集成电路设计习题答案1-5章

CH1

1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请

说出是什么定律？

晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。

拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：

IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯

片设计

3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？

MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。

4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？

系统，电路，工具，工艺方面的知识

CH2

1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 ?

原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低

廉

2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？

接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触

4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。

GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?

SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低

7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？

肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。

8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21

CH3

1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。

意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓

度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态

生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生

长

2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29

3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？

作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。

4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？

X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高

5．说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。

热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复

6．列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。

干氧

2

2

S i O

O

Si→

+湿氧

2

2

2

2

2H

S i O

O

H

Si+

→

+

CH4

1．Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？见表4.1

2．比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。

CMOS工艺技术成熟，功耗低。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。

3.什么是MOS工艺的特征尺寸？

工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指

最小栅长。

4.为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺

的主流技术？

铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤（MASK STEP ），不容易对齐。硅栅工艺的优点是：自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。

5. 为什么在栅长相同的情况下NMOS 管速度要高

于PMOS 管？

因为电子的迁移率大于空穴的迁移率 6．简述CMOS 工艺的基本工艺流程。P.52 7．常规N-Well CMOS 工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？ P50表4.3

CH5

1． 说出MOSFET 的基本结构。

MOSFET 由两个PN 结和一个MOS 电容组成。 2． 写出MOSFET 的基本电流方程。

]

)[(2

21DS DS T GS l w t V V V V ox

OX --?μ

ξ 3． MOSFET 的饱和电流取决于哪些参数？

饱和电流取决于栅极宽度W ，栅极长度L ，栅-源之间压降GS V ，阈值电压T V ，氧化层厚度

OX t ，氧化层介电常数OX ξ

4． 为什么说MOSFET 是平方率器件？

因为MOSFET 的饱和电流具有平方特性 5． 什么是MOSFET 的阈值电压？它受哪些因素影

响？

阈值电压就是将栅极下面的Si 表面从P 型Si 变成N 型Si 所必要的电压。影响它的因素有4个：材料的功函数之差，SiO2层中可以移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的影响，界面势阱的影响

6． 什么是MOS 器件的体效应？

由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。

7． 说明L 、W 对MOSFET 的速度、功耗、驱动能力

的影响。 P70，71

8． MOSFET 按比例收缩后对器件特性有什么影响?

DS

I 不变，器件占用面积减少，提高电路集成

度，减少功耗

9． MOSFET 存在哪些二阶效应？分别是由什么原

因引起的？

P.70-73 沟道长度调制效应，体效应，亚阈值效应

10．说明MOSFET 噪声的来源、成因及减小的方法。

噪声来源：热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的，可通过增加MOS 管的栅宽和偏置电流减少热噪声。闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的，增加栅长栅宽可降低闪烁噪声。

CH6

1．芯片电容有几种实现结构？ ① 利用二极管和三极管的结电容； ② 叉指金属结构；

③ 金属-绝缘体-金属（MIM ）结构； ④ 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构。

2．采用半导体材料实现电阻要注意哪些问题？ 精度、温度系数、寄生参数、尺寸、承受功耗以及匹配等方面问题

3．画出电阻的高频等效电路。

4．芯片电感有几种实现结构？

(1)集总电感

集总电感可以有下列两种形式: ① 匝线圈;

② 圆形、方形或其他螺旋形多匝线圈;

(2)传输线电感

5．微波集成电路设计中，场效应晶体管的栅极常常通过一段传输线接偏置电压。试解释其作用。 阻抗匹配

6．微带线传播TEM 波的条件是什么？

错误！未找到引用源。

7．在芯片上设计微带线时，如何考虑信号完整性问题?

为了保证模型的精确度和信号的完整性，需要对互连线的版图结构加以约束和进行规整。为了减少信号或电源引起的损耗以及为了减少芯片面积，大多数连线应该尽量短。应注意微带线的趋肤效应和寄生参数。在长信号线上，分布电阻电容带来延迟；而在微带线长距离并行或不同层导线交叉时，要考虑相互串扰问题。

8．列出共面波导的特点。

CPW 的优点是：

①工艺简单，费用低，因为所有接地线均

在上表面而不需接触孔。

②在相邻的CPW 之间有更好的屏蔽，因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸。

③比金属孔有更低的接地电感。

④低的阻抗和速度色散。

CPW 的缺点是：

①衰减相对高一些，在50 GHz 时，CPW 的

衰减是0.5 dB/mm；

②由于厚的介质层，导热能力差，不利于大

功率放大器的实现。

CH7

1. 集成电路电路级模拟的标准工具是什么软件, 能进行何种性能分析？

集成电路电路级模拟的标准工具是SPICE

可以进行：

（1）直流工作点分析

（2）直流扫描分析

（3）小信号传输函数

（4）交流特性分析

（5）直流或小信号交流灵敏度分析

（6）噪声分析

（7）瞬态特性分析

（8）傅里叶分析

（9）失真分析

（10）零极点分析

2. 写出MOS的SPICE元件输入格式与模型输入格式。

元件输入格式：

M<编号> <漏极结点> <栅极结点> <源极结点> <衬底结点> <模型名称> <宽W> <长L> （<插指数M>）

例如：M1 out in 0 0 nmos W=1.2u L=1.2u M=2

模型输入格式：

.Model <模型名称> <模型类型> <模型参数>……

例如：

.MODEL NMOS NMOS LEVEL=2 LD=0.15U TOX=200.0E-10 VTO=0.74 KP=8.0E-05

+NSUB=5.37E+15 GAMMA=0.54 PHI=0.6 U0=656 UEXP=0.157 UCRIT=31444

+DELTA=2.34 VMAX=55261 XJ=0.25U LAMBDA=0.037 NFS=1E+12 NEFF=1.001

+NSS=1E+11 TPG=1.0 RSH=70.00 PB=0.58

+CGDO=4.3E-10 CGSO=4.3E-10 CJ=0.0003 MJ=0.66 CJSW=8.0E-10 MJSW=0.24

其中，+为SPICE语法，表示续行。

3. 用SPICE程序仿真出MOS管的输出特性曲线。

.title CH6-3

.include “models.sp”

