声光调Q脉冲激光器

CIOE展品之声光调Q脉冲光纤激光器

关键词：激光器、

MFP 声光调Q 光纤激光器是创鑫激光开发的高效率、高可靠性、高性能的脉冲光纤激光器系列，波长范围1060~1070nm，是用于激光打标、激光雕刻工业的理想激光源。创鑫激光MFP声光调Q 光纤激光器属于四类（Class 4）激光器产品，产品的设计和测试都充分考虑了安全性。操作便捷，自动适配用户需求，整体免维护，可直接集成至用户设备。结构紧凑，采用光纤带隔离器输出。能满足绝大部分的塑料打标、所有的金属标记、蚀刻、深雕、表面清洗、高精度薄板切割、钻孔等应用。

应用领域：

智能装备/机器人、汽车电子、 3D打印、激光加工设备。

产品类别：

工业激光器。

CIOE激光技术及智能制造展立足华南、辐射全国，集商贸采购、展示、技术及学术交流于一体，专注于激光精细加工和创新应用，聚焦激光技术在电子制造、集成电路、通信、医疗、能源、自动驾驶等领域的创新应用。历年来获得了国内外知名激光企业的鼎力支持。

CIOE中国光博会与法国权威分析机构Yole Développement共同举办行业高端论坛，"第二届国际激光技术高端论坛——聚焦半导体制造工艺及方案"为期半天的激光技术论坛将聚集全球顶尖激光行业专家与企业，共同探讨激光行业的最新应用和技术。

"首届国际汽车激光雷达创新论坛——汽车市场塑造激光雷达未来"聚焦激光雷达在汽车制造行业的最新应用和技术。"首届国际消费级3D传感高端论坛——一起探索改革用户界面的硬科技"汇集全球顶尖3D传感专家与企业，探讨3D传感行业的最新技术，助力解决行业痛点。

激光脉冲的平均功率和功率

激光脉冲的平均功率和功率， 设脉冲激光器输出的单个脉冲持续时间（脉冲宽度）为：t,（实际为FWHM宽度） 单个脉冲的能量：E, 输出激光的脉冲重复周期为：T, 那么,激光脉冲的平均功率Pav = E/T,（即在一个重复周期内的单位时间输出的能量） 脉冲激光讲峰值功率（peak power）Ppk = E/t 能量密度=（单脉冲能量*所用频率）/光斑面积算 通常也用单位时间内的总能量除以光斑面积 峰值功率=脉冲能量除以脉宽 平均功率=脉冲能量*重复频率（每秒钟脉冲的个数） 脉冲激光器的能量换算 脉冲激光器的发射激光是不连续，一般以高重频脉冲间隔发射。发射能量以功的单位焦耳J） 计，即每次脉冲做功多少焦耳。 连续激光器发射的能量以功率单位瓦特（W）计量，即每秒钟做功多少焦耳，表示单位时间内 做功多少。 瓦和焦耳的关系：1W=1J/秒。 一台脉冲激光器，脉冲发射能量是1焦耳/次，脉冲频率是50Hz,则每秒钟发射激光50次，每秒钟内做功的平均功率为：50X 1焦耳=50焦耳，所以，平均功率就换算为50瓦。再举例 说明峰值功率的计算，一台绿光脉冲激光器，脉冲能量是0.14mJ/次，每次脉宽20 ns,脉冲 频率100kHz， 平均功率为：0.14mJ X 100k=14J/s=14W，即平均功率为14瓦；峰值功率是每次脉冲能量与脉宽之比，即 峰值功率：0.14mJ/20ns=7000W=7kW，峰值功率为7千瓦。 要想知道镜片的脉冲激光损伤阈值是否在承受极限内，既要计算脉冲激光的峰值功率，也要计算脉冲激光的平均功率，综合考虑。 如某ZnSe镜片的激光损伤阈值时是500MW/cm2,使用在一台脉冲激光器中，脉冲激光器的 脉冲能量是10J/cm2，脉宽10ns，频率50kHz。首先，计算平均功率：10J/cm2 X 50kHz =0.5MW/cm2 其次，再计算峰值功率：10J/cm2 / 10ns = 1000MW/cm2 从脉冲激光器的平均功率看，该镜片是能承受不被损伤的，但从脉冲激光器的峰值功率看， 是大于该镜片的激光损伤阈值的。所以，综合判断，该ZnSe镜片不宜用于此脉冲激光器。如果有条件，对脉冲激光器镜片，应当分别测试平均功率和峰值功率的激光损伤阈值。 Ave. Power :平均功率Pulse energy :脉冲能量Pulse Width :脉宽Peak Power:峰值功率Rep. Rate :脉冲频率ps：皮秒，10-12 S ns：纳秒，10-9S M: 兆, 106 J:焦耳W:瓦 氙灯作为激光设备一个常用光源，通常被人们也叫做激光氙灯、脉冲氙灯。氙灯是一 种填充氙气的光电管或闪光电灯。氙气化学性质不活泼，不能燃烧，也不助燃。是天然的稀

