The Country I want to Visit the most in Europe

The Country I want to Visit the most in Europe

姓名：李同学学校：天津市第一中学分数：74 The country I want to visit in the Europe is Switzerland.It is located in the middle of the Europe,with the area of4.1square kilometres and a population of7.5 million.It has a beautiful capital city-Berne.Besides Berne,there is also a city named Geneva famous in the world.Its neighbouring countries are Austria,France,Italy and Germany.The scenery in Switzerland is beautiful.So this country is given a name of “World garden”.Because of the tiny territory,it does not have heavy industries. Instead,it has developed food industries.The watches and chemical industries are advanced,too.With beautiful scenery,developed light industries and financial industries,Switzerland is an attractive country and it is worth paying a visit.We can enjoy the environment in Swizerland.Tthis country makes lots of tourists come to visit every year.

【评语】

结构合理，语言精炼，措辞丰富。

MOS管封装分析报告

MOS管封装分析报告（含主流厂商封装） 在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。 而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。封装的重要性不言而喻。 MOS管封装分类 按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。 插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。 插入式封装

表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。 表面贴装式封装 随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。 1、双列直插式封装(DIP) DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。 但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差;同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。 2、晶体管外形封装(TO)

然科学竞赛杭州赛区获奖名单

附件： 浙江省第十二届初中自然科学竞赛杭州赛区获奖名单 团体一等奖 富阳市永兴中学上城区建兰中学 团体二等奖 拱墅区文澜中学杭州市第十三中学 余杭区杭二中树兰实验学校萧山区高桥中学 团体三等奖 富阳市富春中学下城区春蕾中学 西湖区浙大初附建德新世纪实验学校 一等奖 杭州市上城区建兰中学王健盟 富阳市永兴中学夏孔深 余杭树兰实验学校谢天 杭州市拱墅区文澜中学周舒翔 杭州市西湖区浙大初附唐宇恒 杭州市西湖区杭十三中赵宇舟 富阳市永兴中学孙鹏飞 杭州市上城区建兰中学殷谷帆 富阳市永兴中学汪凡天 杭州市建德新世纪实验学校廖家英 杭州市江干区采荷中学徐依朵 杭州市临安锦城二中汤梦琪 余杭区树兰实验学校陈亚倩 杭州市西湖区绿城育华包一天 富阳市永兴中学熊嘉臻 杭州市建德新世纪实验学校金饶逸琪 杭州市上城区建兰中学胡毓文 杭州市西湖区杭十三中腾昊天 建德新安江第二初中陈勇 杭州市拱墅区文澜中学何坚炜 杭州市西湖区杭十三中范天晖 杭州市西湖区杭十三中张炳

杭州市萧山区回澜初中任国诚杭州市拱墅区文澜中学高凡杭州市上城区建兰中学郭睿桢杭州市西湖区杭十三中沈寒杭州市萧山区高桥初中徐好余杭区信达外国语学校田啸余杭区树兰实验学校王思宇杭州市拱墅区文澜中学陈颖谷杭州市上城区建兰中学吕中驰杭州市西湖区杭十三中史可鉴富阳市富春中学孙炜嘉杭州市拱墅区育才中学方怡杭州市拱墅区文澜中学艾一畅杭州市上城区建兰中学陈程杭州市上城区建兰中学顾昕富阳市永兴中学陈梦璐杭州市萧山区高桥初中倪颖杰杭州市拱墅区文澜中学吴丁一杭州市上城区建兰中学周凡凯杭州市上城区建兰中学施锋杭州市下城区朝晖中学苗正昂富阳市永兴中学唐佳琦富阳市永兴中学施可富阳市永兴中学郑萃颖杭州外国语学校王雨晨杭州市下城区春蕾中学吴晨晖杭州市拱墅区育才中学姚嘉诚杭州市拱墅区文澜中学刘光远杭州市拱墅区文澜中学孙世超杭州市拱墅区文澜中学余靖翚杭州市上城区勇进中学姜晟程富阳市永兴中学张露杭富阳市永兴中学孙承恺富阳市富春中学陈晓燕富阳市永兴中学李炉航富阳市永兴中学施羽邦杭州市下城区春蕾中学祝悦杭州市下城区春蕾中学王立鹤杭州市萧山区高桥初中贾思齐杭州市拱墅区文晖中学阮骁骏杭州市拱墅区文澜中学褚建琛杭州市上城区建兰中学徐天一杭州市西湖区杭十三中应允富阳市富春中学童毅炜

