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贴片三极管j6

贴片三极管j6
贴片三极管j6

JIANGSU CHANGJ CHANGJI I ANG EL ELE E C TRONICS TECHNOLOGY CO.,L TD 本资料由东莞长电代理:FUYAT CO.,LTD 提供86-86-769-85388861

769-85388861S 9014

TRANSISTOR (NPN)

FE FEA

A TURES z Complemen Complement t a r y to S90S90115MARKING:J6

MAXIMUM R A TINGS (T A =2=255℃unless othe other

r w i s e noted)SO SOT

T -231.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR

Symbol Par Para a met mete

e r V alue Uni Unit t s V CBO Collector-Base Voltage 50V V CEO Collector-Emitter Voltage 45V V EBO Emitter-Base Voltage 5V I C Collector Current -Continuous 0.1A P C Collector Power Dissipation 0.2W T j Junction Temperature 150℃T stg

Storage Temperature

-55-150

ELECTRICAL CHAR CHARA A CTERISTICS (T amb=25℃unless othe other

r w ise specified)Parame Paramet

t e r Symbol T est

c o n

d iti ition on ons

s MIN T YP

M A X

UNIT Collector-base breakd breakdo o w n v o l t age V (BR)CBO I C =100μA,

I E =0

50V Collector-emitter bre brea a kd kdo o w n v ol olt t age V (BR)CEO I C =0.1mA,I B =045V Emitter-ba Emitter-bas s e breakd breakdo o w n v o l t age V (BR)EBO I E =100μA,I C =05

V

Collector cut-off current I CBO V CB =50V ,I E =00.1μA Collector cut-off current I CEO V CE =35V ,I B =00.1μA Emitter cut-off current I EBO V EB =3V ,I C =00.1

μA

DC cur curr

r ent gain h FE V CE =5V,

I C =1mA

200

1000Collecto Collector r -emitter satu satur r ation v o l t age V CE (sat)I C =100mA,I B =5mA 0.3V Ba Bas s e -emitt -emitte e r sat satu u rati ratio o n v o l t a g e V BE (sat)

I C =100mA,I B =5mA 1

V T r a n s ition fr fre e qu que

e n c y

f T

V CE =5V,I C =10mA

f=30MHz

150

MHz

CLASSIFIC CLASSIFICA A TION OF h FE Rank L H Range

200-450

450-1000

T y pi pica ca cal l Ch Cha a r ac act t e ri ris s ti tic c s S 901014

4

三极管在电路中的使用(超详细 有实例)

一种三极管开关电路设计 三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电子开关的基本电路图。由图可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上。 输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open)与闭合(closed)动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃胜作于截止(cut off)区。 同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃胜作于饱和区(saturatiON)。 1 三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特,因此欲使三极管截止,Vin必须低于0.6伏特,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使Vin值低于0.3伏特。(838电子资源)当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律三极管呈饱和时,其集电极电流应该为: 因此,基极电流最少应为:

贴片三极管引脚_三极管的识别分类及测量

贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量 符号:“Q、VT” 三极管有三个电极,即b、c、e,其中c为集电极(输入极)、b为基极(控制极)、e为发射极(输 出极) 三极管实物图: 贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管 二、三级管的分类: 按极性划分为两种:一种是NPN型三极管,是目前最常用的一种,另一种是PNP型三极管。按材料分为两种:一种是硅三极管,目前是最常用的一种,另一种是锗三极管,以前这种三极管用的多。三极按工作频率划分为两种:一种是低频三极管,主要用于工作频率比较低的地方;另一种是高频三极管,主要用于工作频率比较高的地方。按功率分为三种:一种是小功率三极管,它的输出功率小些;一种是中功率三极管,它的输出功率大些;另一种是大功率三极管,它的输出功率可以很大,主要用于大功率输出场合。 按用途分为:放大管和开关管。 三、三极管的组成: 三极管由三块半导体构成,对于NPN型三极管由两块N型和一块P型半导体构成,如图A所示,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧,各半导体所引出的电极见图中所示。在P型和N型半导体的交界面形成两个PN结,在基极与集电极之间的PN结称为集电结,在基极与发射极之间的PN结称为发射结。图B是PNP型三极管结构示意图,它用两块P型半导体和一块N型半导体构成。 AB 四、三极管在电路中的工作状态:

