文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › Bdi2000仿真器中文手册

Bdi2000仿真器中文手册

Bdi2000仿真器中文手册
Bdi2000仿真器中文手册

bdi GDB

JTAG interface for GNU Debugger

中文手册

北京麦克泰软件技术有限公司

目录

1 BDI简介 (3)

1.1 bdiGDB调试环境 (3)

1.2 BDI支持的调试器与CPU (3)

1.3 bdiGDB具体支持的CPU (5)

2 Windows环境下使用BDI (6)

2.1 BDI与主机的连接 (6)

2.1.1 连接串口 (6)

2.1.2 更新固件 (6)

2.1.3 TFTP Server与Telnet (7)

2.2 BDI与目标板的连接 (8)

3 Linux/UNIX环境下使用BDI (9)

4 配置文件 (10)

4.1 [INIT] (10)

4.2 [TARGET] (10)

4.3 [HOST] (10)

4.4 [FLASH] (10)

4.5 [REGS] (11)

4.6 一个完整的例子 (11)

5 BDI2000命令 (14)

6 使用开源的GUN调试器Insight (16)

6.1 下载安装Insight (16)

6.2启动Cygwin (16)

6.3编译程序 (16)

6.4 连接BDI (17)

6.5启动Insight (17)

7 调试U-Boot (20)

7.1 U-Boot移植方法 (20)

7.2 使用BDI2000调试U-boot注意事项 (20)

7.3 BDI调试U-BOOT步骤 (21)

8 调试Linux内核 (22)

8.1 选择断点 (22)

8.2 调试内核步骤 (22)

9 连接BDI常出现的几个错误 (23)

9.1 JTAG 错误 (23)

9.1.1 waiting for VCC (23)

9.1.2 JTAG Exits Check Failed, JTAG Bypass Check Failed (23)

9.1.3 Target reset detected, restarting target (23)

9.2 FLASH (23)

9.2.1 Flash Programming Failed (23)

9.2.2程序不能烧入正确的地址 (24)

9.2.3 Can the BDI program NAND flash? (24)

9.3 其他 (24)

9.3.1 cannot connect to BDI loader (24)

9.3.2 cannot open file on host (24)

9.3.4 The BDI mode LED keeps blinking (25)

9.3.5 cannot load file to the memory (25)

10 附录 (26)

10.1附录一:BDI2000支持的FLASH (26)

1 BDI简介

BDI2000 是一款功能强大的JTAG/BDM 仿真器,可以在Windows/Linux平台下使用,它能准确的反映用户板子的硬件信息、烧写FLASH等。BDI支持很多调试器,其中bdiGDB采用标准的GDB远程协议,支持GNU debugger (GDB)。

1.1 bdiGDB调试环境

使用bdiGDB进行调试,BDI通过网线与主机相连,通过BDM/JTAG接口与目标板相连,如图1.1-1所示,BDI2000的BDM/JTAG电缆电压范围是1.8V-5.0V。

图1.1-1 bdiGDB与主机/目标板的连接

1.2 BDI支持的调试器与CPU

BDI仿真器目前有BDI1000与BDI2000两种,其中后者支持的CPU更多,下载/烧写代码的速度更快。目前BDI支持的调试器与CPU的情况见下图1.2-1。

北京麦克泰软件技术有限公司

4

图1.2-1 BDI 支持的调试器与CPU

1.3 bdiGDB具体支持的CPU

? CPU32/CPU32+

? ColdFire

? MPC5xx/8xx

? PPC6xx/7xx, MPC82xx, MPC83xx, MPC7400/7410, MGT5100, MPC5200 ? MPC744x, MPC745x

? MPC85xx

? PPC4xx, Xilinx Virtex-II Pro

? ARM7/9/9E:

ARM7TDMI, ARM710T, ARM720T, ARM740T

ARM9TDMI, ARM920T, ARM922T, ARM940T, TI925T

ARM9E, ARM926E, ARM946E, ARM966E

? ARM11:

ARM1136

? XScale:

IOP310, IOP321, IOP331, IOP332

PXA210, PXA250, PXA255, PXA270

IXP420, IXP421, IXP422, IXP425, IXP460, IXP465

IXP2325, IXP2350, IXP2400, IXP2800, IXP2850

? MIPS32:

4Kx, IDT RC323xx, IDT RC324xx, AU1xxx

? MIPS64:

5KC, Wintergra

? M-CORE

2 Windows环境下使用BDI

在使用BDI之前,最好先检查一下板子电源正常与否,JTAG接口是否与BDI手册上面的定义一样。

2.1 BDI与主机的连接

bdi通过串口(RS232)来更新固件(firmware),通过网络方式进行调试。

2.1.1 连接串口

串口仅仅是在初始化(来更新固件)BDI才会用到,BDI支持4个串口:COM1-COM4。如果没有串口或者被占用(开着超级终端等)可以用USB转串口。连接电路以及信号定义如下图所示:

图2.1-1

2.1.2 更新固件

并非每次使用都要更新固件(firmware),只有在初次使用或者更换平台时才需要更新。打开B20XXXGD.EXE,选择setup-BDI2000,出现如下画面:

选好串口与波特率后点Connect,而后点Update,等一会完成更新,接着设置BDI的IP以及子网掩码,以及主机IP,最后一栏添写配置文件的名字(关于配置文件后面有详细介绍)。

注:B20XXXGD.EXE,其中B20指BDI2000;XXX是CPU类型,如ARM,xscale(XSC);GD

指GDB固件。

图2.1-2 固件更新与设置

注意:在更新固件时先断开BDI与目标板的连接。

2.1.3 TFTP Server与Telnet

BDI通过以太网与主机进行通讯,主机需要先运行TFTP Server,而后再Telent到BDI。BDI 压缩包里面有一个Windows版本的TFTP Server:tftpsrv.exe,双击运行即可。更新完固件后,接好目标板,加电,然后从主机PC的开始-运行里面输入telnet:

注:必须先开TFTP Server再Telnet到BDI.。

2.2 BDI与目标板的连接

BDI与目标板之间通过BDM/JTAG电缆进行通讯,不同的平台JTAG不同,常见的定义如下表所示:

注:Vcc Target(1.8v-5.0v)

3 Linux/UNIX环境下使用BDI

与Windows平台一样,Linux环境下使用BDI之前,先检查一下板子电源正常与否,JTAG接口是否与BDI手册上面的定义一样,在更新固件(firmware)之时断开JTAG连接。另外,在Linux 下需要预先安装TFTP Server压缩包,然后开启TFTP Server。

在RedHat 8/9 下到etc/xinetd.d/tftp,设置disable = no

service tftp

{

disable = no

socket_type = dgram

protocol = udp

wait = yes

user = root

server = /usr/sbin/in.tftpd

server_args = -s /tftpboot

per_source = 11

cps = 1002

flags = IPv4

}

1)BDI安装包里面有个压缩文件bdisetup.zip,解压之。

2)编译:

[local@linux bdisetup]make

cc -O2 -c -o bdisetup.o bdisetup.c

cc -O2 -c -o bdicnf.o bdicnf.c

cc -O2 -c -o bdidll.o bdidll.c

cc -s bdisetup.o bdicnf.o bdidll.o -o bdisetup

3)更新固件:

#./bdisetup -u –b57 -p/dev/ttyS0 –aGDB tARM

(-u:更新固件;–b57:波特率57600;-p/dev/ttyS0:串口1(缺省);tARM:ARM平台) 4)设置IP及其配置文件:

