Preparation of (001) preferentially oriented titanium thin

Preparation of (001)preferentially oriented titanium thin ?lms by ion-beam sputtering deposition on thermal silicon dioxide

Imrich Gablech 1,2?Vojte

ˇch Svatos ˇ1,2?Ondr ˇej Caha 3,4?Milos ˇHrabovsky ′1,5?

Jan Pra

′s ˇek 1,2?Jarom?′r Huba ′lek 1,2?Toma ′s ˇS ˇikola 1,5Received:6August 2015/Accepted:6December 2015/Published online:21December 2015

óThe Author(s)2015.This article is published with open access at https://www.wendangku.net/doc/877784318.html,

Abstract We propose the ion-beam sputtering deposition providing Ti thin ?lms of desired crystallographic orien-tation and smooth surface morphology not obtainable with conventional deposition techniques such as magnetron sputtering and vacuum evaporation.The sputtering was provided by argon broad ion beams generated by a Kauf-man ion-beam source.In order to achieve the optimal properties of thin ?lm,we investigated the Ti thin ?lms deposited on an amorphous thermal silicon dioxide using X-ray diffraction,and atomic force microscopy.We have optimized deposition conditions for growing of thin ?lms with the only (001)preferential orientation of ?lm crys-tallites,and achieved ultra-low surface roughness of 0.55nm.The deposited ?lms have been found to be stable upon annealing up to 300°C which is often essential for envisaging subsequent deposition of piezoelectric AlN thin ?lms.

Introduction

Titanium has been a frequently used material in micro-electronics and MEMS technology.Titanium thin ?lms have been used as sensing electrodes,buffer,or adhesive layers.The advantages of titanium thin ?lms are good electric conductivity,extraordinary chemical resistivity,thermal stability,high hardness,high melting point,and lower number of crystallographic imperfections [1–5].Crystallographic orientation of titanium thin ?lms has to be controlled during the deposition process to obtain speci?c properties (e.g.,mechanical,chemical)suitable for an eventually required application [6,7].Some of recent MEMS devices use the piezoelectric effect for energy harvesting or sensing purposes [8].Titanium has been often utilized in MEMS technology as a compatible material for fabrication of thin conductive underlying electrodes on which the piezoelectric layers are deposited [6].

The crystallographic orientation of titanium thin ?lms is crucial for properties of consequently deposited piezo-electric layers [9].Obviously,the properties of these layers (AlN,ZnO),namely electromechanical properties,are signi?cantly affected by the crystallographic orientation,surface morphology,and the roughness layers beneath [10].There have been many papers published investigating the degree of orientation which is strongly dependent on the texture and roughness of underlying material [11,12].Titanium thin ?lms have been usually deposited by the physical vapor deposition (PVD)particularly magnetron sputtering [13]or e-beam evaporation [4].Obviously,dif-ferent deposition parameters result in various ?lm proper-ties.Considering the surface roughness,low process pressure during deposition (i.e.,\5910-3mbar)usually results in a smooth ?lm surface (i.e.,R rms \10nm).At higher deposition pressure (i.e.,\14910-3mbar),the

&Imrich Gablech

imrich.gablech@ceitec.vutbr.cz

1

Central European Institute of Technology,Brno University of

Technology,Technicka

′3058/10,61600Brno,Czech Republic

2

Department of Microelectronics,Faculty of Electrical Engineering and Communication,Brno University of

Technology,Technicka

′3058/10,61600Brno,Czech Republic

3

Central European Institute of Technology,Masaryk

University,Kamenice 753/5,62500Brno,Czech Republic 4

Department of Condensed Matter Physics,Faculty of

Science,Masaryk University,Kotla

′r ˇska ′2,60200Brno,Czech Republic

5

Institute of Physical Engineering,Brno University of

Technology,Technicka

′2896/2,61669Brno,Czech

Republic J Mater Sci (2016)51:3329–3336DOI 10.1007/s10853-015-9648-y

titanium RMS surface roughness of45nm was achieved. Consequently,a negative effect on the piezoelectric coef-?cients of AlN layers deposited on Ti thin?lm due to a porous surface was observed[10].The magnetron sput-tering is the most frequent method for titanium thin?lms deposition[14].Titanium thin?lms deposited by the magnetron sputtering generally possess(100),(001),and (101)crystallographic orientations of crystallites parallel to the surface[1].Without a special modi?cation of the magnetron sputtering process(closed-?eld unbalanced magnetron sputtering,pulsed magnetron sputtering),the number of various and independent deposition parameters capable of optimizing deposited layers is limited[15,16]. Due to the lack of the process control parameters,it is often an issue to achieve thin?lms of desired properties for speci?c application.

In this paper,we report on a deposition of Ti thin?lm with the(001)preferential crystallite orientation growth on amorphous thermal silicon dioxide using a3-grid radio frequency inductive-coupled plasma(RFICP)Kaufman ion-beam source.As generally known,the Kaufman ion-beam source provides more ef?cient control and opti-mization of the deposition process compared to the con-ventional deposition method[17,18].Here,ion-beam?ux, energy,and ion-beam geometry,can be controlled inde-pendently.We have studied the in?uence of deposition parameters on properties of Ti thin?lms especially on their preferential crystallographic orientation and topography. Experimental details

Deposition process

The deposition of titanium layers was done on substrates (20920)mm diced from4-inch P-type silicon wafer with the(100)crystallographic orientation and the resistivity of 6–12X cm covered with thermal silicon dioxide(ON Semiconductor).The thickness of silicon dioxide was approximately1l m.Before the sputtering process,we cleaned all substrates in the standard piranha solution (96%H2SO4?30%H2O2in the3:1ratio)for5min, rinsed in deionized water(18.7M X cm),and dried them by compressed nitrogen.

The deposition process was done using the ion-beam sputtering apparatus(Bestec)equipped with RFICP Kauf-man ion-beam source(Kaufman&Robinson—KRIò)with the molybdenum3-grid dished focused ion optics(4cm in diameter and with45°ellipse pattern)providing an Ar ion beam bombarding the Ti target under an incidence angle of 45°.The99.9996%pure argon gas was used during the deposition process.Titanium of99.995%purity(Porexi)was sputtered from a(1009100)mm target.Reduction of the ion-beam space charge was provided by KRI LFN2000 charge neutralizer(KRIò).Before each deposition process, the sputtering chamber was evacuated to pressure of 5910-9mbar using a turbomolecular HiPace1200tur-bopump(Pfeiffer Vacuum)with the pumping speed of 1200l/s for argon backed by TriScrollò300series dry scroll vacuum pump(Agilent Technologies).The sche-matic illustration of the apparatus setup including all sig-ni?cant dimensions and angles is shown in Fig.1.

The operation parameters of the deposition process are beam voltage(BV)determining energy of the ion beam at the target,acceleration voltage(AV)controlling the extraction and the optical parameters of the beam,beam current(BC)equal to the ion-beam current at the target, radio frequency power(RFP)supplied to the discharge, argon?ow rate,and substrate temperature.During all deposition experiments,the substrate was rotating with the speed of5rpm.A particular setup of the major parame-ters for individual deposition experiments is listed in Tables1and2.In all deposition experiments,the sub-strate was not heated up and its temperature was affected only by the energy of sputtered material.The substrate temperature did not exceed the value of100°C.The In?con SQM-242card with a quartz crystal sensor was used to monitor the deposition parameters as thickness and rate of deposition.

100 mm

Ion

beam

Material

beam

Substrate

Kaufman

ion source

Target

45°

15°

Schematic of sputtering apparatus geometry with Kaufman ion-beam source

Diagnostic methods

X-ray diffraction(XRD)technique was used for crystal-lography analysis.These analysis were done with X-ray diffractometer(SmartLab,Rigaku)containing a linear D/teX Ultra detector and working in the Bragg–Brentano (BB)focusing geometry.Pole?gures were measured using parallel beam setup with multilayer parabolic mirror as a collimator and a scintillation detector.The surface rough-ness(R RMS)of deposited layers was investigated by Atomic Force Microscopy(AFM,Dimension Icon,Bruker) in the ScanAsystò-Air mode using the corresponding probe (ScanAsyst-Air)with the cantilever spring constant of 0.4N m-1and tip radius of2nm.

