电容ESR的理解
電容ESR的理解/轉貼
主板上的每個電容，設計時一般是按最大負載時的工作情況來設計的，因此，在大多數情況下，只要更換和原電容參數值相等的電容即可，當然，如果追求超頻性或穩定性，可以適當提高一些。
但有個誤區：原參數值指的主要是什麼？大多數人可能以為是電容的容量，其實錯了。在高頻開關電源中，決定電容取值的主要參數是耐壓及ESR（等效串聯電阻），而不是容量。電容的容量，只在信號發生、高通、低通、帶通等幾類電路中有意義，而在濾波方面並沒起多大作用。
電源的穩定性，主要體現在紋波電壓的大小，一般情況，CPU的供電要求在輸出最大負載電流時紋波電壓低於100mV，最大負載電流可以這樣計算
假如某CPU的最大功耗為90W，核心電壓為1.5V，那麼最大負載電流為：90W/1.5V=60A 設定最大紋波電壓為100mV,則要求電容的ESR值:
ESR ＜100mV/60A=1.66mΩ
這樣的話，如果我們選用NCC的KZG系列1500uF/6.3V的電容來作濾波，查PDF文檔得知,該電容的ESR值＝26 mΩ,這樣就至少需要16只電容(26 mΩ/16=1.625 mΩ)才能勝任濾波的工作；
如果改為KZG系列3300uF/6.3V的，其ESR值=12 mΩ，那麼只需要8只電容即可(12 mΩ/8=1.5 mΩ)；
如果選用NCC的PS系列固體電容會怎麼樣呢？2.5V/1500uF的，查PDF文檔得知，其ESR 值為8mΩ,4V/820uF的ESR同樣為8 mΩ，因為CPU的核心電壓僅為1.5V，所以這兩款電容均能勝任，經計算，只需5只固體電容即可勝任此工作。(8 mΩ/5=1.6 mΩ)。
現在知道，為什麼老式的主板採用上千uF的鋁電解，而新式的主板只採用幾百uF的固體電容了吧,也知道，為什麼有時換了比原容量大幾倍的，仍然不能保證系統穩定的真正原因了吧.
IBM-R51筆電
6TPE330ML 330UF 6.3V ESR25mΩ
4TPE220MF 220UF 4V ESR15mΩ
阻抗越低代表等級越高! ( 越下排代表阻抗越低等級越高! )
Nichicon NCC Rubycon SANYO 備註
VZ KMG YXA MV-CZ 105度一般品
PW LXZ ____ MV-CX 小型化,低阻抗品
HE KY YXG ____ K6,K6-2,P2,P3 時代等級
HD KZE ZL MV-WX K7,P3 時代等級
HV KZH ZLH ____ 超長壽命,小型化低阻抗品
HM KZG MBZ MV-WG K7,K8,P4,P4+ 時代高階等級HN KZJ MCZ ____ 極低阻抗品
HZ ____ ____ ____ 電解電容最低阻抗品
电容器的等效电阻(ESR)
电容器的等效电阻(ESR) Series Resistance的缩写，即“等效串联电阻”。理想的电容自身不会有任何能量损失，但实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”。和ESR 类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。早期的卷制电感经常有很高的ESL，容量越大的电容，ESL一般也越大。ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL会引起串联谐振等现象。但是相对电容量来说，ESL的比例很小，出现问题的几率很小，后来由于电容制作工艺的提高，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量、耐压值、耐温值之外选用电容器的主要参考因素了。串联等效电阻ESR的单位是毫欧（mΩ）。通常钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的ESR甚至会高达数欧姆。ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度都有关系，当额定电压固定时，容量愈大 ESR愈低。同样当容量固定时，选用高的额定电压的品种也能降低 ESR；故选用耐压高的电容确实有许多好处；低频时ESR高，高频时ESR 低；高温也会造成ESR的升高。现在电子技术正朝着低电压高电流电路的设计方向发展，供应给元器件的电压呈现越来越低的趋势，但对功率的要求却丝毫没有降低。按P=UI的公式来计算，要
获得同样的功率，电压降低了，那就必须得增大电流。例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，和以前 3、4V的电压相比低得多。但另一方面这些芯片由于晶体管和频率的激增，需求的功耗却是增大了许多，对电流的要求就越来越高了。例如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3、3V，后者电压是1、8V。那么，前者的电流I=P/U=70W/3、3V= 21、2A；而后者的电流I=P/U=70W/1、8V= 38、9A，将近是前者电流的两倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生更高的纹波电压（理想的输出直流电压应该是一条水平线，而纹波电压则是水平线上的波峰和波谷）,因此就促使工程师在设计时，要使用最小的ESR电容器。ESR值与纹波电压的关系可以用公式V=R（ESR）I表示。这个公式中的V就表示纹波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，纹波电压也会成倍提高，因此采用更低ESR值的电容是势在必行的。此外，即使是相同的纹波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3、3V的CPU而言，0、2V纹波电压所占比例较小，不足以形成很大的影响，但是对于1、8V的CPU，同样是0、2V的纹波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。例如《电子报》xx年第26期17版的《由NCP1200构成的12V、1A开关电
