单晶操作

直拉单晶操作

操作说明

一．目的

将硅多晶及硅单晶转变成客户需要的硅单晶。

二．适用范围

FT-CZ1806,FT-CZ2008单晶炉

三．使用设备及工具

?FT-CZ1806(FT-CZ2008)型单晶炉、空气压缩机、真空泵（主/辅）、循环冷却水系统、氩气输送系统、氩气中含氧量监测仪

?斜口钳、螺丝刀、不锈钢托盘、不锈钢推车、硅单晶专用取棒车、美工刀等

四．材料

?多晶硅、可回收利用的硅材料、掺杂剂、5个9的高纯Ar、可循环的软化冷却水、高纯石墨热场

?一次性手套、防静电手套、乳胶手套、隔热手套、塑料袖套、一次性口罩

?无尘清洁纸、无水乙醇

五．环境要求

洁净房

六．重要工艺参数

见《工艺参数卡》

七．FT-CZ1806,FT-CZ2008型单晶炉面板介绍

图1《手动状态操作画面》

八．作业步聚

1. 热场组立

1.1.按照《热场装配图》，将热场部件逐一装配组合。

※注意外保温筒的测温孔与温度传感器对准，否则将无法用温度控制拉晶。

1.2.将钢皮尺置于石墨中轴上，如图1中点击【CRUCIBLE】,弹出坩埚控制区。在ROTATION SPEED VALUE中输入想要的坩埚转速，按【OK】键确认，最后点击【ON】按钮让坩埚旋转来确认加热器是否与中轴同心，可以调整加热器的两个固定螺丝使中轴与加热器尽量调至同心。

1.3.将石墨坩埚放入后再对中，确保坩埚四周与加热器的位置大于3mm，并尽量同心。

1.4.将导流筒装上，并用如上方法确保导流筒安装的与石墨坩埚同轴。

1对中中轴与加热器同圆心2对中加热器与石墨坩埚3对中导流筒与石墨坩埚

2. 石英坩埚的安装

2.1.将石英坩埚的合格证取出，贴附在拉晶记录上。

2.1.戴上一次性手套，拿出石英坩埚，在灯光下确认石英坩埚有无伤痕、裂纹、气泡、黑点。

※确切的要求参照我们对石英坩埚供应商的来料要求。

2.2.插入石墨坩埚内，比较石墨坩埚与石英坩埚的高度，确认并调整水平

2.3.石英坩埚安装好后，设定坩埚转速8rpm，确认石英坩埚在转动时不会晃动方可。

1检查石英坩埚2装入石英坩埚3调整石英坩埚放置的水平

3．掺杂剂的装入

3.1.确认掺杂剂料包上所写的重量与拉晶指示书上的数据是否一致。

3.2.带上一次性的手套，将装有掺杂剂的料包在石英坩埚的上方且低于石英坩埚口的位置打开并抖动装料纸使掺杂剂全部落入石英坩埚中。

1掺杂剂的装入

4. 硅原料装入

4.1.右手上戴上棉手套，再戴上3至5副一次性手套。左手则戴上一副一次性手套。

※为了防止原料硅的污染、一定要用带了多层手套的手去抓原料，用另一只手握住装原料的袋子。由于一次性手套容易损坏，所以一定要勤于更换。装料时不要将装原料的塑料袋放置在碳毡热场上，损坏热场。

4.2.将原料硅放入石英坩埚底部，逐步向上填补。

?填充操作时，在石英坩埚高度的1/3以下时尽量采用面接触，便于热量从坩埚传到硅材料上。

?当料的高度达到了石英坩埚的2/3后，要尽量使硅材料与石英坩埚点接触，防治化料后出现挂边。

※要避免与石英坩埚撞击，要特别注意不能使石英坩埚有破损和缺口。如损坏应立即报告并更换。

※注意不能掉落原料硅在外面。万一出现原料硅掉落在外，这些原料因为污染需处理后再使用。

4.3.填充操作结束后，用真空吸尘器除去粘在炉体表面、炉体法兰表面、加热器表面上的原料硅粉末。

4.4.在导流筒的外围装上碳毡导流筒，盖上热屏支撑环。

4.5.将手动操作手柄上的【CRUCIBLE】旋钮打到DOWM位置，使坩埚降到最低位。

1硅材料的装入2吸去硅碎屑3下降石墨坩埚至最低

5.炉的安装

5.1.将手动操作手柄上的【SEED】键打向DOWN将籽晶降下到最低位,安装籽晶并用无尘纸沾拭酒精擦净。

※注意安装籽晶是不要旋转籽晶,装好后要垂直下拉籽晶,防止有间距在拉晶时晶棒下滑。

5.2.安装热屏前确保籽晶夹头上的热屏三爪举上落下自如，确认其固定螺丝是否有可能掉出。

5.3.确认热屏上的三个挂钩的碳毡螺丝是否拧紧，有松动需拧紧。

5.4.将热屏挂上三爪，用手动操作手柄，上升籽晶将籽晶升降旋钮【SEED】打到UP位置，停止籽晶升降时籽晶升降旋钮打到中间位置，下降籽晶升降时打到DOWN位置，反复几次使热屏与炉盖相距3～5cm 左右。

5.5.用无尘纸沾拭无水酒精擦拭上炉体和下炉体的闭合法栏。

5.6.提起炉盖定位开关,转动上盖到与主体合拢的上方,放下炉盖定

位开关。旋动手动操作手柄上的【HOIST】旋钮，打向DOWN位置，使炉体合拢，等电机自动停止。

※炉体转动时防止热屏晃动、破损；确认螺栓穿过法兰孔，防止炉盖被定位销顶起。

※炉盖与下法栏接触后不能算盖好炉盖，一定要等电机到了限位自动停止，否则能进入化料程序但开启不了加热器。

5.7.炉盖盖好后,用探照灯确认热屏未滑落,或被原料顶起。

1下降籽晶夹头2安装籽晶3安装热屏

6炉体合拢5擦拭炉体法栏4调整热屏与炉盖的间距

6.抽真空

6.1.慢慢打开主阀阀门。

6.2.确认在400Torr以下完全打开主阀。

6.3.持续抽气至60mTorr以下（总抽气时间约1h左右），关闭主阀。

6.4.按下手动操作面板上的【LEAKCHK】按钮，打开检漏菜单，按下【START】按钮开始检漏。按下STOP按钮则检漏停止此时屏幕上的漏气量与时间就是检漏的结果。

