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如何确定陶瓷多层电容的热阻、功率耗散和额定电流

电容器检验标准

电容器检验标准一：电容器的主要参数： 1：标称容量：是指标注在电容器上的电容量（其单位为微法/UF和皮法/PF）。 2：允许误差：是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大误差。（电解电容的误差较大，大于±10%） 3：额定电压：是指电容器在规定的条件下，能够长时间工作所受的最高工作电压（额定电压通常标注在电容器上）。 4：绝缘电阻：绝缘电阻越大，表明此电容的质量越好。二：电容器的参数标注方法： 1直标法：电将电容器的主要参数（标称容量、额定电压和误差）直接标注在电容器上，常用于电解电容或是体积较大的无极性电容上。 2：文字符号标注法：是采用数字或是字母与数字混合的方法来标注电容器的主要参数。 ①：数字标注法：常用3位有效数字表示电容器的容量，其中前二位数字表示为有效数字，第三位表示有多少个0(104表示10X10000PF). ②: 字母与数字混合标注法: 如(4P7表示4.7P F、G1表示100UF、M1表示 0.1UF) 三: 电容器的检测: 测试工具: 指针式万用表 1: 电解电容器的检测: ①: 正负极性的确定: 有极性的铝电解电容器外壳上通常都标有+(正极) 或-(负极),末剪脚的电容器,长脚为正极,短引脚为负极. ②: 1 uF与2.2uF的电解电容器用RX10K档，4.7- 22uF的电解电容器用RX1K档, 47- 220uF的电解电容器用RX100档.

3:测试方法: 1: 电解电容器的检测： ①:根据电解电容器上所标示的容量,将万用表置于合适的量程,将二表短接后调零.黑表接电解电容的正极,红表接其负极,电容器开始充电, 万用表指针缓慢向摆动,摆动到一定的角度后,(充电结束后)又会慢慢向左摆动(表针在向左摆动时不能摆动到无穷大的地方)指针向左摆动后所指示的电阻会大于500K,若电阻值小于100K,则此电容器不合格. ②: 将二表对调后测量,正常时表针应立即向右摆动后向左摆动(摆动的大小应大于第一次的大小),且反向电阻应大于正向电阻.若测量电容时表针不动或第二次测量时表针的摆动大小小于第一次测量时的大小,则此电容器不合格. ③: 若测量电解电容器的正反向电阻时阻值都为0,则此电容器不合格. 2: 小容量电容器的检测: ①：用万用表RX10K档测量其二端的电阻值应为无穷大，若测得一定的电阻值或阻值接近0，则此电容器不合格。

陶瓷电容器简介及使用注意事项

陶瓷电容器简介及使用注意事项 1.分类 1类多层瓷介电容器，温度稳定性好，材料C0G或NP0（注意C0G里面的0是代表零，NP0里面的0也是代表零，不是英文字母O），随温度变化是0，偏差是±30ppm/℃、±0.3%或±0.05pF，这类电容量较小，耐压较低，主要用于滤波器线路的谐振回路中，但其中损耗小，绝缘电阻较高，制造误差J=±5% G=±2% F=±1%，执行标准：GB/T20141-2007 2类多层瓷介电容器，温度稳定性差，但容量大、耐压高，例如：X7R 在-55℃～到+125℃内温度偏移±15%，X5R在-55℃～到+85℃内温度偏移也是±15%，Y5V在-30℃～到+85℃内温度偏移+22%～-82%，Z5U在+10℃～+85℃内温度偏移+22%～-56%，生产误差：K=±10%、M=±20%。注意：生产电容器时产生的误差与温度偏差是不同的概念。 2类多层瓷介电容器主要用于旁路、滤波、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中，执行标准：GB/T20142-2007 2.在使用贴片电容器的PCB设计中，用于波峰焊的焊盘尺寸与用于回流焊的焊盘尺寸不同，因为焊料的量的大小会影响零件的机械应力，从而导致电容器破碎或开裂。 3.在PCB设计时巧用适当多的阻焊层将2个或以上电容器焊盘隔开。 4.在靠近分板线附近，电容器要平行排列，即长边与分板线平行，减少分板时的裂缝。 5.自动贴片机装配SMD时，适当的部位支撑PCB是完全必要的，单面板时和双面板时支撑都要考虑两面SMD的裂缝。