M1 2 1 0 0 nmos w=5u l=1.0u

Vds 2 0 5

Vgs 1 0 1

.dc vds 0 5 0.2 vgs 1 5 1

.print dc v(2) i(vds)

.end

4. 构思一个基本电路如一个放大器,画出电路图,编写SPICE输入文件,执行分析,观察结果。

.title CH6-4

.include “models.sp”

.global vdd

M1 out in 0 0 nmos w=5u l=1.0u

M2 out in vdd vdd pmos w=5u l=1.0u

Vcc vdd 0 5

Vin in 0 sin(0 1 10G 1ps 0)

.trans 0.01u 4u

.print trans v(out)

.end

CH8

1．说明版图与电路图的关系。

版图（Layout）是集成电路设计者将设计、模拟和优化后的电路转化成为一系列的几何图形，它包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。版图与电路图是一一对应的，包括元件对应以及结点连线对应。

2．说明版图层、掩膜层与工序的关系。

集成电路制造厂家根据版图中集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据来制造掩膜。根据复杂程度，不同工艺需要的一套掩膜可能有几层到十几层。一层掩膜对应于一种工艺制造中的一道或数道工序。掩膜上的图形决定着芯片上器件或连接物理层的尺寸。因此版图上的几何图形尺寸与芯片上物理层尺寸直接相关。

3．说明设计规则与工艺制造的关系。

由于器件的物理特性和工艺限制，芯片上物理层的尺寸对版图的设计有着特定的规则，这些规则是各集成电路制造厂家根据本身的工艺特点和技术水平而制定的。因此不同的工艺，就有不同的设计规则。

4．设计规则主要包括哪几种几何关系？

设计规则主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距以及最小交叠等。

5．给出版图设计中的图元（Instance）与电路中的元件（Element）概念的区别。

图元可以是一些不具有电路功能的图形组合，譬如以图形组成的字母、图标（Logo）等。

6. 为提高电路性能在版图设计中要注意哪些准则？

（1）匹配设计

（2）抗干扰设计

（3）寄生优化设计

（4）可靠性设计

7．版图设计中整体布局有哪些注意事项？

（1）布局图应尽可能与功能框图或电路图一致，然后根据模块的面积大小进行调整。

（2）设计布局图的一个重要的任务是安排焊盘。一个设计好的集成电路应该有足够的焊盘来进行信号的输入/输出和连接电源电压及地线。

（3）集成电路必须是可测的。最后的测试都是将芯片上的输入/输出焊盘和测试探针或封装线连接起来。

8．版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项？

（1）金属连线的宽度是版图设计必须考虑的问题。

（2）应确保电路中各处电位相同。芯片内部的电源线和地线应全部连通，对于衬底应该保证良好的接地。

（3）对高频信号，尽量减少寄生电容的干扰，对直流信号，尽量利用寄生电容来旁路掉直流信号中的交流成分从而稳定直流。

（4）对于电路中较长的走线，要考虑到电阻效应。为防止寄生大电阻对电路性能的影响，电路中尽量不走长线。

9. 简述用cadence软件进行全定制IC设计的流程。

Ⅰ原理图

（1）建库；

（2）建底层单元；

（3）电路图输入；

（4）设置电路元件属性；

（5）Check & Save；

（6）生成symbol；

（7）原理图仿真。

Ⅱ版图

（1）新建一个library/cell/view；

（2）进行 cell 的版图编辑；

（3）版图验证；

（4）寄生提取与后仿真；

（5）导出GDSII 文件。

CH9

1．小信号放大器有哪些特点?

小信号放大器工作在小信号状态，提供放大的信号电流和电压，需要考虑电路的增益和带宽等指标。

2．限幅放大器属于小信号放大器还是大信号放大器?

大信号放大器

3．运算放大器有哪些特点和性能指标?