6.5.进入真空检漏状态，一般我们计时5分钟的漏气量若结果小于4mT则通过，若大于4mT则检查漏气原因。即每分钟的漏气率低于0.8mT算检漏通过。

7. MELT（熔化）

7.1. 检漏通过后，打开主阀。

7.2. 按下手动操作面板上的【Ar Gas】按钮，打开氩气控制菜单将需设定的氩气流量值输入MFC FLOW VALUE中，按下【MFC ON】和【TOPPLATE VALUE OPEN】氩气即被打开。

※如打开的氩气流量值比较大时最好采用分步递增的方法渐渐加大氩气流量，停止时分步递减，这样做可以使氩气流量计不会因为流量突然变大，而发生零点偏移。

7.3. 将操作面板旁边的状态旋钮打到AUTO档，按下屏幕上的【PROCESS START】此时屏幕中会跳出是否执行化料程序的确认对话框，点击【ACCEPT】自动化料程序开始。

7.4. 在化料过程中检查电流值是否稳定，功率值是否稳定,，与设定值的偏差是否在允许的范围内。

自动状态画面确认化料开始化料开始画面

单晶炉安全操作规范

单晶炉安全操作规范集团公司文件内部编码：（TTT-UUTT-MMYB-URTTY-ITTLTY-

单晶炉安全操作规范1、开机安全检查 单晶炉开机、装料前，应对电气、机械、液压等部分进行检查，使单晶炉电极处于无电压输出，各机械传动安全可靠； 1）检查主加热器处于关闭状态（是否切断主回路的空开？）； 2）欧陆表输出设定为0； 3）上炉膛、炉盖、付室的机械联接部位螺丝无松动现象； 4）检查上、炉膛、炉盖付室的液压升降应正常； 2、装炉时安全事项 在开机检查正常情况下，可以装炉，同时在控制柜现眼位置悬挂禁止合闸警示牌； 3、抽真空安全事项

1）开真空泵前，应检查真空泵房，确保对应本设备的真空泵及管道处于无其他人员操作状态； 2）按真空泵操作规程正确操作； 3）抽真空过程中，应检查各环节的密封圈处于正常，应无脱落、装反等现象； 4）在单晶炉真空状态过程中，严禁用手或其他物品碰触或堵漏气处，以免造成人身或设备损害，如发现漏气，应按停炉恢复常压规程操作；4、装炉、装料、拆炉、清炉、清理真空泵及真空管道过程的安全事项 1）按工艺操作规程进行正确操作； 2）必须在主加热器处于关闭状态、欧陆表输出设定为0的状态下操作； 3）在控制柜现眼位置悬挂禁止合闸警示牌； 4）禁止操作人员身体处于液压可升降部件如炉盖、炉膛下方，以免液压控制失灵造成人身伤害，如确需在上述部件下操作，必须设置足够强度和能保证足够安全空间的支撑部件来支撑因故障时升降部件的下坠而不致于伤及人身；

5）清理真空泵及真空管道时，必须在真空泵停止运行的状态下进行，在对应控制柜显眼位置处悬挂维修警示牌或禁止合闸警示牌，以防其他人员误开启真空泵，造成人身伤害； 6）炉体内清洁时，必须打开炉盖、上升上炉膛并偏移至合适位置，使操作人员操作空间处于敞开状态，避免操作人员处于缺氧环境状态下工作； 5、加热器加热过程安全事项 在上述检查准备工作就绪，且符合工艺操作规程的前提下，才能开启加热器。 1）开启加热器前，必须检查冷却水路开启、水压正常，否则严禁开启加热器； 2）开启加热器，必须缓慢增加输出电压或加热功率；严禁超功率或过电流运行； 3）在加热器工作过程中，如发现电极打火、过电流等现象或报警，应按直拉应急方案处置，

高中化学实验操作考试试题

考号姓名考查日期年月日四川省2012 年普通高中学业水平考试化学学科实验操作考查试题（一）粗盐的提纯 （20分钟内完成） 、实验目的： 1、学会粗盐提纯的方法。 2、学习有关药品的取用、过滤、蒸发等实验的基本操作。 、实验用品蒸馏水、粗盐、铁架台（带铁圈）、烧杯、漏斗、滤纸、玻璃棒、 酒精灯、蒸发皿、量筒、坩埚钳、托盘天平、钥匙 三、实验过程： 考号姓名考查日期年月日成绩 四川省2012 年普通高中学业水平考试化学学科实验操作考查试题（二）

萃取和分液 （20分钟内完成） 、实验目的： 1、学会分液漏斗的使用。 2、学会萃取和分液实验的基本操作。 、实验用品： 饱和碘水、CCl4、铁架台、铁圈、烧杯、分液漏斗、量筒（10mL ）。 三、实验过程： 考号姓名考查日期年月日成绩 四川省2012 年普通高中学业水平考试化学学科实验操作考查试题（三）

硫酸根离子的检验 （20分钟内完成） 一、实验目的：学习检验硫酸根离子的基本方法。 二、实验用品： Na2SO4 溶液、Na 2CO3 溶液、稀硫酸、稀盐酸、BaCl2溶液、试管、胶头滴管。 三、实验过程：

考号姓名考查日期年月日 四川省2012 年普通高中学业水平考试化学学科实验操作考查试题（四） NaHC3O受热分解 （20分钟内完成） 一、实验目的： 1．加深对NaHCO3 性质的认识。 2．会进行加热制取气体、检验二氧化碳等有关操作。 二、实验用品： NaHCO3 粉末、水、澄清石灰水，纸槽、烧杯、试管、铁架台（带铁夹）、酒精灯、火柴、带有导管的单孔橡皮塞、导管、药匙三、方法步骤

