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2018昆明理工大学860电工及电子技术基础A卷考研真题硕士研究生专业课考试试题

昆明理工大学2018年硕士研究生招生入学考试试题(A卷) 考试科目代码：860 考试科目名称：电工及电子技术基础

考生答题须知

1．所有题目（包括填空、选择、图表等类型题目）答题答案必须做在考点发给的答题纸上，做在本试题册上无效。

请考生务必在答题纸上写清题号。

2．评卷时不评阅本试题册，答题如有做在本试题册上而影响成绩的，后果由考生自己负责。

3．答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答（画图可用铅笔），用其它笔答题不给分。

4．答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。

一、单项选择题（每题5分，共30分）

1. 如果发现有人发生触电事故，首先必须（）。

A）迅速打电话叫救护车 B）立即进行现场紧急救护C）尽快使触电者脱离电源

2. 有“220V、100W”和“220V、25W”两盏白炽灯，串联后接入220V交流电源，其亮度情况是（）。

A）100W灯泡最亮B）25W灯泡最亮C）两只灯泡一样亮

3. 三相四线制供电线路，已知作星形联接的三相负载中U相为纯电阻，V相为纯电感，W相为纯电容，通过三相负载的电流均为10A，则中线电流为（）。

A）30A B）10A C）27.32A

4. 将交流220V的继电器接在直流220V的电源上使用，结果是（）。

A）直流过大，烧坏线圈B）没有影响，照常工作

C）电流过小，吸力不足

5. 电网电压下降10%，电动机在恒转矩负载下工作，稳定后的状态为（）。

A）转矩减小，转速下降，电流增大B）转矩不变，转速下降，电流增大

C）转矩减小，转速不变，电流减小

6. 在三相交流电路中，当负载为对称且星型连接时，线电压与相电压的相位关系是（）。A）线电压超前相电压300B）线电压滞后相电压300

C）线电压与相电压同相D）线电压与相电压反相

二、填空题（每题5分，共15分）

1. 基本放大电路的三种组态分别是：放大电路、放大电路和放大电路。

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2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳第一部分模拟部分第1章半导体二极管 1.1 考点归纳一、半导体基础知识 1．半导体的分类（1）本征半导体 ①概念本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子：自由电子和空穴。 ③本征激发受光照或热激发，半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子，此时共价键中留下一个空位，即空穴。（2）杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的，如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度，因此电子为多数载流子，空穴为少数载流子，显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的，如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度，因此空穴为多数载流子，电子为少数载流子，显电中性。2．半导体特性

半导体导电性能的两个重要特性：掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大，温度升高，导电能力增强。二、PN结 1.PN结的形成（1）耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，又称耗尽区。（2）内电场在空间电荷区的两侧，P区带负电，N区带正电，形成内电场，方向由N区指向P 区，可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性（1）正向导通 PN结外加正向电压时，与内外电场方向相反，外电场的存在削弱内电场，使耗尽区变窄，促进扩散运动，从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。（2）反向截止 PN结外加反偏电压时，内电场和外电场的方向相同，增强内电场，使耗尽区变宽，形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时，反向电流会突然快速增加的现象。（1）电击穿

2013年云南昆明理工大学电工电子学考研真题A卷

2013年云南昆明理工大学电工电子学考研真题A卷（15%）1．阅读图1所示电路，回答下列问题： ①图1中的(a)图和(b)图实现什么功能？(a)图和(b)图各自的名称是什么？ ②图1中(a)图和(b)图中的电容各起什么作用？ ③图1中(a)图和(b)图的静态工作点各有什么特点？ (a) (b) 图1 题1图（25%）2．在图2所示放大电路中，已知U CC=12V, R E= 2kΩ, R B= 200kΩ，R L= 2kΩ，晶体管放大倍数β=60，U BE=0.6V, 信号源内阻R S= 100Ω，试求: ①静态工作点I B、I E及U CE； ②画出微变等效电路； ③求放大电路的放大倍数A u、输入电阻r i和输出电阻r o。图2 题2图（25%）3．某通讯系统中需要对通讯数据作奇偶校验，通讯数据为4位二进制数DCBA。用2输入与非门和反相器设计一个奇偶校验电路（当4位数中有奇数个1时输出为0，否则输出为1），写出逻辑运算式，电路的输出用L表示。（15%）4．图3为一个由基本逻辑门组成的电路，阅读并回答下列问题： ①写出输出与输入之间的逻辑状态表。 ②写出输出与输入之间的逻辑表达式。 ③电路实现什么功能？