运算放大器是高增益的差动放大器，通常工作在闭环状态。

其性能指标有：

（1） 增益

（2） 小信号带宽 （3） 大信号带宽 （4） 输出摆幅 （5） 线形度 （6） 噪声与失调 （7） 电源抑制

4．说明环形振荡器的工作原理，比较环形RC 振荡器和LC 振荡器的优缺点。

环形振荡器是由若干增益级首尾相连组成的,

是一个总直流相位偏移180。

的N 个增益级级联于反馈电路的环形振荡器。

环形振荡器不需要电感元件，可以节省大量的芯片面积，从而实现低代价的振荡器，而且这种振荡器可以实现很宽的调谐范围。但环形振荡器的噪声性能差，功耗高。

LC 振荡器的可以有效改善噪声性能，降低功耗；但由于使用电感元件，这使得芯片面积大大增加，芯片成本随之增加。

5. 在图9.57所示的负跨导振荡器中，假设C P =0，只考虑M1和M2漏极结电容C DB ，请解释为什么VDD 可被视为控制电压，计算VCO 的压控增益。

解：因为C DB 随漏-衬底电压变化而变化，若VDD 变化，振荡回路的谐振频率也随之变化。由于C DB 两端的平均电压近似等于VDD ，可以得到：

错误！未找到引用源。且错误！未找到引用源。 由错误！未找到引用源。，得错误！未找到引用源。

6. 某环形VCO 为6级结构，每级单元电路为图9.58所示的MOS 差分放大器，其中每只NMOS 管

的V TH =0.5V ，k ＝0.1mA/V 2

，C DS =7pF ，VDD=5V 。若控制电压Vcon=3~4V ，求输出频率范围和压控灵敏度K 。

V con

V in

V out

V DD

M 1M 2

图9.58 NMOS 差分单元

解：错误！未找到引用源。，将V TH =0.5V ，k ＝0.1mA/V 2

，C DS =7pF ，VDD=5V 带入公式，

Vcon=3V 时，f =2.14GHz ；Vcon=4V 时，f =0.714GHz 。 K=（2.14-0.714）/(4-3)=1.42GHz/V 。

高财课后练习及答案

高财课后练习及答案 2014 一、单选题 1.有关企业合并的下列说法中，正确的是（C）。 A.企业合并必然形成长期股权投资 B.同一控制下企业合并就是吸收合并 C.控股合并的结果是形成母子公司关系 D.企业合并的结果是取得被并方净资产 2.下列各项企业合并示例中，属于同一控制下企业合并是（D ）。 A.合并双方合并前分属于不同的主管单位 B.合并双方合并前分属于不同的母公司 C.合并双方合并后不形成母子公司关系 D.合并双方合并后仍同属于同一企业集团 3.甲公司与乙公司合并，下列有关此项合并的陈述，不正确的是（D ）。 A.通过合并，甲公司有可能取得乙公司的资产和负债 B.通过合并，甲公司有可能取得乙公司的大部分股权 C.通过合并，甲公司有可能需要确认长期股权投资 D.通过合并，甲公司必然成为乙公司的控股股东 4. 同一控制下企业合并中所称的“控制非暂时性”是指参与合并各方在合并前、后较长时间内受同一方或相同多方控制的时间通常在（D ）。 A.3个月以上 B.6个月以上 C.12个月以上 D.12个月以上（含12个月） 5. 下列有关合并商誉的各种阐述中，正确的是（B ）。 A.只要是同一控制下企业合并，就一定要确认合并商誉 B.确认合并商誉的前提是该合并为同一控制下企业合并 C.合并商誉完全是被购买方自创商誉的市场外化 D.合并商誉与被购买方的净资产毫无关联 6.对于吸收合并，购买方对合并商誉的下列处理方法中符合我国现行会计准则的是（A ）。 A.单独确认为商誉，不予摊销 B.确认为一项无形资产并分期摊销 C.计入“长期股权投资”的账面价值 D.调整减少合并当期的股东权益 7. 企业集团合并报表的编制者是（A ）。 A.母公司 B.子公司 C.企业集团 D.以上答案均正确 8. 下列关于合并报表与企业合并方式之间关系的表述中，正确的是（ B）。A.企业合并必然要求编制合并报表 B.控股合并的情况下，必须编制合并报表 C.新设合并的情况下，必须编制合并报表 D.吸收合并的情况下，必须编制合并报表 9.根据我国现行会计准则，母公司应当将其全部子公司纳入合并报表的合并范围。这里的全部子公司（D ）。 A.不包括小规模的子公司 B.不包括与母公司经营性质不同的非同质子公司

电子电路第十二章习题及参考答案

习题十二 12-1 写出题图12-1所示逻辑电路输出F 的逻辑表达式，并说明其逻辑功能。 解：由电路可直接写出输出的表达式为： 301201101001301201101001D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A F +++==??? 由逻辑表达式可以看出： 当A 1A 0=00 F =D 0 A 1A 0=01 F =D 1 A 1A 0=10 F =D 2 A 1A 0=11 F =D 3 这个电路的逻辑功能是，给定地址A 1A 0以后，将该地址对应的数据传输到输出端F 。 12-2 组合逻辑电路如题图12-2所示。 （1）写出函数F 的表达式； （2）将函数F 化为最简“与或”式，并用“与非”门实现电路； （3）若改用“或非”门实现，试写出相应的表达式。 解：（1）逻辑表达式为：C A D B D C B A F += （2）化简逻辑式 C A D B D B C A C A D B D C A D B C A D C B BC A C A D B A C A D B D C B A C A D B D C B A F +=+++++=++++++=++++=+=?)1()1())(()( 这是最简“与或”表达式，用“与非”门实现电路见题解图12-2-1，其表达式为： C A D B F ?= （3）若用“或非”门实现电路见题解图12-2-2，其表达式为： C A D B C A D B C A D B C A D B F +++=+++=++=+=))(( 由图可见，对于同一逻辑函数采用不同的门电路实现，所使用的门电路的个数不同，组合电路的速度也有差异，因此，在设计组合逻辑电路时，应根据具体不同情况，选用不同的门电路可使电路的复杂程度不同。 A A 3210 题图12-1 习题12-1电路图

模拟集成电路设计期末试卷

《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS

临床科研设计模拟试题_附答案

《临床科研设计》模拟试题 —省住院医师培训必修课统一考试 试题1： 一、单项选择题（10分） 1、在下列研究设计方法中，按临床科研设计论证强度排列，一般认为最强的是：C A、前瞻性队列研究 B、病例对照研究 C、随机对照研究 D、横断面调查 2、在科研选题、立题时，不必考虑下列哪项因素：C A、可行性 B、价值和水平 C、临床阳性结果 D、临床意义 3、在选研究方法时应当考虑的因素中，最重要的是：A A、科研目的 B、可行性 C、样本量 D、创新性 4、研究设计中要估计样本量，主要是因为：B A、样本量过小容易犯第二类错误 B、样本量过小容易犯第一类错误 C、样本量过大会影响结果的准确性 D、样本越大，可行性越差 5、研究对象分组方法设计最重要的指导思想是：A A、两组研究前的基线状况一致 B、两组研究条件要一致 C、两组分组方法要一致 D、两组研究对象年龄、性别要一致 6、分层分析可控制 C A、选择偏倚 B、信息偏倚 C、混杂偏倚 D、信息偏倚和混杂偏倚 7、用住院病人作研究对象容易发生：A A、选择偏倚 B、信息偏倚 C、混杂偏倚 D、选择偏倚和混杂偏倚 8、采用拉丁方设计具有如下要求，但不包括：D B A、三个研究因素 B、水平数可以不等 C、利用标准方 D、不考虑交互作用 9、三个因素各两水平，若采用析因分析设计时，至少要设的组数：B C A、5 B、6 C、8 D、9 10、被认为是论文核心部分的是：B A、材料与方法 B、结果 C、讨论 D、摘要 二、填空题（10分） 1、临床科研选题原则有：创新性原则、科学性原则、可行性原则、需要性原则、效益性原则。 2、临床科研设计的原则有：随机化原则、盲法原则、对照原则、重复原则。 3、临床科研设计的要素是：处理因素、受试对象、试验效应。 三、简答题（28分） 1、简述临床科研的基本步骤。五步骤：科研选题，科研设计，实施方法，设计分析和总结归纳。 2、为什么说偏倚是系统误差，它具有哪些基本属性？系统误差是在调查或测量时，由于某种确定的原因，如实验方法不当、仪器不准等原因造成的，使调查结果偏大或偏小。偏倚是指医学研究中的系统误差以及结果解释、推论中的片面性，使得研究结果与真实性值出现偏倚性的差异。按偏倚的性质分三大类：选择偏倚、信息偏倚、混杂偏倚 3、简述随机化抽样的常用类型以及实施随机化的意义。常用类型有单纯随机抽样、系统随机抽样、分层抽样和整群抽样方法。意义：随机化抽样的最大优点是在根据样本资料推论总体时，可用概率的方式客观地测量推论值的可靠程度，从而使这种推论建立在科学的基础上。 4、常用的诊断试验真实性的评价指标有哪些，各评价的是诊断试验的哪方面？一灵敏度。灵敏度表示试验方法对疾病的检出能力。二特异度。特异度表示试验方法对无病的检出能