高功率半导体激光器

光机电信息 Ｓｅｐ．２００８ 钛蓝宝石激光器反射镜 新加坡ＥｄｍｏｕｎｄＯｐｔｉｃｓ公司拥有一系列用于超快激光系统的钛蓝宝石激光反射镜。钛蓝宝石激光反射镜可以使激光脉冲保持平坦的群速度色散曲线，中心波长为８００ｎｍ，在７００～９００ｎｍ范围内曲线都可以保持平坦。 反射镜的直径在１２．７～２５．４ｍｍ之间，厚度为 ６．３５ｍｍ，表面质量为１０－５，表面精度为１／１０波长。 镜子的强度很高，对于脉冲长度为１５０ｆｓ的激光脉冲或１００ｋＷ／ｃｍ２的连续激光，镜子可以承受高达 ０．５Ｊ／ｃｍ２的激光能量。对于７３０～９００ｎｍ波长的偏振 光ｓ和ｐ偏振光，反射镜都可以做到１００％的有效反射。 这些反射镜加工精细，平行度优于５ａｒｃｍｉｎ．，通光口径达到８５％，直径公差为＋０．０／－０．２ｍｍ，厚度公差为±０．２ｍｍ。入射光角度设计为４５°，用于超快激光光束的转向。 ｗｗｗ．ｅｄｍｏｕｎｄｏｐｔｉｃｓ．ｃｏｍ 高功率半导体激光器 德国ＬＩＭＯ公司发布了一种高功率半导体激光 器－ＬＩＭＯ５０－Ｌ２８ｘ２８－ＤＬ７９５－ＥＸ４７３。该激光器可以形成２８ｍｍ×２８ｍｍ×８０ｍｍ的均匀光场，输出功率达到了５０Ｗ，中心波长为７９４．８ｎｍ±０．２ｎｍ，波长稳定性极高，光谱宽度只有０．７ｎｍ。 该激光器可靠性高，经济实用。采用热电致冷或自来水冷却的方式。结构紧凑的激光头外形尺寸为４４５ｍｍ×１１０ｍｍ×６６ｍｍ，非常适用于便携式测量仪器。 ｗｗｗ．ｌｉｍｏ．ｄｅ 平顶光束生成器 ＳｔｏｃｋｅｒＹａｌｅ公司的平顶光束生成器是一种光束 整形模块，它可以把高斯光束转化为聚焦、准直或发散成平顶能量分布的光束，即使经过较长距离也可以保持光束能量和强度的高度均匀。 ＳｔｏｃｋｅｒＹａｌｅ公司的平顶光束生成器适用于紫 外、可见光以及近红外波段的激光器，易于与 ＳｔｏｃｋｅｒＹａｌｅ公司的Ｌａｓｉｒｉｓ或其它类型的激光器相集 成。 ｗｗｗ．ｓｔｏｃｋｅｒｙａｌｅ．ｃｏｍ ４８５ｎｍ皮秒脉冲二极管激光器 德国ＰｉｃｏＱｕａｎｔ公司对外发布了其４８５ｎｍ波长的皮秒脉冲二极管激光头。该激光头可应用于生物 名企名品 ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ＆Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ６４

半导体激光器的研究

半导体激光器的研究 半导体激光器是近年来应用非常广泛的一种激光器。在本实验中我们将对半导体激光器的主要发光器件——激光二极管（LD）进行全面的实验研究。 【实验内容】 1．激光二极管（LD）的伏安特性测量。 2．LD的发光强度与电流的关系曲线测量。 3*．LD发光光谱分布测量。 4*．LD发光偏振特性分析。 【实验仪器】 激光二极管，电压表，电流表，激光功率计，分光计，格兰—泰勒棱镜等

阅读材料 半导体激光器件 按照半导体器件功能的基本结构可分为：注入复合发光，即电—光转换；光引起电动势效应，即光—电变换。这里主要讨论前者。 半导体激光光源是半导体激光器发射的激光。它是以半导体材料作为激光工作物质的一类激光器，亦称激光二极管，英文缩写为LD。与其相对应的非相干发光二极管，英文缩写为LED。它具有工作电压低、体积小、效率高、寿命长、结构简单、价格便宜以及可以高速工作等一系列优点。可采用简单的电流注入方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而有可能与之单片集成；并且还可用高达吉赫(109 Hz)的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，LD在激光通信、光纤通信、光存储、光陀螺、激光打印、光盘录放、测距、制导、引信以及光雷达等方面已经获得了广泛应用，大功率LD 可用于医疗、加工和作为固体激光器的泵浦源等。 半导体激光器自1962年问世以来，发展极为迅速。特别是进入20世纪80年代，借用微电子学制作技术(称为外延技术)，现已大量生产半导体激光器。以半导体LD条和LD堆为代表的高功率半导体激光器品种繁多，应有尽有。 1 概述 1）半导体激光器的分类 从半导体激光器的发射的激光看，可分为半导体结型二极管注入式激光器和垂直腔表面发射半导体激光器两种类型；而从结型看，又可分为同质结和异质结两类；从制造工艺看，又可为一般半导体激光器、分布反馈式半导体激光器和量子阱半导体激光器激光器；另外，为了提高半导体激光器的输出功率，增大有源区，将其做成列阵式，又可分为单元列阵、一维线列阵、二维面阵等。 2）半导体激光器的工作原理 半导体激光器与其它激光器没有原则区别，只是因工作物质不同，而有其自身的特点。图示给出了GaAs激光器的外形及其管芯结构，在激光器的外壳上有一个输出激光的小窗口，激光器的电极供外接电源用，外壳内是激光器管芯，管芯形状有长方形、台面形、电极条形等多种。它的核心部分是PN结。半导体激光器PN结的两个端面是按晶体的天然晶面剖切开的，称为解理面，这两个表面极为光滑，可以直接用作平行反射镜面，构成激光谐振腔。激光可以从某一侧解理面输出，也可由两侧输出。 半导体材料是一种单晶体，各原子最外层的轨道互相重叠，导致半导体能级不再是分