图3 题4图（25%）5．图4所示的直流电路中，E1＝6V，E2＝4V，I S＝2A，R1＝3Ω，R2＝6Ω，R3＝2Ω，R4＝4Ω，R＝1 Ω。求电流I。图4 题5图（15%）6．单相交流电路中，什么是瞬时功率？什么是平均功率？什么是有功功率？什么是无功功率？什么是视在功率？什么是功率因数？（15%）7．什么是正弦交流电的相位角？什么是正弦交流电的初相位角？比较相位角，2个同频率的正弦交流电之间会出现哪几种关系？（15%）8．什么是变压器？什么是变压器的变比？什么是降压变压器和升压变压器？

昆明理工大学研究生学业奖学金评选及管理办法(试行)

昆理工大校教字…2014?47号昆明理工大学研究生学业奖学金评选及管理办法（试行）第一章总则第一条为激励研究生勤奋学习、潜心科研、勇于创新、积极进取，在全面实行研究生教育收费制度的情况下更好地支持研究生顺利完成学业，根据?财政部国家发展改革委教育部关于完善研究生教育投入机制的意见?（财教…2013?19号）、?财政部教育部关于印发?研究生学业奖学金管理暂行办法?的通知?（财教…2013?219 号）及?云南省财政厅云南省教育厅关于印发云南省研究生学业奖学金助学金管理三个暂行办法的通知?（云财教…2013?369 号）文件精神，结合我校实际情况，制定本办法。

第二条本办法所称研究生是指我校纳入全省研究生招生计划的全日制博士、硕士研究生。获得奖励的研究生须具有中华人民共和国国籍。第三条研究生学业奖学金评定按照公平、公正、公开的原则，根据研究生的学业表现逐年评定，实行动态管理。第四条学校可根据经费筹措情况、收费标准、学业成绩、科研成果、社会服务等因素，对研究生学业奖学金的等级、标准及覆盖面做动态调整。第二章参评条件及资格第五条昆明理工大学研究生学业奖学金适用于2014级及以后入学，学制内在籍在读的全日制博士、硕士研究生。单独命题考试录取考生、破格录取考生及享受少数民族照顾政策录取考生不参与新生硕士研究生学业奖学金评选。第六条参评研究生学业奖学金的基本条件： 1．热爱社会主义祖国，拥护中国共产党的领导； 2．遵守宪法和法律，遵守高等学校规章制度； 3．诚实守信，道德品质优良； 4．积极参与科学研究和社会实践。第七条硕博连读学生根据当年所修课程的层次阶段确定身份参与学业奖学金的申报。在修读硕士课程阶段按照硕士研究生身份申报学业奖学金；进入修读博士研究生课程阶段按照博士研究生身份申报学业奖学金。第八条有以下情形之一的，不具有研究生学业奖学金获奖资格： 1.违反国家法律法规者； 2.在提交的申请资料中，提供不实信息或隐瞒不利信息者； 3.考试作弊者；

昆明理工大学关于2015年学校推免名额下达的通知(学院)

昆明理工大学教务处昆理工大教务办字…2014?78号关于做好昆明理工大学2015年推荐优秀应届本科毕业生免试攻读研究生工作的通知各学院：根据《教育部办公厅关于进一步完善推荐优秀应届本科毕业生免试攻读研究生工作的通知》（教学厅…2014?5号）、《关于下达2015年推荐优秀应届本科毕业生免试攻读研究生名额的通知》（教学司…2014?号）等文件精神和我校2015年所获得的推免总名额情况，现将推免名额的分配及相关要求通知如下。请各学院根据《昆明理工大学推荐优秀应届本科毕业生免试攻读硕士学位研究生实施办法（修订）》（昆理工大校教字…2010?34号）、《昆明理工大学优秀应届本科毕业生免试攻读研究生推荐工作的补充规定（试行）》（昆理工大教务办字…2014?71号）等文件及本通知的相关要求，认真做好推荐工作。一、我校推荐名额的分配根据教育部高校学生司文件精神，2015年下达的推免生