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应

2019年杭州各区小学排行榜

2018杭州上城区小学排行 1杭州市崇文实验学校（民办） 2杭州市天长小学 3杭州市胜利小学 4杭州市时代小学（民办） 5杭州市天地实验小学 6杭州新世纪外国语学校小学部（民办） 7杭州市娃哈哈小学（民办） 8杭州市胜利小学（赞成校区） 9杭州市金都天长小学 10杭州师范大学第一附属小学 2018杭州下城区小学排行 1杭州市安吉路实验学校小学部 2杭州市长寿桥小学 3杭州长江实验小学（民办） 4杭州市大成实验学校小学部 5杭州市景成实验学校小学部 6杭州市胜蓝实验学校 7杭州市西湖文新小学 8杭州市现代实验小学 9杭州市青蓝小学（青蓝校区） 10杭州市东园小学 2018杭州市西湖区小学排行 1杭州市学军小学（杭州师范大学第二附属小学） 2杭州市求是小学 3杭州市钱塘外国语学校小学部（民办） 4杭州市文三街小学 5杭州市绿城育华学校小学部（民办） 6杭州市保俶塔实验学校（小学部） 7杭州市文一街小学（杭州师范大学附属小学） 8杭州市育才外国语学校（民办） 9杭州市行知小学 10杭州市西湖小学 2018杭州江干区小学排行 1杭州市采荷第二小学（采荷二小） 2杭州市采荷第一小学（采荷一小） 3杭州采荷第三小学（采荷三小） 4杭州市采荷第一小学钱江苑校区（采荷一小钱江苑校区）5杭州市文海实验小学 6杭州师范大学东城实验学校 7浙江省教育科学研究院附属实验学校（省教科附小） 8杭州实验外国语学校小学部 9杭州市茅以升实验学校

10杭州市夏衍小学 2018杭州拱墅区小学排行 1杭州市上海福山外国语小学 2杭州市卖鱼桥小学（文澜校区） 3杭州市大关小学（民办） 4杭州市锦绣育才中学附属小学（民办）5杭州市外语实验小学 6杭州市大关小学（申花校区） 7杭州市育才京杭小学 8杭州市拱宸桥小学 9杭州市建新小学 10杭州市德胜小学（德胜校区）

全系列MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料 场效应管分类型号简介封装 DISCRETE MOS FET2N700060V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET2N700260V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9540TO-220 DISCRETE