(完整word版)电容器ESR频率特性
【导读】本文为解说电容器基础的技术专栏。通过电容器的阻抗大小|Z|和等价串联电阻(ESR)的频率特性进行阐述。了解电容器的频率特性，可对诸如电源线消除噪音能力和抑制电压波动能力进行判断，可以说是设计回路时不可或缺的重要参数。 对频率特性中的阻抗大小|Z|和ESR进行说明 1.电容器的频率特性如假设角频率为ω，电容器的静电容量为C，则理想状态下电容器(图1)的阻抗Z可用公式(1)表示。 图1.理想电容器 Xc = 1/（ω×C）= 1/（2×π×f×C）； Xc--------电容容抗值；欧姆 ω---------角频率 π---------3.1415926； f---------频率， C---------电容值法拉 由公式(1)可看出，阻抗大小|Z|如图2所示，与频率呈反比趋势減少。由于理想电容器中无损耗，故等价串联电阻(ESR)为零。 图2.理想电容器的频率特性 但实际电容器(图3)中除有容量成分Ｃ外，还有因电介质或电极损耗产生的电阻（ESR）及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。因此，|Z|的频率特性如图4所示呈V字型（部分电容器可能会变为U字型）曲线，ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。
图3.实际电容器 |Z|和ESR变为图4曲线的原因如下：低频率范围：低频率范围的|Z|与理想电容器相同，都与频率呈反比趋势减少。ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。共振点附近：频率升高，则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响，偏离理想电容器（红色虚线），显示最小值。|Z|为最小值时的频率称为自振频率，此时|Z|=ESR。若大于自振频率，则元件特性由电容器转变为电感，|Z|转而增加。低于自振频率的范围称作容性领域，反之则称作感性领域。 图4.实际电容器的|Z|/ESR频率特性(例) ESR除了受介电损耗的影响，还受电极自身抵抗行程的损耗影响。高频范围：共振点以上的高频率范围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。高频范围的|Z|可由公式(2)近似得出，与频率成正比趋势增加。ESR逐渐表现出电极趋肤效应及接近效应的影响。 以上为实际电容器的频率特性。重要的是，频率越高，就越不能忽视寄生成分ESR或ESL 的影响。随着电容器在高频领域的应用越来越多，ESR和ESL与静电容量值一样，成为表示电容器性能的重要参数。 各种电容器的频率特性 以上就电容器寄生成分ESR、ESL对频率特性的巨大影响进行了说明。电容器种类不同，则寄生成分也会有所不同。接下来对不同种类电容器频率特性的区别进行说明。
ESR、滤波-去耦-旁路电容
ESR、滤波-去耦-旁路电容、上-下拉电阻、ESL、肖特基二极管ESR是“等效串连电阻”。理论上，电容自身不会产生任何能量损失，但实 际上因制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串连在一起，所以就起了个名字叫做“等效串连电阻”。我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源都使用低ESR的电容器。在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。所以在多数场合，低ESR 的电容，往往比高ESR的有更好的表现。比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。这时候，太低的ESR反而会降低整体性能。ESR是等效“串连”电阻，意味着将两个电容串连，会增大这个数值，而并联则会减少之。实际上，需要更低ESR的场合更多，而低ESR的大容量电容价格相对昂贵，所以很多开关电源采取的并联的策略，用多个ESR相对高的铝电解并联，形成一个低ESR的大容量电容。牺牲一定的PCB 空间，换来器件成本的减少，很多时候都是划算的。 和ESR类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。早期的卷制电容经常有很高的ESL，而且容量越大的电容，ESL一般也越大。ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL也会引发一些电路故障，比如串连谐振等。但是相对容量来说，ESL的比例太小，出现问题的几率很小，再加上电容制作工艺的进步，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量之外的主要参考因素了。由ESR 引发的电路故障通常很难检测，而且ESR的影响也很容易在设计过程中被忽视。简单的做法是，在仿真的时候，如果无法选择电容的具体参数，可以尝试在电容上人为串连一个小电阻来模拟ESR的影响，通常的，钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的ESR甚至会高达数欧姆。ESR值与纹波电压的关系可以用公式V=R（ESR）×I表示。这个公式中的V就表示纹波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，纹波电压也会成倍提高。 滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。从微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一。（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就