Annealing procedure

The deposited samples were exposed to an annealing pro-cedure using the annealing oven(Vakuum Praha).The annealing procedure was done for three temperatures100, 200,and300°C at the pressure of5910-7mbar.The annealing protocol was set with following parameters: heating rate5°C per minute;peak temperature was held for60min;cooling rate5°C per minute.Results and discussion

In the?rst series of experiments,we set the absolute values of BV and AV in the ratio5:1to reduce the?ux of electrons according to the rule of electron-backstreaming limit experi-mentally determined by the manufacturer[19].The higher ratios of BV and AV cause?owing of electrons(secondary electrons, neutralizing electrons)through ion optics into the ion source affecting the discharge.Utilizing the feedback control,we set BC appropriately to BV and AV according to a recommendation in the KRIòdatasheet.These values of the ion-beam current were optimum ones at which a direct impingement of beam ions into the accelerator and decelerator grids were suppressed.

The?rst sample(Sample1–1)was deposited using higher AV because it was not possible to keep stable plasma discharge,and the last one(Sample1–10) was deposited at maximum possible voltage settings of ion-beam source.In Table1,different settings of deposition parameters together with the resultant deposition pressure and deposition rate are listed.

We used XRD in the BB setup with the2h angle ranging from20°to90°to perform the phase analysis of all deposited layers.We detected diffraction peaks belonging to(100),(101),and(001)crystallographic planes.For

Table1Ion-beam source experimental setup(BV,AV,BC,RFP,Ar?ow)and deposition pressure and rate

Sample no.BV(V)AV(V)BC(mA)RFP(W)Ar?ow(sccm)Process pressure(mbar)Deposition rate(A?/s)

1–1200-100 6.074 2.2 2.1910-40.04–0.06

1–2400-8013.073 2.4 2.2910-40.15–0.18

1–3500-10018.086 2.6 2.3910-40.24–0.26

1–4600-12023.094 2.8 2.4910-40.32–0.34

1–5700-14029.0107 3.0 2.5910-40.42–0.44

1–6800-16036.0118 3.3 2.6910-40.56–0.58

1–7900-18043.0130 3.6 2.7910-40.70–0.72

1–81000-20050.0140 3.9 2.9910-40.84–0.86

1–91200-24065.0168 4.4 3.1910-4 1.18–1.20

1–101200-60082.0188 5.3 3.5910-4 1.49–1.51

Table2Ion-beam source setup deposition pressure and rate in experiments on optimization of the?lm structure with respect to the(001) preferential crystallographic orientation

Sample no.BV(V)AV(V)BC(mA)RFP(W)Ar?ow(sccm)Deposition pressure(mbar)Deposition rate(A?/s)

2–1200-100 6.073 2.1 1.9910-40.04–0.06

2–2200-120 6.074 2.1 1.9910-40.04–0.07

2–3200-1407.073 2.1 1.9910-40.05–0.07

2–4200-1607.074 2.1 1.9910-40.05–0.07

2–5200-1808.074 2.2 2.0910-40.06–0.07

2–6200-2008.073 2.2 2.0910-40.07–0.08

2–7200-2209.074 2.2 2.0910-40.07–0.09

2–8200-2409.074 2.2 2.0910-40.07–0.09

(001)crystallographic plane,second-order diffraction 002was measured since the ?rst-order diffraction is forbidden.However,in the following text we will note it as (001).The corresponding X-ray diffractogram is depicted in Fig.2.The diffractograms show also the slight peak at 2h of 68°to 70°which originates from the silicon substrate and sometimes a very weak peak corresponding to the fourth-order diffraction on the Ti (001)plane at 83°.The obtained results show that crystallographic orientation of sputtered layer depends mainly on ion energy which is given by BV.In case of low ion-beam energies (200eV and 400eV,samples 1–1and 1–2,respectively),the required (001)preferential crystallographic orientation of the crystallites with a small contribution of (100)planes parallel to the surface was obtained.On the other hand,the (100)plane orientation was much more represented at higher ion-beam energies,namely in the range of BV from 500to 1000V (Samples 1–3to 1–8).At the highest ion-beam energy (BV of 1200V,sample 1–9and 1–10),the (101)plane orien-tation was observed along with the (001)and (100)ones.The second series of experiments was aimed at ?nding the optimal deposition conditions in order to achieve the only (001)preferential orientation of crystallites in the Ti ?lms parallel to the surface.We were changing AV (af-fecting ion extraction and ion-beam formation,and thus the ion-beam space charge as well)from -100to -240V at the ?xed BV of 200V (i.e.,at the constant ion-beam energy of 200eV).All deposition parameters are summa-rized in Table 2.The obtained X-ray diffractograms for all prepared samples are shown in Fig.3.

As can be seen in Fig.3,at an AV value of -220V (sample 2–7),it is clear that the preferential (001)orientation of thin ?lm was achieved.The other settings of the AV resulted in a minor peak in the diffractogram proving the presence of (100)plane.This behavior was probably attributed to distinct values of space charge potential depending on the AV setting,and providing dif-ferent energies of charge-exchange argon ions which are leaving the beam and bombarding the substrate surface [17].In this way,these factors can assist in the growths of thin ?lms and modify their properties similarly to ion-beam-assisted techniques [20].These results of performed opti-mizations showed the possibility of producing the titanium layer with only one preferential (001)plane orientation.We have determined the lattice parameters of the optimized thin

?lms;the c lattice parameter was ascertained c =4.72A

?while the lattice parameter was determined by grazing

incidence diffraction a =2.95A

?.The tabulated values of these parameters are a =2.951A

?and c =4.695A ?[21].Carrying out identical experiments for four times,we proved a good repeatability of the results.In all four cases,we obtained the identical diffractograms of thin ?lms prepared in the independent experiments with the same deposition parameters leading to the (001)preferential orientation as sample 2–7.

Full width at half maximum (FWHM)of the diffraction peak belonging to (001)planes was 0.4°for all samples with good reproducibility.This width corresponds to the average coherently diffracting domain of 22nm calculated using Scherrer formula [22].This value is underestimating the real average crystallite size since the internal strain is neglected.The higher order diffractions were too weak to be detected with suf?cient statistics and further analysis was not

possible.

Fig.2X-ray diffractograms of deposited thin ?lms obtained with different BV and AV;3D plot of diffractograms of all samples prepared at deposition parameters listed in Table 1(left ),three detailed

diffractograms showing the samples with the most

distinguished crystallographic orientations of the ?lms (right )

Further,we performed the pole ?gure analysis of the optimized sample (i.e.,the sample 2–7)for the diffraction angles belonging to (100),(001),and (101)diffraction planes to determine their preferential orientation.The pole ?gures shown in Fig.4are the stereographic projections of the diffracted intensity plotted with respect to the sample coordinates,i.e.,pole ?gure center corresponds to the crystallographic planes parallel to the surface while the edge of the circle corresponds to the planes being per-pendicular to the surface.In the previously shown

Bragg–

Fig.3X-ray diffractograms of thin ?lms deposited at the ?xed BV of 200V and different AVs;3D plot of diffractograms of all samples prepared at deposition parameters listed in Table 2(left ),two detailed

diffractograms showing the samples with most presented (100)crystallographic

orientation (sample 2–4)and the layer with only (001)orientation (sample 2–7)(right

)

Fig.4Pole ?gures of the

sample 2–7with the optimized preferential orientation;a (100)plane angular (i.e.,polar and azimuthal)distribution,b (001)plane angular distribution,c (101)plane angular distribution d azimuthally averaged intensity pro?les extracted from the preceding pole ?gures plotted as a function of the crystallographic plane inclination with respect to the sample normal

Brentano scans,one can detect only crystallographic planes parallel to the surface.The experimental results show the (001)planes are predominantly oriented parallel to the sample surface,while (100)planes are predominantly perpendicular to the surface.The average misorientation of individual crystallites determined from FWHM of the pole

?gure peak is 5°(see Fig.4b,d).Accordingly,the (100)planes being perpendicular to (001)planes reveal their maximum intensity at the edge of the pole ?gure as shown in Fig.4a,d.The weak maximum at the pole ?gure center in Fig.4a is caused by the fact that the diffraction peaks belonging to (100)and (001)planes are partially overlap-ping in the angle 2h and they are not completely separated with used experimental resolution (see Fig.4d).The angle between the (101)and (001)crystallographic planes in the Ti lattice is 61.3°which perfectly corresponds to

the

Fig.5X-ray diffractograms obtained after each annealing step up to 300°C for 1

h

Fig.6Surface topography obtained by AFM;a the sample 2–7with the (001)preferential crystallographic orientation;b the sample 1–8with the (100)and (001)crystallographic orientations;c the sample

1–10with (100),(001),and (101)crystallographic planes;d pro?les corresponding to the three shown AFM surface topography

Table 3Measured R RMS surface roughness of samples prepared with different BV and AV settings Sample no.BV (V)AV (V)R RMS (nm)1–1200-1000.72±0.082–7200-2200.55±0.071–2400-800.73±0.091–4600-1200.76±0.091–6800-1600.76±0.121–81000-2000.75±0.091–9

1200-2400.66±0.081–10

1200

-600

0.67±0.08

observed maximum in the pole Fig.4c.All the three pole ?gures have a perfect rotational symmetry which means the orientation of the individual crystallites in the azimuthal direction is random with no indication of any preferred azimuthal direction.However,we expected such behavior since the substrate was rotating during the Ti deposition and therefore no unique azimuthal axis is present.

