脱贫攻坚.pdf

三、脱贫攻坚专项政策

（一）财政税收政策

1.精准使用。各级财政根据减贫任务需要和财力状况，逐年加大财政专项扶贫资投入，新增财力优先保障财政专项扶贫资金增支需要。到2020年，市、县年度预算财政专项扶贫资金投入增幅不低于农业投入的增幅。市、县本级财政预算安排的财政专项扶贫资金，根据当地减贫任务需要，全部投向贫困村、贫困户。非贫困县县级有关行业部门每年投向贫困村和贫困户的项目资金原则上不低于省级行业部门下达资金总额的25%。（川开发〔2015〕11号）

2.资产收益。通过财政支农资金形成资产股权量化的方式，赋予农村贫困户更加充分而有保障的财产权和财产收益权，拓宽缺劳力、缺技术和丧失劳动能力的农村贫困户增收渠道。财政专项扶贫资金投入到村集体经济组织或农民合作社形成的资产量化到贫困户；财政支农资金投入到村集体经济组织或农民合作社部分形成的资产，经试点组织成员同意后，划出一部分采取优先股的方式量化到贫困户，实行贫困户收益保底、按股分红。（川财农〔2015〕192号）

3.贫困村产业扶持基金管理。贫困村产业基金是指贫困村使用各级政府拨付的专项资金、社会捐赠资金等设立的，用于支持建档立卡贫困户或贫困村集体经济组织发展产业的引导资金。产业基金为贫困村集体经济组织所有，由贫困村集体经济组织在村“两委”指导下使用和管理。按照省补助、县安排的原则，由县级人民政府负责产业基金的筹集，目前，全市每个贫困村的基金规模已达到50万元。在脱贫攻坚期间，所有建档立卡贫困户，可通过农户申请、村级审核、张榜公示、签订合同、“打卡”到户、申领时限等程序借款。为其提供借款期限不超过3年、借款金额不高于1万元用于发展产业的无息贷款。（川财办〔2017〕19号、内财发〔2017〕3号）

4.捐赠扣除。企业通过公益性社会团体、群众团体和县级以上人民政府及部门，用于救助贫困、科教文卫、环境保护等公益性捐赠不超过年度利润总额的12%部分进行扣除。（主席令第63号）

5.捐赠扣除。个人将其所得通过中国境内的社会团体、国家机关向教育和其他社会公益事业以及遭受严重自然灾

害地区、贫困地区捐赠，捐赠额未超过纳税义务人申报的应纳税所得额30%的部分，可以从其应纳税所得额中扣除。（国

务院令第600号）

6.中央和省级财政专项扶贫资金。中央和省级财政专项扶贫资金指中央和省级财政通过一般公共预算安排的支持

各市（州）、有扶贫任务的县（市、区）主要用于精准扶贫、精准脱贫的资金。（川财农〔2017〕102号）

7.市级财政专项扶贫资金。市级财政专项扶贫资金指由市级财政预算安排用于贫困村加快经济社会发展，改善农村建档立卡贫困户基本生产生活条件，增强其自我发展能力，帮助提高收入水平，促进消除农村贫困现象的专项资金。主要用于改善贫困村基本生产生活条件、培育和壮大特色优势产业、提高建档立卡贫困户就业和生产能力、帮助建档立卡贫困户缓解生产性资金短缺困难等。市级财政专项扶贫资金禁止性用途与中央和省级财政专项扶贫资金相同。（内财农〔2016〕38号）

8.县级扶贫小额信贷分险基金。扶贫小额信贷分险基金是有扶贫任务的县（市、区）筹集用于与银行业金融机构共同分担扶贫小额信用贷款损失的资金。主要用于引导银行业金融机构向符合条件的建档立卡贫困户发放扶贫小额信用

贷款，支持其发展种植业、养殖业、农副产品加工业、服务

半导体物理基础 总复习

掌握 熟悉 了解 第一章半导体物理基础 一、能带理论 1、能带的形成、结构：导带、价带、禁带 ?当原子结合成晶体时，原子最外层的价电子实际上是被晶体中所有原子所共有，称为共有化。 ?共有化导致电子的能量状态发生变化，产生了密集能级组成的准连续能带---能级分裂 ?价带：绝对0度条件下被电子填充的能量最高的能带；结合成共价键的电子填充的能带。 ?导带：绝对0度条件下未被电子填充的能量最低的能带 2、导体、半导体、绝缘体的能带结构特点 ?禁带的宽度区别了绝缘体和半导体；而禁带的有无是导体和半导体、绝缘体之间的区别；绝缘体是相对的，不存在绝对的绝缘体。 3、导电的前提：不满带的存在 二、掺杂半导体 1、两种掺杂半导体的能级结构。