6.在波峰焊工艺中，粘着胶的选用和点胶位置及份量直接影响SMD焊接后的性能稳定性，胶的份量以不能接触PCB中焊盘为准。 7.焊接中使用助焊剂： 7.1如果助焊剂中有卤化物多或使用了高酸性的助焊剂，那么焊接后过多的残留物会腐蚀电容器端头电极或降解电容器表面的绝缘。 7.2回流焊中如果使用了过多的助焊剂，助焊剂大量的雾气会射到电容器上，可能影响电容器的可焊性。 7.3水溶助焊剂的残留物容易吸收空气中的水，在高湿条件下电容器表面的残留物会导致电容器绝缘性能下降，并影响电容器的可靠性，所以，当选用了水溶性助焊剂时，要特别注意清洗方法和所使用的机器的清洗力。 7.4处理贴好电容器的板时，过程中温差不能超过100℃，否则会引起裂缝。 8. 焊料的使用量为电容器厚度的1/2或1/3. 9. 使用烙铁焊接时，烙铁头的顶尖直径最大为1.0mm，烙铁头尖顶不能直接碰到电容器上，要接触在线路板上，加锡在线路板与电容器之间。 10. 在搬运和生产过程中，电容器包装箱应避免激烈碰撞，从0.5米或以上高度落下的单个电容器可能会产生电容器瓷体破损或微裂，应不能在使用。 11. 储存条件：温度范围：-10℃～+40℃ 湿度范围：小于70%（相对湿度）存储期：半年如果超过了6个月（从电容器发货之日算起），在使用电容器之前要对其进行可焊性检验，同时高介电常数的电容器的容量也会随时间的推移

多层贴片陶瓷电容烧结原理及工艺

多层贴片陶瓷电容烧结原理及工艺多层陶瓷电容器(MLCC)的典型结构中导体一般为Ag或AgPd，陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3，多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结Ag/AgPd，然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn发生反应)，再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以焊接。近年来，也出现了端头使用Cu的MLCC产品。根据MLCC的电容数值及稳定性，MLCC划分出NP1、COG、X7R、Z5U等。根据MLCC 的尺寸大小，可以分为1206，0805，0603，0402，0201等。 MLCC 的常见失效模式多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素内在因素主要有以下几种： 1.陶瓷介质内空洞(Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹(firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层(delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。外部因素主要为： 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。

陶瓷电容器的特性及选用

陶瓷电容器的特性及选用陶瓷电容器是目前电子设备中使用最广泛的一种电容器，占整个电容器使用数量的50%左右，但由于许多人对其特性了解不足导致在使用上缺乏应有的重视。为达到部品使用的规范化和标准化要求，下面对陶瓷电容器的特性及我司使用中需要注意的事项做一概况说明：一、陶瓷电容器特性分类：陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用。陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器（1类瓷）和低频瓷介电容器（2类瓷）；按耐压区分有高压瓷介电容器（1KV DC以上）和低压瓷介电容器（500V DC以下），现分述如下： 1．高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器）该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压），目前我司常用的温度特性组别有CH（NP0）和SL 组，其常规容量范围对应如下：表中温度系数α C =1/C（C 2 -C 1 /t 2 -t 1 ）X106（PPM/°C），是指在允许温度范围内，温度每变化1°C，电容量的相对变化率。由上表看出，1类瓷介电容器的温度系数很小，尤其是CH特性，因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。但由于该类陶瓷材

料的介电常数较小，因此其容量值难以做高。因此当需要更高容量值的电容时，则只能在下面介绍的2类瓷介电容中寻找。 2、低频瓷介电容器（亦称2类瓷介电容器）该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1（低压）和CT81（高压），其常用温度特性组别和常规容量范围对应如下：中2R组为低损耗电容，由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器（亦称半导体瓷介电容器），例如：我司大量使用的26-ABC104-ZFX，但该类电容温度特性更差，绝缘电阻较低，只是因高介电材料，体积可以做得很小。因此只适用要求较低的工作电路。如选用较大容量电容，而对容量和温度特性又有较高使用要求，则应选用27类有机薄膜电容器。 3、交流瓷介电容器根据交流电源的安全性使用要求，在2类瓷介电容器中专门设计生产了一种绝缘特性和抗电强度很高的交流瓷介电容器，亦称Y电容，按绝缘等级划分为Y1、Y2、Y3三大系列，其用途和特性分类如下：