高财部分选择判断及答案

1、下列说法中正确的是（ A ）。 A. 企业记账本位币一经确定不得随意变更，除非企业经营所处的主要经济环境发生重大变化 B. 企业记账本位币一经确定，不得变更 C. 企业的记账本位币一定是人民币 D. 企业编报财务报表的货币可以按照人民币以外的币种来反映 2、 A外商投资企业采用交易发生日的即期汇率折算外币业务，期初即期汇率为1美元=6.78元人民币。 本期收到外商作为投资而投入的设备一台，投资各方确认价值为45 万美元，交易发生日的即期汇率为 1 美元=6.60元人民币，另发生运杂费 4.5万元人民币，进口关税 11.25万元人民币，安装调试费 6.75万元人民币，不考虑其他相关税费，则该设备的入账价值为（ D ）万元人民币。 A. 316.35 B.327.6 C.303.75 D.319.5 3、下列选项中，说法错误的是（ D ）。 A. 企业因经营所处的主要经济环境发生重大变化，确需变更记账本位币的，应当采用变更当日的即期汇率将所有项目折算为变更后的记账本位币 B. 企业收到投资者以外币投入的资本，无论是否有合同约定汇率，均不得采用合同约定汇率和即期汇率的近似汇率进行折算，而应当采用交易发生日的即期汇率折算 C. 外币投入资本与相应的货币性项目的记账本位币金额相等，不产生外币资本折算差额 D. 外币兑换业务不会产生汇兑损益 4、以从事外汇经营的银行等金融机构角度看，买入汇率是指（ B ）。 A. 企业从银行买入外汇时使用的汇率 B.企业向银行卖出外汇时使用的汇率 C. 银行向企业卖出外汇时使用的汇率 D.中国人民银行对外公布的市场汇率 5、M股份有限公司对外币业务采用业务发生日的即期汇率进行折算，按月计算汇兑损益。 1 月10日销售价款为40万美元的产品一批，货款尚未收到，当日的即期汇率为1美元=6.80元人民币。1 月31日的即期汇率为1美元=6.87元人民币。2月28日的即期汇率为1美元=6.84元人民币，货款将于 3 月 3 日收

第12章习题及解答

第12章习题及解答 12.1 滚动轴承主要类型有哪几种？各有何特点？试画出它们的结构简图。 解: 请参阅教材表14.1。 12.2 说明下列型号轴承的类型、尺寸、系列、结构特点及精度等级：32210E ，52411/P5， 61805，7312AC ，NU2204E 。 解 ：32210E------圆锥滚子轴承、宽轻系列、内径50、加强型； 52411/P5----推力球轴承、宽重系列、内径55、游隙5级； 61805--------深沟球轴承、正常超轻、内径25； 7312AC-----角接触球轴承、窄中系列、内径60、接触角25?； NU2204E----无挡边圆柱滚子轴承、窄轻系列、内径20、加强型。 12.3 选择滚动轴承应考虑哪些因素？试举出1~2个实例说明之。 解 ：载荷性质、转速、价格等。 12.4 滚动轴承的主要失效形式是什么？应怎样采取相应的设计准则？ 解：疲劳点蚀、塑性变形；寿命、静载荷校核。 12.5 试按滚动轴承寿命计算公式分析： （1） 转速一定的7207C 轴承，其额定动载荷从C 增为2C 时，寿命是否增加一倍？ 解: 由公式 ε ?? ? ??=F C n L h 60106 可知, 当额定动载荷从C 增为2C 时, 寿命增加应为 ()εC 2 (2) 转速一定的7207C 轴承，其当量动载荷从P 增为2P 时，寿命是否由L h 下降为L h /2？ 解: 由公式 ε ?? ? ??=F C n L h 60106 可知, 当其当量动载荷从P 增为2P 时, 寿命下降应 为 ε ?? ? ??21 (3) 当量动载荷一定的7207C 轴承，当工作转速由n 增为2n 时，其寿命有何变化？ 解: 由公式 ε ?? ? ??=F C n L h 60106 可知, 当工作转速由n 增为2n 时，其寿命为原来的

专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案

专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》 一、（共75题,共150分） 1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分） A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案：B 2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。（2分） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C 3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。（2分） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D 4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。（2分） A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案：A 5. （）表征了MOS器件的灵敏度。（2分） A. B. C. D. .标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分） A. B. C. D. .标准答案：B 7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差 .标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2分） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode负载Casocde差分放大器 .标准答案：C 9. 镜像电流源一般要求相同的（）。（2分） A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L .标准答案：D 10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等，应 取为（）。（2分） A. B. C. D. .标准答案：A 11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分） A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案：A

现代机械设计方法复习题【答案2】

现代机械设计方法试题-----复习使用 考试形式：闭卷（带计算器与尺） 一、图解题 1．图解优化问题：min F (X)=(x 1-6)2+(x 2-2)2 s ．t ． 0．5x 1+x 2≤4 3x 1+x 2≤9 x 1+x 2≥1 x 1≥0, x 2≥0 求最优点和最优值。 最优点就是切点坐标：X1=2.7,x2=0.9 最优值：12.1【带入公式结果】 2．若应力与强度服从正态分布，当应力均值μs 与强度均值μr 相等时，试作图表示两者的干涉情况，并在图上示意失效概率F 。 参考解： 3 ．已知某零件的强度r 和应力s 均服从正态分布，且μr >μs ,σr <σs ，试用图形表示强度r 和应力s 的分布曲线，以及该零件的分布曲线和可靠度R 的范围。 参考解： f (s) f (r) Y >0安全状态；Y <0安全状态；Y =0极限状态 f (Y)