三极管有三种工作状态:截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时,它的工作状 态是不同的。 1、截止状态:当三极管的工作电流为零或很小时,即IB=0时,IC和IE也为零或很小,三极管处于 截止状态。 2、放大状态:在放大状态下,IC=βIB,其中β(放大倍数)的大小是基本不变的(放大区的特征)。 有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。 3、饮和状态:在饮和状态下,当基极电流增大时,集电极电流不再增大许多,当基极电流进一步增 大时,集电极电流几乎不再增大。 工作状态 定义 电流特征 解流 截止状态 集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小,IC或IE为零或很 小因为IC=βIB 利用电流为零或很小特征,可以判断三极管已处于截止状态 放大状态 集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制,基极电流大,其内阻小IC=βIB IE=(1+β)IB 有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流,基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电 流 饱和状态

三极管输入输出特性测试(—)

电路分析实验报告 三极管输入输出特性测试(—) 一、实验摘要 通过对三极管输入回路和输出回路电压和电流的测量,得到三极管的输入特性和输出特性数据。 二、实验环境 三极管电阻电位器直流电源万用表 三、实验原理

三极管外部各极电压和电流的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。它不仅能反映三极管的质量与特性,还能用来定量地估算出三极管的某些参数,是分析和设计三极管电路的重要依据。 四、实验步骤 在面包板上搭建电路 设定直流电源输入/输出电流和 5v 0.1A 0V/1V/2V 0.1A 电压 调节电位器改变分压 记录电压电流得到三极管特性曲线

五、实验数据 VCE=0V V/v 0.5 0.625 0.628 0.648 0.652 0.659 0.664 0.706 I/A 0.00337 0.04928 0.06074 0.1208 0.14025 0.17675 0.20929 0.84831 VCE=1V V/v 0.613 0.755 0.756 0.763 0.773 0.779 0.784 0.788 I/A 0.00709 0.5514 0.61795 0.6531 0.7683 0.7836 0.85145 1.14519

VCE=2V V/v 0.757 0.762 0.774 0.781 0.783 0.786 0.791 0.793 I/A 0.54868 0.58846 0.86204 0.9535 1.10292 1.55215 1.56623 2.48202 六、实验总结 在本次实验中了解到了三极管的输入特性和输出特性以及 三极管的特性曲线。但是自己数据取的不好,特性图画出来不是很好。

贴片三极管上的印字与真实型号对照手册

贴片三极管上的印字与真实名称的对照表 印字器件厂商类型封装器件用途及参数 -28 PDTA114WU Phi N SOT323 pnp dtr -24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k -23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k -20 PDTC114WU Phi N SOT323 npn dtr -6 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906 -4 PMSS3904 Phi N SOT323 2N3904 0 2SC3603 Nec CX SOT173 Npn RF fT 7GHz 1 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 1 2SC3587 Nec CX - npn RF fT10GHz 1 BA277 Phi I SOD523 VHF Tuner band switch diode 2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA 2 MRF5711L Mot X SOT14 3 npn RF MRF571 2 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res 2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain 2 BAT62-02W Sie I SCD80 BAT16 schottky diode 2 2SC3604 Nec CX - npn RF fT8GHz 12dB@2GHz 3 Gali-3 MC AZ SOT89 DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 3 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 BAT60A Sie I SOD323 10V 3A sw schottky 3 BAT62-02W Sie I SCD80 - 4 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF521 4 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17. 5 dBm 4 BB664 Sie I SCD80 Varicap 42-2.5pF 5 SSTPAD5 Sil J - PAD-5 5pA leakage diode 5 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p 5 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA 6 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p 6 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA 9 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA 9 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA

贴片三极管M6

JIANGSU CHANGJ CHANGJI I ANG EL ELE E C TRONICS TECHNOLOGY CO.,L TD 本资料由东莞长电代理:FUYAT CO.,LTD 提供86-86-769-85388861 769-85388861S9015 TRANSISTOR (PNP) FE FEA A TURES z Complemen Complement t a r y to S90S90114MARKING:M6 MAXIMUM R A TINGS (T A =2=255℃unless othe other r w i s e noted)Symbol Par Para a met mete e r V alue Uni Unit t s V CBO Collector-Base Voltage -50V V CEO Collector-Emitter Voltage -45V V EBO Emitter-Base Voltage -5V I C Collector Current -Continuous -0.1A P C Collector Power Dissipation 0.2W T j Junction Temperature 150℃T stg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHA CHARA RA RACTERISTICS CTERISTICS (T amb=25℃unless o t he her r w ise specified)P a r a m e t e r S y m bo bol l T es est t con cond d iti itio o n s MIN T YP M A X UNIT Collector-base breakd breakdo o w n v o l t age V (BR)CBO I C =-100μA,I E =0-50V Collector-emitter bre brea a kd kdo o w n v ol olt t age V (BR)CEO I C =-0.1mA,I B =0-45V Emitter-ba Emitter-bas s e breakd breakdo o w n v o l t age V (BR)EBO I E =-100μA,I C =0-5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-50V,I E =0-0.1μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V,I C =0-0.1 μA DC cur curr r ent gain h FE V CE =-5V,I C =-1mA 200 1000Collecto Collector r -emitter satu satur r ation v o l t age V CE (sat)I C =-100mA,I B =-10mA -0.3V Ba Bas s e -emitt -emitte e r sat satu u rati ratio o n v o l t a g e V BE (sat)I C =-100mA,I B =-10mA -1 V T r a n s ition fr fre e qu que e n c y f T V CE =-5V, I C =-10mA f=30MHz 150 MHz CLASSIFI CLASSIFIC C A TION OF h FE Rank L H Range 200-450 450-1000

三极管三种电路的特点

三极管三种电路的特点 1.共发射极电路特点 共射极电路又称反相放大电路,其特点为电压增益大,输出电压与输入电压反相,低频性能差,适用于低频、和多级放大电路的中间级 共发射极放大电路 共发射极的放大电路,如图2所示。 图2 共发射极放大电路 因具有电流与电压放大增益,所以广泛应用在放大器电路。其电路特性归纳如下: 输入与输出阻抗中等(Ri约1k~5k ;RO约50k)。 电流增益: 电压增益: 负号表示输出信号与输入信号反相(相位差180°)。 功率增益: 功率增益在三种接法中最大。 共发射极放大电路偏压

图4自给偏压方式 又称为基极偏压电路,最简单的偏压电路,稳定性差,容易受β值的变动影响,温度每升高10℃时,逆向饱和电流ICO增加一倍。温度每升高1℃时,基射电压VBE减少2.5mV ,β随温度升高而增加(影响最大) 。

图5带电流反馈的基极偏压方式 三极管发射极加上电流反馈电阻,特性有所改善,但还是不太稳定。 图6分压式偏置电路 此为标准低频信号放大原理图电路,其R1(下拉电阻)及R2为三极管偏压电阻,为三极管基极提供必要偏置电流,R3为负载电阻,R4为电流反馈电阻(改善特性),C3为旁路电容,C1及C3为三极管输入及输出隔直流电容(直流电受到阻碍),信号放大值则为R3/R4倍数.设计上注意: 三极管Ft值需高于信号放大值与工作频率相乘积,选择适当三极管集电极偏压、以避免大信号上下顶部失真,注意C1及C3的容量大小对低频信号(尤其是脉波)有影响.在R4并联一个C2,放大倍数就会变大。而在交流时C2将R4短路。 为什么要接入R1及R4? 因为三极管是一种对温度非常敏感的半导体器件,温度变化将导致集电极电流的明显改变。温度升高,集电极电流增大;温度降低,集电极电流减小。这将造成静态工作点的移动,有可能使输出信号产生失真。在实际电路中,要求流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB。这样温度变化引起的IB的变化,对基极电位就没有多大的影响了,就可以用R1和R2的分压来确定基极电位。采用分压偏置以后,基极电位提高,为了保证发射结压降正常,就要串入发射极电阻R4。 R4的串入有稳定工作点的作用。如果集电极电流随温度升高而增大,则发射极对地电位升高,因基极电位基本不变,故UBE减小。从输入特性曲线可知,UBE的减小基极电流将随之下降,根据三极管的电流控制原理,集电极电流将下降,反之亦然。这就在一定程度上稳定了工作点。分压偏置基本放大电路具有稳定工作点的作用,这个电路具有工作点稳定的特性。当流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB(一般大于十倍以上)时,可以用下列方法计算工作