考号 姓名 考查日期 年 月 日 四川省 2012 年普通高中学业水平考试化学学科实验操作考查试题（五） 配制 0.5mol/L 的 NaCl 溶液 250mL （20分钟内完成） 、实验目的： 1、掌握容量瓶的使用方法。 2、掌握配制一定物质的量浓度溶液的方法。 、实验用品： NaCl （固体）、蒸馏水、试剂瓶、烧杯、容量瓶（ 250mL ）、胶头滴 管、量 筒、玻璃棒、药匙、滤纸、托盘天平 三、实验过程：

单晶培养.单晶生长原理及其常规方法

单晶的培养 物质的结构决定物质的物理化学性质和性能，同时物理化学性质和性能是物质结构的反映。只有充分了解物质结构，才能深入认识和理解物质的性能，才能更好地改进化合物和材料的性质与功能，设计出性能良好的新化合物和新材料。单晶结构分析可以提供一个化合物在固态中所有原子的精确空间位置、原子的连接形式、分子构象、准确的键长和键角等数据，从而为化学、材料科学和生命科学等研究提供广泛而重要的信息。X射线晶体结构分析的过程，从单晶培养开始，到晶体的挑选与安置，继而使用衍射仪测量衍射数据，再利用各种结构分析与数据拟合方法，进行晶体结构解析与结构精修，最后得到各种晶体结构的几何数据与结构图形等结果。要获得比较理想的衍射数据，首先必须获得质量好的单晶。衍射实验所需要单晶的培养，需要采用合适的方法，以获得质量好、尺寸合适的晶体。晶体的生长和质量主要依赖于晶核形成和生长的速率。如果晶核形成速率大于生长速率，就会形成大量的微晶，并容易出现晶体团聚。相反，太快的生长速率会引起晶体出现缺陷。以下是几种常用的有效的方法和一些实用的建议。 1.溶液中晶体的生长 从溶液中将化合物结晶出来，是单晶体生长的最常用的形式。它是通过冷却或蒸发化合物的饱和溶液，让化合物从溶液中结晶出来。这时最好采取各种必要的措施，使其缓慢冷却或蒸发，以期获得比较完美的晶体。因为晶体的生长和质量主要依赖于晶核形成和生长的速率。如果晶核形成速率大于生长速率，就会形成大量的微晶，并容易出现晶体团聚。相反，太快的生长速率会引起晶体出现缺陷。在实验中，通常注意以下几个方面: ①为了减少晶核成长位置的数目，最好使用干净、光滑的玻璃杯等容器。 ②应在非震动环境中，较高温度下进行结晶，因为较高温度条件下结晶可以减少化合物与不必要溶剂共结晶的几率，同时，必须注意，尽量不要让溶剂完全挥发。因为溶剂完全挥发后，容易导致晶体相互团聚或者沾染杂质，不利于获得纯相、质量优良的晶体。 ③可以尝试不同的溶剂，但应尽量避免使用氯仿和四氯化碳等含有重原子并且通常会在晶体中形成无序结构的溶剂。 2.界面扩散法 如果化合物有两种反应物反应生成，而两种反应物可以分别溶于不同(尤其是不太互溶的)溶剂中，可以用溶液界面扩散法(liuuiddi恤sion)。将A溶液小心的加到B溶液上，化学反应将在这两种溶液的接触面开始，晶体就可能在溶液界面附近产生。通常溶液慢慢扩散进另一种溶液时，会在界面附近产生好的晶体。如果结晶速率太快，可以利用凝胶体等方法，进一步降低扩散速率，以求结晶完美。 3.蒸汽扩散法 蒸汽扩散法(vapordi恤sion)的操作也很简单。选择两种对目标化合物溶解度不同的溶剂A和B，且A和B有一定的互溶性。把要结晶的化合物溶解在盛于

上虞晶盛(单晶炉)界面操作手册

． 全自动软件界面操作手册 REV. HXSC_A1.HA03 （TDR-95A/100A/100B-ZJS适用） 2010年06月 杭州慧翔电液技术开发有限公司HangZhou HuiXiang Electro-Hydraulic Technology Development Co.Ltd

目录 介绍.............................. ........................... ...................... ........ ............................. .. (3) 炉体控制.............................. .......................................... ........ ............................. .. (4) 晶体、坩埚提升运动控制界面..................................... ........ ............................. .. (5) 晶体、坩埚旋转运动控制界面..................................... ........ ............................. .. (5) 坩埚自动定位界面............. .......................................... ........ ............................. .. (6) 加热功率控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (6) 磁场电流设置界面............. .......................................... ........ ............................. .. (7) 等径闭环界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (7) 热场温度控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (7) 温度闭环参数设置界面..... .......................................... ........ ............................. .. (8) 热场温升控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (8) 液面温度控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (8) 生长控制界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (9) 坩埚跟踪控制界面............. .......................................... ........ ............................. .. (9) 压力控制界面..................... .......................................... ........ ............................. .. (10) 自动工艺选择..................... .......................................... ........ ............................. .. (10) 氩气、真空控制............. .......................................... ....... ..... ............................. .. (11) 曲线数据.............................. .......................................... ........ ............................. .. (12) 曲线数据选择............. .......................................... . (13) 工艺参数.............................. .......................................... ........ ............................. .. (14) 下载SOP说明............. .......................................... ........ ............................. (18) 辅助功能.............................. .......................................... ........ ............................. .. (19) 硅晶体重量长度计算........ . .......................................... ........ ............................. .. (19) 大气压力设定.................... . .......................................... ........ ............................. .. (20) 液面温度校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (20) 热场温度校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (21) 晶体、坩埚行程设置........ . .......................................... ........ ............................. .. (21) 晶体、坩埚位置设置........ . .......................................... ........ ............................. .. (22) 磁场零位校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (23) 日期时间校正.................... . .......................................... ........ ............................. .. (23) 系统参数.............................. .......................................... ........ ............................. .. (24) 注册.............................. . .......................................... ........ ............... ................... .. (24)

单晶炉具体操作步骤(精)