强度r 与应力s 的差可用一个多元随机函数Y =r -s =f (x 1,x 2,…,x n )表示，这又称为功能函数。 设随机函数Y 的概率密度函数为f (Y )，可以通过强度r 与应力s 的概率密度函数为f (r )和f (s )计算出干涉变量Y =r-s 的概率密度函数f (Y )，因此零件的可靠度可由下式求得： Y Y f Y p R ?∞ =>=0d )( )0( 从公式可以看出，因为可靠度是以Y 轴的右边对f (Y )积分，因此可靠度R 即为图中Y 轴右边的阴影区域。而失效概率F =1-R ，为图中Y 轴左边的区域。 4．用图表示典型产品的失效率与时间关系曲线，其失效率可以分为几个阶段，请分别对这几个阶段进行分析。 失效率曲线：典型的失效率曲线。失效率（或故障率）曲线反映产品总 体寿命期失效率的情况。图示13.1-8为失效率曲线的典型情况，有时形象地 称为浴盆曲线。失效率随时间变化可分为三段时期： (1) 早期失效期，失效率曲线为递减型。产品投于使用的早期，失效率较高 而下降很快。主要由于设计、制造、贮存、运输等形成的缺陷，以及调试、 跑合、起动不当等人为因素所造成的。当这些所谓先天不良的失效后且运转 也逐渐正常，则失效率就趋于稳定，到t 0时失效率曲线已开始变平。t 0以前 称为早期失效期。针对早期失效期的失效原因，应该尽量设法避免，争取失 效率低且t 0短。 (2) 偶然失效期，失效率曲线为恒定型，即t 0到t i 间的失效率近似为常 数。失效主要由非预期的过载、误操作、意外的天灾以及一些尚不清楚的偶 然因素所造成。由于失效原因多属偶然，故称为偶然失效期。偶然失效期是 能有效工作的时期，这段时间称为有效寿命。为降低偶然失效期的失效率而 增长有效寿命，应注意提高产品的质量，精心使用维护。加大零件截面尺寸 可使抗非预期过载的能力增大，从而使失效率显著下降，然而过分地加大， 将使产品笨重，不经济，往往也不允许。 (3) 耗损失效期，失效率是递增型。在t 1以后失效率上升较快，这是由于产品已经老化、疲劳、磨损、蠕变、腐蚀等所谓有耗损的原因所引起的，故称为耗损失效期。针对耗损失效的原因，应该注意检查、监控、预测耗损开始的时间，提前维修，使失效率仍不上升，如图13.1-8中虚线所示，以延长寿命不多。当然，修复若需花很大费用而延长寿命不多，则不如 报废更为经济。

[VIP专享]高财所得税练习题及答案

1. 所得税费用应当在（C）中单独列示。（1分） A.资产负债表 B.现金流量表 C.利润表 D.所有者权益变动表 2. 存在可抵扣暂时性差异的，按照《企业会计准则第18号——所得税》的规定，应确认（D ）。（1分） A.时间性差异 B.递延所得税负债 C.永久性差异 D.递延所得税资产 3. 资产的计税基础是指企业收回资产（A ）过程中计算应纳税所得额时按照税法规定可以应税经济利益中抵扣的金额。（1分） A.账面价值 B.可收回金额 C.未来净现金流量现值 D.公允价值 4. 直接计入所有者权益的交易或事项，相关资产、负债的账面价值与计税基础之间形成暂时性差异的，在确认递延所得税资产或递延所得税负债的同时，应计入（C ）。（1分） A.当期所得税 B.所得税费用 C.资本公积 D.商誉 5. 甲企业2008年初取得一项可供出售金融资产，取得成本为515万元，2008年12月31日，可供出售金融资产的公允价值为628万元，该企业适用的所得税税率为25%。该业务对当期所得税费用的影响额为(　D　)万元。（1分） A.113 B.28.25 C.84.75 D.0 6. 下列负债项目中，其账面价值与计税基础会产生差异的是（　D　）。（1分） A.短期借款 B.应付票据 C.应付账款 D.预计负债 7. 递延所得税负债应当作为（B ）在资产负债表中列示。（1分） A.流动负债 B.非流动负债 C.短期负债 D.长期负债 8. 负债的计税基础是指负债的（A ）减去未来期间计算应纳税所得额时按照税法规定可予抵扣的金额。（1分） A.账面价值 B.可收回金额

C.未来净现金流量现值 D.公允价值 9. 在（A ）中产生的递延所得税，不应当作为所得税费用或收益计入当期损益。（1分） A.企业合并 B.资产的账面价值与计税基础之间的差额 C.资产或负债的账面价值与计税基础之间的差额 D.负债的账面价值与计税基础之间的差额 10. 企业应当以很可能取得用来抵扣（C ）的应纳税所得额为限，确认递延所得税资产。（1分） A.应纳税暂时性差异 B.时间性差异 C.可抵扣暂时性差异 D.永久性差异 11. 资产负债表日，企业应当对递延所得税的（C ）进行复核。（1分） A.公允价值 B.折现价值 C.账面价值 D.净值 12. 所得税采用资产负债表债务法核算，其暂时性差异是指（B ）。（1分） A.资产、负债的账面价值与其公允价值之间的差额 B.资产、负债的账面价值与计税基础之间的差额 C.会计利润与税法应纳税所得额之间的差额 D.仅仅是资产的账面价值与计税基础之间的差额 13. 存在应纳税暂时性差异的，按照《企业会计准则第18号——所得税》的规定，应确认（B ）。（1分） A.时间性差异 B.递延所得税负债 C.永久性差异 D.递延所得税资产 14. 暂时性差异是指（C ）。（1分） A.会计利润与应税利润由于计算口径不一致所产生的差额 B.会计利润与应税利润由于计算时间上不一致所产生的差额 C.资产或负债的账面价值与计税基础之间的差额 D.资产或负债的可收回金额与计税基础之间的差额 15. 资产、负债的（D ）与其计税基础存在差异的，应当确认为递延所得税资产或递延所得税负债。（1分） A.公允价值 B.净值 C.实际成本 D.账面价值 16. 递延所得税资产应当作为（B ）在资产负债表中列示。（1分） A.流动资产 B.非流动资产