小学科学六年级复习资料

拱墅区小学科学六年级复习资料 一、小学科学教材各册目录 三上年级 《植物》（我看到了什么、我的大树、各种各样的叶、一片完整的叶） 《动物》（寻访小动物、蜗牛、蜗牛和蝗虫、蚂蚁、我的观察研究） 《我们自己》（观察身体、我的手、运用感官） 《水》（一杯水的观察、各种各样的液体、比较水的多少） 《纸》（纸的观察、我来造一张纸、不同用途的纸、做一辆纸车） 《米粉和淀粉》（米饭的观察、淀粉的踪迹） 三下年级 《混合》（混合身边的物质（一、二）、分离混合物、研究土壤） 《空气》（了解空气、被压缩的空气、流动的空气、空气和我们的生活） 《植物的一生》（种子变成芽、芽长成苗、开花了结果了、果实和种子） 《动物的生命周期》（迎接蚕宝宝的诞生、可爱的蚕宝宝、蚕宝宝变成了新模样、蚕的生命周期） 《沉和浮》（物体在水中是沉还是浮、改变物体在水中的沉浮、马铃薯在水中是沉还是浮、造一艘小船）《冷与热》（冷水与热水、热胀冷缩、温度和温度计、测量物体的温度） 四上年级 《有生命的物体》（动物怎样生活、形形色色的动物、植物怎样生存、植物的根和茎、形形色色的植物、动物和植物） 《溶解》（食盐在水里溶解了、怎样加快溶解、一杯水里能溶解多少食盐、分离盐与水的方法、观察更多的溶解现象） 《天气》（云和雨、风的观测、气温的变化、我们关心天气） 《磁铁》（磁铁的磁性、磁铁的两极、做一个小磁铁、指南针） 《声音》（听听声音、声音是怎样产生的、声音是怎样传播的、控制物体发出的声音、制作我们的小乐器） 四下年级 《电》（电和我们的生活、点亮我的小灯泡、让更多的灯泡亮起来、电路出故障了、导体与绝缘体、我来做个小开关、里面是怎样连接的、我们选择了什么） 《新的生命》（油菜花开了、各种各样的花、花果实和种子、豌豆荚里的豌豆、把种子散播到远处、萌发的种子、动物的卵） 《食物》（一天的食物、我们的身体从食物中获得什么、吃什么和还吃什么、生的食物和熟的食物、面包发霉了、减慢食物变质的速度、食物包装上的信息） 《岩石和矿物》（各种各样的岩石、进一步观察岩石、岩石的组成、怎样观察描述矿物、岩石会改变模样吗、岩石矿物和我们） 五上年级 《生物与环境》（设计种子发芽实验、种子发芽实验、从实验中获得信息、秋冬季的生物、动物的栖息地、建立栖息地、记录动物的特征、观察到了哪些特征、“原来是相互关联的”、讨论会—生物的生活需要）

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

拱墅区推进数字校园建设的实践与探索

拱墅区区域推进数字校园建设的实践与探索 拱墅区教育资产管理中心王大龙 内容摘要：拱墅区作为国家教育信息化区域试点单位之一，重视教育信息化建设，区域推进数字校园建设作为拱墅区教育信息化的重要举措，我区以“公共应用区里建，特色应用学校建”的思路，积极开展区域推进数字校园。 关键词：数字校园区域推进特色 一、区域推进数字校园的思路 数字校园建设一是以信息技术为基础，通过对校园的基础设施、教学资源和教育活动进行数字化改造而构建的信息化环境。二是基于信息化环境下，实现对教学、科研、教务、生活和管理有关的信息资源的全面数字化，面向全体师生、家长构成一个超越时空的具有学校特色的应用和服务相结合的虚拟学校。所以我们提出区域推进数字校园建设，主要分两个层面组织实施，一是区级层面，主要从统一规划软硬件环境，部署公共应用服务，有效指导学校数字校园建设。二是学校层面，能根据学校的实际情况，制定数字校园建设的目标、方向，并制定数字校园实施的管理和制度，并形成特色数字校园。 二、区域保障数字校园建设基础 1.区域推进数字校园网络链路环境 传统的区域网络链路以扁平化网络或星形网络为主。构建以信息中心为核心的千兆接入的分布式网络链路结构，形成高效、稳定、安

全的网络环境。在此基础上，部署了拱墅区教育无线网络，实现有线网络和无线网络的互通。为我区开展网络阅卷、移动教学、视频交流、即时通讯等数据传递提供保障。 2．区域推进数字校园基础数据服务管理 数字校园建设以学校为主体，往往学校自己建立自己的数据平台，建设完成后，形成校与校之间的新的数据孤岛。我区推进数字校园建设，从区级层面建设数据基础平台，要求学校开发的应用平台都要求与区基础数据库进行对接，实现区内基础数据的共建共享。内部构架基础数据服务器，统一管理学校、教师、学生等基础数据，实现统一数据交换、基础数据服务、统一身份认证等功能。保证各校之间基础数据的统一性、权威性，为全区开展大规模的网络学习、在线交流、在线管理提供了数据支持。 3.区域推进数字校园应用平台建设 为避免学校重复建设，提高部分应用的使用效率，我们提出“公共应用区里建，特色应用学校建”的建设模式，统一规划各类应用，对于全区有普遍性、统一性的应用平台由区级统一建设。如我区的数字图书馆、网络教研系统等等。教师工作室和网络学习空间建设项目作为国家级试点项目，就是利用网络技术进行教学研修的全区性平台，在网络上开设特级教师教师工作室、名师工作室、教师个人学习空间等交流互动空间，引领教师专业发展，从而提高课堂教学水平，提高广大教师运用现代教育技术的能力和水平，推动教育教学模式创新。 三、学校打造个性化数字校园