名额不再区分学术学位和专业学位，今年我校共获得推免名额220个。经学校推免生遴选工作领导小组研究确定，留出复合型人才推荐名额20个，另外根据《昆明理工大学推荐优秀应届本科毕业生免试攻读硕士学位研究生实施办法》的相关规定，分配2个作为国家重点学科点推荐名额，分配8个作为一级学科博士点推荐名额，余下可分配的推荐名额共190个。根据研究生院提供的各学院学位点数和教务处、城市学院提供的各学院2015届毕业生数，按下列办法计算确定各学院的推免生名额： 1、学位点基数名额：以可分配的推免名额190的50%即95为分子，以研究生院认定并经学校推免生遴选工作领导小组确定的全校学位点总数205个为分母，计算出每个学位点应得的份额，再乘以各学院的学位点总数，并执行“四舍五入”的原则，小数点后保留两位，得出各学院的学位点基数名额。 2、应届本科毕业生基数名额：以余下推免名额95为分子，以全校2015届本科毕业生总数6977为分母，计算出每个本科毕业生应得的份额，再乘以各学院本科毕业生总数，并执行“四舍五入”的原则，小数点后保留两位，得到各学院的应届本科毕业生基数名额。 3、各学院总名额＝（学位点基数名额+应届本科毕业生基数名额）“四舍五入”取整。（“四舍五入”取整后总名额超出或不足时将进行适当调整。）据此，各学院推免生名额分配如下：

6、科研项目分类

昆理工大校字…2009?95号昆明理工大学关于印发《科研项目分类与认定办法（试行）》的通知各院、部、处、室、馆、中心及直属部门：《昆明理工大学科研项目分类与认定办法》（试行）已经2009年11月11日第十七次校长办公会研究通过。现印发给你们，请认真遵照执行。二○○九年十一月十六日

昆明理工大学科研项目分类与认定办法（试行）第一章总则第一条为充分发挥科研在支撑学校学科建设和高水平大学建设中的重要作用，统一我校科研项目类别，规范科研项目管理，为全校教职工的学术业绩量化提供科学依据，特制定本办法。第二条本办法适用于学校科研项目的分类、认定、定级与管理。依据本办法规范和认定的科研项目，作为学校与学院专业技术人员绩效考核、人才培养与学科建设、研究生导师评聘等的重要依据。第二章科研项目的定义与分类第三条本办法所称科研项目，是指以学校名义承担、经学校科技处认定、由学校教职工负责的基础研究、应用研究、技术开发及转让、咨询服务等自然科学与人文社会科学领域的各类政府科技计划、企事业单位委托项目和国际组织资助项目。第四条本办法将科研项目按项目来源、技术难度和研究经费，分为“国家级（A级）”、“省部级（B级）”、“地厅级（C级）”三个级别，每一个级别又分为“重大”、“重点”和“一般”三种类型（A1-A3、B1-B3、C1-C3）。未进入上述三级九类的项目，为其它项目（D类）。

第五条国家级（A级）科研项目包括：国家重点基础研究发展计划（973）项目，国家高新技术研究发展计划（863）项目，国家科技支撑计划项目，国际合作等科技部其它项目，国家发改委高技术产业化项目、重大产业技术开发项目，国家自然科学基金（NSFC）各类项目，国家社会科学基金项目，国家其它部委（局）项目；联合国及国际组织资助项目，企业重大科技攻关项目与重大技术转移项目；国家自然科学基金创新研究群体科学基金项目、杰出青年基金项目，教育部人才项目（长江学者和创新团队发展计划、新世纪优秀人才支持计划、全国优秀博士学位论文作者专项资金），云南省高端科技人才引进项目；国家实验室，国家重点实验室，国家工程研究中心，国家工程实验室，国家工程技术研究中心等。第六条省部级（B级）科研项目包括：教育部各类项目，国家其他部委（局）和行业协会项目，司法部国家法治与法学理论研究项目；省应用基础研究计划项目，省科技创新强省计划项目（工业与高新、农业、国际合作、省校合作）、重点新产品开发计划和社会事业发展专项计划项目，省发改委高新技术产业化项目、重大产业技术开发项目，省哲学社会科学规划课题，其他厅局科技专项项目；联合国及外国政府国际基金资助项目，企事业单位委托项目，校企业预研基金项目；省创新人才团队项目，省人才引培工程项目（中青年学术和技术带头人后备人才、技术创新后备人才项目）；校高端人才引进计划项目，校创新团队项目等。教育部工程技术研究中心、教育部重点实验室，省发改委工程中心，省科技厅重点实验室、工程技术研究中心项目，昆明市重点实验

