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半导体物理复习归纳

半导体物理复习归纳
半导体物理复习归纳

一、半导体的电子状态

1、金刚石结构(Si、Ge)

Si、Ge原子组成,正四面体结构,由两个面心立方沿空间对角线互相平移1/4个空间对角线长度套构而成。由相同原子构成的复式格子。

2、闪锌矿结构(GaAs)

3-5族化合物分子构成,与金刚石结构类似,由两类原子各自形成的面心立方沿空间对角线相互平移1/4个空间对角线长度套构而成。由共价键结合,有一定离子键。由不同原子构成的复式格子。

3、纤锌矿结构(ZnS)

与闪锌矿结构类似,以正四面体结构为基础,具有六方对称性,由两类原子各自组成的六方排列的双原子层堆积而成。是共价化合物,但具有离子性,且离子性占优。

4、氯化钠结构(NaCl)

沿棱方向平移1/2,形成的复式格子。

5、原子能级与晶体能带

原子组成晶体时,由于原子间距非常小,于是电子可以在整个晶体中做共有化运动,导致能级劈裂形成能带。

6、脱离共价键所需的最低能量就是禁带宽度。价带上的电子激发为准自由电子,即价带电子激发为导带电子的过程,称为本征激发。

7、有效质量的意义

a.有效质量概括了半导体内部势场的作用(有效质量为负说明晶格对粒子做负功)

b.有效质量可以直接由实验测定

c.有效质量与能量函数对于k的二次微商成反比。能带越窄,二次微商越小,有效质量越大。

8、测量有效质量的方法

回旋共振。当交变电磁场角频率等于回旋频率时,就可以发生共振吸收。测出共振吸收时电磁波的角频率和磁感应强度,就可以算出有效质量。为能观测出明显的共振吸收峰,要求样品纯度较高,且实验要在低温下进行。

9、空穴

价带中空着的状态被看成带正电的粒子,称为空穴。这是一种假想的粒子,其带正电荷+q,而且具有正的有效质量m p*。

10、轻/重空穴

重空穴:有效质量较大的空穴

轻空穴:有效质量较小的空穴

11、间接带隙半导体

导带底和价带顶处于不同k值的半导体。

二、半导体中的杂质和缺陷能级

1、晶胞空间体积计算

Si晶胞中有8个硅原子,每个原子看做半径为r的圆球,则8个原子占晶胞空间的百分数:立方体某顶角的圆球中心与距此顶角1/4体对角线长度处的圆球中心间的距离为2r,且等于

边长为a的立方体体对角线长(a3)的1/4。

2、杂质类型

间隙式:原子较小,存在于晶格原子间的间隙位置

替位式:原子大小及价电子壳层结构与晶格原子相近,取代晶格原子而位于晶格格点处(3、5族元素属于替位式)

3、杂质能级

被施主/受主杂质束缚的电子/空穴的能量状态称为施主E D/受主E A能级,位于离导带/价带很近的禁带中。电子/空穴挣脱杂质束缚成为导电粒子所需的能量称为杂质电离能。杂质电离能小的杂质能级很接近导带底/价带顶,称为浅能级,在室温下就几乎全部离化。

4、杂质补偿

施主、受主杂质间的相互抵消作用称为杂质补偿。高度补偿的半导体虽然导电性类似高纯半导体,但实际性能很差。

5、深能级杂质

施主杂质能级距离导带底、受主杂质能级距离价带顶很远的能级称为深能级。深能级杂质能够多次电离,往往在禁带引入若干个能级。有的杂质既能引入施主能级,又能引入受主能级。深能级杂质对载流子浓度和导电类型的影响没有浅能级杂质显著,但对于载流子复合作用比浅能级杂质强,故也称为复合中心。

6、缺陷

点缺陷、位错

三、载流子统计分布

1、热平衡

载流子产生:

本征激发(电子从晶格获取能量从价带跃迁到导带形成导带电子和价带空穴)

杂质电离(电子从施主能级跃迁到导带产生导带电子,从价带跃迁到受主能级产生价带空穴)载流子复合:电子从高能量量子态跃迁到低能量量子态,并向晶格放出能量。

载流子产生与复合达到动态平衡,称为热平衡,此时导电的电子与空穴浓度均保持稳定。

2、获得热平衡载流子浓度的思路:

A.允许的量子态按能量如何分布——状态密度

B.电子在允许的量子态中如何分布——分布函数

3、状态密度

状态密度g(E)是能带中,能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。电子/空穴能量越高,状态密度越大。

计算步骤:

A.算出k空间中的量子态密度(量子态数除以k空间体积)

在k空间中坐标是2π/L(L是k半导体晶体线度,L3等于晶体体积)的整数倍,每个单位立方体中有1个量子态(计入电子自旋则为2个量子态)

B.算出k空间中与能量E~(E+dE)间所对应的k空间体积

等能球面的球壳体积4πk2dk

C.两者相乘即为能量E~(E+dE)间的量子态数

D.g(E)=dZ/dE,由E-k关系化简得

4、费米分布

电子占据费米能级的概率在各种温度下总是1/2。费米能级标志了电子填充能级的水平。

5、玻尔兹曼分布

6、热平衡条件

7、杂质能级与能带中的能级有区别:能带中的能级可以容纳自旋方向相反的两个电子,而施主能级不允许同时被自旋方向相反的两个电子占据(要么容纳一个,要么空着)。

8、费米能级远在施主能级下时施主杂质几乎完全电离,费米能级远在受主能级上时受主杂质几乎完全电离。(简并。重掺杂时费米能级很靠近甚至进入导带/价带)

9、载流子浓度随温度变化

A.低温弱电离区:杂质少量电离,本征激发可忽略。该段E F随温度先上升再下降,在温度上升到使N C=0.11N D时E F达到极值。杂质浓度越高,达到极值的温度越高。

B.中间电离区

C.强电离区(饱和区):杂质几乎完全电离。载流子浓度随温度保持不变。

D.过渡区

E.本征激发区

10、费米能级随温度及杂质浓度变化

11、简并半导体

重掺杂情况下,费米能级进入导带(或价带)的情况。此时必须考虑泡利不相容原理,因而不能再使用玻尔兹曼分布,必须使用费米分布。发生简并时的杂质浓度与杂质电离能△E D (掺杂类型)和温度T有关。△E D越小,则发生简并的杂质浓度较小时。发生简并化有一个温度范围,杂质浓度越大,发生简并的温度范围越宽。

12、禁带变窄效应

简并半导体中,杂质浓度高,杂质原子相互间比较靠近,导致孤立的杂质能级扩展为杂质能带。这会使杂质电离能减小。当杂质能带与导带或价带相连,将使禁带宽度变窄。

杂质能带中的电子在杂质原子间做共有化运动参与导电,称为杂质带导电。

13、载流子冻析效应

温度低于100K时,施主杂质部分电离,尚有部分载流子被冻析在杂质能级上,对导电没有贡献,这称为低温载流子冻析效应。

四、导电性

1、迁移率

表示单位场强下电子的平均漂移速率,习惯上迁移率只取正值。

2、连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由程,平均时间称为平均自由时间。

3、载流子在外电场作用下的实际运动轨迹是热运动和漂移运动的叠加。

4、恒定电场下,电流密度恒定。

5、主要散射机制

A.电离杂质散射:

散射概率Pi∝Ni*T - 3/2

B.晶格振动散射

晶格中原子的振动都是由若干不同基本波叠加,这些基本波称为格波。

对于Si等半导体,原胞中有2个原子,对应每个q有6个格波(1个原子对应每个q有一纵两横),频率最低的3个是声学波,频率最高的3个是光学波。晶格振动散射起主要作用的是长纵声学波。Ps∝T 3/2

