模拟电路

1、二极管是一种（）器件。A

A、非线性

B、线性

C、既不是线性也不是非线性。

2、二极管具有（）导电性。B

A、双向

B、单向

C、没有

3、三极管可看作（）控制的电流源。A

A、电流

B、电压

C、其它

4、三极管属于（）器件。B

A、单极型

B、双极型

C、其它

5、三极管工作在放大区的条件是（）。C

A、发射结和集电结均反偏

B、发射结和集电结均处于正偏

C、发射结正偏集电结反偏

6、三极管工作在截至区的条件是（）。A

A、发射结和集电结均反偏

B、发射结和集电结均处于正偏

C、发射结正偏集电结反偏

7、三极管工作在饱和区的条件是（）。 B

A、发射结和集电结均反偏

B、发射结和集电结均处于正偏

C、发射结正偏集电结反偏

8、场效应管可看作（）控制的电流源。B

A、电流

B、电压

C、其它

9、场效应管属于（）极型器件。A

A、单

B、双

C、其它

10、小信号时，放大电路分析方法应该选择（）分析法。B

A、图解

B、微变等效电路

C、其它

11、大信号时，放大电路分析方法应该选择（）分析法。 A

A、图解

B、微变等效电路

C、其它

12、三极管组成的放大电路中，既能放大电压又能放大电流的是（）。A

A、共射放大电路

B、共集放大电路

C、共基放大电路

13、三极管组成的放大电路中，只能放大电压的是（）。 C

A、共射放大电路

B、共集放大电路

C、共基放大电路

14、三极管组成的放大电路中，只能放大电流的是（）。B

A、共射放大电路

B、共集放大电路

C、共基放大电路

15、三极管组成的放大电路中，电压放大倍数约等于1的是（）。B

A、共射放大电路

B、共集放大电路

C、共基放大电路

16、场效应管组成放大电路的组态有：（）、共漏、共栅三种形式。C

A、共基

B、共射

C、共源

17、用来衡量放大电路放大能力强弱的性能指标是（）。A

A、放大倍数

B、输入电阻

C、输出电阻

18、用来衡量对信号源影响程度的性能指标是（）。B

A、放大倍数

B、输入电阻

C、输出电阻

19、用来衡量带负载能力强弱的性能指标是（）。C

A、放大倍数

B、输入电阻

C、输出电阻

20、非线性失真有（）。 C

A、饱和失真

B、截止失真

C、饱和失真和截止失真

21、对于多级放大电路，放大倍数虽然提高了,但通频带却变（）了。B

A、宽

B、窄

C、不变

22、在直接耦合放大电路中最突出的问题是（）。C

A、噪声问题

B、失真问题

C、零点漂移问题

23、只能放大交直流信号的是（） B

A 、直接耦合放大电路

B 、阻容耦合放大电路

C 、变压器耦合放大电路

24、OTL 电路中每个管子的工作电压是（）。 B

A 、U CC

B 、U C

C ／2 C 、其它

25、F A ＋1

﹥1是（ ） A A 、负反馈 B 、正反馈 C 、无反馈 D 、自激振荡

26、F A ＋1

﹤1是（ ） B A 、负反馈 B 、正反馈 C 、无反馈 D 、自激振荡

27、F A ＋1

＝1是（ ） C A 、负反馈 B 、正反馈 C 、无反馈 D 、自激振荡

28、F A ＋1

＝0是（ ） D A 、负反馈 B 、正反馈 C 、无反馈 D 、自激振荡

29、能用于稳定放大电路的静态工作点的是（ ） A

A 、直流负反馈

B 、交流负反馈

C 、其它

30、用于改善放大电路的动态性能的是（ ） B

A 、直流负反馈

B 、交流负反馈

C 、其它

31、能稳定输出电压，减小输出电阻的是（ ） A

A 、电压负反馈

B 、电流负反馈

C 、其它

32、能稳定输出电流，增大输出电阻的是（ ） B

A 、电压负反馈

B 、电流负反馈

C 、其它

33、能使输入电阻增大的是的是（ ） A

A 、串联负反馈

B 、并联负反馈

C 、其它

34、能使输入电阻减小的是的是（ ） B

A 、串联负反馈

B 、并联负反馈

C 、其它

35、集成运放工作在线性区的电路是（ ） B

A 、过零比较器

B 、积分器

C 、滞回电压比较器

D 、单限电压比较器

36、集成运放工作在非线性区的电路是（ ） C

A 、微分器

B 、积分器

C 、滞回电压比较器

D 、同相加法器

37、正弦波振荡电路一般由放大、（ ）、选频和稳幅四个基本部分组成。 B

A 、负反馈

B 、正反馈

C 、自激振荡

38、RC 桥式振荡电路的振荡频率是（ ） A

A 、f 0=RC 21π

B 、LC

210π≈f C 、其它 39、石英晶体振荡电路，适用于（ ）的场合。 C

A 、低频振荡

B 、高频振荡

C 、频率稳定度高

40、LC 振荡电路，适用于（ ）的场合。 B

A 、低频振荡

B 、高频振荡

C 、频率稳定度高

41、RC 桥式振荡电路，适用于（ ）的场合。 A

A 、低频振荡

B 、高频振荡

C 、频率稳定度高

42、由一个NPN管组成的基本共发射极放大电路处于空载状态是指（）C

A、 RC=0

B、RC=∞

C、RL=0

D、RL=∞

43、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（）D

A、增大

B、减少

C、反向

D、几乎为零

44、二极管的导通条件（） B

A、u D>0

B、u D >死区电压

C、u D >击穿电压

D、以上都不对

45、射极输出器的一个重要特点是（） C

A、输入、输出电压大小基本一致

B、输入、输出电压同相且输出略大于输入

C、输入略大于输出且相位一致

D、具有反相放大作用

46、半波整流电路的主要缺点是（）C

A、输出电压太高

B、输出电压太低

C、电源利用率太低且输出电压太低

47、集成运放其内部电路的耦合方式是（）A

A、直接耦合

B、变压器耦合

C、阻容耦合

D、任意耦合

48、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用（）

A、直流电压挡量程5V

B、直流电流挡量程100mA

C、交流电压挡量程10V

D、电阻挡量程R×100

49、三极管各极对公共端电位如下图所示，则处于放大状态的硅三极管是（）.