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲课程名称：模拟电子技术、数字电子技术一、考试的总体要求模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。二、考试内容及比例：模拟部分： 1、半导体器件（5～10％）（1）理解二极管单向导电特性，掌握二极管伏安特性；（2）理解三极管放大原理，掌握三极管的输入、输出特性曲线；（3）掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理（20～25％）（1）掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算；（2）掌握放大电路微变等效电路分析法，理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应（5～10％）放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器（10～20％）（1）理解零点漂移的概念，理解差动电路克服温漂的原理；（2）掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈（5～10％）（1）理解反馈的概念，掌握反馈类型的判断方法，能根据要求引入负反馈；（2）理解反馈对放大器性能的影响；（3）掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算；（4）理解自激的概念，能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路（20～25％）（1）理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。（2）掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路（10～15％）掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路（10～20％）（1）掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算；（2）能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路（15～20％） OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源（0～10％）（1）整流电路的工作原理及分析计算；（2）电容滤波电路的工作原理及分析计算；（3）稳压电路的工作原理及分析计算。数字部分：一、逻辑代数基础（5～10％）（1）逻辑代数基本概念、公式和定理；（2）逻辑函数的化简方法。二、门电路（15～20％）（1）掌握分立器件门电路的分析方法；（2）理解TTL集成门电路的结构特点，掌握其外特性；（3）理解COMS集成门电路的结构特点，掌握其外特性。三、组合逻辑电路（30～40％）（1）掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法；（2）熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法；（3）掌握用中规模集成芯片MSI（译码器、数据选择器等）实现组合逻辑函数。四、触发器（15～20％）（1）熟悉触发器电路的结构特点；（2）掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

2016年云南昆明理工大学电工电子学考研真题A卷

2016年云南昆明理工大学电工电子学考研真题A卷 1．什么是电路？电路有哪些形式？举一例说明一种电路的组成形式。电路有什么作用？举一例说明一种电路的作用。（10分） 2．什么是基尔霍夫电流定律(KCL定律)？什么是基尔霍夫电压定律（KVL定律)？应用基尔霍夫电压定律（KVL定律)列解电路方程时，各项电压的符号如何确定？列出题2图所示电路的电压方程（15分）题2图 3．什么是正弦交流电？画出正弦交流电的波形图。正弦交流电用哪些物理量描述？说明描述正弦交流电的物理量的含义。（10分） 4．题4图为一种电子器件及其伏安特性。这种电子器件是什么？这种电子器件的功能是什么？这种电子器件的工作原理是什么？使用这种电子器件时主要注意什么问题？（10分）题4图 5．什么是时序逻辑电路？构成时序逻辑电路的基本逻辑单元是什么？常用的触发器有哪些？列写出两种触发器的逻辑符号和真值表。（15分） 6．数字电路设计与分析：利用J-K触发器设计一个3位异步二进制加法计数器。要求列出状态表、画出电路图、画出电路工作时序图（30分）. 7．电路设计与分析：一台三相异步电动机驱动某工作台旋转，要求工作台可以顺时针和逆时针旋转。这台三相异步电动机由低压电器控制，设计系统电路，分析电路的工作过程。（30分）

8、电路如题8图所示，已知R1∥R2∥R3∥R4＝R∥R f，求U0。（15分）题8图 9．电路如题9图所示。U1＝10V，I S＝2A，R1＝1Ω，R2＝2Ω，R3＝5 Ω，R＝1 Ω。①求电阻R中的电流I；②计算理想电压源U1中的电流I U1和理想电流源I S两端的电压U IS； ③分析功率平衡。（15分）题9图

大学生创新创业训练计划项目管理办法

昆明理工大学文件昆理工大校教字〔2012〕20号昆明理工大学关于印发《大学生创新创业训练计划项目管理办法（试行）》的通知各院、部、处、室、馆、中心及直属部门：《昆明理工大学大学生创新创业训练计划项目管理办法（试行）》已经学校2012年第六次校长办公会研究通过，现印发给你们，请遵照执行。二O—二年五月八日

昆明理工大学大学生创新创业训练计划项目管理办法（试行）第一章总则第一条根据《教育部财政部关于“十二五”期间实施“高等学校本科教学质量与教学改革工程”的意见》（教高函〔2011 〕6 号）和《云南省教育厅转发教育部关于做好“本科教学工程” 国家级大学生创新创业训练计划实施工作的通知》（云教函〔2012 〕84 号）精神，“十二五”期间，教育部实施国家级大学生创新创业训练计划。国家级大学生创新创业训练计划是“十一五”期间实施“高等学校本科教学质量与教学改革工程”中“国家大学生创新性实验计划” 工作的延续与深化。为进一步深入实施我校“大学生创新创业训练计划”项目（以下简称创新项目），构建创新人才培养体系，加强大学生自主创新兴趣和能力培养，特制定本管理办法。第二条国家级大学生创新创业训练计划包括创新训练计划项目、创业训练项目和创业实践项目三类。参与创新训练项目的学生，在导师指导下，自主完成创新性研究项目设计、研究条件的准备和项目的实施、数据处理与分析、报告撰写、成果（学术）交流等工作。参与创业训练项目的学生团队在导师指导下，通过编制商业计划书、开展可行性研究、模拟企业运行，进行一定程度的验证试验，撰写创业报告等工作，团队中的每个学生在项目实施过程中承担一项或多项具体的任务。参与创业实践项目的学生团队在学校导师和企业导师的共同指导下，采取前期创新训练项目（或创新性实验）的结果，提出一项具有市场前景的创新性产品或者服务，以此为基础开展创业实践活动。