#./bdisetup -c -i192.9.200.151(此处是bdi ip)-h192.9.200.150(主机ip)-fxxx.cfg 5)完成退出:

#./bdisetup -v –s

6)拷贝配置文件到tftp根目录下:

#cp xxx.cfg /tftpboot

7)Telnet:

#telnet

4 配置文件

BDI2000使用最难的一部分就是创建正确的配置文件(*.cfg),通常cfg文件要初始化板子的RAM、FLASH、串口、网口等。

4.1 [INIT]

init顾名思义就是初始化,它是由各种命令组成,每次板子重启都要执行这些命令来初始化板子。这部分是cfg文件中最难的一部分,通常需要用户自己改动,但要正确的填写就需要对硬件非常了解。除非板子上面有正确的BOOT程序,那可以把[INIT]空着不写。不同的内核命令会有差异,一般来说它的命令格式是:命令 <地址> <数据>,例如

WM32 address value 就是把32位数据写入指定地址;

4.2 [TARGET]

这部分主要定义板子内核信息,主要的几项如下:

CPUTYPE:告诉BDI要通讯的内核。

STARTUP: 如果板子有boot loader,使用STARTUP STOP xxxx,就是让BOOT程序运行xxxx毫秒再接管CPU;如果没有boot loader,使用默认的设置STARTUP RESET。这里面还

有其他选项,例如vector catch, system delays,JTAGCLOCK等,具体看BDI手册。

4.3 [HOST]

这里要告诉BDI2000从哪里load 程序及其文件格式。

注意:文件名和路径里面不要带有空格。

IP: TFTP Server所在计算机的IP。

FILE: load到SDRAM的文件,注意完整的路径。

FORMAT: 可以Load到SDRAM的文件格式:BIN, ELF ,AOUT,SREC等。

START: 16进制地址,只有BIN格式文件(不带调试信息的文件格式)需要指定LOAD的SDRAM 地址。

PROMPT: BDI2000提示符,在telnet窗口下显示, 例如:"bdi>"。

4.4 [FLASH]

本节是设置板子上面的Flash,它并非是与BDI2000通讯所必须的部分,但是如果要进行Flash

操作,烧写Flash,那么必须正确设置才能够进行。

注意:没有[INIT]里面没有正确配置,或者板子上面没有正确的boot loader,那么FLASH烧写仍是无法进行。

CHIPTYPE: Flash类型,请参考BDI相关手册。.

CHIPSIZE:板子上面一片FLASH的大小。.

BUSWIDTH: Flash bus。

ERASE:擦除,要烧写Flash需要先擦除Flash。.

FILE:想要烧写到Flash.的文件。

FORMAT: 可以烧入Flash的文件格式:SREC,BIN, ELF, AOUT。

4.5 [REGS]

这里主要填写寄存器定义文件*.def,def文件需要在放在TFTP Server目录下。例如:[REGS]

FILE reg926e.def

4.6 一个完整的例子

;bdiGDB configuration for Samsung SMDK2400 evaluation board

;----------------------------------------------------------

[INIT]

WM32 0x15300000 0x00008000 ;WTCON: disable watch dog

;Setup memory controller based on 24XMON

;WM32 0x14000000 0x22111122 ;BWSCON: AMD x16 boot flash

WM32 0x14000000 0x22111114 ;BWSCON: Intel x32 boot flash

WM32 0x14000004 0x00000700 ;BANKCON0

WM32 0x14000008 0x00000700 ;BANKCON1

WM32 0x1400000C 0x00000700 ;BANKCON2

WM32 0x14000010 0x00000700 ;BANKCON3

WM32 0x14000014 0x00000700 ;BANKCON4

WM32 0x14000018 0x00000700 ;BANKCON5

WM32 0x1400001C 0x00018005 ;BANKCON6

WM32 0x14000020 0x00018005 ;BANKCON7

WM32 0x14000024 0x008e0459 ;REFRESH

WM32 0x14000028 0x00000010 ;BANKSIZE

WM32 0x1400002C 0x00000030 ;MRSRB6

WM32 0x14000030 0x00000030 ;MRSRB7

[TARGET]

CPUTYPE ARM920T

CLOCK 1 ;JTAG clock (0=Adaptive, 1=16MHz, 2=8MHz, 3=4MHz) ;STARTUP STOP 6000 ;let the monitor setup the memory controller.

ENDIAN LITTLE ;memory model (LITTLE | BIG)

;WORKSPACE 0x0c000020 ;workspace in target RAM for fast download

VECTOR CATCH 0x1f ;catch D_Abort, P_Abort, SWI, Undef and Reset BDIMODE AGENT ;the BDI working mode (LOADONLY | AGENT) BREAKMODE SOFT 0xDFFFDFFF ;SOFT or HARD, ARM / Thumb break code

;SIO 7 9600 ;TCP port for serial IO

;DCC 7 ;TCP port for DCC I/O

[HOST]

IP 151.120.25.119

FILE E:\cygwin\home\bdidemo\arm\vxworks

FORMAT COFF 0x0c000000

LOAD MANUAL ;load code MANUAL or AUTO after reset

[FLASH]

;======== AMD x 16 Boot Flash =======

WORKSPACE 0x0c000000 ;workspace in target RAM for fast programming algorithm CHIPTYPE AM29BX16 ;Flash type (AM29F | AM29BX8 | AM29BX16 | I28BX8 |

I28BX16)

CHIPSIZE 0x100000 ;The size of one flash chip in bytes

BUSWIDTH 16 ;The width of the flash memory bus in bits (8 | 16 | 32)

FILE E:\cygwin\home\bdidemo\arm\s2400mon.bin ;The file to program

FILE E:\cygwin\home\bdidemo\arm\vxWorks ;The file to program

FORMAT BIN 0x00010000

;ERASE 0x00000000 ;;erase sector 0 of flash in U11 (AM29LV800BB)

;ERASE 0x00004000 ;erase sector 1

;ERASE 0x00006000 ;erase sector 2

;ERASE 0x00008000 ;erase sector 3

ERASE 0x00010000 ;erase sector 4

ERASE 0x00020000 ;erase sector 5

ERASE 0x00030000 ;erase sector 6

ERASE 0x00040000 ;erase sector 7

ERASE 0x00050000 ;erase sector 8

ERASE 0x00060000 ;erase sector 9

ERASE 0x00070000 ;erase sector 10

ERASE 0x00080000 ;erase sector 11

ERASE 0x00090000 ;erase sector 12

ERASE 0x000A0000 ;erase sector 13

ERASE 0x000B0000 ;erase sector 14

ERASE 0x000C0000 ;erase sector 15

ERASE 0x000D0000 ;erase sector 16

ERASE 0x000E0000 ;erase sector 17

ERASE 0x000F0000 ;erase sector 18

;======== Intel x 32 Strata Flash =======

;WORKSPACE 0x0c000000 ;workspace in target RAM for fast programming algorithm ;CHIPTYPE STRATAX16 ;Flash type (AM29F | AM29BX8 | AM29BX16 | I28BX8 | I28BX16)

;CHIPSIZE 0x800000 ;The size of one flash chip in bytes

;BUSWIDTH 32 ;The width of the flash memory bus in bits (8 | 16 | 32)

;FILE E:\cygwin\home\bdidemo\arm\s24wince.bin ;The file to program

;FILE E:\cygwin\home\bdidemo\arm\vxWorks ;The file to program

;FORMAT BIN 0x00040000

;ERASE 0x00000000 ;erase block 0 of flash in U10/U12 (i28F640J3A)