6、迁移率随温度和杂质浓度变化

五、非平衡载流子

1、外界作用破坏了热平衡状态,此时比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。

2、小注入条件:注入的非平衡载流子浓度比平衡时多子浓度小的多。

3、非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命,寿命的倒数称为单位时间内非平衡载流子的复合概率。单位时间单位体积内净复合的电子空穴对数称为复合率。寿命标志着非平衡载流子浓度减少到原值的1/e所经历的时间。

4、非平衡时导带和价带分别处于平衡状态,而导带和价带间处于不平衡状态。于是引入导带费米能级和价带费米能级,它们都是局部的费米能级,称为准费米能级。非平衡载流子越多,准费米能级偏离费米能级越远。在非平衡态,多子的准费米能级与费米能级相差不远,而少子的准费米能级与费米能级相差较远。两者靠的越近,说明越接近平衡态。

5、复合

按复合过程分为:

直接复合:电子在导带和价带间直接跃迁,引起电子空穴复合

间接复合:电子和空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合

按复合位置分为:表面复合和体内复合

复合时会放出能量,发射光子或者发射声子或者将能量给其他载流子增加它们的动能(俄歇复合)。

6、直接复合

禁带越宽,直接复合概率越小

产生率基本不变,且等于热平衡时的复合率G=rn0p0,而复合率R=rnp,故非平衡载流子净复合率U=R-G=r(np-ni2)。其中r是平均电子空穴复合概率。

7、间接复合

杂质和缺陷在禁带中形成能级,对复合有促进作用

位于禁带中央附近的深能级是最有效的复合中心。

8、表面复合

大多数期间总是希望获得良好的表面,以尽量降低表面复合速度,然而另一方面,在某些物理测量中,为了消除金属探针注入效应的影响,却要设法增大表面复合。

9、陷阱效应

杂质能级具有积累非平衡载流子的作用,称为陷阱效应。所有杂质能级都有一定陷阱效应。有显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱,相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。

复合中心:俘获电子和空穴的能力差不多,rp=rn,无显著陷阱效应。

电子陷阱:rn>>rp

空穴陷阱:rp>>rn

杂质能级与平衡时费米能级重合时最有利于陷阱作用。

陷阱的存在大大增加了从非平衡态恢复到平衡态的弛豫时间。

陷阱效应对多子不明显,对少子明显。

六、金半接触

1、表面态对接触势垒的影响

表面处的禁带存在表面态。

施主型表面态:能级被电子占据时呈电中性,释放电子后显正电。要保证这个表面态电中性,就需要他在中性能级以下。

受主型表面态:能级空着时显电中性,接收电子后显负电。中性能级以上。

中性能级:电子正好填满中性能级以下所有表面态时,表面显电中性。距离价带顶Eg/3处。

2、表面态密度很大,只要EF比中性能级高一点,在表面态就会累积很多负电荷(对电子而言是势垒),由于能带向上弯,表面处EF很接近中性能级,势垒高度就等于原来费米能级和中性能级之差,这时势垒高度称为被高表面态密度钉扎,半导体费米能级几乎不随金属改变而改变,只与表面性质有关,即屏蔽金属接触的影响。(费米能级钉扎效应)因此,Wm

3、整流接触

正偏:势垒高度降低,半导体到金属的电子数增加且大于金属到半导体的电子,形成金属到半导体的正向电流,由n型半导体中多子构成。外加电压越高,正向电流越大。

反偏:势垒高度增加,半导体到金属的电子数减少且小于金属到半导体的电子,形成半导体到金属的反向电流,由于金属中的电子要越过相当高的势垒(金半功函数差)才能到达半导体,所以反向电流很小。且由于该势垒高度不随外加电压变化,所以金属到半导体的电子数保持不变,而半导体到金属的电子数减小到忽略不计,反向电流趋于饱和。

4、肖特基势垒二极管

利用金半整流接触特性制成的二极管称为肖特基二极管。

优点:多子器件,无论正偏反偏其载流子都不发生明显累积,开关特性好,适合高频。肖特基二极管具有较低的正向导通电压。

5、金属探针与半导体接触测量半导体电阻率时要避免少子注入,为此需要增加表面复合。

6、欧姆接触

非整流接触,即表面处形成势阱(n型能带在表面下弯,p型能带在表面上弯)。

不考虑表面态的影响时WmWs的p型半导体。

实际上,Si等半导体一般具有很高的表面态密度,无论n型还是p型与金属接触都会形成势垒,因此不能采取选择金属材料(改变功函数差)的方法来实现欧姆接触。但是可以通过采取在半导体表面重掺杂后再与金属接触,利用隧道效应得到欧姆接触。

七、MIS结构

1、表面态对应的能级叫做表面能级。

2、晶格表面最外层每个原子都有一个未配对的电子,即有一个未饱和的键,称为悬挂键。

3、理想表面指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同,且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。

4、表面场效应

堆积、耗尽、反型

空间电荷层内的电荷由反型层的载流子和耗尽层的电离杂质组成。

5、Q-V特性

6、深耗尽状态(CCD工作基础)

当表面电场幅度较大,变化快(如脉冲阶跃正电压)

少子产生速率跟不上电压变化,反型层来不及产生,为了维持电中性,耗尽层向半导体体内深处延伸,产生大量电离杂质。(深耗尽状态)

此时耗尽层宽度远大于Xdm,且随Vg幅度增大而增大。

热弛豫时间:从初始的深耗尽状态到热平衡反型层状态所经历的时间。即耗尽层宽度减小到Xdm的时间。(反型层的建立时间并非很快,1~100s)

7、C-V特性

八、异质结

1、异质结的优点:高迁移率、高辐射复合效率,适宜制作超高速开关、太阳能电池、半导体激光器。

2、异质结:同型(导电类型相同)、反型(导电类型相反)

3、反型异质结:交界面两侧都是耗尽层

4、同型异质结:交界面一侧是耗尽层,另一侧是积累层(禁带宽度小的一侧是阱,大的一侧是垒)

5、二维电子气:半导体的载流子主要来自杂质电离,然而载流子会与电离后的杂质发生碰撞散射,而降低其行动能力。在某些异质结中,高掺杂宽禁带区中杂质提供的电子会掉到中间势阱层,称为二维电子气,这种异质结称为调制掺杂异质结。因为在空间上电子与杂质分开,电子的行动不会因与杂质碰撞而受限制,所以迁移率大大提高,这是高速器件的基本要素。(高载流子浓度、高迁移率)

6、异质pn结高注入特性

高注入比,作发射区可获得高的注入比和发射效率。使基区厚度大大减薄,改善高频特性。

7、异质pn结超注入

宽禁带半导体注入到窄禁带半导体的少子浓度超过宽禁带半导体的多子浓度。

P区少子准费米能级上升到可与n区多子准费米能级持平,并且更接近导带底,所以电子浓度高于n区。实现异质结激光器。

8、超晶格

交替生长两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构,而其薄层厚度的周期小于电子的平均自由程。

九、光电、热电效应

1、对于吸收系数很大的情况下,光的吸收集中在晶体很薄的表面层。

2、渗入深度:光子流衰减为表面处1/e时的距离。

3、直接跃迁:电子吸收光子产生跃迁时波失保持不变

4、间接跃迁:电子不仅吸收光子,同时还与晶格交换了一定能量。

5、间接跃迁的光吸收系数比直接跃迁小很多。

6、光电二极管:光生电压相当于正偏,产生一定正向电流

7、发光二极管:正偏,少子注入,与多子复合发光

8、热电效应:

温差生成电势差(赛贝克),原因:温生浓度差,冷热端扩散。P型热端电势低。

电势差生成温差(帕尔贴),原因:电子运动

最新大学毕业班班级工作总结

最新大学毕业班班级工作总结 大学毕业班班级工作总结篇一 大学毕业班班主任工作总结今年已是大四,学生马上就要毕业了。毕业班学生工作是高校学生工作的重点,在竞争压力和就业压力日益增大的今天,这个问题更加突出。毕业班学生在政治思想、学习、就业等方面表现出与其他年级学生明显不同的特征。作为毕业班班主任,指导学生顺利毕业,协助其他教师作好班主任工作,是毕业班班主任的重要职责。以下我对这一年来的班级工作进行总结。 一、继续加强学生思想稳定工作从心理上讲,毕业班学生经过几年的大学生活,已经初步形成自己的人生观、价值观,并且逐步走向成熟,但是也经常表现出过分的成熟,比如,以老大自居,从学习,工作中以过来人身份对低年学生进行不利引导等。这些不良倾向需要加强引导。作为毕业班的学生,最大的问题是学生的思想政治稳定工作。部分学生表现为狂妄、自卑、不愿意合作、作风散漫等问题。针对这些问题,我站在学生的角度,除了主题班会以外,还深入学生,找个人聊天,来解决他们的实际问题。关键的一条是让他们放下这种心理:反正我也要毕业了,学校对我们有特殊政策。其实,毕业生不是特殊人群,如果说特殊的话,也在于自己的责任比别的年纪的学生更大,如何作好表率才是自己特殊的地方,放下毕业班学生的架子,是作好毕业班学生工作的前提。 另外,对于毕业班学生的思想政治工作,要常抓不懈,不能

掉以轻心,否则,学生一旦形成某些惰性,就不容易改变。应积极引导学生关注政治、关注社会、关注学习,关注生活,如果整个班级处于一个积极向上的班风,就会减少一些不必要的麻烦。此外,我还做好毕业班党员干部的思想政治工作,让他们在学生中树立形象,做好表率,充当班主任老师的左右手,积极做好班级工作。 二、狠抓学习,增强学生的成就感刚入学的时候,如果学生对专业不熟悉,不了解是正常的。 通过几年的学习,学生对于专业有了比较全面的学习和了解后,学生才会更加喜爱自己的专业。由1 于上学期期末考试结束较早,鼓励学生出去实习,激发学生学习积极性,增强学生的成就感。 毕业学年,学生通常会出现学习的两极分化现象。一部分学生选择考研。对于这部分学生,我积极鼓励学生考研深造,这样做不仅对现有的学风起到一个很好的促进作用,而且一旦形成良性循环,对专业的发展,榜样的树立,优良学习传统,的建立等都是有利的。我还积极创造各种条件,为考研学生在学习环境、资料收集、争取时间方面做好指导与引导工作。另一部分学生是没有考研,打算直接就业。事实上,这部分学生并不是不求上进,而是没有作好积极的引导。他们还是有着强烈的学习欲望的,只是学习的重点在于社会知识、就业知识,甚至是为未来的工作积极考证,增加自己的就业筹码。 所以,鼓励学生积极考研或考证,增强自己的实力与资本,三、做好学生就业指导工作,为学生减轻压力部分高校教师认为,毕业

小学毕业班语文教学工作总结

小学毕业班语文教学工作总结 作为毕业班的语文教师兼班主任,在学生毕业之际,静下心来,反思一年工作的得失,将本期语文教学作如下总结: 一、重视夯实基础知识 “教学质量是学校教育的出发点和归宿”。只有夯实基础,学生的语文成绩才能得到充分的体现。虽然已经是六年级的学生了,语文的基础知识和基本技能依旧不能忽视。这个学期,我要求学生从把字写认真、清楚开始做起,平时加强了生字和新词的默写。其次,分阶段、分内容注重了对语文基础的回顾和复习。此外,对于语文的作业,要求上课专心,不懂多问,力求掌握于课内。在充分了解、分析学生的基础上,因材施教,精讲精练不断提高学生的基础知识和基本技能。 二、做好学习方法的指导 俗话说,“磨刀不误砍柴功”。最重要的学习莫过于方法的学习。首先,我认为成功的教学方法除了抓好课堂教学、

课后反馈和复习以外,课前的预习也是很重要的。因此,我强调学生的预习习惯的养成,平时,常亲自抓学生的预习情况。其次,我强调上课专心听讲,每人必须准备一本课堂笔记本,课堂上做好笔记,及时对知识进行巩固,然后还要及时复习。再者,重视指导学生一天学习的回顾。还要督促学生坚持,因此,我要求小组长每天检查同学的上述“工作”情况。 三、努力创建高效课堂 1、创设平等的民主氛围,将师生活动建立在友好、亲切、和谐的氛围之中。鼓励学生大胆地提出不同的观点及疑惑,增强自信心,这样相应地提高学生独立分析、解决问题的能力。 2、倡导平等参与课堂教学的双边活动。课堂上的教授过程由明到隐,特别是在感受新知识后的问题探究阶段,更应该让学生仁者见仁,智者见智地主动学习,使学生的主体意识充分地体现出来。 3、教法设计尽量做到灵活多样,来引发学生的兴趣,

半导体器件物理_复习重点

第一章 PN结 1.1 PN结是怎么形成的? 耗尽区:正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷,所以该区也称为耗尽区。 空间电荷边缘存在多子浓度梯度,多数载流子便受到了一个扩散力。在热平衡状态下,电场力与扩散力相互平衡。 p型半导体和n型半导体接触面形成pn结,p区中有大量空穴流向n区并留下负离子,n区中有大量电子流向p区并留下正离子(这部分叫做载流子的扩散),正负离子形成的电场叫做空间电荷区,正离子阻碍电子流走,负离子阻碍空穴流走(这部分叫做载流子的漂移),载流子的扩散与漂移达到动态平衡,所以pn 结不加电压下呈电中性。 1.2 PN结的能带图(平衡和偏压) 无外加偏压,处于热平衡状态下,费米能级处处相等且恒定不变。 1.3 内建电势差计算 N区导带电子试图进入p区导带时遇到了一个势垒,这个势垒称为内建电势差。

1.4 空间电荷区的宽度计算 n d p a x N x N = 1.5 PN 结电容的计算 第二章 PN 结二极管 2.1理想PN 结电流模型是什么? 势垒维持了热平衡。 反偏:n 区相对于p 区电势为正,所以n 区内的费米能级低于p 区内的费米能级,势垒变得更高,阻止了电子与空穴的流动,因此pn 结上基本没有电流流动。 正偏:p 区相对于n 区电势为正,所以p 区内的费米能级低于n 区内的费米能级,势垒变得更低,电场变低了,所以电子与空穴不能分别滞留在n 区与p 区,所以pn 结内就形成了一股由n 区到p 区的电子和p

区到n 区的空穴。电荷的流动在pn 结内形成了一股电流。 过剩少子电子:正偏电压降低了势垒,这样就使得n 区内的多子可以穿过耗尽区而注入到p 区内,注入的电子增加了p 区少子电子的浓度。 2.2 少数载流子分布(边界条件和近似分布) 2.3 理想PN 结电流 ?? ????-??? ??=1exp kT eV J J a s ?? ? ? ? ?+=+= 0020 11p p d n n a i n p n p n p s D N D N en L n eD L p eD J ττ 2.4 PN 结二极管的等效电路(扩散电阻和扩散电容的概念)? 扩散电阻:在二极管外加直流正偏电压,再在直流上加一个小的低频正弦电压,则直流之上就产生了个叠加小信号正弦电流,正弦电压与正弦电流就产生了个增量电阻,即扩散电阻。 扩散电容:在直流电压上加一个很小的交流电压,随着外加正偏电压的改变,穿过空间电荷区注入到n 区内的空穴数量也发生了变化。P 区内的少子电子浓度也经历了同样的过程,n 区内的空穴与p 区内的电子充放电过程产生了电容,即扩散电容。