陶瓷插芯-检验标准

《光纤连接器检验技术标准》一、外观检验：二、组装性能： 2.1插芯：突出长度正常，弹性良好，有明显倒角，表面无任何脏污、缺陷及其他不良。2.2散件：各散件与适配器之间配合良好，无松脱现象，机械性能良好，有良好的活动性，表面无任何脏污、缺陷、破损、裂痕，颜色与产品要求相符，同批次产品无色差。 2.3压接：对光缆外皮及凯夫拉线的压接固定要牢固，压接金属件具有规则的压痕，无破损、弯曲，挤压光缆等不良。三、端面标准：根据附录1《光纤连接器端面检验规范》检验。四、插损、回损技术标准：五、端面几何形状（3D）标准：

六、合格品标识：合格产品标识包括：出厂编号（每个产品对应唯一的出厂编号，由生产任务计划号加流水号组成）、型号规格、条码标签（根据客户要求可选）、产品说明书（根据客户要求可选）、3D 报告（根据客户要求可选）、环保标识（根据客户要求可选）、插/回损测试数据等。七、产品包装： 7.1产品基本包装是：将光纤连接器盘绕成15-18cm直径的圈，连接头两端用扎带固定于线圈的对称中部，根据产品的不同型号扎紧方式有“8”和“1”字型扎法，以不松脱为原则，不能在光缆上勒出痕迹，0.9光缆使用蛇形管绑扎。特殊型号产品可根据相应《包装作业指导书》进行操作。将绑扎好的连接器头朝下放入对应已贴好标识的包装袋中封好袋口，并将包装袋中的空气尽量排除但不能将连接器挤压变形。 7.2基本包装完成后以整数为单位装入包装箱内，包装箱内部用卡板或气泡袋或珍珠棉或其他防挤压保护辅料隔开，特殊型号产品可根据相应《包装作业指导书》进行操作。包装箱外贴上装箱清单和其他产品标识后封箱打包并放置到指定成品区。八、各零部件技术标准： 8.1插芯： 8.1.1产品符合以下标准： YDT 1198-2002 《光纤活动连接器插针体技术要求》 Telcordia GR-326-CORE 8.1.2详细技术要求见附录2《常规插芯技术标准》。 8.2光纤/光缆： 8.2.1产品符合以下标准： YDT 1258.1-2003 《室内光缆系列第一部分总则》 YDT 1258.2-2003 《室内光缆系列第二部分单芯光缆》 YDT 1258.3-2003 《室内光缆系列第三部分双芯光缆》 YDT 1258.4-2005 《室内光缆系列第四部分多芯光缆》 YDT 1258.5-2005 《室内光缆系列第五部分光纤带光缆》 YDT 1258.3-2009 《室内光缆系列第3部分：房屋布线用单芯和双芯光缆》 YDT 908-2000 《光缆型号命名方法》 8.2.2性能、尺寸、材质、颜色、环保等符合国家相关行业标准。产品颜色在同一批次的同一规格型号上必须保持一致。

片式多层陶瓷电容器MLCC

片式多层陶瓷电容器MLCC 多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行，也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构，独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等，由于元件小型化、贴片化的飞速发展，常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代，人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一，它诞生于上世纪60年代，最先由美国公司研制成功，后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化，至今依然在全球MLCC领域保持优势，主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。 (片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC —简称片式电容器，是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。 MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。?随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，?每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本（如MLCC大厂村田muRata），其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，?广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下：下图-(片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC实物结构图

电解电容与陶瓷电容两种电容的不同作用

电解电容与陶瓷电容：两种电容的不同作用电解电容与陶瓷电容一般用在IC的电源与地之间,起滤波作用，陶瓷电容单独使用去耦作用，它的使用一般在IC中会有说明，其电解值的大小与IC所需电流大小有关,陶瓷取0.01uf。电解电容陶瓷电容 ? 如果我要用别的电容替代某个电容的时候，是必须容量和耐压值都要满足吗有的时候，发现很难两全其美。这时候能不能舍弃其中之一呢