1、目的 为正确、规范地操作单晶炉,确保生产作业正常,特制订本规范。 2、适用范围 适用于 TDR-70A/B和 JRDL-800型单晶炉的操作。 3、单晶炉操作工艺流程 作业准备→ 热态检漏→ 取单晶和籽晶→ 石墨件取出冷却→ 真空过滤器清洗→ 真空泵油检查更换→ 石墨件清洗→ 单晶炉室清洗→ 石墨件安装→ 石英坩埚安装→ 硅料安装→ 籽晶安装→ 抽空、检漏→ 充氩气、升功率、熔料→ 引晶、缩颈、放肩、转肩→ 等径生长→ 收尾→ 降功率、停炉冷却 4、主要内容 A. 作业准备 a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。 b. 开炉前,按工艺要求检查水、电、气,确认无误后方能开炉。 c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。 d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。 e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车,并处理干净。 f. 用毛巾将炉体从上到下一遍, 擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏,并把炉子周围清扫干净。 B. 热态检漏

a. 检查上一炉功率关闭时间,在单晶冷却 4.0小时(TDR-70A/B型单晶炉、 5.0 小时(JRDL-800型单晶炉后,关闭氩气(只关闭氩气阀门,主、付室流量计调节阀打开并分别调节到 30L/Min,开始抽高真空,并作时间记录。 b. 待炉内压力到达极限(要求达到 3Pa 以下后,先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏,并作相应时间记录,若 0.5小时内抽不到 3Pa 以下时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。 c. 检漏要求 3分钟以上,漏气率 <0.34Pa/min为正常,同时作好漏气率记录, 若漏气率>0.34Pa/min时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。 C. 取单晶和籽晶 a. 热态检漏后,旋松付室小门 4个螺丝,打开氩气阀门充氩气至常压,关闭氩气,旋开付室小门 4个螺丝,打开付室小门。 b. 提升单晶至付室,从付室小门内确认单晶升至所需高度,若无异常,盖住翻板阀,打开液压泵,升起付室。 c. 把安全接盘移到炉筒口处,缓慢转动付室至侧面。 d. 把取单晶的架子放在付室炉筒正下方,准备接单晶。 e. 稳定单晶,移开安全接盘,按下籽晶快降,将单晶降入架子内。 f. 确认单晶完全入架子内后, 按住籽晶, 用钳子将籽晶从细径处钳断, 钳断籽晶后,应稳定重锤,防止重锤快速转动,损坏钢丝绳。 g. 将籽晶从重锤上取下,放在指定场所,再将重锤升至付室内适当位置。 h. 将单晶移到中转区,及时、准确的将单晶编号写在单晶上,待自然冷却后对单晶进行各项参数检测并作好记录。 D. 石墨件取出冷却

中考化学实验操作考试试题

中考化学实验操作考试试题 学校 ____________ 姓名 ____________ 考号 ____________ 题目(一) 制取一瓶二氧化碳气体、验满并试验其性质 实验用品：集气瓶、玻璃导管、胶皮管、试管、单孔橡皮塞、锥形瓶、长颈漏斗、毛玻璃片、镊子（或药匙）、稀盐酸、大理石（石灰石）、澄清石灰水、 考核教师签字_______________ 考核组长签字_______________ 2009年5月日 本溪市2009年中考化学实验操作考试试题学校 ____________ 姓名 ____________ 考号 ____________

题目(二) 配制溶质质量分数一定的溶液 实验用品：托盘天平、量筒、烧杯、玻璃棒、氯化钠、水、胶头滴管、药匙 考核教师签字_______________ 考核组长签字_______________ 2009年5月日 本溪市2009年中考化学实验操作考试试题学校 ____________ 姓名 ____________ 考号 ____________ 题目(三) 硫酸的性质 实验用品：石蕊试液、稀硫酸、氧化铜粉末、试管、试管夹、药匙、胶头滴管、酒精灯、纸槽、火柴

考核教师签字_______________ 考核组长签字_______________ 2009年5月日 本溪市2009年中考化学实验操作考试试题学校 ____________ 姓名 ____________ 考号 ____________ 题目（四）金属的性质 实验用品：试管、玻璃棒、药匙、铁架台、漏斗、烧杯、滤纸、铁片、铜片、稀硫酸、、硫酸铜溶液、氯化钠与铁粉的固体混合物

单晶材料生长方法

单晶薄膜制备方法 薄膜材料相对于块体材料来说，可以应用较小的原料而达到相应的性能要求；而且薄膜材料还具有许多优异的性能，使薄膜材料能够满足现在大型集成电路以及各种功能器件的要求，使器件向小型化、轻便化方向发展。单晶薄膜由于膜层内部缺陷少、而且具有一定尺度的膜层具有一定的量子限域效应，电子在其内部运动时会有许多独特的状态和方式，从而产生更优的性能，具有极其重要的应用价值和应用前景。鉴于单晶薄膜的种种优势，人们对其的研究也进行了许多年，各种单晶薄膜的制备技术被相继开发出来，当前生长和制备单晶薄膜的主要方法有：分子束外延（MBE）、金属有机物化学气相沉积（MOCVD）、脉冲激光沉积（PLD）、电子束沉积（EBD）和原子束沉积法（ABD）等。 一、分子束外延（MBE） 分子束外延是一种在超高真空条件下，将原料通过热蒸发等方式气化升华，并运动致衬底表面沉积形成薄膜的的方法。配合仪器自带的原位分析仪器（如RHEED等）可以精确控制膜层的成分和相结构。分子束外延存在生长膜层速度太慢的缺点，每秒钟大约生长一个原子层厚度，但可以精确控制膜层厚度。David 等【1】运用等离子体增强的分子束外延（PEMBE）方法直接在SiC衬底上制备了具有纤锌矿结构的、膜层质量较好的GaN单晶薄膜。由于GaN与SiC存在较大的晶格失配，以往的研究往往是预先在SiC表面制备AlN缓冲层，来减小晶格失配，得到单晶GaN膜层。生长过程中引入等离子体大大降低了由于晶格失配而极易出现的堆垛缺陷浓度，使得膜层质量有较大改善。Yefan Chen等【2】同样运用PEMBE在蓝宝石衬底上制备了单晶ZnO膜层，RHEED模式照片显示ZnO在蓝宝石衬底表面的外延生长是逐渐由二维生长转变为三维岛状模式生长的；且XRD分析表明ZnO沿（0001）方向择优生长；PL谱分析显示ZnO膜层内部的污染和本征缺陷浓度较低，晶体质量较好。 二、金属有机物化学气相沉积（MOCVD） 金属有机物化学气相沉积（MOCVD）主要用于Ⅱ—Ⅵ族和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体薄膜的制备，它是运用载气将金属有机化合物气体输运至衬底处，金属有机化合物在输运过程中发生热分解反应，在衬底表面发生反应并沉积形成薄膜的技术。该法具有沉积温度低、对衬底取向要求低、沉积过程中不存在刻蚀反应、可