毕业总结-2017毕业班工作总结4篇

2017毕业班工作总结4篇 一、近三年中考取得成绩及备考主要做法 近三年来,在上级领导的正确领导下,在学校领导班子的精心指导下,全体师生奋力拚搏,九年毕业班取得了较好的成绩。 xx年中考,报考人数579人,普通高中生源输送237人,中职生源输送342人,共579人,完成率100%,其中考 上普宁二中6人、华侨中学15人。全市五千名内,我校有33人。 xx年中考,报考人数707人,放榜录取604人,录取 率高达85.3%,其中考上普宁二中10人、华侨中学19人。全 市五千名内,我校有34人,一万名内98人。 xx年中考,城报考人数607人,放榜录取539人,录 取率高达88.6%,其中考上普宁二中13人、华侨中学16人。 全市五千名内,我校有32人,一万名内101人。 教学质量一年比一年提高,中考成绩一年比一年进步。 下面是我校中考备考的主要做法 (一)全校性备考 ①强化轮教互听制度。要求教师每学期听课不少于16节。组织优质课示范教学,为教师进行课堂教学改革提供学习、参考模式、有效推动教学改革。

②强化“反思”制度。要求教师教完一节课、学生考完一次试或开展一次活动,教师都要做好反思记录,积累教学材料,也便于及时调整、总结。 ③强化集体备课制度。每周的星期三第七节作为各备课集体备课的时间,备课组长主持,总结近期教学情况,布置下周教学工作。根据杜朗口经验,撰写集体教案,帮助教师转轨,利于创新。 ④采取分层教育、精讲多练多检查的方法。课堂上教师根据不同层次学生讲不同难度的题型,布置不同难度的习题,使不同层次的学生都学有所得。利用课余时间培优转差,全面提高学生的成绩。 xx年七八年素质测评、中考5000名内和10000名内优 秀生都有新的突破。 (二)九年级备考 ①充分利用时间,加强实质演练。在九年第一学期,提前授完课程并提前授第二学期至少两个单元的课程;第二学期授完课程后,加强实质演练,进行4次练兵。严格按中考要求规范安排,七八年教师参与监考,采用兄弟学校高素质试题,强化训练。 ②增强班科任、学生的沟通疏导。多场次召开班主任、科任、学生代表会议,交流信息,疏导压力、动力。营造良好的学习氛围,挖掘学生潜能,充分调动学生以积极的心态备战中考。

【最新】毕业班教学工作总结范文

【最新】毕业班教学工作总结范文 一.近三年中考取得成绩及备考主要做法 近三年来,在上级领导的正确领导下,在学校领导班子的精心指导下,全体师生奋力拚搏,九年毕业班取得了较好的成绩. __年中考,报考人数579人,普通高中生源输送237人,中职生源输送342人,共579人,完成率100%,其中考上普宁二中6人.华侨中学_人.全市五千名内,我校有33人. __年中考,报考人数7_人,放榜录取6_人,录取率高达85.3%,其中考上普宁二中10人.华侨中学_人.全市五千名内,我校有34人,一万名内98人. __年中考,城报考人数6_人,放榜录取539人,录取率高达88.6%,其中考上普宁二中_人.华侨中学_人.全市五千名内,我校有32人,一万名内1_人. 教学质量一年比一年提高,中考成绩一年比一年进步. 下面是我校中考备考的主要做法 (一)全校性备考

①强化轮教互听制度.要求教师每学期听课不少于_节.组织优质课示范教学,为教师进行课堂教学改革提供学习.参考模式.有效推动教学改革. ②强化〝反思〞制度.要求教师教完一节课.学生考完一次试或开展一次活动,教师都要做好反思记录,积累教学材料,也便于及时调整.总结. ③强化集体备课制度.每周的星期三第七节作为各备课集体备课的时间,备课组长主持,总结近期教学情况,布置下周教学工作.根据杜朗口经验,撰写集体教案,帮助教师转轨,利于创新. ④采取分层教育.精讲多练多检查的方法.课堂上教师根据不同层次学生讲不同难度的题型,布置不同难度的习题,使不同层次的学生都学有所得.利用课余时间培优转差,全面提高学生的成绩. __年七八年素质测评.中考5000名内和10000名内优秀生都有新的突破. (二)九年级备考 ①充分利用时间,加强实质演练.在九年第一学期,提前授完课程并提前授第二学期至少两个单元的课程;第二学期授完课程后,加强实质演练,进行4次练兵.严格按中考要求规范安排,七八年教师参与监考,采用兄弟学校高素质试题,强化

大学物理物理知识点总结!!!!!!word版本

B r ? A r B r y r ? 第一章质点运动学主要内容 一. 描述运动的物理量 1. 位矢、位移和路程 由坐标原点到质点所在位置的矢量r 称为位矢 位矢r xi yj =+,大小 2r r x y ==+运动方程 ()r r t = 运动方程的分量形式() ()x x t y y t =???=?? 位移是描述质点的位置变化的物理量 △t 时间内由起点指向终点的矢量B A r r r xi yj =-=?+?△,2r x =?+△路程是△t 时间内质点运动轨迹长度s ?是标量。 明确r ?、r ?、s ?的含义(?≠?≠?r r s ) 2. 速度(描述物体运动快慢和方向的物理量) 平均速度 x y r x y i j i j t t t 瞬时速度(速度) t 0r dr v lim t dt ?→?== ?(速度方向是曲线切线方向) j v i v j dt dy i dt dx dt r d v y x +=+==,2222y x v v dt dy dt dx dt r d v +=??? ??+??? ??== ds dr dt dt = 速度的大小称速率。 3. 加速度(是描述速度变化快慢的物理量) 平均加速度v a t ?=? 瞬时加速度(加速度) 220lim t d d r a t dt dt υυ→?===?△ a 方向指向曲线凹向j dt y d i dt x d j dt dv i dt dv dt v d a y x 2222+=+== 2 2222222 2 2???? ??+???? ??=? ?? ? ??+??? ??=+=dt y d dt x d dt dv dt dv a a a y x y x 二.抛体运动

半导体器件物理复习题

半导体器件物理复习题 一. 平衡半导体: 概念题: 1. 平衡半导体的特征(或称谓平衡半导体的定义) 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体,是指无外界(如电压、电场、磁场或温度梯度等)作用影响的半导体。在这种情况下,材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体: 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主(杂质)原子: 形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(一般为元素周期表中的Ⅲ族元素)。 4. 施主(杂质)原子: 形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(一般为元素周期表中的Ⅴ族元素)。 5. 杂质补偿半导体: 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体: 对N 型掺杂的半导体而言,电子浓度大于导带的有效状态密度, 费米能级高于导带底(0F c E E ->);对P 型掺杂的半导体而言,空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶(0F v E E -<)。

7. 有效状态密度: 在导带能量范围( ~c E ∞ )内,对导带量子态密度函数 导带中电子的有效状态密度。 在价带能量范围( ~v E -∞) 内,对价带量子态密度函数 8. 以导带底能量c E 为参考,导带中的平衡电子浓度: 其含义是:导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v E 为参考,价带中的平衡空穴浓度: 其含义是:价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10.