滤波电容范围太广了，这里简单说说电源旁路(去藕)电容。滤波电容的选择要看你是用在局部电源还是全局电源。对局部电源来说就是要起到瞬态供电的作用。为什么要加电容来供电呢是因为器件对电流的需求随着驱动的需求快。基于以上的理论，计算电容量就要按照电容能提供电流变化的能量去计算。选择电容的种类，就需要按照它的寄生电感去考虑--也就是寄生电感要小于电源路径的分布电感。讨论问题必须从本质上出发。首先，可能都知道电容对直流是起隔离作用的，而电感器的作用则相反。所有的都是基于基本原理的。那这时，电容就有了最常见的两个作用。一是用于极间隔离直流，有人也叫作耦合电容，因为它隔离了直流，但要通过交流信号。直流的通路局限在几级间，这样可以简化工作点很复杂的计算，二是滤波。基本上就是这两种。作为耦合，对电容的数值要求不严，只要其阻抗不要太大，从而对信号衰减过大即可。但对于后者，就要求从滤波器的角度出发来考虑，比如输入端的电源滤波，既要求滤除低频(如有工频引起的)噪声，又要滤除高频噪声，故就需要同时使用大电容和小电容。有人会说，有了大电容，还要小的干什么这是因为大的电容，由于极板和引脚端大，导致电感也大，故对高频不起作用。而小电容则刚好相反。巨细据此可以确定电容量。而对于耐压，任何时候都必须满足，否则，就会爆炸，即使对于非电解电容，有时不爆炸，其性能也有所下降。讲起来，太多了，先谈这么多。电解电容的作用和使用注意事项一、电解电容在电路中的作用 1，滤波作用，在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。在实际中，为了防止电路各部分供电电压因负载变化而产生变化，所以在电源的输出端及负载的电源输入端一般接有数十至数百微法的电解电容.由于大容量的电解电容一般具有一定的电感，对高频及脉冲干扰信号不能有效地滤除，故在其两端并联了一只容量为0.001--0.lpF的电容，以滤除高频及脉冲干扰. 2，耦合作用：在低频信号的传递与放大过程中，为防止前后两级电路的静态工作点相互影响，常采用电容藕合.为了防止信号中韵低频分量损失过大，一般总采用容量较大的电解电容。二、电解电容的判断方法

多层陶瓷电容器技术规格书

产品技术规格书文件编号产品名称多层陶瓷电容技术规格书产品型号产品图号

目录 1 目的和适用范围 2 1.1目的 2 1.2适用范围 2 2 引用和参考的相关标准 2 3 功能简述 3 4 要求 3 4.1一般要求 3 4.2电气要求 4 4.3环境试验要求 4 4.4安全要求测试10 4.5 包装、运输、贮存10 4.6质量与可靠性10 4.7 加工工艺说明10 5对供应商的要求11 5.1规范接收11 5.2提供资料和数据11 5.3产品更改通知（PCN）11 5.4质量控制要求11 5.5供应商承诺11 6资格认证11 6.1样本11 6.2样本试验11 6.3 资格认证试验12 7重要说明12 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ - Copyright ? 2006Xinwei Technologies Co. Ltd., All Rights Reserved

