模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )

(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )

(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )

(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )

(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )

(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )

(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( )

【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。放大的特征就是功率的放大。

(3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。

(4)×。．

(5) √。设置合适的静态工作点。

(6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。，

【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。

(a)

例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法

来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?

【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能

用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

自测题分析与解答

一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。

(1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( )

(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( )

(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( )

(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( )

(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其

R大的特点。( )

GS

u大于零，则其输入电阻会明显变小。( )

(6)若耗尽型N沟道MOS管的

GS

【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，．

(2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。

(3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。

(4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达

集电区形成漂移电流。

(5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。

4

(6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬

底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。

二、选择正确答案填人空内。

(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。．

A．变窄 B．基本不变 C．变宽

(2)稳压管的稳压区是其工作在。

A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A．前者反偏、后者也反偏

B．前者正偏、后者反偏

C．前者正偏、后者也正偏

u=0时，能够工作在恒流区的场效应管有。

(4)

GS

A．结型管 8．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管

【解答】 (1)A。由于外电场的作用，将多数载流子推向空间电荷区，从而使其变窄。

(2)C。稳压二极管在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现良好的稳

压特性。

(3)B。晶体管工作在放大状态时，发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE．集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Jc。

(4)A、C。对于结型场效应管犹Gs一0时，耗尽层很窄，导电沟道很宽，能够工作在恒流区。

而对于耗尽型MOS管，由于其Si02中掺人大量正离子，那么当犹Gs—o时，漏一源之间存在导

电沟道，因此只要有正向电压作用就存在恒流区。．

U=0.7 V。

三、写出图Tl．3所示各路的输出电压值，设二极管导通电压

D

图Tl ．3

【解答】 根据二极管正向导通反向截止的原理：

1O U ≈1.3 V 2O U =0 3O U ≈一l.3 V 4O U ≈2V 5O U ≈1.3 V 6O U ≈-2V

四、已知稳压管的稳压值Z U =6V ，稳定电流的最小值min Z I =5 mA 。求图Tl ．4所示电路 N005

中1O U 和2O U 各为多少伏。

图Tl ．4

【解答】 图(a)Dz 导通，所以1O U 为6 V ；图(b)Dz 未导通，所以2O U 为5 V 。

五、电路如图Tl ．5所示，β=100，BE U =0.7 V 。

试问

(1)Rb=5 0 k Ω时，o U =?

(2)若T 临界饱和，则Rb≈?

【解答】 (1)26BB BE B B

V U I uA R -== 2.6c B I I mA β==

2CE CC C C U V I R V =-=

那么2O CE U U V ==

(2)临界饱和时，0.7CES BE U U V ==，所以 2.86CC CES C C

V U I mA R -== 2.86C

B I I uA β== 45.4BB BE B B

V U R k I -==Ω N006

习题全解

1．1 选择合适答案填人空内。

’ (1)在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。

A ．五价

B ．四价

C ．三价

(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。

A ．增大

B ．不变

C ．减小

(3)工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12uA 增大到2 2uA 时，Ic 从1 mA 变为2 mA ， 那么它的β约为 。

A ．83 8．91 C ．100

(4)当场效应管的漏极直流电流D I 从2 mA 变为4mA 时，它的低频跨导m g 将 。

A ．增大

B ．不变

C ．减小

【解答】 (1)A C 。五价元素取代晶格中硅原子的位置形成N 型半导体，硅晶体中掺人

三价元素，使之取代晶格中的硅原子的位置，形成P 型半导体。

(2)A 。温度的升高，加强载流子的运动，从而加剧漂移运动的进行，从而反向饱合电流将

增大。

(3)C 。由公式p —A 瓦ic 一糌--1 000

(4)A 。gm 是转移特性曲线上某一点的切线的斜率，可通过式求导得到，gm 与切点的位 置密切相关，由于转移特性曲线的非线性，因而iD 愈大，gm 也愈大。

N007

（N050）自测题分析与解答

一、现有基本放大电路：

A ．共射电路

B ．共集电路

C ．共基电路

D ．共源电路

E ．共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为l k Ω至2 k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。