小学科学生物与环境练习卷

拱墅区小学科学总复习《生物与环境》练习卷学校班级姓名成绩 一、判断。 1.生命体都是由细胞组成的。（） 2.自然界里生活着许许多多的微生物，这些微生物实际上并不是生物。（） 3.凡是生物，都会经历生长、发育和死亡的过程，会繁殖它们的后代。（） 4.种子的发芽需要适宜的温度、适量的水、充足的空气。（） 5.当阳光、空气、水、温度、肥料等环境因素发生变化时，植物生长也会发生相应 的变化。（） 6.在研究光照对种子发芽的影响时，需要保证光照和水分这两个条件不变。（） 7.在一定环境中生存的各种生物，它们相互影响、相互依存，构成了一个群落。（） 8.小明画了一条食物链：老鹰→蛇→青蛙→蝴蝶→花。（） 9.在做生态瓶时，水生植物的数量要与水生动物的数量保持平衡。（） 10.当水质受到污染时，一些浮游生物会大量繁殖，消耗水中的氧气。（） 11.在自然保护区里，不准狩猎和采伐，但可以栽种一些新品种的植物。（） 12.拟斑马、袋狼、卡罗莱纳鹦哥鸟都是我国特有的珍稀动物。（） 13.环境的变化会影响动物的生存，但动物的数量变化不会影响环境。（） 14.当环境发生变化时，所有生物的结构特征都会发生相应的改变，从而继续生存下 去，不会被淘汰。（） 15.生物的多样性是人类生存与发展的基础，我们要保护生物的多样性。（） 16.减少丢弃、重新使用是减少垃圾的重要方法。（） 17.给垃圾分类和回收利用，能减少垃圾的数量，节约大量的自然资源。（） 18.水污染大多由人类活动引起的，污水需要经过处理才能重新被利用。（） 19.防止空气污染，就是要多扫地、多洒水，防止尘土扬起来。（） 20.人类面临着垃圾和水污染、大气污染、物种加速灭绝等环境问题。（） 二、选择。 1.绿色植物能自己制造养料，称为（）。 A 制养者 B 生产者 C 消费者 2.（）不能自行制造养料，而需要直接或间接地利用植物制造的养料。

MOS管封装

MOS管外部封装-标准封装形式概览 下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。 TO（Transistor Out-line）封装 1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。 2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称 之为D2PAK。 TO封装的进展 D-PAK(TO-252)封装 SOT（Small Out-Line Transistor）封装

SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。 SOT封装 常用的四端引脚SOT-89 MOSFET SOP（Small Out-Line Package）封装 1、SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。 2、SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。 3、SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。 4、SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。

小学科学总复习《生物的特征》练习试卷

拱墅区小学科学总复习《生物的特征》练习试卷学校班级姓名成绩 一、判断。 1.所有的植物都由根、茎、叶、花、果实、种子等部分组成。（） 2.只有陆生植物的根才具有吸收水分和养料的作用。（） 3.植物的茎具有支撑植物及运输水分和养料的作用。（） 4.凤仙花是一种草本植物。（） 5.花是植物的繁殖器官。（） 6.开花植物的生长主要经历了种子发芽、生长、开花、结果等主要过程。（） 7.蚕是从蚕卵里孵出来的，刚孵出的小蚕称为蚕蛾。（） 8.水生动物的身上有鳞片，用鳃呼吸，用鳍游泳。（） 9.昆虫的身体分头、胸、腹三部分，头部有1对触角，胸部有2对翅和3对足。（） 10.只有受精过的青蛙卵才有可能孵化出小蝌蚪。（） 二、填空。 1.一片完整的叶具有共同的构造，包括（）和（）两部分。 2.植物的叶依靠阳光提供的能量，利用（）和（），制造了植 物生长所需的养料，称为（）作用。 3.一朵完全花由（）、（）、（）、（）四部分组成。 4.雄蕊的花粉传播到雌蕊的柱头上，这个过程叫（）。 5.植物的种子由（）和（）两部分构成。 6.动物的幼年期和成年期的形态会发生变化的现象，叫做（）。 7.身体中有脊柱的动物叫（）动物，没有脊柱的动物叫（）动物。 三、选择。 1.下面的植物中，会开花、结果的是（）。 A 无花果 B 苔藓 C 海带 2.下面的植物中，属于木本植物的是（）。 A 狗尾草 B 向日葵 C 樟树 3.银杏的叶子是（）。