2、杂质补偿的概念 三、载流子统计分布 1、费米函数、费米能级：公式1-7-9和1-7-10，及其简化公式1-7-11 和1-7-12 2、质量作用定律，只用于本征半导体：公式1-7-27 3、用费米能级表示的载流子浓度：公式1-7-28和1-7-29 4、杂质饱和电离的概念（本征激发） 5、杂质半导体费米能级的位置：公式1-7-33和1-7-37。意义（图 1-13，费米能级随着掺杂浓度和温度的变化）。 6、杂质补充半导体的费米能级 四、载流子的运输 1、（1.8节）载流子的运动模式：散射－漂移－散射。平均弛豫时间的概念 2、迁移率，物理意义：公式1-9-4和1-9-5（迁移率与电子自由运 动时间和有效质量有关），迁移率与温度和杂质浓度的关系 3、电导率，是迁移率的函数：公式1-9-10和1-9-11 4、在外电场和载流子浓度梯度同时存在的条件下，载流子运输公 式：1-9-24～1-9-27 5、费米势：公式1-10-5：电势与费米能级的转换

半导体物理基础知识

半导体物理基础知识 一、半导体导电特性 电子线路中的关键器件如二极管、三极管、场效应管、集成电路等都是由半导体材料制成的，要分析上述器件的工作原理，必须对半导体材料的导电特性应有所了解。 1、 什么是半导体 物质如按导电性能分可分为 （1） 导体： 电阻率ρ很小； （2） 绝缘体：电阻率ρ很大； （3） 半导体：电阻率ρ不大不小，10-3～109 Ω?cm 。 常见的有：硅（Si ）、锗（Ge ）、砷化镓（GaAs ）等。 2、 半导体独特的导电特性 （1） 受温度（T ）的影响大；T ↑→ρ↓，热稳定性差，但也可做热敏元件 （2） 受光照的影响大； （3） 掺杂对导电性能影响大。 例：室温，纯净的硅，ρ= 2*103Ω?cm ，如掺百万分之一（10-6 ）的磷（P ），纯度还有 99.9999%（6个9），则ρ= 4*10-3 Ω?cm 。 二、本征半导体 1、 什么是本征半导体：纯净的(9个9以上)，晶格整齐无缺陷的单晶半导体。 2、 本征半导体晶格结构 （1） 半导体原子结构 惯性核 价电子 （2）晶格结构 p3 图1-1-2 体。

3、 本征激发 （1） 当T=0K （绝对零度）时，所有价电子都束缚在共价键中，不能成为自由 电子，晶体相当绝缘体。 （2） 当T>0K 或光照时，部分价电子获得额外能量，摆脱共价键束缚变为自由 电子，并在共价键中留下一个缺少负电荷的空位（空穴）。这过程就叫本征激发。 （a ） 本征激发时，自由电子和空穴是成对出现，叫自由电子空穴对； （b ） 空穴是带正电的，因为原子是电中性的； （c ） 空穴可以运动：邻近共价键中的价电子填补空穴。 （d ） 温度越高，产生的自由电子空穴对就越多。 4、 载流子： 可以运动的带电粒子。 半导体中自由电子和空穴都是载流子。 5、 复合： 自由电子填补空穴。 自由电子和空穴成对消失。自由电子和空穴浓度越大，复合的几率就越大。 6、 热平衡载流子浓度i n 热平衡：在一定温度下，自由电子空穴对的产生与复合达到了动态平衡（单位时间有多少自由电子空穴对产生出来同时也有同等数量的自由电子空穴对复合掉）就叫热平衡。这时自由电子空穴对的浓度（单位体积粒子数）即热平衡热平衡载流子浓度i n 保持不变。 3 2 2go E KT i n AT e -= 当温度T ↑时，i n ↑↑ 常温下，i n 是很小的。例：硅在室温T=300K 时，1031.510i n cm -=?。而硅的原子密