(2)要求输入电阻大于l0M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应 采用 。

(3)要求输入电阻为l00k Ω至200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用

，第二级应采用 。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于l0M Ω，输出电阻小于l00Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。

(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且|ui A ?|=|/i O U I ??

|>1000，输出电阻R<100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。

【解答】 (1)A A (2)D A (3)B A (4)D B (5)C B

共射放大电路具有较高的放大倍数，输人电阻不高，减小输出电阻将影响电路的放大倍 数。共集电极电路，电压放大倍数小于1，输入电阻较高，信号源内阻不很低时仍可获取较大输入信号，输出电阻小，所以带负载能力较强，因此多用于输入级、输出级，共基放大电路：电压放大倍数同共射相同，输入电阻比共射电路小，输出电阻相同，在要求频率特性高的场合多用共基电路。

二、选择合适答案填入空内

（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A 、元件老化

B 、晶体管参数受温度影响

C 、放大倍数不够稳定

D 、电源电压不稳定

（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A 、便于设计

B 、放大交流信号

C 、不易制作大容量电容

（3）选用差分放大电路的原因是 。

A 、克服温漂

B 、提高输入电阻

C 、稳定放大倍数

（4）差分放大电路的差模信号是两个输入信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。

A 、差

B ．和

C ．平均值

（5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的——。

A 差模放大倍数数值增大

B ．抑制共模信号能力增强

C 差模输入电阻增大

（6)互补输出级采用共集形式是为了——。 ’

A 电压放大倍数大

B 不失真输出电压大

C 带负载能力强

【解答】(1)A 、B 、D （2）C(3)A(4)AC(5) B(6)C

三、电路如图T3．3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时|BEQ U | ≈0.7V 。试求：

（1)静态时T1，管和T2管的发射极电流。

（2)若静态时“o u >0，则应如何调节Rc2的值才能使o u =0V?若静态o u =0V ，则Rc2=?电压放大倍数为多少？

【解答】(1)333()/0.3C Z BEQ E I U U R mA =-= 120.15E E I I mA ==

图T3．3

(2)若静态时o u >0，应减少Rc2才能使o u =0 V 。

静态时1u =0时，o u =0，则由此可以推得T4管的集电极电流44/0.6CQ EE C I V R mA == 则可以计算的经过Rc2的电流为

224/0.150.0030.147RC C CQ I I I mA β=-=-=(N051结束)

自测题分析与解答

。选择正确答案填入空内。

1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。

A ．输入电压幅值不变，改变频率

B ．输入电压频率不变，改变幅值

C ．输入电压的幅值与频率同时变化

2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是——，而低频信号作用 时放大倍数数值下降的原因是 。

A ．耦合电容和旁路电容的存在

B ．半导体管极间电容和分布电容的存在

C ．半导体管的非线性特性

D ．放大电路的静态工作点不合适

3)当信号频率等于放大电路的^或fH ，时，放大倍数的值约下降到中频时的 。

A.0．5 B ．0．7 C ．0．9

即增益下降 。

A ．3d

B B ．4 dB

C ．5 dB ， 。

4)对于单管共射放大电路，当f=L f 时，O U ?与i U ?相位关系是 。

A ．+45o

B ．-90o

C ．-135o 。

当H f f =时，O U ?与i U ?