A 针形叶 B 扇形叶 C 心形叶 4.一朵南瓜的雌花，它缺少了（）部分。 A 雄蕊 B 雌蕊 C 花瓣 5.植物种子中，将来发育成植物的茎叶的是（）。 A 胚根 B 胚芽 C 子叶 6.靠动物的帮助来传播种子的植物是（）。 A 苍耳 B 蒲公英 C 豌豆 7.蚕是蚕蛾的（），蚕蛾是蚕的（）。 A 幼虫 B 蛹 C 成虫 8.下面动物在成长过程中，不会发生变态的是（）。 A 蝴蝶 B 青蛙 C 鸟 9.下面动物中，（）不是卵生动物。 A 蜻蜓 B 金鱼 C 海豚 10.下面动物中，（）不是胎生动物。 A 啄木鸟 B 熊猫 C 袋鼠 四、连线。 1.将下列植物和它的种子传播方式用直线连接。 荷花蒲公英凤仙花野葡萄 风传播水传播动物传播弹射传播 五、作图。 1.写出植物花的各部分名称。 （） （）（） （）

_《元器件》MOS管封装说明

板卡稳压器 显卡帝详解MOSFET封装技术 MOS管简介 MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在板卡上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位。 MOS管的作用是什么 MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。目前板卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。MOS管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。 MOS管封装形式 MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB 上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。 常见的插入式封装MOSFET 典型的表面贴装式封装MOSFET

随着技术的革新与进步，主板和显卡的PCB板采用直插式封装的MOSFET越来越少了，而多改用表面贴装式封装的MOSFET。故而本文中重点讨论表面贴装式封装MOSFET，并从MOS管外部封装技术、MOS管内部封装改进技术、整合式DrMOS、MOSFET发展趋势和MOSFET实例讲解等进行详细介绍。 MOS管外部封装-标准封装形式概览 MOS管外部封装-标准封装形式概览 下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。 TO（Transistor Out-line）封装 1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。 2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。 TO封装的进展

五年级科学：《美丽的彩虹》教案

五年级科学：《美丽的彩虹》教案 教材：教科版小学《科学》五年级上册P28—P29 课题：《美丽的彩虹》 执教者：拱墅区教育局教研室金卫国执教时间：2005年6月21—23日 教案设计：金卫国、万嵩海 一、教材分析 教材共2页，分为“自制水棱镜”、“制作牛顿盘”2个部分。学生们在惊诧于雨过天晴时彩虹的美丽，但却未必能解释雨后为什么会产生彩虹？学生们知道彩虹由7种颜色组成，但却未必能解释彩虹不同的色彩是怎样形成的？本课意图利用三棱镜与牛顿盘的制作和使用，让学生了解到光可以分解和混合。 第一部分：自制水棱镜。 教材首先将一束阳光投射到三棱镜上，让学生观察产生的现象。学生们将可能会观察到三种现象：一是阳光被棱镜的一面反射到墙壁上，我们会看到一块白色光斑；二是投下的棱镜的阴影；还有一种现象就是被折射出来的彩虹。让学生描述并解释观察到的这几种现象，他们可用光的反射来解释白