A、B、C、D、

50、一个三级放大器，各级放大电路的输入阻抗分别为Ri1=1MΩ，Ri2=100KΩ，Ri3=200K Ω，则此多级放大电路的输入阻抗为（）。

A、1MΩ

B、100KΩ

C、200KΩ

D、1.3KΩ

51、在放大交流信号的多级放大器中，放大级之间主要采用（）两种方法。

A、阻容耦合和变压器耦合

B、阻容耦合和直接耦合

C、变压器耦合和直接耦合

D、以上都不是

52、在输入量不变的情况下,若引入的是负反馈,则以下说法正确的是（）。

A、输入电阻增大

B、输出量增大

C、净输入量增大

D、净输入量减小

53、多级放大器前级输出电阻，可看成后级的（）。

A、信号源内阻

B、输入电阻

C、电压负载

D、电流负载

54、欲实现Au＝－100的放大电路，应选用（）。

A、反相比例运算电路

B、同相比例运算电路

C、积分运算电路

D、微分运算电路

55、二极管正向电阻比反向电阻（）。

A、大

B、小

C、一样大

D、无法确定

56、问以下哪种情况中，二极管会导通（）。

A、 B、

C 、

D 、

57、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为（ ）。

A 、该管已坏

B 、万用表各挡有差异

C 、二极管的电阻可变

D 、二极管的伏安特性是非线性

58、设整流变压器副边电压u U t 222=sin

ω，欲使负载上得到图整流电压的波形，则需要 用的整流电路是（ ）

A 、 单相桥式整流电路

B 、单相全波整流电路

C 、 单相半波整流电路

D 、以上都不行

2U

59、NPN 型和PNP 型晶体管的区别是（ ）。

A 、由两种不同的材料硅和锗制成的

B 、掺入的杂质元素不同

C 、P 区和N 区的位置不同

D 、管脚排列方式不同

60、检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量（ ）。

A 、I BQ

B 、U BE

C 、I CQ

D 、U CE

61、三极管的I CEO 大，说明该三极管的（ ）。

A 、工作电流大

B 、击穿电压高

C 、寿命长

D 、热稳定性差

62、如图为某共射极放大电路的输入波形与输出波形的对应关系，则该电路发生的失真和解

决办法是（

）。

A 、截止失真，静态工作点下移

B 、饱和失真，静态工作点下移

C 、截止失真，静态工作点上移

D 、饱和失真，静态工作点上移

63、温度影响了放大电路中的（ ），从而使静态工作点不稳定。

A 、电阻

B 、电容

C 、三极管

D 、电源

64、某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为100，则总放大倍数为（ ）。

A 、300

B 、等于100^3

C 、小于100^3

D 、100

65、在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移（ ）。

A 、比直接耦合电路大

B 、比直接耦合电路小

C 、与直接耦合电路相同

D 、无法比较

66、整流的目的是（ ）。

A 、将正弦波变方波

B 、将交流变直流

C 、将高频信号变成低频信号

D 、将微弱信号变强大信号

67、稳压管是特殊的二极管，它一般工作在（ ）状态。

A 、正向导通

B 、反向截止

C 、反向击穿

D 、无法确定

68、稳压管稳压电路如图所示,电阻R 的作用是（ ）。

A 、稳定输出电流

B 、抑制输出电压的脉动

C 、调节电压和限制电流

D 、稳定输出电压

69、桥式整流电路在接入电容滤波后，输出电压（ ）。

A 、升高了

B 、降低了

C 、保持不变

D 、不确定

70、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用（ ）。重复

A 、直流电压挡量程5V

B 、直流电流挡量程100mA

C 、交流电压挡量程10V

D 、电阻挡量程R×100

71、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管（ ）。

A 、正常

B 、已被击穿

C 、内部短路 D

、内部开路

72、工作在放大区域的某三极管，当I B 从20μA 增大到40μA 时，IC 从1mA 变为2mA 则它

的β值约为（ ）。

A 、10

B 、50

C 、80

D 、100

73、晶体管放大电路如图所示。若要减小该电路的静态基极电流I BQ ，应使（ ）。

A 、Rb 减小

B 、Rb 增大

C 、Rc 减小

D 、Rc 增大

74、多级放大器前级输出电阻，可看成后级的（ ）。重复

A 、信号源内阻

B 、输入电阻

C 、电压负载

D 、电流负载

75、在输入量不变的情况下，若引入的是负反馈，则以下说法正确的是（ ）。

A 、输入电阻增大

B 、输出量增大

C 、净输入量增大

D 、净输入量减小重复

76、在桥式整流电路中，若其中一个二极管开路，则输出（ ）。

A 、只有半周波形

B 、为全波波形

C 、无波形且变压器或整流管可能烧坏

D 、有波形但波长不确定

77、下列不属于三端稳压器引出端的是（ ）。

A 、调整端

B 、输入端

C、输出端

D、使能端

78、放大电路中,微变等效电路分析法（）。

A、能分析静态，也能分析动态

B、只能分析静态

C、只能分析动态

D、只能分析动态小信号

79、有人在检修电视机电路板时，用直流电压表测得某放大电路中某三极管三个电极1、2、3对地的电位分别为V1=2V、V2=6V、V3=2.7V，则（）。

A．1为C，2为B，3为E B．1为B，2为E，3为C

C．1为B，2为C，3为E D．1为E，2为C，3为B

80、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。

A．减少 B．增大 C．不变 D．缓慢减少

81、在杂质半导体中,少子浓度主要取决于（）

A、掺入杂质的浓度

B、材料、

C、温度

82、测得某PNP型三极管各极电位为:U B=-3V U E=-4V U C=-6V,则该管工作于（）

A、放大状态

B、饱和状态

C、截止状态

83、在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )

A、约为原来的1/2倍

B、约为原来的2倍

C、基本不变

84、在OCL电路中，引起交越失真的原因是（）

A、输入信号过大

B、晶体管输入特性的非线性

C、电路中有电容

85、差动放大器中,用恒流源代替长尾（发射极电阻）Re是为了（）

A、提高差模电压增益

B、提高共模输入电压范围

C、提高共模抑制比

86、由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）

A、饱和失真

B、截止失真

C、频率失真

87、对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）

A、多数载流子

B、少数载流子

C、既有多数载流子又有少数载流子

88、当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）

A、增加

B、减少

C、不变

89、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）

A、输入电阻高

B、输出电阻低

C、共模抑制比大

D、电压放大倍数大

90、对于桥式整流电路，正确的接法是（）

91、本征半导体电子浓度（）空穴浓度

A、等于

B、小于

C、大于

92、N型半导体的电子浓度（）空穴浓度

A、等于

B、小于

C、大于

93、P型半导体的电子浓度（）空穴浓度

A、等于

B、小于

C、大于

94、稳压管构成的稳压电路，其接法是（）

A、稳压二极管与负载电阻串联

B、稳压二极管与负载电阻并联。

C、限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联

95、输入失调电压U IO是（）

A、两个输入端电压之差

B、输入端都为零时的输出电压

C、输出端为零时输入端的等效补偿电压。

96、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路

A、差放

B、正弦

C、数字

97、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（）

A、同相

B、反相

C、相差90度

D、不确定

98、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（）

A、同相

B、反相

C、相差90度

D、不确定

99、在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（）

A、同相

B、反相

C、相差90度

D、不确定

100、既能放大电压，也能放大电流的是（）组态放大电路。

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定

101、可以放大电压，但不能放大电流的是（）组态放大电路。

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定

102、可以放大电流，但不能放大电压的是（）组态放大电路。

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定

103、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（）组态。

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定

104、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是（）组态。

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定

105、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是（）组态。

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定

106、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是（）组态。

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定

107、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都（）。

A、大

B、小

C、宽

D、窄

108、多级放大电路的级数愈多则上限频率f H越（）。

A、大

B、小

C、宽

D、窄

109、多级放大电路的级数愈多则高频附加相移（）。

A、大

B、小

C、宽

D、窄

110、当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）

Ａ、集电极最大允许功耗ＰCMＢ、集电极最大允许电流ＩCM

Ｃ．集－基极反向击穿电压V(BR)CBO

111、射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）

A、电压放大倍数近似为1

B、Ri 很大

C、 RO 很小

112、有一晶体管的极限参数：P CM=150mW，I CM=100mA，V（BR）CEO=30V。若它的工作电压V CE=10V，则工作电流I C不得超过（）mA