;ERASE 0x00040000 ;erase block 1

;ERASE 0x00080000 ;erase block 2

;ERASE 0x000C0000 ;erase block 3

;ERASE 0x00100000 ;erase block 4

;ERASE 0x00140000 ;erase block 5

;ERASE 0x00180000 ;erase block 6

;ERASE 0x001C0000 ;erase block 7

[REGS]

FILE regS2400.def

5 BDI2000命令

使用BDI提供的命令可以检查memory状态、显示/修改寄存器(通用、特殊)数值,烧些FLASH 等等。下面列出常用的命令及其用法,如果要查看全部的命令在telnet下输入help即可。

MD [

] [] 显示存储器数据(32bit),常用命令,检查存储器。

例如显示0x10000000地址数据:md 0x10000000

MDH [

] [] 显示存储器数据(16bit)。

MDB [

] [] 显示存储器数据(8bit)。

DUMP [] 把某段存储器数据保存到某个文件,例如在FLASH操作中想保留

原来的数据,就可以利用此命令先把Flash里面的数据存保存起来。

例如把FLASH里面0x1000000开始的1M代码保存到boot.bin 文

件:DUMP 0x1000000 0x100000 boot.bin

注:使用DUMP命令需要TFTP Server有读写权限。在Dos下输入tftpsrv p w

MM [] 修改内存数据(32bit),一般用来检查RAM运行与否。

例如检查0x100000处RAM是否正常工作或者是不是FLASH:

mm 0x100000 0xaa

md 0x100000

如果数据修改成功,RAM正常工作;否则RAM初始化有问题或者是

FLASH地址(如果对memory地址不是很清楚的话)。

RD [] 显示通用寄存器或者用户定义的寄存器数值

RM {} 修改通用寄存器或者用户定义的寄存器数值

注:特殊功能寄存器的显示以及修改命令不同的内核会不一样,请在telnet下输入help查看。

BOOT 修改cfg文件后用boot命令重新引导。

RESET [HALT | RUN [time]] 重启

GO [] 指定PC地址,然后从那里运行程序。

TI [] 单步运行程序

HALT [[[[]]]] 进入调试模式。

BI [] 设置硬件断点。

CI [] 清除硬件断点。

BD [R|W] [] 设置数据断点(32bit access)",

CD [] 清除数据断点。

INFO 显示当前CPU状态以及当前PC和几个寄存器。

RAM操作命令:

LOAD [] [ []] load代码到RAM。

例,把load test(ELF格式):load D:\bdi\gdbarm21\test ELF FLASH操作命令:

ERASE [

[]] FLASH擦除,要烧些FLASH需要先用此命令来擦除。

: CHIP, BLOCK or SECTOR (default is sector)。

ERASE 擦除多块。

例如,擦除0x100000开始的8块1M大小的数据:erase 0x100000 0x100000 8

PROG [] [ []] 烧写FLASH。格式: SREC, BIN, AOUT, ELF or COFF",

例如,把test(bin格式)文件烧到0x100000处:prog 0x100000 test BIN

注:程序烧写完毕后可以用md来检查:md 0x100000

HOST 主机IP操作命令。

显示主机IP:host

制定主机IP为192.168.0.6:host 192.168.0.6

CONFIG 显示/更新BDI配置

CONFIG [ [ [ []]]] 修改配置文件

HELP 帮助,

QUIT 退出

6 使用开源的GUN调试器Insight

BDI自己不带调试器,虽然在Telnet下通过命令方式可以完成相关的调试工作,但那样略显麻烦一点。不过BDI可以与许多种调试器连接,其中Insight是一种开源的GNU调试软件,用户可以自己来编译以使其更加适合自己的开发平台。

必须声明的是,BDI自己不带调试器,所以我们可以协助用户拿BDI连接Insight或其他调试软件,但是如何使用调试软件并不在我们支持之列。

6.1 下载安装Insight

Insight可以从https://www.wendangku.net/doc/9b6638169.html,/full_gnu.htm下载。其中Windows系统要先下载安装CYGWIN? (2.0.0)(Windows下模拟linux环境)与gnutools-xxx-elf-x.xx(先装Cygwin)。

Linux环境下载相应的rpm安装包安装即可。

6.2启动Cygwin

图6.2-1 启动Cygwin

6.3编译程序

在Cygwin提示符下用cd 命令转到要编译的程序目录下(图2.2,此处以MPC8XX为例,注意区分大小写)然后输入命令:make(图2.3)。

图6.3-1在Cygwin提示符下用cd 命令

6.3-2在Cygwin下用make命令编译程序

6.4 连接BDI

连接好BDI与目标板,把上面编译的test(elf格式)文件拷贝到tftp Server目录下,然后在Telnet 下laod到RAM中。

6.5启动Insight

编译通过后,输入powerpc-elf-insight,弹出一对话框,选择Y。

图2.4 启动insight

从File->Open,选择test打开文件后,设置一个断点(如在第23行),调试器显示如下:

图2.5 insight环境下调试程序

按小人,将弹出Target selection窗口。Target: 选择Remote/TCP,Hostname: 192.9.200.145,Port: 2001,按OK,即可。

图2.5 Target selection

在调试器窗口按Continue,系统就停在23行上了,这时我们可以继续单步调试,看变量,看寄存器,看内存等。

按View->Memory,显示内存的内容。

按View->Registers,显示寄存器的内容。

按View->Local Variables,显示局部变量的内容。

按View->Stack,显示堆栈的内容。

图2.6 程序执行及观看相关变量按View->Watch Expressions,显示表达式的内容。

图2.7显示表达式的内容

霍尔电流传感器的应用场合

霍尔电流传感器的应用场合 1、继电保护与测量:在工业应用中,来自高压三相输电线路电流互感器的二次电流,如分别经三只霍尔电流传感器,按比例转换成毫伏电压输出,然后再经运算放大器放大及有源滤波,得到符合要求的电压信号,可送微机进行测量或处理。在这里使用霍尔电流传感器可以很方便地实现了无畸变、无延时的信号转换。 2、在直流自动控制调速系统中的应用:在直流自动控制调速系统中,用霍尔电流电压传感器可以直接代替电流互感器,不仅动态响应好,还可实现对转子电流的最佳控制以及对晶闸管进行过载保护。 3、在逆变器中的应用:在逆变器中,用霍尔电流传感器可进行接地故障检测、直接侧和交流侧的模拟量传感,以保证逆变器能安全工作。 4、在不间断电源中的应用:在该应用中,用霍尔电流传感器进行控制,保证逆变电源正常工作。使用霍尔电流传感器1发出信号并进行反馈,以控制晶闸管的触发角,霍尔电流传感器2发出的信号控制逆变器,霍尔电流传感器3控制浮充电源。由于其响应速度快,霍尔电流传感器特别适用于计算机中的不间断电源。 5、在电子点焊机中的应用:在电子点焊机电源中,霍尔电流传感器起测量和控制作用。它的快速响应能再现电流、电压波形,将它们反馈到可控整流器A、B,可控制其输出。用斩波器给直流迭加上一个交流,可更精确地控制电流。用霍尔电流传感器进行电流检测,既可测量电流的真正瞬时值,又不致引入损耗。 6、用于电车斩波器的控制:电车中的调速是由调整电压实现的。而将霍尔电流传感器和其它元件配合使用,并将传感器的所有信号输入控制系统,可确保电车正常工作。 7、在交流变频调速电机中的应用:用变频器来对交流电机实施调速,在世界各发达国家已普遍使用,且有取代直流调速的趋势。用变频器控制电机实现调速,可节省10%以上的电能。在变频器中,霍尔电流传感器的主要作用是保护昂贵的大功率晶体管。由于霍尔电流传感器的响应时间往往小于5μs,因此,出现过载短路时,在晶全管未达到极限温度之前即可切断电源,使晶体管得到可靠的保护。 8、用于电能管理:霍尔电流传感器,可安装到配电线路上进行负载管理。霍尔电流传感器的输出和计算机连接起来,对用电情况进行监控,若发现过载,便及时使受控的线路断开,保证用电设备的安全。用这种装置,也可进行负载分配及电网的遥控、遥测和巡检等。