电容的ESR
ESR是equivalent series resistance的缩写，意为等效串联电阻。 在实际电路中，对电容ESR的重视主要是针对电解电容，这是因为它对电路能否正常工作影响较大。 1、什么是ESR？ 任何一个电容都会存在ESR，在电容电极之间始终都存在着一个电气性的电阻，如金属引脚电阻、电极极板电阻、以及它们之间的连接电阻等等。 铝电解电容还包括存在于湿的电解质溶液的电阻、以及含有高电平“水”的铝氧化物（水合氧化铝）中的电阻等。 下图表示了电解电容ESR的形成因素。
通常，为了便于分析电容的ESR，多用下图的简化方式来表示： 2、导致ESR变化的因素？ 首先，管脚引脚和电容电极极板金属的电阻可以忽略，因为它们都非常小。 造成高ESR的两个常见因素是： 1）不良的电气连接； 2）电解溶液的干枯。 对于1），新、旧电解电容都有可能出现；对于2）多数都是发生在旧电解电容上。 不良的电气连接问题主要是由于连接于电容内部的管脚引线不是铝金属材料，而且一直以来铝是不可焊的材料。 对于铝质的电极极板材料和铜质的管脚材料来说，其电气连接主要采用所谓的“焊接”和机械压接方式。但是这两种方式都会产生较高的ESR。 随着电解液水分的挥发，ESR也随之增大。 3、ESR与电解电容的漏电相关？ 漏电是电容电极极板之间的并联电阻。而ESR仅仅是串联电阻，所以两者是完全不同的，即ESR是与漏电无关的。 相反，当ESR足够大时还可以减少漏电电流。 4、为何ESR对电路所形成的故障比其它的因素大？ 通常，两种类型的电路中因ESR所造成的故障会比其它的因素大。 一是高频电路，二是高电流电路。 ●ESR与频率之间的关系：
电容的ESR效应
ESR，是Equivalent Series Resistance三个单词的缩写，翻译过来就是“等效串联电阻”。 理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就起了个名字叫做“等效串联电阻”。 ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。 比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源啦一类的，都使用低ESR的电容器。 同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。 所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。 不过事情也有例外，有些时候，这个ESR也被用来做一些有用的事情。 比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。这时候，太低的ESR反而会降低整体性能。 ESR是等效“串联”电阻，意味着，将两个电容串联，会增大这个数值，而并联则会减少之。 实际上，需要更低ESR的场合更多，而低ESR的大容量电容价格相对昂贵，所以很多开关电源采取的并联的策略，用多个ESR相对高的铝电解并联，形成一个低ESR的大容量电容。牺牲一定的PCB空间，换来器件成本的减少，很多时候都是划算的。 和ESR类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。早期的卷制电容经常有很高的ESL，而且容量越大的电容，ESL一般也越大。ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL也会引发一些电路故障，比如串联谐振等。但是相对容量来说，E SL的比例太小，出现问题的几率很小，再加上电容制作工艺的进步，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量之外的主要参考因素了。 顺便，电容也存在一个和电感类似的品质系数Q，这个系数反比于ESR，并且和频率相关，也比较少使用。 由ESR引发的电路故障通常很难检测，而且ESR的影响也很容易在设计过程中被忽视。简单的做法是，在仿真的时候，如果无法选择电容的具体参数，可以尝试在电容上人为串联一个小电阻来模拟ESR的影响，通常的，钽电容的ESR通常都在1 00毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的ESR甚至会高达数欧姆。
ESR、滤波-去耦-旁路电容、ESL
耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。 旁路电容和去耦电容的区别 去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。 旁路：从组件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。 在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 电解电容的作用是过滤掉电流中的低频信号，但即使是低频信号，其频率也分为了好几个数量级。因此为了适合在不同频率下使用，电解电容也分为高频电容和低频电容（这里的高频是相对而言）。低频滤波电容主要用于市电滤波或变压器整流后的滤波，其工作频率与市电一致为50Hz；而高频滤波电容主要工作在开关电源整流后的滤波，其工作频率为几千Hz到几万Hz。当我们将低频滤波电容用于高频电路时，由于低频滤波电容高频特性不好，它在高频充放电时内阻较大，等效电感较高。因此在使用中会因电解液的频繁极化而产生较大的热量。而较高的温度将使电容内部的电解液气化，电容内压力升高，最终导致电容的鼓包和爆裂。
电容的等效电路和ESR