高重频双波长复合干扰激光器设计

高重频双波长复合干扰激光器设计* 叶庆1，范一松1 2，王磊1，卞进田1 （1. 国防科技大学 脉冲功率激光技术国家重点实验室 安徽 合肥 230037；2.中国科学院安徽光学精密机械研究所 安徽光子器件与材料省级实验室 安徽 合肥 230031） 摘要：为解决基频光高重频与倍频光高平均功率之间的矛盾，设计了一台干扰用高重频双波长复合输出激光器。静态仿真了泵浦源效率、激光晶体受热和受力分布、激光高斯模式特征，得到了该激光器的复合输出特性。动态仿真调Q 频率、倍频晶体长度对复合输出的影响以及分析倍频晶体热效应，发现在泵浦功率和谐振腔结构不变的前提下，需先满足基频光高重频工作，再优化倍频晶体长度和控制倍频晶体温度可提高倍频光的输出功率。按上述仿真结论开展验证实验表明：当KTP 晶体长度为12mm ，输出镜透过率为10%，重复频率为50kHz 时，设计的激光器基频光平均功率为18.98W ，倍频光平均功率为2.22W ，与仿真结论一致。 关键词：固体激光器；双波长复合输出；高重频；仿真与实验 中图分类号：TN242 文献标志码：A 文章编号： Design of the Dual-wavelength Composite Jamming Laser with High-repetitive Frequency YE Qing 1, FAN Yisong 1 2, WANG Lei 1, BIAN Jintian 1 (1. State Key Laboratory of pulsed power laser technology, National University of Defense Technology, Hefei 230037, China ；2.Anhui Provincial Key Laboratory of Photonic Devices and Materials, Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) Abstract: In order to solve the contradiction between high repetition rate of fundamental wave (FW) and high average power of second-harmonic wave (SHW), a new 1064nm/532nm dual-wavelength composite jamming laser with high-repetitive frequency was designed. Firstly, the composite output characteristics of the laser were obtained by the static analysis of t he pump source’s efficiency, heat and force distribution of crystal, and the Gauss mode of laser. Then, the influence on the dual-wavelength composite output was analyzed by changing the Q-switching frequency, the length of the second harmonic generation (SHG) crystal and by simulating the thermal effect of SHG crystal. It is found that the high frequency of FW should be satisfied first, and the output power of SHW can be improved by optimizing the length of the SHG crystal and controlling the temperature of SHG crystal under the condition of the constant pumping power and the structure of the resonator. Finally, the simulation conclusion was verified by experiment. The experimental results show that when the length of KTP crystal is chosen as 12mm, the transmissivity of the output mirror is fixed to 10%, and the Q-switching frequency is selected as 50KHz, the average output power of the FW is 18.98W, and the average power of the output of SHW is 2.22W. Keywords: solid-state laser; dual-wavelength composite output; high-repetitive frequency; simulation and experiment *收稿日期：2018-01-15 基金项目：脉冲功率激光技术国家重点实验室主任基金资助项目（SKL2015ZR01） 作者简介：叶庆（1981－），男，四川泸州人，博士，助理研究员，E-mail ：yeqing0518@https://www.wendangku.net/doc/a718376250.html, 范一松（通信作者），男，安徽萧县人，硕士，工程师，E-mail ：fan_ys01@https://www.wendangku.net/doc/a718376250.html,. 1064nm 和532nm 的双波长全固态激光器在激光清洗、激光医疗、激光探测等领域具有重要的应用价值[1-3]。不同的应用领域对激光器的性能指标要求不同，在激光对抗领域首先需要两路激光同时输出，从而减少干扰激光器的数量以提高设备的紧凑性[4]，其次需要532nm 倍频激光平均功率尽可能大，以饱和干扰电视成像侦察与制导系统，1064nm 基频激光频率应尽可能高，以对抗基于波门识别原理的激光测距或半主动制导系统[5-7]。