A、15

B、100

C、30

D、150

113、有一晶体管的极限参数：P CM=150mW，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V。若工作电压VCE==1V，则工作电流IC不得超过（）mA

A、15

B、100

C、30

D、150

114、有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V。若工作电流IC=1mA，则工作电压VCE不得超过（）V。

A、15

B、100

C、30

D、150

115、在非线性失真中，饱和失真也称为（）

A、顶部失真

B、底部失真

C、双向失真

116、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V ,V2=2.1V ,V3=7V , 那么此三极管是（）型三极管。

A、NPN

B、PNP

C、其它

117、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V ,V2=2.1V ,V3=7V , V1=2.8V的那个极是（）

A、发射极

B、基极

C、集电极

118、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V ,V2=2.1V ,V3=7V , V2=2.1V的那个极是（）。

A、发射极

B、基极

C、集电极

119、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V ,V2=2.1V ,V3=7V , V3=7V的那个极是（）。

A、发射极

B、基极

C、集电极

120、在固定式偏置电路中，若偏置电阻RB的值增大了，则静态工作点Q将（）。

A、上移

B、下移

C、不动

D、上下来回移动

121、硅二极管起始导通电压为（）。

A、0.2V

B、0.3V

C、0.5V

D、0.7V

122、一个电源分别接上8Ω和2Ω的电阻时，两个电阻消耗的电功率相等，则电源的内阻为（）。

A、1Ω

B、2Ω

C、3Ω

D、4Ω

123、用于放大时，场效应管工作在特性曲线的（）

A、夹断区

B、恒流区

C、可变电阻区

D、以上区域都可以

124、已知R1=5Ω，R2=10Ω可变电阻RP的阻值在0~25Ω之间，AB两点间电压20V，当滑动片上下滑动时，CD间所能得到的电压变化范围是（）

A、0~15V

B、5~17.5V

C、0~1.25V

D、2.5~12.5

125、晶体管放大器在接通电源后无信号输入时,其管耗最大的是（）。

A、甲类

B、乙类

C、甲乙类

D、丙类

126、对于单管基本放大器来说，若调小Rb，将可能出现（）。

A、饱和失真

B、截止失真

C、交越失真

D、幅频失真

127、单极型半导体器件是（）。 C

A、二极管

B、双极型三极管

C、场效应管

D、稳压管

128、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A、三价

B、四价

C、五价

D、六价

129、稳压二极管的正常工作状态是（）。

A、导通状态

B、截止状态

C、反向击穿状态

D、任意状态

130、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。

A、已经击穿

B、完好状态

C、内部老化不通

D、无法判断

131、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。

A、多子扩散

B、少子扩散

C、少子漂移

D、多子漂移

132、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（）

A、放大区

B、饱和区

C、截止区

D、反向击穿区

133、绝缘栅型场效应管的输入电流（）。

A、较大

B、较小

C、为零

D、无法判断

134、正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、矩形方波

B、等腰三角波

C、正弦半波

D、仍为正弦波

135、三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM

B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO

C、集电极最大允许耗散功率P CM

D、管子的电流放大倍数

136、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

A、发射结正偏、集电结正偏

B、发射结反偏、集电结反偏

C、发射结正偏、集电结反偏

D、发射结反偏、集电结正偏

137、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）

A、直流成分

B、交流成分

C、交直流成分均有

138、基本放大电路中的主要放大对象是（）

A、直流信号

B、交流信号

C、交直流信号均有

139、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（）

A、截止失真

B、饱和失真

C、晶体管被烧损

140、共发射极放大电路的反馈元件是（）

A、电阻R B

B、电阻R E

C、电阻R C

141、功放首先考虑的问题是（）。

A、管子的工作效率

B、不失真问题

C、管子的极限参数

142、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。

A、放大电路的电压增益

B、不失真问题

C、管子的工作效率

143、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）

A、带负载能力强

B、带负载能力差

C、减轻前级或信号源负荷

144、功放电路易出现的失真现象是（）。

A、饱和失真

B、截止失真

C、交越失真

145、基极电流i B的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。

A、截止区

B、饱和区

C、死区

146、射极输出器是典型的（）。

A、电流串联负反馈

B、电压并联负反馈

C、电压串联负反馈

147、理想运放的开环放大倍数A u0为（）

A、∞

B、0

C、不定

148、理想运放的输入电阻为（）

A、∞

B、0

C、不定

149、理想运放的输出电阻为（）

A、∞

B、0

C、不定

150、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。

A、扁平式

B、圆壳式

C、双列直插式

151、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（）。

A、反相放大器

B、差分放大器

C、电压比较器

152、理想运放的两个重要结论是（）。

A、虚短与虚地

B、虚断与虚短

C、断路与短路

153、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。

A、正反馈与负反馈

B、线性与非线性

C、虚断和虚短

154、（）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。

A、同相

B、反相

C、双端

155、集成运放的线性应用存在（）现象。

A、虚地

B、虚断

C、虚断和虚短

156、集成运放的非线性应用存在（）现象。

A、虚地

B、虚断

C、虚断和虚短

157、各种电压比较器的输出状态只有（）。

A、一种

B、两种

C、三种

158、基本积分电路中的电容器接在电路的（）。

A、反相输入端

B、同相输入端

C、反相端与输出端之间

159、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）。

A、虚地

B、虚短

C、虚断

160、晶体三极管有（）个PN结。

A、一

B、两

C、三

161、在多级放大电路的级间耦合中，低频电压放大电路主要采用（）耦合方式。

A、阻容

B、直接

C、变压器

162、振荡器产生振荡和放大器产生振荡在物理本质上是（）

A、不同的

B、相同的

C、相似的

163、振荡频率高且频率稳定度高的振荡器（）

A、RS振荡器

B、LC振荡器

C、石英晶体振荡器

164、电压串联负反馈放大电路的主要特点是（）