相位关系是 。

A ．-45o

B ．-135o

C ．225o -。

}答】 (1)A (2)B A （3）B A （4）C C

N081结束

(1)对于放大电路所谓开环是指：

A.无信号源 B ．无反馈通路 C ．无电源D ．无负载 ’

而所谓闭环是指——。 j

A ．考虑信号源内阻

B ．存在反馈通路

C ．接人电源

D ．接人负载

2)在输入量不变的情况下，若引人反馈后——，则说明引入的反馈是负反馈。

A ．输入电阻增大

B ．输出量增大

C ．净输入量增大

D ．净输入量减小

3)直流负反馈是指 。 ．

A ．直接耦合放大电路中所引入的负反馈

B.只有放大直流信号时才有的负反馈

C ．在直流通路中的负反馈

4)交流负反馈是指 。

A ．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈

B ．只有放大交流信号时才有的负反馈

C ．在交流通路中的负反馈 ‘

5)为了实现下列目的，应引入

A ．直流负反馈

B ．交流负反馈

①为了稳定静态工作点，应引入 ；

②为了稳定放大倍数，应引入 ；

③为了改变输入电阻和输出电阻，应引入 ；

④为了抑制温漂，应引入 ；

⑤为了展宽频带，应引入 ：

解答】(1)B B 。开环系统无反馈，闭环系统有反馈。

2)D 。使放大电路净输人量减少的反馈。

3)C 。反馈存在于直流通路中。

4)C 。反馈存在于交流通路中。 ‘

5)A B B A B 。直流负反馈主要用于稳定静态工作点以及抑制温漂。

6.2选择合适答案填人空内。

A 电压

B ．电流

C ．串联

D ．并联 ‘

1)为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；

2)为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；

3)为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈；

4)为了减小放大电路的输入电阻，应引入 负反馈；

5)为了增大放大电路的输出电阻，应引人 负反馈；

6)为了减小放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。

笞】 (1)A (2)B (3)C (4)D (5)B (6)A j

103

习题全解

8．1 判断下列说法是否正确，用“√"或“×"表示判断结果。

(1)在图P8．1所示方框图中，只要A ?和F ?

同符号，就有可能产生正弦波振荡。( )

(2)因为RC 串并联选频网络作为反馈网络时的0O F ?=，单管共集放大电路的0O A ?=

正弦波振荡的相位条件2A F n ??π+= (n ／为整数)，故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。( )

(3)电路只要满足│A F ??

│=1，就一定会产生正弦波振荡。( )

(4)负反馈放大电路不可能产生自激振荡。( )

(5)在LC 正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率 太低。( )

【解答】 (1)×。还原需要满足l A 声I 一1的条件。

(2)×。其不能满足I A 声f 一1。

(3)×。相位平衡条件没有判断。

(4)×。若在低频段或高频段中存在频率f0便电路产生的附加相移为±丌，而且当厂= I AF l>0，则电路产生自激振荡。

(5)√。当信号频率较高时电感感抗很大。

图上J8．1

8．2 判断下列说法是否正确，用“√’’或“×"表示判断结果。

(1)为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不 是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。( √ )

(2)如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗El 比较器的相同，那么当它们的输入 电压相同时，它们的输出电压波形也相同。(× )

(3)输入电压在单调变化的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变 一次。( √ ) ．

(4)单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高（×） 以上是N165

习题全解

9．1 分析下列说法是否正确，用“√’’、“×’’表示判断结果填人括号。

(1)在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。( )

(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。 ( )

(3)当OCL 电路的最大输出功率为lW 时，功放管的集电极最大耗散功率应大于lW 。( )

(4)功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是

①都使输出电压大于输入电压；( )

②都使输出电流大于输入电流；( ) ．

③都使输出功率大于信号源提供的输入功率。( )

(5)功率放大电路与电压放大电路的区别是

①前者比后者电源电压高；( )

②前者比后者电压放大倍数数值大；( )

③前者比后者效率高；( )

④在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大；( )

⑤前者比后者的输出功率大。( )

(6)功率放大电路与电流放大电路的区别是

①前者比后者电流放大倍数大；( )

②前者比后者效率高；( )

③在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。( )

【解答】(1)×。可以通过以下两种方法降低功耗，一是减小功放管的导通角，增大其在

个周期内的截止时间，从而减小管子消耗的平均功率。二是使功放管工作在开关状态，此管子饱和导通时消耗功率管压降很小。

(2)√。

(3)×。功率转化效率约为80％，功放管的集电极最大耗散功率不应大于1 W。

(4)×；×；√。放大电路的特点。

(5)×；×；√；×；√。

(6)×；√；√。

U│=3 V，Vcc=1 5 V，9·2 已知电路如图P9．2所示，T1，和T2管的饱和管压降│

CES

R=Ω.