11. 12. 13. 14. 本征费米能级Fi E : 是本征半导体的费米能级;本征半导体费米能级的位置位于禁带 带宽度g c v E E E =-。? 15. 本征载流子浓度i n : 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度 00i n p n ==。硅半导体,在300T K =时,1031.510i n cm -=?。 16. 杂质完全电离状态: 当温度高于某个温度时,掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质;掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质,称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态: 在绝对零度时,半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时,半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征: 本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近,且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等,那么本征半导体费米能级

2020年毕业班工作总结4篇

2020年毕业班工作总结4篇 一、近三年中考获得问题及备考首要做法 近三年来,在下级向导的精确领导下,在学校领导班子的经心指导下,全部师生奋力拚搏,九年毕业班取得了较好的问题。 xx年中考,报考人数579人,一般高中生源运送237人,中职生源运送342人,共579人,完成率100%,此中考上普宁二中6人、华裔中学15人。全市五千名内,我校有33人。 xx年中考,报考人数707人,放榜登科604人,录取率高达85.3%,此中考上普宁二中10人、华裔中学19人。全市五千名内,我校有34人,一万名内98人。 xx年中考,城报考人数607人,放榜登科539人,录取率高达88.6%,此中考上普宁二中13人、华裔中学16人。全市五千名内,我校有32人,一万名内101人。 教学工作品质一年比一年进步,中考问题一年比一年前进。 上面是我校中考备考的首要做法 (一)全校性备考 ①强化轮教互听轨制。请求教员每学期听课不少于16节。构造优

质课树模教学工作,为教员举行讲堂教学工作革新供应进修、参考模式、无效推进教学工作革新。 ②强化“深思”轨制。请求教员教完一节课、门生考完一次试或开展一次活动,教员都要做好深思记载,积存教学工作资料,也便于实时调解、总结。 ③强化集体备课轨制。每周的星期三第七节作为各备课集体备课的时候,备课组长掌管,总结近期教学工作情形,安置下周教学工作事情。依据杜朗口教训,撰写集体教案,赞助教员转轨,利于立异。 ④采用分层教导、精讲多练多查抄的要领。课堂上教员依据分歧条理门生讲分歧难度的题型,安置分歧难度的习题,使分歧条理的门生都学有所得。应用课余时候培优转差,周全进步门生的问题。 xx年七八年素养测评、中考5000名内和10000名内优异生都有新的打破。 (二)九年级备考 ①充沛应用时候,增强本质练习训练。在九年第一学期,提早授完课程并提早授第二学期至多两个单位的课程;第二学期授完课程后,增强本质练习训练,举行4次练兵。严峻按中考请求标准部署,七八年教员介入监考,接纳兄弟学校高素质试题,强化锻炼。 ②加强班科任、门生的相同引导。多场次召开班主任、科任、门生代表集会,交换信息,引导压力、能源。营建精良的进修空气,开

六年级毕业班语文教学工作总结

六年级毕业班语文教学工作总结作为毕业班的语文老师,在学生毕业之际,静下心来,反思一年工作的得失,将本学期语文教学作如下总结: 一、重点抓基础知识 “教学质量是学校教育的出发点和归宿”。只有扎实的基础,学生的语文成绩才能得到充分的体现。虽然已经是六年级的学生了,语文的基础知识和基本技能依旧不能忽视。这个学期,我要求学生从把字写认真、清楚开始做起,平时加强了生字和新词的默写。其次,分阶段、分内容注重了对语文基础的回顾和复习。此外,对于语文的作业,要求上课专心,不懂多问,力求掌握于课内。在充分了解、分析学生的基础上,因材施教,精讲精练不断提高学生的基础知识和基本技能。 二、做好学习方法的指导 俗话说,“磨刀不误砍柴功”。最重要的学习莫过于方法的学习。首先,我认为成功的教学方法除了抓好课堂教学、课后反馈和复习以外,课前的预习也是很重要的。因此,我强调学生的预习习惯的养成,平时,常亲自抓学生的预习情况。其次,我强调上课专心听讲,每人必须准备一本课堂笔记本,课堂上做好笔记,及时对知识进行巩固,然后还要及时复习。再者,重视指导学生一天学习的回顾。还要督促学生坚持,因此,我要求小组长每天检查同学的上述“工作”情况。 三、努力创建高效课堂

1、创设平等的民主氛围,将师生活动建立在友好、亲切、和谐的氛围之中。鼓励学生大胆地提出不同的观点及疑惑,增强自信心,这样相应地提高学生独立分析、解决问题的能力。] 2、倡导平等参与课堂教学的双边活动。课堂上的教授过程由明到隐,特别是(在感受新知识后的问题探究阶段,更应该让学生仁者见仁,智者见智地主动学习,使学生的主体意识充分地体现出来。 3、教法设计尽量做到灵活多样,来引发学生的兴趣,创设愉悦的氛围,想方设法让学生通过各种活动获得学习的乐趣,唤起求知的欲望. 在课堂教学中,努力实施“三步导学”模式,营造高效课堂。 四、重点抓好复习 1.复习时我没有抓题海战,因为这班学生基础差,字词句不过关,我就重点抓住课本知识,先从生字,词语,背诵课文,日积月累,古诗词抓起,背诵默写一并抓。 2.归类复习:把病句修改,句子改写,分成类型来复习,学生掌握了各种句子的修改方法,哪怕再复杂的句子也能改写了。 3.多音字归类复习,多音字的复习主要就是选择读音,按音节组词,把本学期的多音字积累起来复习。

大学物理知识点总结汇总

大学物理知识点总结汇总 大学物理知识点总结汇总 大学物理知识点总结都有哪些内容呢?我们不妨一起来看看吧!以下是小编为大家搜集整理提供到的大学物理知识点总结,希望对您有所帮助。欢迎阅读参考学习! 一、物体的内能 1.分子的动能 物体内所有分子的动能的平均值叫做分子的平均动能. 温度升高,分子热运动的平均动能越大. 温度越低,分子热运动的平均动能越小. 温度是物体分子热运动的平均动能的标志. 2.分子势能 由分子间的相互作用和相对位置决定的能量叫分子势能. 分子力做正功,分子势能减少, 分子力做负功,分子势能增加。 在平衡位置时(r=r0),分子势能最小. 分子势能的大小跟物体的体积有关系. 3.物体的内能

(1)物体中所有分子做热运动的动能和分子势能的总和,叫做物体的内能. (2)分子平均动能与温度的关系 由于分子热运动的无规则性,所以各个分子热运动动能不同,但所有分子热运动动能的`平均值只与温度相关,温度是分子平均动能的标志,温度相同,则分子热运动的平均动能相同,对确定的物体来说,总的分子动能随温度单调增加。 (3)分子势能与体积的关系 分子势能与分子力相关:分子力做正功,分子势能减小;分子力做负功,分子势能增加。而分子力与分子间距有关,分子间距的变化则又影响着大量分子所组成的宏观物体的体积。这就在分子势能与物体体积间建立起某种联系。因此分子势能分子势能跟体积有关系, 由于分子热运动的平均动能跟温度有关系,分子势能跟体积有关系,所以物体的内能跟物的温度和体积都有关系:温度升高时,分子的平均动能增加,因而物体内能增加; 体积变化时,分子势能发生变化,因而物体的内能发生变化. 此外, 物体的内能还跟物体的质量和物态有关。 二.改变物体内能的两种方式 1.做功可以改变物体的内能.