初中生物实验操作考试试题

试题一练习使用显微镜 1、取镜和安放 右手握镜臂，左手托镜座，放在实验台上，略偏左；安装好物镜和目镜。 2、对光 转动转换器使低倍物镜对准通光孔，选择较大的光圈对准通光孔，左眼注视目镜，转动反光镜，使光线通过通光孔反射到镜筒内，直至在目镜内看到白亮的圆形视野。 3、观察 将玻片放在载物台上，用压片夹压住，移动载玻片，是汉字或英文字母位于通光孔的中央。转动粗准焦螺旋，使镜筒缓缓下降，直到物镜接近玻片标本为止（此时眼睛一定要看着物镜）。左眼向目镜内看，同时逆时针方向转动粗准焦螺旋，使镜筒缓缓上升直到看清物像为止。再略微转动细准焦螺旋，使看到的物像更加清晰。 4、收镜 实验完毕后取下载玻片，把显微镜的外表擦拭干净，取下目镜和物镜，放回镜盒内（或转动转换器，把两个物镜偏到两旁）；下降镜筒，将显微镜放进镜箱内，送回原处。 实验现象与结论： 1、视野中看到的汉字或英文字母与纸片上的有何不同？显微镜成像有什么特点？ 上--- e------ 显微镜成的是倒像，上下颠倒，左右颠倒。 2、物象的放大倍数如何确定？目镜放大倍数ⅹ物镜放大倍数 试题二观察人的口腔上皮细胞 （一）制作人的口腔上皮细胞的临时装片： 1、漱口 2、擦片：用洁净的纱布把载玻片和盖玻片擦试干净。 3、在载玻片的中央滴一滴生理盐水。 4、用消毒牙签在自己漱净的口腔内侧壁上轻轻地刮几下，牙签上会附着一些口腔上皮细胞。 5、把牙签上的口腔上皮细胞放在载玻片上的生理盐水中涂抹几下，盖上盖玻片。（用镊子夹起盖玻片，使它的一边先接触载玻片上的水滴，然后缓缓地盖在水滴上。注意避免盖玻片下面出现气泡。） 6、在盖玻片的一侧滴加稀碘液，用吸水纸从盖玻片的另一侧吸引，使染液浸润标本的全部。（二）观察 先用低倍物镜观察，看到扁平细胞后再换上高倍物镜，移动玻片标本寻找一个清晰、完整的细胞，从外到内辨认细胞的结构。 画图：画出人体口腔上皮细胞结构图。 试题三观察种子的结构 1、观察菜豆种子的结构 （1）取一粒浸软的菜豆种子，剥去种子最外面的一层薄皮---种皮，分开合拢的两片子叶，观察它的外形。 （2）用放大镜观察子叶、胚根、胚芽和胚轴，看看它们各有什么特点。 2、观察玉米的结构 （1）取一粒浸软的玉米种子，观察它的外形。 （2）用刀片将这粒玉米种子从中央纵向剖开，在剖面上滴一滴碘液，再用放大镜仔细观察

上虞晶盛单晶炉操作说明书

第一章单晶生长条件 设备要求 运行条件（以下以TDR-85A-ZJS 炉为例，其余炉型要求参照说明书） （1）冷却水要求 水压：炉子进出水压差要求介于2~3 公斤之间，真空泵进出水压差要求公斤以上； 炉子进水压力不可超过公斤，炉子上冷却水安全阀设置压力6 公斤；水流率：炉子和电源要求供水量不低于250 升每分钟，单独电源要求供水量不低于20 升每分钟；水温：推荐进水温度18~24oC，最大不超过25oC； 水质：弱碱性水，PH 值6~9；氯离子含量≤10ppm，碳酸钙含量≤50ppm；以纯净软水为好。 连接方式：进出水管与炉子之间采用软连接，防止震动传递到炉子。 （2）压缩空气要求 气压：≥7 公斤；推荐在压缩空气入口处使用压力调节器。 流率：≥升每秒； 汽缸容积：主真空球阀：2 升；辅助真空球阀：升。 （3）电力要求 相制：3 相AC380V(±10%)/50Hz； 功率：≥192KVA。 配电柜应装有500V、400V 的空气开关，和380V/400A的隔离开关。 （4）炉子真空要求空炉真空度：≤15mTorr；空炉泄漏 率：≤30mTorr/hr；带热场泄漏率：≤50mTo r r/hr。 （热场已经煅烧完全） 日常维护 （1）坩埚轴驱动部件的维护保养a、经常检查坩埚轴的冷却水是否通畅，避免冷却不充分而损坏坩埚轴； b、每个月对下轴丝杠至少清理一次，每次应先清理干净丝杠和导轨上的油污，加上适当（不可太多） 润滑油，然后上下快升降两次。 （2）提拉头的维护保养a、每次开炉后，检查钢丝绳是否损坏（包括变硬、缠松、有严重毛刺等），如有损坏，立即更换；b、钢丝绳在保管、使用、维修、安装过程中不能造成任何死弯角，否则在运行过程中会引起抖动。 （3）水冷系统的维护保养a、每次加热前检查水流量是否充足，确保所有水路没有堵塞，水温传感器运行正常；b、出现水温或水量报警要查找原因及时处理。 （4）翻板阀的维护保养每次装炉前检查阀口密封圈是否完好，翻板阀操作是否轻松、无卡滞，底部挥发物是否打扫干净，如发现问题应及时排除。 （5）真空系统的维护保养a、经常检查泵油，上下腔油均应浸过小观察窗一半。如上泵腔油不够，应及时补新油；下泵腔油不够，需关闭球阀，打开左侧阀门，使上泵腔油下到下泵腔，然后关闭阀门。注意右侧阀门保持常开；b、每次大清，先彻底放尽泵腔内的废油（用手慢慢拉动传动皮带，盘出下泵腔内的废油），然后打开上泵腔，清除干净沉淀油污。最后换上新油；c、每次拆炉时，拆开真空管道所有盲板和波纹管，彻底清扫管内的粉尘。