Consequent deposition of some layers such as AlN or ZnO over a titanium?lm often requires process tempera-tures up to300°C[8].Considering this fact,we exposed several samples(sample2–7)with the optimized(001) preferential crystallites orientation to an annealing process in vacuum of5910-7mbar.The annealing process was supposed to simulate conditions similar to those needed for deposition of these binary thin?lm compounds on a tita-nium layer and thus to learn its possible thermal instability. The consequent XRD analysis(see Fig.5)shows no obvious changes in the crystal lattice after three different annealing processes which were carried out for three maximum temperatures100,200,and300°C.

We used the AFM in the ScanAsystòmode to determine the surface topography and roughness of deposited thin ?lms.Figure6a shows topography of the sample2–7 containing titanium crystallites with the preferential ori-entation(001)with surface roughness of only0.55nm. Topography of the sample1–8containing crystallites with both(100)and(001)crystallographic planes(see Fig.2) parallel to the surface is shown in Fig.6b.This sample has one of the highest surface roughnesses with a value of 0.75nm.We attribute this fact to the equal distribution of these two crystallographic orientations recognizable as sharp peaks(001)combined with the rounded elongated islands(100).Figure6c shows the topography of the sample1–10where the major contribution to the crystal-lographic structure comes from the crystallographic ori-entation001along with(100)and(101)planes.We presume this fact is re?ected in a surface roughness of the value0.67nm which is lower compared to the previous sample.The individual AFM pro?les of these three sam-ples(sample2–7,1–8,1–10)are depicted in Fig.6d.

The results of the AFM measurement are listed in Table3.The table contains the values of RMS surface roughness including its standard deviations for each sample with corresponding BV and AV.It is obvious that the sample2–7possessing the(001)preferential orientation has the lowest surface roughness.

Conclusion

We have presented the optimized deposition process of the (001)preferentially oriented titanium thin?lm using the Kaufman ion-beam source.The performed experiments have shown that both the low energy and the low ion-beam current are necessary for deposition of highly oriented Ti thin?lms with the only(001)preferential orientation of ?lms crystallites parallel to the surface.

The crystallites with the(100)orientation parallel to the surface were present in the thin?lms deposited at higher ion-beam energies(BV of400V and higher),and those with the(101)plane parallel to the surface in the?lms deposited at the highest value of ion-beam energy(BV of 1200V).The R RMS roughness of all deposited?lms was less than1nm according to the AFM measurements which con?rms an ultra-smooth character of surface.The lowest value of surface roughness is only0.55nm.We have shown that the surface roughness of thin?lms depends on the preferential crystallographic orientation.

The observed behavior and properties of the Ti thin ?lms are attributed to speci?c deposition conditions pro-vided by the Kaufman ion-beam source which generally are not achievable with the conventional magnetron sputtering.

Acknowledgement We acknowledge the support by the European Regional Development Fund(project No.CZ.1.05/1.1.00/02.0068). The work was also carried out with the support of the CEITEC Nano Core Facility under the CEITEC—open access project,ID number LM2011020,funded by the Ministry of Education,Youth and Sports of the Czech Republic under the activity‘‘Projects of major infras-tructures for research,development and innovations.’’

Open Access This article is distributed under the terms of the Creative Commons Attribution4.0International License(http://crea https://www.wendangku.net/doc/877784318.html,/licenses/by/4.0/),which permits unrestricted use, distribution,and reproduction in any medium,provided you give appropriate credit to the original author(s)and the source,provide a link to the Creative Commons license,and indicate if changes were made.

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Surf Coat Technol84(1–3):485–490.doi:10.1016/S0257-8972

(95)02823-4

21.PDF-2database entry00-044-1294,ICDD-JCPDS

22.Patterson AL(1939)The scherrer formula for X-ray particle size

determination.Phys Rev56(10):978–982

北京交通大学《城市轨道交通规划与设计》20秋在线作业2-001答案

1.城市轨道交通联络线是连接两独立运营线的辅助线路，利用率较低。() A.错误 B.正确 答案：B 2.车辆段承担本线一部分车辆的技术检查、清扫、洗刷、停放和运用管理。() A.错误 B.正确 答案：A 3.城市轨道交通系统线网中的线路按照功能可分为客流追随型和规划引导型。规划引导型解决目前交通紧迫问题，符合现状最大客流。() A.错误 B.正确 答案：A 4.车体分为有司机室车体和无司机室车体两种。() A.错误 B.正确 答案：B 5.北京第一条地铁于1965年开工，采取的是盾构法施工。() A.错误 B.正确 答案：A 6.城市轨道交通安全问题是以“以预防为主，防消结合”为工作方针。()

B.正确 答案：B 7.城市轨道交通车站的设备配置首先要强调设备配置的能力匹配与经济性，其次要满足面向乘客分服务要求。() A.错误 B.正确 答案：A 8.线网构架的类型包括无环放射型线网和有环放射型线网两种。() A.错误 B.正确 答案：A 9.轨道交通各车场任务和分工必须从全网统筹规划、合理布局、有序发展。() A.错误 B.正确 答案：B 10.辅助线是指连接车站并贯穿或直股伸入车站的线路，是列车正常运营的线路，一般为双线。() A.错误 B.正确 答案：A 11.线路位置必选包括直线位置和曲线半径比选。()

B.正确 答案：B 12.车辆段设计总体上主要分为咽喉部分和线路两部分。() A.错误 B.正确 答案：A 13.城市轨道交通线路难以改建，而且一般都是单线。() A.错误 B.正确 答案：A 14.系统分析的内容包括对过去系统的分析、对现有系统的分析和对新开发系统的分析。() A.错误 B.正确 答案：A 15.城市轨道交通系统引导城市结构发展就是通过大幅度提高交通供给，引导周边土地高强度利用。一般整个过程分四个阶段：团状开发，波浪状开发、带状开发，面状开发。() A.错误 B.正确 答案：B

微课大赛通知

怀来县教育研究室 关于组织参加省市微课大赛的通知 各学校： 河北省第二届微课大赛将正式举行，现将省市有关文件发给你们，请认真组织学校老师参加并在6月15日前，将参赛汇总表和评审费一并交到教研室电教组。 怀来县教育研究室 2015.05.19 张电教字…2015?10号 张家口市电教馆关于 转发《河北省电化教育馆、方圆电子音像出版社关于举办河北省第二届微课大赛的通知》的通知 各县区电教馆、市直中学及幼儿园： 为引导广大中小学教师主动创新信息化环境下课堂教学形态，助力教师专业成长和学生自主学习、个性化学习，促进全省各级各类学校不断积累和共享微课教学成果，根据冀电教[2015]3号文件要求，河北省电教馆与方圆电子音像出版社共同举办河北省第二届微课大赛。现将省馆原文转发给你们，希望各县区电教馆、市直中学及幼儿园做好微课教学设计培训工作，组织教师积极参加本次活动。 联系人：王绍梅李復英联系电话：2561092

备注：微课评审费用及缴费方式 一：个人参赛每件作品收取参赛评审费50元；团队参赛专题中的每件作品按30元标准收取参赛评审费 二：所有评审费用由各县区、市直中学及幼儿园统一收齐，交到市电教馆管研组。同时上报各县区参赛汇总表。 附件1：张家口市区（校）第二届微课参赛汇总表 附件2：《河北省电化教育馆、方圆电子音像出版社关于举 办河北省第二届微课大赛的通知》 张家口市电教馆 2015年5月5日 附件1： 张家口市区（校）第二届微课参赛汇总表

附件2： 河北省电化教育馆 方圆电子音像出版社 关于举办河北省第二届微课大赛的通知 冀电教[2015]3号各设区市、省直管县电化教育馆（站）： 为引导广大中小学教师主动创新信息化环境下课堂教学形态，助力教师专业成长和学生自主学习、个性化学习，促进全省各级各类学校不断积累和共享微课教学成果，经研究，决定在总结河北省第一届微课大赛成功经验基础上，与方圆电子音像出版社共同举办河北省第二届微课大赛。北京万方数据股份有限公司（万方数据中小学数字图书馆）和光合新知(北京)科技有限公司将协办本次大赛。现将有关事项通知如下： 一、大赛宗旨 全面展示微课研究和应用成果，搭建微课交流和推广的应用平台，提高广大教师的微课制作能力，提升广大教师制作微课的积极性，促进信息技术与课堂教学深度融合，提高教育教学质量。 二、参赛对象与范围 参赛对象：全省各级各类学校专兼职教师以及具备微课开发能力的教育教学团队、科研院所、出版单位、教学资源开发公司等机构部门。