1.1 目的物料技术规格书是描述公司外购或外协物料的受控性文件，是公司物料规范化管理的基石。其作用为： ·供应厂商进行产品设计、生产和检验的依据 ·质量部门验货、退货的依据 ·采购部进行采购的依据 ·对供应厂商产品质量进行技术认证的依据 ·研发部门选用物料的依据本技术规格书的目的是让供应厂商了解信威通信公司对该物料在质量及其可靠性方面的要求，只有质量和可靠性两方面都100％达到要求的物料才被信威通信公司接受。信威通信公司有权取消不合格产品供应商的资格，有权在必要时修改本技术规范的有关内容，届时供应商会提前收到有关更改通知并给予适当的时间来做相应的更改。 1.2 适用范围本规格书适用于供应厂商进行多层陶瓷电容器设计、生产以及检验，指导质量部对供应厂商提供的多层陶瓷电容器进行技术认证及进货检验，指导采购部采购合格产品，研发部在设计新产品时选用合格物料。 2引用和参考的相关标准 GB/T 2423.1-2001 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T 2423.2-2002 电工电子产品环境试验第2部分: 试验方法试验B: 高温 GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程试验Ca:恒定湿热试验方法 GB/T 2423.10-1995 电工电子产品环境试验第２部分:试验方法试验Fc和导则:振动 GB/T 3873-1983 通信设备产品包装通用技术条件 GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 2693-2001 电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T 5968-1996 电子设备用固定电容器第9部分：分规范2类瓷介固定电容器 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Copyright ? 2006Xinwei Technologies Co. Ltd., All Rights Reserved

陶瓷电容失效分析

多层陶瓷电容器(MLCC)的典型结构中导体一般为Ag或AgPd，陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3，多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结 Ag/AgPd，然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn 发生反应)，再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以焊接。近年来，也出现了端头使用Cu的MLCC产品。根据MLCC的电容数值及稳定性，MLCC划分出NP1、COG、 X7R、 Z5U 等。根据MLCC的尺寸大小，可以分为1206，0805，0603，0402，0201等。 MLCC 的常见失效模式多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素内在因素主要有以下几种： 1.陶瓷介质内空洞 (Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹 (firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层 (delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。外部因素主要为： 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。

多层片式陶瓷电容器..

多层片式陶瓷电容器执行标准总规范：GB/T2693-2001《电子设备用固定电容器第1部分：总规范》分规范：GB/T9324-1996《电子设备用固定电容器第10部分：分规范》GB/T9325-1996《电子设备用固定电容器第10部分：空白详细规范》分类介绍 a、电解质种类容量温度特性是选用电介质种类的一个重要依据。 NPO（CG）：I类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变；属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频的电路。产品应用：振荡器、混频器、中频/高频/甚高频/超高频放大器、低噪声放大器、时间电路、高频滤波电路、高频耦合。 X7R（2X1）：II类电介质，电气性能较稳定，随温度、电压、时间的改变，其特有性能变化并不显著，属稳定型电容材料类型，适用于隔离、耦合、旁路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路。产品应用：电源（滤波、旁路）电路、时间电路、储能电路、中频/低频放大器（隔直、耦合、阻抗匹配），高频开关电源（S.P.S）、DC/DC变换器、滤波、旁路电路、隔直、阻抗匹配电路。 Y5V（2F4）：III类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容比较大的、标称容量较高的大容量电容产品；由于其特有的电介质性能，因而能造出容量比NPO更大的电容器。属低频通用型电容材料类型，由于成本较低，广泛用于对容量、损耗要求偏低的电路。产品应用：电源滤波电路、隔直、阻抗匹配电路。 b、电容量与偏差电容量与偏差的选择取决于电路的要求，特别提示，在相同尺寸和容量规格下，偏差较大的电容器的价格相对便宜。 c、电压额定电压的选择也取决于电路本身的要求，电容的耐压虽然在设计时已有一定的安全系数，但电容器额定电压的选择仍须高于实际工作电压。 d、片状电容器的端头电极：片状电容器端头电极的选择至关重要！全银端头：生产工艺简单、成本较低，耐焊性较差、端头物理强度也低，焊接时温度要适当，焊接速度要快，否则会出现银锡熔融现象而损坏端头。钯全银端头：针对全银的缺点而改进，其耐焊性能、端头强度均获改善，但可焊性随存放时间而改变。三层电镀端头：（银、镍、锡）耐焊性性能优越，端头物理强度高，可焊性好。适用于自动贴片机焊接、波峰焊接、再流焊接及手工焊接等诸多焊接工艺，符合SMT操作条件。