小学五年级科学实验操作考核试题

实验1 影子的观察 （考试时间：10分钟） 学校姓名考号 实验名称：影子的观察 实验目的：探究影子产生的条件，观察影子、光源、物体之间的关系。 实验用品：手电筒、长方体木快 实验步骤： 1.检查实验器材、用品，选用材料正确。（1分） 2.将木块放在桌面上，用手电筒从稍高于木块的不同角度方向照射物体（1分）。我们看到影子的形状（填“相同”或“不同”）（2分）。 3.用手电筒从木块的相同角度方向，并不断升高高度照射物体（1分）。我们看到影子的长短随着高度的升高而（填“变长”或“变短”）（2分）。 4.思考：人在太阳光的照射下，侧面对着阳光和正面对着阳光，影子的 不同；上午人在阳光下的影子比中午在阳光下的影子。（填“长”或“短”）（2分） 5.收拾整理器材。（1分）

实验2 照亮目标 （考试时间：10分钟） 学校姓名考号 实验名称：照亮目标 实验目的：探究光的反射 实验用品：手电筒、课本、镜子 实验步骤： 1.检查实验器材。（1分） 2.照图一那样，将课本放在桌面上，用手电筒从上往下照射课本。画出手电筒光的传播的路线。（2分）。 3.照图二那样，不改变手电筒的位置，把课本立起来，这时，怎样放置镜子，让手电筒的光照射到课本。画出手电筒光的传播的路线。（4分）。 4.不改变手电筒的位置，怎样让手电筒的光照射到课本后的小球。（2分） 5.收拾整理器材。（1分） （图一） （图二） （图三）

实验3 验证光的传播路线 （考试时间：10分钟） 学校姓名考号 实验名称：验证光的传播路线 实验目的：验证光是直线传播的 实验用品：手电筒（光源）、3张在同一位置打孔的长方形卡纸（孔的直径约1厘米）、3个夹子、空心弯管和直管。 实验步骤： 1.检查实验器材、用品，选用材料正确。（1分） 2.把这些卡纸分别用夹子夹住横立在桌上，每张卡纸之间间隔约15厘米，并排成整齐的一列，使卡纸的小孔在同一直线上。（2分） 3.把手电筒放置在离自己最近的卡纸前一定距离，让手电筒的光射进小孔。观察现象，并在（图一）中画出光前进的路线。（2分） （图一） 4.把第二张卡纸向左移动5厘米，同样用手电筒的光对准离自己最近的卡纸上的小孔，观察现象，并在（图二）中画出光前进的路线。（2分） （图二） 5.用手电筒分别从直管、弯管的一端向里照射。观察管的另一端有无光射出。（1分） 6.实验结论：光在空气中传播的路线是。（1分） 7.收拾整理器材。（1分）

直拉单晶炉操作规程

夏津县奥德新能源有限公司 直拉单晶炉操作规程 版本/修订0 文件编号：AD-ZY-DJ-07-2010 1 目的 为了使单晶制造厂直拉单晶炉操作工熟练掌握单晶炉，使生产正常运行。 2 适用范围 单晶制造厂所有单晶操作工。 3 内容 3.1 拆炉 3.1.1 准备 确认停炉冷却时间达5h，准备好钳子及取晶筐，向炉内充Ar气，确认炉内为常压时，副室门打开，关闭Ar 流量计启动液压，升起副室筒，稳住晶体轻推左旋副室，晶体筐对准副室筒口，按下晶快降速按钮。将晶体安全降入筐内，手扶籽晶夹头，用钳子将细颈处剪断，手扶夹头，待钢丝绳拧力全部消失后取籽晶，重锤升进副室内启动液压升起炉盖。左旋至副室筒下。 3.1.2 炉子清扫 3.1.2.1 戴好工作帽，口罩及专用手套，准备好酒精,吸尘器，无尘纸及放石墨件的不锈钢 车。 3.1.2.2 依次取出导流筒及上保温盖，先取掉热偶升起主炉室向右旋出，取出上保温筒石 英坩锅及埚底料，并放入到不锈钢桶内到指定的地方，锅底料应写清炉号及炉次。 注意：1：石墨件不能用手接触。 2：小心锋利的石英锅碎片和锅底料扎伤手指。 3：石英碎片和锅底料渣不要掉入轴波纹管及加热器缝隙内。 3.1.2.3 每炉必须在取下晶棒后及时清理过滤罐、过滤网， 3炉大清炉，每炉管道。 注意：清理过滤罐和管道，具有自燃的现象不能造成人生事故和将密封圈烧坏的 现象，所以拆除的地方必须用酒精擦净密封圈并装好。保证密封圈的完好。 3.1.2.4 戴好一次性手套，采取自上而下的原则，清扫副室筒及炉盖，用专用工具沾上酒 精，一圈一圈的仔细擦拭副炉筒。 注意：长棍不要和钢丝绳绕在一起，用纸巾沾上酒精擦炉盖顶上密封圈及翻板阀，密封圈并保证密封较进槽无误。 3.1.2.5 主炉清扫 戴好一次性手套用吸尘器与毛刷先刷净附着在主炉室的挥发物，吸净加热器托盘， 炉底。 注意：加热器电极螺丝是否松动，炉底排气孔是否畅通。用沾有酒精的纸巾把主 炉室及密封圈擦拭干净。 3.1.2.6 石墨件的清扫 吸净导流筒，保温罩，三瓣埚，用纸巾沾少量的酒精反复擦拭直至无污物。