半导体激光器特性测量

半导体激光器特性测量实验 摘要：激光器的三个基本组成部分是：增益介质、谐振腔、激励能源。本实验通过测量半导体激光器的输出特性、偏振度和光谱特性，进一步了解半导体激光器的发光原理，并掌握半导体激光器性能的测试方法。 关键字：半导体激光器偏振度阈值光谱特性 一、引言 半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。半导体激光器发射激光必须具备三个基本条件：（1）产生足够的粒子数反转分布；（2）合适的谐振腔起反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；（3）满足阀值条件，使光子的增益≥损耗。半导体激光器工作原理是用某种激励方式，将介质的某一对能级间形成粒子数反转分布，在自发辐射和受激辐射的作用下，将有某一频率的光波产生（用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔），在腔内传播，并被增益介质逐渐增强、放大，输出激光。 二、实验仪器 半导体激光器装置、WGD-6型光学多道分析器、电脑、光功率指示仪等。 三、实验原理 3.1半导体激光器的基本结构 半导体激光器大多数用的是GaAs或Gal-xAlxAs材料，p-n结激光器的基本结构如图1所示，p-n结通常在n型衬底上生长p型层而形成。在p区和n区都要制作欧姆接触，使激励电流能够通过，这电流使结区附近的有源区内产生粒子数反转，还需要制成两个平行的端面其镜面作用，为形成激光模提供必须的光反馈。图1中的器件是分立的激光器结构，它可以与光纤传输连成线，如果设计成更完整的多层结构，可以提供更复杂的光反馈，更适合单片集成光电路。

半导体激光器公司排名,国内半导体激光器公司

半导体激光器公司排名，国内半导体激光器公司 半导体激光器又称为激光二极管（LD，Laser Diode），是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件，一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因此半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光雷达、自动控制、检测仪器等领域得到了广泛的应用。 半导体激光器工作原理是： 通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种：电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由GaAS（砷化镓）、InAS（砷化铟）、Insb（锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO等）作为工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用N型或P型半导体单晶（GaAS、InAs、InSb等）作为工作物质，以其它激光器发出的激光作光泵激励。

目前在半导体激光器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构的电注入式GaAs二极管半导体激光器。 半导体激光器公司排名_半导体激光器公司有哪些?国内半导体激光器/组件生厂商（排名不计先后）：国内做的很多，中科院半导体所、中航光电、nLight、BWT、西安炬光、北京海特、大族天成、大族锐波、江苏天元、武汉锐科、昆山华辰光电、深圳创鑫激光、苏州长光华芯光电技术有限公司、江苏华芯半导体、中科院苏州纳米所。下面介绍几家半导体激光器公司 半导体激光器公司——海特光电有限责任公司 海特光电有限责任公司是由中国节能环保集团公司和中国科学院半导体研究所在光电子器件国家工程研究中心的基础上合资组建的高新技术企业。公司成立于1999 年8月，注册资本金为1亿元人民币。 海特光电有限责任公司专著于半导体激光器器件和应用产品研发、生产和销售，作为国内半导体激光器市场最早的开拓者，拥有从器件结构设计－外延生长－管芯工艺－器件封装－光纤耦合等全系列完整的半导体激光器工艺与生产链，具有完全的自主研发和批量生产能力，是国内外享有盛誉的半导体激光器及应用产品的研发和制造商。 半导体激光器公司——北京凯普林光电科技有限公司 北京凯普林光电科技有限公司是坐落于中关村丰台科技园区内的一家高新技术企业。2003年3月注册成立。作为中国最具实力的半导体激光器件提供商，凯普林光电

脉冲激光器的能量换算-波长光电

脉冲激光器的能量换算 南京波长光电科技股份有限公司王国力 脉冲激光器的发射激光是不连续，一般以高重频脉冲间隔发射。发射能量以功的单位焦耳(J)计，即每次脉冲做功多少焦耳。 连续激光器发射的能量以功率单位瓦特(W)计量，即每秒钟做功多少焦耳，表示单位时间内做功多少。 瓦和焦耳的关系：1W=1J/秒。 一台脉冲激光器，脉冲发射能量是1焦耳/次，脉冲频率是50Hz，则每秒钟发射激光50次，每秒钟内做功的平均功率为：50X 1焦耳=50焦耳，所以，平均功率就换算为50瓦。 再举例说明峰值功率的计算，一台绿光脉冲激光器，脉冲能量是0.14mJ/次，每次脉宽20ns, 脉冲频率100kHz， 平均功率为：0.14mJ X 100k=14J/s=14W，即平均功率为14瓦； 峰值功率是每次脉冲能量与脉宽之比，即 峰值功率：0.14mJ/20ns=7000W=7kW, 峰值功率为7千瓦。 要想知道镜片的脉冲激光损伤阈值是否在承受极限内，既要计算脉冲激光的峰值功率，也要计算脉冲激光的平均功率，综合考虑。 如某ZnSe镜片的激光损伤阈值时是500MW/cm2, 使用在一台脉冲激光器中，脉冲激光器的脉冲能量是10J/cm2，脉宽10ns，频率50kHz。 首先，计算平均功率：10J/cm2 X 50kHz =0.5MW/cm2 其次，再计算峰值功率：10J/cm2 / 10ns = 1000MW/cm2 从脉冲激光器的平均功率看，该镜片是能承受不被损伤的，但从脉冲激光器的峰值功率看，是大于该镜片的激光损伤阈值的。所以，综合判断，该ZnSe 镜片不宜用于此脉冲激光器。 如果有条件，对脉冲激光器镜片，应当分别测试平均功率和峰值功率的激光损伤阈值。 Ave. Power ：平均功率 Pulse energy ：脉冲能量 Pulse Width：脉宽 Peak Power:：峰值功率 Rep. Rate ：脉冲频率 ps：皮秒，10-12 S ns：纳秒，10-9S M：兆，106 J：焦耳 W：瓦