陶瓷可调电容的优缺点

陶瓷可调电容,陶瓷可调电容的优缺点陶瓷可调电容的含义可调电容由一组定片和一组动片组成，其容量随动片的转动而连续改变. 可变电容的原理非常简单，就是改变电容两个极板的接触面积从而改变其容值。可调电容一般有陶瓷介质和薄膜介质，陶瓷介质的高频特性好，可以工作在几百MHz甚至以上，而薄膜的高频特性要差一些，但一两MHz还是可以用的。陶瓷可调电容就是介质材料为陶瓷的其容值随动片的转动而连续改变的电容器。陶瓷可调电容的优缺点陶瓷可调电容的高频特性好，可以工作在几百MHz甚至以上，但是陶瓷的生产加工要困难一些，所以价格高，薄膜的价格要低一些。陶瓷可调电容一般调整到合适的容值后，就不需要经常去调节了，这时它起到的作用和普通电容器是一样的，如果调试用力不当，或调节次数过于频繁，都可能会损坏电容器。陶瓷可调电容的容值精密龙JML06可调电容，容值与颜色对比（黑色3PF，蓝色5PF，蓝色7PF，白色10PF，红色20PF，绿色 30PF，黄色40PF）。可调电容的电容量都标有最大电容量和最小电容量，一般有2/7P、3/10P、5/15P等规格，变化范围为3倍多一点。下面是百斯特的一款陶瓷可调电容的具体参数：可调电容精密龙JML05-1,容量范围：3~120P 容量范围：3~120P

额定电压 100V 最大电压:200V 绝缘电阻:10000MΩ 旋转力矩：10~ 30mN.m 大气压强:66~106KPa 可调电容在实际应用中具有和固定电容相同的作用，但是它的灵活性在于可以调整容量大小，通过改变这一数据，来实现和电感等元件实现电路的共振。通常体现可调电容的一个重要指标就是共振频率的高低，共振频率越高，其精密度就越好。

一般电容的检验项目及标准

一般电容的检验项目及标准 1.外观 1.1检验设备放大镜(50倍) 1.2检验方法及要求用酒精棉球抹擦无损伤,标志内容有温度组别,额定工作电压,标称电容量,电容量偏差范围,如客户另有要求则按客户要求执行. 1.3判定抹擦后标志不清,内容不齐全者为不合格品. 1.4缺陷分类轻微缺陷 2.外形尺寸 2.1检验设备千分尺,测微器 2.2检验方法及要求按国标详细规范执行,尺寸需符合国标要求. 2.3判定测量结果超出国标要求者为不合格品. 2.4缺陷分类一般缺陷 3.电容量 3.1检验设备 TH2615C,HP4278,YY2814 3.2检验方法 CT81:f=1KHz V：1±0.02V CC81:f=1MHz V≤5V 3.3测试环境条件温度:25±5℃ 相对湿度:60±5% 3.4要求需符合国标或企标的要求. 3.5缺陷分类严重缺陷 4.损耗角正切值(tgδ) 4.1检验设备 TH2615C,HP4278,YY2814 4.2检验方法 CT81:f=1KHz

V：1±0.02V CC81:f=1MH 4.3测试环境条件温度:25±5℃ 相对湿度:60±5% 4.4要求需符合国标或企标的要求. 4.5缺陷分类严重缺陷 5.绝缘电阻 5.1检验设备绝缘电阻测仪 5.2检验方法 VR<10KV 测试量电压500V 充电电流<0.05A 5.3要求绝缘电阻值>=10E4MΩ 5.4缺陷分类严重缺陷 6.耐压 6.1检验设备耐压测试仪CJ2671C,CJ2672A,CJ2678 6.2检验方法直流:VR<500V时Vt=3VR 1KV=6KV时Vt=1.5VR 交流:Vt=(6-10)VR或按客户要求 6.3要求试验引出端间耐压测试1min,要求无击穿,或飞弧. 6.4缺陷分类致命缺陷 7.可焊性 7.1检验设备焊锡槽,放大镜(50倍) 72检验方法将电容器的引脚以纵轴方向浸渍到235±5℃的焊槽中,保持2±0.5sec取出. 7.3要求电容器的引脚经过浸渍过,表面必须覆盖有一层光滑明亮的焊锡,引脚表面只充许有少量分散的针孔或未上锡的缺陷,且这些缺陷不得集中在同一区域. 7.4缺陷分类