第二章光电式传感器

第二章光电式传感器 一、学习本课程所需的预备知识。 物理、电工基础、电子测量技术、电子线路。 二、教学提要(重难点)、课程内容、教学要求、实验指导。 重点掌握光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管以及光电池的原理和应用。 光电式传感器的核心部件是光电器件,它是将光能转换为电能的一种传感器件。光电器件的理论基础是光电效应,即金属、半导体等材料在光照下释放出电子的现象。根据释放出的电子的分布的不同,光电效应可分为以下三种情况: 利用外光电效应工作的器件有光电管、光电倍增管等。 利用内光电效应(光电导效应)工作的器件有光敏电阻等。 利用光生伏特效应(阻挡层光电效应)工作的器件有光电晶体管、光电池等。 光纤传感器以及CCD可以作为了解内容。授课时可以拿鼠标作为一个光敏二极管、三极管的应用实例,有实验设备的应开设本实验。 三、教学建议。 由于光电元件在日常生活中用的较多,所以授课时可以拿身边的一些设备来讲解,比如照相机、摄像机、光控照明等。 四、典型例题 1、磁栅式传感器由哪几部分组成?简述工作原理? 答:磁栅式传感器由磁栅、磁头和检测电路组成。磁栅是检测位置的基准尺,尺身的磁性薄膜上预先录有相同间距的栅状磁信号,此偷渡去磁信号。当磁栅与磁头的相对位置发生变化时,磁头的输出发生相应变化,将位移量转换为电信号,然后通过检测电路转换成脉冲,并以数字形式显示出来。磁栅传感器有长磁栅式和圆磁栅式两种,分别用来测量线位移和角位移。 2、光电式传感器的原理是什么? 答:光电式传感器是以光电效应为基础,将光信号转换成电信号的传感器。 3、光码盘的工作原理是什么? 答:码盘式传感器是建立在编码器的基础上的,它能够将角度转换为数字编码,是一种数字式的传感器。码盘按结构可以分为接触式、光电式和电磁式三种,后两种为非接触式测量。光电式编码器由光源、光学系统、码盘、光电接收元件、处理电路等组成。由光源发出的光线经透镜变成一束平行光照射在码盘上,通过透光部分的光线经狭缝照射到光电元件上,光电元件的排列与码道一一对应,这样几个光电元件输出的电信号组合就反映了角度信息,经

光感式传感器原理及其应用完整版

光感式传感器原理及其 应用 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】

机电工程系 传感器与检测技术学习报告 专业班级:生产过程自动化14-2 姓名:张鹏宇 学号: 项目名称:光感式传感器的应用与发展 指导教师:刘辉 评定成绩: 2015年12月15日 摘要:光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测光量变化或 直接引起光量变化的非电量,也可用于检测能转换成光量变化的其他非电量。它首先 把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信 号。光电式传感器具有响应快、精度高、能实现非接触测量等优点,而且可测参数 多,传感器的结构简单,形式灵活多样,因此,光电式传感器在检测和控制领域应用 非常广泛。 关键词:光电式传感器;检测光量变化;电信号;检测与控制。 1 前言 传感器是将感受的物理量、化学量等信息,按一定规律转换成便于测量和传输的 信号的装置。电信号易于传输和处理,所以大多数的传感器是将物理量等信息转换成 电信号输出的。例如传声器就是一种传感器,它感受声音的强弱,并转换成相应的电 信号。又如电感式位移传感器能感受位移量的变化,并把它转换成相应的电信号。 光电测量时不与被测对象直接接触,光束的质量又近似为零,在测量中不存在摩 擦和对被测对象几乎不施加压力。因此在许多应用场合,光电式传感器比其他传感器 有明显的优越性。 2 光电式传感器工作原理 光电效应 光电效应是光照射到某些物质上,使该物质的导电特性发生变化的一种物理现 象,可分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应(光生伏特效应包含于内光电效 应,在此为特意列出)三类。

光电传感器工作原理

光电传感器工作原理-标准化文件发布号:(9556-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

工作原理 摘要: 光电传感器是利用光电子应用技术,将光信号转换成电信号从而检测被测目标的一种装置。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。光电检测方法具有精度高,反应快,非接触等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,体积小。它可用于检测直接引起光量变化的非电量,如光强、光照度、辐射测温和气体成分等;也可用来检测能转换成光量的其他非电量,如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度和加速度,以及物体形状、工作状态等。光电式传感器具有非接触,响应快,性能可靠等特点,因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。近年来,新的光电器件不断涌现,特别是CCD图像传感器的诞生,为光电传感器的进一步应用开创了新的一页。 关键字:光电元件、检测技术、传感器、应用 一、光电传感器工作原理 光电式传感器的物理基础是光电效应,即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为两大类,即外光电效应和内光电效应。外光电效应是指物质吸收光子并激发出自由电子的行为。当金属表面在特定的光辐照作用下,金属会吸收光子并发射电子,发射出来的电子叫做光电子。光的波长需小于某一临界值 (相等于光的频率高于某一临界值)时方能发射电子,其临界值即极限频率和极限波长。由E =hn-W如果入射光子的能量hn大于逸出功W,那么有些光电子在脱离金属表面后还有剩余的能量,也就是说有些光电子具有一定的动能。因为不同的电子脱离某种金属所需的功不一样, 所以它们就吸收了光子的能量并从这种金属逸出之后剩余的动能也不一样。由于逸出功W是使电子脱离金属所要做功的最小值,所以如果用E 表示动能最大的光电子所具有的动能,那么就有下面的关系式E =hn-W (其中,h表示普兰克常量,n表示入射光的频率),这个关系式通常叫做爱因斯坦光电效应方程。

传感器原理与应用习题第8章光电式传感器

传感器原理与应用》及《传感器与测量技术》习题集与部分参考答案 教材:传感器技术(第 3 版)贾伯年主编,及其他参考书 第8 章光电式传感器 8-1 简述光电式传感器的特点和应用场合,用方框图表示光电式传感器的组成。 8-2 何谓外光电效应、光电导效应和光生伏特效应? 答:外光电效应:在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。 光电导效应:在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电导率的变化的现象。 光生伏特效应:在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。 8-3 试比较光电池、光敏晶体管、光敏电阻及光电倍增管在使用性能上的差别。答:光电池:光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。它有较大面积的PN 结,当光照射在PN 结上时,在结的两端出现电动势。当光照到PN 结区时,如果光子能量足够大,将在结区附近激发出电子-空穴对,在N 区聚积负电荷,P 区聚积正电荷,这样N 区和P 区之间出现电位差。 8-4 通常用哪些主要特性来表征光电器件的性能?它们对正确选用器件有什么作用? 8-5 怎样根据光照特性和光谱特性来选择光敏元件?试举例说明。 答:不同类型光敏电阻光照特性不同,但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件,一般在自动控制系统中用作光电开关。 光谱特性与光敏电阻的材料有关,在选用光敏电阻时,应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑,才能获得满意的效果。 8-6 简述CCD 图像传感器的工作原理及应用。 8-7 何谓PSD ?简述其工作原理及应用。 8-8 说明半导体色敏传感器的工作原理及其待深入研究的问题。 8-9 试指出光电转换电路中减小温度、光源亮度及背景光等因素变动引起输出信号漂移应采取的措施。 8-10 简述光电传感器的主要形式及其应用。 答:模拟式(透射式、反射式、遮光式、辐射式)、开关式。 应用:光电式数字转速表、光电式物位传感器、视觉传感器、细丝类物件的在线检测。 8-11 举出你熟悉的光电传感器应用实例,画出原理结构图并简单说明原理。 8-12 试说明图8-33(b)所示光电式数字测速仪的工作原理。(1 )若采用红外发光器件为光源,虽看不见灯亮,电路却能正常工作,为什么?( 2 )当改用小白炽灯作光源后,却不能正常工作,试分析原因。