常用贴片三极管与直插三极管型号对应

1.直插贴片型号对应 直插封装的型号贴片的型号9011 1t 9012 2t 9013 j3 9014 j6 9015 m6 9016 y6 9018 j8 s8050 j3y s8550 2ty 8050 y1 8550 y2 2sa1015 ba 2sc1815 hf 2sc945 cr mmbt3904 1am mmbt3906 2a mmbt2222 1p mmbt5401 2l mmbt5551 g1 mmbta42 1d mmbta92 2d bc807-16 5a bc807-25 5b bc807-40 5c bc817-16 6a bc817-25 6b bc817-40 6c bc846a 1a bc846b 1b bc847a 1e bc847b 1f bc847c 1g bc848a 1j bc848b 1k bc848c 1l bc856a 3a bc856b 3b bc857a 3e bc857b 3f bc858a 3j

bc858b 3k bc858c 3l 2sa733 cs un2111 v1 un2112 v2 un2113 v3 un2211 v4 un2212 v5 un2213 v6 2sc3356 r23 2sc3838 ad 2n7002 702 2.直插贴片及极性、频率 直插封装的型号贴片的型号极性Ft VCEO Ic hfe 配对型号9011 1T NPN 150MHz 18V 100mA 28~132 9012 2T PNP 150MHz 25V 500mA 64~144 9013 9013 J3 NPN 9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60~400 9015 9015 M6 PNP 9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28~97 9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28~72 S8050 J3Y NPN 100MHz 25V 1.5A 45~300 S8550 S8550 2TY PNP 8050 Y1 NPN 100MHz 25V 1A 85~300 8550 8550 Y2 PNP 2SA1015 BA PNP 2SC1815 HF NPN 80MHz 50V 150mA 70~700 1015 2SC945 CR NPN 250MHz 50V 100mA 200~600 2SA733 CS MMBT3904 1AM NPN 300MHz 60V 100mA 300@10mA 3906 MMBT3906 2A PNP MMBT2222 1P NPN 250MHz 60V 600mA 100@150mA MMBT5401 2L PNP 100MHz 150V 500mA 40~200 5551 MMBT5551 G1 NPN MMBTA42 1D NPN 50MHz 300V 100mA 40@10mA MMBTA92 2D PNP BC807-16 5A PNP BC807-25 5B PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-25 BC807-40 5C PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-40 BC817-16 6A NPN BC817-25 6B NPN

贴片三极管代码查找贴片,三极管资料及其封装

JX SOT23 BAV170 B dual cc Si diode low Ir JY SOT23 BAV199 dioda-2x JY SOT23 BAV199 D dual series Si diode lowIr JZ SOT23 BAW 156 JZ SOT23 BAW156 A dual ca Si diode low Ir K SCD80 BBY52-02W I UHF varicap 1.75-1.25pF K SOD323 BAT68-03W I BAT68 Schottky K SOT23 2SK211 JFET K SOT323 MRF917 N npn RF fT 6GHz K0 SOT23 HSMP-3830 C gp pin diode HP3830 K1 SOT23 BCW71 NPN K1 SOT23 BCW71 N BC107A K1 SOT23 HSMP-3831 K gp pin diode HP3830 K14 DTA114G N pnp sw 50V 100mA w. b-eres K15 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K1p SOT23 BCW71 N BC107A K1t SOT23 BCW71 N BC107A K1X SOT23 KSC3265 NPN K2 SOT23 BCW72 NPN K2 SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300 K2 SOT23 HSMP-3832 D dual HP3830 pin diode K24 DTC114G N npn sw 50V 100mA w. b-eres K25 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K2p SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300

晶体管的输入输出特性曲线详解.