2017昆明理工大学860电工及电子技术基础A考研真题硕士研究生专业课考试试题

第 1 页共 3页昆明理工大学2017年硕士研究生招生入学考试试题(A 卷) 考试科目代码： 860 考试科目名称：电工及电子技术基础考生答题须知 1．所有题目（包括填空、选择、图表等类型题目）答题答案必须做在考点发给的答题纸上，做在本试题册上无效。请考生务必在答题纸上写清题号。 2．评卷时不评阅本试题册，答题如有做在本试题册上而影响成绩的，后果由考生自己负责。 3．答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答（画图可用铅笔），用其它笔答题不给分。 4．答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。一、单项选择题（每题5分，共30分） 1．图1示电路中，A 、B 端电压U=（）。 A ．-2V B ．-1V C ．2V D ．3V 图1 2．电源电压为380V ，采用三相四线制供电，负载为额定电压220V 的白炽灯，负载应采用（）连接方式，白炽灯才能在额定情况下正常工作。 A ．直接 B ．三角形 C ．星形 D ．不能相连 3．熔断器在电动机控制线路中的作用是（）。 A ．短路保护 B ．过载保护 C ．缺相保护 D ．电流不平衡运行保护 4．电容元件的正弦交流电路中，电压有效值不变，频率增大时，电路中电流将（）。 A ．减小 B ．增大 C ．不变 5．一台变压器原、副绕组电压为60V/12V ，若副绕组接一电阻，则从原绕组看进去的等效电阻是（）。 A ．40Ω B ．80Ω C ．120Ω D ．200Ω 6．晶体管三极管放大条件是（）。 A ．发射结要正向偏置 B ．发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 C ．集电结要反向偏置 D ．发射结要反向偏置，集电结要正向偏置 Ω=8t R

电子技术基础考研

注意事项：1．本试卷共12道大题，满分150分； 2．本卷属试题卷，答案一律写在答题纸上，写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁，不要在试卷上涂划； 3．必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题，其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一填空题（本题共14小题除标注外每空1分，共30分） 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ，试分析在不同的U 1、U 2组态下，VD 1、VD 2是导通还是截止，并求U O 的值，把正确答案填入表内。（每三空1分） 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时，VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。（每三空1分） V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时，测得输出电压为3V ，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V ，说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1

4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1Ω k，其它条件不变时，测得输出电压为4V，说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路，这个两级放大电路在信号频率为10Hz时，放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍，或者说下降了________________dB，放大倍数的相位与中频时相比，附加相移约为________________度。（每空0.5分） 6、试在下列空格中填写合适数值。（每空0.5分）在两边完全对称的差分放大电路中，若两输入端电压u I1＝u I2，则双端输出电压u O＝＿＿＿V；若u I1＝1mV，u I2＝0mV，则差分放大电路的差模输入电压u Id＝＿＿＿mV，其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1＝＿＿＿mV，u Id2＝＿＿＿mV，共模输入信号u Ic＝＿＿＿mV。 7、电路如图所示，A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路，A2组成电路，VD1、VD2和R组成的电路起作用，u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1＝6.3V，VD Z2的稳定电压 U Z2＝7.7V，它们的正向导通电压U D均为0.7V，U I和R的取值合理，U I的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。（每空0.5分）填空： U O1＝V，U O2＝V，U O3＝V， U O4＝V。

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记本章首先介绍了半导体的基础知识，随后重点阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件，因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习，应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数，并熟悉半导体相关基础知识，最后需要了解半导体器件的选用原则，为今后的模拟电路分析和设计打下基础。一、半导体基础知识半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表1-1-1）。表1-1-1 半导体基本名词术语

二、半导体二极管 1二极管的结构和分类（见表1-1-2）表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表1-1-3）。表1-1-3 二极管的伏安特性