电容的等效电路和ESR 州格林维尔，资深大律师，2011年06月15日（美国商业资讯） - 先进的被动元件和互连解决方案的领先制造商，TDK电感AVX公司，雷声综合防御系统最近收到5星级的优秀供应商奖。AVX公司收到该奖项于2011年4月13日，在美国马萨诸塞州安杜佛，温德姆酒店举行一个表彰仪式。雷神公司承认其供应商基于三个重要因素：按时交货措施的持续性能，质量和承诺，持续不断的过程和质量的提高。 “雷声综合防御系统接收的5星级供应商卓越奖演示了AVX公司的奉献精神，以生产为我们的客户高品质的产品，我们一贯的投资在新的，创新的产品和技术的发展，和我们自豪传递世界上最广泛的范围先进的被动元件和互连解决方案，使当今最具挑战性的的应用，说：“皮特Venuto，在AVX公司的销售副总裁。 AVX公司的核心价值观是驱动的被动和互连产品，使下一代技术，如先进的医疗电子设备，军事/航空航天系统，可持续能源，混合动力汽车和先进的通信为迅速扩大的移动市场的发展。 最好的例子广大AVX公司包括TurboCap生产高品质的产品（R）的开关电源电容器，OxiCap （R）的氧化铌电容，BestCap （R）的电子双层电容，焊盘网格阵列（LGA）的陶瓷电容，湿钽电解，模块化LED照明连接器，分皮法的压敏电阻，以及新的快速连接的绝缘位移连接器（IDC）。 电解电容器在不同的工作条件下可以用不同的等效电路表示，比较能反映电解电容器特性的等效电路。 因此，电解电容器的反向电压超过1. 5V将引起大漏电流，很像二极管正向导电。在这种情况下电解效应会产生氢气，使内部压力增大而涨破压力释放装置，与此同时，反向电压还将破坏氧化铝介质膜，T491A686K004AT使电解电容器的耐压急剧下降直至失效。这就是电解电容器不能反极性应用的原因。 阴极箔的原始氧化膜的厚度很薄，基本上没有什么耐压，而且在负极性电压作用下残存无几，因此，阴极箔原始氧化膜电容量C2可以视为短路。 一般应用的等效电路多采用简化等效电路， R1、R2合并，C1、C2合并，忽略Ra（漏电流很小）和D（正常应用不施加反向电压），得到常用的等效电路。RESR和L都不是电容
HP4278A型1kHz 1MHz电容表 检定规程
SJ 20243 93 HP4278A型1kHz 1MHz电容表检定规程 中华人民共和国电子行业军用标准 HP4278A型1kHz/1MHz电容表检定规程 Verification regulation of model HP4278A 1kHz/1MHz capacitance meter 1范围 1.1主题内容 本检定规程规定了HP4278A型1kHz/1MHz电容表(以下简称HP4278A)的检定条件、检定项目、检定方法，检定结果处理及检定周期。 1.2适用范围 本检定规程适用于HP4278A的检定。 2引用文件 本章无条文。 3定义 本章无条文。 4一般要求 HP4278A可用于电容器的容量及损耗等参数的测量。 该仪器主要由信号源、电压矢量比检测器、微处理器、显示器等组成，其测试原理如图1所示。 图1 图中：RS是一组标准电阻;A是由相检器、放大器、加法器等组成的高频高增益反馈放大器;控制器提供测量过程中所需的各种时序控制信号及软件补偿。 4.2技术要求 4.2.1测试频率 1kHz、1MHz 准确度:士0.02% 4.2.2信号电平 0.1～1.0Vrms 准确度:士1O%
4.2.3测试参数 并联等效电路测试参数:CP—D，CP—Q，CP—G； 串联等效电路测试参数：CS一D，CS—Q，CS—ESR； 1kHz测试参数准确度：见表1所示； 1MHz测试参数准确度：见表2及表3所示。 表格中三个准确度依次是测量时间短方式、中方式、长方式的测量准确度。表1 1kHz测试参数准确度 C 量程CP CS D 1O Op F 1n F 1O nF 1 F 10 F (0.13+0.03/ko)%+( 0.05+0.25/ ko)% (0.08+0.02/ko)%+( 0.03+0.02/ ko)% (0.04+0.01/ko)%+( 0.015+0.01/ ko)% (0.13+0.03/ko)%+(0.001+0.005/ ko)/a (0.08+0.02/ko)%+(0.0006+0.0004/ ko)/a (0.04+0.01/ko)%+(0.0003+0.0002/ ko)/a 10 0 F (0.13+0.03/ko)%+( 0.05+0.25/ko)·a2 % (0.13+0.03/ko)%+( 0.05+0.25/ko)·a2 % (0.13+0.03/ko)%+( 0.05+0.25/ko)·a2 % (0.13+0.03/ko)%+(0.05+0.25/ko)·a (0.13+0.03/ko)%+(0.05+0.25/ko)·a (0.13+0.03/ko)%+(0.05+0.25/ko)·a 表中:a=Crdg／Cf； Crdg:C(F)读数值； Cf:C(F)量程的满度值；
电容ESR表
电容ESR表 电容ESR表的特点、测量原理、电路分析 作者薛国雄来源《无线电》杂志浏览3449发布时间2011-01-11 这个专题起源于笔者偶然得到的信息。在完成所译《音频功率放大器设计手册》一书的勘误工作后，笔者因需在网上查阅美国Tektronix公司的示波器资料，看到外国论坛有位网友在介绍维修经验时，大力推荐电容ESR表，称其为电子爱好者的强力工具，对检测电器帮助极大，故而引发了笔者的兴趣。经过一段时间的揣摩、研究、设计、制作及试用，结合本人以往的经验，确认此君所言非虚。这种电容ESR表确实是检修电子设备、排除电路故障的强力工具和十分有用的好帮手。独乐乐不如众乐乐，根据本人掌握的知识和实际设计制作，在此对电容ESR 表作全面介绍，以期能给广大电子爱好者提供有益的帮助，推动这一新型工具的普及应用。 1 电容ESR表的特点 可能不少人都没听说过这种表。笔者以前也仅知道，专业仪器的LCR电桥可以测量电容的ESR。何为ESR？测量电容的ESR有什么用？相信很多读者心中会有这样的疑问。为此，先进行简单的背景知识介绍。 一、背景知识介绍 1.电容的ESR ESR是英语Equivalent Series Resistance的缩写，意为等效串联电阻。自身不会产生任何能量损耗的完美电容只存在于理论，实际的电容总是存在着一些缺陷。这个损耗，在外部的表现就像一个电阻跟电容串联在一起。另一方面，由于引线、卷绕等物理结构因素，电容内部还存在着电感成分。因此，实际电容的等效模型可以表示为图1所示的模式。其中电容C为理想电容，R为等效串联电阻，即ESR，L为等效串联电感，即ESL。引入ESR和ESL，使得模型更接近于电容在电路中的实际表现。 图1 实际电容的等效模型