半导体激光器工作原理及主要参数

半导体激光器工作原理及主要参数 OFweek激光网讯：半导体激光器又称为激光二极管（LD，Laser Diode），是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件，一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因此半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光雷达、自动控制、检测仪器等领域得到了广泛的应用。 半导体激光器工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种：电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由GaAS（砷化镓）、InAS（砷化铟）、Insb（锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO等）作为工作物质，通过由外 部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用N型或P型半导体单晶（GaAS、InAs、InSb等）作为工作物质，以其它激光器发出的激光作光泵激励。 目前在半导体激光器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构的电注入式GaAs 二极管半导体激光器。 半导体光电器件的工作波长与半导体材料的种类有关。半导体材料中存在着导带和价带，导带上面可以让电子自由运动，而价带下面可以让空穴自由运动，导带和价带之间隔着一条禁带，当电子吸收了光的能量从价带跳跃到导带中去时就把光的能量变成了电，而带有电能的电子从导带跳回价带，又可以把电的能量变成光，这时材料禁带的宽度就决定了光电器件的工作波长。 小功率半导体激光器（信息型激光器），主要用于信息技术领域，例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈和动态单模激光器（DFB-LD）、窄线宽可调谐激光器、用于光盘等信息处理领域的可见光波长激光器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm）。这些 器件的特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐、短波长、光电单片集成化等。 大功率半导体激光器（功率型激光器），主要用于泵浦源、激光加工系统、印刷行业、生物医疗等领域。 半导体激光器主要参数： 波长nm：激光器工作波长，例如405nm、532nm、635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm。 阈值电流Ith：激光二极管开始产生激光振荡的电流，对小功率激光器而言其值约在数 十毫安。

脉冲半导体激光器驱动电源的设计

脉冲半导体激光器驱动电源的设计 作者：张琳， 马家驹， 胡文华， ZHANG Lin， MA Jia-ju， HU Wen-hua 作者单位：张琳,ZHANG Lin(华北科技学院,北京,101601)， 马家驹,胡文华,MA Jia-ju,HU Wen-hua(北京航空制造工程研究所,北京,100024) 刊名： 激光杂志 英文刊名：LASER JOURNAL 年，卷(期)：2009，30(4) 被引用次数：0次 参考文献(3条) 1.Walterr Koechner Solid-state Laser Engineering 2006 2.范贤光.孙和义.唐文彦基于FPGA技术的半导体激光器脉冲驱动电源的设计[期刊论文]-激光杂志 2007(02) 3.房晓俊激光二级管泵浦的小型固体激光技术的研究 1997 相似文献(2条) 1.期刊论文张寿棋.楼祺洪.周军.董景星.ZHANG Shou-qi.LOU Qi-hong.ZHOU Jun.DONG Jing-xing连续可调纳秒 脉冲LD驱动电源的研制-激光技术2008,32(4) 为了满足单模尾纤输出脉冲半导体激光器及其后级光放大的要求,研制了一种重频、脉宽及峰值电流均连续可调的纳秒脉冲驱动电源.该电源使用功率场效应管作为开关,通过分析其驱动特性,采用合适的栅极驱动电路,从而缩短了脉冲宽度,增加了带负载能力;同时电源中的保护电路采用自断电等保护措施,能有效保证LD的安全工作.实验结果表明,该驱动电源工作稳定,能满足单模尾纤输出脉冲LD重频、脉宽、峰值可调的要求. 2.学位论文陆晓元纳秒脉冲半导体激光器驱动电源研究2008 本文阐述纳秒脉冲半导体激光器驱动电源的研制,对元件选择电路、有源脉冲变压器、纳秒脉冲产生电路的设计进行了详细介绍。 采用了基于Marx Bank形式的纳秒脉冲生成电路来产生纳秒脉冲,其特征是采用有源脉冲变压器连接纳秒脉冲源和高速纳秒脉冲形成电路；采用有源脉冲变压器作为触发脉冲和纳秒脉冲电路的隔离电路,提高了触发脉冲电路元件寿命,保护了触发脉冲电路,纳秒脉冲产生电路的工作电压降低了20V左右；纳秒脉冲产生电路采用表面贴装元件,与插针式元件电路相比,纳秒脉冲宽带(FWHM)小于2ns、上升时间小于1ns,最高重复频率为100KHz左右。 通过对设计的纳秒脉冲半导体激光器驱动电源的输出特性进行了测量、分析,发现在一定的范围内改变高速脉冲形成电路的供电电压,输出信号的上升速度和供电电压大致呈现线性关系,脉冲的幅度值也和供电电压呈现线性关系,但是供电电压的变化和脉冲宽度并没有呈现出大致的线性关系,得出在一定范围内,通过改变电压改变了输出脉冲的幅度,以及上升速度的结论。 研究成果可用于窄脉冲LD驱动、超宽带雷达、民用测距、军事用途的隐形目标探测等领域,对国防和民用有重要价值。 本文链接：https://www.wendangku.net/doc/a718376250.html,/Periodical_jgzz200904009.aspx 授权使用：北京信息科技大学(bjxxkjdx)，授权号：e2281f4c-ae54-421a-976c-9e3c00882328 下载时间：2010年11月28日