3二极管的主要参数为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表1-1-4）。表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表1-1-5）。

表1-1-5 二极管等效电路

5稳压二极管稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。表1-1-6 稳压二极管

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记第一部分考研真题精选第1章数制和码制一、选择题在以下代码中，是无权码的有（）。[北京邮电大学2015研] A．8421BCD码 B．5421BCD码 C．余三码 D．格雷码【答案】CD查看答案【解析】编码可分为有权码和无权码，两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值，常见的有8421BCD码、5421BCD码等；无权码的每一位不具有权值，整个代码仅代表一个数值。二、填空题 1（10100011.11）2＝（）10＝（）8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为（），十六进制数为（）。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111；27.E查看答案

【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111.1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421BCD＝（）2＝（）8＝（）10＝（）16。[山东大学2014研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。（1000 0111）8421BCD＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 111）2＝（127）8。同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝（）2＝（）8＝（）10＝（）8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二进制数与其权值相乘，然后再相加得到相应的十进制数，（0010 1011）2＝（43）10；8421BCD码是一种二进制的数字编码形式，用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码，（43）10＝（0100 0011）8421BCD。

2021年电子技术基础考研题库

2021年电子技术基础考研题库 2021年电子技术基础考研题库【考研真题精选＋章节题库】（上册）目录第一部分考研真题精选一、填空题二、选择题三、分析题第二部分章节题库第1章数字逻辑概论第2章逻辑代数与硬件描述语言基础第3章逻辑门电路第4章组合逻辑电路第5章锁存器和触发器第6章时序逻辑电路第7章半导体存储器第8章CPLD和FPGA 第9章脉冲波形的变换与产生第10章数模与模数转换器

第11章数字系统设计基础 ? 试看部分内容考研真题精选一、填空题 1（10100011.11）2＝______10＝______8421B C D。[电子科技大学2 009年研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为______，十六进制数为______。[重庆大学2014年研] 【答案】100111.111；27.E查看答案【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补

零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111. 1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421B C D＝______2＝______8＝______10＝______16。[山东大学2014年研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案【解析】8421BC D码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。（1000 0111）8421B C D＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 1 11）2＝（127）8。同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝______2＝______8＝______10＝______8421B C D。[山东大学2015年研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二

昆明理工大学研究生培养方案总则20171103

昆明理工大学研究生培养方案总则一、基本要求（一）研究生培养方案是指导研究生培养工作的重要文件，是导师和学生掌握专业研究方向、制定培养计划、安排课堂教学和保证论文进程的基本依据。昆明理工大学研究生培养方案，立足博士、硕士学位基本要求，立足各学科专业优势和特色，充分反映当前国家及学校对研究生培养质量的要求，突出研究生创新能力和专业实践能力的培养。（二）完善全日制学术学位、全日制专业学位和非全日制研究生3个培养体系。同时培养学术学位和专业学位研究生的学位授权点，在培养目标、研究方向、学生知识结构、课程体系、科学研究、专业实践和学位论文要求等方面应有不同的要求和定位；同时培养全日制和非全日制研究生的学位授权点，根据培养要求分别制定培养方案，坚持同一标准，保证同等质量。（三）具有一级学科学位授权的学位点，按一级学科修订研究生培养方案（含自主设置二级学科）。没有一级学科学位授权的学位点，按已有二级学科授权修订研究生培养方案。

（四）培养方案主要内容应包括培养目标、学科方向、学制与培养方式、课程设置与学分、必修环节及要求和学位论文工作要求等。二、基本要求（一）培养目标学术学位研究生培养目标： 1、热爱祖国，遵纪守法，品德良好；学风严谨，具有较强的事业心和献身精神，积极为社会主义现代化建设服务。 2、攻读硕士学位的研究生应掌握学科坚实的基础理论和系统的专门知识，较为熟练地掌握一门外国语，具有从事科学研究工作或较强的实际工作的能力。 3、攻读博士学位的研究生应掌握本学科坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识，掌握科学研究的基本技能和方法，了解所从事学科方向的国内外发展动态，至少熟练掌握一门外国语，具有独立从事科学研究和独立担负专门技术工作的能力，在科学或专门技术上能做出创造性的成果。专业学位研究生培养目标： 1、热爱祖国，遵纪守法，品德良好；学风严谨，具有较强的事业心和献身精神，积极为社会主义现代化建设服务。