A、输入阻抗高，输出阻抗低

B、输入/输出阻抗均低

C、输入阻抗低，输出阻抗高

165、当晶闸管到通后，可依靠管子本身的（）作用，以维持其导通状态。

A、放大

B、正反馈

C、负反馈

D、开关

166、放大电路设置静态工作点的目的是（）

A、提高放大能力

B、避免非线性失真

C、使放大器工作稳定

167、阻容耦合多级放大器可放大（）

A、直流信号

B、交流信号

C、交、直流信号

D、反馈信号168、正弦波振荡器的振荡频率取决于（）

A、正反馈强度

B、放大器放大倍数

C、反馈元件参数

D、选频网络参数

15、差动放大电路的作用是（）信号。

A、放大共模

B、放大差模

C、抑制共模又放大差模信号

169、晶闸管具有（）性。

A、单向导电

B、可控单向导电

C、电流放大

D、负阻效应

170、单向半波可控整流电路，若负载平均电流为10mA,则实际通过整流二极管的平均电流为（）。

A、5A

B、0

C、10mA

D、20Ma

171、差动放大器采用双端输入，双端输出时的电压放大倍数（）单管电压放大倍数。

A、等于

B、是0.5倍

C、是2倍

172、有三级放大器，每级放大器的电压增益分别为25dB、35dB、20dB，则放大器总的电压增益为（）。

A、80倍

B、1000倍

C、10000倍

173、基本放大电路中输出与输入反相180°的（）

A、共射放大电路和射极跟随器

B、共基放大电路和射极跟随器

C、只有共射放大电路

174、半导体整流电路中使用的整流二极管应选用（）

A、变容二极管

B、稳压二极管

C、点接触型二极管

D、面接触型二极管

175、NPN、PNP三极管作放大时，其发射结（）

A、均加反向电压

B、均加反向电压

C、NPN管加正向电压，PNP管加反向电压

176、硅三极管的基极与发射极之间的正向压降约为（）

A、0.2～0.3V

B、0.5～0.8V

C、其它

177、锗管的正向压降约为（）A

A、0.2～0.3V

B、0.5～0.8V

C、其它

178、TTL与非门电路是以（）为基本元件构成的。

A、电容器

B、双极性三极管

C、二极管

D、晶闸管

179、小功率金属封装的三极管，引脚多为品字型排列，顶点是（）极。

A、集电极

B、基极

C、发射极

180、小功率金属封装的三极管，引脚多为品字型排列，左边为（）极。

A、集电极

B、基极

C、发射极

181、小功率金属封装的三极管，引脚多为品字型排列，右边为（）极。

A、集电极

B、基极

C、发射极

182、如右图所示真值表中所表达的逻辑关系是（）

A、与

B、或

C、与非

183、多极放大电路总的放大倍数是各级放大倍数的（）

A、和

B、差

C、积

D、商

184、在NPN、PNP共存的同一电路中，所需的供电电源为（）

A、必须用正电源

B、必须用负电

C、正、负单电源或正、负双电源均可

185、放大电路的静态工作点，是指输入信号（）三极管的工作点。

A、为零时

B、为正时

C、为负时

D、很小时

186、在晶体管输出特性曲线上，表示放大器静态时输出回路电压与电流关系的直线称为（）A、直流负载线B、交流负载线C、输出伏安线D、输出直线

187、晶体三极管输出特性曲线放大区中，平行线的间隔可直接反映出晶体三极管（）的大小。

A、基极电流

B、集电极电流

C、电流放大倍数

D、电压放大倍数

188、单项全波可控整流电路，若控制脚G角度变大，则输出平均电压（）

A、不变

B、变小

C、变大

D、为零

189、若晶体管静态工作点在交流负载线上位置定的太高，会造成输出信号（）A、饱和失真B、截至失真C、交越失真D、线形失真

190、引起零点漂移最主要的因素是（）

A、温度的变化

B、电路元件参数的变化

C、电源电压的变化

191、抑制零漂在有效的直流放大电路形式是（）

A、差动式放大电路

B、正反馈电路

C、稳压电路

D、射极跟随器192、集成运算放大器的最主要特点之一是（）

A、输入电阻很大

B、输入电阻为零

C、输出电阻很大

193、偏流电阻Rb太大会引起静态工作点Q（）

A、接近饱和区

B、接近截至区

C、在原点附近移动

194、要使负反馈放大器的输出阻抗低，则需引入（）

A、各种形式的电压负反馈

B、各种形式的电流负反馈

C、所有串联负反馈电路

D、所有并联负反馈电路

195、欲使放大器静输入信号削弱，应采取的反馈类型是（）

A、串联反馈

B、并联反馈

C、正反馈

D、负反馈

196、输入阻抗高、输出阻抗低的放大器有（）

A、共射放大器

B、射极跟随器

C、共基放大器

D、如上三种均是197、低频信号发生器的低频振荡信号是由（）振荡器产生。

A、LC

B、电感三点式

C、电容三点式

D、RC

198、低频信号发生器输出信号的频率范围一般在（）

A、0～20Hz

B、20～200Hz

C、50～100Hz

D、100～200Hz 199、LC振荡器中，为容易起振而引入的反馈属于（）

A、负反馈

B、正反馈

C、电压反馈

D、电流反馈200、串联负反馈会使放大器的输入电阻（）

A、变大

B、变小

C、不变

201、电压负反馈会使放大电路的输出电阻（）

A、变大

B、变小

C、不变

202、在多极放大电路的极间耦合中，低频电压放大电路主要采用（）

A、阻容

B、直接

C、变压器

D、电感

203、在阻容耦合的放大电路中，经过晶体管的信号是（）

A、交直流成分

B、直流成分

C、交流成分

D、脉动成分

204、阻容耦合多极放大电路的输入电阻等于（）

A、第一级输入电阻

B、各级输入电阻之和

C、各级输入电阻之积205、对功率放大器最基本的要求是（）

A、输出信号电压大

B、输出信号电流大

C、输出信号电压和电流均大

D、输出信号电压大、电流小

206、OTL功率放大器中与负载串联的电容具有（）的功能。

A、传送输出信号

B、对电源滤波

C、充当一个电源，保证晶体管能正常工作207、电路能产生自激振荡的主要原因是在电路中（）

A、引入了负反馈

B、引入了正反馈

C、电感线圈起作用

D、供电电压正常208、正弦波振荡器是由（）大部分组成。

A、2

B、3

C、4

D、5

209、变压器耦合式振荡器属于（）

A、LC振荡器

B、RC振荡器

C、RL振荡器

D、石英晶体振荡器

210、在直流放大器中，零点漂移对放大电路中能够影响最大的是（）

A、第一级

B、第二级

C、第三级

D、第四级

211、在脉冲电路中，应选择（）的三极管。

A、放大能力强

B、开关速度快

C、集电极最大耗散功率高

D、价格便宜

212、二极管两端加上正向电压时（）

A、一定导通

B、超过死区电压才导通

C、超过0.3V才导通

D、超过0.7V才到通

213 、本征半导体中掺入五价元素后成为（）

A、本征半导体

B、N型半导体

C、P型半导体

214、N型半导体中的多数载流子是（）

A、电子

B、空穴

C、正离子

215、PN结中扩散电流的方向是（）

A、从P区到N区

B、从N区到P区

C、任意方向

216、PN结中漂移电流的方向是（）

A、从P区到N区

B、从N区到P区

C、任意方向

217、PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂移电流

A、大于

B、小于

C、等于

218、二极管的正向电阻（）

A、大

B、小

C、可大可小

219、二极管的反向电阻（）

A、大

B、小

C、可大可小

220、工作在放大区的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA，则它的β值约为（）。

A、10

B、50

C、100

221、对放大电路中的三极管测量，各极对地的电压为U B＝2.7V，U E＝2V，U C＝6V，则该管为（）

A、Si材料

B、Ge材料

C、其它材料

222、对放大电路中的三极管测量，各极对地的电压为U B＝2.7V，U E＝2V，U C＝6V，则该管为（）

A、NPN管

B、PNP管

C、其它管子

223、对放大电路中的三极管测量，各极对地的电压为U B＝2.7V，U E＝2V，U C＝6V，则该管为（）

A、截止区

B、饱和区

C、工作在放大区

224、三极管的反向电流I CBO是由（）组成的。

A、多数载流子

B、少数载流子

C、多数载流子和少数载流子共同

225、已知一个三极管的I CEO为200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的I CBO约等于（）。