半导体激光器研究的依据及意义-Read

半导体激光器研究的依据及意义 信息技术已成为当今全球性战略技术。以光电技术和微电子技术为基础所支持的通信和网络技术已成为高技术的核心，正在深刻影响国民经济、国建设的各个领域。其中，半导体激光器起着举足轻重的作用 半导体激光器 ，其转换效率高、体积小、重量轻、可靠性高、能直接调制以及与其它半导体器件集成的能力强等特点而成为信息技术的关键器件。在光谱技术、光外差探测、医疗、加工等领域得到愈来愈广泛的应用。目前，它已是固体激光器泵浦、光纤放大器泵浦中不可替代的重要光源。 但是，半导体激光器正常工作时，需要稳定的环境温度。环境温度的变化以及激光器运转时器件发热而导致其温度起伏，将直接影响激光器输出功率的稳定性和运行的安全可靠性，甚至造成半导体激光器的损坏。因此，半导体激光器的驱动电源温度控制问题越来越受到人们的重视。 阀值是所有激光器所具有的特性，它标志着激光器的增益与损耗的平衡点。由于半导体激光器是直接注入电流的电子—光子转换器件，因此其阀值是常用电流密度或者电流来表示的。温度是影响半导体激光器阀值特性的主要因素。温度对阈值电流密度的影响由下面公式 J th （T ）=J th （T r ）exp[(T-T r )/T 0] 1. (1) 给出。T 为半导体激光器的工作温度，T r 为室温，J th （T ）为工作温度 下的阈值电流密度，J th （T r ）为室温下的阈值电流密度，T 0是表征半导 体激光器温度稳定性的特征温度，它与激光器所使用的材料及结构有关。 温度的变化也影响半导体激光器的激光波长，λ=2nL/m 1.(2) 中，n 为折射率，m 是模数，波长λ随折射率n 和长度L 较大程度的影响。波长λ对T 微分，这里，折射率是温度和波长的函数，即： (1/λ)(d λ/dT)=(1/n)(аn/аλ)T (d λ/dT)

脉冲激光器的能量换算

脉冲激光器的发射激光是不连续，一般以高重频脉冲间隔发射。发射能量以功的单位焦耳(J)计，即每次脉冲做功多少焦耳。 连续激光器发射的能量以功率单位瓦特(W)计量，即每秒钟做功多少焦耳，表示单位时间内做功多少。 瓦和xx的关系：1W=1J/秒。 一台脉冲激光器，脉冲发射能量是1焦耳/次，脉冲频率是50Hz，则每秒钟发射激光50次，每秒钟内做功的平均功率为：50X 1焦耳=50焦耳，所以，平均功率就换算为50瓦。 再举例说明峰值功率的计算，一台绿光脉冲激光器，脉冲能量是 0.14mJ/次，每次脉宽20ns,脉冲频率100kHz， 平均功率为： 0.14mJ X 100k=14J/s=14W，即平均功率为14瓦； 峰值功率是每次脉冲能量与脉宽之比，即 峰值功率： 0.14mJ/20ns=7000W=7kW,峰值功率为7千瓦。 要想知道镜片的脉冲激光损伤阈值是否在承受极限内，既要计算脉冲激光的峰值功率，也要计算脉冲激光的平均功率，综合考虑。 如某ZnSe镜片的激光损伤阈值时是500MW/cm2,使用在一台脉冲激光器中，脉冲激光器的脉冲能量是10J/cm2，脉宽10ns，频率50kHz。 首先，计算平均功率：10J/cm2 X 50kHz = 0.5MW/cm2 其次，再计算峰值功率： 1/ 3

从脉冲激光器的平均功率看，该镜片是能承受不被损伤的，但从脉冲激光器的峰值功率看，是大于该镜片的激光损伤阈值的。所以，综合判断，该ZnSe 镜片不宜用于此脉冲激光器。 如果有条件，对脉冲激光器镜片，应当分别测试平均功率和峰值功率的激光损伤阈值。 Ave. Power ： 平均功率 Pulse energy ： 脉冲能量 Pulse Width： 脉宽 Peak Power: 峰值功率 Rep. Rate ： 脉冲频率 ps： xx，10-12 S ns： xx，10-9S M: 兆，106 J: 2/ 3

氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功

Ｊｕｎｅ２００７光机电信息 科技简讯ＳｃｉｅｎｃｅＢｒｉｅｆ铝吸收，能量很容易穿透材料。因此，在同样能量输出和１０!ｍ波长的情况下，光纤激光器切割的速度是ＣＯ２激光器的２倍。并且它可以用于许多材料的加工，可以被轻松、灵活地整合进生产线。 “该系统更适合中小型企业，因为传统的单任务激光系统对它们来说不划算。在试验计划中，系统的功能已经扩展到焊接。另一个使其受欢迎的优点是尺寸，不算机械手臂，光纤激光器的大小约相当于一个冰箱，仅是ＣＯ２激光器的一半。 据介绍，系统的多功能性主要归功于激光束自身的质量。光纤产生非常均匀的光线和一个很小的焦点。因此激光可以更有效地集中能量，更迅速、准确地运行。另外，由于改进的聚焦能力，现在可以从更远的工作地点进行高速远程控制。 ＣＯ２激光器目前占有９０％以上的市场份额，但是它们主要用于切割金属平板，而不适用于更复杂的几何形状。并且，ＣＯ２激光器的能量转化率只有６％￣１０％，而光纤激光器能达到２０％。据介绍，光纤激光器的其他优点还包括结构紧凑和高使用寿命。 当然，除ＣＯ２和光纤激光器，二极管激光器也有自己的市场。它同光纤激光器一样产生短波长、易吸收的光线，容易穿透金属。硬化要求较大的焦点，以便于在短时间内加工更大的表面；而为了更准确地切割，焦点越小越好。这对二极管激光器是个难题。相对而言，二极管激光器较便宜，但对那些需要切割、焊接的公司来说用处不大。未来，光纤激光器可以实现这３个功能。（Ｎｏ．２９）氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功由中科院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器已取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继２００４年１１月１６日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（ＧａＮ）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。ＧａＮ基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点，在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值，多年来一直备受各国关注。２００２年半导体所杨辉研究员和陈良惠院士领导的研究团队承担了国家“８６３”重大项目“氮化镓基激光器”（ＧａＮ－ＬＤ），开始了对ＧａＮ蓝光激光器的攻关研发。经过２年多的努力，该所于２００４年１１月１６日首次实现了在蓝宝石衬底上ＧａＮ蓝光激光器的脉冲激射。这引起了业界人士和相关部门领导的极大关注，并得到国家“８６３”项目连续支持和中科院知识创新工程重要方向性支持。２００７年２月，科研人员在低温环境下观测到了ＧａＮ蓝光激光器的连续激射。本着严谨、务实的科学精神，研究人员又在激光器腔面解理和镀膜、激光器热沉设计和制作、激光器倒装以及激光器测试手段的完善和提高等方面做了大量细致入微的工作，２００７年４月３０日，ＧａＮ蓝光激光器终于在半导体所研究人员的辛勤培育下绽放出绮丽的蓝色笑靥，发射出了中国大陆上第１束连续的、稳定的蓝色光束。（Ｎｏ．３０）具有高可靠性的ＡＢＬ信标照射激光器诺斯罗普?格鲁门公司研制的信标照射激光器（ＢＩＬＬ）是美国导弹防御局的机载激光器（ＡＢＬ）飞机瞄准系统的一部分。在一系列从２００６年７月开始的地面试验和２００６年下半年开始的飞行试验中，ＢＩＬＬ已经显现出了很高的可靠性。在飞行试验中，ＢＩＬＬ的发射时间共持续了９０ｓ以上，其发射功率和地面发射时相同。在包括起飞和着陆在内的整个飞行过程中，ＢＩＬＬ多次在飞机内部进行发射试验，并保持着比军方要求还高的精度。ＢＩＬＬ是一个千瓦级的固体激光器，主要用于测量大气数据，以便波束控制及火控系统能补偿大气湍流对兆瓦级化学激光器杀伤目标５８

半导体激光器实验报告

半导体激光器实验报告 课程：_____光电子实验_____ 学号： 姓名： 专业：信息工程 南京大学工程管理学院

半导体激光器 一．实验目的 （1）通过实验熟悉半导体激光器的光学特性 （2）掌握半导体激光器耦合、准直等光路的调节 （3）根据半导体激光器的光学特性考察其在光电技术方面的应用 二．实验原理 1.半导体激光器的基本结构 半导体激光器大多数用的是GaAs或Gal-xAlxAs材料。P-n结通常在n 型衬底上生长p型层而形成，在p区和n区都要制作欧姆接触，使激励 电流能够通过，电流使结区附近的有源区产生粒子数反转。 2.半导体激光器的阈值条件 当半导体激光器加正向偏置并导通时，器件不会立刻出现激光震荡，小电流时发射光大都来自自发辐射，随着激励电流的增大，结区大量粒 子数反转，发射更多的光子，当电流超过阈值时，会出现从非受激发射 到受激发射的突变。这是由于激光作用过程的本身具有较高量子效率的 缘故，激光的阈值对应于：由受激发射所增加的激光模光子数（每秒） 正好等于平面散射，吸收激光器的发射所损耗的光子数（每秒）。 3.横模和偏振态 半导体激光器的共振腔具有介质波导的结构，所以在共振腔中传播光以模的形式存在。每个模都由固有的传播常数和横向电场分布，这些 模就构成了激光器中的横模。横模经端面射出后形成辐射场，辐射场的 角分布沿平行于结面方向和垂直于结面方向分别成为侧横场和正横场。 共振腔横向尺寸越小，辐射场发射角越大，由于共振腔平行于结面方向 的宽度大于垂直于结面方向的厚度，所以侧横场小于正横场的发散角。 激光器的GaAs晶面对TE模的反射率大于对TM模的反射率，因而TE模需要的阈值增益低，TE模首先产生受激发射，反过来又抑制了TM 模，另一方面形成半导体激光器共振腔的波导层一般都很薄，这一层越