半导体器件物理复习

第一章 1、费米能级和准费米能级 费米能级:不是一个真正的能级,是衡量能级被电子占据的几率的大小的一个标准,具有决定整个系统能量以及载流子分布的重要作用。 准费米能级:是在非平衡状态下的费米能级,对于非平衡半导体,导带和价带间的电子跃迁失去了热平衡,不存在统一费米能级。就导带和价带中的电子讲,各自基本上处于平衡态,之间处于不平衡状态,分布函数对各自仍然是适应的,引入导带和价带费米能级,为局部费米能级,称为“准费米能级”。 2、简并半导体和非简并半导体 简并半导体:费米能级接近导带底(或价带顶),甚至会进入导带(或价带),不能用玻尔兹曼分布,只能用费米分布 非简并半导体:半导体中掺入一定量的杂质时,使费米能级位于导带和价带之间3、空间电荷效应 当注入到空间电荷区中的载流子浓度大于平衡载流子浓度和掺杂浓度时,则注入的载流子决定整个空间电荷和电场分布,这就是空间电荷效应。在轻掺杂半导体中,电离杂质浓度小,更容易出现空间电荷效应,发生在耗尽区外。 4、异质结 指的是两种不同的半导体材料组成的结。 5、量子阱和多量子阱 量子阱:由两个异质结或三层材料形成,中间有最低的E C和最高的E V,对电子和空穴都形成势阱,可在二维系统中限制电子和空穴 当量子阱由厚势垒层彼此隔开时,它们之间没有联系,这种系统叫做多量子阱 6、超晶格 如果势垒层很薄,相邻阱之间的耦合很强,原来分立的能级扩展成能带(微带),能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关,这种结构称为超晶格。 7、量子阱与超晶格的不同点 a.跨越势垒空间的能级是连续的 b.分立的能级展宽为微带 另一种形成量子阱和超晶格的方法是区域掺杂变化 第二章 1、空间电荷区的形成机制 当这两块半导体结合形成p-n结时,由于存在载流子浓度差,导致了空穴从p区到n 区,电子从n区到p区的扩散运动。对于p区,空穴离开后,留下了不可动的带负电的电离受主,这些电离受主,没有正电荷与之保持电中性,所以在p-n结附近p 区一侧出现了一个负电荷区。同理,n区一侧出现了由电离施主构成的正电荷区,这些由电离受主和电离施主形成的区域叫空间电荷区。 2、理想p-n结 理想的电流-电压特性所依据的4个假设: a.突变耗尽层近似 b.玻尔兹曼统计近似成立 c.注入的少数载流子浓度小于平衡多数载流子浓度 d.在耗尽层内不存在产生-复合电流3、肖克莱方程(即理想二极管定律) 总电流之和J=J p+J n=J0[exp(qV kT )?1],其中J0=qD p0n i2 L p N D +qD n n i2 L n N A 肖克莱方程准确描述了在低电流密度下p-n结的电流-电压特性,但也偏离理想情形,原因:a耗尽层载流子的产生和复合b在较小偏压下也可能发生大注入c串联电阻效应d载流子在带隙内两个状态之间的隧穿表面效应 4、p-n结为什么是单向导电 在正向偏压下,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过。在反向偏压下,空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大,电流会大到将PN结烧毁,表现出pn结具有单向导电性。 5、扩散电容和势垒电容 扩散电容:p-n结正向偏置时所表现出的一种微分电容效应 势垒电容:当p-n结外加电压变化时,引起耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。 6、击穿的机制 击穿仅发生在反向偏置下 a.热击穿:在高反向电压下,反向电流引起热损耗导致结温增加,结温反过来又增加了反向电流,导致了击穿 b.隧穿:在强电场下,由隧道击穿,使电子从价带越过禁带到达导带所引起的一种击穿现象 c.雪崩倍增:当p-n结加的反向电压增加时,电子和空穴获得更大的能量,不断发生碰撞,产生电子空穴对。新的载流子在电场的作用下碰撞又产生新的电子空穴对,使得载流子数量雪崩式的增加,流过p-n结的电流急剧增加,导致了击穿 6、同型异质结和反型异质结 同型异质结:两种不同的半导体材料组成的结,导电类型相同 异型异质结:两种不同的半导体材料组成的结,导电类型不同 8、异质结与常规的p-n结相比的优势 异质结注入率除了与掺杂比有关外,还和带隙差成指数关系,这点在双极晶体管的设计中非常关键,因为双极晶体管的注入比与电流增益有直接的关系,异质结双极晶体管(HBT)运用宽带隙半导体材料作为发射区以减小基极电流 第三章 1、肖特基二极管 肖特基二极管是一种导通电压降较低,允许高速切换的二极管,是利用肖特基势垒特性而产生的电子元件,一般为0.3V左右,且具有更好的高频特性 优点:其结构给出了近似理想的正向I-V曲线,其反向恢复时间很短,饱和时间大为减少,开关频率高。正向压降低,工作在0.235V 缺点:其反向击穿电压较低及方向漏电流偏大 2、肖特基二极管和普通二极管相比 优:开关频率高,正向电压降低缺:击穿电压低,反向电流大 3、欧姆接触 欧姆接触定义为其接触电阻可以忽略的金属-半导体接触 它不产生明显的附近阻抗,而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变,重掺杂的p-n结可以产生显著的隧道电流,金属和半导体接触时,如果半导体掺杂浓度很高,则势垒区宽度变得很薄,电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道流,甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时,它的接触电阻可以很小,可以用作欧姆接触。 制造欧姆接触的技术:a.建立一个更重掺杂的表面层 b.加入一个异质结,附加一个小带隙层材料、同种类型半导体的高掺杂区 4、整流接触 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触面(形成阻挡层),如同二极管具有整流特性。肖特基势垒相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压,以及在金属端具有相当薄的耗尽层宽度。 5、区别金属-半导体接触的电流输运主要依靠多子,而p-n结主要依靠少数载流子完成电流输运 第四章 1、MIS的表面电场效应 当VG=0时,理想半导体的能带不发生弯曲,即平带状态,在外加电场作用下,在半导体表面层发生的物理现象,主要在载流子的输运性质的改变。表面势及空间电荷区的分布随电压VG而变化。归纳为三种情况:积累,耗尽,反型。对于p型半导体 多子积累:当金属板加负电压时,半导体表面附近价带顶向上弯曲并接近于费米能级,对理想的MIS电容,无电流流过,所以费米能级保持水平。因为载流子浓度与能量差呈指数关系,能带向上弯曲使得多数载流子(空穴)在表面积累 耗尽:当施加小的正电压时,能带向下弯曲,多数载流子耗尽 反型:施加更大的正电压,能带更向下弯曲,以致本征费米能级和费米能级在表面附近相交,此时表面的电子(少数载流子)数大于空穴数,表面反型 2、解释MIS的C-V曲线图 高低频的差异是因为少数载流子的积累 a.低频时,左侧为空穴积累时的情形,有大的半导体微分电容,总电容接近于绝缘体电容;当负电压降为零时,为平带状态;进一步提高正向电压,耗尽区继续扩展,可将其看作是与绝缘体串联的、位于半导体表面附近的介质层,这将导致总电容下降,电容在达到一个最小值后,随电子反型层在表面处的形成再次上升,强反型时,电荷的增量不再位于耗尽层的边界处,而是在半导体表面出现了反型层导致了大的电容。 b.高频时,强反型层在φs≈2φB处开始,一旦强反型发生。耗尽层宽度达到最大,当能带弯曲足够大,使得φs=2φB时,反型层就有效的屏蔽了电场向半导体内的进一步渗透,即使是变化缓慢的静态电压在表面反型层引发附加电荷,高频小信号对于少数载流子而言变化也是很快的。增量电荷出现在耗尽层的边缘上 第五章 1、三种接法共基、共射、共集 2、四种工作状态 放大:发射极正偏,集电极反偏饱和:都正偏 截止:都反偏发向:发射极反偏,集电极正偏 3、Kirk效应(基区展宽效应) 在大电流状态下,BJT的有效基区随电流密度增加而展宽,准中性基区扩展进入集电区的现象,称为Kirk效应 产生有效基区扩展效应的机构主要是大电流时集电结N?侧耗尽区中可移动电荷中和离化的杂质中心电荷导致空间电荷区朝向远离发射结方向推移。 4、厄尔利效应(基区宽度调制效应) 当双极性晶体管(BJT)的集电极-发射极电压VCE改变,基极-集电极耗尽宽度WB-C(耗尽区大小)也会跟着改变。此变化称为厄利效应 5、发射区禁带宽度变窄 在重掺杂情况下,杂质能级扩展为杂质能带,当杂质能带进入了导带或价带,并相连在一起,就形成了新的简并能带,使能带的状态密度发生变化,简并能带的尾部伸入禁带,导致禁带宽度减小,这种现象称为禁带变窄效应。

