2.3-2.5GHz自偏置20W GaN功率放大器的设计与实现

2.3-2.5GHz自偏置20W GaN功率放大器的设计与实现孙春妹;王召义;刘伟;钟世昌

【期刊名称】《电子技术》

【年(卷),期】2018(000)010

【摘要】文章介绍了一种单电源S波段10W GaN内匹配功率放大器.器件基于3.6mm GaN HEMT管芯,采用内匹配技术对其进行输入输出匹配,利用单电源的自偏置结构给器件提供瞬态保护.放大器工作频率范围2.3GHz～2.5GHz,在32V漏电压、连续波测试条件下,输出功率大于20W,功率附加效率大于50％,最高点达到55％,功率增益大于16dB.

【总页数】3页(78-80)

【关键词】氮化镓;内匹配;单电源;S波段

【作者】孙春妹;王召义;刘伟;钟世昌

【作者单位】南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016

【正文语种】中文

【中图分类】

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