晶体管的输入输出特性曲线详解 届别 系别 专业 班级 姓名 指导老师 二零一二年十月

晶体管的输入输出特性曲线详解 学生姓名:指导老师: 摘要:晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。 根据晶体管的结构进行分类,晶体管可以分为:NPN型晶体管和PNP 型晶体管。依据晶体管两个PN结的偏置情况,晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映,通常称为伏安特性。 生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值 晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快,准确性,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

关键字:晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。 【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis. 一、晶体管的基本结构 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图 1-1(a)、(b)所示。从三个区引出相应的电极,发射极,基极,集电极,各用“E”(或“e”)、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。 发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。当前国内生产的锗管多为PNP型(3A 系列),硅管多为NPN型(3D系列)。

常用贴片三极管主要参数及丝印

常用贴片三极管主要参数(SOT-23) 序号型号 TYPE 极性 POLA RITY P D (mW) I C (mA) BV CBO (V) BV CEO (V) h FE V CE(sat)I C/I B f TYPE (MHZ) 打标 Marking Min/Max I C mA V CE Volts Max Volts mA 1S9012PNP3005004025120/3505010.6500501502T1 2S9013NPN3005004025120/3505010.650050150J3 3S9014NPN2001005045200/1000150.31005150J6 4S9015PNP2001005045200/1000150.310010150M6 5S9018NPN20050251870/190 1.O50.51001600J8 6S8050NPN3005004025120/3505010.650050150J3Y 7S8550PNP3005004025120/3505010.6500501502TY 8SS8050NPN1001500402585/30010010.58008080Y1 9SS8550PNP1001500402585/30010010.58008080Y2 10C1815NPN20015060500130/400260.251001080HF 11A1015PNP2001505050130/400260.31001080BA 12C945NPN2001506050130/400160.310010150CR 13A733PNP2001506050120/475160.31001050CS 142SC1623NPN200100605090/600160.310010250L4、L5、L6、L7 15M28S NPN20010004020300/1000010010.556002010028S 16M8050NPN2001000402580/30010010.580080150Y11 17M8550PNP2001000402585/30010010.580080150Y21 18MMBT5551NPN30060018016080/25010 5.O0.550 5.O80G1 19MMBT5401PNP300600160150100/20010 5.O0.5500.51002L 20MMBTA42NPN300300300300100/20010100.2202501D 21MMBTA92NPN300300300300100/20010100.2202502D 222SC2412NPN2001506050120/560160.4505180BQ、BR、BS 232SC3356NPN300100201250/30020100.51057000R23、R24、R25 242SC3837NPN30050301856/39010100.52041500CN、CP、CQ、CR 252SC3838NPN30050201156/3905100.51053200AN、AP、AQ、AR 26BC807-16PNP2255005045100/25010010.7500502005A 27BC807-25PNP2255005045160/40010010.7500502005B 28BC807-40PNP2255005045250/60010010.7500502005C 29BC817-16NPN2255005045100/25010010.7500502006A 30BC817-25NPN2255005045160/40010010.7500502006B 31BC817-40NPN2255005045250/60010010.7500502006C 32BC846A NPN2251008065110/220250.610051001A 33BC846B NPN2251008065200/450250.610051001B 34BC847A NPN2251005045110/220250.610051001E 35BC847B NPN2251005045200/450250.610051001F 36BC847C NPN2251005045420/800250.610051001G 37BC848A NPN2251003030110/220250.610051001J 38BC848B NPN2251003030200/450250.610051001K 39BC848C NPN2251003030450/800250.610051001L 40BC858A PNP2251008065125/250250.6510051003A 41BC858B PNP2251008065220/475250.6510051003B 42BC857A PNP2251005045125/250250.6510051003E 43BC857B PNP2251005045220/475250.6510051003F 44BC875C PNP2251005045420/800250.6510051003G

三极管的工作原理(经典)

三极管的工作原理(转载) 三极管的工作原理 对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。 但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。 放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。 所以,平常的工作流程便是,每当放水的时候,人们就打开小阀门,很小的水流涓涓流出,这涓涓细流冲击大阀门的开关,大阀门随之打开,汹涌的江水滔滔流下。 如果不停地改变小阀门开启的大小,那么大阀门也相应地不停改变,假若能严格地按比例改变,那么,完美的控制就完成了。 在这里,Ube就是小水流,Uce就是大水流,人就是输入信号。当然,如果把水流比为电流的话,会更确切,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。 如果某一天,天气很旱,江水没有了,也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门,尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门,并使之开启,但因为没有水流的存在,所以,并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。 饱和区是一样的,因为此时江水达到了很大很大的程度,管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了,这就是二极管的击穿。 在模拟电路中,一般阀门是半开的,通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候,水流也会流,所以,不工作的时候,也会有功耗。 而在数字电路中,阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候,阀门是完全关闭的,没有功耗。 结构与操作原理