A、8mA

B、10mA

C、5μA

D、4μA

226、当温度升高时，三极管的参数和电流的变化趋势为（）

A、β↑，I CEO↑，U BE↑

B、β↑，I CEO↑，U BE↓

C、β↓，I CEO↑，U BE↓227、某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（）mA。

A、0.98

B、1.02

C、0.8

D、1.2

228、三极管工作于放大状态时，其外加偏置电压为（）。

A、发射结正偏，集电结正偏

B、发射结正偏，集电结反偏

C、发射结反偏，集电结正偏

D、发射结和集电结均反偏

229、场效应晶体管是（）半导体器件。

A、单极型

B、双极型

C、其它类型

230、场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。

A、栅极电流

B、栅源电压

C、漏源电压

231、结型场效应管发生预夹断后，管子（）。

A、关断

B、进入恒流区

C、进入恒压区

232 、放大电路的幅频特性是指对于不同频率的输入信号电压放大倍数的变化情况。高频段电压放大倍数的下降，主要是因为（）的影响。

A、耦合电容和旁路电容

B、晶体管的非线性特性

C、晶体管的极间电容和分布电容233、放大电路的幅频特性是指对于不同频率的输入信号电压放大倍数的变化情况。低频段电压放大倍数的下降，主要是因为（）的影响。

A、耦合电容和旁路电容

B、晶体管的非线性特性

C、晶体管的极间电容和分布电容234、多级放大电路与其中每一级相比，频带（）。

A、变宽

B、变窄

C、基本不变

235、能使输出电阻降低的是( )负反馈。

A、电压

B、电流

C、并联

D、串联

236、能使输出电阻提高的是( )负反馈。

A、电压

B、电流

C、并联

D、串联

237、能使输入电阻提高的是( )反馈。

A、电压

B、电流

C、并联

D、串联

238、能使输入电阻降低的是( )反馈。

A、电压

B、电流

C、并联

D、串联

239、能使输出电压稳定的是( )负反馈。

A、电压

B、电流

C、并联

D、串联

240、能使输出电流稳定的是( )负反馈。

A、电压

B、电流

C、并联

D、串联

241、能提高放大倍数的是( )反馈

A、电压

B、电流

C、正

D、负

242、能稳定放大器增益的是( )反馈。

A、电压

B、电流

C、正

D、负

243、能稳定静态工作点的是( )反馈。

A、直流负

B、交流负

C、直流电流负

D、交流电压负

244、能改善放大器动态性能的是( )反馈。

A、直流负

B、交流负

C、直流电流负

D、交流电压负

245、负反馈可以抑制( )的干扰和噪声。

A、反馈环路内

B、反馈环路外

C、与输入信号混在一起

246、为了提高反馈效果，对串联负反馈应使信号源内阻Rs( )。

A、尽可能大

B、尽可能小

C、大小适中

247、为了提高反馈效果，对并联负反馈应使信号源内阻Rs( )。

A、尽可能大

B、尽可能小

C、大小适中

248、对于电压负反馈要求负载电阻( )。

A、尽可能大

B、尽可能小

C、大小适中

249、对于电流负反馈要求负载电阻( )。

A、尽可能大

B、尽可能小

C、大小适中

250、某放大电路要求R i大，输出电流稳定，应引进( )负反馈。

A、电压串联

B、电流并联

C、电压并联

D、电流串联

251、某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流)，经放大后希望输出电压与信号成正比，放大电路应引入( )负反馈。

A、电压串联

B、电流并联

C、电压并联

D、电流串联

252、要得到一个由电流控制的电流源，应选( )负反馈放大电路。

A、电压串联

B、电流并联

C、电压并联

D、电流串联

253、要得到一个由电流控制的电压源，应选( )负反馈放大电路。

A、电压串联

B、电流并联

C、电压并联

D、电流串联

254、需要一个阻抗变换电路，要求R i大，R o小，应选( )负反馈放大电路。

A、电压串联

B、电流并联

C、电压并联

D、电流串联

255、需要一个阻抗变换电路，要求R i小，R o大，应选( )负反馈放大电路。

A、电压串联

B、电流并联

C、电压并联

D、电流串联

255、集成运算放大器实质是一个( )。

A、直接耦合的多级放大器

B、单级放大器

C、阻容耦合的多级放大器

D、变压器耦合的多级放大器

256、理想运算放大器的开环放大倍数Au ( )。

A、∞

B、0

C、不定

257、理想运算放大器的输入电阻R id为( )。

A、∞

B、0

C、不定

258、理想运算放大器的输出电阻为( )。

A、∞

B、0

C、不定

259、理想运算放大器的两个重要结论是( )。

A、虚地与反相

B、虚短与虚地

C、虚短与虚断

D、断路和短路

260、集成运放一般分为两个工作区，它们是( )工作区。

A、线性与非线性

B、正反馈与负反馈

C、虚短与虚断

261、施加深度负反馈可使运放进入( )。

A、非线性区

B、线性工作区

C、饱和区

262、使运放开环或加正反馈可使运放进入( )。

A、非线性区

B、线性工作区

C、饱和区

263、电路如图所示，工作在线性区的电路有( )。

264、由理想运放构成的线性应用电路，其电路增益与运放本身的参数( )。

A、有关

B、无关

C、有无关系不确定

265、集成运放的线性应用电路存在( )的现象。

A、虚短

B、虚断

C、虚短与虚断

266、非线性应用电路存在( )的现象。

A、虚短

B、虚断

C、虚短与虚断

267、集成运放能处理( )。

A、交流信号

B、直流信号

C、交流信号和直流信号

268、运放处于开环状态时，其输出不是正饱和值＋U OM就是负饱和值－U OM，它们的大小取决于( )。

A、运放的开环放大倍数

B、外电路参数

C、运放的工作电源

269、各种比较电路的输出只有( )状态。

A、一种

B、两种

C、三种

270、分析运放的非线性应用电路，不能使用( )的概念。

A、虚短

B、虚断

C、虚地

271、为了满足振荡的相位平衡条件，反馈信号与输入信号的相位差应等于（）。

A、900

B、1800

C、2700

D、3600

272、为满足振荡的相位平衡条件，RC文氏电桥式振荡器中的放大电路，其输出信号与输入信号之间的相位差，合适的值是（）。

A、900

B、1800

C、2700

D、3600

273、已知某振荡电路中的正反馈网络，其反馈系数为0.02，而放大电路的放大倍数有下列几个值取：>0，5，20，50，为保证电路起振且可获得良好的输出信号波形，最合适的放大倍数是（）。