机械工程及自动化专业本科专业人才培养目标体系-上海交通大学

上海交通大学电气工程与自动化本科工程型—— 卓越工程师教育计划培养方案 一、学科专业及项目简介 电气工程与自动化专业是上海交通大学历史最悠久的专业，已逾百年，为国家培养了大批社会精英。 本专业目前为教育部“第一类特色专业”，也是教育部“卓越工程师”培养专业，体现强弱电、软硬件相结合的特色，将学生培养成为具有国际视野，具有综合运用所学的科学理论与技术方法从事与电气工程相关的系统运行和控制、电工技术应用、信息处理、试验分析、研制开发、工程管理以及计算机技术应用等领域的人才。本专业本科生在“全国大学生节能设计大赛”和“全国大学生电子设计大赛”等比赛中屡创佳绩。毕业生大量进入电力公司等国企、世界五百强企业，约1/3的学生进入国内外大学继续深造。 在《教育部关于实施卓越工程师教育培养计划的若干意见》文件引导下，我校电气工程与自动化专业被列入教育部第一批“卓越工程师教育培养计划”，为此，从2009级开始，电气工程与自动化专业每年有35名本科生按卓越工程师教育培养计划进行培养，其三个特点为：1）行业企业深度参与培养过程（共同制定培养计划，企业设立“工程实践教育中心”）；2）学校按通用标准和行业标准培养工程人才；3）强化培养学生的工程能力和创新能力。我校“电气工程与自动化”专业卓越工程师培养依托于上海交大电气工程一级学科及上海电气、上海电力、施耐德电气等企业和其他研究所。其特色为：1）学科基础好，电气工程一级学科拥有博士学位授予权，涵盖了电力系统及其自动化、高电压与绝缘技术、电机与电器、电力电子与电力传动、电工理论与新技术五个二级学科，其中电力系统及其自动化为国家重点培育学科。2）师资力量雄厚，电气工程系现有教职工98人，其中院士2人，以及一批在国内外有一定影响、承担国家及地方重大工程项目的中青年专家，并有一大批企业导师参与指导。该专业学位硕士点还依托教育部重点“电力传输与功率转换”实验室、高电压试验设备研究开发中心、风力发电研究中心、国家能源智能电网（上海）研发中心、上海市高压电器产品质量监督检验站，给学生们提供大量的实习、实践及参与各类科研项目的机会。

实验小学微课制作比赛活动方案

实验小学微课制作比赛活动方案 为推动学校教师专业发展和教学能力提升，促进信息技术与专业教学融合，搭建教师教学经验交流平台，学校定于2014年6月进行微课设计比赛。本着全面发动、广泛参与的原则，结合我校实际制定方案如下： 一、参赛对象：小学部全体教师。 二、时间安排： 培训时间：六月五日，5:10在会议室，由老师进行培训。 比赛时间：六月二十五日前，完成微课制作。 三、比赛内容及要求 1.以教研组为单位组织。每个教研组至少推荐两位教师参加评比，每位参赛教师提交参赛作品数量为1件。 2.作品以教材的知识点为单位，围绕某个知识点或教学环节，充分合理运用各种现代教育技术手段及设备，设计课程。包含主微视频、教学设计、学习指导、配套学习资料（多媒体课件、练习与测试、反馈与评价等）、作品简介等。主视频时长在10分钟以内，不大于200M，视频格式要求为mp4、flv或wmv。片头应显示课题、作者和单位，主要教学环节要有字幕提示。 3.图像清晰稳定、构图合理、声音清楚，能较全面真实反映教学情境。 4.微课围绕教学目标，反映主要教学内容， 5.参赛作品须为本人原创，禁止抄袭他人作品。

四、报送要求： 每级部上报两件微课作品，参赛作品（包含主微视频、教学设计、学习指导、配套学习资料、作品简介等）由各教研组统一发送到教导处网盘。 五、学校评比 6月28日前组织评委评选，纳入到优秀教研组评比（活动参与项）和教师有关量化考核中。学校择优推荐，参加全区评比。

附件一： “微课”参赛作品登记表

附件二示例 《望月》微课创作说明书 作品名称：《望月》微课 学习内容：江苏省教育出版社小学五年级下册第24课适用对象：小学五年级语文 主讲： 教学设计 适用对象分析： 本微课适合于小学五年级教师教学和学生学习。“阅读是学生的个性化行为”，五年级的学生已经有一定的知识积累及属于自己独特的思维方式，在课文理解方面，教师完全可以大胆放手，让学生自己充分地读，在读中整体感知，在读中领悟，在读中受到情感的熏陶。要让学生通过自己的诵读、品味，进入课文所描绘的境界中去，从而受到强烈感染。在适当地方，教师可作必要的圈点提炼，以帮助学生进一步感知文本。 学习内容分析： 课文围绕“望月”这一主题，写了小外甥向舅舅挑战背诗和问问题的过程，表现了小外甥“聪明好学，爱幻想”的特点和人们喜爱月亮，追求美好事物的思想感情。课文形散神聚，富有童真童趣，将小外甥的特点刻画得淋漓尽致。在教学时，要引导学生在主动积极的思维和情感活动中，加深理解和体验。课文中引用了许多描写月亮的诗句，在教学前，可引导学生先将诗句熟读成诵，再小组讨论诗句的意

西南交通大学大物A1-01作业解析

《大学物理AI 》作业 No.01运动的描述 班级 ________ 学号 ________ 姓名 _________ 成绩 _______ 一、判断题 【 F 】1、运动物体的加速度越大，其运动的速度也越大。 反例：如果加速度的方向和速度方向相反。 【 F 】2、匀加速运动一定是直线运动。 反例：抛体运动。 【 F 】3、在圆周运动中，加速度的方向一定指向圆心。 反例：变速率的圆周运动。 【T 】4、以恒定速率运动的物体，其速度仍有可能变化。 比如：匀速率圆周运动。 【 T 】5、速度方向变化的运动物体，其加速度可以保持不变。 比如：抛体运动。 二、选择题 1． B 2、B 3、C 4、D 5、C 6、C 4．一运动质点在某瞬时位于矢径()y x r , 的端点处，其速度大小为 [ D ] (A) t r d d (B) t r d d (C) t r d d (D) 22d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x 解：由速度定义t r v d d = 及其直角坐标系表示j t y i t x j v i v v y x d d d d +=+=可得速度大小为 2 2d d d d ?? ? ??+??? ??=t y t x v 选D 6．一飞机相对空气的速度大小为1h km 200-?，风速为1 h km 56-?，方向从西向东。地面雷达测得飞机速度大小为1 h km 192-?，方向是 [ C ] (A) 南偏西16.3° (B) 北偏东16.3° (C) 向正南或向正北 (D) 西偏北16.3° (E) 东偏南16.3° 解：风速的大小和方向已知，飞机相对于空气的速度和飞机对地的 速度只知大 小，不知方向。由相对速度公式 地空气空气机地机→→→+=v v v 空气 机→v 地 机→v 地 空气→v 200 19256

北京交通大学《城市轨道交通客流分析》20秋在线作业1-001答案

1.下列不属于城市轨道交通与常规公交换乘站点的客流特征的是()。 A.发量大而集中 B.多向集散和换乘 C.各小时段客流不均衡性 D.各小时段客流变化不大 答案：D 2.车站位于综合功能用地区位时，客流分布与其它交通方式的客流分布一致，有两个配对的早晚上下车高峰属于哪类客流时间分布类型?() A.单向峰型 B.双向峰型 C.突峰型 D.无峰型 答案：B 3.城市轨道交通发挥效益的关键在于()。 A.准时 B.形成网络 C.快捷性 D.延续性 答案：B 4.车站高峰小时客流是确定车站设备()的基本依据。 A.运行状况 B.使用时间 C.服务质量 D.容量或能力 答案：D

5.路网由若干直径线组成，所有的线路都经过市中心向外呈放射状，换乘站一般都位于市中心的客流集散中心的结构为()。 A.放射状结构 B.放射环形结构 C.栅格网状结构 D.网格环线结构 答案：A 6.车站中对车站客流的通过量起着决定性的影响的是()。 A.服务人员 B.主要设施设备 C.列车 D.车站的容量 答案：B 7.通信枢纽与信息交换处理中心称为()。 A.信号系统 B.通信系统 C.运营控制中心 D.环控系统 答案：C 8.下列不属于时间序列客流预测方法的是()。 A.移动平均法 B.指数平滑法 C.月度比例系数法 D.德尔菲法 答案：D