电容器的等效电阻(ESR)
电容的ESR参数对电路的影响 电容器的ESR（等效串联电阻）参数 电容器的主要技术指标有电容量、耐压值、耐温值。除了这三个主要指标外，其他指标中较重要的就是等效串联电阻（ESR）了。有的电容器上有一条金色的带状线，上面印有一个大大的空心字母“I”，它表示该电容属于LOW ESR低损耗电容。有的电容还会标出ESR值（等效串联电阻），ESR越低，损耗越小，输出电流就越大，电容器的品质越高。 ESR是Equivalent Series Resistance的缩写，即“等效串联电阻”。理想的电容自身不会有任何能量损失，但实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”。和ESR类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。早期的卷制电感经常有很高的ESL，容量越大的电容，ESL一般也越大。ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL会引起串联谐振等现象。但是相对电容量来说，ESL的比例很小，出现问题的几率很小，后来由于电容制作工艺的提高，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量、耐压值、耐温值之外选用电容器的主要参考因素了。 串联等效电阻ESR的单位是毫欧（mΩ）。通常钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的 ESR甚至会高达数欧姆。ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度都有关系，当额定电压固定时，容量愈大 ESR愈低。同样当容量固定时，选用高的额定电压的品种也能降低 ESR；故选用耐压高的电容确实有许多好处；低频时ESR高，高频时ESR 低；高温也会造成ESR的升高。 现在电子技术正朝着低电压高电流电路的设计方向发展，供应给元器件的电压呈现越来越低的趋势，但对功率的要求却丝毫没有降低。按P=UI的公式来计算，要获得同样的功率，电压降低了，那就必须得增大电流。例如INTEL、AMD 的最新款CPU，电压均小于2V，和以前3、 4V的电压相比低得多。但另一方面这些芯片由于晶体管和频率的激增，需求的功耗却是增大了许多，对电流的要求就越来越高了。例如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1. 8V。那么，前者的电流I=P/U=70W/3.3V=21.2A；而后者的电流I=P/U=70W/1.8V =38.9A，将近是前者电流的两倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生更高的纹波电压（理想的输出直流电压应该是一条水平线，而纹波电压则是水平线上的波峰和波谷）,因此就促使工程师在设计时，要使用最小的ESR电容器。
电解电容器ESR数据
电解电容器ESR数据 多数铝电解电容器生产厂商不给出ESR数据的主要原因是：相对于其他介质的电容器，铝电解电容器的ESR显得太大。钽电容例如，1μF/16V的普通铝电解电容器，其ESR -般在20Ω左右；lOOμF的铝电解电容器，其ESR也是在1.5～2Ω之间。试想，这样的数据写在数据手册里肯定会影响应用者使用铝电解电容器的信心。因此，在某种以上说，应用铝电解电容器是一种无奈的选择。 对于一般应用的铝电解电容器，多数铝电解电容器生产厂商不给出ESR数据，对于开关电源用的低ESR铝电解电容器或电容量比较大的插脚式铝电解电容器则给出这个数据。电解电容器（包括铝电解电容T491V107K006AT器和贴片钽电容，钽电容以AVX 钽电容为代表）的等效串联电阻( ESR)如图5.6所示。其中，电解液的电阻是铝电解电容器等效串联电阻(ESR)的主要部分。低等效串联电阻的铝电解电容器实际上是采用了低电阻率电解液。 ESR的测量是在25℃环境下用有效值1V的最大交流信号电压和无正向偏置电压的120Hz 电源供电下，对铝电解电容器的等效串联电路的电阻测量。 低ESR铝电解电容器的ESR -般可以比普通铝电解电容器低一个数量级甚至更多。为了获得低ESR的铝电解电容器，应采用低电阻率电解液。如果还需要降低等效串联电感，则在铝电解电容器的绕制工艺和电极引出上应采用低寄生电感的措施。 在开关电源的应用中，时常会发现，采用普通的铝电解电容器时，对输出电压纹波和尖峰抑制效果很差，其主要原因就是常T491C107K006AT规的铝电解电容器的ESR“太大”。在高频应用时，对于交流电路就是电阻。因此，为获得比较好的高频滤波效果，应尽可能降低滤波电容器的ESR，即选用低ESR铝电解电容器。 电解电容器的等效电路
电容的ESR对开关电源的影响