A、＞0

B、5

C、20

D、50

274、若依靠振荡管本身来稳幅，则从起振到输出幅度稳定，管子的工作状态是（）。

A、一直处在线性区

B、从线性区过度到非线性区

C、一直处在非线性区

D、从非线性区过度到线性区

275、对于RC桥氏振荡器，为了减轻放大电路参数对RC串并联网络的影响，所引入的负反馈类型，合适的是（）。

A、电压串联型

B、电压并联型

C、电流串联型

D、电流并联型

276、在并联型石英晶体振荡电路中，对于振荡信号，石英晶体相当于一个（）。

A、阻值极小的电阻

B、阻值极大的电阻

C、电感

D、电容

277、在串联型石英晶体振荡电路中，对于振荡信号，石英晶体相当于一个（）。

A、阻值极小的电阻

B、阻值极大的电阻

C、电感

D、电容

278、RC振荡电路同LC振荡电路相比，（）。B

A、前者适用于高频而后者适用于低频

B、前者适用于低频而后者适用于高频

C、两者都适用于低频

279、石英晶体振荡器的主要优点是（）。A

A、频率高

B、频率的稳定度高

C、振幅稳定

280、（）差动放大电路的设置是为了

A、提高输入电阻

B、稳定放大倍数

C、克服温漂

D、扩展频带

646418862@https://www.wendangku.net/doc/848118173.html,;

模拟电子技术基础中的常用公式必备

模拟电子技术基础中的常用公式 第7章半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章集成运算放大器

主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。

第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即

模拟电路第五章课后习题答案演示教学

模拟电路第五章课后 习题答案

第五章 习题与思考题 ◆◆ 习题 5-1 图P5－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC =V EE =15V ，偏置电阻R=1M Ω(需外接)。设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。 解：V T4、VT3、R 组成镜像电流源，流过R 的基准电流IREF 为： A A R U V V I BE EE CC REF μμ3.291 7.01515=-+=-+= A I I I I REF C REF C μβ β3.29211 33=≈???→?+=足够大 VT1、VT2为差分对管，则有： A A I I I C C C μμ7.1423.2921321≈≈= = 本题的意图是理解镜像电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-2 图P5－2是集成比较器BG307偏置电路的示意图。已知V EE =6V ，R 5=85Ω，R 6=68Ω，R 7=1.7k Ω。设三极管的β足够大，试问V T1、V T2的静态电流I C1、I C2为多大？ 解： VT5、VT6为核心组成比例电流源，其基准电流IR7为： mA A R R V U I EE BE R 6.21700 6867.020)(20767≈++?-=+---=

mA mA I R R I R R I R C C 08.2)6.285 68(7566565=?=≈= VT1、VT2为差分对管，则有： mA mA I I I C C C 04.108.22 121521=?=== 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-3 图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。假设V CC =V EE =15V ，外接电阻R ＝100k Ω，其他的阻值为R 1=R 2=R 3=1k Ω，R 4=2k Ω。设三极管β足够大，试估算基准电流I REF 以及各路偏置电流I C13、I C15和I C16。 解： 此电路为多路比例电流源，其基准电流IREF 为： A mA mA R R U V V I BE EE CC REF μ29029.01 1007.015152=≈+-+=+-+= 各路电流源电流值为： A I I I R R I I REF C C C C μ29014142 11513=≈=== A A I R R I R R I REF C C μμ1452902 142144216=?=≈= 本题的意图是练习多路比例电流源的估算方法。

20个常用模拟电路

一. 桥式整流电路 1二极管的单向导电性：二极管的PN结加正向电压，处于导通状态；加反向电压，处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型： 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V，锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程： 当u 2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载R L 是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止，负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器 1电源滤波的过程分析：电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变，因而负载两端的电压也不会突变，使输出电压得以平滑，达到滤波的目的。 波形形成过程：输出端接负载R L 时，当电源供电时，向负载提供电流的同时也

向电容C充电，充电时间常数为τ 充=（Ri∥R L C）≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响，电容上电压将随u 2迅速上升，当ωt=ωt 1 时，有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0，所有二极管截止，这时电容C通过R L 放电，放电时间常数为R L C，放 电时间慢，u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时，u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大，又开始充电过程，u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0，ωt 3 后，电容通 过R L 放电。如此反复，周期性充放电。由于电容C的储能作用，R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大，要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间，输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧（3~5）T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中，经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ，每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器 1信号滤波器的作用:把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度，但同时必须让有用信号顺利通过。 与电源滤波器的区别和相同点：两者区别为：信号滤波器用来过滤信号，其通带是一定的频率范围，而电源滤波器则是用来滤除交流成分，使直流通过，从而保持输出电压稳定；交流电源则是只允许某一特定的频率通过。 相同点：都是用电路的幅频特性来工作。 2LC串联和并联电路的阻抗计算:串联时，电路阻抗为Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC) 并联时电路阻抗为Z=1/jωC∥(R+jωL)= 考滤到实际中，常有R<<ωL,所以有Z≈

模拟电路第二章课后习题答案(供参考)

第二章 习题与思考题 ◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）； (f) 无放大作用，电容C 2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b 使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 解： 本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ；②增大VCC ；③增大β。 解： ① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R ② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V ③ ???↓↑?↑?CC CQ BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。 ◆ 题 2-4 在图，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、 U CEQ 、r be 和||u A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1；②增大R b2；③增大Re ；④增大β。 解： ① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。

模拟电路第二章

第二章 2—4、二极管电路如图题2.4所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出各电路的输出 电压V 0，设二极管的导通压降为0.7V 。 解： 二极管导通 V V 7.50-= 二极管VD 1导通，二极管VD 2截止。 V V 7.00-= 2—5、电路如图题2.5所示，图中二极管是理想的，设输入电压t sin u i ω10=(V)时，试画出) t (u 0的波形。 V /u -10

2—6、硅二极管限幅电路如图题2.6(a)所示，当输入波形i u 如图题2.6(b)所示时，画出输出电压0 u 的波形。 2—7、（1）已知两只硅稳压管的稳压值分别为8V 和6V ，当将它们串联或并联使用时可以得到几 种不同的稳压值？ （2）稳压值为6V 的稳压管接成如题图2.7所示电路，R 1=4K Ω，在下面四种情况下确定 V 0的值。a ）V i =12V ， R 2=8K Ω；b ）V i =12V ， R 2=4K Ω；c ）V i =24V ， R 2=2K Ω；d ）V i =24V ， R 2=1K Ω。 V /u V / -0u