8

L

177

选择正确答案填人空内。

(1)电路中D1和D2管的作用是消除。

A.饱和失真 B．截止失真 C．交越失真

U。

(2)静态时，晶体管发射极电位

EQ

A.>0 B．=0 C．<0

(3)最大输出功率PoM 。

A.≈2 8 W B．=l 8 W ． C．=9 W

(4)当输人为正弦波时，若R1虚焊，即开路，则输出电压。

A.为正弦波． B．仅有正半波 C．仅有负半波

(5)若D1虚焊，则T1管。

A.可能因功耗过大烧坏 B．始终饱和 C．始终截止

1到上J9．2

【解答】 (1)C。工作原理见教材。

(2)B。静态时，从+Kc经过R，、D，、D2、R2到％有一直流电流，T，、T2两个基极之生的电压为U啪2一UR2+U。，+U。2，从而UEQ—o。

(3)C。由 --一(Vcc Uc鹏)一g掣一9 w

(4)C 。输入信号约正半周期主要由T ，管发射极驱动负载，而负半周主要由T 。管发j 驱动负载。

(5)A 。由于D·开路，则从+Kc 经过R ，、T ，管发射结，T2管发射结，R3到一Uc 形J5 +N N ，有较大的基极电流JB ，和k 流过，从而使T ，和T2管有很大的集电极电流，T ，T2 1 因此烧毁。

9·3 电路如图P9．2所示。在出现下列故障时，分别产生什么现象。

(1)R1开路；(2)D1开路；(3)R2开路；(4)T1集中电极开路；(5)R1短路；(6)D1短路。

【解答】如图P9．2所示。

(1)如果R·开路，则二极管D ，不能导通，则电路D ，，三极管T ，，R 。等效为没有接_ 路，当配i 为正时，二极管D2导通，结果三极管T2截止；当铭i 为负时，静态时，电流从R 。．|}{

地端向上流，然后流至三极管T2的发射极，然后再流向～Vcc 。所以只有在ui 为负时，Vo 有输出。

178

自测题分析与解答

一、判断下列说法是否正确，用“√’’或“×’’表示判断结果填人空内。

(1)直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。( )

(2)直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。( )

(3)在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流 电路输出电流的2倍。( )

因此，它们的整流管的平均电流比值为2：1。( )

(4)若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤

2。( )

(5)当输入电压U1和负载电流L I 变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。( )

(6)一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。( )

【解答】 (1)×。 ，(2)√。 (3) √。X 。 (4) √。 (5)×。 (6) √。

二、在教材图l 0．3．1(a)中，已知变压器副边电压有效值U2为10V ，32

L T R C (T 为电网电压的周期)。测得输出电压平均值()O AV U 。可能的数值为

A ．1 4V

B ．1 2 V

C ．9 V

D ．4.5 V

选择合适答案填人空内。

(1)正常情况()O AV U ≈ ；

(2)电容虚焊时()O AV U ≈ ；

(3)负载电阻开路时()O AV U ≈ ；

(4)一只整流管和滤波电容同时开路，()O AV U ≈ 。

【解答】 (1)B (2)C (3)A (4)D

三、填空：

193

六、电路如图Tl 0．6所示。合理连线，构成5 V 的直流电源。

【解答】上题答案

解Tl 0．6图

习题全解

10．1 判断下列说法是否正确，用“√’’或“×’’表示判断结果填人空内。

(1)整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。( )

(2)电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。( )