电容的ESR对开关电源的影响 电容的ESR是指电容的等效串联电阻（或阻抗）。 理想的电容，是没有电阻的。但是实际上，任何电容都有电阻，这个电阻值和电容的材料、结构有关系。在开关电源技术之前，普遍采用线性电源（现在经常使用的LDO，就属于这种技术），电源电路都工作在低频直流状态，通过滤波整流电路把交流转换成直流。在低频直流电源中，电容的容量对滤波效果起决定作用，电容的串联阻抗作用可以忽略。但是低频电源效率低，体积大的缺点非常明显。后来发展了开关电源技术，大大地提高了电源的转换效率，也减小了电源的体积。开关电源的工作频率越高，电源的体积也可以越小。开关电源的工作频率从几十KHz到几MHz不等。在开关电源中，电容的ESR直接影响电容的效果，它比电容的容量还重要（事实上，我们所说的电容容量一般都是在120Hz 下测量的值，当工作频率提高时，电容容量会急剧降低，甚至根本不能启动电容的作用）。一般而言，我们应该选择ESR小的电容。 在不同的电容类别中，电解电容的ESR通常最大，钽电容次之，陶瓷电容最佳。 当然，即使是电解电容中，也分普通电解电容和低ESR的电解电容。 用在开关电源（包含DCDC电路）输出滤波的应该采用低ESR的电解电容。在维修中，如果用普通电解电容替换低ESR的电解电容，开关电源可能短时间能工作，但是寿命肯定不长。弄不好，电容很快因为损耗太大而爆裂甚至爆炸，所以更换电容应该小心。 同样容量同样耐压的电解电容，体积大的往往ESR小。 同样容量不同耐压的电解电容，耐压高度往往ESR小。 同样耐压同样容量的电容，105度比85度的ESR要小。当然，这也不是绝对的，对于同一厂家同一系列的电解电容，基本上成立。
电容的ESR、ESL
电容的ESL、ESR (2010-10-02 00:37:59) 转载▼ 分类：电子 标签： 杂谈 ESL：等效电感 ESR：等效电阻 低频时，一般只考虑ESR，需要降低ESR可以通过多个电容并联来到实现，这两个参数跟电容的封装也有一定得关系，一般情况下，贴片比直插的要小。 一般来说，低ESR的电容依此是：最小是陶瓷电容，再是钽电容，最差是电解电容。频率较高时尽量选用低价的陶瓷电容(0805 10uF/6.3V,0603 4.7uF/6.3V)，需要体积小大电容则可以用钽电容，只是价位较贵.(47uF/4V P型，相当于0805，约0.6元，47uF/6.3V A型，约0.3元）.用电解电容时一定要并一个陶瓷电容，因为电解电容高频响应不好且ESR值大。 我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0时刻开始上升。但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源，都使用低ESR的电容器。 同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。 不过事情也有例外，有些时候，这个ESR也被用来做一些有用的事情。 比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。这时候，太低的ESR反而会降低整体性能。 ESR是等效“串连”电阻，意味着，将两个电容串连，会增大这个数值，而并联则会减少之。实际上，需要更低ESR的场合更多，而低ESR的大容量电容价格相对昂贵，所以很多开关电源采取的并联的策略，用多个ESR相对高的铝电解并联，形成一个低ESR的大容量电容。牺牲一定的PCB空间，换来器件成本的减少，很多时候都是划算的。这就是为什么很多朋友看到一些实验板子的原理图，VCC和地之间并联很多个电容，却不知道为何。 ESL，也就是等效串联电感。早期的卷制电感经常有很高的ESL，而且容量越大的电容，ESL 一般也越大。ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL也会引发一些电路故障，比如串连谐振等。但是相对容量来说，ESL的比例太小，出现问题的几率很小，再加上电容制作工艺的进步，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量之外的主要参考因素了。 顺便，电容也存在一个和电感类似的品质系数Q，这个系数反比于ESR，并且和频率相关，也比较少使用。 由ESR引发的电路故障通常很难检测，而且ESR的影响也很容易在设计过程中被忽视。简单的做法是，在仿真的时候，如果无法选择电容的具体参数，可以尝试在电容上人为串连一个小电阻来模拟ESR的影响，通常的，钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的ESR甚至会高达数千欧姆。
电容ESR的理解
電容ESR的理解/轉貼 主板上的每個電容，設計時一般是按最大負載時的工作情況來設計的，因此，在大多數情況下，只要更換和原電容參數值相等的電容即可，當然，如果追求超頻性或穩定性，可以適當提高一些。 但有個誤區：原參數值指的主要是什麼？大多數人可能以為是電容的容量，其實錯了。在高頻開關電源中，決定電容取值的主要參數是耐壓及ESR（等效串聯電阻），而不是容量。電容的容量，只在信號發生、高通、低通、帶通等幾類電路中有意義，而在濾波方面並沒起多大作用。 電源的穩定性，主要體現在紋波電壓的大小，一般情況，CPU的供電要求在輸出最大負載電流時紋波電壓低於100mV，最大負載電流可以這樣計算 假如某CPU的最大功耗為90W，核心電壓為1.5V，那麼最大負載電流為：90W/1.5V=60A 設定最大紋波電壓為100mV,則要求電容的ESR值: ESR ＜100mV/60A=1.66mΩ 這樣的話，如果我們選用NCC的KZG系列1500uF/6.3V的電容來作濾波，查PDF文檔得知,該電容的ESR值＝26 mΩ,這樣就至少需要16只電容(26 mΩ/16=1.625 mΩ)才能勝任濾波的工作； 如果改為KZG系列3300uF/6.3V的，其ESR值=12 mΩ，那麼只需要8只電容即可(12 mΩ/8=1.5 mΩ)； 如果選用NCC的PS系列固體電容會怎麼樣呢？2.5V/1500uF的，查PDF文檔得知，其ESR 值為8mΩ,4V/820uF的ESR同樣為8 mΩ，因為CPU的核心電壓僅為1.5V，所以這兩款電容均能勝任，經計算，只需5只固體電容即可勝任此工作。(8 mΩ/5=1.6 mΩ)。 現在知道，為什麼老式的主板採用上千uF的鋁電解，而新式的主板只採用幾百uF的固體電容了吧,也知道，為什麼有時換了比原容量大幾倍的，仍然不能保證系統穩定的真正原因了吧. IBM-R51筆電 6TPE330ML 330UF 6.3V ESR25mΩ 4TPE220MF 220UF 4V ESR15mΩ 阻抗越低代表等級越高! ( 越下排代表阻抗越低等級越高! ) Nichicon NCC Rubycon SANYO 備註 VZ KMG YXA MV-CZ 105度一般品 PW LXZ ____ MV-CX 小型化,低阻抗品 HE KY YXG ____ K6,K6-2,P2,P3 時代等級 HD KZE ZL MV-WX K7,P3 時代等級 HV KZH ZLH ____ 超長壽命,小型化低阻抗品