高教第二版(徐寿昌)有机化学课后习题答案第12章

第十二章 醛酮和核磁共振 一、 命名下列化合物： 1. CH 3CHCH 2CHO CH 2CH 3 2. (CH 3)2CH C CH 2CH 3 3. C CH 3 4. CH 3O C O H 5. CHO 6. C O CH 37 10. CH 3 CH 2 CH 3 C C 11. (CH 3)2C=N NO 2 NH NO 2 二、 写出下列化合物的构造式： 1，2－丁烯醛 2。二苯甲酮 3， 2，2－二甲基环戊酮 C O CH 3CH 3 CH 3CH=CHCHO C 4．3－（间羟基苯基）丙醛 5， 甲醛苯腙 6，丙酮缩氨脲 CH 2CH 2CHO OH H 2C=N NH CH 3 CH 3 C=N NH C O NH 2

7，苄基丙酮 8，α－溴代丙醛 CH 2CH 2CH 2CH 3 C CH 3CH CHO Br 9，三聚甲醛 10，邻羟基苯甲醛 CH 2O CH 2 O CH 2O CHO OH 三、 写出分子式为C 5H 10O 的醛酮的同分异构体，并命名之。 CH 3CH 2CH 2CH 2CHO CH 3 CH 3CHCH 2CHO CH 3CH 2CHCHO CH 3 (CH 3)CCHO CH 3CH 2CH 2CH 3CH 3CH 2 CH 2CH 3CH 3 CH(CH 3)2 C C C 酮： 2－戊酮 3－戊酮 3－甲基－2－丁酮 四、 写出丙醛与下列各试剂反应所生成的主要产物： 1，NaBH 4在氢氧化钠水溶液中。 2，C 6H 5MgBr 然后加H 3O + CH 3CH 2CH 2OH CH 3CH 2CHC 6H 5 OH 3.LiAlH 4 ,然后加水 4，NaHSO 3 5， NaHSO 3然后加NaCN CH 3CH 2CH 2OH OH CH 3CH 2CHSO 3Na CH 3CH 2CHCN OH 6，稀碱 7，稀碱，然后加热 8，催化加氢 9，乙二醇，酸 OH CH 3CH 2CHCHCHO CH 3 CH 3CH 2CH=CCHO CH 3 CH 3CH 2CH 2OH CH 3CH 2CH O O CH 2CH 2 10,溴在乙酸中 11，硝酸银氨溶液 12，NH 2OH 13,苯肼 Br CH 3CHCHO CH 3CH 2COONH 4 CH 3CH 2CH=NOH CH 3CH 2CH=NNH 五、 对甲基苯甲醛在下列反应中得到什么产物？

2017年数字IC类笔试面试试题

2017年数字IC类笔试面试试题 威盛logic design engineer考题 1。一个二路选 择器，构成一个4路选择器，满足真值表要求、 2。已知A,B,C三个信号的波形，构造一个逻辑结构，使得从AB可以得到C，并且说明如何避免毛刺 3。一段英文对信号波形的描述，理解后画出波形，并采用verilog 实现。 4。169.6875转化成2进制和16进制 5。阐述中断的概念，有多少种中断，为什么要有中断，举例 6。这道比较搞，iq题，5名车手开5种颜色的车跑出了5个耗油量（milespergallon)，然后就说什么颜色的车比什么车手的耗油量多什么的，判断人，车，好油量的排序ft致死，看了一堆FSM和数字电路没啥用，结果基本的冬冬把自己搞死了。 不过mixedsignal里的数字部分到是很全的考察了数字的冬冬（转）几道威盛电子的FPGA工程师试题 7、解释setup和hold time violation,画图说明,并说明解决办法. 17、给出某个一般时序电路的图,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有clock 的delay,写出决定最大时钟的因素,同时给出表达式. 18、说说静态、动态时序模拟的优缺点. 19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing 22、卡诺图写出逻辑表达使. 23、化简F(A,B,C,D)=m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和 28Please draw the transistor level schematic of a cmos2input AND gate andexplain which input has faster response for output rising edge.(less del aytime). 30、画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate. 45、用逻辑们画出D触发器46、画出DFF的结构图,用verilog实现之. 68、一个状态机的题目用verilog实现73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之. 80、 Please draw schematic of a common SRAM cell with6transistors,point o utwhich nodes can store data and which node is word line control?(威盛笔试circuit design)（转） VIA数字IC笔试试题 1。解释setup和hold time violation，画图说明，并说明解决办法。

2016新课程教学设计一试题及答案 (1)

2016新课程教学设计一试题及答案 一. 单选题（共20题,共40分） 1. ( )课程的过程性评价主要考查学生学习本学科的态度、参与课堂活动的积极程度、独立思考主动探究的能力、与他人合作交流情况、完成书面作业情况、实践操作能力、综合运用知识的能力。（2 2. 知识存在于个人和群体的行动中，随着个人参与到新的情境中并在新情境中进行协调，知识产生了，知识和能力的发展，就像语言的发展，发生于真实情境中不断进行的利用知识的活动中。这是 3. （）是对需要得到帮助的学生与学习活动互动的方式做出决策，它涉及动机激发技术、个 4. 通过观察他人在一定情境的行为，能够有效地促进学习活动的发生。这是( )的观点。（2 5. 学校意义上的“教学”可以理解为：教学是以课程内容为中介，学生在教师的指导下共同开展的 6. （）涉及设计教学活动的决策，包括对教学活动的呈现类型、程序及其结构，学生练习 7. 讲和读在教学活动中是交叉进行的，同时可能还穿插着练习活动。教学中既有教师的讲和读，也 8. （）是对信息传递给学生的方式所做出的决策，对教学媒体的选择有较强的指导作用。（2分）