9.坐常规公共电、汽车到站换乘的乘客称为()。 A.一次乘客 B.二次乘客 C.三次乘客 D.四次乘客 答案：C 10.信息诱导设施不包括()。 A.方向性标识 B.说明性标识 C.宣传性标识 D.警告性标志 答案：C 11.城市轨道交通换乘枢纽站内的设施包括站台、人行道、楼梯、自动扶梯等，其中，站台的基本形式有()。 A.岛式 B.侧式 答案：AB 12.车站客运作业包括()。 A.售票作业 B.检票作业 C.站台服务 答案：ABC 13.从轨道交通站点的影响范围上来说，轨道交通客流主要分为()。 A.直接吸引客流 B.间接吸引客流

微课活动方案

2015—2016学年沌口小学教师微课推广活动方案为探索信息化环境下学科教学的的新途径、新模式，提高教师的现代教育技术应用能力，满足师生的个性化教学和学习需求，推动我校课堂教育教学方式的转变，促进教师业务素质的提升和专业化发展，响应区教育局关于微课评比活动的安排，我校将组织开展全校教师微课评选活动。 一、活动目的 微课评选活动，旨在让全校教师学习微课、开发微课、应用微课，推进我校优质微课的共建共享，营造多元、开放、协同与创新的现代化信息化教学环境，让广大师生共享现代教育技术发展的成果，促进教与学方式的变革，提升教育教学质量与效益。 二、活动范围 全校教师，其中35岁以下（包括35岁）教师为核心，35岁以上教师，可与一名35岁以上教师组成团队参与活动，每团队人数不超过4人。务求做到人人参与，人人有作品，相互学习，相互帮助，打造团队成果。 三、活动要求 1．每位教师都要提交个人作品，可由团队共同打造，参与教师要准备好过程资料（微课设计教案、课件、视频文件），青年教师提供技术支持。要求每位教师填报意愿申请表，35岁以上教师若需团队合作，请提前与合作教师做好沟通。 2.参与教师应以教育部颁布的《教师专业标准》和《课程标准》为基本内容依据，自选内容，精心准备，合理运用各种现代教育技术手段及设备，设计课程，录制成时长在5—10分钟左右的微视频，并配套提供教学设计文本、多媒体教学课件等辅助材料。 文件命名：教师姓名+学科+授课年级+主题名称； 视频命名：所在学科+授课年级+主题名称+教师/团队主要参赛教师姓名

3．每位教师提交作品数量为1件。上交作品需严格把关，避免出现知识性、科学性错误，不得抄袭和下载他人作品，侵害他人版权。如有侵犯他人著作权或不良信息内容，责任自负。 4.参与教师享有作品的著作权，所有参评作品向教师免费开放。 5.参与活动作品评比，评出优秀团队3支，一等奖5名，二等奖10名，三等奖15名，优秀奖20名。优秀作品将推出校外参赛。 四、活动时间 微课制作时间：10月——11月 微课申报表提交时间：10月21日前 微课作品提交时间：12月18日前 微课作品上传云空间时间：12月20日前 五、活动负责人 活动总负责：教务处 活动组织：张小平、赵依依、张建平 沌口小学 沌口小学微课制作个人申报表 教师姓名虢碧莹、彭华珍 教师年龄 所在年级 合作团队 微课课题 视频时间

北京交通大学《城市轨道交通运营统计分析》20秋在线作业1-001答案

1.年度计划是企业在计划年度内的行动纲领。由计划部门为主，组织营调、服务、安全、技术、财务、人事、物资等部门共同讨论，由计划部门综合平衡后上报下达。年度计划主要包括()和作业计划。 A.营运服务计划 B.营运计划 C.中长期计划 D.阶段性计划 答案：A 2.以下选项当中哪一个不是公共交通企业统计的特点?() A.数据量大 B.要求计算的统计指标体系庞大 C.重复劳动多 D.无时间要求 答案：D 3.以下几个选项中哪一个不是统计学研究对象的特点?() A.总体性 B.无限性 C.具体性 D.数量性 答案：B 4.通过了解乘客的满意度，我们可以对乘客满意度影响因素进行分析，其中哪一项可以作为前提变量?() A.感知质量 B.乘客满意度 C.乘客抱怨 D.乘客忠诚

5.企业计划指标按其表现形式可分为实物指标和()。 A.指令性指标 B.数量指标 C.价值指标 D.考核指标 答案：C 6.以下哪个选项不能作为制约因素来考虑轨道交通之间的换乘效率?() A.换乘通畅性 B.运动协调性 C.换乘舒适性 D.换乘安全性 答案：D 7.数据处理的历史可以追溯到远古时代，随着文明的发展，数据处理没有经过()阶段。 A.手工数据处理阶段 B.机械数据处理阶段 C.电子数据处理阶段 D.计算机数据处理阶段 答案：D 8.下列哪一项指标可以作为衡量整个运营网络能耗的指标?() A.客流量能耗指标 B.客运周转量指标 C.车站动力能耗指标 D.动力照明能耗

9.以下哪一个不是统计分析的原则?() A.实事求是 B.以点代面 C.科学全面 D.一分为二 答案：B 10.正常运营状态下评价指标包含基础指标、客流指标与乘客出行特征三方面内容，以下选项中哪一项属于基础指标?() A.进站量/进线量 B.线路平均运距 C.客运量 D.运营车站数 答案：D 11.计划编制的原则主要有()。 A.总目标原则 B.经验与科学相结合 C.定性与定量相结合 D.统筹安排，综合平衡 答案：ABCD 12.统计研究的基本方法有()。 A.大量观察法 B.统计分组法 C.统计指标法 D.统计模型法 E.统计推断法

交大版应用数理统计答案

应用数理统计答案 学号： 姓名： 班级：

目录 第一章数理统计的基本概念 (2) 第二章参数估计 (14) 第三章假设检验 (24) 第四章方差分析与正交试验设计 (29) 第五章回归分析 (32) 第六章统计决策与贝叶斯推断 (35) 对应书目：《应用数理统计》施雨著西安交通大学出版社

第一章 数理统计的基本概念 1.1 解：∵ 2 (,)X N μσ ∴ 2 (,)n X N σμ ∴ () (0,1)n X N μσ - 分布 ∴()(1)( )0.95n X n P X P μσ σμ--<=<= 又∵ 查表可得0.025 1.96u = ∴ 2 2 1.96n σ= 1.2 解：(1) ∵ (0.0015)X Exp ∴ 每个元件至800个小时没有失效的概率为： 800 0.00150 1.2 (800)1(800) 10.0015x P X P X e dx e -->==-<=-=? ∴ 6个元件都没失效的概率为： 1.267.2 ()P e e --== (2) ∵ (0.0015)X Exp ∴ 每个元件至3000个小时失效的概率为： 3000 0.00150 4.5 (3000)0.00151x P X e dx e --<===-? ∴ 6个元件没失效的概率为： 4.56 (1)P e -=- 1.4 解：

i n i n x n x e x x x P n i i 1 2 2 )(ln 2121)2(),.....,(1 22 =-- ∏∑ = =πσμσ 1.5证： 2 1 1 2 2)(na a x n x a x n i n i i i +-=-∑∑== ∑∑∑===-+-=+-+-=n i i n i i n i i a x n x x na a x n x x x x 1 2 2 2 2 11) ()(222 a) 证： ) (1111 1+=+++=∑n n i i n x x n x ) (1 1 )(1 1 11n n n n n x x n x x x n n -++=++=++

中学知识点交大优立方

２0１0年中考数学基础知识大串讲 导读: 中考大串讲按照代数综合、几何综合、概率统计三大块共分成10个串讲专题.“考点串讲”部分是对所讲专题的重要考点的概括,“新题演练”部分是针对所讲专题重要考点的精例及解析，使您做题后,跳出题海，轻松应对中考,决胜中考! 串讲一数与式 考点串讲 1.实数. 考查重点:（1）有理数、无理数、实数、非负数概念； （2)相反数、倒数、数的绝对值概念; （3）在已知中,以非负数a2、|ａ|、a(ａ≥0）之和为零作为条件，解决有关问题. (4）考查实数的运算(有理数的运算种类、各种运算法则、运算律、运算顺序、科学计数法、近似数与有效数字、计算器功能鍵及应用.） 2.整式与分式． 整式知识点:代数式、代数式的值、整式、同类项、合并同类项、去括号与去括号法则、幂的运算法则、整式的加减乘除乘方运算法则、乘法公式、因式分解. 整式考查重点：(1）考查列代数式的能力；(2）考查整数指数幂的运算、零指数. (3）掌握并灵活运用提公因式法和公式法(直接运用公式不超过两次)进行因式分解. 分式： 分式考查重点:（1）考查整数指数幂的运算，零运算；（２)考查分式的化简求值. 3.二次根式．a≥0)叫做二次根式． 考查重点:(1）了解二次根式、最简二次根式、同类二次根式的概念，会辨别最简二次根式和同类二次根式.掌握二次根式的性质,会化简简单的二次根式，能根据指定字母的取值范围将二次根式化简； (2）掌握二次根式的运算法则，能进行二次根式的加减乘除四则运算,会进行简单的分母有理化. 新题演练:

新题1：在实数－23,,－3．14，2 π，-0．１0１00１00０1…（每两个1之间依次多1个0），sin ３0°这8个实数中,无理数有（ ) Ａ.１个 B.2个 C ．３个 D.4个 解析:对实数分类，不能只为表面形式迷惑，而应从最后结果去判断．首先明确无理数的概念，即“无限不循环小数叫做无理数”.一般来说,用根号表示的数不一定就是无理数,如 =2是有理数，关键在于这个形式上带根号的数的最终结果是不是无限不循环小数.同样，用三角符号表示的数也不一定就是无理数,如ｓi ｎ30°、ｔａn ４5°等．而－0．1010010001…尽管有规律，?但它是无限不循环小数，是无理数． 2π是无理数,而不是 分数.在上面所给的实数中,2π,-0．10100１0001…这三个数是无理数，其他五个数都是有理数,故选C. 答案：C 新题２:已知x 、y 是实数,y 2-６y ＋9）＝0，若a ｘy －3x=ｙ,则实数a 的值是（ ) Ａ.14 B.－14 C.74 Ｄ.-74 解析：若几个非负数之和等于零，则每个非负数均等于零.这是非负数具有的一个重要性 质．（y －3)2均为非负数，它们的和为零,只有３x+４=0,且y-3=0,由此 可求得ｘ,y 的值,将其代入axy －３x=y 中，即求得a 的值. 答案y －3）２=0 ∴3x ＋4=０，ｙ－3＝０ ∴x ＝－43 ,y ＝3． ∵axy-3x ＝y ，∴－43×3a-3×（-43）=3 ∴a=14 ∴选Ａ 新题3：若ａ，ｂ，ｃ是三角形三边的长，则代数式a ２+b 2-ｃ2-2ab 的值（ ） A.大于零 B ．小于零 Ｃ.大于或等于零 D.小于或等于零 解析：本题是确定代数式的取值范围与因式分解的综合题,?把所给多项式的部分因式进行因式分解，再结合“a ，b ，c 是三角形的三边”，应满足三角形三边关系是解决这类问题的常用方法． 答案：(1）∵ａ２＋ｂ2－c 2-2ab=（a 2-2ab+b ２）－c 2＝（a －b)2－c 2 =(a-b+c ）（a －b －c ）, 又∵a ，b ，?c 是三角形三边的长． ∴ａ+c>ｂ，a

上海交通大学自控考研试卷

上海交通大学 2005年硕士研究生入学考试试题 一、（20分） （1） 图1为一摆杆系统，两摆杆长度均为L ，摆杆质量忽略不计，摆杆末端的质量块M 视为质点，两摆杆中点处连接了一根弹簧，当12θθ=时，弹簧没有伸长与压缩。外力()f t 作用在左杆中点处。假设摆杆与支点间没有摩擦与阻尼，且位移足够小，满足sin ,cos 1θθθ== a) 写出系统的运动方程 b) 写出系统的状态空间表达式 （2） 系统的信号流图如图2所示，求传递函数11()()Y s R s 和21()()Y s R s M M k (f t 1 θ2 θ 1 R 2 R 1 1 1 H -1G 2 G 1 Y 3 G 4 G 5G 6 G 2 H 2 Y 图1 图2 二、（20分） （1） 某单位负反馈系统的开环传递函数为 3 2 (1)()21 K s G s s as s += +++ 若系统以2rad s ω=的频率作等幅振荡，试利用劳斯判据求K 和a 的值。 （2） 某非线性控制系统如图3所示。试确定系统是否产生自持振荡？若产生自持振荡， 确定其频率和幅值。 r 图3 三、（20分）设系统如图4所示，试求：

（1） 当0,8a K ==时，确定系统的阻尼比ξ，无阻尼自然振荡频率n ω和()r t t =作用下 系统的稳态误差； （2） 当8,0.7K ξ==时，确定参数a 值及()r t t =作用下系统的稳态误差； （3） 在保证0.7,0.25ssr e ξ==的条件下，确定参数a 和K 。 图4 四、（15分） （1） 系统的状态方程为 []1001020100301 2X X u y X -???? ????=-+????????-???? = a) 计算系统的传递函数()()()G s Y s U s = b) 判断系统的能控性和能观性。 （2） 系统的传递函数为 10()(1)(2) G s s s s = ++ a) 试写出系统的能控标准Ⅰ型状态空间描述。 b) 设计一状态反馈矩阵，使反馈系统的极点为2,1j --± 五、（15分）某单位负反馈系统的开环传递函数为 2 ()(25) K G s s s s = ++ a) 给出根轨迹的渐近线； b) 计算根轨迹的出射角；计算根轨迹与虚轴相交时的根轨迹增益； c) 绘制0K >时的根轨迹。 六、（20分）某单位负反馈控制系统的开环传递函数为 ()(2) K G s s s = +

北京交通大学《应用文写作》20秋在线作业2-001答案

1.消息有不同的划分方法，从写作角度来划分可分为四类，其中一类，它是全面反映国际国内的全局或某一方面情况的新闻报道形式。这类消息往往是主题比较重大，有高度的概括性，它是属于()。 A.述评消息 B.综合消息 C.动态消息 D.简讯 答案：B 2.()常用于党的领导机关或组织、纪律部门为所制定的党组织及党员行为准则提出具体的执行办法和标准，也有党政联合发文关于行政方面的一些规定意见。 A.指导性意见 B.建议性意见 C.评估性意见 D.规定性意见 答案：D 3.转发上级机关或不相隶属机关的公文，使用()。 A.通报 B.通知 C.通告 D.公告 答案：B 4.()用于上级机关对下级机关进行工作指导，其内容是针对工作中的某些薄弱环节或出现的问题，上级机关用“意见”向下行文，阐明指导思想、工作原则，提出工作思路和措施、办法，给下级机关以及时的指导，从而促进面上工作的健康发展。 A.指导性意见 B.建议性意见 C.评估性意见 D.规定性意见

答案：A 5.用于各级人民政府按照法律程序向同级人民代表大会或人民代表大会常务委员会提请审议事项用()。 A.报告 B.请示 C.议案 D.申请 答案：C 6.公文格式由眉首、()、版记三部分组成。 A.主体 B.正文 C.文件 D.文本 答案：A 7.()是迅速、准确地报道国内外的重大事件，反映一个部门、一个单位的新成就，新气象的新闻报道形式。它要一事一报，以叙述为主，用事实说话，文字简洁。 A.述评消息 B.综合消息 C.动态消息 D.简讯 答案：C 8.审计报告在撰写时，要有署名和日期。署名要写出审计单位的名称和审计人员的名字，审计负责人要签名盖章，并在签署的下一行注明日期。那么，署名要写在审计报告的什么位置上()。 A.放在正文之上 B.文尾的右下方

西安交大自控平台与系统

NI ELVISⅡ多功能虚拟仪器综合实验平台NI ELVISⅡ多功能虚拟仪器综合实验平台是一个多功能地数据采集实验平台如图2-1所示,它地核心是一个集成了8路差分输入<或16路单端输入）模拟数据采集通道<最高采样率1.25MS/s）、2路模拟信号输出、24路数字I/O通道、两路计数器通道地USB接口多功能数据采集卡,同时又集成了+/-15V和5V固定电源以及12种常用地虚拟仪器,包括示波器、数字万用表、函数发生器、可变电源、波特图分析仪、任意波形发生器、动态信号分析仪等.ELVIS通过面包板地方式将数据采集卡和各种仪器地接口引出,方便接线,并且为综合创新设计型实验留有足够地开发空间.ELVIS通过USB接口连接PC机,连接简单且便于调试,图2-2标示出NI ELVISⅡ实验板上通道接口地布局. 图2-1 NI ELVIS多功能虚拟仪器综合实验平台

b5E2RGbCAP 图2-2 NI ELVIS 实验板地通道接口地布局 1．常用地几种虚拟仪器 图2-3 NI ELVISⅡ12种虚拟仪器软面板地启动选择界面 图2-3是NI ELVISⅡ12种虚拟仪器软面板地启动选择界面,在自动控制原理实验中,主要用到地虚拟仪器包括函数发生器FGEN 、可变电源VPS 、示波器Scope 、伯德图分析仪Bode 等.p1EanqFDPw <1）函数发生器FGEN 通过ELVIS Instruments Launcher 地FGEN 按钮可以打开自带地函数发生器软面板,进而可以通过ELVIS 底座上地FGEN BNC 接口或者ELVIS 自带实验板上地FGEN 端口输出正弦波、方波或三角波.如图2-4所示,通过软面板上对应地图标可以选择产生相应地波形,同时可对频率、幅度<峰峰值）、直流偏置等参数进行设置.对于方波 AI 示波器PFI 电源、波形发生器、自定义I/O 、AO 、 DMM