陶瓷贴片电容失效原因分析

陶瓷电容失效原因分析多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。内在因素主要有以下几种： 1.陶瓷介质内空洞(Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹(firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。

3.分层(delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。外部因素主要为： 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。

2.机械应力裂纹(flex crack) 多层陶瓷电容器的特点是能够承受较大的压应力，但抵抗弯曲能力比较差。器件组装过程中任何可能产生弯曲变形的操作都可能导致器件开裂。常见应力源有：贴片对中，工艺过程中电路板操作；流转过程中的人、设备、重力等因素；通孔元器件插入；电路测试、单板分割；电路板安装；电路板定位铆接；螺丝安装等。该类裂纹一般起源于器件上下金属化端，沿45℃角向器件内部扩展。该类缺陷也是实际发生最多的一种类型缺陷。

陶瓷电容器特性

陶瓷电容器特性
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Q ：高介电常数型（X5R/B、X7R/R 特性等）与温度补偿型（CH、C0G 特性等）的特征和用途有哪些区别？
A : 请参阅下表。
高介电常数型
温度补偿型
主要温度 B/X5R、R/X7R 特性等特性
CH、COG 特性等
特征
?主要原料：强介电性材料钛酸钡（BaTiO3） ?主要原料：一般介电材料氧化钛（TiO2）或
?室温下，拥有 1000~20000 的高相对介电锆酸钙（CaZrO3）
常数，实现了体积小容量大。
?相对介电常数为 20~300 左右，与高介电常
?随着温度或电压的变化，相对介电常数也数相比静电容量较小。
会发生变化，因此当用于电路的时间常数 ?随着温度的变化，相对介电常数会呈直线变
时，需事前确认电子电路动作状态进行变化化。
的可能性。
随着时间的变化，容量值基本保持不变，即
?静电容量会随着时间而变化。
使处于高温、高电力、高频率的环境中 tane
（电容损耗）也很小，稳定性极佳。
?基本不会受到介电常数的时间变化或施加
电压的影响，且具有较高的 Q 值
（1000~8000）。
主要用途
?常用于电脑、数码家电、智能手机等。 ?利用其优异的高频特性，作为去耦电容器防止噪音发生或发挥其优异的吸收功能，广泛应用于各领域。最近可获得数 μF~100μF 的容量值，因此还被应用于各类电源的平滑电容器。 ?此外还被广泛使用于分路器、连接器、过滤电路等领域中。
?常用于电视调谐器电路中。 ?最近可扩大至 0.1μF 的静电容量，开始用于 DC-DC 转换器的缓冲电路或音频设备等。此外还被用于高频电路中（振荡、调音、连接器电路等）。

低频可调电容与高频可调电容的区别

什么是高频可调电容我们先了解下什么是可调电容：可调电容在实际应用中具有与固定电容相同的功能，但是他的灵活性在于可以调整容量大小，通过改变这一数据，来实现与电感等元件实现电路的共振。然后在了解下高频电容：高频电容指在高频率下附加电感小，谐振频率高，介质损耗小的电容器，如高频滤波用的CC1系列高频瓷片电容和云母电容。那么我们就了解到高频可调电容应该是指，谐振频率高而且可以灵活的调整容量大小的电容器。高频可调电容和低频可调电容有什么区别任何制造出来的电容器都不是理想的电容器，都存在电介质损耗，电介质损耗小的电容器适用于高频电路，电介质损耗大的只能工作于低频，这就叫电容器的频率特性。电容器频率特性是指电容器工作在交流电路(尤其在高频电路中)时,其电容量等参数将随着频率的变化而变化的特性。电容器在高频电路工作时,构成电容器材料的介电常数将随着工作电路频率的升高而减小。此时的电损耗也将增加。不同种类的电容器介电参数不一样，它们在很多情况下都不可互相替代。电容器的工作原理电容器有一个充放电的时间问题。当交流电的正半周，给电容器充电的瞬间，电路是有电流流过的，相当于通路，一旦电容器充电完毕，则电路就没有电流流过了，相当于断路。当交流电的负半周到来时，又将产生电流，先抵消掉原来充在电容上的那个相反的电荷，在继续充电至充满。现在假设电容器需要的充电时间t一定，则当一个频率较高的交流电正半周结束时，假设电容器容量够大，还未充满电，负半周就到来了，则这电路会一直流着电流，相当于这电容器对这个高频的交流电来说，是通路的。如果这个交流电的频率较低，正半周将电容器充满电荷以后，负半周仍未到来，则电流会在中途断流，则电容器对于这个低频的交流电来说，就不是完全通路了。如果充电的时间相对于交流电的半周期来将，是有较大比例的，那么就可以这个电容器对这个频率的交流电来讲，还没有完全断路，只是有一定的阻抗。如果充电的时间相对于那个频率的交流电的半周期来讲，是极短的，那么电容器就可以认为完全断路，没有电流流过。