光电传感器工作原理

工作原理 摘要: 光电传感器是利用光电子应用技术,将光信号转换成电信号从而检测被测目标的一种装置。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。光电检测方法具有精度高,反应快,非接触等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,体积小。它可用于检测直接引起光量变化的非电量,如光强、光照度、辐射测温和气体成分等;也可用来检测能转换成光量的其他非电量,如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度和加速度,以及物体形状、工作状态等。光电式传感器具有非接触,响应快,性能可靠等特点,因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。近年来,新的光电器件不断涌现,特别是CCD图像传感器的诞生,为光电传感器的进一步应用开创了新的一页。 关键字:光电元件、检测技术、传感器、应用 一、光电传感器工作原理 光电式传感器的物理基础是光电效应,即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为两大类,即外光电效应和内光电效应。外光电效应是指物质吸收光子并激发出自由电子的行为。当金属表面在特定的光辐照作用下,金属会吸收光子并发射电子,发射出来的电子叫做光电子。光的波长需小于某一临界值(相等于光的频率高于某一临界值)时方能发射电子,其临界值即极限频率和极限波长。由E =hn-W如果入射光子的能量hn大于逸出功W,那么有些光电子在脱离金属表面后还有剩余的能量,也就是说有些光电子具有一定的动能。因为不同的电子脱离某种金属所需的功不一样,所以它们就吸收了光子的能量并从这种金属逸出之后剩余的动能也不一样。由于逸出功W是使电子脱离金属所要做功的最小值,所以如果用 E 表示动能最大的光电子所具有的动能,那么就有下面的关系式E =hn-W (其中,h表示普兰克常量,n表示入射光的频率),这个关系式通常叫做爱因斯坦光电效应方程。 如

光电传感器工作原理

光电传感器工作原理 电子电路 2008-05-31 22:27 阅读6004 评论3 字号:大中小 本文来源网络 光电传感器工作原理 光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器在一般情况下,有三部分构成 它们分为:发送器、接收器和检测电路。发送器对准目标发射光束,发射的光束一般来源于半导体光源,发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射,或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面,装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路,它能滤出有效信号和应用该信号。此外,光电开关的结构元件中还有发射板和光导纤维。三角反射板是结构牢固的发射装

置。它由很小的三角锥体反射材料组成,能够使光束准确地从反射板中返回,具有实用意义。它可以在与光轴0到25的范围改变发射角,使光束几乎是从一根发射线,经过反射后,还是从这根反射线返回。分类和工作方式⑴槽型光电传感器把一个光发射器和一个接收器面对面地装在一个槽的两侧的是槽形光电。发光器能发出红外光或可见光,在无阻情况下光接收器能收到光。但当被检测物体从槽中通过时,光被遮挡,光电开关便动作。输出一个开关控制信号,切断或接通负载电流,从而完成一次控制动作。槽形开关的检测距离因为受整体结构的限制一般只有几厘米。⑵对射型光电传感器若把发光器和收光器分离开,就可使检测距离加大。由一个发光器和一个收光器组成的光电开关就称为对射分离式光电开关,简称对射式光电开关。它的检测距离可达几米乃至几十米。使用时把发光器和收光器分别装在检测物通过路径的两侧,检测物通过时阻挡光路,收光器就动作输出一个开关控制信号。⑶反光板型光电开关把发光器和收光器装入同一个装置内,在它的前方装一块反光板,利用反射原理完成光电控制作用的称为反光板反射式(或反射镜反射式)光电开关。正常情况下,发光器发出的光被反光板反射回来被收光器收到;一旦光路被检测物挡住,收光器收不到光时,光电开关就动作,输出一个开关控制信号它的检测头里也装有一个发光器和一个收光器,但前方没有反光板。正常情况下发光器发出的光收光器是找

霍尔传感器中文手册

1.描述 ES582是单极霍尔效应传感器从混合信号IC制造 CMOS技术。设备集成了一个电压调节器,霍尔传感器动态 补偿取消系统,施密特触发器和一个open-drain输出驱动程 序,所有在一个包中。 它集成了先进的直升机稳定 技术提供准确和稳定的磁开关点。有很多申请这HED -霍尔电子设备除了那些下面列出。 由于其宽工作电压范围和扩展温度范围的选择,它非常适用于汽车,工业和消费者应用程序。 交付的设备是在一个小提纲晶体管(说)表面安装过程和在一个塑料单(- 92平)通孔。3-lead 包都是通过无铅认证。 2.特性 宽工作电压范围3.5 v和24 v 介质的敏感性 CMOS技术 Chopper-stabilized放大级 优良的温度稳定性 极低的开关点漂移 对身体压力 低电流消耗 明渠输出 小SOT23 3 l和平板- 92 3 l,通过无铅认证包 3.应用程序 汽车、消费品和工业 固态开关 断续器 速度检测 线性位置检测 角位置检测 接近detectio

4.原理框图 5.术语表 术语 描述 毫伏特斯拉(mT) 高斯,磁通密度单位:1吨= 10高斯 RoHS 有害物质限制 SOT 小轮廓晶体管(说包)——也被称为包代码” ESD 静电放电 BLDC Brush-Less 直流 操作点(BOP) 磁通密度应用于品牌的包将输出驱动程序(输出电压= VDSon) 释放点(BRP) 磁通密度应用于品牌的包挫伤了驱动程序的输出(输出电压=高) 6.销的定义和描述 SE 销 UA 销. 类型 函数 名称 1 1 V DD 输入 电源电压销 2 3 OUT 输出 输出销 3 2 GND 接地 地面销 VDD OUT V oltage Regulat o r Chopper Hall Plate GND UA Package SO Package Pin 1 – V DD Pin 1 – V DD Pin 2 – GND P in 2 – OUT Pin 3 – OUT P in 3 – GND

光电型脉搏传感器的原理及其应用

医学光电检测技术论文光电型脉搏传感器的原理及其应用The principle of type photoelectric pulse sensor and its application 学生姓名:张先绪 专业:生物医学工 学号:7 指导教师:庞春颖 学院:生命科学技术学院 二〇一四年十二月