9. 一位心理学家将儿童认知发展划分为4个阶段:感知运动阶段(0 ^-2岁);前运算阶段(2^-7岁); 10. ( )，教学媒体有助于传递教学信息标准化，使教学活动生动有趣，有效的运用学习理论 11. 为了把一个任务迁移到另一个任务，学生需要对技能迁移进行练习。如果学生从来就没有练习 12. 一位心理学家认为，在学习者尚未表现出足够的学习动机的情况之下，没有必要推迟学习活动。对于那些学习动机不强的学习者来说，最好的办法就是通过有效的教学，使他们尝到学习的甜头，而这有 14. （）是列出一系列相关的问题要求媒体选择者回答，通过对这些问题的逐一回答，来比较清楚地发现适用于一定教学目标(或一定教学情景)的媒体。问题的提出可根据教学媒体的选择原则给出。（2 15. 在当代心理学家凯斯提出的与儿童认知加工有效性相关的变化机制中，将个体的心理区域分成 17. （）认为，知识是分布式存在的，即知识普遍存在于学习者、日常生活工具、媒体、教材与文化脉络中。或者说，知识的意义分散在人们所处的情境中，是人与情境交互作用的产物，因而，是无法从情境中单独隔离出来的。（2分）

微观经济学,课后练习题,答案第十二章

一、选择题 1．在正的外部性的例子中（） A．私有市场产量不足 B．私有市场产量过多 C．效率要求政府实施税收 D．市场价格反映生产的社会成本 2．为了提高资源配置效率，政府对自然垄断部门的垄断行为（） A．不管的 B．加以管制的C．尽量支持的 D．坚决反对的 2．在负的外部性的例子中（） A．私有市场产量不足 B效率要求政府实施补贴 C．市场价格低于有效价格 D．市场价格反映生产的社会成本 3．某一活动存在外部经济是指该活动的（） A．私人利益大于社会利益 B．私人成本大于社会成本 C．私人利益小于社会利益 D．私人成本小于社会成本 4．如果上游工厂污染下游居民的饮水，按科斯定理（），问题就可以妥善解决。 A．不管产权是否明确，只要交易成本为零 B．只要产权明确，且交易成本为零 C．只要产权明确，不管交易成本有多大 D．不论产权是否明确，交易成本是否为零 二、判断题 1．只要私人成本（或收益）不等于社会成本（或收益），就会导致社会资源配置的无效率。（）2．正的外部性会导致资源的供给不足。（） 3．负的外部性会导致资源的供给不足。（） 4．在科斯定律条件下，只要产权是明晰的，资源配置就是有效率的。（） 5．只要产权是明晰的，产权的初始界定对资源配置的效率没有影响。（） 6．一体化的组织成本一定低于市场交易成本。（） 7．政府干预在一定情况下可以改善市场运行状况。（） 8．在治理污染时，出售的许可证的激励作用类似于征税的作用。 三、计算题

1．某果园与养蜂场相邻。果园、蜂厂的成本函数分别为，，，分别为水果、蜂蜜产量，单位（千克）；水果、蜂蜜的价格分别为3元/千克．2元/千克。 （1）果园、蜂场独立经营，其产量各为多少？ （2）果园、蜂场是否有动力一体化？ 2．某污染企业的私人边际成本函数为，污染给社会带来的边际成本为，市场需求函数为，（为价格，为产量）。 （1）假定企业面临的是完全竞争市场，那么，均衡产量、价格分别是多少？ （2）社会最优产量是多少？ （3）为减少污染，政府拟按产量对企业征收污染税。最优税率应为多少？ 四、问答题 1．下面每种情况均涉及到外部性。试指出是正外部性，还是负外部性，或两者兼而有之；并解释为什么自由市场对所述商品会生产得过多或过少。 （1）从事研发的企业； （2）排污企业； （3）在公园中心举行音乐会； （4）吸烟。 2．完全禁止污染活动是一个好的想法吗？为什么？ 3．设想A喜欢夜间大声播放摇滚乐，而这干扰了他的众多邻居休息。那么，产权将如何配置？效率较高。如果A的众多邻居都喜欢在夜间听摇滚乐，只有极少数几个邻居不喜欢，那么，产权将如何配置？效率较高。 如果A只有一个邻居B，且A夜间大声播放摇滚乐干扰了B的休息。矛盾将如何解决？ 参考答案 一、选择题 1. A 2. B 3. C 4. A 5. B 二、判断题 1.√ 2.√ 3.× 4.× 5.√ 6.× 7.√ 8.√ 三、计算题 1.（1）A产量为150，B产量为200；（2）有。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

超大规模集成电路设计方法学试题及解答

超大规模集成电路设计方法学试题及解答 一、名词解释与理解：（20分） 摩尔定律、导通集合C ON、断开集合COFF、无关集合CDC、蕴涵体、逆（反）向设计方法。 答： 摩尔定律：由Intel公司创始人之一的Gordon Moore于1960年提出，1965年发表，并于1971年得到第一次公开验证的一条关于集成电路制造的预言，其具体表述为：集成电路的功能随着时间呈指数增长，即每过18个月，微处理器处理能力增加一倍而价格不变（即集成度按18个月翻番）。 导通集合CON：使某位输出为1的输入序列的集合为该输出位的导通集合。 断开集合COFF：使某位输出为0的输入序列的集合为该输出位的断开集合； 无关集合CDC：使某输出为X的输入序列的集合为该输出位的无关集合； 蕴涵体：包含导通集合中所有顶点而不含断开集合中任一顶点的覆盖称为导通覆盖，在导通覆盖中的每一个多维体称为蕴涵体，每个蕴涵体必须至少包含一个属于导通集合的顶点。最小的蕴涵体就是导通集合中的一个顶点。 逆（反）向设计方法：逆向设计是在剖析他人设计的基础上进行某种修改或改进一种设计方法；对于逆向设计，无论是“自顶向下”还是“由底向上”，开始都要对成品的芯片进行版图解剖、电路图提取和功能分析这几步。 二、论述题： 1.试述有通道门阵列法、门海法和标准单元法的基本单元结构、特点。（15分）答： 有通道门阵列法包含有单元行、布线通道及压焊块这三个基本元素。其特点是：各个单元完全相同，通道的高度是固定的，基片四周布有固定数目的输入/输出单元和压焊块，在使用时我们只需定义连线即可。由于要保证单元之间的布线具有100%的布通率，希望有较宽的通道，但这会导致无用的直线区域，因而浪费硅面积。 门海法是把由一对不共栅的P管和N管组成的基本单元铺满整个芯片（除I/O区外），基本单元之间无氧化隔离区，宏单元之间采用栅隔离技术，而且无事先确定的布线通道区，宏单