半导体物理基础知识

半导体物理基础知识 1.1导体，绝缘体和半导体 自然界的各种物质就其导电性能来说、可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。 导体具有良好的导电特性，常温下，其内部存在着大量的自由电子，它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。因而导体的电阻率很小，只有金属一般为导体，如铜、铝、银等，它们的电阻率一般在10–4欧姆·厘米以下。 绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。在这类材料中，几乎没有自由电子，即使受外电场作用也不会形成电流，所以，绝缘体的电阻率很大，它们的电阻率在109欧姆·厘米以上。 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为，若按百万分之一的比例掺入少量杂质（如磷）后，其电阻率急剧下降为，几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。它具有如下的主要特征。 （l）杂质影响半导体导电性能在室温下，半导体的电阻率在10–4～109欧姆·厘米之间。而且，加入微量杂质能显著改变半导体的导电能力。掺入的杂质量不同时，可使半导体的电阻率在很大的范围内发生变化。另外，在同一种材料中掺入不同类型的杂质，可以得到不同导电类型的材料。 （2）温度影响半导体材料导电性能温度能显著改变半导体的导电性能。在一般的情况下，半导体的导电能力随温度升高而迅速增加，也就是说，半导体的电阻率具有负温度系数。而金属的电阻率具有正温度系数，且随温度的变化很慢。 （3）有两种载流子参加导电在半导体中，参与导电的载流子有两种。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中则仅靠电子导电，而在电解质中，靠正离子和负离子同时导电。 （4）其它外界条件对导电性能的影响半导体的导电能力还会随光照而发生变化。例如一层淀积在绝缘基板上的硫化镉薄膜，其暗电阻约为数十兆欧，当受光照后，其电阻可下降到数十千欧。这种现象称为光电导效应。此外，半导体的导电能力还会随电场、磁场、压力和环境的作用而变化，具有其它特性和效应。 物体的导电能力，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。表1-1给出以电阻率来区分导体，绝缘体和半导体的大致范围。

黄昆班-半导体物理基础复习

m=9.109 382 15(45) X1O A(-31) kg K B T=0.026eV (T=300K) h=6.62606896 (33) X10A(-34) J s K B=1.3806488(13)X0A-23J/K Chapter 1 1. 熟悉常见的半导体的三种晶体结构，并理解他们的解离特性并标注闪锌矿结构 (如 GaAS原子坐标。 1) 金刚石结构： 硅、锗；以共价键结合的正四面体，通过4 个顶角原子又组成4 个正四面体，这样的累积形成了金刚石型结构； 由两个面心立方结构套构而成； 每个晶胞中的原子个数：8 每个原子坐标：(000) ，(? 0 ?), (0 ? ?), ( ? ? 0), ( ? ? ?), ( ? ? ?), (? ? ?), ( ? ? ?) 近邻原子数或配位数：4 2) 闪锌矿 G aAs、InP 、ZnSe、CdTe 每个晶胞中的原子个数？8 每个原子坐标：(000)As ，(? 0 ?)As, (0 ? ?)As, (? ? 0)As, (? ? ?)Ga, (? ? ?)Ga, ( ? ? ?)Ga, ( ? ? ?)Ga 近邻原子数或配位数：4( 四面体结构)

3) 纤锌矿(六方晶系) GaN、ZnO

纤锌矿结构也由两个密排六方结构套构而成？每个晶胞中的原子个数: 每个原胞中的原子坐标: (OOO)Ga ，(1/3 2/3 1/2)Ga, (0 0 5/8)N, (1/3 2/3 1/8)N 晶格常数 a 和 c(对 GaN a=0.3189 nm, c=0.5185 nm) 2. 计算金刚石和闪锌矿结构的原子体密度（已知：晶胞晶格常数为 a=0.5nm ） 3. 计算半导体Si 的（001）、110）和（111）晶面的原子面密度（晶格常数a=0.543nm ） 4. GaN 纤锌矿结构的晶胞和原胞内各分别有多少个原子？ 5?闪锌矿结构的极性方向为<001>晶向，纤锌矿结构的极性方向为 <0001> 6. 半导体的解离特性除了与晶面之间的键密度有关，还与成键性质有关 7. 晶格缺陷的种类 Chapter 2 能带导电性：能带中的 能态被电子部分占据 时，外电场可使电子的运动状态 发生改变，从而产生导电性。 能带论：电子能量发生变化的结果是电子从一个能态跃迁到另一个能态 （满带: 12 数 原胞如何？ 每个原胞中 的原子个