解：（1）串联使用时可以得到：8+6=14V ；8+0.7=8.7V ；6+0.7=6.7V ；0.7+0.7=1.4V （2）a)V 0=6V ； b)V 0=6V ； c)V 0=6V ； d)V 0=4.8V ； 2—8、在下列几种情况下求输出端F 的点位V F 以及电路各元件中流过的电流：（1）V A =V B =0V ； （2）V A =+3V ,V B =0V （3）V A =V B =+3V 。二极管的正向电压忽略不计。 解：(1) V A =V B =0V 时，两个二极管均导通。V F =0V mA 0839312..I R ≈= mA .I I I R VDB VDA 5412 1=== （2）V A =+3V ,V B =0V 时，VD A 截止，VD B 导通。 V F =0V mA 0839312..I I DB V R ≈= = 0=VDA I （3）V A =V B =+3V 时，两个二极管均导通。V F =3V mA 31293312..I R ≈-= mA .I I I R VDB VDA 1512 1=== 2—11、在晶体管放大电路中测得晶体管3个电极的电位如图题2.11所示，试判断晶体管的类型、 材料，并区分a 、b 、c 三个极。 为PNP 型Ge 管 2—12、某个晶体管的参数如下：V V ,mA I ,mW P CEO )ER (CM CM 1520100 ===，问下列哪种情况下晶体管可以正常工作？ （1）mA I ,V V C CE 103==；（2）mA I ,V V C CE 402==；（3）mA I ,V V C CE 206== 解：（1）可以正常工作。（2）CM C I I >不能正常工作。（3）CM C P P >不能正常工作。 （集电极） （发射极） （基极）

模拟电子技术基础中的常用公式必备

word 资料 模拟电子技术基础中的常用公式 第7章 半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。 难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章 基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。 难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握 放大电路的工作原理、共射放大电路。理解 放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章 集成运算放大器

主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 - 71 -

word 资料 第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=1.602×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即

模拟电子技术第二章习题解答

习题 题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 图P2-1 题2-1解(a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用； (f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去； (g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 题2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。三极管的输出特性如图(b)所示。 ①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适； ②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数？如何改法？ ③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数？改成什么数值？

（a ） 题2-2解：① 先由估算法算出I BQ C C B E Q BQ b 100.7 mA 0.02mA 20μA 510 V U I R --= ≈ ≈= 然后，由式 C c C CC CE i R i V u 1010-=-=， 在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、 纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出 特性曲线的交点Q1即为静态工作点。 由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。 ② 在V CC 和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右，可以改变的参数只有R b 和（或）R c ，有以下几种方法： 1）同时减小R b 和R c ，如图中Q2点；2）R b 不变，减小R c ，如图中Q ’2点；3）Rc 不变，增大Rb ，如图中Q ’’2点；4）同时增大Rb 和Rc ，静态工作点在图中Q ’’2点以下。 ③ 在V CC 和三极管不变的情况下，为了使I CQ =2mA ，U CEQ =2V ，可以改变的参数只有R b 和（或）Rc 。将i C =I CQ =2mA ，u CE =U CEQ =2V 的一点与横坐标轴上u CE =10V 的一点相连即可得到此时的直流负载线，此时集电极电阻为CC CEQ c CQ 102 k Ω4k Ω2 V U R I --= = =， 由图可见，Q3点处I BQ =40uA ，则CC BEQ b BQ 100.7 k Ω250k Ω0.04 V U R I --= = ≈ ，因此，需要减小 Rb 和Rc 为：Rc ＝4k Ω，Rb ＝250k Ω。 i C u CE /V 图 P2-2 （b ）

模拟电子技术基础第四版课后答案第二章

第2章基本放大电路 自测题 一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。 1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×) 2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√) 3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×) 4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×) 5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√) 6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×) 7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×) 二．试分析图各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f)

(g) (h) (i) 图 解：图(a)不能。V BB 将输入信号短路。 图(b)可以。 图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。 图(e)不能。输入信号被电容C 2短路。 图(f)不能。输出始终为零。 图(g)可能。 图(h)不合理。因为G -S 间电压将大于零。 图(i)不能。因为T 截止。 三．在图 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，' 100b R k =Ω。填空：要求先填 文字表达式后填得数。 (1)当0i U V =&时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =， 则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。 (2)若测得输入电压有效值5i U mV =时， 输出电压有效值' 0.6o U V =， 则电压放大倍数u A =&( /o i U U - )≈( -120 )。 若负载电阻L R 值与c R 相等，则带上 图 负载后输出电压有效值o U =( ' L o L c R U R R ?+ )=( )V 。 四、已知图 所示电路中12,3CC c V V R k ==Ω，静态管压降6,CEQ U V =并在输出端加负载电阻L R ，其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值om U ≈( A )； (2)当1i U mV =&时，若在不失真的条件下，减小R w ，则输出电压的幅值将( C )； A.减小 B.不变 C.增大

模拟电路第五章课后习题答案

模拟电路第五章课后习题答案 案场各岗位服务流程 销售大厅服务岗： 1、销售大厅服务岗岗位职责： 1)为来访客户提供全程的休息区域及饮品; 2)保持销售区域台面整洁; 3)及时补足销售大厅物资,如糖果或杂志等; 4)收集客户意见、建议及现场问题点； 2、销售大厅服务岗工作及服务流程 阶段工作及服务流程 班前阶段1）自检仪容仪表以饱满的精神面貌进入工作区域 2）检查使用工具及销售大厅物资情况，异常情况及时登记并报告上级。 班中工作程序服务 流程 行为 规范 迎接 指引 递阅 资料 上饮品 （糕点） 添加茶水工作1）眼神关注客人，当客人距3米距离侯客迎询问客户送客户

注意事项 15度鞠躬微笑问候：“您好！欢迎光临！”2）在客人前方1-2米距离领位，指引请客人向休息区，在客人入座后问客人对座位是否满意：“您好！请问坐这儿可以吗？”得到同意后为客人拉椅入座“好的，请入座！” 3）若客人无置业顾问陪同，可询问：请问您有专属的置业顾问吗？，为客人取阅项目资料，并礼貌的告知请客人稍等，置业顾问会很快过来介绍，同时请置业顾问关注该客人； 4）问候的起始语应为“先生-小姐-女士早上好，这里是XX销售中心，这边请”5）问候时间段为8:30-11:30 早上好11:30-14:30 中午好 14:30-18:00下午好 6）关注客人物品，如物品较多，则主动询问是否需要帮助（如拾到物品须两名人员在场方能打开，提示客人注意贵重物品）； 7）在满座位的情况下，须先向客人致

待； 阶段工作及服务流程 班中工作程序工作 要求 注意 事项 饮料（糕点服务） 1）在所有饮料（糕点）服务中必须使用 托盘； 2）所有饮料服务均已“对不起，打扰一 下，请问您需要什么饮品”为起始； 3）服务方向：从客人的右面服务； 4）当客人的饮料杯中只剩三分之一时， 必须询问客人是否需要再添一杯，在二 次服务中特别注意瓶口绝对不可以与 客人使用的杯子接触； 5）在客人再次需要饮料时必须更换杯 子； 下班程 序1）检查使用的工具及销售案场物资情况，异常情况及时记录并报告上级领导； 2）填写物资领用申请表并整理客户意见；3）参加班后总结会； 4）积极配合销售人员的接待工作，如果下班