单晶炉资料

CL系列单晶炉，属软轴提拉型，用直拉法生长无位错电路级、太阳能级单晶的设备。 此设备结构设计稳定，运行平稳，且有多项安全防护设施，质量流量及温度控制精确，整个晶体生长过程由高可靠的可编程计算机控制器（PCC）控制，并可实现全自动（CCD）控制，包括抽真空、熔化、引晶缩颈、放肩、等经生长和尾锥生长。 CL-90型设备提供一对电极，满足用户采用两温区加热的工艺要求。设备使用18寸或20寸的热系统，投料量60-90Kg，生长6″或8″的单晶体。 设备特点： 1、稳定的机架结构设计，增强了设备在晶体生长过程中的抗振动能力。 2、优化的液压提升机构确保副炉室提升和复位时的运动平稳性。 3、与主机分离的分水器设计，在减少冷却水振动对晶体生长的影响的同时优化了水路布局。 4、晶体和坩埚的提升采用双电机结构，保证稳定的低生长速度以及坩埚和籽晶的快速定位。 5、采用无振动的高性能马达和低噪声的减速器驱动晶体和坩埚上升，可提供稳定的低生长速度。 6、设备的真空条件和在真空下的可控惰性气体气流使得热区清洗最佳化。氧化硅可以在不污染晶体和晶体驱动装置的条件下排除。 7、带隔离阀的副室可以在热区保持工作温度的情况下，取出长成的晶体或者更换籽晶。 8、对惰性气体流量和炉室压力高精度的控制能力，为生长高品质单晶创造了条件。 9、炉盖和炉腔通过两个提升装置提升，很方便的转向一边快捷地清洗。 10、熔化温度通过对加热器温度的电控来维持和调节，加热电源采用直流供电提高了控制精度。高品质的加热器温度测量传感器实现了精确的温度控制。 12、整个晶体生长过程由一个高可靠的可编程计算机控制器（PCC）控制，包括抽真空、熔化、引晶缩颈、放肩、等经生长和尾锥生长，晶体生长全过程可实现全自动（CCD）控制：。 13、带有数据和报警过程控制的可视化软件，存储在计算机的硬盘中。可以显示过程变量随时 间变化的趋势图。

六年级小学科学实验操作考试试题1

实验名称：加热白糖（40分） 实验目标：了解物理变化、化学变化的特点。 实验器材：白糖、蜡烛、长柄金属匙1把。 实验过程： 一、学生能写出所有器材名称。领取齐全、拿取正确。实验材料选择齐全（5分） 二、加热白糖 1、观察白糖。（5分） 2、用长柄金属汤匙取一小勺白糖（1g左右），小心地移到蜡烛火焰上，慢慢加热，同时观察记录。（5分） 3、白糖刚好熔化没有变色时移开火焰观察这时的变化。（5分） 4、继续加热，至刚变色时观察白糖的变化。（5分） 5、加热结束后，熄灭蜡烛。（5分） 6、比较观察加热后的白糖与加热前的白糖。（5分） 实验结论：物质的变化有快有慢，只改变了物质的状态、大小等，是物理变化。产生了新的物质是化学变化。（5分） 实验名称：显微镜的结构与使用（60分） 实验要求：认识显微镜主要结构，能正确使用显微镜。 实验用品：显微镜，纱布，双子叶植物茎永久横切片（或自制的洋葱表皮装片）。 1、清点材料与用具。按材料清单清点材料用品是否齐全。（3分） 2、取放显微镜。右手握镜臂，左手托镜座，将显微镜放在实验台上，身体左前，距桌边7—15cm。要轻放、放稳。（5分） 3、任意抽测显微镜结构中的2个结构。镜座、镜柱、镜臂、镜筒、目镜、物镜、转换器、粗准焦螺旋、细准焦螺旋、载物台、通光孔、压片夹、遮光器、反光镜。(每个结构5分)共10分) 4、调光。 A、调高镜筒，转动转换器，将低倍物镜转到镜筒下（手推物镜旋转不得分）。选合适的光圈。（5分） B、左眼视镜同时右眼睁开。用手捏反光镜边缘（不得触及镜片）调反光镜。视野亮度适宜。（5分） 5、安放装片观察。 A、调节粗准焦螺旋将镜筒抬起，使低倍物镜离载物台大约2-3厘米。（5分） B、将载玻片放在载物台上，用压片夹压好将要观察的标本移至通光孔中央。（5分） C、头偏向一侧注视物镜,调节粗准焦螺旋，使镜筒缓缓下降至接近盖玻片。（5分） D、左眼视镜同时右眼睁开，用粗准焦螺旋找到要观察的标本移至视野中央。用细准焦螺旋调出清晰物像。(10分) 6, 将显微镜复原装箱放回原处。擦桌子。 A、用纱布擦拭干净显微镜的机械部分。（2分） B、把物镜偏转到通光孔的两侧，把镜筒降至最低。转动反光镜呈竖直方向。（3分） C、轻轻的将显微镜底座的前脚着地放入箱中，放回原处。擦拭桌面。（2分）

小学六年级科学实验操作考试试题完整版

小学六年级科学实验操 作考试试题 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】

六年级科学实验操作考试试题 试题1 探究蜡烛的变化 学校姓名准考证号 一、实验目的：探究蜡烛的变化 二、实验器材：蜡块、蜡烛、酒精灯、火柴、三角架、石棉网、蒸发皿、烧杯、白瓷碗、澄清石灰水 三、考试题单： 1、检查仪器设备 4、整理实验台，器材复位。 六年级科学实验操作考试试题

试题2 辨别物质的酸碱性 学校姓名准考证号 一、实验目的：辨别物质的酸碱性 二、实验器材：烧杯、滴管、紫甘蓝水、白醋、澄清石灰水、自来水 三、考试题单： 1、检查仪器设备 3、实验结论：像这样，能使紫甘蓝水变红的物质，叫做；像这样，能使紫甘蓝水变绿的物质，叫做；像紫甘蓝水这样的物质叫做。 4、整理实验台，器材复位。 六年级科学实验操作考试试题 试题3 探究冷暖变化对岩石的破坏作用