(3)在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。( )

【解答】 (1) √。(2)√。(3)×。

10．2 判断下列说法是否正确，用“√’’或“×’’表示判断结果填人空内。 195

(1)对于理想的稳压电路，/0O I U U ??=，R 。=0。( )

(2)线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关 状态。( )

(3)因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。( )

(4)在稳压管稳压电路中，稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流；( )而且， 其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。( )

【解答】 (1) √ (2) √ (3)√ (4) × √

10．3 选择合适答案填人空内。

(1)整流的目的是 。

A ．将交流变为直流

B ．将高频变为低频

C ．将正弦波变为方波

(2)在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则 。

A ．输出电压约为2D U

B ．变为半波直流

C ．整流管将因电流过大而烧坏

(3)直流稳压电源中滤波电路的目的是。

A．将交流变为直流 8．将高频变为低频

C．将交、直流混合量中的交流成分滤掉

(4)滤波电路应选用。

A．高通滤波电路 B．低通滤波电路 C．带通滤波电路

【解答】 (1)A (2)C (3)C (4)B

10．4 选择合适答案填人空内。

(1)若要组成输出电压可调、最大输出电流为3 A的直流稳压电源，则应采用——。 A．电容滤波稳压管稳压电路 B．电感滤波稳压管稳压电路

C．电容滤波串联型稳压电路 D．电感滤波串联型稳压电路

(2)串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

A．基准电压 B．采样电压 C．基准电压与取样电压之差

(3)开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。

A．调整管工作在开关状态 B．输出端有LC滤波电路’

C．可以不用电源变压器

(4)在脉宽调制式串联型开关稳压电路中，为使输出电压增大，对调整管基极控制信号的要求是——。

A．周期不变，占空比增大 B．频率增大，占空比不变

C．在一个周期内，高电平时间不变，周期增大

196

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管

模拟电子技术基础I考核作业标准答案

东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础I 试卷（作业考核线下）B 卷（共 4 页） 总分题号一二三四五六七八九十得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i是幅值为10V的正弦波，试画出u o的波形。（设二极管D1，D2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。(15分) 电路如图4所示，已知V CC=12V，R bl=40kΩ，R b2=20kΩ，R c=R L=2kΩ，U BE=，β=50，R e=2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号 i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真(3)计算i u A R ， 和 o R。 四、功率放大电路的分析与计算。(15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L=8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V，输入u i为正弦波。求：(1)负载R L上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T1 T2 R L -V CC ++ __ (+12V) (-12V)

五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加 电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放 大器。 10、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大 电路。 11、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等 特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 12、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电 路中。 六、选择题（每空2分共20分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（）， 该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。

模拟电子技术基础试题与答案

1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA 变为2mA，那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降 UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 （1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈；【】 A.2V B.3V C.6V U ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW， （2）当 i 则输出电压的幅值将；【】 A.减小 B.不变 C.增大 U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大（3）在 i 输入电压，则输出电压波形将；【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。【】 A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

模拟电子技术基础试题与答案解析

电子电工专业试卷 说明：本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，第Ⅰ卷XXX页，第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上，Ⅱ卷答案写在试卷上。 第Ⅰ卷（选择题，共35分） 注意事项： 每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。 一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。） 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（） A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（） 图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（） A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( )

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

模拟电子技术基础试题(含答案)

(120) 1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。 A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子 2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。 A．扩散B．漂移C．小D．大 3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。A．双极B．空穴C．单极D．自由电子 4．负反馈放大电路的含义是（）。 A．输出与输入之间有信号通路 B．电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路之外还有信号通路 D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB 6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。 A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路 7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。 A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容 8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强 9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。 A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。 A．带阻B．带通C．低通D．有源 11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。 A．比较B．滤波C．调整 (210) 1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。（） 3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（） 1．设图3-1中二极管、为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压= ？（4分）

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I，发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。 20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1 u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时， 可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固 定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1