色光斑，然而在解释彩虹形成时，就遇到了障碍。于是教材提供了这样的解释：“阳光穿过透明的棱镜时，光的路线会发生改变，被分解为多种颜色的光，形成太阳光谱。”（我认为在实际教学应该注意两方面的事项：一是如何让外界的阳光引到教室内来，第二是如何从镜子反射阳光过渡到棱镜折射阳光。） 这种现象如果能被学生用一定的方法再现，那是多么愉快的事。于是，教材就提供了一种简便易行的制作太阳光谱的活动——制作水棱镜的活动。在制作水棱镜时，学生还可能观察到水中的硬币、镜面的折射效果。教师可以适当地讲解一下光的折射现象，以满足学生的求知欲。（我认为教材中这种制作方法可以用配套材料中的器材替代，并且效果比较好。而水棱镜分解阳光，我们可以做成模拟实验。可以用手电筒的光替代阳光，水棱镜替代三棱镜，白纸替代墙面。这样的改变一方面可以解决这节课受阳光限制的局限，另一方面也可以让学生经历模拟实验的产生与设计过程。） 在活动结束前，教师可以引领学生联想日常生活中看到的彩虹或折射现象，分析其中的光学原理，并利用这种原理创造性的再现天空中的彩虹。 这部分的内容，是这节的重要部分。 第二部分：制作牛顿盘。 白色的太阳光（姑且将阳光的颜色称为白色）通过棱镜能分

常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料

场效应管分类 型号 简介 封装常用三极管型号及参数(1) DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应 MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应 MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应 MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应 MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应 MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应 MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应

MOS管封装

将主板MOSFET看透，看明白，让你更了解主板 主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET以及多芯片DrMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。本文将对主板采用的MOSFET 器件的封装规格和封装技术作简要介绍。 MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。所谓封装就是给MOSFET芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。 芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。这些技术改进将付出很高的成本。 MOSFET的封装形式 封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。 以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。

常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。 典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。 电脑主板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。 一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。我们先从标准的封装外形规格说起。 标准封装规格TO封装 TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。 TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。 D-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。

小学科学生物的特征测试题

拱墅区小学科学总复习《生物的特征》练习卷学校班级姓名成绩 一、判断。 1.所有的植物都由根、茎、叶、花、果实、种子等部分组成。（） 2.只有陆生植物的根才具有吸收水分和养料的作用。（） 3.植物的茎具有支撑植物及运输水分和养料的作用。（） 4.凤仙花是一种草本植物。（） 5.花是植物的繁殖器官。（） 6.开花植物的生长主要经历了种子发芽、生长、开花、结果等主要过程。（） 7.蚕是从蚕卵里孵出来的，刚孵出的小蚕称为蚕蛾。（） 8.水生动物的身上有鳞片，用鳃呼吸，用鳍游泳。（） 9.昆虫的身体分头、胸、腹三部分，头部有1对触角，胸部有2对翅和3对足。（） 10.只有受精过的青蛙卵才有可能孵化出小蝌蚪。（） 二、填空。 1.一片完整的叶具有共同的构造，包括（）和（）两部分。 2.植物的叶依靠阳光提供的能量，利用（）和（），制造了植 物生长所需的养料，称为（）作用。 3.一朵完全花由（）、（）、（）、（）四部分组成。 4.雄蕊的花粉传播到雌蕊的柱头上，这个过程叫（）。 5.植物的种子由（）和（）两部分构成。 6.动物的幼年期和成年期的形态会发生变化的现象，叫做（）。 7.身体中有脊柱的动物叫（）动物，没有脊柱的动物叫（）动物。 三、选择。 1.下面的植物中，会开花、结果的是（）。 A 无花果 B 苔藓 C 海带 2.下面的植物中，属于木本植物的是（）。 A 狗尾草 B 向日葵 C 樟树 3.银杏的叶子是（）。