钽电容的等效串联电阻ESR
AVX钽电容的等效串联电阻ESR。 阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。https://www.wendangku.net/doc/9b6114619.html,为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR。 ESR的频率依赖性和可利用的关系;ESR=谭δ2πfC其中F 是赫兹的频率，C是电容法拉。ESR是在25 ° C和100kHz的测量。ESR是阻抗的因素之一，在高频率（100kHz和以上）就变成了主导因素。从而ESR和阻抗几乎成了相同，阻抗仅小幅走高。 AVX钽电容的阻抗和ESR的频率依赖性。 ESR和阻抗都随频率的增加。在较低频率值作为额外的贡献分歧阻抗（由于电容器的电抗）变得更加重要。除了1MHz的（和超越电容的谐振点）阻抗再次增加由于电感，电容的。典型ESR和阻抗值是类似的钽，铌氧化物材料，从而在相同的图表都有效钽电容和OxiCap?电容器。 AVX代理谈钽电容的阻抗与温度的关系 和ESR。在100kHz，阻抗和ESR的行为相同，随着温度的升高下降的典型曲线 AVX钽电容的阻抗(Z)。 这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z。阻抗是在25° C和100kHz。 钽电容的浪涌电压 是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33Ohms（CECC国家1KΩ）能承受的最高电压。浪涌电压，常温下一个小时时间内可达到高达10倍额度电压并高达30秒的时间。浪涌电压只作为参考参数，不能用作电路设计的依据，在正常运行过程中，电容应定期充电和放电。 不同温度下浪涌电压的值是不一样的，在85度及以下温度时，分类电压VC等于额定电压VR，浪涌电压VS等于额度电压VR的1.3倍；在85到125度时，分类电压VC等于额定电压VR的0.66倍，浪涌电压VS等于分类电压VC的1.3倍。 AVX钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于所有电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。例如一个6伏的钽电容在额定电压运行时，https://www.wendangku.net/doc/9b6114619.html, 有一个167千伏/毫米电压的电场。因此一定要确保整个电容器终端的电压的决不会超过规定的浪涌电压评级。作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。然而，这种低阻是有限的。在低阻抗电路的情况下，电容器可能被浪涌电流击穿。降压的电容，增加了元件的可靠性。AVX公司推荐降级表“（第119页）总结额定电压使用上常见的电压轨迹，低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻建议为1Ω/ V。如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数高达70％。在这种情况下，可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。 A系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器：例如，两个22μF25V系列部分相当于一个11μF50V的一部分。 钽电容的反向电压
ESR-ESL-电容容量
ESR/ESL/电容容量 ESR 就是等效串联电阻。ESR 的出现导致电容的行为背离了原始的定义。ESR 是等效“串联”电阻，意味着，将两个电容串联，会增大这个数值，而并联 则会减少之。和ESR 类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。ESL (Equivalent Series Inductance )就是等效电感参数。和ESR(等效电阻)是电容的两个参数。一只电容器会因其构造而产生各种阻抗、感抗，比较重要的就是ESR 等效串联电阻及ESL 等效串联电感—这就是容抗的基础。电容器提供电容量， 要电阻干嘛?故ESR 及ESL 也要求低…低;但low ESR/low ESL 通常都是高级系列。早期的卷制电容经常有很高的ESL，而且容量越大的电容，ESL 一般也 越大。ESL 经常会成为ESR 的一部分，并且ESL 也会引发一些电路故障，比 如串联谐振等。但是相对容量来说，ESL 的比例太小，出现问题的几率很小， 再加上电容制作工艺的进步，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR 作为除容量之 外的主要参考因素了。 ESL 就是等效电感，ESR 就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还 是二极管，三极管，MOS 管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们 的等效电容值，电感值。 顺便，电容也存在一个和电感类似的品质系数Q，这个系数反比于 ESR，并且和频率相关，也比较少使用。 由ESR 引发的电路故障通常很难检测，而且ESR 的影响也很容易在设 计过程中被忽视。简单的做法是，在仿真的时候，如果无法选择电容的具体参数，可以尝试在电容上人为串联一个小电阻来模拟ESR 的影响，通常的，钽电 容的ESR 通常都在100 毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电 容的ESR 甚至会高达数欧姆。