三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,如图1所示,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(emitter, E)、基极(base, B)和集 极(collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号,射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体, 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中 性的p型区和n型区隔开。 图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关,工作区间也依偏压方式来分类,这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active),在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压,而BC极间的pn接面则在反向偏压,通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。 EB接面的空乏 区由于在正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,射极的电洞会注入到基极,基 极的电子也会注入到射极;而BC接面的耗尽区则会变宽,载体看到的位障变大, 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形 下,电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例, 射极的电洞注入基极的n型中性区,马上被多数载体电子包围遮蔽,然后朝集电极 方向扩散,同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时, 会被此区内的电场加速扫入集电极,电洞在集电极中为多数载体,很快藉由漂移电流 到达连结外部的欧姆接点,形成集电极电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec,与由基极注入 射极的电子流InB? E(这部分是三极管作用不需要的部分)。 InB? E在射极与与电 洞复合,即InB? E=I Erec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地 在图3(a)中看出。

贴片三极管封装形式

贴片三极管封装 1A SOT323 BC846AW NPN 1A SOT416 BC846AT N BC546A 1A SOT89 PXT3904 NPN 1A SOT89 SXT3904 NPN -1A SOT323 PMST3904 N 2N3904 1A- SOT323 BC846AW N BC546A 1AM SOT23 MMBT3904L N 2N3904 1Ap SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT323 BC846AW N BC546A 1B SOT23 BC846B NPN 1B SOT23 BC846B N BC546B 1B SOT23 FMMT2222 NPN 1B SOT23 FMMT2222 N 2N2222 1B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN 1B SOT23 MMBT2222 N 2N2222 1B SOT23 PMBT2222 NPN 1B SOT23 SMBT2222 NPN 1B SOT23 YTS2222 NPN 1B SOT323 BC846BW NPN 1B SOT416 BC846BT N BC546B 1B SOT89 PXT2222 NPN -1B SOT323 PMST2222 N 2N2222 1B- SOT323 >BC846BW N BC546B

1Bs SC74 BC817UPN N 1Bt SOT23 BC846B N BC546B 1Bt SOT323 BC846BW N BC546B 1C SOT23 FMMT-A20 NPN 1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA20 1C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A 1C SOT23 MMBTA20 NPN 1C SOT23 MMBTA20L N MPS3904 1C SOT23 SMBTA20 NPN 1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC457 1D SOT23 BC846 NPN 1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A 1D SOT23 MMBTA42 NPN 1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn 1D SOT23 SMBTA42 NPN 1D SOT323 BC846W NPN 1D SOT89 SXTA42 NPN 1D- SOT323 BC846W N BC456 1DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners 1Dp SOT23 BC846 N BC456 1DR SC59 MSD1328-RT1 NPN 1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA 1Ds SC74 BC846U N BC456 1Ds SOT363 BC846U BC456 1Dt SOT23 BC846 N BC456 1Dt SOT323 BC846W N BC456 1E FMMT-A43 N MPSA43 1E SOT23 BC847A NPN 1E SOT23 BC847A N BC547A 1E SOT23 FMMT-A43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn 1E SOT23 SMBTA43 NPN 1E SOT323 BC847AW NPN 1E SOT416 BC847AT N BC547A 1E SOT89 SXTA43 NPN 1E- SOT323 BC847A N BC547A 1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners 1Ep SOT23 BC847A N BC547A 1ER SOT23R BC847AR R BC547A 1Es SOT23 BC847A N BC457 1Es SOT323 BC847AW N BC457

三极管的作用:三极管放大电路原理

三极管的作用:三极管放大电路原理 一、放大电路的组成与各元件的作用 Rb和Rc:提供适合偏置--发射结正偏,集电结反偏。C1、C2是隔直(耦合)电容,隔直流通交流。 共射放大电路 Vs ,Rs:信号源电压与内阻; RL:负载电阻,将集电极电流的变化△ic转换为集电极与发射极间的电压变化△VCE 二、放大电路的基本工作原理

静态(Vi=0,假设工作在放大状态) 分析,又称直流分析,计算三极管的电流和极间电压值,应采用直流通路(电容开路)。 基极电流:IB=IBQ=(VCC-VBEQ)/Rb 集电极电流:IC=ICQ=βIBQ 集-射间电压:VCE=VCEQ=VCC-ICQRc 动态(vi≠0)分析:

放大电路对信号的放大作用是利用三极管的电流控制作用来实现,其实质上是一种能量转换器。 三、构成放大电路的基本原则 放大电路必须有合适的静态工作点:直流电源的极性与三极管的类型相配合,电阻的设置要与电源相配合,以确保器件工作在放大区。输入信号能有效地加到放大器件的输入端,使三极管输入端的电流或电压跟随输入信号成比例变化,经三极管放大后的输出信号(如 ic=β*ib)应能有效地转变为负载上的输出电压信号。 电压传输特性和静态工作点 一、单管放大电路的电压传输特性

图解分析法:

输出回路方程: 输出特性曲线: AB段:截止区,对应于输出特性曲线中iB<0的部分。 BCDEFG段:放大区 GHI段:饱和区 作为放大应用时:Q点应置于E处(放大区中心)。若Q点设置C处,易引起载止失真。若Q点设置F处,易引起饱和失真。 用于开关控制场合:工作在截止区和饱和区上。 二、单管放大电路静态工作点(公式法计算)

贴片三极管主要参数一览表

I C V CE TYPE POLA RITY (mW) (mA) (V) (V) mA Volts Max Volts mA (MHZ) Marking 1S9012PNP 3005004025120/3505010.6500501502T12S9013NPN 3005004025120/3505010.650050150J33S9014NPN 2001005045200/1000150.31005150J64S9015PNP 2001005045200/1000150.310010150M65S9018NPN 20050251870/190 1.O 50.51001600J86S8050NPN 3005004025120/3505010.650050150J3Y 7S8550PNP 3005004025120/3505010.6500501502TY 8SS8050NPN 1001500402585/30010010.58008080Y19SS8550PNP 1001500402585/30010010.58008080Y210C1815NPN 20015060500130/400260.251001080HF 11A1015PNP 2001505050130/400260.31001080BA 12C945NPN 2001506050130/400160.310010150CR 13A733PNP 2001506050120/475160.31001050CS 142SC1623NPN 200100605090/600160.310010250L4、L5、L6、L7 15M28S NPN 20010004020300/1000010010.556002010028S 16M8050NPN 2001000402580/30010010.580080150Y1117M8550PNP 2001000402585/30010010.580080150Y2118MMBT5551NPN 30060018016080/25010 5.O 0.550 5.O 80G119MMBT5401PNP 300600160150100/20010 5.O 0.5500.51002L 20MMBTA42NPN 300300300300100/20010100.2202501D 21MMBTA92NPN 300300300300100/20010100.2202502D 222SC2412NPN 2001506050120/560160.4505180BQ、BR、BS 232SC3356NPN 300100201250/30020100.51057000R23、R24、R25242SC3837NPN 30050301856/39010100.52041500CN、CP、CQ、CR 252SC3838NPN 30050201156/3905100.51053200AN、AP、AQ、AR 26BC807-16PNP 2255005045100/25010010.7500502005A 27BC807-25PNP 2255005045160/40010010.7500502005B 28BC807-40PNP 2255005045250/60010010.7500502005C 29BC817-16NPN 2255005045100/25010010.7500502006A 30BC817-25NPN 2255005045160/40010010.7500502006B 31BC817-40NPN 2255005045250/60010010.7500502006C 32BC846A NPN 2251008065110/220250.610051001A 33BC846B NPN 2251008065200/450250.610051001B 34BC847A NPN 2251005045110/220250.610051001E 35BC847B NPN 2251005045200/450250.610051001F 36BC847C NPN 2251005045420/800250.610051001G 37BC848A NPN 2251003030110/220250.610051001J 38BC848B NPN 2251003030200/450250.610051001K 39BC848C NPN 2251003030450/800250.610051001L 40BC858A PNP 2251008065125/250250.6510051003A 41BC858B PNP 2251008065220/475250.6510051003B 42BC857A PNP 2251005045125/250250.6510051003E 43BC857B PNP 2251005045220/475250.6510051003F 44 BC875C PNP 225 100 50 45 420/800 2 5 0.65 100 5 100 3G 极性 型号 P D I C BV CBO BV CEO 序号V CE (sat) I C /I B f TYPE 打标 Min/Max

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