初中毕业班班主任工作总结4篇(一)

初中毕业班班主任工作总结第1篇(一) 9月1日接任初二(6)的班主任,我反思了这一个月班主任工作,我到底做了 什么让学生在这么短的时间内能够改变纪律、学习等各方面有好转呢?我制定多项 的工作,在一定程度上有了改善,看到这样的成绩,我既高兴,又担忧,高兴的是纪律有了较大的转变,忧的学习成绩、纪律是否能保持下去。我想班主任是班级的组织者和教育管理者,是学生健康成长的引路人,是联系各科任教师的纽带。班主任工作既是艰巨的,我既然担任了八年六班的班主任工作,就要努力把工作做好,下面是我做班主任的几点做法: 一、培养和选拔班干部 要有一个良好的班集体,必须有一个好的班级领导核心。这个核心,就是班主任领导下的班委会。这个月我调整了班干部的人选,我有意识地通过开展各科活动观察和分析,发展并挑选了一些关心集体,团结同学,作风正派,有一定组织能力,开创精神和奉献精神的学生来担任班干部。当班干部选定后,我便加强培养、教育、既要大胆地放手让他们开展工作,给予他们班干部的权力,又要根据实际对他们加强指导。特别是对班干部的要求更加严格,要求他们以身作则:如经常佩戴校徽、穿校服等,学习成绩优秀,团结同学、处处起模范带头作用,做老师的得力助手。经过不断的培养和努力,终于提高了学生干部的工作能力,让他们分工协作,使学生自己管理自己,逐渐形成具有本班特色的优良班风。 二、在集体中教育学生学好功课,加强思想教育。 作为学生,学习是学生的主要任务,教育学生学好功课是班主任的一贡项重要任务。因此,在班主任工作中,我既要引导学生学好功课,以要同科任教师密切配合。针对这个普通的班级,学生对学习积极性不高,上课时间经常睡觉、讲话、开小差、做小动作等不良现象,极少数学生竟然与教师唱对台戏,引起课堂的骚动,严重影响正常的上课,因此,我有针对性的找出这些学生,对他们进行严厉批评,告诫他们要学会尊重别人,做到认真听课,做好课堂纪律,我利用课余时间,我积极地和各科任教师互相交换学生的学习情况,反映学生对教学的要求,共同研究解决的办法,统一对学生的要求,调整学生的作业负担,避免学生负担太重,影响学生其他方面的发展。 另外,要从学生的实际出发,通过学生的学习、劳动、游戏、生活等各方面,系统地进行深入细致的思想品德教育工作。其中,班会课及思想品德课是最佳的德育方式。我们知道人是生活在社会中的人,人与人之间就会有一定的情感,在日常生活中,就应对他们进行各种感人至深的熏陶、教育。 三、做好后进生的转化工作 在我八年六班,后进生在班中为数较多,能量也大,影响坏。因此,转化后进生是班主任的一项必不可少的基本功。首先要把真诚的爱给予后进生、寻找出每后进生学习毛病所在。要做到从思想上对他们不歧视,感情上不厌倦,态度上不粗暴,

初中毕业班工作总结

初中毕业班工作总结 篇一:初三毕业班工作总结 20XX届毕业班工作总结 在全体师生的共同努力下,我校在今年中考取得了可喜的成绩。今年我校参加中考考生148人,考取总分A+有6人,总分A有8人,单科A+有25人次,考上南宁二、三中9人,考上自治区其他示范性高中56人。创下我校办学以来中考成绩新高。 回顾三年来的中考备考,与前几届共性的东西在这里就不多说,我只想说一些本届不同的做法和一些不足之处。近供大家共同分析,旨在往后中考备考少走弯路。 一、领导重视,明确责任。 毕业班教学工作是学校工作的重中之重,在过去的一年里,我校非常重视毕业班工作。成立了以韦少宁校长、卢建华书记为组长,韦全珍副校长、邓英媚主任、年级组长梁常新为副组长,教务处、政教处、总务处有关负责人和本年级全体班主任为成员的毕业班工作领导小组。领导小组负责毕业班各项工作的开展。和以前相比,本届毕业班工作领导小组的职责更加明确,从教学、管理到后勤保障等方面,责任落实到人,做到责任共担,形成合力,这是做好毕业班工作的前提和保证。

二、培优工作成绩显著 学校在社会上的声誉要靠良好的教学质量来维系,而毕业班的中考成绩是教学质量最为突出的体现。要把质量抓上去,培优工作显得特别重要。我们的具体做法是:(1)抓好班风、学风,创设良好的学习环境 一个优秀的班集体是学生健康成长的沃土,我们年级的内宿班经过初一、初二的严抓勤管,形成了“努力拼搏、积极向上、誓争一流”的良好班风班貌。 进入初三,对学生的纪律作出更明确、严格的规范要求。我们提倡学生在各方面加倍严格要求自己,努力做到最好。要求班主任以班为家,勤跟班,全面关心学生,对每位学生的情况了如指掌,及时准确地掌握学生的第一手材料,帮助学生解决思想、学习和生活上出现的各种问题,充分发挥学生在复习备考中的主体作用,科学安排,合理调节,优化培优转差,抓两头、促中间,分层辅导,积极创设一个活泼、民主、多维、动态的发展空间,形成了勤奋向上、积极备考的良好氛围,为学生创造优异成绩提供了坚实的基础。 (2)选准冲击苗子,引导尖子生不断超越自我。 从初一开始,就观察和培养年级前50名的学生,跟踪他们的成绩,及时辅导他们的薄弱科目。到了初三,以年级前5名冲击总分A+,前10名冲击南宁 二、三中,前50名的学生冲击自治区其他示范性高中

大学物理学知识总结

大学物理学知识总结 第一篇 力学基础 质点运动学 一、描述物体运动的三个必要条件 (1)参考系(坐标系):由于自然界物体的运动是绝对的,只能在相对的意义上讨论运动,因此,需要引入参考系,为定量描述物体的运动又必须在参考系上建立坐标系。 (2)物理模型:真实的物理世界是非常复杂的,在具体处理时必须分析各种因素对所涉及问题的影响,忽略次要因素,突出主要因素,提出理想化模型,质点和刚体是我们在物理学中遇到的最初的两个模型,以后我们还会遇到许多其他理想化模型。 质点适用的范围: 1.物体自身的线度l 远远小于物体运动的空间范围r 2.物体作平动 如果一个物体在运动时,上述两个条件一个也不满足,我们可以把这个物体看成是由许多个都能满足第一个条件的质点所组成,这就是所谓质点系的模型。 如果在所讨论的问题中,物体的形状及其在空间的方位取向是不能忽略的,而物体的细小形变是可以忽略不计的,则须引入刚体模型,刚体是各质元之间无相对位移的质点系。 (3)初始条件:指开始计时时刻物体的位置和速度,(或角位置、角速度)即运动物体的初始状态。在建立了物体的运动方程之后,若要想预知未来某个时刻物体的位置及其运动速度,还必须知道在某个已知时刻物体的运动状态,即初台条件。 二、描述质点运动和运动变化的物理量 (1)位置矢量:由坐标原点引向质点所在处的有向线段,通常用r 表示,简称位矢或矢径。 在直角坐标系中 zk yi xi r ++= 在自然坐标系中 )(s r r = 在平面极坐标系中 rr r = (2)位移:由超始位置指向终止位置的有向线段,就是位矢的增量,即 1 2r r r -=?