A 针形叶 B 扇形叶 C 心形叶 4.一朵南瓜的雌花，它缺少了（）部分。 A 雄蕊 B 雌蕊 C 花瓣 5.植物种子中，将来发育成植物的茎叶的是（）。 A 胚根 B 胚芽 C 子叶 6.靠动物的帮助来传播种子的植物是（）。 A 苍耳 B 蒲公英 C 豌豆 7.蚕是蚕蛾的（），蚕蛾是蚕的（）。 A 幼虫 B 蛹 C 成虫 8.下面动物在成长过程中，不会发生变态的是（）。 A 蝴蝶 B 青蛙 C 鸟 9.下面动物中，（）不是卵生动物。 A 蜻蜓 B 金鱼 C 海豚 10.下面动物中，（）不是胎生动物。 A 啄木鸟 B 熊猫 C 袋鼠 四、连线。 1.将下列植物和它的种子传播方式用直线连接。 荷花蒲公英凤仙花野葡萄 风传播水传播动物传播弹射传播 五、作图。 1.写出植物花的各部分名称。 （） （）（） （）

MOSFET的封装技术图解大全

MOSFET的封装技术图解大全 主板MOSFET的封装技术图解大全 主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET 以及多芯片DrMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。本文将对主板采用的MOSFET器件的封装规格和封装技术作简要介绍。 MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。所谓封装就是给MOSFET芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。 芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。这些技术改进将付出很高的成本。 封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。 以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB 的安装孔焊接在PCB上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。 常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。 典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。

拱墅区小学科学总复习材料

拱墅区小学科学总复习材料 拱墅区小学科学总复习《材料、结构和物质的变化》练习卷 学校班级姓名成绩 一、判断。 1. 我们能直接或间接观察到的实际存在的东西都是由细胞构成的。( ) 2. 丝绸和棉布在吸水性、渗水性、防水性方面基本相同。( ) 3. 过度使用材 料不仅浪费资源，还会对环境造成严重影响。( ) 4. 材料的厚度与抗弯曲能力有关，材料越厚，抗弯曲能力越强。( ) 5. 改变材料的形状，不会改变材料的抗弯曲能力。( ) 6. 圆顶形和球形是拱 形的组合，所以可以承受更大的压力。( ) 7. 上大下小、上重下轻的物体不容易倒。( ) 8. 在长方形框架中增加一根斜杆，可以增加框架的稳定性。( ) 9. 铁生锈会造成巨大损失，所以人们通过各种技术手段控制铁生锈的速度。( ) 10. 用蜡烛加热白糖时既会发生物理变化，又会发生化学变化。( ) 11. 小苏打和白醋混合后，会产生气体，并伴随发光发热的现象。( ) 12. 铁钉和硫酸铜溶液发生反应后，溶液的颜色会变浅。( ) 13. 物质发生物 理变化的过程中一定发生了化学变化。( ) 14. 馒头、面包等遇到碘酒会变蓝紫色，因为它们都含有淀粉。( ) 15. 在物质变化的研究中，观察到“没有变化”使科学活动变得没有意义。( ) 二、填空。 1. 没有生成新物质的变化叫( )，生成新物质的变化叫( )。 2. 物质的化学变化会伴随一些现象，如( )、( )、( )、( )等。

三、选择。 1. 下列( )结构不易变形。 A 三角形 B 四边形 C 五边形 2. 人们常用( )做雨伞。 A 棉布 B 毛料 C 合成纤维 3. 下列材料中，属于天然材料的是( )。 B 棉花 C 塑料 A 钢铁 4. 下列建筑材料中，属于人造材料的是( )。 B 黄沙 C 钢筋 A 石子 5. 易拉罐被压扁和水结冰这两种现象的共同点是( )。 A 发光发热 B 生成新物质 C 形状和体积发生变化 小苏打和白醋混合后产生的气体是( )。6. A二氧化碳 B 氢气 C 氧气 7. 铁钉和硫酸铜液体发生反应后，附着在铁钉上的物质是( )。 A 铁锈 B 硫酸铁 C 铜 8. 下列变化中，( )生成了新物质。 A 木材燃烧 B 水沸腾 C 食盐溶解 9. 下列变化中，( )没有生成新物质。 A 铁生锈 B 水结冰 C 食物消化 10. 制作柠檬汽水过程中，( )是物理变化，( )是化学变化。 A 在水中加糖 B 把柠檬榨成汁 C 产生冒泡 四、连线。