高精度高重频脉冲激光测距系统

第40卷第8期红外与激光工程2011年8月Vol.40No.8Infrared and Laser Engineering Aug.2011 高精度高重频脉冲激光测距系统 纪荣祎，赵长明，任学成 (北京理工大学光电学院，北京100081) 摘要：在三维激光扫描探测系统中，激光测距的测量重频和测量精度是影响整个系统性能的关键参数。介绍了三维激光扫描探测系统的工作特点，设计了一种以Nios II嵌入式软处理器为核心的高重频、高精度脉冲激光测距系统。通过分析影响测量重频和测距精度的因素，采用双阈值时刻鉴别方法进行计时起止时刻的鉴别，使用TDC-GP2高精度时间间隔测量芯片进行精密计时，设计了基于Nios II嵌入式软处理器的计时控制系统以提高测量重频。实验结果表明：实现了测量重频为20000次/s、测距精度为3cm的激光测距。与传统的单片机控制的计时系统相比,该系统不仅测量重频和测量精度高，且具有更好的可扩展性和灵活性。 关键词：脉冲激光测距；精密时间测量；三维激光扫描；Nios II 中图分类号：TN247文献标志码：A文章编号：1007-2276(2011)08-1461-04 High precision and high frequency pulse laser ranging system Ji Rongyi,Zhao Changming,Ren Xuecheng (School of Photoelectronics,Beijing Institute of Technology,Beijing100081,China) Abstract:In three-dimensional(3D)laser scanning detection system,the measurement repetition rate and measurement precision of laser ranging are the key parameters affecting the performance of the whole system.The work characteristics of3D laser scanning detection system were introduced,and a high repetition rate and high measurement precision pulse laser ranging system based on the Nios II soft-core was designed.According to the analysis of the factors which affected the repetition rate and precision of range measure,the double-threshold time discriminator was adopted to produce timing mark for the start-stop time discrimination,and the TDC-GP2high-precision interval measuring chip was used to achieve high precision on time measure.In addition,the time measure control system based on the Nios II soft-core was designed to improve the measurement repetition rate.Experimental results show that the measurement repetition rate of20000/s and the ranging precision of±3cm are https://www.wendangku.net/doc/a718376250.html,pared with the traditional MCU time measure control system,the designed system owns the advantages of high repetition rate and high measurement precision,furthermore,it is more expandable and flexible. Key words:pulse laser ranging;high precision time measure;3D laser scanning;Nios II 收稿日期：2010-12-18；修订日期：2011-01-17 基金项目：国防科技工业技术基础科研项目(J172009C001) 作者简介：纪荣祎(1984-)，男，博士生，主要从事三维扫描激光探测系统的研究。Email:xiaoxiao8673@https://www.wendangku.net/doc/a718376250.html,。 导师简介：赵长明(1960-)，男，教授，博士生导师，博士，主要从事新型激光器件与技术、光电子信息技术与系统方面的研究工作。 Email:zhaochm1@https://www.wendangku.net/doc/a718376250.html,

半导体激光器

半导体激光器 半导体激光器又称激光二极管[1](LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长，达到原子层厚度的精度，生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。于是，制作出的LD，其阈值电流显著下降，转换效率大幅度提高，输出功率成倍增长，使用寿命也明显加长。 A 小功率LD 用于信息技术领域的小功率LD发展极快。例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈(DFB)和动态单模LD、窄线宽可调谐DFB-LD、用于光盘等信息处理技术领域的可见光波长(如波长为670nm、650nm、630nm的红光到蓝绿光)LD、量子阱面发射激光器以及超短脉冲LD等都得到实质性发展。这些器件的发展特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐以及短波长化和光电单片集成化等。 B 高功率LD 1983年，波长800nm的单个LD输出功率已超过100mW，到了1989年，0.1 mm条宽的LD则达到3.7W的连续输出，而1cm线阵LD已达到76W输出，转换效率达39%。1992年，美国人又把指标提高到一个新水平：1cm线阵LD连续波输出功率达121W，转换效率为45%。现在，输出功率为120W、1500W、3kW等诸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列阵的迅速发展也为全固化激光器，亦即半导体激光泵浦(LDP)的固体激光器的迅猛发展提供了强有力的条件。 近年来，为适应EDFA和EDFL等需要，波长980nm的大功率LD也有很大发展。最近配合光纤Bragg光栅作选频滤波，大幅度改善其输出稳定性，泵浦效率也得到有效提高。 【特点及应用范围】半导体二极管激光器是实用中最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。 【半导体激光器的发展及应用】半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。 在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写