅其K值为3.9表示何义( Y! @1 J! X+ P; b* _$ g 答:表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍6 H9 v' O5 U U" R9 w! o$ ` 氟在CVD的工艺上,有何应用 答:作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体4 Z& Z5 a* E6 m+ F 简述Endpoint detector之作用原理.6 [2 d$ j" l7 p4 V. f 答:clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测

第一章半导体基础知识(精)

第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义,工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管(BJT和FET)的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲,每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同,电工材料可分为三类:导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料,半导体的电阻率为10-3~10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别:当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化;往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时,会使它的导电能力具有可控性;这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”,它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电,成为自由电子。这一现象称为本征激发(也称热激发)。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡,此时,载流子浓度一定,且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流,空穴的定向运动也可形成空穴电流,因此,在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子(即载流子),这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电,而电子的运动与空穴的运动方向相反,因此认为空穴带正电。

半导体物理学第七版完整答案修订版

半导体物理学第七版完 整答案修订版 IBMT standardization office【IBMT5AB-IBMT08-IBMT2C-ZZT18】

第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k) 分别为: E C (K )=0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ (1)禁带宽度; (2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子 自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=? 补充题1 分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提 示:先画出各晶面内原子的位置和分布图) Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:

(a )(100)晶面 (b )(110)晶面 (c )(111)晶面 补充题2 一维晶体的电子能带可写为)2cos 81 cos 8 7()22ka ka ma k E +-= (, 式中a 为 晶格常数,试求 (1)布里渊区边界; (2)能带宽度; (3)电子在波矢k 状态时的速度; (4)能带底部电子的有效质量* n m ; (5)能带顶部空穴的有效质量*p m 解:(1)由 0)(=dk k dE 得 a n k π = (n=0,?1,?2…) 进一步分析a n k π ) 12(+= ,E (k )有极大值, a n k π 2=时,E (k )有极小值

半导体厂GAS系统基础知识解读

GAS 系 统 基 础 知 识

概述 HOOK-UP专业认知 一、厂务系统HOOK UP定义 HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。 机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。HOOK UP 项目主要包括∶CAD,MOVE IN ,CORE DRILL,SEISMIC ,VACUU,GAS,CHEMICAL, D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN. 二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识 在半导体厂,所谓气体管路的Hook-up(配管衔接)以Buck Gas (一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等)而言,自供气源之气体存贮槽出口点经主管线(Main Piping)至次主管线(Sub-Main Piping)之Take Off点称为一次配(SP1

Hook-up),自Take Off出口点至机台(Tool)或设备(Equipment)的入口点,谓之二次配(SP2 Hook-up)。以Specialty Gas(特殊性气体如:腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体)而言其供气源为气柜(Gas Cabinet)。自G/C出口点至VMB(Valve Mainfold Box.多功能阀箱)或VMP(Valve Mainfold Panel多功能阀盘)之一次测(Primary)入口点,称为一次配(SP1 Hook-up),由VMB或VMP Stick之二次侧(Secondary)出口点至机台入口点谓之二次配(SP2 Hook-up)。

半导体物理学题库讲解

一.填空题 1.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________,引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。(二阶导数,内部势场) 2.半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________(即量子态按能量如何分布)和_________(即电子在不同能量的量子态上如何分布)。(状态密度,费米分布函数) 3.两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电,达到热平衡后两者的费米能级________。(正,相等) 4.半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央,其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处,因此属于_________半导体。([100],间接带隙) 5.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。(弗仑克耳缺陷,肖特基缺陷) 6.在一定温度下,与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________,高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。(1/2,1/1+exp(2)) 7.从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。(间接带隙,直接带隙) 8.通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统,服从_________的电子系统称为简并性系统。(玻尔兹曼分布,费米分布) 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。(温度,禁带宽度) 10. 半导体的晶格结构式多种多样的,常见的Ge和Si材料,其原子均通过共价键四面体相互结合,属于________结构;与Ge和Si晶格结构类似,两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。(金刚石,闪锌矿) 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体,否则称为_________禁带半导体。(直接,间接) 12. 半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。(电离杂质的散射,晶格振动的散射) 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。(电子和空穴,复合中心)