位移是矢量,只与始、末位置有关,与质点运动的轨迹及质点在其间往返的次数无关。 路程是质点在空间运动所经历的轨迹的长度,恒为正,用符号s ?表示。路程的大小与质点运动的轨迹开关有关,与质点在其往返的次数有关,故在一般情况下: s r ?≠? 但是在0→?t 时,有 ds dr = (3)速度v 与速率v : 平均速度 t r v ??= 平均速率 t s v ??= 平均速度的大小(平均速率) t s t r v ??≠ ??= 质点在t 时刻的瞬时速度 dt dr v = 质点在t 时刻的速度 dt ds v = 则 v dt ds dt dr v === 在直角坐标系中 k v j v i v k dt dz j dt dy i dt dx v z y x ++=++= 式中dt dz v dt dy v dt dx v z y x = == ,, ,分别称为速度在x 轴,y 轴,z 轴的分量。

毕业班班主任工作总结4篇毕业班班主任工作总结

毕业班班主任工作总结4篇毕业班班主 任工作总结 本文目录毕业班班主任工作 总结小学毕业班班主任工作总结初三毕业班班主任工作总结毕业班 班主任工作总结一年来,我班抓住时机,有计划有步骤地开展了各 项工作,力争创造一个良好的人文环境促使每一个学生健康活泼地 成长,具体回顾 一、确定班级的奋斗目标,培养健康向上的班集体。 班集体的管理最重要的是要有良好的氛围和明确的目标导向。做为 毕业班,是一所学校的窗口,本应该在各方面都成为其它班的榜样,但在这一点上我自认为有一段距离。于是今年的工作始终围绕着建 立一个积极向上的文明班而开展。如着重针对本班基础差,缺乏荣 誉感的实际,针对学生中不少成绩不理想的甚至破罐子破摔、自暴 自弃的现象。用我并不比别人笨,别人能做到的,我也能做到这种 思想去导向学生,树立学生的自信心。其实,抛开成绩,每个孩子 都是有自尊的,没谁承认自己比别人笨,只是在学校这个环境里, 当成绩在老师、同学的意识中成了评价学生的主要甚至唯一的标准时,成绩差的同学的信心就会失去支撑。例如有的学生因成绩差, 经常受到批评,他的信心常受挫,便认为自己确实很笨,产生了强 烈的自卑心理,如果当有老师不及时引导,他们就会认为自己一无 是处,自暴自弃,这样要培养他们与班级荣辱与共的集体思想,可 以说是不可能的。成绩好的同学常受老师的表扬,思想很容易引导,各种观念易灌输;而成绩较差的同学思想包袱重,就有一种事不关己,高高挂起的意识,甚至对集体有了本能的排斥、抗拒。针对这一点,抓好班级的工作基点在于如何维护每个同学的自尊,如何调动每个 同学的内在积极因素。其实学生都有强烈的荣誉感,都渴望被承认,有时他们更在乎同学中建立的威信和得到的信任。比如有的同学会 某一种乐器,有的画画较好,这些都牟帮助他们建立自信,找到奋 斗上进的精神支柱,为此我经常捕捉教育的时机,让每一位学生都 有建立自信的机会,热心班级活动,在这样的基础上,就容易树立 学生的集体荣誉感。 比如xxx同学,由于身体的原因,他不仅无心向学,不背书,常欠 交作业,即使交上来了,那作业也无法改,还经常制造一些麻烦事 让大家注意他。对于这位让不少老师头疼的双差生,我并没有放弃

毕业班教学工作总结

中学体育教师工作总结 紧张而又繁忙毕业班教学终于结束了,在这一学期来,我热爱本职工作,认真学习新的教育理论,广泛涉猎各种知识,形成比较完善的知识结构,严格要求学生、尊重学生,使学生学有所得,不断提高,从而不断提高自己的教学水平和思想觉悟。为了下一学年的教育工作做得更好,把本学期的教学经验和教训总结如下: 一、坚持政治理论学习,提高思想认识的先进性 在一年来,我认真学习马列主义、毛泽东思想、邓小平理论和江泽民“三个代表”重要思想,思想上和行动上时刻与党中央保持高度一致。积极参加先进行教育活动,认真学习有关教育理论,全面贯彻党的教育方针,一如既往地积极落实素质教育,对工作表现出强烈的事业心和高度的责任感,关心爱护学生,刻苦钻研业务,把满腔的热忱和爱心倾注到学生身上,倾注到党的教育事业上。处处、事事、时时严格要求自己,在平凡而繁琐的教学工作中,脚踏实地,埋头苦干,切实起到模范带头作用。 二、潜心教育教学,不断开拓进取 初中体育教学工作开展的好坏直接影响着毕业班体育成绩,以至于影响学生中招总成绩,所以我从开学之初就制定了严密的教学计划,规划好每一次的体育教学与训练任务,对自己也提出了更高的要求: 1.体育课保证质量 为了上好体育课,缓解学生紧张的学习压力,为了使学生对我们的体育课有一种向往,一种期待,我用心“经营”每一节体育课:课前认真备课,在每堂课前我都要对学生有一个大概的心里目标;在课堂上用我的爱心、细心和责任心使每一个学生都能受益,要求学生之间互相帮助,互相观察指导,做到课课有进步,堂堂有提高,使学生们在进步中体验体育课的精彩和乐趣;每一次课后我和学生都要进行及时的总结和反思,写出心得与体会,增强了信心,提高了能力。 2.活动课安排条理 每周三节活动课两个班安排的内容两周一轮换条理清晰,由体育委员带领,体育教师巡回指导,活动课开展得有条不紊。每一次课后我都要进行及时总结和反思,不仅大大提高了指导训练能力,也使学生整体体能和自我训练能力提高很快,对他们课余时间自我锻炼有很大的帮助。 3 课后教师与学生及时总结分析得失,写训练日记。 课后反思是一种有益的思维活动与再学习方式,是教师与学生成长和提高的有效手段。每一次课后我都及时总结分析,也要求学生总结分析自己的得失与体会,并要求每个同学都要有一个记录自己成长的体育日记簿,这也是我和学生交流的一个平台,能及时得到教学反馈,经过一年的积累,我和学生都受益匪浅,我的教学能力又提高到了一个新的高度,学生们不仅提高了自己的体能与成绩,更重要的是学会了一种学习方式,对他们的学习和生活有了很大的帮助。 4.牺牲个人休息时间,保证每天下午下学后课外活动时间向学生提供技术和器材帮助。 三、模范履行职责,创造辉煌业绩 在履行职责方面,严格要求自己。坚持出满勤,干满点,从不擅离工作岗位,爱校如家,爱生如子,把“爱学生”当作做好一切教育教学工作的根本出发点。在平凡的岗位上,凭着对工作的热情和执著,不断地创造着新的业绩。 四、增强自蓄能力,对教育做长期投资 教学活动是一个复杂的智力活动、社会活动,更应该与时俱进,展望未来。这就要求教

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