微课大赛实施方案

附件2 首届“中国大唐微课大赛” 实施方案 中国大唐集团公司 2017年5月

目录 一、大赛背景及目的 (6) 为进一步推进集团公司技术技能人员能力提升，探索教育培训在信息化环境下的新途径，根据集团公司精品培训项目建设安排，决定举办首届“中国大唐微课大赛”（以下简称大赛）。. 6大赛由集团公司人力资源部、安全生产部和政工部（新闻中心）主办，集团公司干部培训学院承办。 (6) 二、大赛流程 (6) 为保证工作有序进行，将大赛流程分为微课制作、基层企业初审、二级企业复审和推荐、专家评审、荣誉颁发和成果展示等环节。具体日程如下： (6) 时间 (6) 阶段 (6) 5月22日-6月30日 (6) 微课制作 (6) 7月1日-7月7日 (6) 基层企业初审 (6) 7月8日-7月14日 (6) 二级企业复审和推荐 (6) 7月15日-8月21日 (6) 专家评审 (6)

8月22日- (6) 荣誉颁发和成果展示 (6) 三、作品要求 (6) （一）课程内容 (6) 大赛分为规定专业和自选专业部分内容。其中，规定专业涉及生产技能部分工种，有关企业按照要求完成分配专业各知识点的课程录制（“专业目录和对应企业表”见附件1）；自选专业涉及本企业管理和技术相关专业，重点建设法律、财务、燃料、物资、人力资源等。企业根据自身优势和特点按照要求完成自选专业的课程录制。 (6) （二）课程形式 (6) 课程以教学视频为主要载体进行展现，视频中可包含图片、文字、实景拍摄、案例现场拍摄、动画、屏幕录制等素材，要求画面清晰、内容完整、排版规范。 (6) （三）格式要求 (6) 微课视频时长限制在3-8分钟，视频画面清晰，分辨率一般不低于360*288，建议采用960*540或800*600，视频成品大小建议在30M以内，必须转为MP4格式，并添加字幕。 (6) 音频或视频的配音应使用标准普通话，要求语音清晰，无明显杂音，语速、音量适中，解说声与背景音乐无明显比例失调。 7 （四）数量要求 (7)

北京交通大学《企业发展战略》20秋在线作业1-001答案

1.以下哪几项会加剧竞争对手之间的竞争?() A.行业成长缓慢 B.竞争对手实力相当 C.当固定成本占了公司总成本的大部分时 D.产品无差异化 答案：ABCD 2.协同效应包括()。 A.经营协同效应 B.财务协同效应 C.管理协同效应 D.市场协同效应 答案：ABC 3.战略选择的主要影响因素有哪些?() A.外部环境 B.现有产品的生产成本 C.管理者对待风险的态度 D.企业过去的战略 答案：ACD 4.霍福尔(C.Hofer)的研究表明，企业最常采用的战略是()。 A.相关多样化战略 B.产品开发战略 C.向前一体化战略 D.渗透战略 答案：BD 5.在相关多样化战略中，范围经济来自于()。

A.技术的匹配性 B.运营的匹配性 C.与销售和顾客相关的匹配性 D.管理的匹配性 答案：ABCD 6.并购战略方式包括()。 A.杠杆并购 B.控股 C.购买 D.买壳上市 答案：ABCD 7.战略目标的制定原则有()。 A.全面性原则 B.关键性原则 C.平衡性原则 D.权变性原则 答案：BCD 8.多样化的战略利益有()。 A.实现范围经济 B.分散经营风险 C.增强竞争力 D.产生协同效应 答案：ABCD 9.竞争对手分析包括以下哪几项?()

A.竞争者的目标 B.竞争者的能力 C.竞争者的想法 D.竞争者的替代品 答案：ABC 10.外包战略包括()。 A.生产外包 B.物流外包 C.研发外包 D.营销外包 答案：ABCD 11.企业转向是指企业改变自己的经营目标。() A.错误 B.正确 答案：A 12.经济环境是指由世界银行提供的世界经济展望。() A.错误 B.正确 答案：A 13.在目标设立过程中，目标要略低于企业当前的生产经营能力，保证企业经过一定努力能够实现。目标过高，会因无法完成任务而使职工丧失信心。() A.错误 B.正确 答案：A

参赛作品要求.doc

附件3： 参赛作品要求 微课是指以视频为主要载体记录教师围绕某个知识点或技能点开展的简短、完整的教学活动。微课要包含有明确的教学目标，充分体现具有高等职业教育特色的学做一体的教学活动设计。 参赛教师提交的微课作品，应符合高素质技术技能人才培养模式需要，充分体现高职理实一体化教学特色。参赛教师自选一门高职高专课程的知识点或技能点精心设计与制作。授课过程中要充分合理运用各种现代教育技术手段，如二维、三维动画、经济生活及生产企业一线实拍视频、HTML页面，以及PPT等，充分运用各种教学设备、仪器，设计课程，建议参赛微课作品时长在5至10分钟为宜（不超过15分钟，鼓励简明易懂、短小精悍、特色鲜明的微课作品），并配套单独文件夹提供教学设计文本、演示文稿（PPT），以及微课中使用到的动画、视频、习题、图片等辅助材料。 1．视频要求 图像清晰稳定、构图合理、声音清楚，能较全面真实反映教学情境。视频片头应显示课程名称—微课（知识点或技能点等）标题、作者和单位，主要教学环节有字幕提示。视频格式及上传要求详见“全国高校微课教学比赛”网站“比赛指南”栏目。 2．演示文稿要求 演示文稿限定为PPT格式。要求围绕教学目标，反映主要教学内容，与教学视频合理搭配，单独提交。其他与教学内容相关辅助材料，如练习测试、教学评价、多媒体素材（视频、动画、图片等材料）单独压缩文件形式提交，格式符合网站上传要求。 3．教学设计要求 教学设计应反映教师教学思想、课程设计思路和教学特色，包括教学背景、教学目标、教学方法和教学总结等方面内容，并在开头注明讲课内容所属大类专业、专业、课程名称、知识点（技能点）名称及适用对象等信息。文件格式：WORD。

自动化学科概论-作业--130508

自动化学科概论作业（选修课） 任课教师：刘慧贤2012—13学年 一、任务与要求 每位同学从以下21个思考题中选4题： ●第1章：思考题2，3 2、简述你选择自动化专业的原因或动机。 3、如何理解“如果把整个科学技术比作茂密的树林、各个学科（专业） 比作树林中的一棵棵不同种类的参天大树，则构成自动化学科的知识就是自动化参天大树上的枝和叶”？你准备如何去认识这些“枝和叶”？ ●第2章：思考题3，5，11，15 3、请以日常生活中自动化设备为例，说明其工作原理。 5、发挥你的想象，试述自动化还可能应用于什么领域。 11、自动化科学与技术的核心概念有哪些？ 15、试述本科自动化专业与研究生自动化学科之间的联系。 ●第3章：思考题1，4，8，10 1、什么是自动控制系统？一个典型的自动控制系统怎样组成？ 4、自动控制系统有哪些基本性能要求？ 8、你能说出计算机控制系统的大致组成吗？ 10、从信息技术的角度出发，你如何理解自动控制系统及它的各个组成部分？ ●第4章：思考题6，9 6、什么是集成自动化系统？它与传统的自动化系统有什么区别？ 9、你了解在国民经济、社会发展的各个领域中的自动化科学和技术的应 用吗？试举一些例子。 ●第5章：思考题2，3，9，12 2、自动化学科知识体系的核心知识域是哪三个，为什么？ 3、用你自己的语言，试述控制知识层中各知识域间的关系。 9、用你自己的语言，试述课程与知识、课程体系与知识体系之间的关系。 12、你认为，在通识教育课、专业基础课和专业课中，各有哪几门课程最重要，你准备如何学好这些课程？ ●第6章：思考题2，4，6，9，11 2、为什么说自动化专业培养的是宽口径、多面手、综合复合型人才？ 4、“系统集成者”的含义是什么？ 6、“控制中心论”和“（计算机）软件中心论者”各自的观点是什么？为 什么说这两种观点都不全面？ 9、当前，自动化科学技术学科面临的主要挑战是什么？如何应对？ 11、你认为自动化专业应该如何发展（往哪个方向发展）？