模拟电路电子技术基础考研试题

第一部分：模拟电路一、填空题(共10分，每小题2分) 1、由二极管D和正偏直流电源V，交流信号源υs及负载R L构成的串连电路，当V＝3V时，测得R L上的交流压降υL＝100mV。若调节V＝4V，其他参数不变，则υL100mV。 2、基本放大电路的静态工作电流调得太大，容易产生失真，这种失真属于失真。 3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。放大器的噪声系数N F的定义是：。 4、某负反馈放大电路，其开环增益Ag＝100mS，反馈系数Fr＝10KΩ，开环输入电阻R i＝3KΩ，则其闭环输入电阻R if ＝。（R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻） 5、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常由和电路两部分组成。二、分析与计算题 1．（8分）对于增强型n沟MOSFET ， 1）写出其在线性区的伏安特性表达式； 2）在V DS＞＞2（V GS－V TH）条件下，写出上述伏安特性表达式的近似表达式； 3）已知MOSFET的μn·Cox＝50μA/V2，V TH＝0.7V, 当V GS=2.5V ，求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON＝？ 2．（10分）两相同单级放大器组成二级放大器，回答如下问题1）在其单级放大器的截止频率处，二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB？ 2）为保证二级放大器的上限频率为106Hz，下限频率为156Hz，计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少？ 3．（6分）一理想运算放大器组成的电路如图所示，试求该电路的输入电阻R i表达式。

4．（12分）在下图所示的多级运算放大电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路： 1）写出计算υO1、υO2、υO 的表达式 2）若 R 3＝R 5＝R f1＝R f2 ＝200K Ω，R 1＝R 2＝R 4＝R 7＝20K Ω，C ＝5μF ，t ＝0 时，加入阶跃信号υi 1＝－0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC ＝0，求需经过多长时间使υO ＝5V ？ 5．（15分）在下图（a ）所示的单极放大电路中，场效应管T 的转移特性如下图（b ）所示。已知＋V DD ＝＋15V ，R D ＝15k Ω，R S ＝8 k Ω，R G ＝100 k Ω，R L ＝75 k Ω；要求（！）用近似方法计算电路的静态工作点；（提示：T 的伏安特性方程可近似为：2 P GS D 1???? ??U U I I DSS －＝，U GS ＝－I D ×R S ，U P 为夹断电压）。（2）计算放大器的输入电阻 R i 和输出电阻 R o ；（3）计算场效应晶体管的跨导 g m ；（4）计算放大器的电压放大倍数 A u ； 6、（14分）下图所示RC 桥式振荡电路中，设运放A 为理想组件，设R ＝3.9K Ω， C ＝0.01μF ，R T ＝15K Ω，＋V CC ＝＋15V ，－V CC ＝－15V ，试回答如下问题：

昆明理工大学研究生学位论文撰写规范(最终版)

昆明理工大学研究生学位论文撰写规范研究生院院字〔2013〕7号学位论文是学位申请人为申请学位而撰写的学术论文，是研究生从事科研工作的成果的主要表现，它集中表明了作者在研究工作中取得的新成果、发明、理论或见解，是评判学位申请人学术水平的重要依据和获得学位的必要条件之一，也是科学研究领域中的重要文献资料和社会的宝贵财富。为进一步提高我校博士、硕士学位论文的质量，做到学位论文在内容和格式上的规范化、统一化，参照国家标准GB7713-87《科学技术报告、学位论文和学术论文的编写格式》，结合我校具体要求，制定本规范。 1 学位论文基本要求 1.1 学位论文的具体要求参照《昆明理工大学学位授予工作细则》(昆理工大校字〔2011〕99号). 1.2学位论文一般应用中文撰写，论文内容应立论正确，推理严谨，文字简练，层次分明，说理透彻，数据准确、真实、可靠，结论明确。字数要求如下: (1) 博士学位论文的正文不少于6万字。 (2) 硕士人文社科门类的学位论文的正文一般在3万字以上，理、工、农、医门类的学位论文的正文一般在4万字以上，数学专业的学位论文字数可参照人文社科门类的规定执行。 1.3 论文作者应在选题前后阅读有关文献，硕士学位申请人的文献阅读量应在40篇以上，其中外文文献不少于三分之一；博士学位申请人的文献阅读量应在70篇以上，其中外文文献不少于三分之一。综述部分应对所读文献加以分析和综合，在论文中引用了文献内容的，应将其列入参考文献表，并在正文中引用内容处注明参考文献编号（按出现先后顺序编，具体要求见 2.2.2.7）。 2 学位论文编写格式 2.1学位论文章、条的编写参照国家标准GB1.1-87《标准化工作导则编写标准的基本规定》第8章“标准条文的编排”的有关规定，采用阿拉伯数字分级编导。示例：第一章第三条的第二条的第五条表示为1.3.2.5 2.2 论文的构成