半导体物理学基本概念

半导体物理学基本概念 1.离子晶体:由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。离子晶体中, 正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。 2.共价晶体:主要由共价键结合而成的晶体。共价晶体中共价键的方向性与饱与性规定了共 价晶体中原子间结合的方向性与配位数。由于共价键非常稳定,所以一般来说,共价晶体的结构很稳定,具有很高的硬度与熔点。由于所有的价电子都参与成键,不能自由移动,因而共价晶体通常不导电。 3.晶胞:晶格中最小的空间单位。一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。 4.弗仑克耳缺陷(肖特基缺陷):在一定温度下,晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动,而 且一部分原子会获得足够的能量,克服周围原子对它的束缚,挤入晶格原子间的间隙,形成间隙原子,原来的位置便成为空位。这时间隙原子与空位就是成对出现的,称为弗仑克耳缺陷。若只在晶体内形成空位而无间隙原子时,称为肖特基缺陷。 5.施主(受主)杂质及施主(受主)电离能:V族杂质在硅、锗中电离时,能够释放电子而产生导 电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。使多余的价电子挣脱束缚成为导 电电子所需的能量称为杂质电离能,用△表示。 Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心,称它们为受主杂质或p型杂质。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能, 用Δ、 6.直接(间接)复合:电子在导带与价带之间的直接跃迁,引起电子与空穴的直接复合。电子与 空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合。根据复合过程发生的位置,又可以把它区分为体内复合与表面复合。 7.复合率:n与p分别表示电子浓度与空穴浓度。单位体积内,每一个电子在单位时间内都有 一定概率与空穴复合,这个概率显然与空穴浓度成正比,可以用rp表示,那么复合率R就有如下的形式:R=rnp ,比例系数r 称为电子--空穴复合概率。 8.量子态密度:单位k空间中的量子态数,称为k空间的量子态密度。 9.状态密度:在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数,g(E)=、 10.有效状态密度:把导带中所有量子态都集中在导带底(把价带中所有量子态都集中在价 带顶)、 11.绝缘体(导体、半导体)能带特点:绝缘体的禁带宽度很大,激发电子需要很大能量,在通常 温度下,能激发到导带去的电子很少,所以导电性很差。 半导体禁带宽度比较小,数量级在1eV左右,在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去,所以具有一定的导电能力。半导体在热力学温度为零时,满带(价带)被价电子占满,在外电场作用下并不导电。当温度升高或有光照时,导带的电子与价带的空穴均参与导电。 导体原子中的价电子占据的能带就是部分占满的,在外电场作用下,电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去,形成了电流,起导电作用。 12.深(浅)杂质能级:非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生施主能级距离导带底较远,它们产 生的受主能级距离价带顶也较远,通常称这种能级位深能级。相应的杂质称为神能级杂

半导体物理学基本概念(版)

半导体物理学基本概念 1.离子晶体:由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。离子晶体 中,正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。 2.共价晶体:主要由共价键结合而成的晶体。共价晶体中共价键的方向性和饱和性规定了 共价晶体中原子间结合的方向性和配位数。由于共价键非常稳定,所以一般来说,共价晶体的结构很稳定,具有很高的硬度和熔点。由于所有的价电子都参与成键,不能自由移动,因而共价晶体通常不导电。 3.晶胞:晶格中最小的空间单位。一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。弗仑克耳缺陷(肖特基缺陷):在一定温度下,晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动,而且一部分原子会获得足够的能量,克服周围原子对它的束缚,挤入晶格原子间的间隙,形成间隙原子,原来的位置便成为空位。这时间隙原子和空位是成对出现的,称为弗仑克耳缺陷。若只在晶体内形成空位而无间隙原子时,称为肖特基缺陷。 施主(受主)杂质及施主(受主)电离能:V族杂质在硅、锗中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。使多余的价电子挣脱束缚成为 导电电子所需的能量称为杂质电离能,用△表示。 Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心,称它们为受主杂质或 p型杂质。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能,用Δ. 直接(间接)复合:电子在导带和价带之间的直接跃迁,引起电子和空穴的直接复合。电子和空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合。根据复合过程发生的位置,又可以把它区分为体内复合和表面复合。 复合率:n和p分别表示电子浓度和空穴浓度。单位体积内,每一个电子在单位时间内都有一定概率和空穴复合,这个概率显然和空穴浓度成正比,可以用rp表示,那么复合率R就有如下的形式:R=rnp ,比例系数r 称为电子--空穴复合概率。 量子态密度:单位k空间中的量子态数,称为k空间的量子态密度。 状态密度:在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数,g(E)=. 有效状态密度:把导带中所有量子态都集中在导带底(把价带中所有量子态都集中在价带顶). 绝缘体(导体、半导体)能带特点:绝缘体的禁带宽度很大,激发电子需要很大能量,在通常温度下,能激发到导带去的电子很少,所以导电性很差。 半导体禁带宽度比较小,数量级在1eV左右,在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去,所以具有一定的导电能力。半导体在热力学温度为零时,满带(价带)被价电子占满,在外电场作用下并不导电。当温度升高或有光照时,导带的电子和价带的空穴均参与导电。