射频电容ESR的选用及应用
射频电容ESR的选用及应用 陶瓷电容电容的等效串联电阻损耗 在选用射频射频片状陶瓷电容时，等效串联电阻（ESRESR）常常是最重要参数。ESR通常以毫欧姆为单位，是电容的介质损耗（Rsd）和金属损耗（Rsm）的综合（ESR＝Rsd+Rsm）。事实上所有射频线路都用到陶瓷电容，所以评估陶瓷电容损耗对线路性能的影响是十分重要的。低损耗射频电容的优点 在所有射频电路设计中，选用低损耗（超低ESR）片状电容都是一项重要考虑。以下是几种应用中低损耗电容的优点。在手持便携式发射设备的末级功率放大器内使用低损耗电容作场效应晶体管源极旁路和漏极耦合，可以延长电池寿命。ESR高的电容增加I2ESR损耗，浪费电池能量。使用低损耗电容产品使射频功率放大器更容易提高功率输出和和效率。例如，用低损耗射频片状电容作耦合，可以实现最大的放大器功率输出和效率。对于目前的射频半导体设备，例如便携手持设备的单片微波微波集成电路，尤其是如此。许多这种设备的输入阻抗极低，因此输入匹配电路中电容的ESR损耗在全部网络的阻抗中占了很大的百分比。如果设备输入阻抗是1欧姆而电容ESR是0.8欧姆，约40％的功率将由于ESR损耗而被电容消耗掉。这将减低效率和输出功率。高射频功率应用也需要低损耗电容，这方面的典型应用是要使一个高射频功率放大器和动态阻抗相匹配。例如半导体等离子炉需要高射频功率匹配，设计匹配网络时使用了电容。负载从接近零的低阻抗大幅度摆动到接近开路，导致匹配网络中产生大电流，使电容负荷剧增。这种情况使用超低损耗电容，例如ATC的100系列陶瓷电容，最为理想。发热控制，特别是在高射频功率情况下，和元件ESR直接有关。这种情况下的电容功率耗散可以经由I2ESR 损耗计算出来。低损耗电容产品在这些线路中能减少发热，使线路发热问题更容易控制。见下节“功率耗散”中的例子。 使用低损耗电容可增加小信号放大器的有效增益和效率。设计低噪声放大器（LNA）时使用低损耗陶瓷电容可以把热噪声（KTB）减到最小。使用超低损耗电容也可很容易地改善信噪比和总体噪声温度。设计滤波网络时使用低损耗陶瓷电容能把输入频带插入损耗（S21）减到最小，而且使滤波曲线更接近矩形，折返损耗性能更好。MRI成象线圈的陶瓷电容必须是超低损耗。这些电容和MRI线圈相接，线圈是调谐电路的一部分。因为MRI 扫描器要检测极弱的信号，线圈的损耗必须很低，一般在几个毫欧姆的量级。如果ESR损耗超过这个量级，而设计者没有采取措施降低损耗，成象分辨率就会降低。ATC100系列陶瓷电容组具有超低损耗，因而经常用于线圈电路。这些电容组在谐振电路中发挥功能，却不增加整个线路的损耗。 ESR引起的电容功率耗散 ESR乘以射频网络电流的平方就得到耗散在电容里的功率。所以耗散在电容里的功率可以表示为：Pd=ESRx(射频电流)2或Pd=ESR x I2一个有趣的现象是，低损耗电容用于高射频功率设备中时，设备功率可以是电容额定功率的几百倍。 下面是低ESR电容这样使用的一例。射频功率＝1000瓦电容是ATC100E102 （1000pF） 频率＝30MHzESR＝0.018 欧姆（18 毫欧姆）；设备线路阻抗＝50 欧姆。 注意，100E系列最大允许功率耗散是大约5瓦。 解：计算这一线路的射频电流，再以电流计算电容中的射频功率耗散。电流＝（功率/阻抗）1/2 (这是这一线路内的电流)（1000/50）1/2 =4.47 安培电容中实际耗散功率：P＝I2 x ESR (这 是电容将耗散的功率)P＝4.47 x 4.47 x 0.018 = 0.34 瓦。 这个结果意味着在一个1000瓦射频功率，50欧姆阻抗的设备中，只有0.34瓦是由于ESR而被电容消耗掉的。因此，电容由于ESR只消耗了它额定最大功率的6.8％。由于电容ESR损耗极低，电容温升可以忽略。
3种电容esr表的设计自作含esr电路图[精华]
3种电容esr表的设计自作含esr电路图[精华] 电容ESR表的设计制作 电容ESR表确实是检修电子设备、排除电路故障的强力工具和十分有用的好帮手。独乐乐不如众乐乐，根据本人掌握的知识和实际设计制作，在此对电容ESR表作全面介绍，以期能给广大电子爱好者提供有益的帮助，推动这一新型工具的普及应用。 1 电容ESR表的特点 可能不少人都没听说过这种表。笔者以前也仅知道，专业仪器的LCR电桥可以测量电容的ESR。何为ESR,测量电容的ESR有什么用,相信很多读者心中会有这样的疑问。为此，先进行简单的背景知识介绍。 一、背景知识介绍 1.电容的ESR ESR是英语Equivalent Series Resistance的缩写，意为等效串联电阻。自身不会产生任何能量损耗的完美电容只存在于理论，实际的电容总是存在着一些缺陷。这个损耗，在外部的表现就像一个电阻跟电容串联在一起。另一方面，由于引线、卷绕等物理结构因素，电容内部还存在着电感成分。因此，实际电容的等效模型可以表示为图1所示的模式。其中电容C为理想电容，R为等效串联电阻，即ESR，L为等效串联电感，即ESL。引入ESR和ESL，使得模型更接近于电容在电路中的实际表现。 图1 实际电容的等效模型
图2 实际电容与理想电容的差别。斜直线为理想电容的阻抗曲线，呈V字形的是实际电容的阻抗曲线。 图3 不同容量电容的阻抗特性曲线 ESR的存在，令电容的行为表现背离其原来的定义。比如说，理论上“电容两端的电压不能突变”，但实际上，ESR上会产生一定的压降，与突然施加的电流大小有关，令电容不再遵循理论规律。又如，电容会因ESR上的功耗而产生内部发热。笔者曾将两只早期生产的10μF/ 16V高ESR电解电容，正常地接到微型计算机开关电源的5V输出两端。由于此处高频脉动电压较大，电容内部损耗产生的热量加热内部气体，发出“吱吱”之声，竟在几秒内导致电容炸开，前后两次均是如此。