摘要: 介绍了光电式脉搏传感器的原理和设计方案,采用集成光敏部件和放大器的光敏芯片代替传统的分立光敏器件实现对脉搏的测量。芯片的集成化能够有效减小器件间匹配引起的干扰,提高脉搏测量精度。在实验测试过程中,采用该光电式脉搏传感器对人体的脉搏进行实时测量,对脉搏信号测量可能引起的噪声来源做了分析,并做相应的抗干扰处理,得到比较理想的脉搏波形,为脉搏信息的提取和分析提供了良好的数据。 关键词:脉搏信号;光电容积法;脉搏传感器;噪声分析 Abstract: The PPG pulse sensor is attached to the finger base for monitoring beat to beat with the traditional design,the pulse sensoruses a new integrated chip,which is integrated the photosensitive unit and the signal design can efficiently remove the system noise and improve the precision of the experiment,using the newPPG pulse sensor can measure the pulse directly from the pulse in real the same time,making the noise analysis and dealing with the measure noise,and getting a good pulse wave. Keywords:pulse signal;photoplethymograph;pulse sensor;noise anylsis 第1章绪论 1.1课题研究背景及意义 随着人们生活水平的提高,地球环境遭到破坏,多种疾病威胁着人们的生命,

光电传感器的工作原理

光电传感器工作原理(红外线光电传感器原理) 光电传感器工作原理(红外线光电传感器原理) 光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。 光电传感器在一般情况下,有三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路。 发送器对准目标发射光束,发射的光束一般来源于半导体光源,发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射,或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面,装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路,它能滤出有效信号和应用该信号。 此外,光电开关的结构元件中还有发射板和光导纤维。 三角反射板是结构牢固的发射装置。它由很小的三角锥体反射材料组成,能够使光束准确地从反射板中返回,具有实用意义。它可以在与光轴0到25的范围改变发射角,使光束几乎是从一根发射线,经过反射后,还是从这根反射线返回。 分类和工作方式 ⑴槽型光电传感器 把一个光发射器和一个接收器面对面地装在一个槽的两侧的是槽形光电。发光器能发出红外光或可见光,在无阻情况下光接收器能收到光。但当被检测物体从槽中通过时,光被遮挡,光电开关便动作。输出一个开关控制信号,切断或接通负载电流,从而完成一次控制动作。槽形开关的检测距离因为受整体结构的限制一般只有几厘米。 ⑵对射型光电传感器 若把发光器和收光器分离开,就可使检测距离加大。由一个发光器和一个收光器组成的光电开关就称为对射分离式光电开关,简称对射式光电开关。它的检测距离可达几米乃至几十米。使用时把发光器和收光器分别装在检测物通过路径的两侧,检测物通过时阻挡光路,收光器就动作输出一个开关控制信号。 ⑶反光板型光电开关 把发光器和收光器装入同一个装置内,在它的前方装一块反光板,利用反射原理完成光电控制作用的称为

光感式传感器原理及其应用

机电工程系 传感器与检测技术学习报告 专业班级:生产过程自动化14-2 姓名:张鹏宇 学号:2014060319 项目名称:光感式传感器的应用与发展指导教师:刘辉 评定成绩:

2015年12月15日 摘要:光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测光量变化或直接引起光量变化的非电量,也可用于检测能转换成光量变化的其他非电量。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电式传感器具有响应快、精度高、能实现非接触测量等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,因此,光电式传感器在检测和控制领域应用非常广泛。 关键词:光电式传感器;检测光量变化;电信号;检测与控制。 1 前言 传感器是将感受的物理量、化学量等信息,按一定规律转换成便于测量和传输的信号的装置。电信号易于传输和处理,所以大多数的传感器是将物理量等信息转换成电信号输出的。例如传声器就是一种传感器,它感受声音的强弱,并转换成相应的电信号。又如电感式位移传感器能感受位移量的变化,并把它转换成相应的电信号。 光电测量时不与被测对象直接接触,光束的质量又近似为零,在测量中不存在摩擦和对被测对象几乎不施加压力。因此在许多应用场合,光电式传感器比其他传感器有明显的优越性。 2 光电式传感器工作原理 2.1 光电效应 光电效应是光照射到某些物质上,使该物质的导电特性发生变化的一种物理

现象,可分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应(光生伏特效应包含于内光电效应,在此为特意列出)三类。 外光电效应是指在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。光子是以量子化“粒子”的形式对可见光波段内电磁波的描述。光子具有能量hν,h为普朗克常数,ν为光频。光子通量则相应于光强。外光电效应由爱因斯坦光电效应方程描述: EK=hν-W 当光子能量等于或大于逸出功时才能产生外光电效应。因此每一种物体都有一个对应于光电效应的光频阈值,称为红限频率。对于红限频率以上的入射光,外生光电流与光强成正比。 内光电效应是指在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的效应,分为光电导效应和光生伏特效应两类。光电导效应是指,半导体材料在光照下禁带中的电子受到能量不低于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带,从而增加电导率的现象。能量对应于禁带宽度的光子的波长称光电导效应的临界波长。光生伏特效应指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。 光生伏特效应首先是由光子转化为电子、光能量转化为电能量的过程;其次,是形成电压过程。可分为势垒效应(结光电效应)和侧向光电效应。势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在PN结)中,电子受光子的激发脱离势垒(或禁带)的束缚而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下电子移向N区外侧,空穴移向P区外侧,形成光生电动势。侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时,受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀,电子向未被照射部

霍尔传感器工作原理及其应用

霍尔传感器工作原理及其应用 | [<<][>>]一、霍尔齿轮传感器 差动霍尔电路制成的霍尔齿轮传感器,如图1所示,新一代的霍尔齿轮转速传感器,广泛用于新一代的汽车智能发动机,作为点火定时用的速度传感器,用于ABS(汽车防抱死制动系统)作为车速传感器等。 在ABS中,速度传感器是十分重要的部件。ABS的工作原理示意图如图2所示。图中,1是车速齿轮传感器;2是压力调节器;3是控制器。在制动过程中,控制器3不断接收来自车速齿轮传感器1和车轮转速相对应的脉冲信号并进行处理,得到车辆的滑移率和减速信号,按其控制逻辑及时准确地向制动压力调节器2发出指令,调节器及时准确地作出响应,使制动气室执行充气、保持或放气指令,调节制动器的制动压力,以防止车轮抱死,达到抗侧滑、甩尾,提高制动安全及制动过程中的可驾驭性。在这个系统中,霍尔传感器作为车轮转速传感器,是制动过程中的实时速度采集器,是ABS中的关键部件之一。 在汽车的新一代智能发动机中,用霍尔齿轮传感器来检测曲轴位置和活塞在汽缸中的运动速度,以提供更准确的点火时间,其作用是别的速度传感器难以代替的,它具有如下许多新的优点。 (1)相位精度高,可满足0.4°曲轴角的要求,不需采用相位补偿。 (2)可满足0.05度曲轴角的熄火检测要求。 (3)输出为矩形波,幅度与车辆转速无关。在电子控制单元中作进一步的传感器信号调整时,会降低成本。 用齿轮传感器,除可检测转速外,还可测出角度、角速度、流量、流速、旋转方向等等。

图1霍尔速度传感器的内部结构 1.车轮速度传感器 2.压力调节器 3.电子控制器 图2 ABS气制动系统的工作原理示意图 二、旋转传感器 按图3所示的各种方法设置磁体,将它们和霍尔开关电路组合起来可以构成各种旋转传感器。霍尔电路通电后,磁体每经过霍尔电路一次,便输出一个电压脉冲。