学校姓名准考证号 一、实验目的：探究冷暖变化对岩石的破坏作用 二、实验器材：酒精灯、火柴、水槽、水、小石块、坩埚钳 三、考试题单： 1、检查仪器设备 2、实验操作 4、整理实验台，器材复位。 六年级科学实验操作考试试题 试题4 探究能量的转换学校姓名准考证号 一、实验目的：探究能量的转换

二、实验器材：火柴、花生米、铁丝、暖水瓶软木塞（或橡皮泥）、三角架、石棉网、烧杯（水适量）、温度计 三、考试题单： 1、检查仪器设备 2、实验操作 4、整理实验台，器材复位。 六年级科学实验操作考试试题 试题5 探究瓶子吹泡泡的原因 学校姓名准考证号 一、实验目的：探究瓶子吹泡泡的原因 二、实验器材：雪碧瓶、橡皮泥、吸管、色素、热水、冷水、培养皿、小杯 三、考试题单： 1、检查仪器设备

单晶炉安全操作规范(2021新版)

When the lives of employees or national property are endangered, production activities are stopped to rectify and eliminate dangerous factors. （安全管理） 单位：___________________ 姓名：___________________ 日期：___________________ 单晶炉安全操作规范(2021新版)

单晶炉安全操作规范(2021新版)导语：生产有了安全保障，才能持续、稳定发展。生产活动中事故层出不穷，生产势必陷于混乱、甚至瘫痪状态。当生产与安全发生矛盾、危及职工生命或国家财产时，生产活动停下来整治、消除危险因素以后，生产形势会变得更好。"安全第一" 的提法，决非把安全摆到生产之上;忽视安全自然是一种错误。 1、开机安全检查 单晶炉开机、装料前，应对电气、机械、液压等部分进行检查，使单晶炉电极处于无电压输出，各机械传动安全可靠； 1）检查主加热器处于关闭状态（是否切断主回路的空开？）； 2）欧陆表输出设定为0； 3）上炉膛、炉盖、付室的机械联接部位螺丝无松动现象； 4）检查上、炉膛、炉盖付室的液压升降应正常； 2、装炉时安全事项 在开机检查正常情况下，可以装炉，同时在控制柜现眼位置悬挂禁止合闸警示牌； 3、抽真空安全事项 1）开真空泵前，应检查真空泵房，确保对应本设备的真空泵及管道处于无其他人员操作状态； 2）按真空泵操作规程正确操作；

3）抽真空过程中，应检查各环节的密封圈处于正常，应无脱落、装反等现象； 4）在单晶炉真空状态过程中，严禁用手或其他物品碰触或堵漏气处，以免造成人身或设备损害，如发现漏气，应按停炉恢复常压规程操作； 4、装炉、装料、拆炉、清炉、清理真空泵及真空管道过程的安全事项 1）按工艺操作规程进行正确操作； 2）必须在主加热器处于关闭状态、欧陆表输出设定为0的状态下操作； 3）在控制柜现眼位置悬挂禁止合闸警示牌； 4）禁止操作人员身体处于液压可升降部件如炉盖、炉膛下方，以免液压控制失灵造成人身伤害，如确需在上述部件下操作，必须设置足够强度和能保证足够安全空间的支撑部件来支撑因故障时升降部件的下坠而不致于伤及人身； 5）清理真空泵及真空管道时，必须在真空泵停止运行的状态下进行，在对应控制柜显眼位置处悬挂维修警示牌或禁止合闸警示牌，以防其他人员误开启真空泵，造成人身伤害；

单晶炉安全操作规范—【安全资料】.doc

单晶炉安全操作规范 1、开机安全检查 单晶炉开机、装料前，应对电气、机械、液压等部分进行检查，使单晶炉电极处于无电压输出，各机械传动安全可靠； 1）检查主加热器处于关闭状态（是否切断主回路的空开？）； 2）欧陆表输出设定为0； 3）上炉膛、炉盖、付室的机械联接部位螺丝无松动现象； 4）检查上、炉膛、炉盖付室的液压升降应正常； 2、装炉时安全事项 在开机检查正常情况下，可以装炉，同时在控制柜现眼位置悬挂禁止合闸警示牌； 3、抽真空安全事项 1）开真空泵前，应检查真空泵房，确保对应本设备的真空泵及管道处于无其他人员操作状态； 2）按真空泵操作规程正确操作； 3）抽真空过程中，应检查各环节的密封圈处于正常，应无脱落、装反等现象；4）在单晶炉真空状态过程中，严禁用手或其他物品碰触或堵漏气处，以免造成人身或设备损害，如发现漏气，应按停炉恢复常压规程操作； 4、装炉、装料、拆炉、清炉、清理真空泵及真空管道过程的安全事项 1）按工艺操作规程进行正确操作；

2）必须在主加热器处于关闭状态、欧陆表输出设定为0的状态下操作； 3）在控制柜现眼位置悬挂禁止合闸警示牌； 4）禁止操作人员身体处于液压可升降部件如炉盖、炉膛下方，以免液压控制失灵造成人身伤害，如确需在上述部件下操作，必须设置足够强度和能保证足够安全空间的支撑部件来支撑因故障时升降部件的下坠而不致于伤及人身；5）清理真空泵及真空管道时，必须在真空泵停止运行的状态下进行，在对应控制柜显眼位置处悬挂维修警示牌或禁止合闸警示牌，以防其他人员误开启真空泵，造成人身伤害； 6）炉体内清洁时，必须打开炉盖、上升上炉膛并偏移至合适位置，使操作人员操作空间处于敞开状态，避免操作人员处于缺氧环境状态下工作； 5、加热器加热过程安全事项 在上述检查准备工作就绪，且符合工艺操作规程的前提下，才能开启加热器。1）开启加热器前，必须检查冷却水路开启、水压正常，否则严禁开启加热器；2）开启加热器，必须缓慢增加输出电压或加热功率；严禁超功率或过电流运行； 3）在加热器工作过程中，如发现电极打火、过电流等现象或报警，应按直拉应急方案处置， 严禁强行升温； 4）如遇上述故障，应及时报修，由专职维修人员进行维修，严禁拉晶操作人员擅自修理； 6、单晶炉的维修维护安全事项 1）单晶炉在维修过程中，必须在显眼位置处悬挂维修警示牌；