上海交通大学自学考试说明

一、自学考试每年具体报名时间? 答：1、考试时间：国家自学考试每年两次，考试时间安排在4月、10月两个双休日。 2、报名时间： 1)、已有牡丹报考卡的老考生，在网上直接报名(网址： https://www.wendangku.net/doc/877784318.html,)，时间为每年的2月2日，8月2日开始，结束时间在每年3月、9月上旬第一个星期日。 2)、新考生先在网上预报名(网址：https://www.wendangku.net/doc/877784318.html,)，时间为每年的2月2日，8月2日开始，结束时间在每年3月、9月上旬第一个星期日下午16：00时。然后，再凭身份证原件和复印件到交大自考办进行现场确认，确认时间安排在每年3月、9月上旬第一个星期五、星期六、星期日三天（8：30—16：30）。 二、自学考试报名对象？ 答：报考自学考试“专科”的考生不受年龄、职业、民族和已受教育程度的限制。报考自学考试“独立本科段”的考生应具有专科毕业文凭。报考新生范围应是本市户籍、或持有本市居住证等居住证明、或在本市从业的人员。并要求新生报名时必须带好身份证和身份证复印件，出示上述规定的相关证件材料，交各主考高校查验原件，复印件保留存档。 三、自学考试报名地点？ 答：广元西路55号（徐汇校区）南四楼101室上海交通大学自学考试办公室。 联系电话：62932886。 四、自学考试如何报考？ 答：1、现场报名：要求新生报名时必须带好身份证和身份证复印件，出示本市户籍、或持有本市居住证等居住证明、或在本市从业人员证件材料，交各主考高校查验原件，复印件保留存档。 2、网上报名：已有牡丹报考卡的考生，全部在网上直接报名(网址：https://www.wendangku.net/doc/877784318.html,)，时间为每年的2月2日，8月2日开始，结束时间与现场报名同步。 3、需要参加实践性环节考核课程培训的考生，请你在每次现场报名结束后浏览本网通知。 五、考生准考证、身份证、座位号在考试前遗失，该如何办理补办手续？ 答：考生考试进考场须凭“三证”，如有遗失须在考试前办妥补办手续。 1 准考证遗失，到工商银行总行办理（地址：中山东二路 15 号金

微课大赛实施计划方案

2015年体育信息技术系继续推进微课试点建设实施案 为贯彻落实《教育部关于全面提高高等教育质量的若干意见》精神，树立现代教育思想和理念，掌握先进教学法和手段，提高教师教学基本技能和教学研究、教学创新的能力，全面提升教师的整体教学水平，推动高校教师专业发展和教学能力提升，促进信息技术与学科教学融合，搭建高校教师教学经验交流和教学风采展示平台，按照教务处[2015]9号文件要求，特制定体育信息技术系推进微课试点建设实施案如下： 一、领导小组 组长：日辉 成员：瑶顺堂进忠丛波翀 秘书：谷风娟悦 二、建设要求 1．按照“从横向上数量布点，纵向上形成课程体系”的总体要求，每个教研室要拿出一门课程，围绕这门课程进行微课资源库的建设。 2．本年度微课建设要与全国课件大赛（微课组比赛）和全国微课大赛两项活动结合，要求参加评比的教师至少完成2小节容，每节容时间为8-10分钟，教研室要统筹安排一下申报教师的制作容，不能有重复的知识点。 3．每位参选教师限报1 件作品，每件作品只能由1 位教师完成。

4．参赛作品及材料需为本人原创，不得抄袭他人作品，若发现参赛作品侵犯他人著作权，或有任不良信息容，一律取消评选资格。 三、建设标准 具体的建设标准参照教务处发[2015]9号文件的附件容《微课试点建设标准》（附件1）和《微课视频制作参考》（附件2）。 四、院系自评时间安排 （一）2015年上半年 2015年5月15日前各教研室完成申报工作，每位申报者只需要提交1节微课容，统一将《微课试点建设任务书》报送到系办公室，办公室负责整理申报，按照报名人数，安排具体评选时间。 2015年6月17日左右院系组织专家进行评选和推荐工作。 2015年6月30日前将自评汇总表及微课资源光盘报送到教务处。继续参加学院级别的评选。 （二）2015年下半年 2015年10月16日前各教研室完成申报工作，要求每位申报者报送2节微课容，统一将《微课试点建设任务书》报送到系办公室，办公室负责整理申报，按照报名人数，安排具体评选时间。 2015年11月18日左右院系组织专家进行评选和推荐工作。 2015年11月30日前将自评汇总表及微课资源光盘报送到教务处。继续参加学院级别的评选。 五、专家要求

上交大自动化考研复试经验

上交大自动化考研复试经验(转载) 您所查看的帖子来源于考研加油站考研论坛(https://www.wendangku.net/doc/877784318.html,) 我的考研心得<1> 早就开了博客，可一直没写过东西。前一阵子一直忙考研，考完了又忙复试，现在终于都告一段落了，也终于有时间来码码方块了，那就从我的考研经历开始吧。 我今年报考了上海交通大学自动化专业，初试成绩358分，其中数学94，政治70，英语59，专业135，这个分数虽然在交大不算高，不过我很幸运的被录取了。坦白的说，我大学期间不是个好学生，前3年基本在逃课，睡觉，打游戏，以及和舍友的扯淡中混过来的，成绩也只能算中等。虽然从大三下半年就口口声声要考研，可真正开始复习却是在9月份，之前一直在玩（鄙视一下自己~~~~~~不过DOTA真的很好玩呵呵）。从开始准备考研到最后参加考试，也就花了4个多月时间。一直到考试前一天，我英语基本没看，数学只看了一遍，不过还好专业课和政治倒是看了几遍。 成绩出来后，周围同学都很惊讶，因为在大多数人眼里我注定是那个用来陪太子读书的角色。不过我自己很平静，这个成绩在我的预料之中。虽然考之前也很紧张，考完后也一直在担心，不过这个分数真的没让我吃惊。我现在把自己的一些复习的经验和心得写出来，并没什么夸耀的意思，因为我的分数在交大很低了。我的复习时间也完全是因为在上半年自我约束能力不好，一直贪玩，才拖到9月份开始的，复习过程中也一直在担心时间不够用，很担心最后靠砸了。只是希望我的一点经验能够给后来者一点启迪：正确的方法+足够的效率+一点点运气=成功！ 首先说一说考研选学校和选专业的问题吧，我觉的选对一个适合自己的学校和专业，你也就至少成功了1/3。我一开始是准备考北航的，可到9月份真正看书时才发现，北航要考微机和自控两门课程，可我自控学的很差，现代控制部分还没学，而且天生对数学计算很头疼，自控肯定是没戏了。没办法，只好看看其他学校了，然后意外的发现交大可以只考微机原理一门课，哈哈My God! 这可是我最喜欢的课程啊~~~~~~~~~小小思考了几天，我决定改考交大了。当时家里和周围几个朋友都让我慎重一点，因为9月份才准备确实有点晚了。不过我分析了一下自己的情况，还是觉的要考这个，因为我觉的这门专业课真的很适合我。后来的情况也证明我的选择是正确的，我专业课考了135分，今年交大专业课很难的，据说上140的只有1个人，130+的也没几个。。。 选好了学校，然后就要开始扎着脑袋干活了。这时候一定要处理好时间和效率的问题，不要打疲劳战。要选择自己最有精力的时间做最高效的学习，我这人从小上午就没精神，老睡不够，从下午开始会慢慢好起来，到晚上10点以后巨精神，两眼放光~~~~~~~~~没办法，改了10几年都没把生物钟改回来，于是在考研这段时间，我一般早上10点多起床，早饭午饭一块吃了，11点多到自习室开始复习，下午还要小睡一会，晚上在自习室待到11点多，回宿舍有时还要在楼道看书到1点多睡觉，我觉的自己每天最有效率的就是晚上8点以后的这段时间了。当然这只是我的时间安排，相信对大多数人都不适用。。。不过请大家一定要根据自身情况，抓住自己的黄金时间，不要看别人什么时候学，自己就一定要跟着去折腾。还有就是不要打疲劳战，学习累了要适时的放松一下，偶尔放纵一下自己也是可以的。