高财课后答案

练习题参考答案： 1、兴兴公司会计分录： 借：银行存款60000 应收账款240000 原材料250000 库存商品750000 固定资产600000 无形资产500000 商誉115000 贷：应付账款280000 应付票据185000 长期借款200000 银行存款1000000 股本850000 合并后兴兴公司资产负债表： 2、非同一控制下企业合并 借：银行存款60000 应收账款240000 原材料250000 库存商品850000 固定资产740000 无形资产500000 贷：应付账款330000 应付票据200000 长期借款300000 股本1000000 资本公积800000

营业外收入180000 同一控制下的企业合并： 借：银行存款60000 应收账款190000 原材料200000 库存商品600000 固定资产500000 无形资产250000 资本公积30000 贷：应付账款330000 应付票据200000 长期借款300000 股本1000000 第五章控股权取得日合并报表的编制 一、习题第一题 1.大成公司与中华公司属于同一集团，则此项合并属于同一控制下企业合并。 合并日会计分录为： 借：长期股权投资 1541.4万 贷：股本 1000万 资本公积—股本溢价 541.4 抵销分录： （1）借：实收资本 1000万 资本公积 600万 盈余公积 200万 未分配利润 402万 贷：长期股权投资 1541.4万 少数股东权益 660.6万 （2）恢复大成公司被抵销的留存收益 借：资本公积 421.4万 贷：盈余公积 140万 未分配利润 281.4万 2. 大成公司与中华公司没有关联方关系，此项合并属于非同一控制下企业合并。 购买日会计分录为： 借：长期股权投资 3500万 贷：股本 1000万 资本公积—股本溢价 2500万 合并报表的抵销分录为： （1）对大成公司个别报表的调整分录 借：存货 78万 长期股权投资 660万 固定资产 1000万

第十二章 参考答案

习题12-1 比较下列各组化合物的相对酸性大小： 12-2 预测下列反应的产物：

12-3 在叔丁醇中于室温下用叔丁醇钾处理酮A，几乎完全得到酮B；而酮A在低温下（-72℃）于四氢呋喃中与二异丙基氨基锂作用，接着加热，则主要得到酮C。试写出酮B和酮C的形成过程，并解释在两种不同条件下生成两种不同产物的原因。 O O O A B 1. t-BuOK, t-BuOH 2 C A到B的转变： A到C的转变： 在室温下反应时，A生成热力学控制的产物B；而在低温，大位阻碱（LDA）作用下时，生成动力学控制的产物C。 12-4 试写出下列反应进行的机理：

O Ph Ph O MeOH + Ph Ph O (1) 51%

逆反应机理同理。 （Tetrahedron Lett. 2014, 55, 761）

（J. Org. Chem. 2007, 72, 7455） 12-5 20世纪70年代我国科学家从民间治疗疟疾草药黄花蒿中分离出一种含有过氧桥结构的倍半萜内酯化合物，称为青蒿素。青蒿素是我国自主研发并在国际上注册的药物之一，也是目前世界上最有效的抗疟疾药物之一。我国著名有机合成化学家、中国科学院院士周维善教授在青蒿素的全合成方面做出了开创性的工作，他领导的研究小组于1983年完成了青蒿素的首次全合成。他所采用的合成路线如下：

〔Bn = 苄基；LDA = [(CH3)2CH]2NLi（二异丙基氨基锂）；p-TsOH = 对甲苯磺酸〕（1）写出中间体B、F和G的立体结构式。 （2）中间体C在LDA存在下与3-三甲基硅基-3-丁烯-2-酮反应时，除了得到中间体D之外，还可能产生2种副产物，它们是D的异构体。试写出这2种可能副产物的结构式。 （3）写出由中间体D到中间体E转化的机理。

模拟集成电路分析与设计复习题

1． MOSFET 跨导g m 是如何定义的。在不考虑沟道长度调制时，写出MOSFET 在饱和区的g m 与 V GS ?V TH 、√D 和1V GS ?V TH 的关系表示式。画出它们各自的变化曲线。 2． MOSFET 的跨导g m 是如何定义的。在考虑沟道长度调制时，写出MOSFET 在饱和区的g m 与 V GS ?V TH 、√D 和1 V GS ?V TH 的关系表示式。画出它们各自的变化曲线。 3． 画出考虑体效应和沟道长度调制效应后的MOSFET 小信号等效电路。写出r o 和g mb 的定 义，并由此定义推出r o 和g mb 表示式。 4． 画出由NMOS 和PMOS 二极管作负载的MOSFET 共源级电路图。对其中NMOS 二极管负载共 源级电路，推出忽略沟道长度调制效应后的增益表示式，分析说明器件尺寸和偏置电流对增益的影响。对PMOS 二极管负载的共源级电路，对其增益表示式作出与上同样的分析。 5． 画出MOS 共源共栅级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。并推出此共源共栅 级电路的电压增益和输出电阻表示式。 6． 画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS 共源级电路的电路图和其对应的小信号 等效电路图。写出此电路的等效跨导定义式，并由此推出在不考虑沟道长度调制和体效应情况下的小信号电压增益表示式。画出其漏电流和跨导随V in 的变化曲线图。 7． 画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS 共源级电路的电路图和其对应的小信号 等效电路图。写出此电路的等效跨导定义式，并由此推出考虑沟道长度调制和体效应情 况下的小信号电压增益表示式。画出其漏电流和跨导随V in 的变化曲线图。 8． 画出以二极管连接的MOS 为负载的差动对和以电流源为负载的差动对的电路图。并求 出这两种电路的小信号增益。 9．下图给出一个电阻负载共源级放大器的高频模型。画出其小信号等效电路。并由此等效 电路推出其传输函数。就此传输函数，简要说明电路的零极点分布情况。 10．对如下图所示的共源级电路，画出其含有噪声的电路模型。并根据此模型图写出其输出 噪声电压V n ，out 2?????????和输入噪声电压V n ，in 2????????。 11．下图是一个电路系统的环路增益波特图，由图分析此系统的极点和零点情况。指出系统的稳定性，写出系统的开环和闭环传输函数，并由此求出闭环系统的极点公式来。