霍尔传感器工作原理其应用

霍尔传感器工作原理及其应用 | 一、霍尔齿轮传感器 差动霍尔电路制成的霍尔齿轮传感器,如图1所示,新一代的霍尔齿轮转速传感器,广泛用于新一代的汽车智能发动机,作为点火定时用的速度传感器,用于ABS(汽车防抱死制动系统)作为车速传感器等。 在ABS中,速度传感器是十分重要的部件。ABS的工作原理示意图如图2所示。图中,1是车速齿轮传感器;2是压力调节器;3是控制器。在制动过程中,控制器3不断接收来自车速齿轮传感器1和车轮转速相对应的脉冲信号并进行处理,得到车辆的滑移率和减速信号,按其控制逻辑及时准确地向制动压力调节器2发出指令,调节器及时准确地作出响应,使制动气室执行充气、保持或放气指令,调节制动器的制动压力,以防止车轮抱死,达到抗侧滑、甩尾,提高制动安全及制动过程中的可驾驭性。在这个系统中,霍尔传感器作为车轮转速传感器,是制动过程中的实时速度采集器,是ABS中的关键部件之一。 在汽车的新一代智能发动机中,用霍尔齿轮传感器来检测曲轴位置和活塞在汽缸中的运动速度,以提供更准确的点火时间,其作用是别的速度传感器难以代替的,它具有如下许多新的优点。 (1)相位精度高,可满足0.4°曲轴角的要求,不需采用相位补偿。 (2)可满足0.05度曲轴角的熄火检测要求。 (3)输出为矩形波,幅度与车辆转速无关。在电子控制单元中作进一步的传感器信号调整时,会降低成本。 用齿轮传感器,除可检测转速外,还可测出角度、角速度、流量、流速、旋转方向等等。

图1霍尔速度传感器的内部结构 1.车轮速度传感器 2.压力调节器 3.电子控制器 图2 ABS气制动系统的工作原理示意图 二、旋转传感器 按图3所示的各种方法设置磁体,将它们和霍尔开关电路组合起来可以构成各种旋转传感器。霍尔电路通电后,磁体每经过霍尔电路一次,便输出一个电压脉冲。

CHB-50P霍尔电流传感器使用说明书

Specifications: Closed loop Hall current sensor, Nominal current 50A RMS for measuring of currents: AC, DC, pulsed … Type CHB-50P I N Nominal current 50A (RMS) I P Measuring range 0 (100) R M Measuring resistance R M min R M max (Vc =±15V ) 0Ω (at 50A or 100A) 120Ω (at 50A); 85Ω (at 100A) I M Output current Nominal output current 100mA, for primary nominal current I N =50A X Accuracy (Ta =+25)℃ I N ±1.0% K N Turns ratio 1:500 Vc Supply voltage ±12V …15V (±5%) Ic Current consumption 10mA+I M Vi Isolation voltage Between primary and secondary circuit: 3KV RMS/50Hz/1min. Ioff Offset current (Ta =+25℃) ±0.3mA max, for primary current I N =0 Td Temperature drift ±0.3mA Typical; ±0.5mA Max (0℃…+70)℃ L Linearity < 0.1% Tr Response time < 1μS di/dt > 50A/μS f Frequency bandwidth 0…100KHz Ta Operating temperature 0℃…+70℃ Ts Storage temperature -40℃…+100℃ Rs Secondary resistance 15Ω(Ta =+70℃) Primary resistance ----- W Weight 50g Dimensions (mm): Connection: + M -0V I N primary current I M secondary current -+ Secondary terminals: Terminal +: supply voltage +12V …15V Terminal -: supply voltage -12V …15V Terminal M: output Note: Output I M is positive, when the primary current flows in the direction of the arrow.

光电开关工作原理NPN与PNP传感器差异

光电开关工作原理N P N与 P N P传感器差异 -标准化文件发布号:(9556-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

光电开关工作原理NPN与PNP传感器差异 红外线属于一种电磁射线,其特性等同于无线电或X射线。人眼可见的光波是380n m-780n m,发射波长为780n m-1m m的长射线称为红外线,浙江省洞头县光电开关厂生产的红外线光电开关优先使用的是接近可见光波长的近红外 线。 红外线光电开关(光电传感器)属 于光电接近开关的简称,它是利用被检 测物体对红外光束的遮光或反射,由同 步回路选通而检测物体的有无,其物体 不限于金属,对所有能反射光线的物体 均可检测。根据检测方式的不同,红外 线光电开关可分为 1.漫反射式光电开关 漫反射光电开关是一种集发射器和接收器于一体的传 感器,当有被检测物体经过时,将光电开关发射器发 射的足够量的光线反射到接收器,于是光电开关就产 生了开关信号。当被检测物体的表面光亮或其反光率 极高时,漫反射式的光电开关是首选的检测模式。 引起理想漫反射的光度分布 局部较强漫反射时的光度分布

2.镜反射式光电开关 镜反射式光电开关亦是集发射器与接收器于一体,光电开关发射器发出的光线经过反射镜,反射回接收器,当被检测物体经过且完全阻断光线时,光电开关就产生了检测开关信号。 3.对射式光电开关 对射式光电开关包含在结构上相互分离且光轴相对放置的发射器和接收器,发射器发出的光线直接进入接收器。当被检测物体经过发射器和接收器之间且阻断光线时,光电开关就产生了开关信号。当检测物体是不透明时,对射式光电开关是最可靠的检测模式。 4.槽式光电开关 槽式光电开关通常是标准的U字型结构,其发射器和接收器分别位于U型槽的两边,并形成一光轴,当被检测物体经过U型槽且阻断光轴时,光电开关就产生了检测到的开关量信号。槽式光电开关比较安全可靠的适合检测高速变化,分辨透明与半透明物体。 5.光纤式光电开关 光纤式光电开关采用塑料或玻璃光纤传感器来引导光线,以实现被检测物体不在相近区域的检测。通常光纤传感器分为对射式和漫反射式。 型号说明

霍尔传感器的原理及应用

霍尔效应的原理 霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件,Vh将完全取决于被测的磁场强度B。 一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的坡莫合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下使用。近年来,由于半导体技术的飞速发展,出现了各种类型的新型集成霍尔元件。这类元件可以分为两大类,一类是线性元件,另一类是开关类元件。 线性霍尔元件的原理 UGN350lT是一种目前较常用的三端型线性霍尔元件。它由稳压器、霍尔发生器和放大器组成。用UGN350lT可以十分方便地组成一台高斯计。其使用十分简单,先使B=0,记下表的示值VOH,再将探头端面贴在被测对象上,记下新的示值VOH1。ΔVOH=VOH1-VOH,如果ΔVOH>0,说明探头端面测得的是N极;反之为S极。UGN3501T的灵敏度为7V/T,由此即可测出相应的被测磁感应强度B。如果采用数字电压表(DVM),可得图1所示的线性高斯计。运放采用高精度运放CA3130。该电路的具体调零方式为:开启电源后,令B=0,调节W1使DVM的示值为零,然后用一块标准的钕铝硼磁钢(B=0.1T)贴在探头端面上,调节W2使DVM的示值为1V即可。本高斯计检测时示值如果为-200mV,则探头端面检测的是S极,磁场强度为0.02T。本高斯计也可用来测量交变的磁场,不过DVM应改为交流电压表。显然使用图1的电路可以很方便地扩展普通数字万用表的功能。