半导体物理学名词解释

半导体物理学名词解释 1.能带: 在晶体中可以容纳电子的一系列能 2.允带:分裂的每一个能带都称为允带。 3.直接带隙半导体:导带底和价带顶对应的电子波矢相同 间接带隙半导体:导带底和价带顶对应的电子波矢不相同 4、施主杂质:能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心的杂质,称为施主杂质。 施主能级:被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。 5、受主杂质:能够能够接受电子而在价带中产生空穴,并形成负电中心的杂质,称为受主杂质。 受主能级:被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 6、本征半导体:本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。 7、禁带宽度:导带底与价带顶之间的能量差。 8、禁带:(导带底与价带顶之间能带) 9、价带: (0K 条件下被电子填充的能量最高的能带) 10、导带:(0K 条件下未被电子填充的能量最低的能带) 11、迁移率:表示单位场强下电子的平均漂移速度,单位cm^2/(V ·s)。 12、有效质量: 的作用。有效质量表达式为: ,速度: 13、电子:带负电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子,对应于导带中占据的电子 空穴:带正电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位,对应于价带中的电子空位 14、费米分布:大量电子在不同能量量子态上的统计分布。费米分布函数为: 15、漂移运动:载流子在电场作用下的运动。 扩散运动:载流子在浓度梯度下发生的定向运动。 16、本征载流子:就是本征半导体中的载流子(电子和空穴),即不是由掺杂所产生出来的。 17、产生:电子和空穴被形成的过程 2 22*dk E d h m n =T k E E F e E f 011)(-+=

半导体物理学复习提纲

第一章 半导体中的电子状态 § 锗和硅的晶体结构特征 金刚石结构的基本特征 § 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动概念 绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度; 本征激发的概念 § 半导体中电子的运动 有效质量 导带底和价带顶附近的E(k)~k 关系()()2 * 2n k E k E m 2h -0=; 半导体中电子的平均速度dE v hdk = ; 有效质量的公式:2 22*11dk E d h m n =。 §本征半导体的导电机构 空穴 空穴的特征:带正电;p n m m ** =-;n p E E =-;p n k k =- § 回旋共振 § 硅和锗的能带结构 导带底的位置、个数; 重空穴带、轻空穴 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 § 硅、锗晶体中的杂质能级

基本概念:施主杂质,受主杂质,杂质的电离能,杂质的补偿作用。 § Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级 杂质的双性行为 第三章 半导体中载流子的统计分布 热平衡载流子概念 §状态密度 定义式:()/g E dz dE =; 导带底附近的状态密度:()()3/2 *1/2 3 2()4n c c m g E V E E h π=-; 价带顶附近的状态密度:() () 3/2 *1/2 3 2()4p v V m g E V E E h π=- § 费米能级和载流子的浓度统计分布 Fermi 分布函数:()01()1exp /F f E E E k T = +-???? ; Fermi 能级的意义:它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。1)将半导体中大量的电子看成一个热力学系统,费米能级F E 是系统的化学势;2)F E 可看成量子态是否被电子占据的一个界限。3)F E 的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况,通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。费米能级位置较高,说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 Boltzmann 分布函数:0()F E E k T B f E e --=; 导带底、价带顶载流子浓度表达式: 0()()c c E B c E n f E g E dE '=?

半导体全制程介绍

半导体全制程介绍 《晶圆处理制程介绍》 基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗 (Cleaning)之后,送到热炉管(Furnace)内,在含氧的 环境中,以加热氧化(Oxidation)的方式在晶圆的表面形 成一层厚约数百个的二氧化硅层,紧接着厚约1000到 2000的氮化硅层将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition;CVP)的方式沈积(Deposition)在刚刚长成的二氧化硅上,然后整个晶圆将进行微影(Lithography)的制程,先在晶圆上上一层光阻(Photoresist),再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻(Etching)技术,将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去,留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源(Ion Source),对整片晶圆进行磷原子的植入(Ion Implantation),然后再把光阻剂去除(Photoresist Scrip)。制程进行至此,我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线(Word Lines),依光罩所提供的设计图案,依次的在晶圆上建立完成,接着进行金属化制程(Metallization),制作金属导线,以便将各个晶体管与组件加以连接,而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测,以检验加工结果是否在规格内(Inspection and Measurement);如此重复步骤制作第一层、第二层的电路部份,以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件;最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。 根据上述制程之需要,FAB厂内通常可分为四大区: 1)黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术,定义出每一层次所需要的电路图,因为采用感光剂易曝光,得在黄色灯光照明区域内工作,所以叫做「黄光区」。

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