2021年昆明理工大学812电工电子学考研真题和答案

2021年昆明理工大学812电工电子学考研真题和答案 2021年昆明理工大学机电工程学院《812电工电子学》考研全套目录 ?昆明理工大学机电工程学院《812电工电子学》历年考研真题汇编 ?全国名校电工学（含电工技术、电子技术）考研真题汇编 ?全国名校电子技术基础（含模拟、数字）考研真题汇编说明：本部分收录了本科目近年考研真题，方便了解出题风格、难度及命题点。此外提供了相关院校考研真题，以供参考。 2．教材教辅 ?秦曾煌《电工学·电子技术》（第7版）（下册）配套题库【名校考研真题＋课后习题＋章节题库＋模拟试题】说明：以上为本科目参考教材配套的辅导资料。 ?

试看部分内容名校考研真题第14章半导体器件一、判断题 1稳压二极管工作于反向击穿区。（）[北京科技大学研]【答案】√查看答案【解析】稳压管正常工作于反向击穿状态。 2要使晶体管起放大作用，集电结必须正向偏置，而发射结必须反向偏置。（）[北京科技大学研] 【答案】×查看答案【解析】晶体管的放大状态的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。二、填空题 1在数字电路中，晶体管工作在饱和与截止两种状态，为了使晶体管可靠截止，通常使管子的发射结和集电结均处于______偏置状态。[华中科技大学研] 【答案】反向查看答案 2当在PN结上加正向电压，即电源的正极接在______区，负极接在______区，此时PN结处于______状态。[北京科技大学研]【答案】P；N；导通查看答案三、选择题

1衡量稳压二极管稳压性能好坏的最主要的一个参数是（）。[华南理工大学研] A．稳定电流I Z B．稳定电压 C．动态电阻 D．电压稳定系数【答案】D查看答案 2PN结在外加正向电压作用下，内电场（）。[北京工业大学研] A．增强 B．削弱 C．不变【答案】B查看答案 3电路如图14-1所示，稳压管Dz的稳定电压Uz＝6V，正向压降为0.6V，输入电压u i＝12sinwtV，当wt＝π瞬间，输出电压u O，等于（）。[华中科技大学研] A．12V B．－0.6V C．0.6V D．6V

阎石《数字电子技术基础》第6版笔记课后习题考研真题详解

阎石《数字电子技术基础》（第6版）笔记和课后习题（含考研真题）详解攻重浩精研学习网提供资料第1章数制和码制 1.1复习笔记本章作为《数字电子技术基础》的开篇章节，是数字电路学习的基础。本章介绍了与数制和码制相关的基本概念和术语，包括常用的数制和码制，最后给出了不同数制之间的转换方法和二进制算术运算的原理和步骤。本章重点内容为：不同数制之间的转换，原码、反码、补码的定义及相互转换，以及二进制的补码运算。一、概述 1数码的概念及其两种意义（见表1-1-1）表1-1-1数码的概念及其两种意义 2数制和码制基本概念（见表1-1-2）表1-1-2数制和码制基本概念二、几种常用的数制常用的数制有十进制、二进制、八进制和十六进制几种。任意N进制的展开形式为： D＝∑k i×N i 式中，k i是第i位的系数，N为计数的基数，N i为第i位的权。关于各种数制特征、展开形式、示例总结见表1-1-3。表1-1-3各种数制特征、展开式、示例总结

三、不同数制间的转换 1二进制转换为十进制转换时将二进制数的各项按展开成十进制数，然后相加，即可得到等值的十进制数。例如：（1011.01）2＝1×23＋0×22＋1×21＋1×20＋0×2－1＋1×2－2＝（11.25）10。 2十进制转换为二进制（1）整数部分的转换：将十进制数除以2，取余数为k0；将其商再除以2，取其余数为k1，……以此类推，直到所得商等于0为止，余数k n…k1k0（从下往上排）即为二进制数。以273.69为例，如图1-1-1所示。（2）小数部分的转换：将十进制数乘以2，取乘积的整数部分为k－1；将乘积的小数部分再乘以2，取乘积的整数部分为k－2，……以此类推，直到求出要求的位数为止，k－1k－2k－3…（从上往下排）即为二进制数。以273.69为例，如图1-1-2所示。图1-1-1十-二进制整数部分的转换