Proteus在模拟电路中仿真应用

Proteus在模拟电路中仿真应用Proteus在很多人接触都是因为她可以对单片机进行仿真，其实她在模拟电路方面仿真能力也很强大。下面对几个模块方面的典型带那路进行阐述。 第1部分模拟信号运算电路仿真 1.0 运放初体验 运算，顾名思义，正是数学上常见的加减乘除以及积分微分等，这里的运算电路，也就是用电路来实现这些运算的功能。而运算的核心就是输入和输出之间的关系，而这些关系具体在模拟电路当中都是通过运算放大器实现的。运算放大器的符号如图1所示。 同相输入端， 输出信号不反相 反相输入端， 输出信号反相 输入端 图1 运算放大器符号 运算器都工作在线性区，故进行计算离不开工作在线性区的“虚短”和“虚断”这两个基本特点。与之对应的，在Proteus中常常用到的放大器有如图2几种。 3 2 1 4 1 1 U1:A TL074 3 2 6 7 415 U5 TL071 3 2 6 7 415 U6 741图2 Proteus中几种常见放大器 上面几种都是有源放大器件，我们还经常用到理想无源器件，如图4所示，它的位置在“Category”—“Operational Amplifiers”—“OPAMP”。

图4 理想无源放大器件的位置 1.1 比例运算电路与加法器 这种运算电路是最基本的，其他电路都可以由它进行演变。 （1）反相比例运算电路，顾名思义，信号从反相输入端进入，如图5所示。 RF 10K R1 2K Volts -5.00 R1(1) 图5 反相比例运算电路 由“虚断”“虚短”可知：f o i 1 *R u u R =- 我们仿真的值：11(1)1 ,2,10i f U R V R K R K ====，

模拟电路部分习题答案

模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏） 2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） （7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）

（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对； N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS 大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通

模拟电子技术基础 第二章练习题

注意：答案仅供参考！ 一、填空题 1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μ A ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。 8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。

9.对于下图所示电路，已知V CC =12V，R b1 =27 kΩ，R c =2 kΩ,R e =1 kΩ,V BE =0.7V, 现要求静态电流I CQ =3mA，则R b2 = 12 kΩ。 10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE=0.7V，稳压管的稳定电压V Z=6V， 则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。 11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增 大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于 夏天室温升高后，三级管的 I CBO 、 V BE 和β三个参数的变化，引起工 作点上移；输出波形幅度增大，则是因为β参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案

4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。

模拟电路第五章课后习题答案

第五章习题与思考题 ? ?习题5-1图P5- 1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知 V CC =V EE =15V ，偏置电阻R=1M Q (需 外接)。设各三极管的B 均足够大，试估算基准电流 I RE F 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。 解: VT4、VT3、R 组成镜像电流源，流过 R 的基准电流IREF 为： ? ? 习题5-2图P5-2是集成比较器 BG307偏置电路的示意图。 已知V EE =6V , R 5=85 Q, R 6=68Q, R 7=1.7k Q 。设三极管的B 足够大，试问 V TI 、V T 2的静态电流l ei 、|C2为多大？ 解： VT5、VT6为核心组成比例电流源，其基准电流 IR7为： ° 2U BE (V EE ) 0 2 0.7 6A 2.6mA R 6 R 7 68 1700 I C5 R 6 I C 6 R 6 I R7 (68 2.6)mA 2.08mA R 5 R 5 85 1 1 VT1、VT2 为差分对管，则有： I C1 I C2 T C 5 一 2.08mA 1.04mA 2 2 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。 ? ? 习题5-3图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。假设 V CC =V EE =15V ，外接电阻 R = 100k Q, 其他的阻值为 R 1=R 2=R 3=1k Q, R 4=2k Q 。设三极管B 足够大，试估算基准电流 I REF 以及各路偏置电流I C13、 I C15 和 I C16。 V CC V EE U BE REF R I 1 足够大 C3 I REF 1 2 15 15 1 0.7 A 29.3 A I C3 I REF 29.3 A 1 VT1、VT2为差分对管，则有： Id I C 2 I C 3 2 本题的意图是理解镜像电流源的工作原理和估算方法。 14.7 A 圈 P5-2 R7 十

模拟电路第二章课后习题答案汇编

模拟电路第二章课后 习题答案

第二章习题与思考题 ◆题 2-1试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）；

(f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 解：

本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆题 2-3 在NPN三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ、I CQ、U CEQ将增大、减小还是不变。①增大Rb；②增大VCC；③增大β。 解： ①↓ ↓? ↓? ↑? CEQ CQ BQ b U I I R ②不定 ) (↑ - ↑ = ↑? ↑? ↑? CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V b CC b CC b BEQ CC BQ R V R V R U V I≈ - ≈ - = 7.0 BQ BQ CQ I I Iβ β≈ ≈C CQ CC CEQ R I V U- =

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保 R大的特点。( √ ) 证其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k 时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电

模拟电子线路multisim仿真实验报告

MULTISIM 仿真实验报告

实验一单级放大电路 一、实验目的 1、熟悉multisim软件的使用方法 2、掌握放大器的静态工作点的仿真方法，及对放大器性能的影响。 3、学习放大器静态工作点、电压放大倍数，输入电阻、输出电阻的仿真方法，了解共 射级电路的特性。 二、虚拟实验仪器及器材 双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表 三、实验步骤 1.仿真电路图 V1 10mVrms 1kHz 0° R1 100kΩ Key=A 10 % R2 51kΩ R3 20kΩ R4 5.1kΩ Q1 2N2222A R5 100Ω R6 1.8kΩ C1 10μF C2 10μF C3 47μF 3 7 V2 12 V 4 5 2 1 R7 5.1kΩ 9 XMM1 6 E级对地电压25.静态数据仿真

仿真数据（对地数据）单位；V计算数据单位；V 基级集电极发射级Vbe Vce RP 2.834 6.126 2.2040.63 3.92210k 26.动态仿真一 1.单击仪表工具栏的第四个，放置如图，并连接电路。 V1 10mVrms 1kHz 0° R1 100kΩ Key=A 10 % R2 51kΩ R3 20kΩ R4 5.1kΩ Q1 2N2222A R5 100Ω R6 1.8kΩ C1 10μF C2 10μF C3 47μF 3 7 V2 12 V 4 5 2 R7 5.1kΩ XSC1 A B Ext Trig + + _ _+_ 6 1 9

2.双击示波器，得到如下波形 5.他们的相位相差180度。 27.动态仿真二 1.删除负载电阻R6 V1 10mVrms 1kHz 0° R1 100kΩ Key=A 10 % R2 51kΩ R3 20kΩ R4 5.1kΩ Q1 2N2222A R5 100Ω R6 1.8kΩ C1 10μF C2 10μF C3 47μF 3 7 V2 12 V 4 5 2 XSC1 A B Ext Trig + + _ _+_ 6 1 9 2.重启仿真。