传感器原理与应用习题第8章光电式传感器

《传感器原理与应用》及《传感器与测量技术》习题集与部分参考答案 教材:传感器技术(第3版)贾伯年主编,及其他参考书 第8章光电式传感器 8-1 简述光电式传感器的特点和应用场合,用方框图表示光电式传感器的组成。 8-2 何谓外光电效应、光电导效应和光生伏特效应? 答:外光电效应:在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。 光电导效应:在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电导率的变化的现象。 光生伏特效应:在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。 8-3 试比较光电池、光敏晶体管、光敏电阻及光电倍增管在使用性能上的差别。 答:光电池:光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。它有较大面积的PN结,当光照射在PN结上时,在结的两端出现电动势。当光照到PN结区时,如果光子能量足够大,将在结区附近激发出电子-空穴对,在N区聚积负电荷,P区聚积正电荷,这样N区和P区之间出现电位差。 8-4 通常用哪些主要特性来表征光电器件的性能?它们对正确选用器件有什么作用? 8-5 怎样根据光照特性和光谱特性来选择光敏元件?试举例说明。 答:不同类型光敏电阻光照特性不同,但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件,一般在自动控制系统中用作光电开关。 光谱特性与光敏电阻的材料有关,在选用光敏电阻时,应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑,才能获得满意的效果。 8-6 简述CCD图像传感器的工作原理及应用。 8-7 何谓PSD?简述其工作原理及应用。 8-8 说明半导体色敏传感器的工作原理及其待深入研究的问题。 8-9 试指出光电转换电路中减小温度、光源亮度及背景光等因素变动引起输出信号漂移应采取的措施。 8-10 简述光电传感器的主要形式及其应用。 答:模拟式(透射式、反射式、遮光式、辐射式)、开关式。 应用:光电式数字转速表、光电式物位传感器、视觉传感器、细丝类物件的在线检测。 8-11 举出你熟悉的光电传感器应用实例,画出原理结构图并简单说明原理。 8-12 试说明图8-33(b)所示光电式数字测速仪的工作原理。(1)若采用红外发光器件为光源,虽看不见灯亮,电路却能正常工作,为什么?(2)当改用小白炽灯作光源后,却不能正常工作,试分析原因。

霍尔位置传感器原理和应用

霍尔位置传感器原理和应用 一.霍尔位置传感器的特点: 霍尔位置传感器是一种检测物体位置的磁场传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔位置传感器以霍尔效应原理为其工作基础。 霍尔位置传感器具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 霍尔位置传感器开关型输出的具有无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。采取了各种补偿和保护措施的霍尔位置传感器的工作温度范围可达到-55℃~150℃。 按照霍尔位置传感器的功能可将它们分为:霍尔线性型传感器和霍尔开关型传感器。前者输出模拟量,后者输出数字量。 霍尔位置传感器通过它对磁场变化的测量,将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等,转变成电量来进行检测和控制,因而有着广泛的用途。 二.霍尔位置传感器的原理: 2.1霍尔效应和霍尔元件

在一块通电的半导体薄片上,加上和片子表面垂直的磁场B,在薄片的横向两侧会出现一个电压,如图1中的VH,这种现象就是霍尔效应,是由科学家爱德文·霍尔在1879年发现的。VH称为霍尔电压。 这种现象的产生,是因为通电半导体片中的载流子在磁场产生的洛仑兹力的作用下,分别向片子横向两侧偏转和积聚,因而形成一个电场,称作霍尔电场。霍尔电场产生的电场力和洛仑兹力相反,它阻碍载流子继续堆积,直到霍尔电场力和洛仑兹力相等。这时,片子两侧建立起一个稳定的电压,这就是霍尔电压,这个半导体薄片称为霍尔元件。霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP等等。 2.2 霍尔集成电路 霍尔集成电路是将一个霍尔元件和电压放大电路、信号处理电路集成在同一个硅芯片上,生产出单片霍尔集成电路,它又分为霍尔线性电路和霍尔开关电路。

光电开关工作原理NPN与PNP传感器差异

光电开关工作原理NPN与PNP传感器差异 1、漫反射式光电开关漫反射光电开关是一种集发射器和接收器于一体的传感器,当有被检测物体经过时,将光电开关发射器发射的足够量的光线反射到接收器,于是光电开关就产生了开关信号。当被检测物体的表面光亮或其反光率极高时,漫反射式的光电开关是首选的检测模式。引起理想漫反射的光度分布局部较强漫反射时的光度分布 2、镜反射式光电开关镜反射式光电开关亦是集发射器与接收器于一体,光电开关发射器发出的光线经过反射镜,反射回接收器,当被检测物体经过且完全阻断光线时,光电开关就产生了检测开关信号。 3、对射式光电开关对射式光电开关包含在结构上相互分离且光轴相对放置的发射器和接收器,发射器发出的光线直接进入接收器。当被检测物体经过发射器和接收器之间且阻断光线时,光电开关就产生了开关信号。当检测物体是不透明时,对射式光电开关是最可靠的检测模式。 4、槽式光电开关槽式光电开关通常是标准的U字型结构,其发射器和接收器分别位于U型槽的两边,并形成一光轴,当被检测物体经过U型槽且阻断光轴时,光电开关就产生了检测到的开关量信号。槽式光电开关比较安全可靠的适合检测高速变化,分辨透明与半透明物体。

5、光纤式光电开关光纤式光电开关采用塑料或玻璃光纤传感器来引导光线,以实现被检测物体不在相近区域的检测。通常光纤传感器分为对射式和漫反射式。 型号说明术语解释 1、检测距离: 动作距离是指检测体按一定方式移动时,从基准位置(光电开关的感应表面)到开关动作时测得的基准位置到检测面的空间距离。额定动作距离指接近开关动作距离的标称值。 2、回差距离:动作距离与复位距离之间的绝对值。 3、响应频率:按规定的1秒的时间间隔内,允许光电开关动作循环的次数。 4、输出状态:分常开和常闭。当无检测物体时,常开型的光电开关所接通的负载,由于光电开关内部的输出晶体管的截止而不工作,当检测到物体时,晶体管导通,负载得电工作。 5、检测方式:根据光电开关在检测物体时,发射器所发出的光线被折回到接收器的途径的不同,可分为漫反射式,镜反射式,对射式等。详见工作原理说明) 6、输出形式:分npn二线,npn三线,npn四线,pnp二线,pnp三线,pnp四线,AC二线,AC五线(自带继电器),及直流NPN/PNP/常开/常闭多功能等几种常用的形式输出。 7、指向角:常见GDKG光电传感器的指向角示意图漫反射式光电开关镜反射式光电开关对射式光电开关

霍尔传感器剖析

一.霍尔传感器市场调研 1.霍尔效应 在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为U H的霍尔电压。 2.霍尔传感器 霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。 3.霍尔传感器的工作原理 霍尔电流传感器有两种工作方式,即磁平衡式和直式。霍尔电流传感器一般由原边电路、聚磁环、霍尔器件、次级线圈和放大电路等组成。 ①直放式电流传感器(开环式) 众所周知,当电流通过一根长导线时,在导线周围将产生一磁场,这一磁场的大小与流过导线的电流成正比,它可以通过磁芯聚集感应到霍尔器件上并使其有一信号输出。这一信号经信号放大器放大后直接输出,一般的额定输出标定为4V。 ②磁平衡式电流传感器(闭环式) 磁平衡式电流传感器也称补偿式传感器,即主回路被测电流Ip在聚磁环处所产生的磁场通过一个次级线圈,电流所产生的磁场进行补偿,从而使霍尔器件处于检测零磁通的工作状态。 磁平衡式电流传感器的具体工作过程为:当主回路有一电流通过时,在导线上产生的磁场被聚磁环聚集并感应到霍尔器件上,所产生的信号输出用于驱动相应的功率管并使其导通,从而获得一个补偿电流Is。这一电流再通过多匝绕组产生磁场,该磁场与被测电流产生的磁场正好相反,因而补偿了原来的磁场,使霍尔器件的输

相关文档
相关文档 最新文档