74HCT373

1.一般说明：

74HC373 ，74HCT373是一个高速Si -gate CMOS设备和引脚兼容与低功率肖特基TTL 。它是符合JEDEC标准没有规定。7A。

74HC373 74HCT373是一个八进制D型透明锁存设有独立的D型输入每个锁存和三态输出总线导向的应用。锁存使能（LE ）

输入和输出使能（OE）输入共同所有插销。

74HC373 74HCT373由8个D型透明锁存器三态真

输出。LE为高电平时，数据在DN输入进入闩锁。在此条件下

锁存器是透明的，即一个锁存输出状态会改变其对应的每次

D输入的变化。

当LE是低锁存器存储的信息，是目前在D输入一个

建立时间前HIGH - to-LOW过渡LE 。当OEIS低的内容

的8个锁存器提供输出。当OEIS高，输出到高

高阻关断状态。的OEinput操作不影响锁存器的状态。

74HC373 ，74HCT373是功能上等同于：

?74HC563 ;的74HCT563 ：但反向输出和不同的引脚排列

?74HC573 ;的74HCT573 ：但不同的引脚排列

2.特点和优点：

三态非反相输出总线导向的应用

常见的3态输出使能输入

功能相同的74HC563;74HCT563和74HC573;74HCT573

ESD保护：

HBM JESD22-A114F超过2000 V

MM JESD22-A115-A超过200 V

40 CTO+85 C 40 CTO+125 C

3.功能图

图1 功能图

图2 逻辑符号

图3 逻辑图

4.管脚信息

引脚配置DIP20，SO20，SSOP20和

TSSOP20

表2中。引脚说明

5．功能描述

5.1功能表

表3中。功能表

[1] H=高电平;

H =高电压等级的设置时间之前HIGH-LOW LE过渡;

L =低电压水平;

I =低电平一建立时间之前HIGH-LOW LE过渡;

X =不关心;

Z =高阻关断状态。

6.极限值

表4中。极限值

[1]对于DIP20封装：P

线性totderates12毫瓦/ K以上70 C。[2]对于SO20：P

线性totderates，与8毫瓦/ K以上70 C。

[3]对于SSOP20和TSSOP20封装：P

线性totderates5.5毫瓦/ K高于60 C。[4] DHVQFN20包：P

线性totderates4.5毫瓦/ K高于60 C。8．推荐工作条件

表5中。推荐工作条件

表6中。静态特性74HC373

9.动态特征

表8。动态特性74HC373

电压参考GND（地= 0 V）; CL= 50 pF的，除非另有规定，测试电路参见图12。