电容的优缺点

电容专题】什么是CBB电容，独石电容，电解电容？ 1、聚酯（涤纶）电容（CL）电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 2、聚苯乙烯电容（CB）电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路 3、聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p--10u 额定电压：63--2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路4、云母电容（CY）电容量：10p--0。1u 额定电压：100V--7kV

主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 5、高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p 额定电压：63--500V 主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路 6、低频瓷介电容（CT）电容量：10p--4.7u 额定电压：50V--100V 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路 7、玻璃釉电容（CI）电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路 8、空气介质可变电容器可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直

线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等 9、薄膜介质可变电容器可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等 10、薄膜介质微调电容器可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿 11、陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路 12、独石电容容量范围：0.5PF--1UF 耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、

多层陶瓷电容器失效分析

多层陶瓷电容器失效分析多层陶瓷电容器的质量控制为一系统工程，首先必须对实际生产中的失效样品进行分析以确定失效的根本原因，在此基础上逐步提出改进措施并最终达到最优化的控制。前言无源元件(passive component) 在电子产品中占有十分重要的地位。虽然很多无源元件在整个电子产品中所占的物料价值并不高，但任何一个微不足道的元器件的失效都可能导致整个系统的失效。一般电子产品中有源元器件(IC)和无源元件的比例约为1：10-20。从该数据可以看出无源元件质量控制的重要性。无源元件的类型很多，多层陶瓷电容器(MLCC)是其中最重要，也是用量最大的产品之一。图1为MLCC的典型结构。其中导体一般为Ag或AgPd，陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3，多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结Ag/AgPd，然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn发生反应)，再在Ni层上制备Sn或SnPb 层用以焊接。近年来，也出现了端头使用Cu的MLCC产品。根据MLCC的电容数值及稳定性，MLCC划分出NP1、COG、X7R、Z5U等。根据MLCC 的尺寸大小，可以分为1206，0805，0603，0402，0201等。 MLCC 的常见失效模式多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素。内在因素主要有以下几种： 1.陶瓷介质内空洞(Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹(firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层(delamination)

陶瓷电容器的种类和应用特点

陶瓷电容器的种类和应用特点陶瓷材料具有优越的电学、力学、热学等性质，可用作电容器介质、电路基板及封装材料等。陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯体后，在接近熔融的温度下，经高温焙烧制得的材料。通常包括原料粉碎、浆料制备、坯件成型和高温烧结等重要过程。陶瓷是一个复杂的多晶多相系统，一般由结晶相、玻璃相、气相及相界交织而成，这些相的特征、组成、相对含量及其分布情况，决定着整个陶瓷的基本性质。陶瓷材料做成的陶瓷电容器也叫瓷介电容器或独石电容器，根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类，按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。陶瓷电容器的种类有哪些？ 1、半导体陶瓷电容器电容器的微小型化即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个，即使介质材料的介电常数尽可能提高和使介质层的厚度尽可能减薄。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。表面层陶瓷电容器是用BaTiO3等半导体陶瓷的表面上形成的很薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可视为电介质的串联回路。表面层陶瓷电容器的绝缘性表面层厚度，视形成方式和条件不同，波动于0.01～100μm之间。这样既利用了铁电陶瓷的很高的介电常数，又有效地减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器一个行之有效的方案。 2、晶界层陶瓷电容器晶粒发育比较充分的BaTiO3半导体陶瓷的表面上，涂覆适当的金属氧化物（例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），在适当温度下，于氧化条件下进行热处理，涂覆的氧